发光基板的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种发光基板。


背景技术：

2.微型无机发光二极管包括miniled和microled，mini led是指晶粒尺寸在100～300微米左右的发光二极管(light emitting diode，led)芯片。microled则是指晶粒尺寸在100微米以下的发光二极管芯片。采用miniled/microled显示装置，具有低功耗、高亮度、高分辨率、高色彩饱和度、反应速度快、寿命较长、效率较高等优点。另外，可以将多个mini-led/micro-led显示装置无缝拼接，实现超大尺寸显示产品，在指挥监控中心、商业中心、高端会议、影院等大尺寸显示领域具有广阔应用前景。


技术实现要素：

3.本公开提供一种发光基板，包括：
4.设置在基层上的多个发光芯片，所述发光芯片包括第一电极、第二电极以及连接在二者之间的发光主体，所述第二电极位于所述发光主体远离所述基层的一侧；
5.填充层，所述填充层包括至少一个填充部，所述填充部至少位于相邻的两个所述发光芯片之间，所述填充部具有沿所述发光主体的周向排布的首端和尾端，所述填充部的厚度从首端到尾端逐渐降低或阶梯式降低；
6.第一连接电极，所述第一连接电极的至少部分位于基层内，所述第一连接电极在参考面上的正投影与所述发光主体在所述参考面上的正投影不存在交叠或不完全交叠，所述参考面为与所述基层厚度方向垂直的平面；
7.辅助电极，与所述第二电极电连接，所述辅助电极的至少部分设置在所述填充部远离所述基层的表面上，且经过所述填充部的尾端与所述第一连接电极电连接。
8.在一些实施例中，所述发光主体包括沿远离所述基层的方向依次设置的：第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；
9.所述填充层的最大厚度与所述辅助电极的厚度之和不小于所述第一半导体层的厚度，所述填充层的最大厚度不大于所述第二电极远离所述基层的表面到所述基层的最大距离。
10.在一些实施例中，所述发光主体包括沿远离所述基层的方向依次设置的：第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述第一半导体层包括朝向所述基层的第一底面、背离所述基层的第一顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第一侧面；
11.所述填充结构背离所述基层的表面包括一个或多个斜面，所述斜面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于所述第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角。
12.在一些实施例中，所述第一半导体层的第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角大于或等于70
°
。
13.在一些实施例中，所述第二半导体层包括朝向所述基层的第二底面、背离所述基
层的第二顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第二侧面；所述多量子阱层包括朝向所述基层的第三底面、背离所述基层的第三顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第三侧面；
14.其中，所述第二侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于所述第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角，和/或，所述第三侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于所述第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角。
15.在一些实施例中，所述第二侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于70
°
，和/或，所述第三侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于70
°
。
16.在一些实施例中，所述发光主体被一个所述填充部所环绕，所述填充部的首端和尾端相互靠近；
17.或者，多个所述填充部端端靠近共同以环绕所述发光主体，其中两个所述填充部的尾部相互靠近且均与所述第一连接电极相邻。
18.在一些实施例中，所述填充部的长度大于或等于所述发光芯片在所述基层上的正投影周长的1/3。
