一种基于开关电容技术的低延时电平位移器

1.本发明属于电平位移器技术领域，具体涉及一种基于开关电容技术的低延时电平位移器。


背景技术：

2.为了减少功耗，许多电子设备正在向低电压供电的方向发展，例如，处理器i/o电压从1.8v转为1.5v，处理器核心电路电压一般小于1v，而下一代微处理器甚至会使用更低的电源电压。与此同时，外围电路的工作电压仍为3v～5v以保证性能。因此，为了确保不同供电电压下工作的不同模块之间正确的数据通信，使用具有宽转换电压的电平位移器是非常必要的。
3.另外，传统的电平位移器在输入电平变换瞬间，会在上拉网络与下拉网络之间发生电平竞争现象，导致电平转换速度变慢并且功耗增大。


技术实现要素：

4.为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于开关电容技术的低延时电平位移器。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
5.本发明提供了一种基于开关电容技术的低延时电平位移器，包括：控制信号产生器、内部转换电路、锁存器电路和输出电路，其中，
6.所述控制信号产生器，用于根据输入电平的状态与低延时电平位移器的输出电平的状态产生控制信号，其中，所述输入电平的电平幅度为第一电源电压，所述输出电平的电平幅度为第二电源电压，所述第一电源电压低于所述第二电源电压；
7.所述内部转换电路包括两路输出支路，所述内部转换电路用于根据所述控制信号输出两路输出信号，在输入电平状态发生变化的瞬时状态下，一路输出支路的输出信号变为瞬间低电压，另一路输出支路的输出信号保持为第二电源电压，在输入电平状态不变的稳定状态下，两路输出支路的输出信号均保持为第二电源电压；
8.所述锁存器电路，用于根据接收的两路输出信号产生一对电平幅度为第二电源电压的低延时互补电平信号；
9.所述输出电路根据所述低延时互补电平信号产生所述输出电平。
10.在本发明的一个实施例中，所述控制信号产生器，包括：反相器inv1、mos开关s1、s2、s3、s4、s5和s6，电容c1、电容c2、电阻r3和电阻r4，其中，
11.所述输入电平经过所述反相器inv1产生反相电平信号；
12.所述mos开关s1、所述mos开关s2、所述电阻r3和mos开关s5依次串联；所述电容c1的第一极板连接在所述mos开关s1与所述mos开关s2之间，第二极板连接在所述电阻r3与所述mos开关s5之间；
13.所述mos开关s3、所述mos开关s4、所述电阻r4和mos开关s6依次串联；所述电容c2的第一极板连接在所述mos开关s3与所述mos开关s4之间，第二极板连接在所述电阻r4与所
述mos开关s6之间；
14.所述mos开关s1的第一端与所述mos开关s3的第一端连接，且连接接地端；
15.所述mos开关s6的第二端与所述mos开关s5的第二端连接，且作为所述控制信号产生器的输出端输出控制信号；
16.所述电阻r3与所述电阻r4的第一端均输入第一电源电压；
17.所述输入电平控制所述mos开关s1和s4的通断，所述反相电平信号控制所述mos开关s2和s3的通断，所述输出电平控制所述mos开关s5的通断，与所述输出电平互补的输出电平互补信号控制所述mos开关s6的通断。
18.在本发明的一个实施例中，所述mos开关s1、s2、s3和s4为低阈值电压mos管，所述mos开关s5和s6为高阈值电压mos管。
19.在本发明的一个实施例中，所述内部转换电路，包括：电阻r1、电阻r2、nmos管mn5、mn6、mn7和mn8，其中，
20.所述电阻r1和所述电阻r2的第一端均输入第二电源电压；
21.所述电阻r1的第二端连接所述nmos管mn5的漏极，所述nmos管mn5的源极连接所述nmos管mn7的漏极，所述nmos管mn7的栅极输入所述输入电平；
22.所述电阻r2的第二端连接所述nmos管mn6的漏极，所述nmos管mn6的源极连接所述nmos管mn8的漏极，所述nmos管mn8的栅极输入所述反相电平信号；
23.所述nmos管mn7和mn8的源极均连接所述接地端；
24.所述nmos管mn5和mn6的栅极均输入所述控制信号；
25.所述nmos管mn7、mn5和所述电阻r1形成一路输出支路，所述电阻r1的第二端作为第一输出信号的输出端；
