阵列基板、显示面板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，对显示设备的性能要求越来越高。micro-led显示技术以其功耗低、寿命长、亮度高等特点，逐渐成为下一代显示的主流产品。但是micro-led存在发光效率受温度影响大的问题，从而影响了显示设备的性能。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置，能够提高对显示器件的温度监测，以便显示器件调节电流，从而提高显示器件的发光效率。
4.第一方面，根据本技术实施例提出了一种阵列基板，包括：衬底，包括相背的第一表面和第二表面。像素电路层，设置于衬底的第一表面，像素电路层包括像素电路单元。背面电路层，设置于衬底的第二表面，背面电路层包括温度监测单元。多条第一走线，第一走线沿第一方向延伸设置，多条第一走线沿第二方向相互间隔分布，各第一走线包括设置于像素电路层的第一部分和设置于背面电路层的第二部分，第一部分和第二部分相互电连接，第一部分与像素电路单元电连接。其中，温度监测单元与第一走线的第二部分电连接，第一方向与第二方向相交设置。
5.第二方面，本技术实施例还提供了一种显示面板，包括如前述的阵列基板。
6.第三方面，本技术实施例还提供了一种显示装置，包括如前述的显示面板。
7.根据本技术提供的阵列基板、显示面板及显示装置中，阵列基板包括衬底、像素电路层、背面电路层以及多条第一走线，衬底包括相背的第一表面和第二表面。像素电路层设置在衬底的第一表面，背面电路层设置在衬底的第二表面，温度监测单元可以监测衬底以及像素电路层的温度。第一走线中的第一部分与像素电路单元电连接，第一部分可以为像素电路单元提供驱动信号或者提供供电信号。第一走线中的第二部分与稳定监测单元电连接，温度监测单元检测到温度后可以发出温度调节信号从而调节温度监测单元检测区域的温度。温度监测单元与像素电路单元共用一条走线，使得减少温度监测单元连接线的布线空间的同时，提高温度监测单元检测温度的准确性。
附图说明
8.下面将参考附图来描述本技术示例性实施例的特征、优点和技术效果。
9.图1为本技术一些实施例提供的一种阵列基板的轴侧结构示意图；
10.图2为本技术一些实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
11.图3为本技术一些实施例提供的又一种阵列基板的轴侧结构示意图；
12.图4为本技术一些实施例提供的又一种阵列基板的轴侧结构示意图；
13.图5为本技术一些实施例提供的又一种阵列基板的轴侧结构示意图；
14.图6为本技术一些实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；
15.图7为本技术一些实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
16.图8为本技术一些实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；
17.图9为本技术一些实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；
18.图10为本技术一些实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
19.图11为本技术一些实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
20.标记说明：
21.100、阵列基板；200、显示面板；300、显示装置；
22.10、衬底；11、第一表面；12、第二表面；13、第一衬底；14、第二衬底；
23.20、像素电路层；21、像素电路单元；
24.30、背面电路层；31、温度监测单元；32、驱动单元；
25.40、第一走线；41、第一部分；42、第二部分；421、第一线段；422、第二线段；43、第三部分；431、第一支线；432、第二支线；
26.50、保护层；51、第一保护层；52、第二保护层；
27.60、第一区；
28.70、连接单元；71、连接部；72、保护部；
29.x、第一方向；y、第二方向。
30.在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
31.下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本技术进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅意在解释本技术，而不是限定本技术。对于本领域技术人员来说，本技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本技术的示例来提供对本技术更好的理解。