19.在一些实施例中，所述发光主体在所述基层上的正投影为多边形，所述多边形的至少两个相邻的侧边与同一个所述填充部相邻。
20.在一些实施例中，所述多个发光芯片划分为多个发光组，每个所述发光组包括至少两个所述发光芯片；每个所述发光组中的发光芯片的第二电极均与一个所述第一连接电极对应连接。
21.在一些实施例中，所述发光组中的多个发光芯片环绕所述第一连接电极设置；
22.同一个发光组中，多个发光芯片周围的所述填充部形成关于所述第一连接电极呈中心对称的结构。
23.在一些实施例中，所述辅助电极的导电率大于或等于所述第二电极的导电率。
24.在一些实施例中，所述辅助电极与所述第二电极的材料都为透明导电材料，且材料相同。
25.在一些实施例中，所述第二电极为连续膜层，或者，
26.所述第二电极包括间隔的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述发光主体电连接，所述第二部分在所述基层上的正投影环绕所述第一部分在所述基层上的正投影，所述辅助电极与所述第一部分接触。
27.在一些实施例中，所述发光基板还包括：覆盖所述多个发光主体的第一绝缘层，所述第二电极通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述发光主体电连接。
28.在一些实施例中，所述发光主体包括沿远离所述基层的方向依次设置的：第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层包括：朝向所述基层的第一底面、背离所述基层的第一顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第一侧面；
29.所述多量子阱层包括朝向所述基层的第三底面、背离所述基层的第三顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第三侧面；
30.所述第一绝缘层覆盖所述第一侧面的全部和所述第三侧面的全部。
31.在一些实施例中，所述第二半导体层包括朝向所述基层的第二底面、背离所述基层的第二顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第二侧面；所述第一绝缘层覆盖所述
第二侧面的至少部分。
32.在一些实施例中，所述第一电极位于所述基层朝向所述发光主体的一侧；
33.所述发光基板还包括多个第二连接电极，所述第二连接电极与所述发光芯片一一对应，所述第二连接电极的至少部分位于基层内，且与相应发光芯片的第一电极电连接；
34.所述第二连接电极在所述参考面上的正投影与所述发光主体在所述参考面上的正投影存在交叠。
35.在一些实施例中，所述发光芯片为mini-led发光芯片或者micro-led发光芯片。
36.在一些实施例中，所述发光基板为显示面板，所述基层包括用于驱动所述发光芯片发光的驱动组件。
附图说明
37.附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
38.图1为一些实施例中提供的发光基板的示意图。
39.图2为沿图1中a-a’线的剖视图。
40.图3为沿图1中a-a’线的另一剖视图。
41.图4为本公开的一些实施例中提供的发光基板的平面图。
42.图5为图4中的填充层的示意图。
43.图6为图4中的q区域的局部示意图。
44.图7为图6中的填充部的示意图。
45.图8为图6中不同侧的侧视图。
46.图9为沿图6中b-b’线的剖视图。
47.图10为沿图6中b-b’线的另一剖视图。
48.图11为本公开的另一些实施例中提供的发光基板的平面图。
49.图12为图11中的一个发光组及其周围的辅助电极的平面图。
50.图13为图11中的一个发光器件及其周围的辅助电极的平面图。
51.图14a为图11中的填充层的示意图。
52.图14b为图13中的填充部的示意图。
53.图15为图13中不同侧的侧视图。
具体实施方式
54.以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。
55.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
56.除非另作定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的
词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
57.如本文所使用的那样，“平行”、“垂直”包括所阐述的情况以及与所阐述的情况相近似的情况，该相近似的情况的范围处于可接受偏差范围内，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。例如，“平行”包括绝对平行和近似平行，其中近似平行的可接受偏差范围例如可以是5
