高电压贯通型电容器的制作方法

1.本发明涉及高电压贯通型电容器。


背景技术：

2.已知的高电压贯通型电容器具备：具有相互对置的第一主面和第二主面的素体、贯通导体、接地配件、绝缘壳、绝缘罩、绝缘管、以及树脂(例如，参照日本特许第3803258号)。该高电压贯通型电容器具有配置于第一主面的第一电极和配置于第二主面的第二电极。在素体上形成有在第一主面和第二主面上开口的贯通孔。贯通导体具有位于贯通孔内的第一部分和从第二主面突出的第二部分，并且与第一电极电连接。接地配件与第二电极电连接。绝缘壳以包围素体的方式配置。绝缘罩以包围第二部分的方式配置。绝缘管覆盖第一部分。树脂填充于绝缘壳的内侧及绝缘罩的内侧。


技术实现要素：

3.本发明的一个方式的目的在于，提供一种提高可靠性的高电压贯通型电容器。
4.一个方式的高电压贯通型电容器具备素体、第一电极、第二电极、贯通导体、接地配件、绝缘壳、绝缘罩、绝缘管、第一树脂、以及第二树脂。素体具有相互对置的第一主面和第二主面。在素体上形成有在第一主面和第二主面上开口的贯通孔。第一电极配置于第一主面。第二电极配置于第二主面。贯通导体具有比贯通孔的内径小的外径，并且与第一电极电连接。贯通导体具有位于贯通孔内的第一部分和从第二主面突出的第二部分。接地配件与第二电极电连接。绝缘壳以包围素体的方式配置。绝缘罩以包围第二部分的方式配置。绝缘管覆盖第一部分。第一树脂以覆盖素体的方式填充于绝缘壳的内侧。第二树脂以到达划分贯通孔的素体的内表面和绝缘管之间的空间的方式填充于绝缘罩的内侧。绝缘管具有第二树脂的电阻率以上的电阻率。
5.本发明人等对提高可靠性的高电压贯通型电容器进行了调查研究。其结果是，本发明人等重新发现了以下事项。
6.形成于第二电极和贯通导体这两个导体间的电场的强度影响到高电压贯通型电容器的可靠性。以下，形成于第二电极和贯通导体之间的电场的强度有时被简称为“导体间电场强度”。在导体间电场强度高的高电压贯通型电容器中，容易产生绝缘破坏。绝缘破坏例如通过沿着划分贯通孔的素体内表面的放电而产生。因此，在采用了降低导体间电场强度的结构的高电压贯通型电容器中，难以产生绝缘破坏。即，采用了降低导体间电场强度的结构的高电压贯通型电容器可提高可靠性。
7.本发明人等对降低导体间电场强度的结构进行了调查研究。其结果是，本发明人等发现了绝缘管的电阻率和第二树脂的电阻率的关系会影响到导体间电场强度。即，绝缘管具有第二树脂的电阻率以上的电阻率的结构使导体间电场强度降低。绝缘管的电阻率和第二树脂的电阻率之间的关系在以往并未考虑到。
8.在上述一个方式中，绝缘管具有第二树脂的电阻率以上的电阻率。因此，上述一个
方式可使导体间电场强度降低，提高可靠性。
9.本发明将从下文给出的详细描述和仅以说明的方式给出的附图得到更充分的理解，因此，不应被视为限制本发明。
10.本发明的进一步适用范围将从下文给出的详细描述中变得显而易见。然而，应当理解的是，虽然示出本发明的实施例，但详细的描述和具体实施方式仅通过说明的方式给出，这是因为在本发明的精神和范围内的各种变化和修改对于本领域技术人员来说将从该详细描述中变得显而易见。
附图说明
11.图1是表示一实施方式的高电压贯通型电容器的分解立体图。
12.图2是表示本实施方式的高电压贯通型电容器的剖面结构的图。
13.图3是表示电阻率和电场强度的关系的图表。
14.图4是表示电场强度的模拟结果的一例的图。
15.图5是表示电场强度的模拟结果的另一例的图。
具体实施方式
16.在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式。在以下的描述中，对相同的元件或具有相同功能的元件标注相同的符号，且省略重复的说明。
17.参照图1及图2对本实施方式的高电压贯通型电容器hc1的结构进行说明。图1是表示本实施方式的高电压贯通型电容器的分解立体图。图2是表示本实施方式的高电压贯通型电容器的剖面结构的图。
18.高电压贯通型电容器hc1具备素体10、电极11、电极12、接地配件20、多个贯通导体30、40、多个电极连接体31、41、多个绝缘管37、47、绝缘壳50、绝缘罩60、树脂70、以及树脂80。在本实施方式中，高电压贯通型电容器hc1具备两个贯通导体30、40、两个电极连接体31、41、以及两个绝缘管37、47。
