一种背板及显示背板的制作方法

1.本技术涉及led显示领域，尤其涉及一种背板及显示背板。


背景技术：

2.led(light emitting diode，发光二极管)是将电能直接转化为光能的电子元器件，现已被广泛地应用于显示器和照明。
3.目前，在显示背板的制作过程中，需要将发光的led键合至背板上以实现led的电导通，背板上设置有与led键合的电极。但目前在键合的过程中，部分led不可避免地会发生偏移，偏移的led便无法与背板上的电极良好贴合，由此导致键合不良的存在，降低了键合的加工良率，影响了显示背板的质量。
4.因此，如何提高背板上键合led的加工良率是亟需解决的问题。


技术实现要素：

5.鉴于上述相关技术的不足，本技术的目的在于提供一种背板及显示背板，旨在解决背板上键合led的加工良率低的问题。
6.一种背板，包括：
7.基板；
8.设于所述基板上的键合电极，所述键合电极由间隔设置的第一电极、第二电极组合形成，所述第一电极的键合面与所述第二电极的键合面形成组合面，所述组合面的形状具有圆形或类圆形的外轮廓，所述第一电极被配置为与发光芯片的一电极键合，所述第二电极被配置为与所述发光芯片的另一电极键合。
9.上述背板中，第一电极的键合面与第二电极的键合面一起形成组合面，该组合面的形状具有圆形或类圆形的外轮廓，因此在键合过程中，发光芯片发生偏移旋转时，基板上键合电极的形状与发光芯片偏移旋转的轨迹相符，由此可在节约材料成本的同时，还可为发光芯片提供一定偏移旋转的空间，使得偏移后的发光芯片仍能与键合电极良好贴合，提高了键合的加工良率。
10.可选地，所述第一电极将所述第二电极围合，所述第一电极的键合面为第一键合面，所述圆形或类圆形的外轮廓为所述第一键合面的外轮廓。键合时发光芯片与第一键合面键合的电极具有整圈的旋转空间，在发光芯片以第二键合面为中心偏移旋转时，偏移后的发光芯片仍能与键合电极良好贴合，提高了键合的加工良率。
11.可选地，所述第一电极的键合面为第一键合面，所述第一键合面远离所述第二电极的一侧的轮廓为第一圆弧，所述第二电极的键合面为第二键合面，所述第二键合面远离所述第一电极的一侧的轮廓为第二圆弧，所述第一圆弧与所述第二圆弧围合形成圆形的所述组合面的外轮廓。键合时发光芯片与第一键合面键合的电极具有一定的旋转空间，发光芯片与第二键合面键合的电极也具有一定的旋转空间。因此发光芯片绕自身中心旋转时，旋转后的发光芯片也能与键合电极良好贴合。
12.可选地，所述第一键合面靠近所述第二电极的一侧的轮廓包括第三圆弧，所述第二键合面靠近所述第一电极的一侧的轮廓包括第四圆弧，所述第三圆弧与所述第四圆弧围合为圆形，所述第三圆弧的中心、所述第四圆弧的中心与所述组合面的中心重合。此时第一键合面与第二键合面均为非完整的环形面，两个非完整的环形面组合形成圆环形或类圆环形的组合面，在发光芯片绕自身中心旋转时，旋转后的发光芯片也能与键合电极良好贴合。
13.基于同样的发明构思，本技术还提供一种显示背板，包括：若干发光芯片，以及如上所述的背板，所述发光芯片的一电极与所述第一电极键合，所述发光芯片的另一电极与所述第二电极键合。
14.上述显示背板中，发光芯片与基板上的第一电极、第二电极键合，键合的过程中，在发光芯片发生偏移旋转时，基板上键合电极的形状与发光芯片偏移旋转的轨迹相符，由此可在节约材料成本的同时，还可为发光芯片提供一定偏移旋转的空间，使得偏移后的发光芯片仍能与键合电极良好贴合，提高了键合的加工良率，显示背板的质量更好。
15.可选地，所述发光芯片为倒装led，所述倒装led包括外延层以及两个电极，各电极沿所述外延层的宽度方向分布的相对两个侧面之间的垂直距离均大于所述外延层的宽度。将发光芯片的两个电极均作了延伸处理，且该延伸处理是沿发光芯片的偏移旋转方向延伸，使得发光芯片的电极更不易偏移出键合电极，键合时发光芯片的电极与背板上的电极之间的贴合更好，也可提高发光芯片的键合良率。
