高功率密度整流器装置的制作方法

1.本公开一般涉及固态电流控制设备领域，特别是涉及高功率密度整流器设备。


背景技术：

2.现代电子设备依靠二极管实现各种功能，尤其是在电源应用中，例如用于将交流(ac)转换为直流(dc)。典型的整流二极管是一种半导体器件，其包括两条引线，并允许电流沿单一方向流动。该器件使用通过结连接在一起的n型和p型半导体材料制造。器件中的n型半导体材料形成并被称为阴极侧，并包括适当的阴极引线或端子。器件中的p型半导体材料形成并被称为阳极侧，并包括适当的阳极引线或端子。一些现有的整流二极管受到低功率输出的影响，因此需要更大的芯片尺寸来产生一些应用可能需要的足够功率。


技术实现要素：

3.提供以下概述是为了以简化形式介绍一些概念，这些概念将在下面的详细描述中进一步描述。本概述不旨在识别所要求保护的主题的关键或基本特征，也不旨在帮助确定所要求保护的主题的范围。
4.在一些实施方式中，当前主题涉及高功率密度整流器装置。该装置可以包括基板硅层、耦合到基板层的中间硅层、耦合到中间硅层的上部硅层(upper silicon layer)、耦合到基板硅层的阴极端子、耦合到上部硅层的阳极端子、以及耦合到上半导体层的上半导体层，以及形成在基板硅层和中间硅层的至少一部分中的一个或多个沟槽终止层(trench termination layer)。
5.在一些实施方式中，当前主题可能包括以下一个或多个可选功能。基板硅层可以是以下中的至少一种：n型层、p型层及其任何组合。中间硅层可以是n型硅层。中间硅层可以是n硅层。上部硅层可以是p型硅层。例如，上部硅层可以是p+硅层。
6.在一些实施方式中，中间硅层可以被配置为封装在一个或多个硅侧部中，该硅侧部被配置为从上部硅层延伸。
7.在一些实施方式中，可以在上部硅层和中间硅层之间形成p-n结。
8.在一些实施方式中，一个或多个沟槽终止层可以包括形成在基板硅层的至少一侧和中间硅层的至少一部分上的两个沟槽终止层。一个或多个沟槽终止层中的每个的至少一部分可以被配置为基本上平行于以下至少一个：基板硅层、中间硅层、上部硅层、阴极端子、阳极端子以及其任何组合。此外，一个或多个沟槽终止层中的每个的至少另一部分可以被配置为基本上垂直于以下至少一个：基板硅层、中间硅层、上部硅层、阴极端子、阳极端子及其任何组合。在一些实施方式中，一个或多个沟槽终止层中的至少一个的高度可以被配置为大于或等于基板硅层的厚度。可替换选或另外地，一个或多个沟槽终止层中的至少一个的高度可以被配置为小于或等于基板硅层的厚度。
9.在一些实施方式中，一个或多个沟槽终止层中的至少一个可以被配置为基本上垂直地延伸到中间硅层中。
10.在一些实施方式中，一个或多个沟槽终止层中的至少一个可以被配置为增加形成在上部硅层和中间硅层之间的p-n结的尺寸。一个或多个沟槽终止层中的至少一个可以被配置为增加装置的功率密度。
11.在一些实施方式中，当前主题涉及高功率密度整流二极管。二极管可以包括基板硅层、耦合到基板层的中间硅层、耦合到中间硅层的上部硅层、耦合到基板硅层的阴极端子、耦合到上部硅层的阳极端子、以及耦合到上半导体层的上半导体层，以及形成在基板硅层和中间硅层的至少一部分中的一个或多个沟槽终止层。沟槽终止层可以被配置为形成在基板硅层的至少一侧和中间硅层的至少一部分上。基板硅层可以是以下中的至少一种：n型层、p型层及其任何组合。
12.在一些实施方式中，当前主题涉及一种用于制造高功率密度整流二极管的方法。该方法可以包括提供基板硅层，将基板层耦合到中间硅层，并将中间硅层耦合到上部硅层，将阴极端子耦合到第一硅外层，并将栅极端子耦合到第一硅中间层，将阴极端子耦合到基板硅层，并将阳极端子耦合到上部硅层，以及在基板硅层和中间硅层的至少一部分中形成一个或多个沟槽终止层。
13.本文所述主题的一个或多个变体的细节在附图和以下描述中阐述。本文所述主题的其他特征和优点将从说明书和附图以及权利要求书中显而易见。
附图说明
14.包含在本说明书中并构成本说明书一部分的附图示出了本文所公开主题的某些方面，并与说明书一起帮助解释了与所公开实施方式相关联的一些原理。在附图中，
15.图1a示出了示例性整流二极管；
16.图1b示出了处于正向偏置状态的示例性整流二极管；
17.图1c示出了处于反向偏置状态的示例性整流二极管；
18.图2a示出了示例性整流二极管；
19.图2b示出了另一示例性整流二极管；
