一种驱动控制电路及控制方法与流程

1.本技术涉及驱动控制技术领域，尤其涉及一种驱动控制电路及控制方法。


背景技术：

2.变频空调驱动功率变换器中含有大量硅(si)功率器件，但其已经达到其理论极限，无法满足电力电子高速化、低功耗开关需要。相较于硅(si)功率器件，碳化硅(sic)功率器件具有更高的击穿电场强度、更高的工作温度和更高的工作频率。因此，sic广泛应用于驱动控制电路中。
3.如图1所示，为传统驱动控制电路，该电路中，通过dsp(digital signal processing，数字信号处理器)发出pwm(pulse width modulation，脉宽调制)波，经过推挽电路和栅极驱动电阻rg1驱动碳化硅场效应晶体管(sic mosfet)。具体的，开通过程为：经过推挽电路q1和rg1驱动sic mosfet导通；关断过程为：经过推挽电路q2和rg1驱动sic mosfet关断。
4.然而，sic mosfet的快速开关，会使电流对时间的变化率(di/dt)和电压对时间的变化率(du/dt)较高，同时，由于电路中寄生电感和寄生电阻等参数的存在，使sic mosfet在开关过程中容易发生电流、电压过冲和震荡。
5.如图2所示，为驱动碳化硅场效应晶体管开通过程电压电流变化图，可见，在t1时刻会产生电流(ids)尖峰，即，电流过冲。如图3所示，为驱动碳化硅场效应晶体管关断过程电压电流变化图，可见，在t2时刻会产生碳化硅场效应晶体管d-s极电压(vds)尖峰，即，电压过冲。这会产生额外的开关损耗，甚至造成器件损坏。


技术实现要素：

6.本技术实施例的目的在于提供一种驱动控制电路及控制方法，以解决碳化硅场效应晶体管在开关过程中容易发生电流、电压过冲和震荡的问题。具体技术方案如下：
7.第一方面，提供了一种驱动控制电路，所述电路包括驱动芯片、推挽电路、第一栅极驱动电阻、电阻调节电路、电压检测电路以及驱动开关管；
8.所述驱动芯片的输出端与所述推挽电路的输入端连接，所述推挽电路的输出端经过所述第一栅极驱动电阻与所述电阻调节电路的第一输入端连接，所述电阻调节电路的输出端与所述驱动开关管的栅极连接，所述电阻调节电路的第二输入端与所述电压检测电路的输出端连接，所述电压检测电路的第一输入端与所述驱动开关管的栅极连接，所述电压检测电路的第二输入端与所述驱动开关管的源极连接，所述驱动开关管的源极接地，所述驱动开关管的漏极连接母线电压p端。
9.在一个可能的实施方式中，所述推挽电路包括第一控制开关管和第二控制开关管；
10.所述第一控制开关管的栅极与所述第二控制开关管的栅极连接，所述第一控制开关管的发射极与所述第二控制开关管的集电极连接，所述第一控制开关管的集电极连接电
源，所述第二控制开关管的发射极接地；
11.其中，所述第一控制开关管的栅极与所述第二控制开关管的栅极作为所述推挽电路的输入端，所述第一控制开关管的发射极与所述第二控制开关管的集电极作为所述推挽电路的输出端。
12.在一个可能的实施方式中，所述第一控制开关管和所述第二控制开关管均为绝缘栅双极型晶体管。
13.在一个可能的实施方式中，所述电阻调节电路包括第二栅极驱动电阻、第三控制开关管以及微控制单元，所述微控制单元用于根据所述电压检测电路检测的电压驱动第三控制开关管开通或关断；
14.所述第三控制开关管的集电极与所述第二栅极驱动电阻的第一端连接，所述第三控制开关管的发射极与所述第二栅极驱动电阻的第二端连接，所述第三控制开关管的栅极与所述微控制单元的输出端连接；
15.其中，所述第三控制开关管的集电极与所述第二栅极驱动电阻的第一端作为所述电阻调节电路的第一输入端，所述微控制单元作为所述电阻调节电路的第二输入端，所述第三控制开关管的发射极与所述第二栅极驱动电阻的第二端作为所述电阻调节电路的输出端。
16.在一个可能的实施方式中，所述第三控制开关管为绝缘栅双极型晶体管。
17.在一个可能的实施方式中，所述电压检测电路包括第一检测电阻和第二检测电阻；
18.所述第一检测电阻的第一端为所述电压检测电路的第一输入端，所述第一检测电阻的第二端与所述第二检测电阻的第一端连接，所述第二检测电阻的第二端为所述电压检测电路的第二输入端，所述第一检测电阻的第二端与所述第二检测电阻的第一端作为所述电压检测电路的输出端。
19.在一个可能的实施方式中，所述驱动控制电路还包括源极电阻；
20.所述电压检测电路的第二输入端与所述驱动开关管的源极连接，所述驱动开关管的源极接地，具体为：