附图说明
16.图1为本技术实施例提供的一种背板的结构示意图；
17.图2为本技术实施例提供的组合面的第一种示意图；
18.图3为本技术实施例提供的图2所示组合面上键合发光芯片时发光芯片未偏移的示意图；
19.图4为本技术实施例提供的图2所示组合面上键合发光芯片时发光芯片偏移的示意图；
20.图5为本技术实施例提供的组合面的第二种示意图；
21.图6为本技术实施例提供的组合面的第三种示意图；
22.图7为本技术实施例提供的图6所示组合面上键合发光芯片时发光芯片未偏移的示意图；
23.图8为本技术实施例提供的图6所示组合面上键合发光芯片时发光芯片偏移的示意图；
24.图9为本技术实施例提供的组合面的第四种示意图；
25.图10为本技术实施例提供的组合面的第五种示意图；
26.图11为本技术实施例提供的组合面的第六种示意图；
27.图12为本技术实施例提供的图11所示组合面上键合发光芯片时发光芯片未偏移的示意图；
28.图13为本技术实施例提供的图11所示组合面上键合发光芯片时发光芯片偏移的示意图；
29.图14为本技术实施例提供的组合面的第七种示意图；
30.图15为本技术实施例提供的组合面的第八种示意图；
31.图16为本技术实施例提供的基板上设置凸起的结构示意图；
32.图17为本技术另一可选实施例提供的一种显示背板的结构示意图；
33.图18为本技术另一可选实施例提供的发光芯片的一种结构示意图；
34.图19为本技术另一可选实施例提供的图18所示发光芯片与第一电极、第二电极键合时发光芯片未偏移的示意图；
35.图20为本技术另一可选实施例提供的图18所示发光芯片与第一电极、第二电极键合时发光芯片偏移的示意图；
36.附图标记说明：
37.1-基板；2-第一电极；201-第一键合面；3-第二电极；301-第二键合面；4-发光芯片；401-外延层；402-芯片电极；5-第一圆弧；6-第二圆弧；7-第一线段；8-第二线段；9-第三圆弧；10-第四圆弧；11-凸起。
具体实施方式
38.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。
39.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。
40.在显示背板的制作过程中，需要将发光的led键合至背板上以实现led的电导通，背板上设置有与led键合的电极。但目前在键合的过程中，部分led不可避免地会发生偏移，偏移的led便无法与背板上的电极良好贴合，由此导致键合不良的存在，降低了键合的加工良率，影响了显示背板的质量。
41.基于此，本技术希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
42.本技术一可选实施例：
43.本实施例提供一种背板，如图1所示，包括：基板1，以及设于基板1上的键合电极。
44.本实施例中的基板1可以为驱动基板，基板1包括驱动电路，该驱动电路与键合电极电连通。在本实施例中，基板1的材质可以为但不限于玻璃基板、硅基板、pcb基板等的任何一种。
45.如图1-图15所示，本实施例的键合电极由间隔设置的第一电极2、第二电极3组合形成，第一电极2的键合面与第二电极3的键合面形成组合面，组合面的形状具有圆形或类圆形的外轮廓，第一电极2被配置为与发光芯片4的一电极键合，第二电极3被配置为与发光芯片4的另一电极键合。
46.可以理解的是，类圆形的外轮廓即形状类似于圆形的外轮廓，例如椭圆形、橄榄球形、冬瓜或西瓜的轮廓形状、鸡蛋的轮廓形状、眼睛的轮廓形状、气球的轮廓形状等等，上述示例仅作解释性说明，不具有任何限制意义。在本实施例中，“圆形或类圆形”对外轮廓是否
为封闭的轮廓没有限制作用，一些场景中，圆形或类圆形的外轮廓可以是封闭的外轮廓，另一些场景中也可以是未封闭的外轮廓。