19.素体10具有相互对置的主面10a和主面10b。在本实施方式中，主面10a和主面10b在第一方向d1上相互对置。主面10a及主面10b规定了素体10的第一方向d1上的两端面。素体10具有侧壁面10c。侧壁面10c以将主面10a及主面10b彼此连结的方式沿第一方向d1延伸。在从第一方向d1观察时，侧壁面10c划分素体10的外周。在本说明书中，从主面10b朝向主面10a的方向为上方向。主面10a位于比主面10b靠上方。例如，在主面10a构成第一主面的情况下，主面10b构成第二主面。
20.素体10例如含有绝缘材料。素体10例如含有陶瓷。陶瓷例如包含batiо3、bazro3、catio3、或mgtio3。素体10也可以含有添加于陶瓷的添加物。添加物例如包含si、mg、zr、zn、y、v、al或mn。
21.电极11配置在主面10a上。电极12配置在主面10b上。电极11和电极12在第一方向d1上相互对置。素体10位于电极11和电极12之间。因此，在素体10位于电极11和电极12之间的状态下，电极11和电极12在第一方向d1上相互间接地对置。电极11具有一对导体13、14。导体13、14配置在主面10a上。导体13、14在主面10a上相互分离。在本实施方式中，导体13、14在与第一方向d1交叉的第二方向d2上相互分离。导体13与电极12在第一方向d1上相互对
置。导体14与电极12在第一方向d1上相互对置。例如，在电极11构成第一电极的情况下，电极12构成第二电极。
22.电极11及电极12含有导电性金属材料。导电性金属材料例如包含ag。电极11及电极12也可以含有导电性金属材料并含有磁性材料。磁性材料例如包含fe、co、ni、cu或sr。磁性材料例如也可以包含选自由fe、co、ni、cu及sr构成的组中的至少两种元素。电极11及电极12例如通过将赋予主面10a及主面10b的导电性膏烧结而形成。用于形成电极11及电极12的导电性膏含有上述导电性金属材料。
23.如图1及图2所示，在素体10上形成有多个贯通孔15、16。在本实施方式中，在素体10上形成有两个贯通孔15、16。素体10具有划分贯通孔15的内表面15a和划分贯通孔16的内表面16a。贯通孔15在主面10a和主面10b上开口。贯通孔15从主面10a贯通到主面10b。贯通孔16在主面10a和主面10b上开口。贯通孔16从主面10a贯通到主面10b。从第一方向d1观察，贯通孔15、16呈圆形。贯通孔15、16也可以呈圆形以外的形状。
24.在素体10上形成有槽17。在本实施方式中，从第一方向d1观察，槽17以位于导体13和导体14之间的方式形成于素体10。在本实施方式中，第一方向d1与垂直于主面10a的方向一致。导体13和导体14由槽17隔开。在槽17内未形成有电极。素体10具有划分槽17的壁面17a。槽17沿与第一方向d1及第二方向d2交叉的第三方向d3延伸。槽17到达主面10a的第三方向d3上的两端。在本实施方式中，第一方向d1、第二方向d2及第三方向d3相互正交。
25.接地配件20与电极12电连接。接地配件20支承素体10。如图1所示，接地配件20具有突起部21和周边部22。周边部22包围突起部21。从第二方向d2观察，突起部21从周边部22向素体10突出。在突起部21形成有开口23。开口23在第一方向d1上贯通突起部21。在本实施方式中，从第一方向d1观察，开口23位于突起部21的中央区域。从第一方向d1观察，接地配件20呈矩形形状。矩形形状包含角被倒圆的形状或进行了倒角的形状。接地配件20也可以呈矩形以外的形状。
26.接地配件20含有导电性金属材料。导电性金属材料例如包含fe、cu或cu－zn合金。
27.素体10以电极12与接地配件20电连接的方式配置于接地配件20。在本实施方式中，素体10以突起部21与电极12相接的方式由接地配件20支承。接地配件20被接地。突起部21和电极12经由焊料而连接。
28.贯通导体30插通在贯通孔15中，并且具有比贯通孔15的内径小的外径。贯通导体30与电极11电连接。贯通导体30具有位于贯通孔15内的部分32、从主面10b突出的部分33、舌片部34、以及铆接部35。部分32远离内表面15a。在本实施方式中，部分32和部分33形成为一体。部分32及部分33包含导电体。从第一方向d1观察，部分32及部分33呈圆柱形状。部分32及部分33也可以呈圆柱形状以外的形状。舌片部34包含舌片连接器。铆接部35将部分32及部分33和舌片部34电连接且物理连接。例如，在部分32构成第一部分的情况下，部分33构成第二部分。