20.图3示出了根据当前主题的一些实施方式的示例性高功率密度整流二极管；以及
21.图4示出了根据当前主题的一些实施方式的示例性过程。
22.附图不一定按比例绘制。附图仅仅是表示，不旨在描绘本公开的具体参数。附图旨在描述当前主题的示例性实施方式，因此不应被视为限制范围。在附图中，相同的编号表示相同的元件。
23.此外，为了说明清楚，某些附图中的某些元件可以省略，和/或不按比例说明。横截面视图可以采用“切片”和/或“近视”横截面视图的形式，为了说明清楚，省略了“真实”横截面视图中可见的某些背景线。此外，为了清楚起见，某些附图中可以省略一些附图标记。
具体实施方式
24.现在将参考附图更全面地描述根据本公开的各种方法，其中示出了系统和方法的实施方式。设备、系统、组件等可以以许多不同的形式体现，并且不应被解释为局限于本文阐述的示例实施方式。相反，提供这些示例实施方式，因此本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达当前主题的范围。
25.为了解决当前可用解决方案的这些和潜在的其他缺陷，当前主题的一种或多种实施方式涉及方法、系统、制造物品等，其可以提供一种高功率密度整流器设备，该设备可以被配置为提供增加的功率，同时保持与常规芯片尺寸相同或更小。
26.如上所述，整流二极管是一种半导体器件。其目的之一是将交流(ac)转换或整流为直流(dc)。整流二极管通常由硅制成，并且特别地，可以包括一个或多个彼此堆叠的硅层，以实现高电流的传导。这些层可以包括可以化学结合以形成p-n结的p型和n型材料。p-n结可以包括两个端子或电极(例如，阳极和阴极)。
27.整流二极管可以是无偏置的(例如，没有施加电压)、正向偏置和反向偏置的(后两种是由向二极管的端子施加电压引起的)。
28.图1a示出了示例性整流二极管100。整流二极管100包括p型层102、n型层104和结106。如图1a所示，没有电压施加到整流二极管100，导致无偏置整流二极管。在这种情况下，n型层104可以包括大部分电子和少数电荷载流子空穴，而p型层102可以包括大部分电荷载流子空穴和少数电子。
29.来自n型层104的自由电子可以扩散到p型层102中，在n型层104中产生不可移动的正离子，在p型层102中产生不可移动的负离子。来自两侧的不可移动的正离子和负离子可以集中在结106处。结106也可以被称为耗尽区。可以在结106两端产生静电场，这防止了电子在结上的进一步迁移。
30.图1b示出了处于正向偏置状态的示例性整流二极管100。如图1b所示，p型层102可以耦合到电池108的正极端子，而n型层104可以耦合到电池108的负极端子。这允许电流从电池108流过整流二极管100，导致整流二极管变为正向偏置。
31.在这种情况下，来自n型层104的电子可以(由于来自电池108的dc电压而被n型层104排斥而)向p型层102迁移。这种电子流动导致电流流过(或“漂移”通过)整流二极管100。在这种情况下，由于大多数电荷载流子是电子，所以n型层104中的电流是电子电流。此外，由于p型层102中的大多数电荷载流子是空穴，所以这些电荷载流子被电池108的正极端子排斥，迫使它们跨越p-n结107向负极端子迁移。这使得p-n结107比图1a所示的p-n结106窄。
32.图1c示出了处于反向偏置状态的示例性整流二极管100。如图1c所示，p型层102可以耦合到电池108的负极端子，而n型层104可以耦合到电池108的正极端子。这防止了电流(而不是反向饱和电流)从电池108流过整流二极管100，从而导致整流二极管100变为反向偏置。
33.在这种情况下，p-n结或耗尽层109变得大于图1a所示的p-n结106，从而增加克服该区域可能所需的反向偏置电压。少量电荷载流子(例如，p型和n型层中的热生成电子/空穴)可以流过p-n结100，并且通常被称为饱和电流。然而，整流二极管100两端的反向偏置电压的不受控制的增加将破坏耗尽区109并破坏整流二极管100。
34.图2a示出了示例性整流二极管200。整流二极管200包括阳极端子或电极202、阴极端子或电极204和钝化层206。阳极端子202可以耦合到第一层203。阴极端子204可以耦合到第三层207。第二层205可以被配置为位于第一层203和第三层207之间。
35.层203可以是具有较高掺杂浓度的硅p+层。层205可以是具有低掺杂浓度的n-硅层。层207可以是具有高掺杂浓度的n+硅层。在一些情况下，层207可以是晶片的基板和/或扩散层。层203可以被配置为接触阳极202以及钝化层206。钝化层206可以是可以在层203、