47.本实施例中的第一电极2与第二电极3间隔设置，即第一电极2与第二电极3之间没有任何接触留有间距，由此形成了两者之间的绝缘设置。的第一电极2的键合面面积与第二电极3的键合面面积均大于发光芯片4的电极的键合面的面积。本实施例对第一电极2、第二电极3的材质不做具体限定，可与发光芯片4的电极之间良好键合即可，例如一种示例中，第一电极2、第二电极3的材质可包括但不限于cr，ni，al，ti，au，pt，w，pb，rh，sn，cu，ag中的至少一种。
48.一些实施方式中，如图2-图5，第一电极2的键合面为第一键合面201，组合面的外轮廓可仅为第一键合面201的外轮廓。例如，第一电极2将第二电极3围合，圆形或类圆形的外轮廓为第一键合面201的外轮廓。第二电极3的键合面为第二键合面301，第一电极2呈环形将第二电极3围合，此时第一键合面201将第二键合面301围合。发光芯片4的一电极与第一键合面201键合，另一电极与第二键合面301键合，键合时发光芯片4与第一键合面201键合的电极具有整圈的旋转空间。因此发光芯片4以第二键合面301为中心偏移旋转时，偏移后的发光芯片4仍能与键合电极良好贴合，提高了键合的加工良率。同时，还可避免盲目增大基板1上电极的键合面的情况，节约了材料成本。
49.具体地，如图2-图4，第一电极2可以是圆环形，第二电极3呈圆形，圆环形的第一电极2将圆形的第二电极3围合，第一电极2的中心轴和第二电极3的中心轴重合。在发光芯片4以第二键合面301为中心作圆形弧度的旋转时，圆环形的第一电极2可为发光芯片4提供足够的旋转空间，旋转后的发光芯片4仍能与键合电极良好贴合。
50.另一些实施方式中，如图6-图15，组合面的外轮廓也可以由一部分第一键合面201的外轮廓、一部分第二键合面301的外轮廓组合而成。一些应用场景中，如图6-图9、图11-图14，第一键合面201远离第二电极3的一侧的轮廓为第一圆弧5，第二键合面301远离第一电极2的一侧的轮廓为第二圆弧6，第一圆弧5与第二圆弧6围合形成圆形的组合面的外轮廓。键合时发光芯片4与第一键合面201键合的电极具有一定的旋转空间，发光芯片4与第二键合面301键合的电极也具有一定的旋转空间。因此发光芯片4绕自身中心旋转时，旋转后的发光芯片4仍能与键合电极良好贴合，提高了发光芯片4键合的加工良率。同时也可避免盲目增大基板1上电极的键合面的情况，节约了材料成本。
51.在另一些应用场景中，如图10、图15，上述的第一圆弧5、第二圆弧6还可为类似于圆弧的曲线，此时围合形成的组合面的外轮廓为类圆形，例如椭圆形。其也可实现在发光芯片4绕自身中心旋转时，旋转后的发光芯片4仍能与键合电极良好贴合，提高键合的加工良率。
52.具体地，组合面的外轮廓中，一部分第一键合面201的外轮廓和一部分第二键合面301的外轮廓之间可以是中心对称结构，也可以是非中心对称结构。为中心对称结构时，如图6-图8，可以是第一键合面201的外轮廓包括第一线段7与第一圆弧5，第一线段7为第一圆弧5两端点的连线，第二键合面301的外轮廓包括第二线段8与第二圆弧6，第二线段8为第二圆弧6两端点的连线，第一键合面201与第二键合面301关于组合面的中心呈中心对称。在发光芯片4绕自身中心旋转时，旋转后的发光芯片4也能与键合电极良好贴合，提高键合的加工良率。为中心对称结构时，还可以是第一键合面201、第二键合面301均为圆心角的角度相
等的扇形，此时也可提高键合的加工良率。为非中心对称结构时，如图9所示，则可以是第一键合面201、第二键合面301均为扇形，但两者的圆心角的角度不相等，此时也可提高键合的加工良率。