°
以内偏差；“垂直”包括绝对垂直和近似垂直，其中近似垂直的可接受偏差范围例如也可以是5
°
以内偏差。
58.应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基层上时，可以是该层或元件直接在另一层或基层上，或者也可以是该层或元件与另一层或基层之间存在中间层。
59.本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
60.图1为一些实施例中提供的发光基板的示意图，图2为沿图1中a-a’线的剖视图，图3为沿图1中a-a’线的另一剖视图，如图1至图3所示，发光基板包括：设置在基层10上的多个发光芯片20，发光芯片20包括第一电极21、第二电极22以及连接在二者之间的发光主体23，第二电极22位于发光主体23远离基层10的一侧。
61.另外，发光基板还包括第一连接电极30，第一连接电极30的至少部分位于基层10内，第一连接电极30在参考面上的正投影与所述发光主体23在参考面上的正投影不存在交叠或不完全交叠，参考面为与基层10厚度方向垂直的平面。其中，发光芯片20的第二电极22与第一连接电极30电连接。
62.如图2所示，在理想情况下，多个发光器件的第二电极22连接为整层的第二电极层22a，并与第一连接电极30电连接。但是，当发光主体23的厚度较大，而朝向基层10的表面面积较小(即，发光主体23的侧面较为陡峭)时，则容易导致第二电极22容易发生断裂，如图3所示。并且，即使在第二电极层22a对应于相邻两个发光主体23之间的位置设置辅助电极，辅助电极也容易发生断裂，从而影响发光器件的发光。
63.图4为本公开的一些实施例中提供的发光基板的平面图，图5为图4中的填充层的示意图，图6为图4中的q区域的局部示意图，图7为图6中的填充部的示意图，图8为图6中不同侧的侧视图，图9为沿图6中b-b’线的剖视图，图10为沿图6中b-b’线的另一剖视图。图11为本公开的另一些实施例中提供的发光基板的平面图，图12为图11中的一个发光组及其周围的辅助电极的平面图，图13为图11中的一个发光器件及其周围的辅助电极的平面图，图14a为图11中的填充层的示意图，图14b为图13中的填充部的示意图，图15为图13中不同侧
的侧视图。
64.如图4至图15所示，发光基板包括：设置在基层10上的多个发光芯片20、填充层50、第一连接电极30和辅助电极40。
65.其中，发光芯片20包括第一电极21、第二电极22以及连接在二者之间的发光主体23，第二电极22位于发光主体23远离基层10的一侧。
66.填充层50包括至少一个填充部51，填充部51至少位于相邻的两个发光芯片20之间，即，填充部51的至少部分位于相邻的两个发光芯片20之间。填充部51具有沿发光主体23的周向排布的首端和尾端，填充部51的厚度从首端到尾端逐渐降低或阶梯式降低。其中，在图5、图7、图14a和图14b中，箭头表示填充部51的变化趋势，沿箭头的指向，填充部51的厚度逐渐减小。
67.这里需要说明的是，所谓的“填充部51具有沿发光主体23的周向排布的首端和尾端”并不意味着填充部51一定是完全环绕发光主体23一圈，也有可能是，填充部51沿着发光主体23的周向设置了半圈或1/3圈或其他长度。
68.第一连接电极30的至少部分位于基层10内，例如，第一连接电极30可以全部位于基层10内；或者，部分位于基层10内，其余部分位于基层10朝向发光主体23的表面。另外，第一连接电极30在参考面上的正投影与发光主体23在参考面上的正投影不存在交叠或不完全交叠；参考面为与基层10厚度方向垂直的平面。
69.辅助电极40与第二电极22电连接，辅助电极40的至少部分设置在填充部51远离基层10的表面上，且经过填充部51的尾端与第一连接电极30电连接。
70.在本公开实施例中，由于填充部51的厚度从首端到尾端是逐渐降低或阶梯式降低，并且，辅助电极40的至少部分位于填充部51远离基层10的表面，且经过填充部51厚度最小的尾端与第一连接电极30电连接，因此，辅助电极40设置在了坡度较缓的坡面上，即使发光主体23的侧面较陡峭，也不会影响辅助电极40，从而减少了辅助电极40断裂的发生，进而提高了发光本体与第一连接电极30之间的连接可靠性。
71.在一些实施例中，如图9和图10所示，发光主体23包括沿远离基层10的方向依次设置的：第一半导体层231、多量子阱层233和第二半导体层232，其中，第一半导体层231和第二半导体层232中的一者为n型半导体层，另一者为p型半导体层。其中，填充层50的最大厚度与辅助电极40的厚度之和不小于第一半导体层231的厚度，填充层50的最大厚度不大于第二电极22远离基层10的表面到基层10的最大距离。