29.贯通导体30与导体13电连接。贯通导体30的部分32及部分33插通在电极连接体31、贯通孔15及开口23中。电极连接体31将舌片部34及铆接部35和导体13电连接。贯通导体30例如含有导电性金属材料。导电性金属材料例如包含fe、cu或cu－zn合金。
30.贯通导体40插通在贯通孔16中，并且具有比贯通孔16的内径小的外径。贯通导体40与电极11电连接。贯通导体40具有位于贯通孔16内的部分42、从主面10b突出的部分43、
舌片部44、以及铆接部45。部分42远离内表面16a。在本实施方式中，部分42和部分43形成为一体。部分42及部分43包含导电体。从第一方向d1观察，部分42及部分43呈圆柱形状。部分42及部分43也可以呈圆柱形状以外的形状。舌片部44包含舌片连接器。铆接部45将部分42及部分43和舌片部44电连接且物理连接。例如，在部分42构成第一部分的情况下，部分43构成第二部分。
31.贯通导体40与导体14电连接。贯通导体40的部分42及部分43插通在电极连接体41、贯通孔16及开口23中。电极连接体41将舌片部44及铆接部45和导体14电连接。贯通导体40例如含有导电性金属材料。导电性金属材料例如包含fe、cu或cu－zn合金。
32.绝缘管37覆盖贯通导体30，并且具有电绝缘性。绝缘管37覆盖部分32及部分33。在本实施方式中，绝缘管37覆盖部分32的整体及部分33的一部分。被绝缘管37覆盖的区域插通在贯通孔15及开口23中。被绝缘管37覆盖的区域包含部分32的整体及部分33的一部分。
33.绝缘管47覆盖贯通导体40，并且具有电绝缘性。绝缘管47覆盖部分42及部分43。在本实施方式中，绝缘管47覆盖部分42的整体及部分43的一部分。被绝缘管47覆盖的区域插通在贯通孔16及开口23中。被绝缘管47覆盖的区域包含部分42的整体及部分43的一部分。
34.各绝缘管37、47包含绝缘性橡胶。绝缘性橡胶例如包含硅橡胶。
35.绝缘壳50呈中空的筒状。绝缘壳50也可以呈中空筒状以外的形状。绝缘壳50在内部收纳有素体10和电极11、12。在本实施方式中，绝缘壳50在内部收纳有素体10的整体、电极11、12的整体、接地配件20的一部分、以及绝缘罩60的一部分。绝缘壳50配置于比绝缘罩60靠上方。绝缘壳50以包围素体10的方式配置。在本实施方式中，绝缘壳50以包围素体10、电极11、电极12、突起部21、电极连接体31、41、部分32、42、舌片部34、44及铆接部35、45的方式配置。绝缘壳50与接地配件20物理连接。绝缘壳50以绝缘壳50的内侧面与突起部21的外侧面相接的方式与接地配件20连接。绝缘壳50的内侧面包含与突起部21的外侧面相接的区域。与突起部21的外侧面相接的区域位于绝缘壳50的下端部。绝缘壳50的下端面与周边部22的上表面相接。
36.绝缘罩60呈中空筒状。绝缘罩60也可以呈中空筒状以外的形状。绝缘罩60以包围部分33及部分43的方式配置。在本实施方式中，绝缘罩60以包围部分33、43及绝缘管37、47的方式配置。绝缘罩60与接地配件20物理连接。从第二方向d2及第三方向d3观察，绝缘罩60以绝缘罩60的外侧面与突起部21的内侧面相接的方式与接地配件20连接。绝缘罩60的外侧面包含与突起部21的内侧面相接的区域。与突起部21的内侧面相接的区域位于绝缘罩60的外侧面的上端部。
37.绝缘壳50及绝缘罩60含有绝缘材料。绝缘材料例如包含聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)或改性三聚氰胺。绝缘材料也可以含有无机物。无机物例如包含玻璃粉或陶瓷粉。玻璃粉例如包含工业用玻璃粉。陶瓷粉例如包含sio2粉、al2o3粉、滑石粉(mg3si4o
10
(oh)2)、氮化铝(aln)或氮化硅(si3n4)。
