微型发光结构、制备方法及发光装置与流程

1.本技术涉及发光技术领域，尤其涉及一种微型发光结构、制备方法及发光装置。


背景技术：

2.micro-led(micro-light emitting diode，微米发光二极管)显示技术是指以自发光的微米量级的led为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度led阵列的显示技术。
3.在相关技术中，发光芯片存在光串扰现象，图像显示不清晰。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供了一种微型发光结构、制备方法及发光装置。
5.为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：
6.第一方面，本技术实施例提供了一种微型发光结构，包括：
7.发光发光芯片，所述发光芯片设有出光侧，所述发光芯片背离所述出光侧的一侧设置有金属电极，所述金属电极开设有镂空部，以使所述金属电极形成光栅结构；
8.驱动芯片，所述驱动芯片与所述发光芯片设有所述金属电极的一侧连接。
9.在第一方面的其中一个实施例中，所述金属电极设有多个镂空部，所述多个镂空部间隔分布以形成镂空阵列。
10.在第一方面的其中一个实施例中，所述镂空阵列呈矩阵结构，所述镂空阵列沿第一方向的相邻两行和所述镂空阵列沿第二方向的相邻两列的所述镂空部均呈一一对应分布，所述第一方向与所述第二方向垂直。
11.在第一方面的其中一个实施例中，所述镂空阵列沿第一方向的相邻两个奇数行的所述镂空部一一对应分布，所述镂空阵列沿第一方向的相邻两个偶数行的所述镂空部一一对应分布，奇数行与偶数行相同顺位的所述镂空部交错分布；
12.所述镂空阵列沿第二方向的相邻两个奇数列的所述镂空部一一对应分布，所述镂空阵列沿第一方向的相邻两个偶数列的所述镂空部一一对应分布，奇数列与偶数列相同顺位的所述镂空部交错分布；
13.所述第一方向与所述第二方向垂直。
14.在第一方面的其中一个实施例中，所述金属电极开设的多个所述镂空部呈轴对称结构分布。
15.在第一方面的其中一个实施例中，所述金属电极开设的所述镂空部的结构至少包括以下之一：多边形、圆形。
16.在第一方面的其中一个实施例中，所述发光芯片包括依次层叠设置的衬底、第一半导体层、第二半导体层、发光层、第三半导体层、电流扩展层、所述金属电极、键合层和钝化层；
17.所述发光芯片设有所述衬底的一侧为所述出光侧，所述第二半导体层背离所述第
一半导体层的一侧设置有多个间隔设置的凸台，所述发光层、所述第三半导体层、所述电流扩展层和所述金属电极依次层叠设置于所述第二半导体层的凸台端面，所述钝化层分别附着于所述第二半导体层、所述发光层、所述第三半导体层、所述电流扩展层和所述金属电极的表面，所述键合层穿设于所述钝化层且与所述金属电极连接；
18.所述驱动芯片与所述键合层背离所述金属电极的一侧连接。
19.第二方面，本技术实施例还提供了一种微型发光结构的制备方法，包括：
20.预备一金属电极被暴露的发光芯片初始框架；
21.对所述金属电极进行刻蚀，使所述金属电极形成光栅结构；
22.基于刻蚀后的所述金属电极处理得到发光芯片，将驱动芯片与所述发光芯片键合。
23.第三方面，本技术实施例还提供了一种发光装置，包括上述任一实施例中所述的微型发光结构。
24.在第三方面的其中一个实施例中，所述发光装置为投影设备，所述投影设备包括：
25.所述微型发光结构，用于产生图像光束；
26.镜头，用于将所述图像光束进行投射以形成图像画面。
27.本技术提出了一种微型发光结构、制备方法及发光装置。相对于相关技术，本技术通过在发光芯片的金属电极上开设镂空部形成光栅结构，在工作过程中，在部分光线在半导体层与衬底的临界面产生全反射现象时，反射光线射入金属电极的镂空部中，从而改变部分光线的射出角度，使更多的光线从发光芯片的出光侧射出，减少从其他发光区域或从微型发光结构的边侧射出，从而改善光串扰、周边露光的问题，进而能够提升图像显示的清晰度和显示效果。
附图说明
28.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
