用于存储器阵列的支柱的电压均衡的制作方法

用于存储器阵列的支柱的电压均衡
1.交叉参考
2.本专利申请案主张2020年12月9日申请的维拉(villa)等人的标题为“用于存储器阵列的支柱的电压均衡(voltage equalization for pillars of a memory array)”的第17/116,893号美国专利申请案的优先权，所述申请案被转让给其受让人且其全部内容明确地以引用的方式并入本文中。
技术领域
3.本技术领域涉及一或多个存储器系统，且更特定来说，涉及用于存储器阵列的支柱的电压均衡。


背景技术：

4.存储器装置广泛用于存储各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中的信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态而存储。例如，二进制存储器单元可编程为两个支持状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，可存储任何一种状态。为存取经存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为存储信息，组件可在存储器装置中写入或编程状态。
5.存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术等。存储器单元可为易失性或非易失性。
附图说明
6.图1说明根据如本文中公开的实例的支持用于存储器阵列的支柱的电压均衡的存储器阵列的实例。
7.图2a到2c说明根据如本文中公开的实例的支持用于存储器阵列的支柱的电压均衡的存储器阵列的实例。
8.图3说明根据如本文中公开的实例的支持用于存储器阵列的支柱的电压均衡的存储器阵列的实例。
9.图4展示根据如本文中公开的实例的支持用于存储器阵列的支柱的电压均衡的存储器装置的框图。
10.图5及6展示根据如本文中公开的实例的支持用于存储器阵列的支柱的电压均衡的方法的流程图。
具体实施方式
11.在一些存储器阵列中，一些结构可在存储器阵列的各种操作期间电浮动或浮动，
其可指代其中结构并非或不希望与电压源耦合或连接，或以其它方式被驱动到一致或受控电压的状况。例如，存储器装置的结构可通过晶体管或其它切换组件将结构选择性地与电压源隔离而浮动。然而，存储器阵列的浮动结构可具有另一耦合(例如，间接耦合、次级耦合、弱耦合)，例如允许浮动结构的电荷或电压积累的电容耦合或泄漏耦合，且浮动结构的电压因此可为不确定的。在一些实例中，浮动结构的不确定电压可例如通过在由存储器单元存储的状态中引起扰动的积累电压而与存储器阵列的受损性能相关联。
12.一些存储器阵列可实施硫属化物存储器单元，其可通过跨选定存储器单元施加读取偏压而加以存取或读取。在一些实例中，例如涉及阈值化存储器单元的所述实例中，可基于存储器单元是否在存在读取偏压时“阈值化”来确定存储器单元的逻辑状态(例如，逻辑0或逻辑1)，其中阈值化可指代由施加读取偏压或其它偏压引起的电阻状态改变(例如，电阻的击穿或塌缩、电流增加或电荷转移)。在一些实例中，可预期未选定阈值化存储器单元在相邻结构之间提供一定程度的电隔离，或以其它方式与相对高电阻相关联。然而，未选定阈值化存储器单元可与一定程度电容或泄漏耦合相关联，其可允许电荷或电压积累在浮动存储器阵列结构上。在一些情况下，浮动结构的电压可达到与耦合浮动结构的一或多个阈值化存储器单元的无意选择或阈值化相关联的电平。
13.根据如本文中所公开的实例，存储器阵列可经配置以支持在存储器阵列的操作期间浮动的结构的电荷或电压的耗散或均衡。在一些实例中，存储器阵列可经配置有导电支柱，其各自与相应存储器单元组耦合，且可选择性地与存取线(例如，感测线)耦合或与之隔离。为了支持来自未选定支柱的电荷的耗散或均衡，存储器阵列可经配置有提供与接地电压或其它电压源的耗散耦合，例如具有相对高电阻或一定程度电容(例如，电阻及电容阻抗)的耦合(例如，以支持无源均衡)的材料层或层级。另外或替代地，存储器阵列可经配置以通过将已在浮动状况下操作的支柱与接地电压或其它电压源选择性地耦合(例如，以执行动态均衡)来支持经积累电荷或电压的有源耗散。通过实施根据如本文中所公开的实例的技术，与其它技术相比，存储器阵列可限制在存储器阵列的操作期间浮动的结构的电压或电荷电平的范围，此可改进存储器阵列的操作，例如改进读取裕度、改进数据保持或改进存储器阵列可靠性的其它方面，以及其它优点。
14.首先在如参考图1到3描述的存储器裸片及相关结果的上下文中描述本公开的特征。本公开的这些及其它特征通过如参考图4到6描述的与存储器阵列的支柱的电压均衡相关的设备图及流程图进一步说明且参考所述设备图及所述流程图描述。
15.图1说明根据如本文中公开的实例的支持用于存储器阵列的支柱的电压均衡的存储器阵列100的实例。在一些实例中，存储器阵列100可被称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器阵列100可操作以提供可由系统(例如，与存储器阵列100耦合的主机装置或与包含一或多个存储器阵列或裸片的存储器装置耦合的主机装置)使用或参考的物理存储器地址/空间。
16.存储器阵列100可包含一或多个存储器单元105，其各自可编程以存储不同逻辑状态(例如，一组两个或更多个可能状态中的经编程者)。例如，存储器单元105可操作以每次存储一个信息位(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些实例中，存储器单元105(例如，多位阶存储器单元105)可操作以每次存储一个以上信息位(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、逻辑11)。在一些实例中，存储器单元105可布置成阵列。
17.存储器单元105可使用可配置材料存储逻辑状态，所述材料可被称为存储器元件、存储元件、存储器存储元件、材料元件、材料存储器元件、材料部分或极性写入材料部分等。存储器单元105的可配置材料可指代基于硫属化物的存储组件。例如，硫属化物存储元件可用于相变存储器单元、阈值化存储器单元或自选择存储器单元中。
18.在一些实例中，存储器单元105的材料可包含硫属化物材料或包含硒(se)、碲(te)、砷(as)、锑(sb)、碳(c)、锗(ge)、硅(si)、或铟(in)或其各种组合的其它合金。在一些实例中，主要具有硒(se)、砷(as)及锗(ge)的硫属化物材料可称为sag合金。在一些实例中，sag合金还可包含硅(si)且此硫属化物材料可称为sisag合金。在一些实例中，sag合金可包含硅(si)或铟(in)或其组合且此类硫属化物材料可分别被称为sisag合金或insag合金或其组合。在一些实例中，硫属化物玻璃可包含额外元素，例如氢(h)、氧(o)、氮(n)、氯(cl)或氟(f)，各自呈原子或分子形式。
19.在一些实例中，存储器单元105可为相变存储器单元的实例。在此类实例中，存储器单元105中使用的材料可为基于合金(例如上文列出的合金)，且可经操作以便在存储器单元105的正常操作期间经历相变或到不同物理状态的变化。例如，相变存储器单元105可具有非晶态(例如，相对无序的原子配置)及结晶态(例如，相对有序的原子配置)。
20.在一些实例中，例如对于阈值化存储器单元105或自选择存储器单元105，存储器单元105支持的所述组逻辑状态中的一些或全部可与硫属化物材料的非晶态相关联(例如，处于单个状态中的材料可操作以存储不同逻辑状态)。在一些实例中，存储器单元105的存储元件可为自选择存储元件的实例。在此类实例中，存储器单元105中使用的材料可为基于合金(例如上文列出的合金)，且可经操作以便在存储器单元105的正常操作期间经历到不同物理状态的变化。例如，自选择存储器单元可具有高阈值电压状态及低阈值电压状态。高阈值电压状态可对应于第一逻辑状态(例如，复位状态)，而低阈值电压状态可对应于第二逻辑状态(例如，设置状态)。