26.所述nmos管mn8、mn6和所述电阻r2形成另一路输出支路，所述电阻r2的第二端作为第二输出信号的输出端。
27.在本发明的一个实施例中，所述nmos管mn5和mn6为高阈值电压mos管，所述nmos管mn7和mn8为低阈值电压mos管。
28.在本发明的一个实施例中，所述锁存器电路包括与非门nand1和与非门nand2，其中，
29.所述非门nand1的第一输入端输入所述第二输出信号，第二输入端连接所述与非门nand2的输出端，输出端输出第一低延时互补电平信号；
30.所述与非门nand2的第一输入端连接所述非门nand1的输出端，第二输入端输入所述第一输出信号，输出端输出第二低延时互补电平信号；
31.所述非门nand1和所述与非门nand2的电源端均输入所述第二电源电压。
32.在本发明的一个实施例中，所述输出电路包括nmos管mn1和mn2以及pmos管mp1和mp2，其中，
33.所述pmos管mp1和mp2的源极均输入所述第二电源电压；
34.所述pmos管mp1的漏极分别连接所述nmos管mn1的漏极和所述pmos管mp2的栅极；
35.所述pmos管mp2的漏极分别连接所述nmos管mn2的漏极和所述pmos管mp1的栅极；
36.所述nmos管mn1的栅极输入所述第二低延时互补电平信号，所述nmos管mn2的栅极输入所述第一低延时互补电平信号；
37.所述nmos管mn1和mn2的源极连接所述接地端；
38.所述nmos管mn2的漏极作为低延时电平位移器的输出端，所述nmos管mn1的漏极作为输出电平互补信号的输出端。
39.在本发明的一个实施例中，所述nmos管mn1和mn2以及所述pmos管mp1和mp2均为高阈值电压mos管。
40.与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
41.本发明的基于开关电容技术的低延时电平位移器，通过设置的控制信号产生器、内部转换电路和锁存器电路，在输入电平状态发生变化的瞬时状态下，产生低延时互补电平信号，以控制输出电路实现高电平信号的输出，本发明能够迅速地响应输入电平的变换并获得输出转换电平，具有低延时的优点，改善了由于电平转换速度变慢导致功耗增大的问题。
42.上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
43.图1是本发明实施例提供的一种基于开关电容技术的低延时电平位移器的结构框图；
44.图2是本发明实施例提供的一种基于开关电容技术的低延时电平位移器的电路图；
45.图3是本发明实施例提供的不同工作模式下控制信号产生器的配置图；
46.图4是本发明实施例提供的基于开关电容技术的低延时电平位移器的信号示意图。
具体实施方式
47.为了进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及具体实施方式，对依据本发明提出的一种基于开关电容技术的低延时电平位移器进行详细说明。
48.有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合附图的具体实施方式详细说明中即可清楚地呈现。通过具体实施方式的说明，可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效进行更加深入且具体地了解，然而所附附图仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明的技术方案加以限制。
49.实施例一
50.请参见图1，图1是本发明实施例提供的一种基于开关电容技术的低延时电平位移器的结构框图，如图所示，本实施例的基于开关电容技术的低延时电平位移器，包括：控制信号产生器(control signal generator with switched capacitor technique，csg-sc)、内部转换电路(internal converting stage，ics)、锁存器电路(latch-up circuit)和输出电路(output stage based on differential cascode voltage switch，os-dcvs)。
