一种脱毛设备的控制电路的制作方法

1.本实用新型涉及脱毛器的控制电路技术领域，更具体地说，涉及一种脱毛设备的控制电路。


背景技术：

2.目前，脱毛设备在治疗人体不同部位时，需要更换不同的治疗头来实现不同光斑大小的切换，导致一台设备具有多个治疗手柄的情况，增加了成本同时还降低了临床医疗的便捷性。
3.因此，在此背景下，设计实现出两种可变换光斑的激光脱毛光学治疗头，一种是连续变换光斑激光光学治疗头；一种是旋转阶跃变换光斑激光光学治疗头。两种可变换光斑激光脱毛治疗头的设计分别包含半导体激光光源的选型，光斑变换方法设计，实现了同一治疗头可变换输出不同类型均匀光斑的目标。
4.然而，控制两种治疗头均可输出三种不同类型的均匀光斑，使得一“头”多用，增强了医疗使用的便捷性，但其控制电路工作在不同治疗头输出三种不同类型的均匀光斑时，由于工作电流可能发生突变，导致控制电路的功率管可能被击穿，进而影响脱毛器的稳定性。


技术实现要素：

5.本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述控制电路工作在不同治疗头输出三种不同类型的均匀光斑时，由于工作电流可能发生突变，导致控制电路的功率管可能被击穿的缺陷，提供一种可靠性较高且工作平稳的脱毛设备的控制电路。
6.本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种脱毛设备的控制电路，具备：
7.驱动电路，其配置于控制电路内，用于接收主控器输出的pwm脉冲信号；
8.第一变压器，其初级绕组的一端与电源输出端连接，用于获取电流信号，所述初级绕组的另一端与所述驱动电路的一端连接；
9.取样电路，其一端与所述第一变压器的次级绕组的一端连接，用于获取取样信号，
10.所述取样电路的另一端与所述主控器的取样反馈端连接，将所述取样信号反馈至所述主控器；
11.脱毛电路，其正极与所述第一变压器的次级绕组的一端连接，用于接收驱动其工作的所述电流信号，其负极与公共端连接；
12.调控电路，其一端与所述脱毛电路的升压端连接，所述调控电路用于控制所述脱毛电路的工作功率。
13.在一些实施方式中，所述驱动电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管及场效应管，
14.所述第一三极管的基极与所述主控器的pwm信号端连接，用于接收所述pwm脉冲信
号。
15.所述第二三极管的基极与所述第一三极管的集电极连接，所述第二三极管的发射极与电源端连接，
16.所述第三三极管的基极与所述第二三极管的集电极连接，
17.所述场效应管的栅极与所述第三三极管的集电极连接，
18.所述场效应管的漏极与所述初级绕组的另一端连接，
19.所述场效应管的源极与公共端连接。
20.在一些实施方式中，所述第一三极管为npn型三极管，
21.所述第二三极管及所述第三三极管为pnp型三极管，
22.所述场效应管为n沟道增强型mos管。
23.在一些实施方式中，所述取样电路包括串联连接的第七电阻、第八电阻、第九电阻及第十电阻，
24.所述第七电阻的一端耦接于所述第一变压器的次级绕组的一端，
25.所述第九电阻及所述第十电阻的连接端与所述主控器的取样反馈端连接。
26.在一些实施方式中，所述调控电路包括第二变压器及可控硅，
27.所述第二变压器的初级绕组的一端与所述第一变压器的次级绕组的一端连接，所述第二变压器的初级绕组的一端还与所述可控硅的阳极连接，所述可控硅的阴极与公共端连接，
28.所述第二变压器的次级绕组的一端与所述脱毛电路的升压端连接。
29.在一些实施方式中，还包括触发电路，
30.所述触发电路的一端与所述主控器的信号输出端连接，
31.所述触发电路的另一端与所述可控硅的的控制端连接。
32.在一些实施方式中，所述触发电路包括第四三极管，
33.所述第四三极管的基极耦接于所述主控器的信号输出端，
34.所述第四三极管的集电极与电源端连接，