32.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
33.目前，micro-led显示作为一种较为成熟的显示技术，已经应用至多种场景中，以大屏显示面板为例，大屏显示面板通常由多个micro-led显示面板依次排列形成。
34.大屏显示面板的显示面积大，导致显示面板在显示过程中不同区域的温度不一致，并且，在相关技术中，显示面板的温度监测元件距离显示区域较远，造成显示面板中出现温度上升并无法及时监测到具体位置，使得显示面板中的发光器件在较高温度的影响下的发光效率降低，影响显示面板的显示效果。
35.因此，为解决上述问题，本技术实施例提出了一种阵列基板、显示面板及显示装
置。
36.为了更好地理解本技术，一方面，下面结合图1至图11根据本技术实施例的阵列基板、显示面板及显示装置进行详细描述。
37.图1为本技术一些实施例提供的一种阵列基板的轴侧结构示意图。图2为本技术一些实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图。
38.如图1和图2所示，本技术实施例提供了一种阵列基板100，阵列基板100包括衬底10、像素电路层20、背面电路层30以及多条第一走线40。衬底10包括相背的第一表面11和第二表面12。像素电路层20设置于衬底10的第一表面11，像素电路层20包括像素电路单元21。背面电路层30设置于衬底10的第二表面12，背面电路层30包括温度监测单元31。第一走线40沿第一方向x延伸设置，多条第一走线40沿第二方向y相互间隔分布，第一走线40包括设置于像素电路层20的第一部分41和设置于背面电路层30的第二部分42，第一部分41和第二部分42相互电连接，第一部分41与像素电路单元21电连接。其中，温度监测单元31与第一走线40的第二部分42电连接，第一方向x与第二方向y相交。
39.在本技术实施例中，阵列基板100可以应用于多种不同的显示面板，示例性地，阵列基板100可以应用于微发光二极管显示面板(micro light emitting diode display，micro led)、有机发光半导体显示面板(organic electroluminescence display，oled)以及薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display，tft-lcd)。本技术实施例以阵列基板100应用于micro led显示面板为例进行解释说明。
40.可选地，衬底10可以为刚性衬底10。该刚性衬底10例如可以为玻璃衬底10或pmma(polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)衬底10。在此情况下，上述阵列基板100可以为刚性阵列基板100。又如，衬底10可以为柔性衬底10。该柔性衬底10例如可以为pet(polyethylene glycol terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底10、pen(polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester，聚萘二甲酸乙二醇酯)衬底10或pi(polyimide，聚酰亚胺)衬底10。在此情况下，上述阵列基板100可以为柔性阵列基板100。
41.可选地，像素电路层20设置在衬底10的第一表面11，像素电路层20包括像素电路单元21，像素电路单元21的数量可以包括多个，示例性地，多个像素电路单元21在第一表面11上呈阵列排布。
42.可选地，背面电路层30设置在衬底10的第一表面11，背面电路层30包括温度监测单元31，温度监测单元31的数量可以包括多个，示例性地，多个温度监测单元31在第二表面12上呈阵列排布。
43.在本技术实施例中，阵列基板100还包括多条第一走线40，多条第一走线40包括第一部分41和第二部分42，在一些示例中，第一部分41可以为数据信号线，第一部分41可以为像素电路单元21提供数据信号，例如，第一部分41与像素电路单元21中的源极/漏极电连接。第二部分42与第一部分41电连接，使得第一走线40不仅可以传输数据信号，还可以为温度监测单元31传输温度调节信号。可选地，第一部分41的延伸方向与第二部分42的延伸方向是相同的。
44.可以理解的是，第一走线40的第一部分41与第二部分42电连接的方式可以是多种的，例如，第一部分41与第二部分42通过过孔连接。本技术实施例对此不作特殊限制。
