一种碳化硅衬底上氮化镓垂直器件及其制备方法

1.本发明涉及一种碳化硅衬底上氮化镓垂直器件及其制备方法，属于微电子研究的技术领域。


背景技术：

2.目前，电力电子技术中所使用的功率元器件依然是以硅基材料为主，尽管通过新型器件结构的设计和制造工艺的优化可以使器件性能得到很大提高，但是现有的硅基功率电子技术正接近材料的理论极限，无法满足现代电子技术对耐高压、耐高温、高频率、高功率以及抗辐射等特殊条件的需求。以氮化镓(gan)为代表的第三代半导体材料因其宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿场强、高导热性等特点成为高频和大功率器件的研究热点。
3.迄今为止，发展最快和最成熟的gan功率器件是gan高电子迁移率晶体管(hemt)器件，尽管ganhemt器件因为二维电子气的存在具有低导通电阻、高开关频率等优异的电学特性，但是由于其结构的特殊性，这种横向的gan器件仍然存在一些局限性。例如，hemt等横向器件容易受表面态或界面态俘获电子的影响从而导致电流崩塌现象，这种电流崩塌现象会严重降低器件性能和影响器件的稳定性和可靠性。其次，横向器件的耐压性差，击穿场强低，不具备雪崩击穿能力。另外，由于其结构的特殊性，横向器件散热性能较差。如中国专利文件cn114023645a，公开了一种氮化镓器件的制备方法及氮化镓器件，方法包括：在碳化硅衬底的上表面进行氢离子注入以在所述碳化硅衬底中形成离子损失层；并进行氮化镓结构层、应力导入层的生长，最终使所述氮化镓结构层和所述碳化硅衬底在所述离子损伤层进行分离以形成氮化镓器件。其传输沟道为二维电子气沟道，具有输出电流密度低，器件面积大，成本高，击穿电压低等不足。
4.与横向器件相比，gan垂直器件更能发挥出其材料本身的优势：(1)垂直器件电流流经体内，基本不受表面态或界面态的影响，动态导通电阻稳定；(2)垂直器件可以通过增加漂移区厚度来提升击穿电压，其耐压程度大大提高；(3)垂直器件可以实现更大的电流密度；(4)垂直器件易于实现雪崩特性，在实际应用上优势更明显；(5)在垂直器件中，电场和电流分布更加均匀，器件的散热性能优于横向器件。
5.目前，gan垂直器件所采用的衬底有si、蓝宝石、sic、gan等，其中si和蓝宝石材料与gan的晶格常数和热膨胀系数失配度较大，外延所产生的缺陷和杂质多，更大程度上影响了gan的结晶质量从而影响器件性能，而gan衬底极高的成本和极难的大尺寸生长工艺限制了其广泛应用，因此，本发明选择sic材料作为gan垂直器件的衬底。
6.现有氮化镓垂直器件的制备基于不同的衬底，包括氮化镓、碳化硅、硅和蓝宝石衬底。其中氮化镓衬底上的gan垂直器件受限于gan衬底的尺寸和价格，具有小尺寸高成本的不足；碳化硅、硅和蓝宝石衬底上的gan垂直器件一般采用准垂直结构，通过刻蚀到缓冲层或者是衬底剥离来实现底部电极的沉积制备，具有工艺复杂、重复性差、良率低、成本高的不足，如中国专利文件cn114843266a，公开了一种基于sic衬底的准垂直gan pin与sbd集成式器件，主要解决现有技术分立式pin二极管用于多级限幅电路时功率容量受限，响应速度
慢，集成度低的缺点，在碳化硅衬底的上方淀积n+层，n+层的上方并列淀积n-层、公共阴极、n-层，n-层的上方依次淀积p+层、pin结阳极，n-层的上方淀积肖特基结阳极。将gan pin与sbd通过共阴极的方式集成在同一碳化硅衬底上，同时pin管与sbd管均设置为准垂直结构，其工艺难度大，重复性难以保证，导致成品率降低，成本提高。


技术实现要素：

7.针对现有技术的不足，本发明提供一种基于碳化硅衬底的氮化镓垂直器件，本发明还提供了上述器件的制备方法。本发明采用导电性sic衬底上生长导电性缓冲层，从而直接将sic衬底作为器件的漏端进行电极制备，不需要采用刻蚀或者是衬底剥离来实现垂直器件的制备。
8.本发明的技术方案如下：
9.一种基于碳化硅衬底的氮化镓垂直器件，包括n
+
型sic衬底(1)，位于n