38.如图2所示，树脂70填充于绝缘壳50的内侧。在本实施方式中，树脂70以覆盖素体10的方式填充于绝缘壳50的内侧。树脂70配置在绝缘壳50和素体10、突起部21、电极连接体31、41、舌片部34、44及铆接部35、45之间。树脂70将绝缘壳50和突起部21、素体10、电极连接体31、41、舌片部34、44及铆接部35、45之间填埋。树脂70与素体10、电极11、接地配件20、电极连接体31、41、贯通导体30、40及绝缘壳50相接。在本实施方式中，树脂70与侧壁面10c、壁
面17a、电极11、突起部21、电极连接体31、41、舌片部34、44、铆接部35、45及绝缘壳50相接。树脂70的上端缘达到填埋铆接部35、45那样的高度。树脂70的下端缘到达突起部21。树脂70的上端缘表示树脂70的第一方向d1上的两个端缘中的位于上方的端缘。树脂70的下端缘表示树脂70的第一方向d1上的两个端缘中的位于下方的端缘。
39.树脂80填充于绝缘罩60的内侧。在本实施方式中，树脂80以到达内表面15a和部分32之间的空间及内表面16a和部分42之间的空间的方式填充于绝缘罩60的内侧。树脂80以到达内表面15a和绝缘管37之间的空间及内表面16a和绝缘管47之间的空间的方式填充。树脂80将绝缘罩60和突起部21、内表面15a、16a及绝缘管37、47之间填埋。树脂80与素体10、电极12、接地配件20、绝缘管37、47及绝缘罩60相接。在本实施方式中，树脂80与内表面15a、16a、电极12、突起部21、绝缘管37、47及绝缘罩60相接。绝缘管37中的与树脂80相接的部分至少位于贯通孔15内。绝缘管47中的与树脂80相接的部分至少位于贯通孔16内。树脂80的上端缘到达电极连接体31、41的下表面。树脂80的下端缘位于比周边部22的下表面靠下方。树脂80的上端缘表示位于树脂80的第一方向d1上的两个端缘中的位于上方的端缘。树脂80的下端缘表示树脂80的第一方向d1上的两个端缘中的位于下方的端缘。
40.例如，在树脂70构成第一树脂的情况下，树脂80构成第二树脂。
41.树脂70及树脂80含有绝缘材料。绝缘材料例如包含热固性树脂。热固性树脂例如包含环氧树脂、聚氨酯树脂、苯酚树脂或硅树脂。树脂70及树脂80也可以含有互不相同的绝缘材料。在本实施方式中，树脂70及树脂80含有环氧树脂。
42.接着，对树脂70、80及绝缘管37、47的各电阻率与形成于电极12和贯通导体30、40之间的电场的强度之间的关系进行说明。
43.本发明人等为了明确上述关系，进行了模拟。在该模拟中，按照高电压贯通型电容器hc1的结构，使用具备素体10、各电极11、12、贯通导体40、绝缘管47及各树脂70、80的模型。在该模型中，求出对电极11和电极12之间施加电压时的形成于电极12和贯通导体40之间的电场的强度。对电极11和电极12之间施加了10kv的直流电压。
44.图3表示模拟的结果。图3是表示电阻率和电场强度的关系的图表。
45.上述的模拟中使用的模型不具备贯通导体30及绝缘管37。但是，可理解为只要满足第一条件及第二条件，则即使在使用具备贯通导体30及绝缘管37的模型来代替具备贯通导体40及绝缘管47的模型进行模拟的情况下，也可得到图3所示的结果。第一条件是贯通导体30及绝缘管37的形状以及尺寸与贯通导体40及绝缘管47的形状以及尺寸同等。第二条件是贯通导体30和素体10及电极11、12的位置关系与贯通导体40和素体10及电极11、12的位置关系同等。
46.在例1中，树脂70的电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，树脂80的电阻率ρ2为1.0
×
10
13
ω
·
m，绝缘管47的电阻率ρ3为1.0
×
107ω
·
m。该情况下，形成于电极12和贯通导体40之间的电场的强度e为1.2
×
107v/m。
47.以下，形成于电极12和贯通导体40之间的电场的强度e被称为“电场强度e”。
48.在例2中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
109ω
·
m。该情况下，电场强度e为1.2
×
107v/m。
49.在例3中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
11
ω
·
m。该情况下，电场强度e为1.2
×
107v/m。
50.在例4中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
13
ω
·