35.所述第四三极管的发射极与所述可控硅的控制端连接，
36.所述可控硅的阳极与所述第二变压器的初级绕组的一端连接。
37.在一些实施方式中，还包括吸峰电路，
38.所述吸峰电路的一端与所述第一变压器的初级绕组的一端连接，
39.所述吸峰电路的另一端与所述第一变压器的初级绕组的另一端连接。
40.在本实用新型所述的脱毛设备的控制电路中，包括用于接收主控器输出的pwm脉冲信号的驱动电路、第一变压器、取样电路、脱毛电路及调控电路，其中，取样电路用于获取取样信号，取样电路的另一端与主控器的取样反馈端连接，将取样信号反馈至主控器；脱毛电路用于接收驱动其工作的电流信号，其负极与公共端连接，调控电路用于控制脱毛电路的工作功率。与现有技术相比，通过驱动电路、主控器及调控电路配合使用，驱动电路用于触发脱毛电路工作，主控器根据脱毛电路的工作电流调节驱动电路的驱动占空比，调控电路用于控制脱毛电路输出光斑的功率，可有效解决控制电路工作在不同治疗头输出三种不同类型的均匀光斑时，由于工作电流可能发生突变，导致控制电路的功率管可能被击穿的问题。
附图说明
41.下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：
42.图1是本实用新型提供脱毛设备的控制电路一实施例的电路原理图。
具体实施方式
43.为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本实用新型的具体实施方式。
44.如图1所示，在本实用新型的脱毛设备的控制电路的第一实施例中，脱毛设备的控制电路10包括主控器mcu、吸峰电路110、驱动电路120、取样电路130、脱毛电路140、调控电路150及触发电路160。
45.其中，主控器mcu设有多个预设值，如负载在工作在低功率时、中功率时及高功率时。
46.其具有运算、输出pwm脉冲信号、信号比较及输出电平信号的作用。
47.吸峰电路110用于吸收负载停止时第一变压器tr1初级侧的寄生电流信号。
48.驱动电路120用于控制第一变压器tr1的开/关状态。
49.取样电路130用于获取负载工作时的电流信号，并将获取的电流信号反馈至主控器mcu。
50.脱毛电路140用于产生并输出均匀光斑，以用于脱毛。
51.调控电路150用于调控脱毛电路140输出的电流或电压，以控制其工作的功率。
52.触发电路160用于控制调控电路150的工作状态。
53.具体地，驱动电路120配置于控制电路内，其输入端与主控器mcu的脉冲信号输出端(对应mcu-pwm端)连接，用于接收主控器mcu输出的pwm脉冲信号，通过该pwm脉冲信号控制第一变压器tr1的通/断状态。
54.第一变压器tr1的初级绕组(对应n1)的一端与电源输出端(对于dc-in端)连接，其用于接收电源输出端(对于dc-in端)输出的电流信号，初级绕组(对应n1)的另一端与驱动电路120的一端连接。
55.当驱动电路120导通时，第一变压器tr1的初级绕组(对应n1)侧形成电流回路，使得在第一变压器tr1的次级绕组(对应n2)侧输出耦合电流。
56.取样电路130的一端与第一变压器tr1的次级绕组(对应n2)的一端连接，用于获取第一变压器tr1的次级绕组(对应n2)侧输出的取样信号。
57.取样电路130的另一端与主控器mcu的取样反馈端(对应mcu-adc端)连接，将取样信号反馈至主控器mcu。
58.当负载输出在中功率时，主控器mcu根据反馈的取样信号与预设值进行比较，当取样信号大于预设值时，主控器mcu根据比较结果输出控制驱动电路120降低驱动占空比的pwm脉冲信号或停止输出pwm脉冲信号，进而保证负载工作的安全性及可靠性。
59.需要说明的是，负载输出在低功率或高功率状态时，主控器mcu根据反馈的取样信号与对应的预设值进行比较，再根据比较结果控制驱动电路120通/断或控制其驱动占空比，以控制其工作状态。