72.当第二电极22发生断裂时，断裂位置通常与第一半导体层231的第一侧面相对，因此，本公开实施例中将填充层50的最大厚度与辅助电极40的厚度之和设置为不小于第一半导体层231的厚度，可以保证即使第二电极22发生断裂，辅助电极40仍然能够与发光本体所连接的那部分第二电极22电连接，从而保证发光器件的正常发光。另外，填充层50的最大厚度不大于第二电极22远离基层10的表面到基层10的最大距离，可以防止填充层50远离基层10的表面的坡度过于陡峭，以防止辅助电极40发生断裂。
73.在一些实施例中，发光主体23包括沿远离基层10的方向依次设置的：第一半导体层231、多量子阱层233和第二半导体层232，其中，第一半导体层231和第二半导体层232中的一者为n型半导体层，另一者为p型半导体层。第一半导体层231包括：朝向基层10的第一底面、背离基层10的第一顶面以及连接在底面与顶面之间的第一侧面。
74.其中，第一顶面在基层10上的正投影位于第一底面在基层10上的正投影范围内，填充部51背离基层10的表面包括一个或多个斜面，斜面的延伸面与基层10所呈的锐角小于第一侧面的延伸面与基层10所呈的锐角，以防止辅助电极40发生断裂。
75.在一些实施例中，第一半导体层231的第一侧面的延伸面与基层10所呈的锐角α大于或等于70
°
。例如，α为70
°
，或75
°
，或78
°
，或80
°
，或82
°
，或84
°
，或86
°
，或88
°
。
76.在一些实施例中，填充部51背离基层10的表面中的各斜面的延伸面与基层10所呈的锐角β可以设置为较小的角度，以减小辅助电极40发生断裂的风险，在一个示例中，β小于70
°
，例如，β在[60
°
，70
°
)范围内，或者在[50
°
，60
°
)范围内，或者在[40
°
，50
°
)范围内，或者在[30
°
，40
°
)范围内，或者在[20
°
，30
°
)范围内，或者小于20
°
。
[0077]
在一些实施例中，第二半导体层232包括朝向基层10的第二底面、背离基层10的第二顶面以及连接在底面与顶面之间的第二侧面。多量子阱层233包括朝向基层10的第三底面、背离基层10的第三顶面以及连接在底面与顶面之间的第三侧面。
[0078]
其中，第二顶面在基层10上的正投影位于第二底面在基层10上的正投影范围内，第二侧面的延伸面与基层10所呈的锐角小于第一侧面的延伸面与基层10所呈的锐角；和/或，第三侧面的延伸面与基层10所呈的锐角小于第一侧面的延伸面与基层10所呈的锐角。
[0079]
在一些实施例中，第一半导体层231在基层10上的正投影覆盖多量子阱层233在基层10上的正投影，多量子阱层233在基层10上的正投影覆盖第二半导体层232在基层10上的正投影。第一侧面在基层10上的正投影环绕第三侧面在基层10上的正投影，第三侧面在基层10上的正投影环绕第二侧面在基层10上的正投影。其中，第一侧面在基层10上的正投影与第三侧面在基层10上的正投影可以接触或具有间隔；第三侧面在基层10上的正投影与第二侧面在基层10上的正投影可以接触或具有间隔。
[0080]
在一些实施例中，第二侧面的延伸面与基层10所呈的锐角小于70
°
，以防止第二电极22在与第二侧面相对的位置发生断裂。和/或，第三侧面的延伸面与基层10所呈的锐角小于70
°
，以防止第二电极22在与第三侧面相对的位置发生断裂。
[0081]
在一些实施例中，填充部51的长度大于或等于发光芯片20在基层10上的正投影周长的1/3，从而尽量减小填充部51表面的坡度角，防止第二电极22发生断裂。例如，填充部51的长度为发光芯片20在基层10上的正投影周长的[1/3，1/2]倍，或[1/3，2/3]倍，或[2/3，1]倍。
[0082]
在一些实施例中，发光芯片20呈阵列排布，同一行中相邻两个以及同一列中相邻两个发光芯片20之间的距离均在0.2～1.5μm之间，例如，为0.2μm，或0.5μm，或0.8μm，或1.0μm，或1.2μm。其中，相邻两个发光芯片20之间的距离是指，相邻两个发光芯片20在基层10上的正投影之间的距离，如图9中的d所示。
[0083]
在一些实施例中，如图9所示，第二电极22包括间隔的第一部分221和第二部分222，第一部分221与发光主体23电连接，第二部分222在基层10上的正投影环绕第一部分221在基层10上的正投影，辅助电极40与第一部分221接触。其中，第一部分221和第二部分222采用同一侧构图工艺形成。第一部分221和第二部分222可以是连续的膜层发生断裂后形成的两部分结构。在本公开实施例中，即使第二电极22发生断裂形成第一部分221和第二部分222，通过填充部51和辅助电极40的设置，也能够保证发光主体23与第一连接电极30之间的电连接。
[0084]