45.根据本技术提供的阵列基板100中，阵列基板100包括衬底10、像素电路层20、背面电路层30以及多条第一走线40，衬底10包括相背的第一表面11和第二表面12。像素电路层20设置在衬底10的第一表面11，背面电路层30设置在衬底10的第二表面12，温度监测单元31可以监测衬底10以及像素电路层20的温度。第一走线40中的第一部分41与像素电路单元21电连接，第一部分41可以为像素电路单元21提供驱动信号或者提供供电信号。第一走线40中的第二部分42与稳定监测单元电连接，温度监测单元31检测到温度后可以发出温度调节信号从而调节温度监测单元31检测区域的温度。温度监测单元31与像素电路单元21共用一条走线，使得减少温度监测单元31连接线的布线空间的同时，提高温度监测单元31检测温度的准确性。
46.图3为本技术一些实施例提供的又一种阵列基板的轴侧结构示意图。
47.如图3所示，在一些可选地实施例中，背面电路层30还包括驱动单元32，第二部分42包括第一线段421和第二线段422，第一部分41通过第一线段421与驱动单元32电连接。其中，温度监测单元31通过第一线段421与第一部分41电连接，和/或，温度监测单元31通过第二线段422与第一部分41电连接。
48.本技术实施例通过上述设置，可以灵活布置温度检测单元的位置，使得温度监测单元31的布置场景更加丰富。
49.可以理解的是，第二部分42包括的第一线段421和第二线段422与第一走线40中的第一部分41均是相连的，第一线段421和第二线段422中两者与第一部分41的连接方式可以是相同的，或者是不同的。
50.可选地，驱动单元32包括单独的集成电路芯片或是与源驱动器(source driver)或时间控制单元t-con整合在一起。
51.可选地，驱动单元32可以设置在衬底10靠近边缘的位置。当然，驱动单元32可以设置在衬底10靠近中心的位置。
52.可选地，驱动单元32输出的数据信号可以通过第一线段421与第一部分41传输至像素电路单元21。
53.在一些示例中，温度监测单元31通过第一线段421与第一部分41电连接。在另一些示例中，温度监测单元31通过第二线段422与第一部分41电连接。在又一些示例中，温度监测单元31通过第一线段421与第一部分41电连接。并且，温度监测单元31通过第二线段422与第一部分41电连接。
54.图4为本技术一些实施例提供的又一种阵列基板的轴侧结构示意图。
55.如图3和图4所示，在一些可选地实施例中，温度监测单元31与自身对应的其相邻两条第一线段421中的至少一者电连接，和/或，温度监测单元31与自身对应的其相邻两条第二线段422中的至少一者电连接。
56.在本技术的一些示例中，温度监测单元31与自身对应的其相邻两条第一线段421中的至少一者电连接，示例性地，温度监测单元31设置在相邻两条第一线段421之间，如图4所示，温度监测单元31可以与其相邻的一条第一线段421电连接，当然，如图3所示，也可以与两条第一线段421电连接。以此类推，在本技术的另一些示例中，温度监测单元31与自身对应的其相邻两条第二线段422中的至少一者电连接，示例性地，如图4所示，温度监测单元31设置在相邻两条第二线段422之间，温度监测单元31可以与其相邻的一条第二线段422电
连接，当然，如图3所示，也可以与两条第二线段422电连接。在又一些示例中，温度监测单元31分别设置在相邻两条第一线段421之间和相邻两条第二线段422之间。在其他的一些示例中，第一线段421与第二线段422之间也可以设置温度监测单元31。
57.如图3和图4所示，在一些可选地实施例中，第一线段421与第二线段422分设于驱动单元32沿第一方向x上的两侧，温度监测单元31位于相邻两条第一线段421之间以及相邻两条第二线段422之间。
58.本技术实施例通过上述设置，在减少布线的同时，使得温度监测单元31可以监测整面阵列基板100上的温度，从而获得更佳精确的区域温度，进而可以及时调节对应区域的温度，提高阵列基板100的性能，提高应用阵列基板100的显示面板的发光效率。
59.可选地，以衬底10沿第一方向x上相对的两侧边缘分别为第一边缘和第二边缘，驱动单元32沿第一方向x上相对的两侧边缘为第一侧和第二侧为例，第一线段421可以由第一边缘延伸至第一侧，第二线段422可以由第二边缘延伸至第二侧。可选地，温度监测单元31的数量包括多个，多个温度监测单元31设置在相邻两条第一线段421之间以及相邻两条第二线段422之间。可以理解的是，相邻两条第一线段421之间可以设置一个或者多个温度监测单元31，当然，相邻两条第二线段422之间可以设置一个或者多个温度监测单元31。
60.可以理解的是，第一线段421与驱动单元32连接，温度监测单元31生成的温度调节信号可以通过第一线段421传递至驱动单元32，由驱动单元32进行处理形成下一步指令。
61.如图1所示，在一些可选地实施例中，第一线段421位于驱动单元32沿第一方向x上的一侧，第二线段422由第二表面12沿第一方向x上的一侧延伸至沿第一方向x上的另一侧。温度监测单元31位于相邻两条第二线段422之间。