21.所述源极电阻的第一端与所述驱动开关管的源极连接，所述源极电阻的第二端接地，所述源极电阻的第二端还与所述电压检测电路的第二输入端连接。
22.在一个可能的实施方式中，所述驱动开关管为碳化硅场效应晶体管。
23.第二方面，提供了一种控制方法，应用于如第一方面所述的驱动控制电路中，所述方法包括：
24.在驱动芯片指示推挽电路驱动驱动开关管开通或关断的过程中，利用电压检测电路检测所述驱动开关管的栅极和源极之间的电压；
25.在所述电压小于预设的电压基准值的情况下，控制所述电阻调节电路增加所述驱动开关管的栅极电阻，以在驱动所述驱动开关管开通过程中，延长充电时间，以及，在驱动所述驱动开关管关断过程中，延长放电时间。
26.第三方面，提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；
27.存储器，用于存放计算机程序；
28.处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现第一方面任一所述的方法步骤。
29.第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现第一方面任一所述的方法步骤。
30.第五方面，提供了一种包含指令的计算机程序产品，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述任一所述的控制方法。
31.本技术实施例有益效果：
32.本技术实施例提供了一种驱动控制电路，所述电路包括驱动芯片、推挽电路、第一栅极驱动电阻、电阻调节电路、电压检测电路以及驱动开关管，所述驱动芯片的输出端与所述推挽电路的输入端连接，所述推挽电路的输出端经过所述第一栅极驱动电阻与所述电阻调节电路的第一输入端连接，所述电阻调节电路的输出端与所述驱动开关管的栅极连接，所述电阻调节电路的第二输入端与所述电压检测电路的输出端连接，所述电压检测电路的第一输入端与所述驱动开关管的栅极连接，所述电压检测电路的第二输入端与所述驱动开关管的源极连接，所述驱动开关管的源极接地，所述驱动开关管的漏极连接母线电压p端。
33.通过该驱动控制电路，在驱动驱动开关管开关过程中，可以利用电压检测电路检测驱动开关管栅极和源极之间的电压，确定其开关状态，进而，利用电阻调节电路根据开关状态调节推挽电路和驱动开关管之间的电阻大小，延长驱动开关管在开通过程中的充电时间，以及，在关断过程中的放电时间，从而，降低开关过程中电流、电压过冲和振荡问题。
34.当然，实施本技术的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
35.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
36.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
37.一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
38.图1为传统驱动控制电路的电路图；
39.图2为驱动驱动开关管开通过程电压电流变化图；
40.图3为驱动驱动开关管关断过程电压电流变化图；
41.图4为本技术实施例提供的一种驱动控制电路的电路图；
42.图5为各个控制开关管和驱动开关管的工作状态图；
43.图6为本技术实施例提供的一种控制方法的流程示意图。
具体实施方式
44.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例
中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
45.下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。
46.由于，利用传统驱动控制电路驱动碳化硅场效应晶体管开关的过程中，碳化硅场效应晶体管的快速开关，会使电流对时间的变化率(di/dt)和电压对时间的变化率(du/dt)较高，同时，由于电路中寄生电感和寄生电阻等参数的存在，使碳化硅场效应晶体管在开关过程中容易发生电流、电压过冲和震荡，这会产生额外的开关损耗，甚至造成器件损坏。
47.为此，本技术实施例提供了一种驱动控制电路及控制方法，如图4所示，所述电路包括驱动芯片、推挽电路、第一栅极驱动电阻rg1、电阻调节电路、电压检测电路以及驱动开关管qd；