29.图1示出了相关技术中微型发光结构的结构示意图；
30.图2示出了本技术一些实施例中微型发光结构的结构示意图；
31.图3示出了本技术一些实施例中外延层的结构示意图；
32.图4示出了本技术一些实施例中像素结构的结构示意图；
33.图5示出了本技术一些实施例中电流扩展层的结构示意图；
34.图6示出了本技术一些实施例中金属电极的结构示意图；
35.图7示出了本技术一些实施例中光栅结构的结构示意图；
36.图8示出了本技术一个实施例中光栅结构的结构示意图；
37.图9示出了本技术另一个实施例中光栅结构的结构示意图；
38.图10示出了本技术又一个实施例中光栅结构的结构示意图；
39.图11示出了本技术又一个实施例中光栅结构的结构示意图；
40.图12示出了本技术一些实施例中钝化层的结构示意图；
41.图13示出了本技术一些实施例中键合层的结构示意图；
42.图14示出了本技术一些实施例中微型发光结构的制备方法流程图；
43.图15示出了本技术一些实施例中发光芯片初始框架的制备方法流程图；
44.图16示出了本技术一些实施例中微型发光结构的键合流程图；
45.图17示出了本技术一些实施例中投影设备的结构示意图。
46.主要元件符号说明：
47.1-发光层；2-金属电极；3-衬底；
48.100-微型发光结构；110-衬底；120-第一半导体层；130-第二半导体层；140-发光层；150-第三半导体层；160-电流扩展层；170-金属电极；171-镂空部；180-键合层；190-钝化层；1100-驱动芯片；1110-出光侧；
49.200-镜头。
具体实施方式
50.下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
51.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
52.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
53.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
54.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
55.如图1所示，为相关技术中的微型发光结构结构图。本技术的发明人发现，在发光芯片的工作过程中，光线经发光层1发出后，存在部分光线在半导体层与衬底3的界面位置发生全反射，并在金属电极2的表面发生再次反射，最终从未工作的发光区域射出，从而形成光串扰现象；同时存在部分全反射光线经半导体层与衬底3的界面和金属电极2的表面多
次反射后从发光芯片的边侧射出，造成发光芯片周边的露光问题，影响micro-led显示器件整体的显示效果。尤其，在光学投影、车载抬头显示hud(head up display，又称为平视显示系统)镜头等远距离显示的应用场景中，存在图像显示不清晰等问题。
56.本方案提供的微型发光结构100，不仅能够应用于光学投影、hud等电子设备的投影部分，也可以应用于电子设备的显示部分，例如该电子设备可以包括：智能手机、智能手表、笔记本电脑、平板电脑、行车记录仪、导航仪、头戴式设备等任何具有显示屏的设备，还可以应用于电子设备的照明部分，例如该电子设备可以包括：车辆、路灯等任何具有照明组件的设备。
57.如图2所示，本技术的实施例提供了一种微型发光结构100，可有效减少光串扰，改善显示器件的显示效果。
58.微型发光结构100包括发光芯片和驱动芯片1100，发光芯片设有出光侧1110，发光芯片背离出光侧1110的一侧设置有金属电极170，金属电极170开设有镂空部171，以使金属电极170形成光栅结构。驱动芯片1100与发光芯片设有金属电极170的一侧连接。
59.本技术中，发光芯片可以为micro-led芯片、mini-led芯片等微型led芯片。在显示器件工作过程中，可由驱动芯片1100控制发光芯片的发光工作。驱动芯片1100可为cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)驱动板或者tft(thin film transistor，薄膜晶体管)驱动板。