53.为了达到节约材料成本的目的，组合面的外轮廓由一部分第一键合面201的外轮廓、一部分第二键合面301的外轮廓组合时，还可在各键合面的内侧，即各电极的内侧设置凹槽。具体地，如图11-图13，该凹槽可以为弧形槽，此时第一键合面201靠近第二电极3的一侧的轮廓包括第三圆弧9，第二键合面301靠近第一电极2的一侧的轮廓包括第四圆弧10，第三圆弧9与第四圆弧10围合为圆形，第三圆弧9的中心、第四圆弧10的中心与组合面的中心重合。设置凹槽可进一步节约材料成本，也仍可保证旋转后的发光芯片4能与键合电极良好贴合。设置凹槽后，第一键合面201与第二键合面301均为非完整的环形面，两个非完整的环形面组合形成圆环形或类圆环形的组合面，如图11、图15，该两个非完整的环形面，既第一键合面201与第二键合面301可以是关于组合面的中心呈中心对称。在一些应用场景中，如图14，第一键合面201与第二键合面301也可以是非中心对称，此时与上述第一键合面201、第二键合面301为圆心角不同的扇形时类似。
54.又一些实施方式中，如图16，还可以在基板1上设置凸起11，凸起11设于第一电极2与第二电极3之间，凸起11远离基板1的一端高于第一电极2、第二电极3的键合面。凸起11可以插入发光芯片4的两个电极之间形成一定的限位，可以在一定程度上减小发光芯片4的偏移程度，使键合时的发光芯片4可更好地与键合电极贴合，提高了键合的加工良率。
55.上述背板中，第一电极2的键合面与第二电极3的键合面一起形成组合面，该组合面的形状具有圆形或类圆形的外轮廓，因此在键合过程中，发光芯片4发生偏移旋转时，基板1上键合电极的形状与发光芯片4偏移旋转的轨迹更相符，可为发光芯片4提供一定偏移旋转的空间，使得偏移后的发光芯片4仍能与键合电极良好贴合，提高了发光芯片4键合的加工良率。同时，还可避免盲目增大基板1上电极的键合面的情况，节约了材料成本。
56.本技术另一可选实施例：
57.本实施例提供一种显示背板，其可应用于但不限于手机、智能穿戴设备、车载设备、录像机、笔记本电脑、平板电脑、电视机、大屏幕、广告牌等各种显示设备。
58.如图17-图20，本实施例的显示背板包括：若干发光芯片4，以及如上所述的背板，发光芯片4的一电极与第一电极2键合，发光芯片4的另一电极与第二电极3键合。
59.本实施例中的发光芯片4可以是mini led(mini light emitting diode，次毫米发光二极管)、micro led(micro light emitting diode，微米量级发光二极管)的任意一种。本实施例中的发光芯片4为倒装led，倒装led包括外延层401以及两个芯片电极402。本实施例不限定外延层401的具体结构，在一种示例中，外延层401可以包括n型半导体、p型半导体以及位于n型半导体和p型半导体之间的有源层，该有源层可以包括量子阱层，还可以包括其他结构。在另一些示例中，外延层401还可包括反射层、钝化层中的至少一种。本实施例中对发光芯片4的芯片电极402的材质和形状也不做限定，例如一种示例中，材质可包括但不限于cr，ni，al，ti，au，pt，w，pb，rh，sn，cu，ag中的至少一种，形状可以但不限于为矩形。
60.在一些实施方式中，如图18-图20，发光芯片4的两个芯片电极402在发光芯片4上的位置是沿其外延层401的长度方向分布，该两个芯片电极402沿外延层401的宽度方向分
布的相对两个侧面之间的垂直距离l均大于外延层401的宽度m。可以理解的是，外延层401的宽度方向即外延层401的宽度边线的延伸方向。将发光芯片4的两个芯片电极402均作了延伸处理，且该延伸处理是沿发光芯片4的偏移旋转方向延伸，使得发光芯片4的芯片电极402更不易偏移出键合电极，键合时发光芯片4的芯片电极402与背板上的电极之间的贴合更好，也可提高发光芯片4的键合良率。
61.上述显示背板中，发光芯片4与基板1上的第一电极2、第二电极3键合，键合的过程中，在发光芯片4发生偏移旋转时，基板1上键合电极的形状与发光芯片4偏移旋转的轨迹相符，由此可在节约材料成本的同时，还可为发光芯片4提供一定偏移旋转的空间，使得偏移后的发光芯片4仍能与键合电极良好贴合，提高了键合的加工良率，显示背板的质量更好。