62.在本技术实施例中，继续以衬底10沿第一方向x上相对的两侧边缘分别为第一边缘和第二边缘，驱动单元32沿第一方向x上相对的两侧边缘为第一侧和第二侧为例进行说明，第一线段421由第一边缘延伸至第一侧，第二线段422由第一边缘延伸至第二边缘。第二线段422可以设置在第二表面12的整面区域，为温度监测单元31提供布置空间，以便监测阵列基板100上的区域温度。
63.图5为本技术一些实施例提供的又一种阵列基板的轴侧结构示意图。
64.如图2、图3以及图5所示，在一些可选地实施例中，第一走线40还包括第三部分43，第三部分43位于阵列基板100的侧表面，第一部分41与第二部分42通过第三部分43相连接。
65.本技术实施例通过上述设置，减少第一走线40与第二走线之间连接方式在第一表面11和第二表面12的布置空间，从而减少阵列基板100的整体尺寸，实现阵列基板100的微型化。
66.在本技术实施例中，继续以衬底10沿第一方向x上相对的两侧边缘分别为第一边缘和第二边缘为例进行说明，第三部分43可以设置在第一边缘对应的侧表面，第三部分43也可以设置在第二边缘对应的侧表面。
67.如图3至图5所示，在一些可选地实施例中，第三部分43包括第一支线431和第二支线432，第一部分41通过第一支线431与第二部分42的第一线段421电连接，第一部分41通过第二支线432与第二部分42的第二线段422电连接。
68.在本技术实施例中，第三部分43的第一支线的延伸方向可以与第二支线的延伸方向是相同的，当然，第一支线的延伸方向与第二支线的延伸方向可以是相交的。
69.结合上述内容，驱动单元32与像素电路单元21可以通过第二部分42的第一线段421、第三部分43的第一支线431以及第一部分41相连接。在一些示例中，温度监测单元31可以通过第二部分42的第二线段422、第三部分43的第二支线432以及第一部分41连接至驱动单元32。在另一些示例中，温度监测单元31可以通过第二部分42的第一线段421连接至驱动单元32。
70.如图3和图4所示，在一些可选地实施例中，第一支线431与第二支线432分设于第一部分41沿第一方向x上的两端。
71.在本技术实施例中，以第一线段421与第二线段422分设于驱动单元32沿第一方向x上的两侧为例进行解释说明，第一支线431设置在第一边缘所在侧表面，第二支线432设置在第二边缘所在侧表面，第一部分41沿第一方向x上的一端通过设置在侧表面的第一支线431连接至第一线段421，第一部分41沿第一方向x上的另一端通过设置在侧表面的第二支线432连接至第二线段422。
72.如图1和图5所示，在一些可选地实施例中，第一支线431与第二支线432位于第一部分41沿第一方向x上的同一端。
73.在本技术实施例中，以第一线段421位于驱动单元32沿第一方向x上的一侧，第二线段422由第二表面12沿第一方向x上的一侧延伸至沿第一方向x上的另一侧为例进行解释说明，第一支线431与第二支线432由第一部分41的同一端引出，例如，第一支线431与第二支线432呈v字型分布。同一条第一走线40中，第一支线431与第二支线432位于阵列基板100相同的侧表面，例如，第一支线431和第二支线432位于第一边缘的侧表面，第二部分42的第一线段421由第一支线431所在边缘延伸并连接至驱动单元32，第二部分42的第二线段422由第二支线432所在边缘延伸至第二边缘的侧表面。
74.图6为本技术一些实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图。
75.如图6所示，在一些可选地实施例中，还包括保护层50，保护层50覆盖第一走线40的至少部分线段。
76.本技术实施例通过设置保护层50，以减小第一走线40被外界水汽侵蚀的导致氧化的可能性，提高第一走线40的可靠性。
77.可选地，保护层50可以覆盖第一走线40的任意部分，例如，保护层50可以覆盖第一走线40的第一部分41，或者，保护层50可以覆盖第一走线40的第二部分42，或者，保护层50可以覆盖第一走线40的第三部分43。当然，保护层50可以覆盖第一走线40的第一部分41和第二部分42，或者，保护层50可以覆盖第一走线40的第二部分42和第三部分43，或者，保护层50可以覆盖第一走线40的第一部分41和第三部分43，或者，保护层50可以覆盖全部第一走线40。
78.如图6所示，在一些可选地实施例中，保护层50包括第一保护层51，第一保护层51位于衬底10的第二表面12，第一保护层51覆盖第二部分42的至少部分。
79.本技术实施例通过上述设置，减小第二部分42受到水氧侵蚀的可能性，提高第二部分42的可靠性。
80.可选地，第一保护层51的材料包括氧化硅、氮化硅等无机材料。
81.可选地，第一保护层51可以覆盖一部分的第二部分42，或者第一保护层51覆盖全部第二部分42。
82.如图6所示，在一些可选地实施例中，保护层50还包括第二保护层52，第二保护层52位于阵列基板100的侧表面，且第二保护层52至少覆盖第三部分43。
83.本技术实施例通过上述设置，减小第三部分43受到水氧侵蚀的可能性，提高第三部分43的可靠性。