21.在自选择存储器单元105的编程操作(例如，写入操作)期间，用于写入操作的极性可影响(例如，确定、设置、编程)存储器单元105的材料的特定行为或特性，例如材料的阈值电压。取决于由存储器单元105的材料存储的逻辑状态的存储器单元105的材料的阈值电压的差(例如，当材料存储逻辑状态“0”对比逻辑状态“1”时的阈值电压之间的差)可对应于存储器单元105的读取窗口。
22.存储器阵列100可包含布置成图案(例如网格状图案)的存取线(例如，行线110及列线115)。存取线可由一或多种导电材料形成。在一些实例中，行线110或其某一部分可称为字线。在一些实例中，列线115或其某一部分可称为数字线或位线。在不损失理解或操作的情况下，对存取线、行线、列线、字线、数字线、或位线或其类似物的引用可互换。存储器单元105可定位于行线110与列线115的交叉点处。
23.可通过激活或选择存取线(例如行线110及/或列线115中的一或多者)而对存储器单元105执行操作(例如读取及写入)。通过加偏压于行线110及列线115(例如，将电压施加到行线110或列线115)，可在其交叉点处存取单个存储器单元105。在二维或三维配置中行线110与列线115的交叉点可被称为存储器单元105的地址。存取线可为与存储器单元105耦合的导电线，且可用于对存储器单元105执行存取操作。在一些实例中，存储器阵列100可响应于命令执行操作，所述命令可由主机装置发出或可由包含存储器阵列100的存储器装置
产生。
24.可通过行解码器120或列解码器125控制存取存储器单元105。例如，行解码器120可从本地存储器控制器160接收行地址且基于所接收的行地址激活行线110。列解码器125可从本地存储器控制器160接收列地址且可基于所接收的列地址激活列线115。
25.感测组件130可操作以检测存储器单元105的状态(例如，材料状态、电阻、阈值状态)且基于所存储状态确定存储器单元105的逻辑状态。感测组件130可包含一或多个感测放大器以放大或以其它方式转换源自存取存储器单元105的信号。感测组件130可比较从存储器单元105检测的信号与参考135(例如，参考电压)。存储器单元105的所检测逻辑状态可被提供为感测组件130的输出(例如，到输入/输出140)，且可向包含存储器阵列100的存储器装置的另一组件指示所检测逻辑状态。
26.本地存储器控制器160可通过各种组件(例如，行解码器120、列解码器125、感测组件130)控制存储器单元105的存取。在一些实例中，行解码器120、列解码器125及感测组件130中的一或多者可与本地存储器控制器160共置。本地存储器控制器160可操作以从一或多个不同存储器控制器(例如，与主机装置相关联的外部存储器控制器、与存储器阵列100相关联的另一控制器)接收命令或数据中的一或多者，将命令或数据(或两者)转译为可由存储器阵列100使用的信息，对存储器阵列100执行一或多个操作，以及基于执行一或多个操作将数据从存储器阵列100传送到主机装置。本地存储器控制器160可产生行信号及列地址信号以激活目标行线110及目标列线115。本地存储器控制器160还可产生及控制在存储器阵列100的操作期间使用的各种电压或电流。一般来说，本文中所论述的经施加电压或电流的振幅、形状或持续时间可变化且可针对操作存储器阵列100中所论述的各种操作而不同。
27.本地存储器控制器160可操作以对存储器阵列100的一或多个存储器单元105执行一或多个存取操作。存取操作的实例可包含写入操作、读取操作、刷新操作、预充电操作或激活操作等。在一些实例中，存取操作可由本地存储器控制器160响应于各种存取命令(例如，来自主机装置)来执行或以其它方式协调。本地存储器控制器160可操作以执行本文未列出的其它存取操作或与存储器阵列100的操作相关的与存取存储器单元105不直接相关的其它操作。
28.在一些实例中，存储器阵列100的一些结构可在各种存取操作期间电浮动，其可指代其中结构并非或不希望与电压源耦合或连接，或以其它方式被驱动到一致或受控电压的状况。例如，一或多个行线110的结构或一或多个列线115的结构，或其某一部分或其组合的结构可通过凭借晶体管或其它切换元件将所述结构与电压源选择性地隔离而浮动。然而，存储器阵列100的浮动结构可具有另一耦合(例如，间接耦合、次级耦合、弱耦合)，例如允许浮动结构的电荷或电压积累的电容耦合或泄漏耦合，且浮动结构的电压因此可为不确定的。在一些实例中，浮动结构的不确定电压可与存储器阵列100的受损性能相关联。
29.根据如本文中所公开的实例，存储器阵列100可经配置以支持在存储器阵列100的各种操作期间浮动的结构的电荷或电压的耗散或均衡。在一些实例中，存储器阵列100的阵列可经配置有导电支柱，其各自与相应存储器单元105组耦合，且可选择性地与存取线(例如，行线100或其部分，列线115或其部分)耦合或与之隔离。为了支持来自未选定支柱的电荷的耗散或均衡，阵列可经配置有提供与接地电压或其它电压源的耗散耦合，例如具有相
对高电阻或一定程度电容(例如，电阻及电容阻抗)的耦合(例如，以支持无源均衡)的材料层或层级。另外或替代地，存储器阵列100可经配置以通过将已在浮动状况下操作的支柱与接地电压或其它电压源选择性地耦合(例如，以执行动态均衡)来支持经积累电荷或电压的有源耗散。通过实施根据如本文中所公开的实例的技术，与其它技术相比，在存储器阵列100的操作期间浮动的结构的电压或电荷电平的范围可相对受限或减小，此可改进存储器阵列100的操作。例如，此耗散或均衡技术可支持改进读取裕度、改进数据保持、或改进可靠性的其它方面以及其它益处。
30.图2a到2c说明根据如本文中公开的实例的支持用于存储器阵列的支柱的电压均衡的存储器阵列200的实例。存储器阵列200可包含在存储器阵列100中，并说明可由各种存取线存取的存储器单元105的三维布置的实例。图2a说明存储器阵列200相对于如图2b及2c中所展示的切割平面a-a的俯视截面图(例如，截面a-a)。图2b说明存储器阵列200相对于如图2a中所展示的切割平面b-b的侧视截面图(例如，截面b-b)。图2c说明存储器阵列200相对于如图2a中展示的切割平面c-c的侧视截面图(例如，截面c-c)。截面图可为存储器阵列的横截面视图的实例，其中为了清楚起见移除若干方面。存储器阵列200的元件可相对于x方向、y方向及z方向来描述，如图2a到2c中的每一者中所说明。尽管图2a、2b或2c中所包含的一些元件是用数字指示符标记，其它对应元件并未标记，但其为相同的或将理解为类似的，以试图增大所描绘特征的可见性及清晰度。此外，尽管在存储器阵列200的阐释性实例中展示一定数量的重复元件，但根据如本文中描述的实例的技术可适用于任何数量的此类元件，或一个重复元件与另一个重复元件之间的数量比。
31.在存储器阵列200的实例中，存储器单元105及字线205可根据层叠230沿着z方向分布(例如，如图2b及2c中所说明)，且z方向可正交于存储器阵列200的衬底(未展示)。尽管存储器阵列200的阐释性实例包含四个层叠230，但根据如本文中公开的实例的存储器阵列200可包含64个层叠230、128个层叠230或任何其它数量的层叠230。字线205可布置成梳状结构，其中突出部沿着y方向延伸穿过支柱220之间的交替间隙(例如，根据奇数字线205-a及偶数字线205-b，每层叠230具有两个字线205)。每一存储器单元105可根据字线205与支柱220(例如，沿着z方向延伸的导电支柱，其可与y方向正交)之间的交叉点来寻址或存取。例如，如说明，层叠230-c的选定存储器单元105-a可定位于支柱220-c-4与字线205-b-2之间或根据支柱220-c-4与字线205-b-2之间的交叉点进行存取。