在一些实施例中，第一部分221的至少一部分与第二半导体层232的第二侧面相对，第二部分222与第一半导体层231的第一侧面相对。
[0085]
当然，如图10中所示，第二电极22也可以为连续的膜层，多个发光器件20的第二电极22连接为整层的第二电极层22a。
[0086]
在一些实施例中，如图8至图10所示，发光基板还包括第一绝缘层60，第一绝缘层60覆盖多个发光主体23，第二电极22通过贯穿第一绝缘层60的过孔与发光主体23电连接。其中，第一绝缘层60可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等材料，第一绝缘层60可以为单层结构或多层结构。
[0087]
在一些实施例中，第一半导体层231包括：朝向基层10的第一底面、背离基层10的第一顶面以及连接在底面与顶面之间的第一侧面。多量子阱层233包括朝向基层10的第三底面、背离基层10的第三顶面以及连接在底面与顶面之间的第三侧面。其中，第一绝缘层60覆盖第一侧面的全部和第三侧面的全部，以防止第一半导体层231、多量子阱层233电极与第二电极22之间发生短路。
[0088]
在一些实施例中，第二半导体层232包括：朝向基层10的第二底面、背离基层10的第二顶面以及连接在底面与顶面之间的第二侧面。第一绝缘层60还可以覆盖第二侧面的全部，第一绝缘层60上的过孔暴露第二顶面的至少部分。
[0089]
在一些实施例中，如图7和图8所示，发光主体23被一个填充部51所环绕，填充部51的首端和尾端相互靠近。从位置a到位置b，从位置b到位置c，从位置c到位置d，从位置d到位置d’，填充部51的厚度均是逐渐减小的。
[0090]
在另一些实施例中，多个填充部51端端靠近共同以环绕发光主体23，需要说明的是，“端端靠近”是指，每个填充部51的首端与其余填充部51中一者的首端或尾端靠近，例如，如图14a至图15所示，填充层50包括两个填充部51，该两个填充部51的首端相互连接，尾端相互靠近(其中，在图14a至图15中，两个填充部51的首端连接于g位置，尾端靠近e位置)；又例如，填充层50包括四个填充部51，第一个填充部51的尾端与第二个填充部51的首端相互靠近，第二个填充部51的尾端与第三个填充部51的首端相互靠近，第三个填充部51的尾端与第四个填充部51的首端相互靠近，第四个填充部51的尾端与第一个填充部51的首端相互靠近。又例如，填充层50包括四个填充部51，第一个填充部51的尾端与第二个填充部51的尾端相互靠近，第二个填充部51的首端与第三个填充部51的首端相互靠近，第三个填充部51的尾端与第四个填充部51的尾端相互靠近，第四个填充部51的首端与第一个填充部51的首端相互靠近。当然，填充层50也可以包括其他数量的填充部51，这里不再一一举例。
[0091]
在一些实施例中，当填充层50包括多个填充部51时，其中两个填充部51的尾部相互靠近且均与第一连接电极30相邻，从而防止辅助电极40在相邻两个填充部51之间的位置发生断裂。
[0092]
在一些实施例中，如图4、图6、图11至图13所示，发光主体23在基层10上的正投影为多边形，多边形的至少两个相邻的侧边与同一个填充部51相邻。这种情况下，可以使填充部51具有足够的长度，从而有利于使填充部51背离基层10的表面更加平缓。例如，发光主体23在基层10上的正投影为矩形，如图13所示，矩形的两个相邻的侧边与同一个填充部51相邻；又例如，如图6所示，矩形的四个侧边与同一个填充部51相邻。当然，发光主体23在基层10上的正投影也可以为六边形、八边形等结构。
[0093]
在一些实施例中，如图4所示，部分发光芯片20被一个或多个填充部51环绕，另一部分发光芯片20(例如，靠近显示基板边缘的发光芯片20)的发光芯片20未被填充部51环绕，仅在一侧或两侧与填充部51相邻。在另一些实施例中，如图11所示，每个发光芯片20均被一个或多个填充部51所环绕。
[0094]
在一些实施例中，如图11至图13所示，发光芯片20划分为发光组，每个发光组包括至少两个发光芯片20。每个发光组中的发光芯片20的第二电极22均与一个第一连接电极30对应连接，从而可以减少第一连接电极30的数量，简化整体结构。
[0095]
在一些实施例中，发光组中的多个发光芯片20环绕第一连接电极30设置；同一个发光组中，多个发光芯片20周围的填充部51形成关于第一连接电极30呈中心对称的结构。例如，如图12所示，每个发光组包括2
×
2个发光芯片20，该2
×
2个发光芯片20中的每个发光芯片20周围均设置有填充部51，四个发光芯片20周围的填充部51形成关于第一连接电极30呈中心对称的结构。当然，发光组也可以包括其他数量的发光芯片20，例如，包括6个或8个发光芯片20。
[0096]