84.可选地，第二保护层52的材料包括框胶等胶质材料，也可以包括氧化硅、氮化硅等无机材料。
85.可选地，第一保护层51和第二保护层52可以为一体结构体。当然，第一保护层51和第二保护层52可以为分体结构。
86.图7为本技术一些实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图。
87.如图7所示，在一些可选地实施例中，阵列基板100包括多个第一区60，温度监测单元31的数量包括多个，温度监测单元31位于第一区60，温度监测单元31被配置为：根据从第一区60监测到的温度，生成相应的温度调节信号。第一走线40被配置为：根据温度调节信号调整第一走线40内的电流强度，温度与电流强度呈负相关。
88.本技术实施例通过上述设置，温度监测单元31监测到第一区60的温度后，温度监测单元31可以生成相应的温度调节信号，第一走线40可以通过温度调节信号增加或者减小第一走线40的电流强度，从而调整像素电路单元21产生的温度，实现对应区域的温度调节。
89.在本技术实施例中，当温度监测单元31监测对应第一区60的温度超过温度上限阈值时，温度监测单元31将监测到的温度转变生成第一温度调节信号，第一走线40根据第一温度调节信号减小第一走线40内的电流强度，使得输入像素电路单元21的电流强度降低，从而降低像素电路单元21产生的温度，实现对对应区域的温度调节。
90.以此类推，在本技术实施例中，当温度监测单元31监测对应第一区60的温度低于温度下限阈值时，温度监测单元31将监测到的温度转变生成第二温度调节信号，第一走线40根据第二温度调节信号增加第一走线40内的电流强度，使得输入像素电路单元21的电流强度上升，从而提高像素电路单元21产生的温度，实现对对应区域的温度调节。
91.可以理解的是，像素电路单元21的工作温度处于一定范围值内，可以使得像素电路单元21驱动的发光单元的发光效率处于最大化，本技术实施例中的温度监测单元31可以根据监测到的温度，发出不同的温度调节信号，使得阵列基板100中各个区域中的温度处于工作温度要求范围之内，从而提高应用阵列基板100的显示面板的发光效率。
92.如图7所示，在一些可选地实施例中，像素电路单元21的数量包括多个，各第一区60包括至少一个像素电路单元21。
93.本技术实施例通过上述设置，温度监测单元31根据根据设计需要对需要监测的像素电路单元21数量进行调节，在保证温度监测单元31对阵列基板100各个区域精确监测温度的同时，减少冗余设置。
94.可选地，各第一区60可以包括一个像素电路单元21，当然，各第一区60也可以包括多个像素电路单元21，当然，在一些示例中，阵列基板100中的多个第一区60中一些第一区60中包括一个像素电路单元21，一些第一区60中包括多个像素电路单元21，可选地，包括多个像素电路单元21中的多个第一区60中，各第一区60包括的像素电路单元21的数量可以是不同的，当然，也可以是相同的。
95.如图7所示，在一些可选地实施例中，各第一区60内，温度监测单元31在衬底10上
的正投影与像素电路单元21在衬底10上的正投影至少部分交叠设置。
96.本技术实施例通过上述设置，有利于对阵列基板100中像素电路单元21温度的监测，提高温度监测单元31对像素电路单元21温度监测的准确性。
97.在一些示例中，温度监测单元31在衬底10上的正投影与像素电路单元21在衬底10上的正投影部分交叠设置。在另一些示例中，温度监测单元31在衬底10上的正投影与像素电路单元21在衬底10上的正投影重叠设置。在又一些示例中，一些第一区60内的温度监测单元31在衬底10上的正投影与像素电路单元21在衬底10上的正投影部分交叠设置。另一些第一区60内的温度监测单元31在衬底10上的正投影与像素电路单元21在衬底10上的正投影部分重叠设置。
98.如图3至图5所示，在一些可选地实施例中，温度监测单元31的数量包括多个，多个温度监测单元31沿第一方向x间隔设置，且至少部分第一走线40与多个温度监测单元31电连接。
99.在本技术一些示例中，一条第一走线40可以电连接多个温度监测单元31，示例性地，一条第一走线40的第二部分42电连接多个温度监测单元31，多个温度监测单元31沿第一方向x间隔设置。当然，一条第一走线40也可以电连接一个温度监测单元31。在其他的一些示例中，多个温度监测单元31沿第一方向x间隔且通过连接线串联或并联，并且这多个温度监测单元31中的任意一者与一条或者两条第一走线40电连接。
100.图8为本技术一些实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图。
101.如图8所示，在一些可选地实施例中，衬底10包括层叠设置的第一衬底13和第二衬底14，第一衬底13背向第二衬底14的一侧为第一表面11，第二衬底14背向第一衬底13的一侧为第二表面12。