32.存储器单元105各自可包含硫属化物材料，且在一些实例中，可为或包含阈值化存储器单元或阈值化硫属化物存储元件。可通过跨存储器单元105施加读取偏压来读取存储器单元105，且可基于存储器单元105是否在存在所施加读取偏压的情况下阈值化来确定存储器单元105的逻辑状态。在存储器阵列200的实例中，可用具有2*v的量值的电压(例如，作为跨存储器单元105施加的电压或偏压)来读取存储器单元105，且此电压可引起存储第一逻辑状态(例如，逻辑0)的存储器单元105阈值化，且可不引起存储第二逻辑状态(例如，逻辑1)的存储器单元105阈值化。在存储器阵列200的实例中，可通过用正电压(例如，+v)加偏压于选定字线205且用负电压(例如，-v)加偏压于选定支柱220来施加读取偏压。关于选定存储器单元105-a，可将读取偏压+v施加于字线205-b-2，而其它未选定字线可接地(例如，偏压到0v)。在一些实例中，字线205或其某一部分可为参考图1描述的行线110的实例，且字线205的选择或偏压可由行解码器120执行或支持。
33.为了将对应读取偏压施加到支柱220，支柱220可经配置以经由相应晶体管225(例如，薄膜晶体管)与感测线215(例如，沿着y方向延伸的存取线)选择性地耦合。因此，选定支柱220或选定支柱220及选定感测线215的组合可为参考图1描述的选定列线115的实例(例如，位线)。晶体管225可由与晶体管225的栅极耦合的支柱线210(例如，沿着x方向延伸，x方向可与y方向或z方向正交)激活。换句话说，每一支柱220可具有第一端(例如，朝向负z方向的底端)，其经配置用于耦合(例如，选择性地耦合)感测线215(例如，存取线)。在一些实例中，支柱线210及晶体管225可视为列解码器125的组件(例如，作为支柱解码器组件)。支柱220、感测线215、或支柱线210或其各种组合的选择或偏压可由列解码器125、感测组件130或两者执行或支持。
34.为了将读取偏压-v施加到支柱220-c-4，可用读取偏压-v加偏压于感测线215-d，且可将支柱线210-c接地(例如，偏压到0v)或偏压到相对高于读取偏压-v的某一其它电压。在晶体管225是n型晶体管的实例中，用相对高于感测线215-d的电压加偏压到支柱线210-c可激活晶体管225-a(例如，引起晶体管225-a在传导状态中操作)，从而将支柱220-c-4与感测线215-d耦合，并用相关联的读取电压-v加偏压于支柱220-c-4。当晶体管225-a经激活时，存储器阵列200的其它支柱220可电浮动。例如，接地电压施加到支柱线210-c可不激活与支柱线210-c耦合的其它晶体管，因为支柱线210-c的接地电压可不大于其它感测线215(例如，其可用接地电压加偏压或可浮动)的电压。此外，可用负电压(例如，-v，或一些其它负偏压或相对接近或低于负读取电压的偏压)加偏压于包含如图2b中所展示的支柱线210-e的其它未选定支柱线210，使得不激活沿着未选定支柱线210的晶体管225。因此，即使与支柱线210-e耦合的晶体管225-b也可被撤销激活(例如，在非导电状态中操作)，从而将感测线215-d的负电压与支柱220-a-4以及其它支柱220选择性地隔离。
35.在一些实例中，浮动支柱220可归因于泄漏、电容耦合(例如，与字线205)或其它原因而充电。例如，归因于通过未选定存储器单元105的电荷泄漏，或归因于通过未选定存储器单元105在字线205-b-2与浮动支柱220之间支持的电容耦合以及其它原因，选定字线205-b-2的激活或偏压可引起未选定支柱220(例如，除了支柱220-c-4之外)的电压漂移。在一些实例中，浮动支柱220的此扰动可随时间或随一或多个字线205的连续激活积累。未选定支柱220的电压漂移可引起跨未选定存储器单元105的电压电平改变(例如，升高)，在一些实例中，此可引起未选定存储器单元105的无意阈值化。此类效应可与读取选定存储器单元105时读取裕度的减小、或对存储器单元105的经存储逻辑状态的扰动、或存储器阵列200的其它降级的性能相关联。因此，根据如本文中所公开的实例，存储器阵列200可经配置有用于管理未选定支柱220的电荷或电压的各种技术。
36.图3说明根据如本文中公开的实例的支持用于存储器阵列的支柱的电压均衡的存储器阵列300的实例。存储器阵列300可为参考图3描述的存储器阵列200的方面的实例，包含字线205(例如，奇数字线205-c及偶数字线205-d)、支柱220(例如，未选定支柱220-f-1及选定支柱220-f-2)及存储器单元105(例如，选定存储器单元105-b及未选定存储器单元105)的布置。支柱220-f-1可具有第一端，其经配置用于经由晶体管225-e与感测线215-e耦合(例如，经配置以与感测线215-e选择性地耦合的第一端)，晶体管225-e可由支柱线210-e激活。支柱220-f-2可具有第一端，其经配置用于经由晶体管225-f与感测线215-f耦合，晶体管225-f还可由支柱线210-e激活。晶体管225中的每一者可经由例如电极305-a及305-b
的相应电极305(例如，接触件，电接触件)与相应支柱220耦合，电极305可为为了电耦合相应组件的目的而形成的电接触件。可参考x方向、y方向及z方向来描述存储器阵列300的方面，且存储器阵列300的一些元件可根据层叠230来布置(例如，沿着z方向分布)。在一些情况中，图3说明存储器阵列200相对于如图2a中所展示的切割平面b-b的侧视截面图(例如，截面b-b)。
37.当选择存储器单元105-b(例如，用于读操作、用于写入操作或用于另一类型存取操作)时，支柱220-f-1可电浮动。例如，支柱220-f-1的浮动可至少部分地基于晶体管225-e的撤销激活。在其它实例中，支柱220的浮动可至少部分地基于对应晶体管225的撤销激活、对应感测线215的浮动或其组合。然而，浮动支柱220-f-1可与允许浮动支柱220-f-1的电荷或电压积累的一或多个其它结构耦合(例如，经由间接耦合、次级耦合、弱耦合)。例如，支柱220-f-1可经由一或多个字线205经由一或多个未选定存储器单元105耦合，所述未选定存储器单元105可支持电容耦合(例如，如说明)、电荷泄漏耦合或在不存在耗散结构或操作的情况下可引起支柱220-f-1的电压漂移或以其它方式不确定的其它耦合。在一个实例中，此漂移可与字线205-c-4(例如，具有梳状配置的奇数字线205)的激活以及经由层叠230-h的未选定存储器单元105的字线205-c-4与支柱220-f-1之间的耦合有关。在一些情况下，浮动支柱220-f-1的电压可达到与接触浮动支柱220-f-1的一或多个存储器单元105的无意选择或阈值化相关联的电平。尽管参考(例如，沿着x方向)与选定支柱220-f-2相邻的电浮动支柱220-f-1描述，所描述现象及技术可适用于其它支柱220(未展示)，包含沿着x方向(例如，与选定支柱220-f-2及未选定支柱220-f-2共享共同支柱线210-e或沿着不同支柱线210共享共同支柱线210-e)，或沿着y方向(例如，与选定支柱220-f-2或未选定支柱220-f-1共享共同感测线215或沿着不同感测线215共享共同感测线215)的其它未选定支柱。
38.根据如本文中所公开的实例，存储器阵列300可经配置以支持在存储器阵列200的操作期间浮动的支柱220的电荷或电压的耗散或均衡。通过实施此类技术，存储器阵列300可限制浮动支柱220的电压或电荷电平的范围，此可改进存储器阵列300的操作，例如改进读取裕度、改进数据保持、或改进操作可靠性的其它方面，以及其它优点。
39.在支持所描述技术的一些实例中，存储器阵列300可经配置有提供与接地电压或其它电压源(例如，以支持无源均衡)的耗散耦合，例如具有相对高电阻或一定程度电容(例如，电阻及电容阻抗)的耦合的材料层或层级。例如，存储器阵列300可包含与支柱220(例如，支柱220-f-1及220-f-2，及沿着如所描述但未说明的x方向或y方向的存储器阵列300的其它支柱220)相邻(例如，接触，直接相邻)的第一层310。在一些实例中，第一层310可为高电阻层的实例，且可由氧化物材料(例如，薄氧化物材料)形成。第一层310与支柱220之间的接触可沿着z方向在支柱220的相应端处，与对应晶体管225或电极305相对。