60.进一步地，脱毛电路140的正极与第一变压器tr1的次级绕组(对应n2)的一端连
接，用于接收驱动其工作的电流信号，脱毛电路140的负极与公共端连接，通过第一变压器tr1的次级绕组(对应n2)输入的电流信号，进而触发脱毛电路140工作。
61.调控电路150的一端与脱毛电路140的升压端连接，调控电路150用于控制脱毛电路140的工作功率。
62.举例而言，当需要对脸部进行脱毛操作时，脱毛电路140控制负载输出在低功率(例如工作为0.2a，)状态，此时调控电路150不介入，由驱动电路120控制第一变压器tr1输出工作电流；
63.当需要对手臂或腿部行脱毛操作时，脱毛电路140控制负载输出在中功率(例如工作为0.4a，)状态，此时调控电路150不介入，由驱动电路120控制第一变压器tr1输出工作电流；
64.当需要对腋窝进行脱毛操作时，脱毛电路140控制负载输出在高功率(例如工作为0.7a，)状态，此时调控电路150介入，通过驱动电路120与调控电路150配合，进而增加脱毛电路140的工作电流，一方面，控制两种治疗头均可输出三种不同类型的均匀光斑，使得一“头”多用，增强了医疗使用的便捷性；
65.另一方面，通过取样电路130检测负载工作时的电流信号，并将获取的电流信号反馈至主控器mcu，主控器mcu根据取样信号与预设值的比较结果输出控制驱动电路120降低驱动占空比的pwm脉冲信号或停止输出pwm脉冲信号，进而保证负载工作状态的可靠性，可有效解决由于工作电流可能发生突变，导致控制电路的功率管可能被击穿，进而影响脱毛器的稳定性。
66.在一些实施方式中，为了保证负载工作的可靠性，可在驱动电路120中设置第一三极管vt101、第二三极管vt102、第三三极管vt103及场效应管vt104，其中，上述开关管具有开关的作用。
67.第一三极管vt101为npn型三极管，
68.第二三极管vt102及第三三极管vt103为pnp型三极管，
69.场效应管vt104为n沟道增强型mos管。
70.具体地，第一三极管vt101的基极通过第二电阻r102与主控器mcu的pwm信号端(对应mcu-pwm端)连接，用于接收pwm脉冲信号。
71.第二三极管vt102的基极与第一三极管vt101的集电极连接，第二三极管vt102的基极通过串联连接的第三电阻r103及第四电阻r104与电源端(对应acc12v端)连接，第二三极管vt102的发射极与电源端(对应acc12v端)连接。
72.第三三极管vt103的基极与第二三极管vt102的集电极连接，
73.场效应管vt104的栅极与第三三极管vt103的集电极连接，场效应管vt104的栅极与第二二极管d102的阴极连接，第二二极管d102的阳极与第二三极管vt102的集电极连接，场效应管vt104的漏极与初级绕组的另一端连接，场效应管vt104的源极与公共端连接。
74.具体而言，当主控器mcu输出的pwm脉冲信号为高电平时，第一三极管vt101导通，第二三极管vt102的基极电位被拉低，使得第二三极管vt102导通，场效应管vt104的栅极为高电平，使得场效应管vt104导通，电流信号在第一变压器tr1的初级绕组(对应n1)侧形成电流回路，进而在第一变压器tr1的次级绕组(对应n2)侧输出电流信号，以控制脱毛电路140工作低功率或中功率状态；
75.当负载输出在低/中功率时，取样信号大于预设值时，主控器mcu根据比较结果输出控制驱动电路120停止输出pwm脉冲信号，第一三极管vt101由导通转为截止，第二三极管vt102的基极电位为高电平，第二三极管vt102由导通转为截止，第三三极管vt103的基极电位为低电平，第三三极管vt103导通，将场效应管vt104的栅极电平拉低，进而控制场效应管vt104截止，第一变压器tr1的初级绕组(对应n1)由通路转为断路，第一变压器tr1的次级绕组(对应n2)侧无电流信号输出。