205的顶部和阳极202的一部分上形成的热氧化物。
36.在某些情况下，可以通过将p型掺杂剂选择性扩散到层205中来形成层203。因此，可以以基本平行的方式形成层203、205和207。可以在p+层203和n-层205之间形成p-n结。
37.图2b示出了示例性整流二极管210。整流二极管210包括阳极端子或电极212、阴极端子或电极214和玻璃钝化层216。阳极端子212可以耦合到第一层213。阴极端子214可以耦合到第三层217。第二层215可以被配置为位于第一层213和第三层217之间。
38.此外，第四层218可并入第二层218中。玻璃钝化层216可以被配置为在层213和218之间提供桥。层218未耦合到阳极端子212。
39.类似于图2a所示的整流二极管200，层213是具有较高掺杂浓度的硅p+层。层215是具有低掺杂浓度的n-硅层。层217是具有高掺杂浓度的n+硅层。层218可以是另一p硅层。在一些情况下，层218可以提供对形成在层213和215之间的p-n结上的电场的控制。
40.类似于图2a所示的整流二极管200的层207，层217是基板和/或扩散层。层213可以接触阳极212和玻璃钝化层216。阳极212形成在p+层213的顶部。n-层215的一部分在p+层213和层218之间延伸，但不接触阳极212。玻璃钝化层216形成在p+层213的延伸超过阳极212的至少一部分、n-层215的延伸在层213和层218之间的部分以及层218的一部分上。
41.层213和/或218(假设层218是p型层)是通过将p型掺杂剂扩散到层215中形成的。因此，层213、215、217和218可以以基本平行的方式形成。可以在p+层213和n-层215之间形成p-n结，其中，如上所述，层218可以用于控制流过器件210的电流。
42.整流二极管200(如图2a所示)和210(如图2b所示)是常规整流二极管的示例。由于较小的p-n结，这种二极管典型地受到性能降低和功率降低的影响。当前主题被配置为提供增加的功率密度，同时保持较小的芯片尺寸。这种增加的功率密度可以通过作为当前主题的整流二极管的新颖几何形状的结果而形成的更大的p-n结来实现。
43.图3示出了根据当前主题的一些实施方式的示例性高功率密度整流二极管300。整流二极管300可以包括阴极端子或电极302、阳极端子或电极304以及一个或多个终止沟槽部分306(a，b)。阴极端子302可以耦合到第一层303。阳极端子304可以耦合到第三层307。第二层305可以被配置为位于第一层303和第三层307之间。
44.层307还可以包括侧部或层309(a，b)，其可以被配置成包围第二层305。侧部309a可被配置为设置在层305的左侧。侧部309b可被配置为设置在层305的右侧。此外，每个侧部309可以被配置为在阳极端子304和相应的终止沟槽部分306之间延伸。例如，侧部309a可以被配置为在阳极端子304和终止沟槽部分306a之间延伸；以及侧部309b可以被配置为在阳极端子304和终止沟槽部分306b之间延伸。
45.每个终止沟槽部分306可以被配置为包括水平部分316和垂直部分318。具体而言，终止沟槽部分306a可以包括水平部分316a和垂直部分318a，而终止沟槽部分306b可以包括水平部分316b和垂直部分318b。水平部分316可以被配置为耦合到相应侧部309的顶部以及第二层305的部分。例如，如图3所示，水平部分316a可以被配置为耦合到侧部309a和第二层305的一部分(在左侧)，并且水平部分316b可以被配置为耦合到侧部309b和第二层305的一部分(在左侧)。
46.此外，每个垂直部分318可以被配置为耦合到第一层303的相应侧和第二层305的一部分。例如，垂直部分318a可以被配置为耦合到第一层303的侧部319a和第二层305的一
部分(在左侧)，并且垂直部分318b可以被配置为耦合到第一层303的侧部319b和第二层305的一部分(在左侧)。
47.在一些实施方式中，层303-307可以是具有相同和/或不同掺杂浓度的硅层。这些层可以是p型和/或n型。如图3所示，例如，第一层303可以是具有较高掺杂浓度的n+层。层305可以是具有低掺杂浓度的n-层。层307可以是具有较高掺杂浓度的p+层。在一些实施方式中，侧部309也可以被配置为p型层。例如，侧部309可以类似于层307，并且可以是p+硅层。可替换选或另外地，第一层303可以是p型层而不是n型层，由此可以相应地改变其他层305和/或307中的一个或多个(如果特定设计和/或应用需要的话)。