40.存储器阵列300还可包含与第一层310相邻(例如，接触)的第二层320(例如，在与支柱220接触的侧相对的侧上与第一层310接触)。在一些实例中，第二层320可为金属层，例如钨、石墨烯、氧化铝、锡、氮化钛或一些其它材料或其组合的层。第二层320可与接地电压源、或某一其它参考电压源或均衡电压源耦合或连接。第二层320与接地或其它电压源的耦合可包含或不包含可选择耦合(例如，可为或并非经由例如晶体管的切换组件的耦合)。第一层310可经配置以支持与第二层320的耗散耦合，例如耗散或均衡一或多个支柱220与第二层320之间的电压差(例如，当支柱220电浮动或与感测线215选择性地隔离时)。
f-1、未展示的一或多个其它未选定支柱、选定支柱220-f-2)与对应感测线215选择性地耦合来操作。在各种实例中，此动态均衡可在使用选定支柱220的各存取操作之后、在一种类型的各存取操作之后(例如，在读操作之后、在写入操作之后)、在经配置数量的存取操作或经配置类型的存取操作之后、在经配置持续时间之后，或根据某一其它周期性或事件起始的准则执行。
46.当制造存储器阵列300时，可沉积或蚀刻各种层以产生存储器阵列300。可形成衬底，可形成穿过所述衬底的电极305。沉积导电材料(例如，形成字线205的材料)及绝缘材料(例如，字线205之间的材料)的交替层以形成材料堆叠。在形成材料堆叠之后，可通过材料堆叠蚀刻与支柱220相关联的腔，直到衬底暴露。在一些情况下，可使用各向同性蚀刻工艺来移除导电材料，且借此制成用于接收材料的腔以充当存储器存储元件。在形成用于支柱的腔及用于存储器存储元件的腔之后，可在腔中沉积用于存储器存储元件的材料(例如，硫属化物材料)。在沉积存储器材料之后，可(再次)蚀刻与支柱220相关联的腔以移除填充腔的存储器材料，直到衬底暴露。在蚀刻用于支柱的腔之后，可将导电材料沉积到腔中以形成支柱220，使得支柱220接触电极305及存储器存储材料。在形成支柱之后，可沉积第一层310。在形成第一层310之后，可沉积第二层320。
47.尽管用于电荷耗散的所描述技术的一些实例在可在存取操作期间浮动的材料支柱的上下文中提供，但所描述技术可适用于存储器阵列的其它类型的结构，包含存取线或其子特征的其它实例。例如，可有利地针对可浮动(例如，选择性浮动、间歇浮动)的存储器阵列的任何结构(包含与存储器单元(例如，阈值化存储器单元)电连接或耦合的所述结构，或可基于泄漏电荷的积累而无意地阈值化或选择的其它结构)提供或实施根据所描述技术的经配置耗散路径。此外，尽管泄漏耗散的实例可通过与接地电压源的耦合或连接来支持，但本文中描述的技术可通过与具有不同于接地电压的电压电平(例如，对于经积累电荷的耗散，对于经积累电压差的耗散)的其它电压源的耦合或连接来支持。
48.图4展示根据如本文中公开的实例的支持用于存储器阵列的支柱的电压均衡的存储器装置405的框图400。存储器装置405可为如参考图1到3描述的存储器装置或存储器阵列的方面的实例。存储器装置405可包含存储器阵列410(例如，包含一组存储器单元)、单元选择组件415、存取操作组件420、偏压组件425、支柱选择组件430及支柱电荷耗散组件435。这些模块中的每一者可彼此直接通信或间接通信(例如，经由一或多个总线)。
49.存储器阵列410可包含存储器单元的各种布置，包含参考图1到3描述的存储器单元105的布置。存储器阵列410可包含经配置以被选择用于各种存取操作(例如，读取操作、写入操作)的多个存储器单元。在一些情况下，存储器阵列410的存储器单元可各自包含硫属化物存储元件，例如阈值化硫属化物存储元件。在一些实例中，存储器阵列410的存储器单元可耦合在存储器阵列410的各种存取线与导电支柱之间(例如，如参考图2a到3所描述)。
50.单元选择组件415可选择耦合在第一导电支柱与字线之间的存储器单元(例如，存储器阵列410的存储器单元)用于存取操作。在一些实例中，单元选择组件415可选择耦合在第二导电支柱与第二字线之间的第二存储器单元用于第二存取操作。在各种实例中，单元选择组件415可基于存取命令(例如，如从主机装置接收)，或基于内部存储器管理操作(例如，如由存储器装置405的组件(例如装置存储器控制器或本地存储器控制器160)确定)，或
基于某一其它操作来选择存储器单元。在各种实例中，单元选择组件415可为装置存储器控制器的组件，或本地存储器控制器160的组件，或可以其它方式与此类控制器通信。
51.存取操作组件420可基于用第一电压加偏压于字线(例如，使用偏压组件425)、用第二电压加偏压于存取线(例如，感测线)(例如，使用偏压组件425)及将第一导电支柱与存取线耦合(例如，使用支柱选择组件430)来存取选定存储器单元作为存取操作的部分。在一些实例中，存取操作组件420可基于用第一电压加偏压于第二字线、用第二电压加偏压于存取线及将第二导电支柱与存取线耦合来存取第二存储器单元作为第二存取操作的部分。在各种实例中，存取操作组件420可为装置存储器控制器的组件，或本地存储器控制器160的组件，或可以其它方式与此类控制器通信。
52.支柱电荷耗散组件435可耗散导电支柱与接地节点之间的电压差(例如，基于存取存储器单元)。在一些实例中，支柱电荷耗散组件435可通过经由与存储器阵列410的一或多个导电支柱(例如，第一导电支柱、第二导电支柱)接触的层转移电荷来支持耗散(例如，其中支柱电荷耗散组件435或其某一部分包含此层)。在一些实例中，支柱选择组件430可在存取存储器单元期间将一或多个导电支柱(例如，第一导电支柱、第二导电支柱)与存取线选择性地隔离，且支柱电荷耗散组件435可基于选择性隔离或在选择性隔离期间支持耗散经选择性隔离的导电支柱与接地节点之间的电压差。
53.在一些实例中，为了支持由支柱电荷耗散组件435的耗散(例如，在有源或选择性耗散中)，偏压组件425可将存取线与接地节点耦合，且支柱选择组件430可在存取线与接地节点耦合时将第二导电支柱与存取线选择性地耦合。因此，在一些实例中，支柱电荷耗散组件435可包含与偏压组件425、支柱选择组件430或两者耦合的逻辑组件。因此，在一些实例中，支柱电荷耗散组件435的至少一部分可指代装置存储器控制器的组件，或本地存储器控制器160的组件，或可以其它方式与此类控制器通信。
54.图5展示根据如本文中公开的实例的支持用于存储器阵列的支柱的电压均衡的方法或若干方法500的流程图。方法500的操作可通过如本文中描述的存储器装置或其组件(例如，通过存储器装置的控制器以及其它组件)实施。例如，方法500的操作可通过如参考图4描述的存储器装置执行。另外或替代地，方法500的方面可实施为存储在存储器中的指令(例如，存储在与存储器装置耦合或以其它方式包含在存储器装置中的存储器中的固件)。例如，当由存储器装置的控制器执行时，指令可引起控制器执行方法500的操作。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制存储器装置的功能元件以执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。
55.在505，方法500可包含选择耦合在第一导电支柱与字线之间的存储器单元用于存取操作。可根据本文中所描述的方法执行505的操作。在一些实例中，505的操作的方面可通过如参考图4描述的单元选择组件执行。
56.在510，方法500可包含存取存储器单元作为存取操作的部分。在各种实例中，存取可为基于以下中的一或多者：用第一电压加偏压于字线，用第二电压加偏压于存取线(例如，感测线)，及将第一导电支柱与存取线耦合。可根据本文中所描述的方法执行510的操作。在一些实例中，510的操作的方面可通过如参考图4描述的存取操作组件执行。
57.在515，方法500可包含基于存取存储器单元耗散第二导电支柱与接地节点之间的电压差。在一些实例中，耗散可包含经由与第一导电支柱及第二导电支柱接触的层转移电
荷。可根据本文中所描述的方法执行515的操作。在一些实例中，515的操作的方面可通过如参考图4描述的支柱电荷耗散组件执行。