51.在一个可选地实施方式中，控制信号产生器用于根据输入电平in的状态与低延时电平位移器的输出电平out的状态产生控制信号vc，其中，输入电平in的电平幅度为第一电源电压v
ddl
，输出电平out的电平幅度为第二电源电压v
ddh
，第一电源电压v
ddl
低于第二电源电压v
ddh
。
52.内部转换电路包括两路输出支路，内部转换电路用于根据控制信号vc输出两路输出信号vp和vq，在输入电平状态发生变化的瞬时状态下，一路输出支路的输出信号变为瞬间低电压，另一路输出支路的输出信号保持为第二电源电压，在输入电平状态不变的稳定状态下，两路输出支路的输出信号vp和vq均保持为第二电源电压。
53.锁存器电路用于根据接收的两路输出信号vp和vq产生一对电平幅度为第二电源电压的低延时互补电平信号va和va_b；输出电路根据低延时互补电平信号va和va_b产生输出电平out。
54.请结合参见图2所示的本发明实施例提供的一种基于开关电容技术的低延时电平位移器的电路图。
55.在一个可选地实施方式中，控制信号产生器由反相器、mos开关、电容和电阻构成，电源电压为第一电源电压。具体包括：反相器inv1、mos开关s1、s2、s3、s4、s5和s6，电容c1、电容c2、电阻r3和电阻r4。
56.其中，输入电平in经过反相器inv1产生反相电平信号inb；mos开关s1、mos开关s2、电阻r3、mos开关s5和电容c1组成一条开关电容电路；mos开关s3、mos开关s4、电阻r4、mos开关s6和电容c2组成另一条开关电容电路。两条开关电容电路对应产生的控制信号为相反的互补信号。
57.在本实施例中，mos开关s1、mos开关s2、电阻r3和mos开关s5依次串联；电容c1的第一极板连接在mos开关s1与mos开关s2之间(即图中vn1节点)，第二极板连接在电阻r3与mos开关s5之间(即图中vn节点)；mos开关s3、mos开关s4、电阻r4和mos开关s6依次串联；电容c2的第一极板连接在mos开关s3与mos开关s4之间(即图中vm1节点)，第二极板连接在电阻r4与mos开关s6之间(即图中vm节点)；mos开关s1的第一端与mos开关s3的第一端连接，且连接接地端vss；mos开关s6的第二端与mos开关s5的第二端连接，且作为控制信号产生器的输出端输出控制信号vc；电阻r3与电阻r4的第一端均输入第一电源电压v
ddl
。
58.其中，输入电平in控制mos开关s1和s4的通断，反相电平信号inb控制mos开关s2和s3的通断，输出电平out控制mos开关s5的通断，与输出电平out互补的输出电平互补信号out_b控制mos开关s6的通断。
59.可选地，mos开关s1、s2、s3和s4为低阈值电压mos管，mos开关s5和s6为高阈值电压mos管。
60.在一个可选地实施方式中，内部转换电路由两路相同的nmos与电阻构成，为锁存器电路提供输入信号，电源电压为第二电源电压。具体包括：电阻r1、电阻r2、nmos管mn5、mn6、mn7和mn8。
61.其中，电阻r1和电阻r2的第一端均输入第二电源电压v
ddh
；电阻r1的第二端连接nmos管mn5的漏极，nmos管mn5的源极连接nmos管mn7的漏极，nmos管mn7的栅极输入输入电平in。电阻r2的第二端连接nmos管mn6的漏极，nmos管mn6的源极连接nmos管mn8的漏极，nmos管mn8的栅极输入反相电平信号inb。nmos管mn7和mn8的源极均连接接地端vss；nmos管
mn5和mn6的栅极均输入控制信号vc；
62.在本实施例中，nmos管mn7、mn5和电阻r1形成一路输出支路，电阻r1的第二端作为第一输出信号vp的输出端；nmos管mn8、mn6和电阻r2形成另一路输出支路，电阻r2的第二端作为第二输出信号vq的输出端。其中，nmos管mn5和mn6为高阈值电压mos管，nmos管mn7和mn8为低阈值电压mos管。
63.在一个可选地实施方式中，锁存器电路包括与非门nand1和与非门nand2，电源电压为第二电源电压。其中，非门nand1的第一输入端输入第二输出信号vq，第二输入端连接与非门nand2的输出端，输出端输出第一低延时互补电平信号va；与非门nand2的第一输入端连接非门nand1的输出端，第二输入端输入第一输出信号vp，输出端输出第二低延时互补电平信号va_b；非门nand1和与非门nand2的电源端均输入第二电源电压v