48.所述驱动芯片的输出端与所述推挽电路的输入端连接，所述推挽电路的输出端经过所述第一栅极驱动电阻rg1与所述电阻调节电路的第一输入端连接，所述电阻调节电路的输出端与所述驱动开关管qd的栅极连接，所述电阻调节电路的第二输入端与所述电压检测电路的输出端连接，所述电压检测电路的第一输入端与所述驱动开关管qd的栅极连接，所述电压检测电路的第二输入端与所述驱动开关管qd的源极连接，所述驱动开关管qd的源极接地。
49.驱动芯片，用于发出驱动驱动开关管qd开关的驱动信号。驱动信号一般为pwm(pulse width modulation，脉宽调制)波，pwm波形可以为高电平，也可以为低电平。在pwm波形为高电平时，驱动驱动开关管qd开通，在pwm波形为低电平时，驱动驱动开关管qd关断。
50.应用中，驱动芯片，可以为dsp(digital signal processing，数字信号处理器)。
51.推挽电路，用于根据驱动芯片发出的驱动信号，确定对驱动开关管qd进行开通(即充电)或关断(即放电)。
52.第一栅极驱动电阻rg1，用于在驱动驱动开关管qd开通或关断过程中控制电路中的电流；
53.电阻调节电路，用于在驱动驱动开关管qd开通或关断过程中调节电路中的电阻，进一步控制电路中的电流；
54.电压检测电路，用于检测驱动开关管qd的栅极g与源极s间进行电压采样，并将采样得到的电压vgs反馈至电阻调节电路中的微控制单元mcu。
55.驱动开关管qd，为该驱动控制电路中的负载，所述驱动开关管qd的漏极为输出端。在一实施例中，驱动开关管qd可以为碳化硅场效应晶体管。
56.该驱动控制电路，通过pwm波输入信号经过电阻调节电路和第一栅极驱动电阻rg1来驱动驱动开关管qd的开通与关断，此负载为碳化硅场效应晶体管，当检测到电压符合条件时(即，发生电压过冲或电流过冲)，利用电阻调节电路根据开关状态调节推挽电路和碳化硅场效应晶体管之间的电阻大小。
57.其中，碳化硅场效应晶体管可以更换为其他同类型开关管，例：常规的场效应晶体
管、碳化硅的igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)、普通的igbt等相类似器件。
58.通过该驱动控制电路，在驱动驱动开关管qd开关过程中，可以利用电压检测电路检测驱动开关管qd栅极和源极之间的电压，确定其开关状态，进而，利用电阻调节电路根据开关状态调节推挽电路和驱动开关管qd之间的电阻大小，延长驱动开关管qd在开通过程中的充电时间，以及，在关断过程中的放电时间，从而，降低开关过程中电流、电压过冲和振荡问题。
59.在本发明的又一实施例中，所述推挽电路包括第一控制开关管q1和第二控制开关管q2；
60.所述第一控制开关管q1的栅极与所述第二控制开关管q2的栅极连接，所述第一控制开关管q1的发射极与所述第二控制开关管q2的集电极连接，所述第一控制开关管q1的集电极连接电源，所述第二控制开关管q2的发射极接地；
61.其中，所述第一控制开关管q1的栅极与所述第二控制开关管q2的栅极作为所述推挽电路的输入端，所述第一控制开关管q1的发射极与所述第二控制开关管q2的集电极作为所述推挽电路的输出端。
62.应用中，当驱动芯片发送高电平时，第一控制开关管q1导通，第二控制开关管q2关断；当驱动芯片发送低电平时，第一控制开关管q1关断，第二控制开关管q2导通。
63.在本发明的又一实施例中，所述第一控制开关管q1和所述第二控制开关管q2均为igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)。igbt具有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点。
64.需要说明的是，应用中，所述第一控制开关管q1和所述第二控制开关管q2，也可以为场效应晶体管、碳化硅的igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)等相类似器件。
65.在本发明的又一实施例中，所述电阻调节电路包括第二栅极驱动电阻rg2、第三控制开关管q3以及微控制单元mcu，所述微控制单元mcu用于根据所述电压检测电路检测的电压驱动第三控制开关管q3开通或关断；
66.所述第三控制开关管q3的集电极与所述第二栅极驱动电阻rg2的第一端连接，所述第三控制开关管q3的发射极与所述第二栅极驱动电阻rg2的第二端连接，所述第三控制开关管q3的栅极与所述微控制单元mcu的输出端连接；