+
型sic衬底上为n
+
型gan层(2)，n
+
型gan层上方为无掺杂gan层(3)，无掺杂gan层上方为p型gan层(4)，p型gan层上方为p
+
型gan层(5)，器件进行区域刻蚀，从上方刻蚀至无掺杂gan层，p
+
型gan层上方为阳极金属(6)，n
+
型sic衬底下方为阴极金属(7)，阳极金属、p
+
型gan层、无掺杂gan层上方覆盖有开孔的sio2钝化层，sio2钝化层开孔处设有阳极金属场版。
10.根据本发明优选的，所述n
+
型gan层(2)的厚度为10～2000nm，掺杂元素为si，掺杂浓度为1
×
10
18
～1
×
10
20
cm-3
,进一步优选的，n
+
型gan层(2)的厚度为1000nm，掺杂元素为si，掺杂浓度为1
×
10
19
cm-3
。
11.根据本发明优选的，所述无掺杂gan层(3)的厚度为1～100μm，进一步优选的，无掺杂gan层(3)的厚度为3μm。
12.根据本发明优选的，所述p型gan层(4)的厚度为50～2000nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
17
～1
×
10
19
cm-3
，进一步优选的，p型gan层(4)的厚度为500nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
18
cm-3
。
13.根据本发明优选的，所述p
+
型gan层(5)的厚度为10～200nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
19
～1
×
10
21
cm-3
，进一步优选的，p
+
型gan层(5)的厚度为50nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
20
cm-3
。
14.根据本发明优选的，所述的阴极金属(7)的材料为ni、ni/au合金、ti/au合金中的任意一种，进一步优选的，阴极金属(7)的材料为ni。
15.根据本发明优选的，所述的阳极金属(6)的材料为ni/au合金、pd/au合金、al/au合金中的任意一种，进一步优选的，阳极金属(6)的材料为ni/au合金。
16.根据本发明优选的，所述的阳极金属场版的材料为ni/au合金或ti/au合金，进一步优选的，阳极金属场版的材料为ni/au合金。
17.一种基于碳化硅衬底的氮化镓垂直器件的制备方法，包括以下步骤：
18.s1、在n
+
型sic衬底上依次外延生长n
+
型gan层、无掺杂gan层、p型gan层、p
+
型gan层；
19.s2、通过干法刻蚀进行台面刻蚀，刻蚀深度终点位于无掺杂gan层；
20.s3、在n
+
型sic衬底下方蒸镀阴极金属，退火形成欧姆接触；
21.s4、在p
+
型gan层上方蒸镀阳极金属，退火形成欧姆接触；
22.s5、在无掺杂gan层、p
+
型gan层和阳极金属的上方生长sio2钝化层；
23.s6、在sio2钝化层需要蒸镀阳极金属场版的区域通过光刻显影和干法刻蚀的方法开孔；
24.s7、在sio2钝化层开孔区域蒸镀阳极金属场版(fp)。
25.根据本发明优选的，步骤s1中的n
+
型gan层、无掺杂gan层、p型gan层、p
+
型gan层、以及步骤s5中的sio2钝化层的生长方法为金属有机化学气相沉积法(mocvd)或分子束外延法(mbe)等高质量成膜方法，进一步优选的，步骤s1中的n
+
型gan层、无掺杂gan层、p型gan层、p
+
型gan层、以及步骤s5中的sio2钝化层的生长方法为金属有机化学气相沉积法(mocvd)。
26.根据本发明优选的，步骤s2中刻蚀台面和步骤s6中刻蚀sio2的方法为电感耦合等离子体刻蚀(icp)或反应离子刻蚀(rie)，进一步优选的，步骤s2中刻蚀台面的方法为电感耦合等离子体刻蚀(icp),步骤s6中刻蚀sio2的方法为反应离子刻蚀(rie)。