58.在一些实例中，如本文中描述的设备可执行方法或若干方法，例如方法500。设备可包含用于以下者的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：选择耦合在第一导电支柱与字线之间的存储器单元以进行存取操作；存取存储器单元作为存取操作的部分(例如，至少部分地基于以下中的一或多者：用第一电压加偏压于字线，用第二电压加偏压于存取线(例如，感测线)，以及将第一导电支柱与存取线耦合)；及基于存取存储器单元来耗散第二导电支柱与接地节点之间的电压差(例如，包含经由与第一导电支柱及第二导电支柱接触的层转移电荷)。
59.本文中描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于在存取存储器单元期间将第二导电支柱与存取线选择性地隔离的操作、特征、构件或指令；且耗散第二导电支柱与接地节点之间的电压差可为基于将第二导电支柱与存取线选择性地隔离。
60.本文中描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下者的操作、特征、构件或指令：选择耦合在第二导电支柱与第二字线之间的第二存储器单元以进行第二存取操作；基于用第一电压加偏压于第二字线，用第二电压加偏压于存取线，并将第二导电支柱与存取线耦合来存取第二存储器单元作为第二存取操作的部分；及基于存取第二存储器单元来耗散第一导电支柱与接地节点之间的电压差，其中耗散包含经由层转移第二电荷。
61.在本文中描述的方法500及设备的一些实例中，耗散第二导电支柱与接地节点之间的电压差可包含用于以下者的操作、特征、构件或指令：将存取线与接地节点耦合；及在存取线与接地节点耦合时将第二导电支柱与存取线选择性地耦合。
62.本文中描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下者的操作、特征、构件或指令：在存取存储器单元期间将第三导电支柱与第二存取线(例如，第二感测线)选择性地隔离；及基于存取存储器单元而耗散第三导电支柱与接地节点之间的电压差，其中耗散第三导电支柱与接地节点之间的电压差可包含经由与第一导电支柱、第二导电支柱及第三导电支柱接触的层转移第三电荷。
63.在本文中描述的方法500及设备的一些实例中，存储器单元包含阈值化硫属化物存储元件。
64.图6展示根据如本文中公开的实例的支持用于存储器阵列的支柱的电压均衡的方法或若干方法600的流程图。方法600的操作可通过制造系统或与制造系统相关联的一或多个控制器实施。在一些实例中，一或多个控制器可执行一组指令以控制制造系统的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，一或多个控制器可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。
65.在605，方法600可包含形成沿着第一方向延伸的存取线(例如，感测线)。可根据本文中所描述的技术执行605的操作。
66.在610，方法600可包含形成耦合在导电支柱与字线之间的存储器单元。可根据本文中所描述的技术执行610的操作。
67.在615，方法600可包含形成沿着与第一方向正交的第二方向延伸的导电支柱，导电支柱具有用于与存取线耦合的第一端，且导电支柱具有沿着第二方向与导电支柱的第一端相对的第二端。可根据本文中所描述的技术执行615的操作。
68.在620，方法600可包含形成与导电支柱的第二端接触的第一层。可根据本文中所描述的技术执行620的操作。
69.在625，方法600可包含形成沿着第二方向与第一层相邻且与导电支柱相对的第二层，其中第一层经配置用于耗散导电支柱与第二层之间的电压差。可根据本文中所描述的技术执行625的操作。
70.在一些实例中，如本文中描述的设备可执行方法或若干方法，例如方法600。设备可包含用于以下者的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：形成沿着第一方向延伸的存取线(例如，感测线)；形成耦合在导电支柱与字线之间的存储器单元；形成沿着与第一方向正交的第二方向延伸的导电支柱，所述导电支柱具有用于与存取线耦合的第一端，且所述导电支柱具有沿着第二方向与导电支柱的第一端相对的第二端；形成与导电支柱的第二端接触的第一层；及形成与第一层相邻且与导电支柱相对的第二层，其中第一层经配置用于耗散导电支柱与第二层之间的电压差。
71.在本文中描述的方法600及设备的一些实例中，形成存储器单元可包含用于以下者的操作、特征、构件或指令：形成穿过绝缘材料的开口以暴露第一介电层、导电层及第二介电层；及在开口中形成接触导电层、第一介电层及第二介电层的硫属化物组件。
72.在本文中描述的方法600及设备的一些实例中，形成导电支柱可包含用于将导电材料沉积到开口中以形成与存储器单元接触的第一导电支柱的操作、特征、构件或指令。在一些实例中，此沉积可在沉积屏障材料之后或之前执行。
73.本文中描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于在沉积导电材料以形成导电支柱之前将屏障层沉积到开口中的操作、特征、构件或指令。
74.本文中描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于形成延伸穿过衬底并与切换组件耦合的接触件的操作、特征、构件或指令，其中形成穿过绝缘材料的开口暴露接触件。
75.在本文中描述的方法600及设备的一些实例中，可在接触件上方形成导电支柱。
76.在本文中描述的方法600及设备的一些实例中，形成第二层可包含用于沉积与第一层接触的金属、钨、石墨烯、氧化铝、锡、氮化钛或其组合的层的操作、特征、构件或指令。
77.在本文中描述的方法600及设备的一些实例中，形成第一层可包含用于沉积与导电支柱的第二端接触的氧化物层的操作、特征、构件或指令。
78.应注意，本文中所描述的方法描述可能实施方案，且操作及步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自方法中的两者或更多者的部分。
79.描述一种设备。所述设备可包含存取线；导电支柱，其具有经配置用于与所述存取线耦合的第一端，所述导电支柱具有与所述导电支柱的第一端相对的第二端；及存储器单元，其耦合在所述导电支柱与字线之间。所述设备还可包含与导电支柱的第二端相邻的层，其中所述层经配置以支持导电支柱与接地节点之间的电压均衡。
80.所述设备的一些实例可进一步包含：第二导电支柱，其具有经配置用于与存取线耦合的第一端，所述第二导电支柱具有与第二导电支柱的第一端相对的第二端；及第二存储器单元，其耦合在第二导电支柱与第二字线之间。在一些实例中，所述层可经配置以支持第二导电支柱与接地节点之间的电压均衡。在一些实例中，第二字线是字线。
81.在所述设备的一些实例中，导电支柱的第一端可经配置用于经由切换组件与存取线选择性耦合。在一些实例中，所述层可经配置以在导电支柱经由切换组件与存取线选择性地隔离时支持导电支柱与接地节点之间的电压的均衡。
82.在所述设备的一些实例中，导电支柱的第一端可与存取线电连接。
83.在所述设备的一些实例中，所述层可经配置用于在接地节点与导电支柱之间的电阻性及电容性阻抗。
84.在所述设备的一些实例中，所述层可经配置以使导电支柱与接地节点之间的电压均衡的时间常数长于用于编程存储器单元的持续时间。
85.在所述设备的一些实例中，所述层可经配置有比存储器单元更高的电阻。
86.在所述设备的一些实例中，存储器单元可包含阈值化硫属化物存储元件。
87.描述另一种设备。所述设备可包含：存取线，其沿着第一方向延伸；导电支柱，其沿着与第一方向正交的第二方向延伸，导电支柱具有经配置以经由切换组件与存取线选择性地耦合的第一端及沿着第二方向与第一端相对的第二端；及存储器单元，其耦合在导电支柱与字线之间。所述设备可进一步包含与导电支柱的第二端接触的第一层，及与第一层的第一侧接触的第二层，所述第一侧与接触导电支柱的第二侧相对，其中第一层可经配置用于耗散导电支柱与第二层之间的电压差。