m。该情况下，电场强度e为6.8
×
106v/m。
51.在例5中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
15
ω
·
m。该情况下，电场强度e为2.3
×
106v/m。
52.在例6中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
15
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
107ω
·
m。该情况下，电场强度e为1.2
×
107v/m。
53.在例7中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
15
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
109ω
·
m。该情况下，电场强度e为1.2
×
107v/m。
54.在例8中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
15
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
11
ω
·
m。该情况下，电场强度e为1.2
×
107v/m。
55.在例9中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
15
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
13
ω
·
m。该情况下，电场强度e为1.2
×
107v/m。
56.在例10中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
15
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
15
ω
·
m。该情况下，电场强度e为6.8
×
106v/m。
57.在例11中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
109ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
107ω
·
m。该情况下，电场强度e为1.3
×
107v/m。
58.在例12中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
109ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
109ω
·
m。该情况下，电场强度e为9.3
×
106v/m。
59.在例13中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
109ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
11
ω
·
m。该情况下，电场强度e为3.1
×
106v/m。
60.在例14中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
109ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
13
ω
·
m。该情况下，电场强度e为2.8
×
106v/m。
61.在例15中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
109ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
15
ω
·
m。该情况下，电场强度e为2.8
×
106v/m。
62.在例16中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
107ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
11
ω
·
m。该情况下，电场强度e为2.9
×
106v/m。
63.在例17中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