ddh
。在本实施例中，锁存器中的mos管为高阈值电压mos管。
64.在一个可选地实施方式中，输出电路由交叉耦合的pmos与nmos串联构成，电源电压为第二电源电压。具体包括：nmos管mn1和mn2以及pmos管mp1和mp2。
65.其中，pmos管mp1和mp2的源极均输入第二电源电压v
ddh
；pmos管mp1的漏极分别连接nmos管mn1的漏极和pmos管mp2的栅极；pmos管mp2的漏极分别连接nmos管mn2的漏极和pmos管mp1的栅极；nmos管mn1的栅极输入第二低延时互补电平信号va_b，nmos管mn2的栅极输入第一低延时互补电平信号va；nmos管mn1和mn2的源极连接接地端vss；nmos管mn2的漏极作为低延时电平位移器的输出端，nmos管mn1的漏极作为输出电平互补信号out_b的输出端。
66.在本实施例中，nmos管mn1和mn2以及pmos管mp1和mp2均为高阈值电压mos管。
67.本实施例的基于开关电容技术的低延时电平位移器，根据输入电平in与输出电平out的状态可分为四种工作状态，分别为模式i的瞬时状态(mode i,transient)，模式i的稳定状态(mode i,steady)，模式ii的瞬时状态(mode ii,transient)和模式ii的稳定状态(mode ii,steady)。
68.请结合图3所示的本发明实施例提供的不同工作模式下控制信号产生器的配置图，对不状态下控制信号产生器的工作过程进行说明。
69.mode i,transient：当输入电平in从低电平上升为高电平，输出电平out仍处于低电平，从输入电平in变为高电平到输出电平out变为高电平之前，本发明实施例的低延时电平位移器处于mode i,transient状态。在此期间，csg-sc中mos开关s1、s4和s6闭合，mos开关s2、s3和s5断开。一条开关电容电路(vm节点所在支路)的电容c2和电阻r4并联，vm节点一端接第一电源电压v
ddl
，另外一端接vc节点，产生了电平为两倍v
ddl
左右的脉冲信号(也就是控制信号vc)；另一条开关电容电路(vn节点所在支路)的电容c1和电阻r3串联在第一电源电压v
ddl
和接地端vss之间，电容c1开始进行充电过程。
70.mode i,steady：当输出电平out转变为高电平时，本发明实施例的低延时电平位移器进入mode i,steady状态。在此期间，csg-sc中mos开关s1、s4和s5闭合，mos开关s2、s3和s6断开。vc节点断开与vm节点的连接，开始与vn节点连接。电容c1仍处于充电过程，而电容c2开始复位。
71.mode ii,transient：当输入电平in从高电平下降为低电平，输出电平out仍处于高电平，从输入电平in变为低电平到输出电平out变为低电平之前，本发明实施例的低延时
电平位移器处于mode ii,transient状态。在此期间，csg-sc中mos开关s2、s3和s5闭合，mos开关s1、s4和s6断开。一条开关电容电路(vn节点所在支路)的电容c1和电阻r3并联，vn节点一端接第一电源电压v
ddl
，另外一端接vc节点，产生了电平为两倍v
ddl
左右的脉冲信号(也就是控制信号vc)；另一条开关电容电路(vm节点所在支路)的电容c2和电阻r4串联在第一电源电压v
ddl
和接地端vss之间，电容c2开始进行充电过程。
72.mode ii,steady：当输出电平out转变为低电平时，本发明实施例的低延时电平位移器进入mode ii,steady状态。在此期间，csg-sc中mos开关s2、s3和s6闭合，mos开关s1、s4和s5断开。vc节点断开与vn节点的连接，开始与vm节点连接。电容c2仍处于充电过程，而电容c1开始复位。
73.请结合参见图4所示的本发明实施例提供的基于开关电容技术的低延时电平位移器的信号示意图，进一步地，对基于开关电容技术的低延时电平位移器的信号状态进行说明。
74.csg-sc：如上所述瞬时状态期间控制信号vc约等于2v
ddl
；稳定状态期间控制信号vc为充电至v
