用于AI碰撞行车记录仪的存储电路的制作方法

用于ai碰撞行车记录仪的存储电路
技术领域
1.本实用新型涉及行程记录仪技术领域，具体涉及一种用于ai碰撞行车记录仪的存储电路。


背景技术：

2.行车记录仪即记录车辆行驶途中的影像及声音等相关资讯的仪器。安装行车记录仪后，能够记录汽车行驶全过程的视频图像和声音，可为交通事故提供证据。喜欢自驾游的人，还可以用它来记录征服艰难险阻的过程。开车时边走边录像，同时把时间、速度、所在位置都记录在录像里，相当“黑匣子”。也可在家用作dv拍摄生活乐趣，或者作为家用监控使用。平时还可以做停车监控，安装行车记录仪，视频资料不可以裁剪，如果裁剪，在责任事故发生后则无法提供帮助。也是为了防止现在社会那些不可避免的碰瓷行为。
3.众所周知，在现有的行车记录仪中，需要对行车情况进行可靠存储，但是由于存在存储过程中存储设备出现静电涌流的情况，就容易导致存储设备出现断档或者重启的现象，影响了存储装置的可靠性。


技术实现要素：

4.本实用新型为了克服上述的不足，提供一种用于ai碰撞行车记录仪的存储电路。
5.本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：
6.一种用于ai碰撞行车记录仪的存储电路，包括卡座、集成电路、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一静电二极管、第二静电二极管、第三静电二极管、第四静电二极管、第五静电二极管、第六静电二极管和第七静电二极管，集成电路的型号为ssc323，卡座为micro sd卡座，卡座的第一端通过第一电阻与集成电路的第八十一端连接，卡座的第二端通过第二电阻与集成电路的第八十二端连接，卡座的第三端通过第三电阻与集成电路的第七十八端连接，卡座的第四端外接sd3.3v直流电压电源，卡座的第五端通过第四电阻与集成电路的第七十七端连接，卡座的第六端接地，卡座的第七端通过第五电阻与集成电路的第七十九端连接，卡座的第八端通过第六电阻与集成电路的第八十端连接，卡座的第九端通过第七电阻与集成电路的第十九端连接，micro sd卡座的第一端通过第一静电二极管接地，micro sd卡座的第二端通过第二静电二极管接地，micro sd卡座的第三端通过第三静电二极管接地，micro sd卡座的第五端通过第四静电二极管接地，micro sd卡座的第七端通过第五静电二极管接地，micro sd卡座的第八端通过第六静电二极管接地，micro sd卡座的第九端通过第七静电二极管接地；
7.卡座的第四端外接的sd3.3v直流电压电源连接有使能电路。
8.优选的，所述使能电路包括场效应管、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容，场效应管的漏极通过第一电容和第八电阻组成的并联电路与场效应管的栅极连接，场效应管的栅极与集成电路的第四十六端连接，场效应管的漏极外接3.3v直流电压电源，场效应管的漏极通过第十电阻与场效应管的源极连接，场效应
管的源极通过第二电容与场效应管的栅极连接，场效应管的源极分别通过第三电容、第四电容和第九电阻接地，场效应管的源极输出sd3.3v直流电压，且场效应管的源极与卡座的第四端连接，集成电路的第四十六端与场效应管的栅极连接，集成电路就可以控制场效应管的通断，来控制sd卡座的通断，来实现存储的通断，而且通过场效应管，能够起到静电隔离效果，进一步提高了存储电路的可靠性。
9.优选的，所述场效应管的型号为si23o1。
10.优选的，所述第一静电二极管、第二静电二极管、第三静电二极管、第四静电二极管、第五静电二极管、第六静电二极管和第七静电二极管的型号均为esd0402lf。
11.优选的，所述第三电容为钽电容。
12.本实用新型的有益效果是：该用于ai碰撞行车记录仪的存储电路中，micro sd卡座的第一端、第二端、第三端、第五端、第七端、第八端和第九端均通过一个静电二极管接地，从而能够起到静电保护作用，提高了存储电路的可靠性，同时，加入了使能电路，通过场效应管能够起到静电隔离效果，进一步提高了存储电路的可靠性。
附图说明
13.本实用新型将通过例子并参照附图的方式说明，其中：
14.图1是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
15.现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
16.如图1所示，一种用于ai碰撞行车记录仪的存储电路，包括卡座p1、集成电路u1、第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4、第五电阻r5、第六电阻r6、第七电阻r7、第一静电二极管esd1、第二静电二极管esd2、第三静电二极管esd3、第四静电二极管esd4、第五静电二极管esd5、第六静电二极管esd6和第七静电二极管esd7，集成电路u1的型号为ssc323，卡座p1为micro sd卡座，卡座p1的第一端通过第一电阻r1与集成电路u1的第八十一端连接，卡座p1的第二端通过第二电阻r2与集成电路u1的第八十二端连接，卡座p1的第三端通过第三电阻r3与集成电路u1的第七十八端连接，卡座p1的第四端外接sd3.3v直流电压电源，卡座p1的第五端通过第四电阻r4与集成电路u1的第七十七端连接，卡座p1的第六端接地，卡座p1的第七端通过第五电阻r5与集成电路u1的第七十九端连接，卡座p1的第八端通过第六电阻r6与集成电路u1的第八十端连接，卡座p1的第九端通过第七电阻r7与集成电路u1的第十九端连接，micro sd卡座的第一端通过第一静电二极管esd1接地，micro sd卡座的第二端通过第二静电二极管esd2接地，micro sd卡座的第三端通过第三静电二极管esd3接地，micro sd卡座的第五端通过第四静电二极管esd4接地，micro sd卡座的第七端通过第五静电二极管esd5接地，micro sd卡座的第八端通过第六静电二极管esd6接地，micro sd卡座的第九端通过第七静电二极管esd7接地，该电路中，micro sd卡座的第一端、第二端、第三端、第五端、第七端、第八端和第九端均通过一个静电二极管接地，从而能够起到静电保护作用，提高了存储电路的可靠性。
17.卡座p1的第四端外接的sd3.3v直流电压电源连接有使能电路。
18.具体的，所述使能电路包括场效应管q1、第八电阻r8、第九电阻r9、第十电阻r10、第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3和第四电容c4，场效应管q1的漏极通过第一电容c1和第八电阻r8组成的并联电路与场效应管q1的栅极连接，场效应管q1的栅极与集成电路u1的第四十六端连接，场效应管q1的漏极外接3.3v直流电压电源，场效应管q1的漏极通过第十电阻r10与场效应管q1的源极连接，场效应管q1的源极通过第二电容c2与场效应管q1的栅极连接，场效应管q1的源极分别通过第三电容c3、第四电容c4和第九电阻r9接地，场效应管q1的源极输出sd3.3v直流电压，且场效应管q1的源极与卡座p1的第四端连接，集成电路u1的第四十六端与场效应管q1的栅极连接，集成电路u1就可以控制场效应管q1的通断，来控制sd卡座p1的通断，来实现存储的通断，而且通过场效应管q1，能够起到静电隔离效果，进一步提高了存储电路的可靠性。
19.具体的，所述场效应管q1的型号为si23o1。
20.具体的，所述第一静电二极管esd1、第二静电二极管esd2、第三静电二极管esd3、第四静电二极管esd4、第五静电二极管esd5、第六静电二极管esd6和第七静电二极管esd7的型号均为esd0402lf。
21.具体的，所述第三电容c3为钽电容。
22.上述依据本实用新型为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