102.本技术实施例通过上述设置，减小衬底10的第一表面11与第二表面12上的膜层在制作过程中对衬底10的侵蚀，从而减小衬底10受到损坏的可能性，提高衬底10的可靠性。
103.可选地，第一衬底13和第二衬底14的材料可以是相同的，当然，也可以是不同的。
104.可选地，第一衬底13背向第二衬底14的一侧为第一表面11，第一表面11上可以设置像素电路层20以及第一走线40的第一部分41。第二衬底14背向第一衬底13的一侧为第二表面12，第二表面12上可以设置背面电路层30以及第一走线40的第二部分42。
105.可选地，第一衬底13的厚度与第二衬底14的厚度可以是不同的，当然，也可以是相同的。
106.可选地，第一衬底13和第二衬底14可以通过oca(optically clear adhesive)光学胶、ocp等材料连接在一起。
107.图9为本技术一些实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图。
108.如图9所示，在一些可选地实施例中，还包括连接单元70，温度监测单元31与第一走线40通过连接单元70电连接，连接单元70包括连接部71和保护部72，保护部72位于连接部71背向衬底10的一侧。
109.本技术实施例通过上述设置，在保证温度监测单元31与第一走线40电连接的同时，减小温度监测单元31与第一走线40直接连接短路的可能性，提高温度监测单元31与第一走线40的可靠性。
110.可选地，连接部71的材料包括金、银或者铜等金属材料，或者是合金材料等导电材
料。
111.可选地，保护部72可以覆盖连接部71设置。
112.在一些示例中，第一保护层51覆盖第一走线40的第二部分42，第一保护层51还包括预留部，预留部暴露部分第二部分42的表面，连接部71可以与第二部分42暴露的表面连接。当然，第一保护层51同样可以覆盖温度监测单元31，预留部也可以暴露部分温度监测单元31的部分表面，连接部71可用于温度监测单元31暴露的部分表面连接。可选地，预留部包括孔结构。
113.图10为本技术一些实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。
114.另一方面，如图10所示，本技术实施例还提供了一种显示面板200，包括如上所述任意一种阵列基板。
115.由于本技术实施例提供的显示面板包括上述任一实施例的阵列基板，因此本技术实施例提供的显示面板具有上述任一实施例的阵列基板具有的有益效果，在此不再赘述。
116.可选地，显示面板还包括发光器件，示例性地，发光器件包括micro-led。
117.图11为本技术一些实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
118.另一方面，如图11所示，本技术实施例还提供了一种显示装置300，包括如上所述任意一种显示面板200。
119.由于本技术实施例提供的显示装置包括上述任一实施例的显示面板，因此本技术实施例提供的显示装置具有上述任一实施例的显示面板具有的有益效果，在此不再赘述。
120.虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底，包括相背的第一表面和第二表面；像素电路层，设置于所述衬底的所述第一表面，所述像素电路层包括像素电路单元；背面电路层，设置于所述衬底的所述第二表面，所述背面电路层包括温度监测单元；多条第一走线，所述第一走线沿第一方向延伸设置，多条所述第一走线沿第二方向相互间隔分布，所述第一走线包括设置于所述像素电路层的第一部分和设置于所述背面电路层的第二部分，所述第一部分和所述第二部分相互电连接，所述第一部分与所述像素电路单元电连接；其中，所述温度监测单元与所述第一走线的所述第二部分电连接，所述第一方向与所述第二方向相交。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述背面电路层还包括驱动单元，所述第二部分包括第一线段和第二线段，所述第一部分通过所述第一线段与所述驱动单元电连接；其中，所述温度监测单元通过所述第一线段与所述第一部分电连接，和/或，所述温度监测单元通过所述第二线段与所述第一部分电连接。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述温度监测单元与自身对应的其相邻两条所述第一线段中的至少一者电连接，和/或，所述温度监测单元与自身对应的其相邻两条所述第二线段中的至少一者电连接。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一线段与所述第二线段分设于所述驱动单元沿所述第一方向上的两侧，所述温度监测单元位于相邻两条所述第一线段之间以及相邻两条所述第二线段之间。