60.本实施例中，发光芯片可以为micro-led芯片，驱动芯片1100可为cmos驱动板。
61.金属电极170在开设镂空部171后形成光栅结构，可将发光芯片内产生全反射的光线进行分割。在发光芯片的工作过程中，部分光线在第一半导体层120和衬底110的临界面反生全反射，反射光线依次穿过第一半导体层120、第二半导体层130、发光层140、第三半导体层150和电流扩展层160，在金属电极170表面产生再次反射，由于镂空部171的设置，部分光线在镂空部171与第三半导体层150的临界面折射进入镂空部171，在遇到键合层180时再次反射，再经镂空部171与第三半导体层150的临界面折射，射向钝化层190与像素结构的临界面并再次折射，后经钝化层190与第二半导体的临界面折射，最终经第一半导体层120、衬底110射出，使更多的光线从发光芯片的出光侧1110射出，减少从其他发光区域或从微型发光结构100的边侧射出，在一定程度上，提高了发光芯片的光线利用率，减轻了光串扰现象。
62.在一些实施例中，镂空部171的结构至少包括以下之一：多边形或圆形。
63.镂空部171结构可以为三角形、四边形、五边形、六边形、八边形等，为满足工业生产的标准统一性和工艺美观程度，镂空部171结构可为正多边形或圆形结构。
64.本实施例中，镂空部171结构可为方形或菱形。
65.如图7所示，在一些实施例中，镂空部171仅设有一个，镂空部171位于金属电极170的中部。
66.金属电极170呈框型结构，镂空部171的面积可设置成较大的范围，以使更多的全反射光线在镂空部171与半导体层的临界面产生折射，最终经出光侧1110射出。镂空部171的面积占金属电极170的外框面积比例可为60％、65％、70％、75％、80％、85％、90％、95％等，具体可根据实际需求进行设置。金属电极170具有稳定电流输送，保持发光层140工作稳定性的作用，为此在开设镂空部171时，也需保留一定的金属电极170。可选取合适的镂空部171面积占比，在保障发光层140工作稳定的同时，保持对全反射光线的干扰效果，使更多光
线从出光侧1110射出。
67.本实施例中，镂空部171的面积占金属电极170的外框面积比例可为80％。
68.在另一些实施例中，镂空部171设有多个，多个镂空部171间隔分布以形成镂空阵列。
69.通过镂空阵列的设置，使镂空部171和金属区块交错分布，可通过增大镂空部171在金属电极170中的面积占比，以提升镂空部171对全发射光线的干扰能力。同时各个金属区块相互连接，满足电流的流通，保障发光芯片的电极连接强度，发光层140的工作稳定性。
70.如图8所示，在一个实施例中，镂空阵列呈矩阵结构，镂空阵列沿第一方向的相邻两行和镂空阵列沿第二方向的相邻两列的镂空部171均呈一一对应分布，第一方向与第二方向垂直。
71.本实施例中，镂空部171为正方形结构，镂空部171相邻两条侧边的垂直平分线分别与第一方向和第二方向平行。
72.一并结合图9所示，在另一个实施例中，镂空部171为菱形结构，镂空部171的两条对角线分别与第一方向和第二方向平行。
73.一并结合图10所示，在又一个实施例中，镂空部171为圆形结构。
74.如图11所示，在又一个实施例中，镂空阵列沿第一方向的相邻两个奇数行的镂空部171一一对应分布，镂空阵列沿第一方向的相邻两个偶数行的镂空部171一一对应分布，奇数行的镂空部171与偶数行的镂空部171交错分布。镂空阵列沿第二方向的相邻两个奇数列的镂空部171一一对应分布，镂空阵列沿第一方向的相邻两个偶数列的镂空部171一一对应分布，奇数列的镂空部171与偶数列的镂空部171交错分布，第一方向与第二方向垂直。
75.具体的，沿第一方向的奇数行与偶数行相同顺位的镂空部171错位分布，第二方向的奇数列与偶数列相同顺位的镂空部171错位分布，如奇数行沿第一方向的第一个镂空部171均沿第二方向的同一直线对齐，将该直线命名为第一轴线，则偶数行沿第一方向的第一个镂空沿与第一轴线的平行的另一条直线对齐；奇数列沿第二方向的第一个镂空部171均沿第一方向的同一直线对齐，将该直线命名为第二轴线，则偶数列沿第二方向的第一个镂空沿与第二轴线的平行的另一条直线对齐。可以理解的，后续顺位的镂空部171与第一个镂空部171的分布规律相同。