48.在一些实施方式中，第一层303可以是基板层，其可以被配置为位于芯片和/或任何其他电路板上。层303可以被配置为在一侧接触阴极302以及终止沟槽部分306，在另一侧接触第二层305。终止沟槽部分306可以被配置为减少第一层303以及阴极302的占用空间(footprint)或终止区域(termination area)，同时增加可以形成在第一层303和第二层305之间的p-n结的尺寸。这进而可以被配置成增加整流二极管300的功率密度。
49.此外，终止沟槽部分306的深度(和/或高度)可以被配置为大于第一层303的厚度。如图3所示(并且如上所述)，终止沟槽部分306可以被配置为基本垂直延伸到第二层305中。可替换选或另外地，终止沟槽部分306的深度(和/或高度)可以被配置为基本上与第一层303的厚度相同和/或小于第一层303的厚度。可以理解，终止沟槽部分306的深度(和/或高度)可以根据整流二极管300的特定应用和/或使用来选择。
50.图4示出了根据当前主题的一些实施方式的用于制造高功率密度整流二极管的示例性过程400。过程400可以被配置为用于制造各种整流二极管，例如图3所示的整流二极管300。在402处，可以提供基板硅层。基板硅层可以类似于图3所示的整流二极管300的第一层303。基板层可以是n型层(例如，n+硅层)和/或p型层。
51.在404处，基板层可以耦合到中间硅层。中间硅层可以类似于图3所示的整流二极管300的第二硅层305。中间硅层可以是n-硅层。中间硅层也可以耦合到上部硅层。上部硅层可以类似于图3所示的整流二极管300的第三硅层307。上部硅层可以是p+硅层。中间硅层也可以被封装和/或以其他方式包围在可以被配置为从上部硅层延伸的一个或多个部分(例如，侧部309)中。上部硅层和中间硅层的耦合可以被配置为形成p-n结。
52.在406处，阴极端子可以被配置为耦合到基板硅层。例如，整流二极管300的阴极端子或电极302可以耦合到基板硅层，如图3所示。此外，阳极端子可以耦合到上部硅层。还如图3所示，阳极端子304可以耦合到上部硅层(例如，层307)。
53.在408处，可以在基板硅层和中间硅层的至少一部分中形成一个或多个沟槽终止层。如图3所示，可以在第一层303和第二层305的至少一部分中形成两个沟槽终止层306。
54.沟槽终止层306可以被形成为使得沟槽终止层的至少一部分(例如，部分316)可以基本上平行于基板、中间硅层和/或上部硅层(例如，层303-305)和/或阴极端子和阳极端子中的一个或多个。此外，沟槽终止层的至少另一部分可以基本上垂直于基板、中间硅层和/或上部硅层(例如，层303-305)和/或阴极端子和阳极端子中的一个或多个。
55.上述设备的组件和特征可以使用分立电路、专用集成电路(asic)、逻辑门和/或单片架构的任何组合来实现。此外，在适当的情况下，可以使用微控制器、可编程逻辑阵列和/或微处理器或上述的任何组合来实现设备的特征。需要注意的是，硬件、固件和/或软件元
件在本文中可以被统称或单独称为“逻辑”或“电路”。
56.可以理解，上述框图中所示的示例性设备可以代表许多潜在实施方式的一个功能描述示例。因此，附图中描绘的块功能的划分、省略或包括并不推断用于实现这些功能的硬件组件、电路、软件和/或元件将必然被划分、省略或者包括在实施例中。
57.一些实施例可以使用表述“一个实施例”或“实施例”及其衍生物来描述。这些术语意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在至少一个实施例中。说明书中不同地方出现的短语“在一个实施例中”(或其衍生物)不一定都指同一实施例。此外，除非另有说明，否则上述特征被认为可以以任何组合一起使用。因此，可以将单独讨论的任何特征彼此结合使用，除非注意到这些特征彼此不兼容。