11
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
11
ω
·
m。该情况下，电场强度e为7.1
×
106v/m。
64.在例18中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
11
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
107ω
·
m。该情况下，电场强度e为1.2
×
107v/m。
65.在例19中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
11
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
109ω
·
m。该情况下，电场强度e为1.2
×
107v/m。
66.在例20中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
11
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
13
ω
·
m。该情况下，电场强度e为2.4
×
106v/m。
67.在例21中，电阻率ρ1为1.0
×
10
13
ω
·
m，电阻率ρ2为1.0
×
10
11
ω
·
m，电阻率ρ3为1.0
×
10
15
ω
·
m。该情况下，电场强度e为2.3
×
106v/m。
68.在电阻率ρ3比电阻率ρ2小的例1～例3、例6～例9、例11、例18及例19中，也如图4所示，电场强度e为1.0
×
107v/m以上。电场强度e为1.0
×
107v/m以上表示形成于电极12和贯通导体40之间的电场的强度高。根据本发明人等的见解，在电场强度e为1.0
×
107v/m以上的
结构中，容易在高电压贯通型电容器中产生绝缘破坏。
69.与此相对，在电阻率ρ3为电阻率ρ2以上的例4、例5、例10、例12～例17、例20及例21中，也如图5所示，电场强度e低于1.0
×
107v/m。电场强度e低于1.0
×
107v/m表示形成于电极12和贯通导体40之间的电场的强度较低。因此，可理解为难以在电阻率ρ3为电阻率ρ2以上的高电压贯通型电容器中产生绝缘破坏。
70.图4是表示电场强度的模拟结果之一例的图。图5是表示电场强度的模拟结果的另一例的图。在图4及图5中，在电场强度e为1.0
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107v/m以上的区域画标注阴影线。如上所述，在例4、例5、例10、例12～例17、例20及例21中，电场强度e低于1.0
×
107v/m。因此，在图5中，不存在阴影线所示的区域。
71.基于例4、例5、例10、例12～例17、例20及例21，可理解以下事项。
72.难以在电阻率ρ3为1
×
109ω
·
m以上1
×
10
15
ω
·
m以下的高电压贯通型电容器中产生绝缘破坏。
73.难以在电阻率ρ2相对于电阻率ρ3的比例为0.000001以上1以下的高电压贯通型电容器中产生绝缘破坏。更难以在电阻率ρ2相对于电阻率ρ3的比例为0.000001以上0.01以下的高电压贯通型电容器中产生绝缘破坏。
74.基于例4、例5、例10、例12～例17、例20及例21，也可理解以下事项。
75.难以在电阻率ρ2为1
×
107ω
·
m以上1
×
10
15
ω
·
m以下的高电压贯通型电容器中产生绝缘破坏。
76.由以上可知，在高电压贯通型电容器hc1中，绝缘管37、47采用具有树脂80的电阻率以上的电阻率的结构。
77.因此，高电压贯通型电容器hc1使形成于电极12和贯通导体40之间的电场的强度、和形成于电极12和贯通导体30之间的电场的强度降低，提高可靠性。
78.绝缘管37的电阻率和绝缘管47的电阻率也可以是同等的。所谓“同等”不一定仅是值一致。即使在值中包含预设定范围内的微差、制造误差或测量误差的情况下，也可以认为值同等。
79.绝缘管37的电阻率和绝缘管47的电阻率也可以互不相同。
80.在高电压贯通型电容器hc1中，也可以采用绝缘管37、47的各电阻率为1
×
109ω