76.在一些实施方式中，为了提高控制电路工作的可靠性，可在取样电路130中设置第七电阻r107、第八电阻r108、第九电阻r109及第十电阻r110，其用于获取第一变压器tr1的次级绕组(对应n2)侧的电流信号。
77.其中，第七电阻r107、第八电阻r108、第九电阻r109及第十电阻r110串联连接，第七电阻r107的一端耦接于第一变压器tr1的次级绕组(对应n2)的一端，第九电阻r109及第十电阻r110的连接端与主控器mcu的取样反馈端(对应mcu-adc端)连接，并将获取的电流信号反馈至主控器mcu，第十电阻r110的另一端与公共端连接。
78.在一些实施方式中，为了提高控制电路的性能，可在调控电路150中设置第二变压器tr2及可控硅vs101，其中，可控硅vs101具有开关的作用。
79.具体地，第二变压器tr2的初级绕组(对应n1端)的一端与第一变压器tr1的次级绕组(对应n2端)的一端连接，第二变压器tr2的初级绕组(对应n1端)的一端还与可控硅vs101的阳极连接，可控硅vs101的阴极与公共端连接，
80.第二变压器tr2的次级绕组的一端与脱毛电路140的升压端连接。
81.在一些实施方式中，还包括触发电路160，
82.触发电路160的一端与主控器mcu的信号输出端连接，
83.触发电路160的另一端与可控硅vs101的控制端连接。
84.在一些实施方式中，为了提高控制电路的性能，可在控制电路中设置触发电路160包括第四三极管vt105，其中，第四三极管vt105具有开关的作用，其为npn型三极管。
85.具体地，第四三极管vt105的基极通过第十六电阻r116与主控器mcu的信号输出端(对应trigger-puise端)连接，用于接收主控器mcu输出的电平信号。
86.第四三极管vt105的集电极通过第十七电阻r117与电源端(对应acc12v)连接，用于接收驱动电流信号。
87.第四三极管vt105的发射极与可控硅vs101的控制端连接，
88.可控硅vs101的阳极与第二变压器tr2的初级绕组的一端连接。
89.具体而言，当需要将负载提升至高功率工作状态时，主控器mcu的信号输出端(对应trigger-puise端)输出的电平信号为低电平，第四三极管vt105截止，第一变压器tr1的次级绕组(对应n2端)输出的电流信号输入的第二变压器tr2的初级绕组(对应n1端)，电流信号经第二变压器tr2升压处理后，输入脱毛电路140的升压端，以增加脱毛电路140的工作电流；
90.当需要将负载控制在低/中功率工作状态时，主控器mcu的信号输出端(对应trigger-puise端)输出的电平信号为高电平，第四三极管vt105由截止转为导通状态，可控硅vs101的控制端为高电平，使得可控硅vs101工作在导通状态，第二变压器tr2的初级绕组(对应n1端)的电位被拉低，使得第二变压器tr2的次级绕组侧无感应电流，进而控制负载工
作在低/中功率状态。
91.在一些实施方式中，为了保证负载工作的安全性，可在电路中设置吸峰电路110，其中，吸峰电路110的一端与第一变压器tr1的初级绕组(对应n1)的一端连接，吸峰电路110的另一端与第一变压器tr1的初级绕组(对应n1)的另一端连接。
92.具体地，吸峰电路110包括第一二极管d101、第一电阻r101及第四电容c104，其中，并联连接的第一电阻r101及第四电容c104与第一变压器tr1的初级绕组(对应n1)的一端连接，第一二极管d101的阳极与第一变压器tr1的初级绕组(对应n1)的另一端，第一二极管d101的阴极与第一电阻r101及第四电容c104的另一端连接。
93.当负载突然停止时，在第一变压器tr1的初级绕组(对应n1)侧形成比较大的寄生电流，为了避免场效应管vt104或其他开关管被击穿，第一变压器tr1的初级绕组(对应n1)的寄生电流通过第一二极管d101输入第一电阻r101及第四电容c104，通过第一电阻r101及第四电容c104消耗寄生电流，进而保证电路的安全性及可靠性。