67.其中，所述第三控制开关管q3的集电极与所述第二栅极驱动电阻rg2的第一端作为所述电阻调节电路的第一输入端，所述微控制单元mcu作为所述电阻调节电路的第二输入端，所述第三控制开关管q3的发射极与所述第二栅极驱动电阻rg2的第二端作为所述电阻调节电路的输出端。
68.这里，微控制单元mcu，用于接收电压检测电路检测到的驱动开关管qd的栅极g与源极s间的电压vgs，并根据vgs和预设的电压基准值vgs(th)，进行逻辑判断，确定在何时输出高电平，以驱动第三控制开关管q3导通，以及，何时输出低电平，以驱动第三控制开关管q3关断。
69.具体的，在vgs小于vgs(th)时，输出低电平，使第三控制开关管q3保持关断状态，此时，通过第一栅极驱动电阻rg1和第二栅极驱动电阻rg2为驱动开关管qd进行充电或放
电；而在vgs大于或等于vgs(th)时，输出高电平，驱动第三控制开关管q3导通，使第二栅极驱动电阻rg2被短路，仅由第一栅极驱动电阻rg1为驱动开关管qd进行充电或放电。
70.其中，电压基准值vgs(th)，为驱动开关管qd工作在饱和区的某一区间范围内设定值，为预先根据驱动控制电路出现电流尖峰或电压尖峰的时机设置的。如此，可以在即将出现电流尖峰或电压尖峰时，使微控制单元mcu输出低电平，使第三控制开关管q3保持关断状态，由第一栅极驱动电阻rg1和第二栅极驱动电阻rg2为驱动开关管qd进行充电或放电，以此延长充电时间或放电时间，从而，降低开关过程中电流、电压过冲和振荡问题。
71.在本发明的又一实施例中，所述第三控制开关管q3为绝缘栅双极型晶体管。
72.在本发明的又一实施例中，所述电压检测电路包括第一检测电阻r1和第二检测电阻r2；
73.所述第一检测电阻r1的第一端为所述电压检测电路的第一输入端，所述第一检测电阻r1的第二端与所述第二检测电阻r2的第一端连接，所述第二检测电阻r2的第二端为所述电压检测电路的第二输入端，所述第一检测电阻r1的第二端与所述第二检测电阻r2的第一端作为所述电压检测电路的输出端。
74.其中，第一检测电阻r1用于分压，第二检测电阻r2用于在驱动开关管qd导通时，在驱动开关管qd的栅极g与源极s间进行电压采样，并将采样得到的电压vgs反馈至电阻调节电路中的微控制单元mcu。
75.在本发明的又一实施例中，所述驱动控制电路还包括源极电阻r；所述电压检测电路的第二输入端与所述驱动开关管的源极连接，所述驱动开关管的源极接地，具体为：
76.所述源极电阻r的第一端与所述驱动开关管qd的源极连接，所述源极电阻r的第二端接地，所述源极电阻r的第二端还与所述电压检测电路的第二输入端连接。
77.如此，可以通过源极电阻r分流，来保护驱动开关管qd的源极。
78.为方便理解，以下对该驱动控制电路的工作过程进行说明：
79.驱动驱动开关管qd开通过程：
80.驱动芯片发送高电平，第一控制开关管q1导通，第二控制开关管q2关断，驱动驱动开关管qd开通，也即，为驱动开关管qd充电。开通过程中，电压检测电路在驱动开关管qd的栅极g与源极s间进行电压采样，并将采样得到的电压vgs反馈至电阻调节电路中的微控制单元mcu。
81.微控制单元mcu，根据vgs和预设的电压基准值vgs(th)，进行逻辑判断，在vgs小于vgs(th)时，输出低电平，使第三控制开关管q3保持关断状态，此时，通过第一栅极驱动电阻rg1和第二栅极驱动电阻rg2为驱动开关管qd进行充电。
82.如图2所示，充电过程中，vgs从零开始上升，也就是说，在刚开始驱动驱动开关管qd开通，即，sic mosfet未完全开通时，容易出现电流尖峰的时间段，增加驱动开关管的栅极电阻，延缓电流的上升时间，从而抑制器件开通过程的电流、电压过冲和振荡。
83.而在vgs大于或等于vgs(th)时，意味着驱动开关管qd完全导通，此时，电路中的电流和电压已经稳定，微控制单元mcu输出高电平，驱动第三控制开关管q3导通，使第二栅极驱动电阻rg2被短路，仅由第一栅极驱动电阻rg1单独驱动驱动开关管qd，使sic mosfet保持住开通的状态即可，从而减少开通损耗。
84.驱动驱动开关管qd关断过程：
85.驱动芯片发送低电平，第一控制开关管q1关断，第二控制开关管q2导通，驱动驱动开关管qd关断，也即，为驱动开关管qd放电。关断过程中，电压检测电路在驱动开关管qd的栅极g与源极s间进行电压采样，并将采样得到的电压vgs反馈至电阻调节电路中的微控制单元mcu。