·
m以上1
×
10
15
ω
·
m以下的结构。
81.采用了该结构的高电压贯通型电容器hc1可简易且可靠地实现难以产生绝缘破坏的结构。
82.在高电压贯通型电容器hc1中，也可以采用树脂80的电阻率相对于绝缘管37、47的各电阻率的比例为0.000001以上1以下的结构。
83.采用了该结构的高电压贯通型电容器hc1可简易且可靠地实现难以产生绝缘破坏的结构。
84.在高电压贯通型电容器hc1中，也可以采用树脂80的电阻率相对于绝缘管37、47的各电阻率的比例为0.000001以上0.01以下的结构。
85.采用了该结构的高电压贯通型电容器hc1可简易且可靠地实现更难以产生绝缘破坏的结构。
86.在高电压贯通型电容器hc1中，也可以采用树脂80的电阻率为1
×
107ω
·
m以上1
×
10
15
ω
·
m以下的结构。
87.采用了该结构的高电压贯通型电容器hc1可简易且可靠地实现难以产生绝缘破坏的结构。
88.高电压贯通型电容器hc1也可以采用树脂70及树脂80含有环氧树脂的结构。
89.采用了该结构的高电压贯通型电容器hc1可简易地实现电阻率互不相同的树脂70及树脂80。
90.以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于该实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变更。
91.高电压贯通型电容器hc1具备两个贯通导体30、40，但高电压贯通型电容器hc1也可以具备三个以上的贯通导体。高电压贯通型电容器hc1也可以具备两个贯通导体30、40中的任一个贯通导体。即，高电压贯通型电容器hc1也可以具备单一的贯通导体。形成于素体10的贯通孔、绝缘管、电极11所具有的导体及电极连接体的各数量也可以与贯通导体的数量相对应。

技术特征：
1.一种高电压贯通型电容器，其具备：素体，其具有相互对置的第一主面和第二主面，并且形成有在所述第一主面和所述第二主面上开口的贯通孔；第一电极，其配置于所述第一主面；第二电极，其配置于所述第二主面；贯通导体，其具有比所述贯通孔的内径小的外径，并且与所述第一电极电连接，具有位于所述贯通孔内的第一部分和从所述第二主面突出的第二部分；接地配件，其与所述第二电极电连接；绝缘壳，其以包围所述素体的方式配置；绝缘罩，其以包围所述第二部分的方式配置；绝缘管，其覆盖所述第一部分；第一树脂，其以覆盖所述素体的方式填充于所述绝缘壳的内侧；第二树脂，其以到达划分所述贯通孔的所述素体的内表面和所述绝缘管之间的空间的方式填充于所述绝缘罩的内侧，所述绝缘管具有所述第二树脂的电阻率以上的电阻率。2.根据权利要求1所述的高电压贯通型电容器，其中，所述绝缘管的电阻率为1
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109ω
·
m以上1
×
10
15
ω
·
m以下。3.根据权利要求1或2所述的高电压贯通型电容器，其中，所述第二树脂的电阻率为1
×
107ω
·
m以上1
×
10
15
ω
·
m以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的高电压贯通型电容器，其中，所述第一树脂及所述第二树脂含有环氧树脂。5.根据权利要求1～4中任一项所述的高电压贯通型电容器，其中，所述第二树脂的电阻率相对于所述绝缘管的电阻率的比例为0.000001以上1以下。6.根据权利要求5所述的高电压贯通型电容器，其中，所述第二树脂的电阻率相对于所述绝缘管的电阻率的比例为0.000001以上0.01以下。

技术总结
本发明提供一种高电压贯通型电容器，其在素体上形成有在相互对置的第一主面和第二主面上开口的贯通孔。贯通导体具有位于贯通孔内的第一部分和从第二主面突出的第二部分。绝缘壳以包围素体的方式配置。绝缘罩以包围第二部分的方式配置。绝缘管覆盖第一部分。树脂以到达素体的内表面和绝缘管之间的空间的方式填充于绝缘罩的内侧。绝缘管的电阻率为树脂的电阻率以上。阻率以上。阻率以上。


技术研发人员：加茂雄大 龟桥健一 田中寿
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：2022.11.15
技术公布日：2023/8/21