88.所述设备的一些实例可进一步包含：第二导电支柱，其沿着第二方向延伸，所述第二导电支柱具有经配置以经由第二切换组件与存取线选择性地耦合的第一端及沿着第二方向与第一端相对的第二端；及第二存储器单元，其耦合在第二导电支柱与第二字线之间。在一些实例中，第一层可与第二导电支柱的第二端接触，且第一层可经配置用于耗散第二导电支柱与第二层之间的电压差。
89.在所述设备的一些实例中，第一层可经配置用于在第二层与导电支柱之间的电阻性及电容性阻抗。
90.在所述设备的一些实例中，第一层可经配置以使耗散导电支柱与第二层之间的电压差的时间常数长于用于编程存储器单元的持续时间。
91.在所述设备的一些实例中，第二层可与接地电压源耦合。
92.在所述设备的一些实例中，第一层可经配置以在导电支柱经由切换组件与存取线选择性地隔离时耗散导电支柱与第二层之间的电压差。
93.在所述设备的一些实例中，第一层可经配置有比存储器单元更高的电阻。
94.所述设备的一些实例可进一步包含：第二存取线，其沿着第一方向延伸；第三导电支柱，其沿着第二方向延伸，所述第三导电支柱具有经配置以经由第三切换组件与第二存取线选择性地耦合的第一端，及沿着第二方向与第一端相对的第二端；及第三存储器单元，其耦合在第三导电支柱与字线之间。在一些实例中，第一层可与第三导电支柱的第二端接触，且第一层可经配置用于耗散第三导电支柱与第二层之间的电压差。
95.所述设备的一些实例可进一步包含耦合在导电支柱与第四字线之间的第四存储器单元，所述第四存储器单元在第二方向上与所述存储器单元分离，且所述第四字线在第二方向上与所述字线分离。
96.所述设备的一些实例可进一步包含耦合在导电支柱与第五字线之间的第五存储器单元，所述第五存储器单元在与第一方向正交及与第二方向正交的第三方向上位于与存
储器单元相对的导电支柱的侧上。
97.在所述设备的一些实例中，第二层可包含与第一层接触的金属、钨、石墨烯、氧化铝、锡、氮化钛或其组合。
98.在所述设备的一些实例中，第一层可包含与导电支柱的第二端接触的氧化物层。
99.在所述设备的一些实例中，存储器单元可包含阈值化硫属化物存储元件。
100.描述另一种设备。所述设备可包含：存取线；第一导电支柱，其经配置用于与存取线耦合；第一存储器单元，其耦合在第一导电支柱与第一字线之间；第二导电支柱，其经配置用于与存取线耦合；及第二存储器单元，其耦合在第二导电支柱与第二字线之间。所述设备可进一步包含：第一层，其与第一导电支柱接触并与第二导电支柱接触；及第二层，其与第一层接触且与第一导电支柱及第二导电支柱相对。所述设备可进一步包含控制器，所述控制器经配置以引起所述设备选择所述第一存储器单元用于存取操作，至少部分地基于用第一电压加偏压于所述第一字线及用第二电压加偏压于所述存取线来存取所述第一存储器单元作为所述存取操作的部分，且至少部分地基于存取所述第一存储器单元来耗散所述第二导电支柱与接地节点之间的电压差。在一些实例中，耗散第二导电支柱与接地节点之间的电压差可包含经由第一层在第二导电支柱与第二层之间转移电荷。
101.在所述设备的一些实例中，控制器可经配置以引起所述设备选择第二存储器单元用于第二存取操作，至少部分地基于用第一电压加偏压于第二字线及用第二电压加偏压于存取线来存取第二存储器单元作为第二存取操作的部分，且至少部分地基于存取第二存储器单元来耗散第一导电支柱与接地节点之间的电压差。在一些实例中，耗散第一导电支柱与接地节点之间的电压差可包含经由第一层在第一导电支柱与第二层之间转移第二电荷。
102.在所述设备的一些实例中，所述控制器可经配置以引起所述设备至少部分地基于将存取线与接地节点耦合及在存取线与接地节点耦合时经由切换组件将第二导电支柱与存取线选择性地耦合而耗散第二导电支柱与接地节点之间的电压差。
103.在所述设备的一些实例中，第一存储器单元及第二存储器单元可包含阈值化硫属化物存储元件。
104.本文中所描述的信息及信号可使用各种不同科技及技术中的任一者表示。例如，可贯穿描述引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示。一些图式可将信号说明为单个信号；然而，所述信号可表示信号总线，其中所述总线可具有各种位宽度。
105.术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”及“耦合”可指代组件之间的关系，其支持组件之间的信号流。如果组件之间存在任何导电路径以可在任何时间支持组件之间的信号流，那么组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触或连接或耦合)。在任何给定时间，彼此电子通信(或彼此导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可基于包含所连接组件的装置的操作而是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可为组件之间的直接导电路径或所连接组件之间的导电路径可为可包含中间组件(例如开关、晶体管或其它组件)的间接导电路径。在一些实例中，经连接组件之间的信号流可例如使用一或多个中间组件(例如开关或晶体管)中断一段时间。
106.术语“耦合”指代从组件之间的开路关系(其中信号当前无法通过导电路径在组件之间传达)移动到组件之间的闭路关系(其中信号能够通过导电路径在组件之间传达)的状
况。当组件(例如控制器)将其它组件耦合在一起时，组件起始改变以允许信号经由先前不允许信号流动的导电路径在其它组件之间流动。
107.术语“隔离”是指组件之间的关系，其中信号当前无法在组件之间流动。如果组件之间存在开路，那么组件彼此隔离。例如，通过定位于组件之间的开关分离的两个组件在开关断开时彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，控制器产生改变，其使用先前允许信号流动的导电路径防止信号在组件之间流动。
108.本文使用的术语“层”或“层级”是指(例如，相对于衬底)几何结构的阶层或薄层。每一层或层级可具有三个维度(例如，高度、宽度及深度)且可覆盖表面的至少一部分。例如，层或层级可为三维结构，其中两个维度大于第三维度(例如，薄膜)。层或层级可包含不同元件、组件及/或材料。在一些实例中，一个层或层级可由两个或两个以上子层或子层级构成。
109.如本文中所使用，术语“电极”可为指电导体，且在一些实例中，可用作为到存储器阵列的存储器单元或其它组件的电接触。电极可包含提供存储器阵列的元件或组件之间的导电路径的迹线、导线、导电线、导电层或类似物。
110.本文中所论述的装置(包含存储器阵列)可形成于半导体衬底(例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等)上。在一些情况中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或在另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用各种化学物种(包含但不限于磷、硼或砷)进行掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂手段执行。
111.本文论述的切换组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)且包括包含源极、漏极及栅极的三端子装置。所述端子可通过导电材料(例如，金属)连接到其它电子元件。源极及漏极可为导电的且可包括重度掺杂(例如，简并)半导体区。源极及漏极可通过轻度掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型(即，多数载子是电子)，那么fet可被称为n型fet。如果沟道是p型(即，多数载子是空穴)，那么fet可被称为p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极而控制沟道导电性。例如，分别将正电压或负电压施加到n型fet或p型fet可导致沟道变为导电。当将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，所述晶体管可“接通”或“激活”。当将小于所述晶体管的阈值电压的电压施加到所述晶体管栅极时，所述晶体管可“关断”或“撤销激活”。