58.需要强调的是，提供本公开的摘要是为了让读者快速确定技术公开的性质。提交本技术时，应理解其不会用于解释或限制权利要求的范围或含义。此外，在前面的详细描述中，可以看出，为了简化本公开，各种特征被分组在单个实施例中。本公开方法不应被解释为反映所要求保护的实施例需要比每个权利要求中明确描述的更多特征的意图。相反，如以下权利要求所反映的，发明性主题在于少于单个公开实施例的所有特征。因此，以下权利要求在此并入详细描述中，其中每个权利要求作为单独的实施例独立存在。在所附权利要求中，术语“包括(including)”和“其中(in which)”分别用作各自术语“包含(comprising)”和“其中(wherein)”的纯英语等价物。此外，术语“第一(first)”、“第二(second)”、“第三(third)”等仅用作标签，并不旨在对其对象施加数字要求。此外，本文中使用的“包括(including)”、“包含(comprising)”或“具有(having)”及其变体是指包含其后列出的项目及其等价物以及其他项目。因此，术语“包括(including)”、“包含(comprising)”或“具有(having)”及其变体是开放式表达，并且在本文中可以互换使用。
59.为方便和清楚起见，本文可使用“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”、“垂直”、“水平”、“侧面”、“横向”、“径向”、“内部”、“外部”、“左侧”和“右侧”等术语来描述特征和组件的相对位置和方向，每个都与在本文提供的透视图、分解透视图和横截面视图中出现的其他特征和组件的几何形状和方向有关。所述术语并非旨在限制，并且包括特别提及的词语、其中的派生词以及具有类似含义的词语。
60.上述内容包括所公开架构的示例。当然，不可能描述组件和/或方法的每一种可能的组合，但是本领域普通技术人员可以认识到，许多其他组合和排列是可能的。因此，新颖的架构旨在包含落入所附权利要求的精神和范围内的所有此类改变、修改和变化。
61.出于说明和描述的目的，给出了示例实施例的上述描述。其并非旨在穷尽或将本公开限制于所公开的精确形式。鉴于本公开，许多修改和变化是可能的。本公开的范围不受此详细描述的限制，而是受所附权利要求的限制。要求本技术优先权的未来提交的申请可以以不同的方式要求所公开的主题，并且通常可以包括本文所公开或以其他方式证明的一个或多个限制的任何集合。
62.所有定向参考(例如，近端、远端、上部、下部、向上、向下、左侧、右侧、横向、纵向、前部、后部、顶部、底部、上方、下方、垂直、水平、径向、轴向、顺时针和逆时针)仅用于识别目的，以帮助读者理解本公开内容，并且不产生限制，特别是关于本公开的位置、方向或使用。除非另有说明，否则连接参考(例如，附接、耦合、连接和接合)应被广泛地解释，并且可以包括元件集合之间的中间构件和元件之间的相对运动。因此，连接参考不一定推断两个元件
直接连接并且彼此固定。
63.此外，标识参考(例如，主要、次要、第一、第二、第三、第四等)并非意在暗示重要性或优先级，而是用于区分一个特征和另一个特征。附图仅用于说明，并且随附附图中反映的尺寸、位置、顺序和相对大小可能有所不同。
64.本公开的范围不受本文描述的具体实施方式的限制。事实上，除了本文所描述的那些之外，本公开的其他各种实施方式和修改对于本领域普通技术人员来说将从前述描述和附图中显而易见。因此，这样的其他实施方式和修改旨在落入本公开的范围内。此外，本文已经在特定环境中针对特定目的的特定实施方式的上下文中描述了本公开。本领域普通技术人员将认识到，有用性不限于此，并且本公开可以有益地在任何数量的环境中实现任何数量的目的。因此，以下陈述的权利要求将根据本文所述的本公开的全部广度和精神来解释。

技术特征：
1.一种高功率密度整流器装置，其特征在于，包括：基板硅层；中间硅层，其被耦合到所述基板硅层；上部硅层，其被耦合到所述中间硅层；阴极端子，其被耦合到所述基板硅层；阳极端子，其被耦合到所述上部硅层；和一个或多个沟槽终止层，其被形成在所述基板硅层和所述中间硅层的至少一部分中。2.根据权利要求1所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述基板硅层是以下中的至少一个：n型层、p型层及其任何组合。3.根据权利要求1所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述中间硅层是n型硅层。4.根据权利要求3所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述中间硅层是n-硅层。5.