76.在一些实施例中，金属电极170开设的多个镂空部171呈轴对称结构分布。
77.通过镂空部171的轴对称分布，使位于中部的发光层140在发射光线时，光线以对称的形式向外分散，发射的光线可分别射入两侧金属电极170的镂空部171，最终保持相同的射出方向。同时，也能满足工业生产的标准统一性和工艺美观程度。
78.另外，本技术中镂空阵列的分布结构不仅限于上述几种，镂空部171还可为环形阵列、线形阵列或无规则结构分布，只需满足在不影响发光芯片的正常工作下，同时对部分全反射光线进行干扰即可。
79.在一些实施例中，发光芯片包括依次层叠设置的衬底110、第一半导体层120、第二半导体层130、发光层140、第三半导体层150、电流扩展层160、金属电极170、键合层180和钝化层190。
80.其中，发光芯片设有衬底110的一侧为出光侧1110，第二半导体层130背离第一半导体层120的一侧设置有多个间隔设置的凸台。发光层140、第三半导体层150、电流扩展层
160和金属电极170依次层叠设置于第二半导体层130的凸台端面。钝化层190分别附着于第二半导体层130、发光层140、第三半导体层150、电流扩展层160和金属电极170的表面。键合层180穿设于钝化层190且与金属电极170连接，驱动芯片1100与键合层180背离金属电极170的一侧连接。
81.衬底110可以选用al2o3(蓝宝石)衬底110、si(硅)衬底110或sic(碳化硅)衬底110等衬底110结构中的一种。
82.本实施例中，透明衬底110为al2o3(蓝宝石)衬底110。
83.第一半导体层120可为u-gan(u型氮化镓)层，第二半导体层130可为n-gan(n型氮化镓)层，第三半导体层150可为p-gan(p型氮化镓)层。其中，第二半导体层130可作为发光结构的阴极连接层，第三半导体层150可作为发光结构的阳极连接层。
84.发光层140可为mqw(multiple quantum well，多量子阱)发光层。
85.电流扩展层160可由ito(indium tin oxide，氧化铟锡)、fto(氧化氟锡)、azo(氧化铝锌)等材料中的至少之一制成。
86.本实施例中，电流扩展层160可选用ito材料。
87.金属电极170可以采用离子束蒸镀方法，通过依次沉积ti/al/ti/au(钛/铝/钛/金)金属层形成。
88.在另一些实施例中，金属电极170还可由ni/fe/pt/pd(镍/铁/铂/钯)金属制成，亦或其他导电材料制成。
89.钝化层190与金属电极170接触的部位开设有通孔，以将金属电极170的部分区域暴漏。钝化层190可由聚氯乙烯、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯醇、天然橡胶、聚苯乙烯或sio2(二氧化硅)等材料制成。
90.本实施例中，钝化层190由sio2沉积形成。
91.键合层180可由金、钛、镍、铝、铜、铟、锡或银锡合金等金属材料制成。
92.本实施例中，键合层180由金属铟沉积形成。
93.如图14所示，本技术的实施例还提供了一种微型发光结构100的制备方法，可用于制备上述任一实施例中的微型发光结构100。
94.微型发光结构100的制备方法包括：
95.s10，预备一金属电极170被暴露的发光芯片初始框架。
96.一并结合图15所示，在一些实施例中，步骤s10具体可包括：
97.s11，生成外延层结构。
98.一并结合图3所示，选取一衬底110用作外延层的生长载体，在衬底110上依次沉积第一半导体层120、第二半导体层130、发光层140和第三半导体层150，以形成外延层结构。
99.第一半导体层120、第二半导体层130、发光层140和第三半导体层150可分别通过不同或相同的外延生长方法生长而成。例如，可分别通过气相外延生长方法、液相外延生长方法或分子束外延生长方法等外延生长方法中的一种进行生长。
100.s12，制备像素结构。