27.根据本发明优选的，步骤s3中蒸镀阴极金属、s4中蒸镀阳极金属和s7中蒸镀阳极金属场版的方法为电子束蒸发(ebe)、磁控溅射(ms)和热蒸发(vte)中的一种，进一步优选的，步骤s3中蒸镀阴极金属和s4中蒸镀阳极金属和s7中蒸镀阳极金属场版的方法为电子束蒸发(ebe)。
28.根据本发明优选的，步骤s3中所述的形成阴极欧姆接触的退火处理方式为在n2中900℃中退火1min。
29.根据本发明优选的，步骤s4中所述的形成阳极极欧姆接触的退火处理方式为在n2/o2混合气体中550℃中退火10min。
30.根据本发明优选的，步骤s2中采用电感耦合等离子体刻蚀(icp)进行台面刻蚀的具体过程为：
31.a、提供需要进行icp刻蚀的n
+
型sic衬底(1)及其外延材料；
32.b、在p
+
型gan层上涂覆光刻胶；
33.c、利用光刻显影技术，在光刻胶上显露出需要刻蚀的p
+
型gan层(5)区域；
34.d、使用电感耦合等离子体装置刻蚀p
+
型gan、p型gan层、无掺杂gan层，刻蚀深度延伸到无掺杂gan层；
35.e、使用化学溶液去除涂覆的光刻胶实现台面隔离的效果。
36.根据本发明优选的，步骤s6及步骤s7中阳极金属场版制备的具体过程为：
37.a、在步骤s5中生长的sio2钝化层上涂覆光刻胶；
38.b、利用光刻显影技术，在光刻胶上显露出需要刻蚀开孔的sio2钝化层区域；
39.c、使用反应离子刻蚀刻蚀sio2钝化层直至阳极金属露出；
40.d、使用电子束蒸发设备蒸镀阳极场版金属ti/au合金；
41.e、采用lift-off技术对金属进行剥离。
42.与现有技术相比，本发明提供一种制备gan-on-sic垂直器件的方法。
43.本发明基于导电型的sic衬底上制备gan垂直器件，其输出电流密度高、器件面积小、击穿电压高等优势，由于器件面积的缩小，也降低了器件的成本。
44.本发明直接采用导电性sic衬底来作为gan垂直器件的漏极，不需要准垂直器件的刻蚀或衬底剥离或者是布线工艺，具有工艺简单，重复性高，成品率高，成本低等显著优势。
45.本发明的有益效果在于：
46.1.低成本大尺寸特性
47.gan垂直器件常采用导电性gan衬底，gan衬底目前尺寸较小，成本较高。本发明采用导电性sic衬底，sic目前尺寸可达到8英寸，价格也远低于gan衬底，因此，相较于目前的gan衬底的小尺寸高成本，本发明基于sic衬底实现gan垂直器件具有低成本大尺寸的明显优势。
48.2.工艺简单，重复性强
49.目前有基于蓝宝石和硅衬底的gan垂直器件制备，由于两种衬底均难以实现低导通阻值，通常通过刻蚀到gan重掺杂层实现准垂直器件或者是衬底剥离工艺来实现垂直器件，这增加了工艺的复杂性，也为工艺重复性带来挑战。该发明基于重掺杂的sic衬底上进行gan垂直器件的制备，不需要进行深刻蚀或者是衬底剥离，具有工艺简单，重复性强的优势。
50.3.动态特性更为稳定
51.gan垂直器件的电流通道在材料体内，远离材料表面，最大限度地减小了器件表面陷阱态对通道电子的俘获作用，降低了动态导通电阻，动态特性更加稳定；
52.4.击穿电压更大
53.gan垂直器件可以通过增加漂移区厚度来提升击穿电压，其耐压程度大大提高。
54.5.高输出电流和低导通阻值
55.本发明在sic衬底上实现gan垂直器件的制备，可实现垂直器件的三维电子通道，从而有效提高输出电流密度，降低器件导通阻值，降低器件尺寸，实现器件高功率小型化的使用。
56.6.散热能力更好
57.在gan垂直器件中，电场和电流分布更加均匀，且由于sic衬底优异于gan衬底的热导率，器件可更好的将热量传递到热沉，从而实现器件更高的散热特性，提高器件输出功率和可靠性。
附图说明
58.图1为本发明n
+
型sic衬底层示意图；
59.图2为本发明制备方法步骤s1之后形成的器件结构示意图；
60.图3为本发明制备方法步骤s2刻蚀之后形成的器件结构示意图；
61.图4为本发明制备方法步骤s3蒸镀阴极金属之后形成的器件结构示意图；