根据权利要求1所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述上部硅层是p型硅层。6.根据权利要求5所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述上部硅层是p+硅层。7.根据权利要求6所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述中间硅层被配置为封装在一个或多个硅侧部中，所述硅侧部被配置为从所述上部硅层延伸。8.根据权利要求1所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，还包括形成在所述上部硅层和所述中间硅层之间的p-n结。9.根据权利要求1所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述一个或多个沟槽终止层包括形成在所述基板硅层的至少一侧和所述中间硅层的所述至少一部分上的两个沟槽终止层。10.根据权利要求9所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述一个或多个沟槽终止层中的每个沟槽终止层的至少一部分被配置为平行于以下中的至少一个：所述基板硅层、所述中间硅层、所述上部硅层、所述阴极端子、所述阳极端子及其任何组合。11.根据权利要求10所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述一个或多个沟槽终止层中的每个沟槽终止层的至少另一部分被配置为垂直于以下中的至少一个：所述基板硅层、所述中间硅层、所述上部硅层、所述阴极端子、所述阳极端子及其任何组合。12.根据权利要求11所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述一个或多个沟槽终止层中的至少一个沟槽终止层的高度被配置为大于或等于所述基板硅层的厚度。13.根据权利要求11所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述一个或多个沟槽终止层中的至少一个沟槽终止层的高度被配置为小于或等于所述基板硅层的厚度。14.根据权利要求11所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述一个或多个沟槽终止层中的至少一个沟槽终止层被配置为垂直地延伸到所述中间硅层中。15.根据权利要求11所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述一个或多个沟槽终止层中的至少一个沟槽终止层被配置为增加形成在所述上部硅层和所述中间硅层之间的p-n结的尺寸。
16.根据权利要求15所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述一个或多个沟槽终止层中的至少一个沟槽终止层被配置为增加所述高功率密度整流器装置的功率密度。17.根据权利要求1所述的高功率密度整流器装置，其特征在于，所述高功率密度整流器装置是高功率密度整流二极管。18.一种高功率密度整流器装置，其特征在于，包括：基板硅层；中间硅层，其被耦合到所述基板硅层；上部硅层，其被耦合到所述中间硅层；阴极端子，其被耦合到所述基板硅层；阳极端子，其被耦合到所述上部硅层；和一个或多个沟槽终止层，其被形成在所述基板硅层和所述中间硅层的至少一部分中，所述一个或多个沟槽终止层被配置为形成在所述基板硅层的至少一侧和所述中间硅层的至少一部分上；其中，所述基板硅层是以下中的至少一种：n型层、p型层及其任何组合。

技术总结
公开了高功率密度整流器装置，特别是公开了一种高功率密度整流二极管装置、结构及其相关联的方法。该装置包括基板硅层、耦合到基板层的中间硅层、耦合到中间硅层的上部硅层、耦合到基板硅层的阴极端子、耦合到上部硅层的阳极端子、以及形成在基板硅层和中间硅层的至少一部分中的一个或多个沟槽终止层。沟槽终止层被配置为形成在基板硅层的至少一侧和中间硅层的至少一部分上。基板硅层是以下中的至少一种：n型层、p型层及其任何组合。p型层及其任何组合。p型层及其任何组合。


技术研发人员：周继峰 张环 何磊
受保护的技术使用者：力特半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2022.12.02
技术公布日：2023/8/17