112.本文中所阐述的描述结合所附图式描述实例性配置且不表示可实施或可在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“例示性”意味着“用作实例、例子或图解”，而非“优选”或“优于其它实例”。详细描述包含特定细节以提供对所描述技术的理解。然而，这些技术可在无这些具体细节的情况下实践。在一些例子中，以框图形式展示众所周知的结构及装置以避免使所描述实例的概念不清楚。
113.在附图中，类似组件或特征可具有相同参考标签。此外，可通过在参考标签后加短划线及区分类似组件的第二标签来区分相同类型的各种组件。如果仅在说明书中使用第一参考标签，那么描述适用于具有相同第一参考标签的类似组件中的任一者，而与第二参考标签无关。
114.本文中所描述的信息及信号可使用各种不同科技及技术中的任一者表示。例如，
可贯穿描述引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示。
115.可使用经设计以执行本文中描述的功能的通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行结合本文中的公开内容描述的各种阐释性框及模块。通用处理器可为微处理器，但在替代例中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为运算装置的组合(例如，dsp及微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器或任何其它此配置)。
116.可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施本文中所描述的功能。如果在由处理器执行的软件中实施，那么可将功能作为一或多个指令或程序码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传输。其它实例及实施方案是在本公开及所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬接线或这些中的任一者的组合来实施本文所描述的功能。实施功能的特征还可物理上定位于各种位置处，包含经分布使得在不同物理位置处实施功能的部分。而且，如本文中(包含在权利要求书中)使用，如项目列表(例如，以例如“至少一者”或“一或多者”的短语开始的项目列表)中使用的“或”指示包含列表，使得例如a、b或c中的至少一者的列表意味着a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a及b及c)。此外，如本文中所使用，短语“基于”不应解释为对状况闭集的参考。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于状况a”的例示性步骤可为基于状况a及状况b两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应按相同于短语“至少部分地基于”的方式来解释。
117.提供本文的描述以使所属领域的技术人员能够制成或使用本公开。所属领域的技术人员将明白对本公开的各种修改，且在不脱离本公开的范围的情况下，本文中定义的通用原理可应用于其它变化。因此，本公开并不希望限于本文中所描述的实例及设计，而应符合与本文中所公开的原理及新颖特征一致的最广泛范围。

技术特征：
1.一种设备，其包括：存取线；导电支柱，其具有经配置用于与所述存取线耦合的第一端，且所述导电支柱具有与所述导电支柱的所述第一端相对的第二端；存储器单元，其耦合在所述导电支柱与字线之间；及层，其与所述导电支柱的所述第二端相邻，其中所述层经配置以支持所述导电支柱与接地节点之间的电压均衡。2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：第二导电支柱，其具有经配置用于与所述存取线耦合的第一端，且所述第二导电支柱具有与所述第二导电支柱的所述第一端相对的第二端；及第二存储器单元，其耦合在所述第二导电支柱与第二字线之间，其中所述层经配置以支持所述第二导电支柱与所述接地节点之间的电压均衡。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二字线是所述字线。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电支柱的所述第一端经配置用于经由切换组件与所述存取线选择性耦合。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述层经配置以在所述导电支柱经由所述切换组件与所述存取线选择性地隔离时支持所述导电支柱与所述接地节点之间的电压的均衡。6.根据权利要求1所述的设备，其中：所述导电支柱的所述第一端与所述存取线电连接。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述层经配置用于在所述接地节点与所述导电支柱之间的电阻性及电容性阻抗。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述层经配置以使所述导电支柱与所述接地节点之间的所述电压均衡的时间常数长于用于编程所述存储器单元的持续时间。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述层经配置有比所述存储器单元更高的电阻。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元包括阈值化硫属化物存储元件。11.一种设备，其包括：存取线，其沿着第一方向延伸；导电支柱，其沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸，所述导电支柱具有经配置以经由切换组件与所述存取线选择性地耦合的第一端及沿着所述第二方向与所述第一端相对的第二端；存储器单元，其耦合在所述导电支柱与字线之间；第一层，其与所述导电支柱的所述第二端接触；及第二层，其与所述第一层的第一侧接触，所述第一侧与接触所述导电支柱的第二侧相对，其中所述第一层经配置用于耗散所述导电支柱与所述第二层之间的电压差。12.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括：第二导电支柱，其沿着所述第二方向延伸，所述第二导电支柱具有经配置以经由第二切换组件与所述存取线选择性地耦合的第一端及沿着所述第二方向与所述第一端相对的第二端；及第二存储器单元，其耦合在所述第二导电支柱与第二字线之间，