在一些实施例中，辅助电极40的导电率大于或等于第二电极22的导电率，从而可以降低辅助电极40与第二电极22构成的整体结构的电阻。
[0097]
在一个示例中，第二电极22的材料包括氧化铟锡(ito)等透明导电材料，辅助电极40可以采用金属材料，例如，金(au)、金的合金、银(ag)、银的合金、铝(al)、铝的合金、氮化铝(alnx)、钨(w)、氮化钨(wnx)、铜(cu)、铜的合金、镍(ni)、铬(cr)、氮化铬(crnx)、钼(mo)、钼的合金、钛(ti)、氮化钛(tinx)、铂(pt)。第二电极22可以为单层或多层结构。在一个示例中，辅助电极40可以为au/cr/pt的叠层。
[0098]
在另一些实施例中，辅助电极40与第二电极22的材料都为透明导电材料，且材料相同。这种情况下，辅助电极40和第二电极22可以采用同一步构图工艺同步制作，从而简化工艺。例如，辅助电极40和第二电极22的材料均采用ito。
[0099]
在一些实施例中，填充部51的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料；当然，也可以采用树脂等有机绝缘材料。
[0100]
在一些实施例中，上述n型半导体层可以包含n型gan，p型半导体层可以包含in
x
alyga
1-x-y
n(0≤x《1，0≤y《1，0≤x+y《1)成分的p型氮化物半导体层，p型杂质可以为镁。例如，p型半导体层可以为单层结构，但是如在一些示例实施例中，可以具有含有不同成分的多层结构。多量子阱层233中，量子阱层233与量子势垒层彼此交替堆叠。例如，量子阱层233和量子势垒层可以分别包括in
x
alyga
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的不同成分。在某一示例中，量子阱层233可以包括in
x
ga
1-x
n(0《x≤1)的成分，量子势垒层可以包括gan或algan。
[0101]
需要说明的是，在另一些示例中，可以将多量子阱层233替换为单量子阱层233。
[0102]
第一电极21的材料可以包括铝(al)、金(au)、铬(cr)、镍(ni)、钛(ti)、钌(ru)、银(ag)、锌(zn)、铂(pt)中的至少一种。
[0103]
在一些实施例中，第一电极21、发光主体23、第二电极22沿远离基层10的方向依次设置。发光基板还包括多个第二连接电极31，第二连接电极31与发光芯片20一一对应设置。第二连接电极31的至少部分位于基层10内，例如，第二连接电极31可以全部位于基层10内；或者，部分位于基层10内，其余部分位于基层10朝向发光主体23的表面和/或基层10背离发
光主体23的表面。另外，第二连接电极31在参考面上的正投影与发光主体23在参考面上的正投影存在交叠。例如，第二连接电极31在参考面上的正投影位于发光主体23在参考面上的正投影范围内。
[0104]
在一些实施例中，发光芯片20为mini-led发光芯片或者micro-led发光芯片。发光基板可以用于背光模组中，从而为液晶显示面板提供背光；当然，发光基板也可以为能够自发光的显示面板。
[0105]
在一些实施例中，发光基板为显示面板，基层10包括用于驱动发光芯片20发光的驱动组件。例如，基层10可以为驱动背板，第一连接电极30和第二连接电极31可以为驱动电极。
[0106]
在一个示例中，驱动背板为设置有驱动电路的硅基板，驱动电路可以嵌设于硅基板内。在发光基板的制备过程中，可以在先制作设置驱动背板，并在蓝宝石层或其他材料层上制作多个第一电极21和发光主体层；之后，将设置有第一电极21和发光主体层的蓝宝石层转移至驱动背板上，并使多个第一电极21与驱动背板中的第二连接电极31电连接；然后，去除蓝宝石层并对发光主体层进行构图工艺，形成多个发光主体23；再依次形成第二电极层、填充层50和辅助电极40。
[0107]
在另一个示例中，驱动背板可以包括衬底基板以及设置在衬底基板上的驱动电路，衬底基板可以为玻璃基板或聚酰亚胺(pi)等材料制作的柔性基板。在发光基板的制备过程中，可以先在衬底基板上形成驱动电路、以及覆盖驱动电路的第二绝缘层，第二绝缘层可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机膜层，也可以为有机膜层，其中，第一连接电极20和第二连接电极31贯穿第二绝缘层与驱动电路电连接。另外，在蓝宝石层或其他材料层上制作发光主体层和多个第一电极21，多个第一电极21位于发光主体层远离蓝宝石层的一侧；之后，将设置有第一电极21和发光主体层的蓝宝石层转移至驱动背板上(此时，蓝宝石层与驱动背板相对设置，第一电极21和发光主体层位于蓝宝石层和驱动背板之间)，并使多个第一电极21与驱动背板中的第二连接电极31电连接；然后，去除蓝宝石层并对发光主体层进行构图工艺，形成多个发光主体23；再依次形成第二电极层、填充层50和辅助电极40。