62.应当理解的是，本技术的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。

技术特征：
1.一种背板，其特征在于，包括：基板；设于所述基板上的键合电极，所述键合电极由间隔设置的第一电极、第二电极组合形成，所述第一电极的键合面与所述第二电极的键合面形成组合面，所述组合面的形状具有圆形或类圆形的外轮廓，所述第一电极被配置为与发光芯片的一电极键合，所述第二电极被配置为与所述发光芯片的另一电极键合。2.如权利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一电极将所述第二电极围合，所述第一电极的键合面为第一键合面，所述圆形或类圆形的外轮廓为所述第一键合面的外轮廓。3.如权利要求2所述的背板，其特征在于，所述第一电极呈圆环形，所述第二电极呈圆形，圆环形的所述第一电极将圆形的所述第二电极围合，所述第一电极的中心轴和所述第二电极的中心轴重合。4.如权利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一电极的键合面为第一键合面，所述第一键合面远离所述第二电极的一侧的轮廓为第一圆弧，所述第二电极的键合面为第二键合面，所述第二键合面远离所述第一电极的一侧的轮廓为第二圆弧，所述第一圆弧与所述第二圆弧围合形成圆形的所述组合面的外轮廓。5.如权利要求4所述的背板，其特征在于，所述第一键合面的外轮廓包括第一线段与所述第一圆弧，所述第一线段为所述第一圆弧两端点的连线，所述第二键合面的外轮廓包括第二线段与所述第二圆弧，所述第二线段为所述第二圆弧两端点的连线，所述第一键合面与所述第二键合面关于所述组合面的中心呈中心对称。6.如权利要求4所述的背板，其特征在于，所述第一键合面靠近所述第二电极的一侧的轮廓包括第三圆弧，所述第二键合面靠近所述第一电极的一侧的轮廓包括第四圆弧，所述第三圆弧与所述第四圆弧围合为圆形，所述第三圆弧的中心、所述第四圆弧的中心与所述组合面的中心重合。7.如权利要求6所述的背板，其特征在于，所述第一键合面与所述第二键合面关于所述组合面的中心呈中心对称。8.如权利要求1-7任一项所述的背板，其特征在于，所述基板上设置凸起，所述凸起设于所述第一电极与所述第二电极之间，所述凸起远离所述基板的一端高于所述第一电极、所述第二电极的键合面。9.一种显示背板，其特征在于，包括：若干发光芯片，以及如权利要求1-8任一项所述的背板，所述发光芯片的一电极与所述第一电极键合，所述发光芯片的另一电极与所述第二电极键合。10.如权利要求9所述的显示背板，其特征在于，所述发光芯片为倒装led，所述倒装led包括外延层以及两个电极，各电极沿所述外延层的宽度方向分布的相对两个侧面之间的垂直距离均大于所述外延层的宽度。

技术总结
本申请涉及一种背板及显示背板，背板包括：基板，以及设于所述基板上的键合电极，所述键合电极由间隔设置的第一电极、第二电极组合形成，第一电极的键合面与所述第二电极的键合面形成组合面，所述组合面的形状具有圆形或类圆形的外轮廓，第一电极被配置为与发光芯片的一电极键合，第二电极被配置为与所述发光芯片的另一电极键合。在键合过程中，发光芯片发生偏移旋转时，基板上键合电极的形状与发光芯片偏移旋转的轨迹相符，由此可在节约材料成本的同时，还可为发光芯片提供一定偏移旋转的空间，使得偏移后的发光芯片仍能与键合电极良好贴合，提高了键合的加工良率。同时，还可避免盲目增大基板上电极的键合面的情况，节约了材料成本。成本。成本。


技术研发人员：靳春明 林建宏
受保护的技术使用者：重庆康佳光电科技有限公司
技术研发日：2023.03.28
技术公布日：2023/8/26