其中所述第一层与所述第二导电支柱的所述第二端接触，且其中所述第一层经配置用于耗散所述第二导电支柱与所述第二层之间的电压差。13.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一层经配置用于在所述第二层与所述导电支柱之间的电阻性及电容性阻抗。14.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一层经配置以使耗散所述导电支柱与所述第二层之间的所述电压差的时间常数长于用于编程所述存储器单元的持续时间。15.根据权利要求11所述的设备，其中所述第二层与接地电压源耦合。16.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一层经配置以在所述导电支柱经由所述切换组件与所述存取线选择性地隔离时耗散所述导电支柱与所述第二层之间的所述电压差。17.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一层经配置有比所述存储器单元更高的电阻。18.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括：第二存取线，其沿着所述第一方向延伸；第三导电支柱，其沿着所述第二方向延伸，所述第三导电支柱具有经配置以经由第三切换组件与所述第二存取线选择性地耦合的第一端及沿着所述第二方向与所述第一端相对的第二端；及第三存储器单元，其耦合在所述第三导电支柱与所述字线之间，其中所述第一层与所述第三导电支柱的所述第二端接触，且其中所述第一层经配置用于耗散所述第三导电支柱与所述第二层之间的电压差。19.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括：第四存储器单元，其耦合在所述导电支柱与第四字线之间，所述第四存储器单元在所述第二方向上与所述存储器单元分离，且所述第四字线在所述第二方向上与所述字线分离。20.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括：第五存储器单元，其耦合在所述导电支柱与第五字线之间，所述第五存储器单元在与所述第一方向正交及与所述第二方向正交的第三方向上位于与所述存储器单元相对的所述导电支柱的侧上。21.根据权利要求11所述的设备，其中所述第二层包括与所述第一层接触的金属、钨、石墨烯、氧化铝、锡、氮化钛或其组合。22.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一层包括与所述导电支柱的所述第二端接触的氧化物层。23.根据权利要求11所述的设备，其中所述存储器单元包括阈值化硫属化物存储元件。24.一种方法，其包括：形成沿着第一方向延伸的存取线；形成耦合在导电支柱与字线之间的存储器单元；形成沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸的所述导电支柱，所述导电支柱具有用于与所述存取线耦合的第一端，且所述导电支柱具有沿着所述第二方向与所述导电支柱的所述第一端相对的第二端；
形成与所述导电支柱的所述第二端接触的第一层；及形成沿着所述第二方向与所述第一层相邻且与所述导电支柱相对的第二层，其中所述第一层经配置用于耗散所述导电支柱与所述第二层之间的电压差。25.根据权利要求24所述的方法，其中形成所述存储器单元包括：形成穿过绝缘材料的开口，以暴露第一介电层、导电层及第二介电层；及在所述开口中形成接触所述导电层、所述第一介电层及所述第二介电层的硫属化物组件。26.根据权利要求25所述的方法，其中形成所述导电支柱包括：将导电材料沉积到所述开口中以形成与所述存储器单元接触的所述导电支柱。27.根据权利要求26所述的方法，其进一步包括：在沉积所述导电材料以形成所述导电支柱之前将屏障层沉积到所述开口中。28.根据权利要求25所述的方法，其进一步包括：形成延伸穿过衬底并与切换元件耦合的接触件，其中所述形成穿过所述绝缘材料的所述开口暴露所述接触件。29.根据权利要求28所述的方法，其中所述导电支柱形成在所述接触件上方。30.根据权利要求24所述的方法，其中形成所述第二层包括：沉积与所述第一层接触的金属、钨、石墨烯、氧化铝、锡、氮化钛或其组合的层。31.根据权利要求24所述的方法，其中形成所述第一层包括：沉积与所述导电支柱的所述第二端接触的氧化物层。32.一种方法，其包括：选择耦合在第一导电支柱与字线之间的存储器单元用于存取操作；至少部分地基于用第一电压加偏压于所述字线、用第二电压加偏压于存取线以及将所述第一导电支柱与所述存取线耦合来存取所述存储器单元作为所述存取操作的部分；及至少部分地基于存取所述存储器单元来耗散第二导电支柱与接地节点之间的电压差，其中所述耗散包括经由与所述第一导电支柱及所述第二导电支柱接触的层转移电荷。33.根据权利要求32所述的方法，其进一步包括：在所述存取所述存储器单元期间将所述第二导电支柱与所述存取线选择性地隔离，其中耗散所述第二导电支柱与所述接地节点之间的所述电压差至少部分地基于将所述第二导电支柱与所述存取线选择性地隔离。34.根据权利要求32所述的方法，其进一步包括：选择耦合在所述第二导电支柱与第二字线之间的第二存储器单元用于第二存取操作；至少部分地基于用所述第一电压加偏压于所述第二字线、用所述第二电压加偏压于所述存取线以及将所述第二导电支柱与所述存取线耦合来存取所述第二存储器单元作为所述第二存取操作的部分；及至少部分地基于存取所述第二存储器单元来耗散所述第一导电支柱与所述接地节点之间的电压差，其中所述耗散包括经由所述层转移第二电荷。35.根据权利要求32所述的方法，其中耗散所述第二导电支柱与所述接地节点之间的所述电压差包括：将所述存取线与所述接地节点耦合；及
在所述存取线与所述接地节点耦合时将所述第二导电支柱与所述存取线选择性地耦合。36.根据权利要求32所述的方法，其进一步包括：在所述存取所述存储器单元期间将第三导电支柱与第二存取线选择性地隔离；及至少部分地基于存取所述存储器单元来耗散所述第三导电支柱与所述接地节点之间的电压差，其中所述耗散所述第三导电支柱与所述接地节点之间的所述电压差包括经由与所述第一导电支柱、所述第二导电支柱及所述第三导电支柱接触的所述层转移第三电荷。37.根据权利要求32所述的方法，其中所述存储器单元包括阈值化硫属化物存储元件。38.一种设备，其包括：存取线；第一导电支柱，其经配置用于与所述存取线耦合；第一存储器单元，其耦合在所述第一导电支柱与第一字线之间；第二导电支柱，其经配置用于与所述存取线耦合；第二存储器单元，其耦合在所述第二导电支柱与第二字线之间；第一层，其与所述第一导电支柱接触且与所述第二导电支柱接触；第二层，其与所述第一层接触且与所述第一导电支柱及所述第二导电支柱相对；及控制器，其经配置以引起所述设备：选择所述第一存储器单元用于存取操作；至少部分地基于用第一电压加偏压于所述第一字线及用第二电压加偏压于所述存取线来存取所述第一存储器单元作为所述存取操作的部分；及至少部分地基于存取所述第一存储器单元来耗散所述第二导电支柱与接地节点之间的电压差，其中耗散所述第二导电支柱与所述接地节点之间的所述电压差包括经由所述第一层在所述第二导电支柱与所述第二层之间转移电荷。39.根据权利要求38所述的设备，其中所述控制器经配置以引起所述设备：选择所述第二存储器单元用于第二存取操作；至少部分地基于用所述第一电压加偏压于所述第二字线及用所述第二电压加偏压于所述存取线来存取所述第二存储器单元作为所述第二存取操作的部分；及至少部分地基于存取所述第二存储器单元来耗散所述第一导电支柱与所述接地节点之间的电压差，其中耗散所述第一导电支柱与所述接地节点之间的所述电压差包括经由所述第一层在所述第一导电支柱与所述第二层之间转移第二电荷。40.根据权利要求38所述的设备，其中所述控制器经配置以引起所述存储器设备：至少部分地基于将所述存取线与所述接地节点耦合及在所述存取线与所述接地节点耦合时经由切换组件将所述第二导电支柱与所述存取线选择性地耦合而耗散所述第二导电支柱与所述接地节点之间的所述电压差。41.根据权利要求38所述的设备，其中所述第一存储器单元及所述第二存储器单元包括阈值化硫属化物存储元件。

技术总结
描述用于存储器阵列的支柱的电压均衡的方法、系统及装置。在一些实例中，存储器阵列可经配置有导电支柱，其各自与相应存储器单元组耦合，且可选择性地与存取线耦合。为了支持来自未选定支柱的电荷的耗散或均衡，所述存储器阵列可经配置有提供与接地电压或其它电压源的耗散耦合，例如具有相对高电阻或一定程度电容的耦合(例如，以支持无源均衡)的材料层或层级。另外或替代地，存储器阵列可经配置以通过将已在浮动状况下操作的支柱与接地电压或其它电压源选择性地耦合(例如，以执行动态均衡)来支持经积累电荷或电压的有源耗散。来支持经积累电荷或电压的有源耗散。来支持经积累电荷或电压的有源耗散。


技术研发人员：C
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2023/8/9