[0108]
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

技术特征：
1.一种发光基板，其特征在于，包括：设置在基层上的多个发光芯片，所述发光芯片包括第一电极、第二电极以及连接在二者之间的发光主体，所述第二电极位于所述发光主体远离所述基层的一侧；填充层，所述填充层包括至少一个填充部，所述填充部至少位于相邻的两个所述发光芯片之间，所述填充部具有沿所述发光主体的周向排布的首端和尾端，所述填充部的厚度从首端到尾端逐渐降低或阶梯式降低；第一连接电极，所述第一连接电极的至少部分位于基层内，所述第一连接电极在参考面上的正投影与所述发光主体在所述参考面上的正投影不存在交叠或不完全交叠，所述参考面为与所述基层厚度方向垂直的平面；辅助电极，与所述第二电极电连接，所述辅助电极的至少部分设置在所述填充部远离所述基层的表面上，且经过所述填充部的尾端与所述第一连接电极电连接。2.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述发光主体包括沿远离所述基层的方向依次设置的：第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述填充层的最大厚度与所述辅助电极的厚度之和不小于所述第一半导体层的厚度，所述填充层的最大厚度不大于所述第二电极远离所述基层的表面到所述基层的最大距离。3.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述发光主体包括沿远离所述基层的方向依次设置的：第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述第一半导体层包括朝向所述基层的第一底面、背离所述基层的第一顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第一侧面；所述填充结构背离所述基层的表面包括一个或多个斜面，所述斜面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于所述第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角。4.根据权利要求3所述的发光基板，其特征在于，所述第一半导体层的第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角大于或等于70
°
。5.根据权利要求3所述的发光基板，其特征在于，所述第二半导体层包括朝向所述基层的第二底面、背离所述基层的第二顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第二侧面；所述多量子阱层包括朝向所述基层的第三底面、背离所述基层的第三顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第三侧面；其中，所述第二侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于所述第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角，和/或，所述第三侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于所述第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角。6.根据权利要求5所述的发光基板，其特征在于，所述第二侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于70
°
，和/或，所述第三侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于70
°
。7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板，其特征在于，所述发光主体被一个所述填充部所环绕，所述填充部的首端和尾端相互靠近；或者，多个所述填充部端端靠近共同以环绕所述发光主体，其中两个所述填充部的尾部相互靠近且均与所述第一连接电极相邻。8.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板，其特征在于，所述填充部的长度大于或等于所述发光芯片在所述基层上的正投影周长的1/3。9.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板，其特征在于，所述发光主体在所述基