86.微控制单元mcu，根据vgs和预设的电压基准值vgs(th)，进行逻辑判断，vgs大于或等于vgs(th)时，输出高电平，驱动第三控制开关管q3导通，使第二栅极驱动电阻rg2被短路，仅由第一栅极驱动电阻rg1单独驱动驱动开关管qd。
87.而在vgs小于vgs(th)时，输出低电平，使第三控制开关管q3保持关断状态，此时，通过第一栅极驱动电阻rg1和第二栅极驱动电阻rg2为驱动开关管qd进行放电。
88.如图3所示，放电过程中，vgs开始下降，前期vgs大于或等于vgs(th)时，意味着驱动开关管qd未完全关断，此时，不容易出现电压尖峰，仅由第一栅极驱动电阻rg1单独驱动驱动开关管qd即可；而后期，vgs小于vgs(th)时，意味着，驱动开关管qd已经完全关断，容易出现电压尖峰，此时，增加推挽电路和驱动开关管的栅极之间的电阻，延缓电流的上升时间，从而抑制器件关断过程的电流、电压过冲和振荡。
89.如图5所示，为各个控制开关管(即，第一控制开关管q1、第二控制开关管q2及第三控制开关管q3)和驱动开关管qd的工作状态图。其中，t0-t2为一个信号周期。
90.①
t0-t5，为该信号周期内对应sic mosfet未完全开通的过程：q1导通，q2关断，q3关断，sic mosfet驱动回路是：q1、rg1、rg2到sic mosfet栅极；
91.②
t5-t6，为该信号周期内对应sic mosfet完全导通的过程：q1导通，q2关断，q3导通，sic mosfet驱动回路是：q1、rg1、q3到sic mosfet栅极；
92.③
t6-t1，为该信号周期内对应sic mosfet未完全关断的过程：q2导通，q1关断，q3导通，sic mosfet驱动回路是：sic mosfet栅极、q3、rg1、q2、地；
93.④
t1-t2，为该信号周期内对应sic mosfet完全关断的过程：q2导通，q1关断，q3关断，sic mosfet驱动回路是：sic mosfet栅极、rg1、rg2、q2、地。
94.通过该方案，对于电路中存在的杂散电感，在电压突变时容易和栅极电容形成lc震荡的情况，可以通过增大电阻增大阻尼而减少震荡。对于，充电过程中容易出现电流尖峰的情况，通过增大电阻，可放慢充电时间而减小栅极电流，从而避免电流过冲。对于，放电过程中d-s极电压容易出现电压尖峰的情况，通过增大电阻，可放慢放电时间，从而避免电压过冲，避免发生器件击穿的情况。
95.在本发明的又一实施例中，还提供一种控制方法，应用于前述驱动控制电路，如图6所示，所述方法包括：
96.s601，在驱动芯片指示推挽电路驱动驱动开关管开通或关断的过程中，利用电压检测电路检测所述驱动开关管的栅极和源极之间的电压；
97.s602，在所述电压小于预设的电压基准值的情况下，控制所述电阻调节电路增加所述驱动开关管的栅极电阻，以在驱动所述驱动开关管开通过程中，延长充电时间，以及，在驱动所述驱动开关管关断过程中，延长放电时间。
98.本技术实施例中，在驱动驱动开关管开关过程中，可以利用电压检测电路检测驱动开关管栅极和源极之间的电压，确定其开关状态，进而，利用电阻调节电路根据开关状态调节推挽电路和驱动开关管之间的电阻大小，延长驱动开关管在开通过程中的充电时间，
以及，在关断过程中的放电时间，从而，降低开关过程中电流、电压过冲和振荡问题。
99.通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对相关技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如rom/ram、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
100.应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。文中描述的方法步骤、过程、以及操作不解释为必须要求它们以所描述或说明的特定顺序执行，除非明确指出执行顺序。还应当理解，可以使用另外或者替代的步骤。
101.以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：