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一线段位于所述驱动单元沿所述第一方向上的一侧，所述第二线段由所述第二表面沿所述第一方向上的一侧延伸至沿所述第一方向上的另一侧，所述温度监测单元位于相邻两条所述第二线段之间。6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一走线还包括第三部分，所述第三部分位于所述阵列基板的侧表面，所述第一部分与所述第二部分通过所述第三部分相连接。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第三部分包括第一支线和第二支线，所述第一部分通过所述第一支线与所述第二部分的所述第一线段电连接，所述第一部分通过所述第二支线与所述第二部分的所述第二线段电连接。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一支线与所述第二支线分设于所述第一部分沿所述第一方向上的两端。9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一支线与所述第二支线位于所述第一部分沿所述第一方向上的同一端。10.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括保护层，所述保护层覆盖所述第一走线的至少部分线段。11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层包括第一保护层，所述第一保护层位于所述衬底的所述第二表面，所述第一保护层覆盖所述第二部分的至少部分。
12.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层还包括第二保护层，所述第二保护层位于所述阵列基板的侧表面，且所述第二保护层至少覆盖所述第三部分。13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个第一区，所述温度监测单元的数量包括多个，所述温度监测单元位于所述第一区，所述温度监测单元被配置为：根据从所述第一区监测到的温度，生成相应的温度调节信号；所述第一走线被配置为：根据所述温度调节信号调整第一走线内的电流强度，所述温度与所述电流强度呈负相关。14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路单元的数量包括多个，各所述第一区包括至少一个所述像素电路单元。15.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，各所述第一区内，所述温度监测单元在所述衬底上的正投影与所述像素电路单元在所述衬底上的正投影至少部分交叠设置。16.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述温度监测单元的数量包括多个，多个所述温度监测单元沿所述第一方向间隔设置，且至少部分所述第一走线与多个温度监测单元电连接。17.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底包括层叠设置的第一衬底和第二衬底，所述第一衬底背向所述第二衬底的一侧为所述第一表面，所述第二衬底背向所述第一衬底的一侧为所述第二表面。18.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括连接单元，所述温度监测单元与所述第一走线通过所述连接单元电连接，所述连接单元包括连接部和保护部，所述保护部位于所述连接部背向所述衬底的一侧。19.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至18任一项所述的阵列基板。20.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求19所述的显示面板。

技术总结
本申请涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置，阵列基板包括衬底、像素电路层、背面电路层以及多条第一走线。衬底包括相背的第一表面和第二表面。像素电路层设置于衬底的第一表面，像素电路层包括像素电路单元。背面电路层设置于衬底的第二表面，背面电路层包括温度监测单元。第一走线沿第一方向延伸设置，多条第一走线沿第二方向相互间隔分布，第一走线包括设置于像素电路层的第一部分和设置于背面电路层的第二部分，第一部分和第二部分相互电连接，第一部分与像素电路单元电连接。其中，温度监测单元与第一走线的第二部分电连接，第一方向与第二方向相交。向与第二方向相交。向与第二方向相交。


技术研发人员：李雪灵 贾振宇 席克瑞 吴天一 何小祥 翟应腾 郑敏慧 杨作财 秦锋
受保护的技术使用者：天马新型显示技术研究院（厦门）有限公司
技术研发日：2023.06.14
技术公布日：2023/8/28