技术特征：
1.一种用于ai碰撞行车记录仪的存储电路，其特征在于：包括卡座、集成电路、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一静电二极管、第二静电二极管、第三静电二极管、第四静电二极管、第五静电二极管、第六静电二极管和第七静电二极管，集成电路的型号为ssc323，卡座为micro sd卡座，卡座的第一端通过第一电阻与集成电路的第八十一端连接，卡座的第二端通过第二电阻与集成电路的第八十二端连接，卡座的第三端通过第三电阻与集成电路的第七十八端连接，卡座的第四端外接sd3.3v直流电压电源，卡座的第五端通过第四电阻与集成电路的第七十七端连接，卡座的第六端接地，卡座的第七端通过第五电阻与集成电路的第七十九端连接，卡座的第八端通过第六电阻与集成电路的第八十端连接，卡座的第九端通过第七电阻与集成电路的第十九端连接，micro sd卡座的第一端通过第一静电二极管接地，micro sd卡座的第二端通过第二静电二极管接地，micro sd卡座的第三端通过第三静电二极管接地，micro sd卡座的第五端通过第四静电二极管接地，micro sd卡座的第七端通过第五静电二极管接地，micro sd卡座的第八端通过第六静电二极管接地，micro sd卡座的第九端通过第七静电二极管接地；卡座的第四端外接的sd3.3v直流电压电源连接有使能电路。2.根据权利要求1所述的用于ai碰撞行车记录仪的存储电路，其特征在于：所述使能电路包括场效应管、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容，场效应管的漏极通过第一电容和第八电阻组成的并联电路与场效应管的栅极连接，场效应管的栅极与集成电路的第四十六端连接，场效应管的漏极外接3.3v直流电压电源，场效应管的漏极通过第十电阻与场效应管的源极连接，场效应管的源极通过第二电容与场效应管的栅极连接，场效应管的源极分别通过第三电容、第四电容和第九电阻接地，场效应管的源极输出sd3.3v直流电压，且场效应管的源极与卡座的第四端连接。3.根据权利要求2所述的用于ai碰撞行车记录仪的存储电路，其特征在于：所述场效应管的型号为si23o1。4.根据权利要求2所述的用于ai碰撞行车记录仪的存储电路，其特征在于：所述第一静电二极管、第二静电二极管、第三静电二极管、第四静电二极管、第五静电二极管、第六静电二极管和第七静电二极管的型号均为esd0402lf。5.根据权利要求2所述的用于ai碰撞行车记录仪的存储电路，其特征在于：所述第三电容为钽电容。

技术总结
本实用新型公开了一种用于AI碰撞行车记录仪的存储电路，包括卡座、集成电路、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一静电二极管、第二静电二极管、第三静电二极管、第四静电二极管、第五静电二极管、第六静电二极管和第七静电二极管，集成电路的型号为SSC323，该用于AI碰撞行车记录仪的存储电路中，micro SD卡座的第一端、第二端、第三端、第五端、第七端、第八端和第九端均通过一个静电二极管接地，从而能够起到静电保护作用，提高了存储电路的可靠性，同时，加入了使能电路，通过场效应管能够起到静电隔离效果，进一步提高了存储电路的可靠性。进一步提高了存储电路的可靠性。进一步提高了存储电路的可靠性。


技术研发人员：郑长征 孙铁征
受保护的技术使用者：深圳市海圳汽车技术有限公司
技术研发日：2023.03.31
技术公布日：2023/9/1