ddl
变化状态。
75.ics：瞬时状态期间mos管mn5、mn6导通，在输入电平in和反相电平信号inb的控制下两路输出信号vp和vq分别保持为第二电源电压v
ddh
和变为瞬间低电压；稳定状态期间两路输出信号vp和vq都保持为第二电源电压v
ddh
。
76.latch-up circuit：在瞬时状态期间，即两路输出信号vp和vq分别保持为第二电源电压v
ddh
和变为瞬间低电压时，latch-up circuit根据两路输出信号vp和vq，快速产生电平幅度为第二电源电压v
ddh
的低延时互补电平信号va和va_b；在稳定状态期间，即两路输出信号vp和vq都保持为第二电源电压v
ddh
时，latch-up circuit处于保持状态，低延时互补电平信号va和va_b维持原来的电平不变。
77.os-dcvs：在瞬时状态期间，在低延时互补电平信号va和va_b的控制下，nmos管mn1和mn2分别处于导通与断开状态，out节点和out_b节点之间有一处电位被放电，在pmos管mp1和mp2交叉耦合结构的作用下，out节点和out_b节点迅速拉开差距，其中一处为第二电源电压v
ddh
，另外一处为vss地。
78.本发明实施例的基于开关电容技术的低延时电平位移器，通过设置的控制信号产生器、内部转换电路和锁存器电路，在输入电平状态发生变化的瞬时状态下，产生低延时互补电平信号，以控制输出电路实现高电平信号的输出，本发明能够迅速地响应输入电平的变换并获得输出转换电平，具有低延时的优点，改善了由于电平转换速度变慢导致功耗增大的问题。
79.应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
80.以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种基于开关电容技术的低延时电平位移器，其特征在于，包括：控制信号产生器、内部转换电路、锁存器电路和输出电路，其中，所述控制信号产生器，用于根据输入电平(in)的状态与低延时电平位移器的输出电平(out)的状态产生控制信号(vc)，其中，所述输入电平(in)的电平幅度为第一电源电压(v
ddl
)，所述输出电平(out)的电平幅度为第二电源电压(v
ddh
)，所述第一电源电压(v
ddl
)低于所述第二电源电压(v
ddh
)；所述内部转换电路包括两路输出支路，所述内部转换电路用于根据所述控制信号(vc)输出两路输出信号(vp和vq)，在输入电平状态发生变化的瞬时状态下，一路输出支路的输出信号变为瞬间低电压，另一路输出支路的输出信号保持为第二电源电压，在输入电平状态不变的稳定状态下，两路输出支路的输出信号(vp和vq)均保持为第二电源电压；所述锁存器电路，用于根据接收的两路输出信号(vp和vq)产生一对电平幅度为第二电源电压的低延时互补电平信号(va和va_b)；所述输出电路根据所述低延时互补电平信号(va和va_b)产生所述输出电平(out)。2.根据权利要求1所述的基于开关电容技术的低延时电平位移器，其特征在于，所述控制信号产生器，包括：反相器inv1、mos开关s1、s2、s3、s4、s5和s6，电容c1、电容c2、电阻r3和电阻r4，其中，所述输入电平(in)经过所述反相器inv1产生反相电平信号(inb)；所述mos开关s1、所述mos开关s2、所述电阻r3和mos开关s5依次串联；所述电容c1的第一极板连接在所述mos开关s1与所述mos开关s2之间，第二极板连接在所述电阻r3与所述mos开关s5之间；所述mos开关s3、所述mos开关s4、所述电阻r4和mos开关s6依次串联；所述电容c2的第一极板连接在所述mos开关s3与所述mos开关s4之间，第二极板连接在所述电阻r4与所述mos开关s6之间；所述mos开关s1的第一端与所述mos开关s3的第一端连接，且连接接地端(vss)；所述mos开关s6的第二端与所述mos开关s5的第二端连接，且作为所述控制信号产生器的输出端输出控制信号(vc)；所述电阻r3与所述电阻r4的第一端均输入第一电源电压(v
ddl