62.图5为本发明制备方法步骤s4蒸镀阳极金属之后形成的器件结构示意图；
63.图6为本发明制备方法步骤s5生长sio2钝化层之后形成的器件结构示意图；
64.图7为本发明制备方法步骤s6sio2钝化层开孔之后形成的器件结构示意图；
65.图8为本发明制备方法步骤s7蒸镀阳极金属场版之后形成的器件结构示意图；
66.其中，1、n
+
型sic衬底，2、n
+
型gan层，3、无掺杂gan层，4、p型gan层，5、p
+
型gan层，6、阳极金属，7、阴极金属，8、sio2钝化层，9、阳极金属场版；
67.图9为本发明中gan-on-sic垂直器件的反向击穿特性曲线，横坐标为反向电压，纵坐标为电流密度；
68.图10为本发明中gan-on-sic垂直器件的伏安特性曲线，横坐标为电压，纵坐标为
电流密度。
具体实施方式
69.下面通过实施例并结合附图对本发明做进一步说明，但不限于此。
70.实施例1：
71.一种基于碳化硅衬底的氮化镓垂直器件，包括n
+
型sic衬底(1)，位于n
+
型sic衬底上为n
+
型gan层(2)，n
+
型gan层上方为无掺杂gan层(3)，无掺杂gan层上方为p型gan层(4)，p型gan层上方为p
+
型gan层(5)，器件进行区域刻蚀，从上方刻蚀至无掺杂gan层，p
+
型gan层上方为阳极金属(6)，n
+
型sic衬底下方为阴极金属(7)，阳极金属、p
+
型gan层、无掺杂gan层上方覆盖有开孔的sio2钝化层(8)，sio2钝化层开孔处设有阳极金属场版(9)。
72.其中，n
+
型gan层(2)的厚度为1000nm，掺杂元素为si，掺杂浓度为1
×
10
19
cm-3
。无掺杂gan层(3)的厚度为3μm。p型gan层(4)的厚度为500nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
18
cm-3
。p
+
型gan层(5)的厚度为50nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
20
cm-3
。阴极金属(7)的材料为ni。阳极金属(6)的材料为ni/au合金。阳极金属场版的材料为ni/au合金。
73.gan垂直器件可以通过增加漂移区厚度来提升击穿电压，其耐压程度大大提高。如图9所示，对无掺杂gan层厚度为3μm的垂直器件进行仿真，其击穿电压高达814v。若进一步增加gan层厚度，击穿电压将进一步提高。
74.本发明在sic衬底上实现gan垂直器件的制备，可实现垂直器件的三维电子通道，从而有效提高输出电流密度，降低器件导通阻值，降低器件尺寸，实现器件高功率小型化的使用，如图10所示，对无掺杂gan层厚度为3μm的垂直器件进行仿真，表现出了很好的二极管伏安特性。
75.实施例2：
76.一种基于碳化硅衬底的氮化镓垂直器件，其结构与实施例1相同，不同的是，n
+
型gan层(2)的厚度为10nm，掺杂元素为si，掺杂浓度为1
×
10
18
cm-3
。无掺杂gan层(3)的厚度为1μm。p型gan层(4)的厚度为50nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
17
cm-3
，p
+
型gan层(5)的厚度为10nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
19
cm-3
，阴极金属(7)的材料为ni/au合金。阳极金属(6)的材料为pd/au合金。阳极金属场版的材料为ti/au合金。
77.实施例3：
78.一种基于碳化硅衬底的氮化镓垂直器件，其结构与实施例1相同，不同的是，n
+
型gan层(2)的厚度为2000nm，掺杂元素为si，掺杂浓度为1
×
10
20
cm-3
。无掺杂gan层(3)的厚度为100μm。p型gan层(4)的厚度为2000nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