101.一并结合图4所示，从第三半导体层150一侧进行刻蚀，形成多个凸台，但仍保留第二半导体层130的部分厚度，即第二半导体层130的部分区域露出凸台结构的范围，以形成像素结构。
102.s13，生成电流扩展层160。
103.一并结合图5所示，可通过磁控溅射方法在凸台远离衬底110的一侧表面沉积ito材料，以获得电流扩展层160。
104.s14，生成金属电极170。
105.一并结合图6所示，可通过离子束蒸镀方法在电流扩展层160远离第三半导体层150的一侧表面依次沉积ti/al/ti/au金属层，以得到发光芯片初始框架。
106.s20，对金属电极170进行刻蚀，使金属电极170形成光栅结构。
107.在金属电极170背离电流扩展层160的一侧覆盖掩膜，根据生产需求，掩膜预设为相应的结构。利用光刻工艺对金属电极170未被掩膜覆盖的区域进行刻蚀，以使金属电极170形成光栅结构。
108.s30，基于刻蚀后的金属电极170处理得到发光芯片，将驱动芯片1100与发光芯片键合。
109.一并结合图16所示，在一些实施例中，步骤s30具体可包括：
110.s31，生成钝化层190。
111.一并结合图12所示，可通过pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子增强化学气相沉积)方法在金属电极170和第二半导体层130背离衬底110的一侧沉积钝化层190，并使钝化层190材料依次附着第二半导体层130、发光层140、第三半导体层150、电流扩展层160和金属电极170的边侧。
112.s32，生成键合层180。
113.一并结合图13所示，在钝化层190成型后，通过光刻工艺在钝化层190上开设通孔，且使通孔与金属电极170相对。可以理解的是，通孔可连通外界环境及金属电极170。相应地，金属电极170远离衬底110一侧的至少部分表面可通过钝化层190上的通孔外露。
114.可通过pecvd方法在通孔所对应位置的金属电极170上沉积键合层180，以得到发光芯片，并使键合层180相对于钝化层190远离衬底110的一侧表面凸出，以便于对键合层180与驱动芯片1100的焊接。
115.s33，键合。
116.通过键合层180与驱动芯片1100上对应位置的焊盘键合连接，可以通过铟回流形成铟球，使发光结构与驱动芯片1100电连接。
117.本技术的实施例还提供了一种发光装置，包括上述任一实施例中的微型发光结构100，该发光装置可应用于电子设备，实现增强现实(augmented reality，ar)、虚拟现实(virtual reality，vr)、混合现实(mixed reality，mr)等扩展现实(extended reality，xr)技术。在实施时，该发光装置可以是电子设备的投影部分，例如投影仪、抬头显示(head up display，hud)等；又例如，该发光装置也可以是电子设备的显示部分，例如该电子设备可以包括：智能手机、智能手表、笔记本电脑、平板电脑、行车记录仪、导航仪、头戴式设备等任何具有显示屏的设备；还例如，该发光装置也可以是电子设备的照明部分，例如该电子设备可以包括：车辆、路灯等任何具有照明组件的设备。
118.本实施例中具有上述任一实施例中的微型发光结构100，因此，可具有上述任一实施例中微型发光结构100的有益效果。
119.如图17所示，在一些实施例中，发光装置为投影设备，投影设备包括微型发光结构
100和镜头200。投影设备通过微型发光结构100产生图像光束，镜头200将图像光束进行投射以形成图像画面。
120.具体的，镜头200可以具有图像缩放功能，通过调整镜头200的焦距，将发光单元产生的图像光束适应性地投射于被投影平面，且能够调整投影幕布上图像画面的大小。
121.综上，本技术通过在发光芯片的金属电极170上开设镂空部171形成光栅结构，然后将发光芯片与驱动芯片1100连接。在工作过程中，在部分光线在第一半导体层120与衬底110的临界面产生全反射现象时，部分反射光线依次经第一半导体层120、第二半导体层130、发光层140、第三半导体层150和电流扩展层160射入金属电极170的镂空部171中，由于镂空部171与电流扩展层160的折射率差异，反射光线在电流扩展层160与镂空部171的临界面折射进入镂空部171内，照射于键合层180与镂空部171的接触面，经键合层180的再次反射，折射进入电流扩展层160后不再发生全反射，最终经发光芯片的出光侧1110射出。进而改变部分光线的射出角度，使更多的光线从发光芯片的出光侧1110射出，减少从其他发光区域或从微型发光结构100的边侧射出，从而改善光串扰、周边露光的问题，进而能够提升图像显示的清晰度和显示效果。