)；所述输入电平(in)控制所述mos开关s1和s4的通断，所述反相电平信号(inb)控制所述mos开关s2和s3的通断，所述输出电平(out)控制所述mos开关s5的通断，与所述输出电平(out)互补的输出电平互补信号(out_b)控制所述mos开关s6的通断。3.根据权利要求2所述的基于开关电容技术的低延时电平位移器，其特征在于，所述mos开关s1、s2、s3和s4为低阈值电压mos管，所述mos开关s5和s6为高阈值电压mos管。4.根据权利要求2所述的基于开关电容技术的低延时电平位移器，其特征在于，所述内部转换电路，包括：电阻r1、电阻r2、nmos管mn5、mn6、mn7和mn8，其中，所述电阻r1和所述电阻r2的第一端均输入第二电源电压(v
ddh
)；所述电阻r1的第二端连接所述nmos管mn5的漏极，所述nmos管mn5的源极连接所述nmos管mn7的漏极，所述nmos管mn7的栅极输入所述输入电平(in)；所述电阻r2的第二端连接所述nmos管mn6的漏极，所述nmos管mn6的源极连接所述nmos管mn8的漏极，所述nmos管mn8的栅极输入所述反相电平信号(inb)；
所述nmos管mn7和mn8的源极均连接所述接地端(vss)；所述nmos管mn5和mn6的栅极均输入所述控制信号(vc)；所述nmos管mn7、mn5和所述电阻r1形成一路输出支路，所述电阻r1的第二端作为第一输出信号(vp)的输出端；所述nmos管mn8、mn6和所述电阻r2形成另一路输出支路，所述电阻r2的第二端作为第二输出信号(vq)的输出端。5.根据权利要求4所述的基于开关电容技术的低延时电平位移器，其特征在于，所述nmos管mn5和mn6为高阈值电压mos管，所述nmos管mn7和mn8为低阈值电压mos管。6.根据权利要求4所述的基于开关电容技术的低延时电平位移器，其特征在于，所述锁存器电路包括与非门nand1和与非门nand2，其中，所述非门nand1的第一输入端输入所述第二输出信号(vq)，第二输入端连接所述与非门nand2的输出端，输出端输出第一低延时互补电平信号(va)；所述与非门nand2的第一输入端连接所述非门nand1的输出端，第二输入端输入所述第一输出信号(vp)，输出端输出第二低延时互补电平信号(va_b)；所述非门nand1和所述与非门nand2的电源端均输入所述第二电源电压(v
ddh
)。7.根据权利要求6所述的基于开关电容技术的低延时电平位移器，其特征在于，所述输出电路包括nmos管mn1和mn2以及pmos管mp1和mp2，其中，所述pmos管mp1和mp2的源极均输入所述第二电源电压(v
ddh
)；所述pmos管mp1的漏极分别连接所述nmos管mn1的漏极和所述pmos管mp2的栅极；所述pmos管mp2的漏极分别连接所述nmos管mn2的漏极和所述pmos管mp1的栅极；所述nmos管mn1的栅极输入所述第二低延时互补电平信号(va_b)，所述nmos管mn2的栅极输入所述第一低延时互补电平信号(va)；所述nmos管mn1和mn2的源极连接所述接地端(vss)；所述nmos管mn2的漏极作为低延时电平位移器的输出端，所述nmos管mn1的漏极作为输出电平互补信号(out_b)的输出端。8.根据权利要求7所述的基于开关电容技术的低延时电平位移器，其特征在于，所述nmos管mn1和mn2以及所述pmos管mp1和mp2均为高阈值电压mos管。

技术总结
本发明涉及一种基于开关电容技术的低延时电平位移器，包括：控制信号产生器、内部转换电路、锁存器电路和输出电路，其中，控制信号产生器产生控制信号，内部转换电路包括两路输出支路根据控制信号输出两路输出信号，在输入电平状态发生变化的瞬时状态下，一路输出支路的输出信号变为瞬间低电压，另一路输出支路的输出信号保持为高电源电压；锁存器电路用于根据接收的两路输出信号产生一对电平幅度为高电源电压的低延时互补电平信号；输出电路根据低延时互补电平信号产生输出电平。本发明能够迅速地响应输入电平的变换并获得输出转换电平，具有低延时的优点，改善了由于电平转换速度变慢导致功耗增大的问题。慢导致功耗增大的问题。慢导致功耗增大的问题。


技术研发人员：梁宇华 万婧 朱樟明
受保护的技术使用者：西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
技术研发日：2023.04.26
技术公布日：2023/8/16