19
cm-3
，p
+
型gan层(5)的厚度为200nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
21
cm-3
，阴极金属(7)的材料为ti/au合金。阳极金属(6)的材料为al/au合金。
79.实施例4：
80.一种制备实施例1所述基于碳化硅衬底的氮化镓垂直器件的制备方法，包括以下步骤：
81.s1、在n
+
型sic衬底上依次外延生长n
+
型gan层、无掺杂gan层、p型gan层、p
+
型gan层；生长方法为金属有机化学气相沉积法(mocvd)；
82.s2、通过干法刻蚀进行台面刻蚀，刻蚀深度终点位于无掺杂gan层；刻蚀台面的方
法为电感耦合等离子体刻蚀(icp)；
83.采用电感耦合等离子体刻蚀(icp)进行台面刻蚀的具体过程为：
84.a、提供需要进行icp刻蚀的n
+
型sic衬底(1)及其外延材料；
85.b、在p
+
型gan层上涂覆光刻胶；
86.c、利用光刻显影技术，在光刻胶上显露出需要刻蚀的p
+
型gan层(5)区域；
87.d、使用电感耦合等离子体装置刻蚀p
+
型gan、p型gan层、无掺杂gan层，刻蚀深度延伸到无掺杂gan层；
88.e、使用化学溶液去除涂覆的光刻胶实现台面隔离的效果。
89.s3、在n
+
型sic衬底下方利用电子束蒸发(ebe)蒸镀阴极金属，退火形成欧姆接触；形成阴极欧姆接触的退火处理方式为在n2中900℃中退火1min。
90.s4、在p
+
型gan层上方利用电子束蒸发(ebe)蒸镀阳极金属，退火形成欧姆接触；形成阳极极欧姆接触的退火处理方式为在n2/o2混合气体中550℃中退火10min。
91.s5、在无掺杂gan层、p
+
型gan层和阳极金属的上方生长sio2钝化层；
92.s6、在步骤s5中生长的sio2钝化层上涂覆光刻胶，利用光刻显影技术，在光刻胶上显露出需要刻蚀开孔的sio2钝化层区域，在sio2钝化层需要蒸镀阳极金属场版的区域通过光刻显影和干法刻蚀的方法开孔，使用反应离子刻蚀刻蚀sio2钝化层直至阳极金属露出，刻蚀sio2的方法为反应离子刻蚀(rie)；
93.s7、在sio2钝化层开孔区域利用电子束蒸发(ebe)蒸镀阳极金属场版(fp)ti/au合金，采用lift-off技术对金属进行剥离。

技术特征：
1.一种碳化硅衬底上氮化镓垂直器件，其特征在于，包括n
+
型sic衬底，位于n
+
型sic衬底上为n
+
型gan层，n
+
型gan层上方为无掺杂gan层，无掺杂gan层上方为p型gan层，p型gan层上方为p
+
型gan层，器件进行区域刻蚀，从上方刻蚀至无掺杂gan层，p
+
型gan层上方为阳极金属，n
+
型sic衬底下方为阴极金属，阳极金属、p
+
型gan层、无掺杂gan层上方覆盖有开孔的sio2钝化层，sio2钝化层开孔处设有阳极金属场版。2.根据权利要求1所述的碳化硅衬底上氮化镓垂直器件，其特征在于，所述基于碳化硅衬底的氮化镓垂直器件包括下列条件之一种或多种：(1)n
+
型gan层的厚度为10～2000nm，掺杂元素为si，掺杂浓度为1
×
10
18
～1
×
10
20
cm-3
；(2)无掺杂gan层的厚度为1～100μm；(3)p型gan层的厚度为50～2000nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
17
～1
×
10
19
cm-3
；(4)p
+
型gan层的厚度为10～200nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
19
～1
×
10
21
cm-3
；(5)阴极金属的材料为ni、ni/au合金、ti/au合金中的任意一种；(6)阳极金属的材料为ni/au合金、pd/au合金、al/au合金中的任意一种；(7)阳极金属场版的材料为ni/au合金或ti/au合金。3.根据权利要求2所述的碳化硅衬底上氮化镓垂直器件，其特征在于，n