层上的正投影为多边形，所述多边形的至少两个相邻的侧边与同一个所述填充部相邻。10.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板，其特征在于，所述多个发光芯片划分为多个发光组，每个所述发光组包括至少两个所述发光芯片；每个所述发光组中的发光芯片的第二电极均与一个所述第一连接电极对应连接。11.根据权利要求10所述的发光基板，其特征在于，所述发光组中的多个发光芯片环绕所述第一连接电极设置；同一个发光组中，多个发光芯片周围的所述填充部形成关于所述第一连接电极呈中心对称的结构。12.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板，其特征在于，所述辅助电极的导电率大于或等于所述第二电极的导电率。13.根据权利要求12所述的发光基板，其特征在于，所述辅助电极与所述第二电极的材料都为透明导电材料，且材料相同。14.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板，其特征在于，所述第二电极为连续膜层，或者，所述第二电极包括间隔的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述发光主体电连接，所述第二部分在所述基层上的正投影环绕所述第一部分在所述基层上的正投影，所述辅助电极与所述第一部分接触。15.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板，其特征在于，所述发光基板还包括：覆盖所述多个发光主体的第一绝缘层，所述第二电极通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述发光主体电连接。16.根据权利要求15所述的发光基板，其特征在于，所述发光主体包括沿远离所述基层的方向依次设置的：第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层包括：朝向所述基层的第一底面、背离所述基层的第一顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第一侧面；所述多量子阱层包括朝向所述基层的第三底面、背离所述基层的第三顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第三侧面；所述第一绝缘层覆盖所述第一侧面的全部和所述第三侧面的全部。17.根据权利要求16所述的发光基板，其特征在于，所述第二半导体层包括朝向所述基层的第二底面、背离所述基层的第二顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第二侧面；所述第一绝缘层覆盖所述第二侧面的至少部分。18.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板，其特征在于，所述第一电极位于所述基层朝向所述发光主体的一侧；所述发光基板还包括多个第二连接电极，所述第二连接电极与所述发光芯片一一对应，所述第二连接电极的至少部分位于基层内，且与相应发光芯片的第一电极电连接；所述第二连接电极在所述参考面上的正投影与所述发光主体在所述参考面上的正投影存在交叠。19.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板，其特征在于，所述发光芯片为mini-led发光芯片或者micro-led发光芯片。20.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板，其特征在于，所述发光基板为显示面
板，所述基层包括用于驱动所述发光芯片发光的驱动组件。

技术总结
公开一种发光基板，包括：设置在基层上的多个发光芯片，发光芯片包括第一电极、第二电极以及连接在二者之间的发光主体，第二电极位于发光主体远离基层的一侧；填充层，填充层包括至少一个填充部，填充部至少位于相邻的两个发光芯片之间，填充部具有沿发光主体的周向排布的首端和尾端，填充部的厚度从首端到尾端逐渐降低或阶梯式降低；第一连接电极，第一连接电极的至少部分位于基层内，第一连接电极在参考面上的正投影与发光主体在参考面上的正投影不存在交叠或不完全交叠，参考面为与基层厚度方向垂直的平面；辅助电极，与第二电极电连接，辅助电极的至少部分设置在填充部远离基层的表面上，且经过填充部的尾端与第一连接电极电连接。电连接。电连接。


技术研发人员：徐智强 彭锦涛 郭凯 刘伟星 卢美荣 滕万鹏 王欢欢 闫雨薇 张春芳
受保护的技术使用者：北京京东方技术开发有限公司
技术研发日：2023.06.20
技术公布日：2023/8/24