1.一种驱动控制电路，其特征在于，所述电路包括驱动芯片、推挽电路、第一栅极驱动电阻、电阻调节电路、电压检测电路以及驱动开关管；所述驱动芯片的输出端与所述推挽电路的输入端连接，所述推挽电路的输出端经过所述第一栅极驱动电阻与所述电阻调节电路的第一输入端连接，所述电阻调节电路的输出端与所述驱动开关管的栅极连接，所述电阻调节电路的第二输入端与所述电压检测电路的输出端连接，所述电压检测电路的第一输入端与所述驱动开关管的栅极连接，所述电压检测电路的第二输入端与所述驱动开关管的源极连接，所述驱动开关管的源极接地，所述驱动开关管的漏极连接母线电压p端。2.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，所述推挽电路包括第一控制开关管和第二控制开关管；所述第一控制开关管的栅极与所述第二控制开关管的栅极连接，所述第一控制开关管的发射极与所述第二控制开关管的集电极连接，所述第一控制开关管的集电极连接电源，所述第二控制开关管的发射极接地；其中，所述第一控制开关管的栅极与所述第二控制开关管的栅极作为所述推挽电路的输入端，所述第一控制开关管的发射极与所述第二控制开关管的集电极作为所述推挽电路的输出端。3.根据权利要求2所述的驱动控制电路，其特征在于，所述第一控制开关管和所述第二控制开关管均为绝缘栅双极型晶体管。4.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，所述电阻调节电路包括第二栅极驱动电阻、第三控制开关管以及微控制单元，所述微控制单元用于根据所述电压检测电路检测的电压驱动第三控制开关管开通或关断；所述第三控制开关管的集电极与所述第二栅极驱动电阻的第一端连接，所述第三控制开关管的发射极与所述第二栅极驱动电阻的第二端连接，所述第三控制开关管的栅极与所述微控制单元的输出端连接；其中，所述第三控制开关管的集电极与所述第二栅极驱动电阻的第一端作为所述电阻调节电路的第一输入端，所述微控制单元作为所述电阻调节电路的第二输入端，所述第三控制开关管的发射极与所述第二栅极驱动电阻的第二端作为所述电阻调节电路的输出端。5.根据权利要求4所述的驱动控制电路，其特征在于，所述第三控制开关管为绝缘栅双极型晶体管。6.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，所述电压检测电路包括第一检测电阻和第二检测电阻；所述第一检测电阻的第一端为所述电压检测电路的第一输入端，所述第一检测电阻的第二端与所述第二检测电阻的第一端连接，所述第二检测电阻的第二端为所述电压检测电路的第二输入端，所述第一检测电阻的第二端与所述第二检测电阻的第一端作为所述电压检测电路的输出端。7.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，所述驱动控制电路还包括源极电阻；所述电压检测电路的第二输入端与所述驱动开关管的源极连接，所述驱动开关管的源极接地，具体为：
所述源极电阻的第一端与所述驱动开关管的源极连接，所述源极电阻的第二端接地，所述源极电阻的第二端还与所述电压检测电路的第二输入端连接。8.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，所述驱动开关管为碳化硅场效应晶体管。9.一种控制方法，其特征在于，应用于如权利要求1至8任一所述的驱动控制电路中，所述方法包括：在驱动芯片指示推挽电路驱动驱动开关管开通或关断的过程中，利用电压检测电路检测所述驱动开关管的栅极和源极之间的电压；在所述电压小于预设的电压基准值的情况下，控制所述电阻调节电路增加所述驱动开关管的栅极电阻，以在驱动所述驱动开关管开通过程中，延长充电时间，以及，在驱动所述驱动开关管关断过程中，延长放电时间。

技术总结
本申请提供了一种驱动控制电路及控制方法。所述电路包括驱动芯片、推挽电路、第一栅极驱动电阻、电阻调节电路、电压检测电路以及驱动开关管；所述驱动芯片的输出端与所述推挽电路的输入端连接，所述推挽电路的输出端经过所述第一栅极驱动电阻与所述电阻调节电路的第一输入端连接，所述电阻调节电路的输出端与所述驱动开关管的栅极连接，所述电阻调节电路的第二输入端与所述电压检测电路的输出端连接，所述电压检测电路的第一输入端与所述驱动开关管的栅极连接，所述电压检测电路的第二输入端与所述驱动开关管的源极连接，所述驱动开关管的源极接地，所述驱动开关管的漏极连接母线电压P端。从而，降低开关过程中电流、电压过冲和振荡问题。和振荡问题。和振荡问题。


技术研发人员：王心雨 杨帆 黄伟
受保护的技术使用者：珠海格力电器股份有限公司
技术研发日：2023.05.29
技术公布日：2023/9/5