+
型gan层的厚度为1000nm，掺杂元素为si，掺杂浓度为1
×
10
19
cm-3
；无掺杂gan层的厚度为3μm；p型gan层的厚度为500nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
18
cm-3
；p
+
型gan层的厚度为50nm，掺杂元素为mg，掺杂浓度为1
×
10
20
cm-3
。4.一种制备权利要求1所述碳化硅衬底上氮化镓垂直器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、在n
+
型sic衬底上依次外延生长n
+
型gan层、无掺杂gan层、p型gan层、p
+
型gan层；s2、通过干法刻蚀进行台面刻蚀，刻蚀深度终点位于无掺杂gan层；s3、在n
+
型sic衬底下方蒸镀阴极金属，退火形成欧姆接触；s4、在p
+
型gan层上方蒸镀阳极金属，退火形成欧姆接触；s5、在无掺杂gan层、p
+
型gan层和阳极金属的上方生长sio2钝化层；s6、在sio2钝化层需要蒸镀阳极金属场版的区域通过光刻显影和干法刻蚀的方法开孔；s7、在sio2钝化层开孔区域蒸镀阳极金属场版(fp)。5.根据权利要求4所述的碳化硅衬底上氮化镓垂直器件的制备方法，其特征在于，步骤s1中的n
+
型gan层、无掺杂gan层、p型gan层、p
+
型gan层、以及步骤s5中的sio2钝化层的生长方法为金属有机化学气相沉积法或分子束外延法，进一步优选的，步骤s1中的n
+
型gan层、无掺杂gan层、p型gan层、p
+
型gan层、以及步骤s5中的sio2钝化层的生长方法为金属有机化学气相沉积法。6.根据权利要求4所述的碳化硅衬底上氮化镓垂直器件的制备方法，其特征在于，步骤s2中刻蚀台面和步骤s6中刻蚀sio2的方法为电感耦合等离子体刻蚀或反应离子刻蚀，进一步优选的，步骤s2中刻蚀台面的方法为电感耦合等离子体刻蚀,步骤s6中刻蚀sio2的方法为反应离子刻蚀。7.根据权利要求4所述的碳化硅衬底上氮化镓垂直器件的制备方法，其特征在于，步骤s3中蒸镀阴极金属、s4中蒸镀阳极金属和s7中蒸镀阳极金属场版的方法为电子束蒸发、磁控溅射和热蒸发中的一种，进一步优选的，步骤s3中蒸镀阴极金属和s4中蒸镀阳极金属和
s7中蒸镀阳极金属场版的方法为电子束蒸发。8.根据权利要求4所述的碳化硅衬底上氮化镓垂直器件的制备方法，其特征在于，步骤s3中所述的形成阴极欧姆接触的退火处理方式为在n2中900℃中退火1min。9.根据权利要求4所述的碳化硅衬底上氮化镓垂直器件的制备方法，其特征在于，步骤s4中所述的形成阳极极欧姆接触的退火处理方式为在n2/o2混合气体中550℃中退火10min。10.根据权利要求4所述的碳化硅衬底上氮化镓垂直器件的制备方法，其特征在于，步骤s2中采用电感耦合等离子体刻蚀进行台面刻蚀的具体过程为：a、提供需要进行icp刻蚀的n
+
型sic衬底及其外延材料；b、在p
+
型gan层上涂覆光刻胶；c、利用光刻显影技术，在光刻胶上显露出需要刻蚀的p
+
型gan层区域；d、使用电感耦合等离子体装置刻蚀p
+
型gan、p型gan层、无掺杂gan层，刻蚀深度延伸到无掺杂gan层；e、使用化学溶液去除涂覆的光刻胶实现台面隔离；步骤s6及步骤s7中阳极金属场版制备的具体过程为：a、在步骤s5中生长的sio2钝化层上涂覆光刻胶；b、利用光刻显影技术，在光刻胶上显露出需要刻蚀开孔的sio2钝化层区域；c、使用反应离子刻蚀刻蚀sio2钝化层直至阳极金属露出；d、使用电子束蒸发设备蒸镀阳极场版金属ti/au合金；e、采用lift-off技术对金属进行剥离。

技术总结
本发明涉及一种碳化硅衬底上氮化镓垂直器件及其制备方法，属于微电子研究的技术领域，氮化镓垂直器件包括n


技术研发人员：崔鹏 罗鑫 韩吉胜 钟宇 徐明升 汉多科
受保护的技术使用者：山东大学
技术研发日：2023.06.12
技术公布日：2023/8/30