122.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
123.尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

技术特征：
1.一种微型发光结构，其特征在于，包括：发光芯片，所述发光芯片设有出光侧，所述发光芯片背离所述出光侧的一侧设置有金属电极，所述金属电极开设有镂空部，以使所述金属电极形成光栅结构；驱动芯片，所述驱动芯片与所述发光芯片设有所述金属电极的一侧连接。2.根据权利要求1所述的微型发光结构，其特征在于，所述金属电极设有多个镂空部，所述多个镂空部间隔分布以形成镂空阵列。3.根据权利要求2所述的微型发光结构，其特征在于，所述镂空阵列呈矩阵结构，所述镂空阵列沿第一方向的相邻两行和所述镂空阵列沿第二方向的相邻两列的所述镂空部均呈一一对应分布，所述第一方向与所述第二方向垂直。4.根据权利要求2所述的微型发光结构，其特征在于，所述镂空阵列沿第一方向的相邻两个奇数行的所述镂空部一一对应分布，所述镂空阵列沿第一方向的相邻两个偶数行的所述镂空部一一对应分布，奇数行与偶数行相同顺位的所述镂空部交错分布；所述镂空阵列沿第二方向的相邻两个奇数列的所述镂空部一一对应分布，所述镂空阵列沿第一方向的相邻两个偶数列的所述镂空部一一对应分布，奇数列与偶数列相同顺位的所述镂空部交错分布；所述第一方向与所述第二方向垂直。5.根据权利要求2所述的微型发光结构，其特征在于，所述金属电极开设的多个所述镂空部呈轴对称结构分布。6.根据权利要求1至5中任一项所述的微型发光结构，其特征在于，所述金属电极开设的镂空部的结构至少包括以下之一：多边形、圆形。7.根据权利要求1所述的微型发光结构，其特征在于，所述发光芯片包括依次层叠设置的衬底、第一半导体层、第二半导体层、发光层、第三半导体层、电流扩展层、所述金属电极、键合层和钝化层；所述发光芯片设有所述衬底的一侧为所述出光侧，所述第二半导体层背离所述第一半导体层的一侧设置有多个间隔设置的凸台，所述发光层、所述第三半导体层、所述电流扩展层和所述金属电极依次层叠设置于所述第二半导体层的凸台端面，所述钝化层分别附着于所述第二半导体层、所述发光层、所述第三半导体层、所述电流扩展层和所述金属电极的表面，所述键合层穿设于所述钝化层且与所述金属电极连接；所述驱动芯片与所述键合层背离所述金属电极的一侧连接。8.一种微型发光结构的制备方法，其特征在于，包括：预备一金属电极被暴露的发光芯片初始框架；对所述金属电极进行刻蚀，使所述金属电极形成光栅结构；基于刻蚀后的所述金属电极处理得到发光芯片，将驱动芯片与所述发光芯片键合。9.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的微型发光结构。10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置为投影设备，所述投影设备包括：所述微型发光结构，用于产生图像光束；镜头，用于将所述图像光束进行投射以形成图像画面。

技术总结
本申请提供一种微型发光结构、制备方法及发光装置，涉及发光技术领域。微型发光结构包括发光芯片和驱动芯片，所述发光芯片设有出光侧，所述发光芯片背离所述出光侧的一侧设置有金属电极，所述金属电极开设有镂空部，以使所述金属电极形成光栅结构，所述驱动芯片与所述发光芯片设有所述金属电极的一侧连接。本申请提供的发光结构，能够改善光串扰问题，远距离显示时不清晰的现象。显示时不清晰的现象。显示时不清晰的现象。


技术研发人员：张珂 纪洁洁 符民
受保护的技术使用者：深圳市思坦科技有限公司
技术研发日：2023.05.16
技术公布日：2023/8/15