94.上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本实用新型的保护之内。

技术特征：
1.一种脱毛设备的控制电路，其特征在于，具备：驱动电路，其配置于控制电路内，用于接收主控器输出的pwm脉冲信号；第一变压器，其初级绕组的一端与电源输出端连接，用于获取电流信号，所述初级绕组的另一端与所述驱动电路的一端连接；取样电路，其一端与所述第一变压器的次级绕组的一端连接，用于获取取样信号，所述取样电路的另一端与所述主控器的取样反馈端连接，将所述取样信号反馈至所述主控器；脱毛电路，其正极与所述第一变压器的次级绕组的一端连接，用于接收驱动其工作的所述电流信号，其负极与公共端连接；调控电路，其一端与所述脱毛电路的升压端连接，所述调控电路用于控制所述脱毛电路的工作功率。2.根据权利要求1所述的脱毛设备的控制电路，其特征在于，所述驱动电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管及场效应管，所述第一三极管的基极与所述主控器的pwm信号端连接，用于接收所述pwm脉冲信号，所述第二三极管的基极与所述第一三极管的集电极连接，所述第二三极管的发射极与电源端连接，所述第三三极管的基极与所述第二三极管的集电极连接，所述场效应管的栅极与所述第三三极管的集电极连接，所述场效应管的漏极与所述初级绕组的另一端连接，所述场效应管的源极与公共端连接。3.根据权利要求2所述的脱毛设备的控制电路，其特征在于，所述第一三极管为npn型三极管，所述第二三极管及所述第三三极管为pnp型三极管，所述场效应管为n沟道增强型mos管。4.根据权利要求1所述的脱毛设备的控制电路，其特征在于，所述取样电路包括串联连接的第七电阻、第八电阻、第九电阻及第十电阻，所述第七电阻的一端耦接于所述第一变压器的次级绕组的一端，所述第九电阻及所述第十电阻的连接端与所述主控器的取样反馈端连接。5.根据权利要求1所述的脱毛设备的控制电路，其特征在于，所述调控电路包括第二变压器及可控硅，所述第二变压器的初级绕组的一端与所述第一变压器的次级绕组的一端连接，所述第二变压器的初级绕组的一端还与所述可控硅的阳极连接，所述可控硅的阴极与公共端连接，所述第二变压器的次级绕组的一端与所述脱毛电路的升压端连接。6.根据权利要求5所述的脱毛设备的控制电路，其特征在于，还包括触发电路，所述触发电路的一端与所述主控器的信号输出端连接，所述触发电路的另一端与所述可控硅的控制端连接。7.根据权利要求6所述的脱毛设备的控制电路，其特征在于，
所述触发电路包括第四三极管，所述第四三极管的基极耦接于所述主控器的信号输出端，所述第四三极管的集电极与电源端连接，所述第四三极管的发射极与所述可控硅的控制端连接，所述可控硅的阳极与所述第二变压器的初级绕组的一端连接。8.根据权利要求1-7任一所述的脱毛设备的控制电路，其特征在于，还包括吸峰电路，所述吸峰电路的一端与所述第一变压器的初级绕组的一端连接，所述吸峰电路的另一端与所述第一变压器的初级绕组的另一端连接。

技术总结
本实用新型涉及脱毛器的控制电路技术领域，公开了一种可靠性较高且工作平稳的脱毛设备的控制电路，具备：驱动电路(120)，用于接收主控器输出的PWM脉冲信号；第一变压器(TR1)，用于获取电流信号，初级绕组的另一端与驱动电路(120)的一端连接；取样电路(130)，用于获取取样信号，取样电路(130)的另一端与主控器(MCU)的取样反馈端连接，将取样信号反馈至主控器(MCU)；脱毛电路(140)，用于接收驱动其工作的电流信号，其负极与公共端连接；调控电路(150)，其一端与脱毛电路(140)的升压端连接，调控电路(150)用于控制脱毛电路(140)的工作功率。功率。功率。


技术研发人员：郭志国 刘金刚 周楚敏 胡平
受保护的技术使用者：深圳国裕智能电子有限公司
技术研发日：2022.11.21
技术公布日：2023/9/1