调整处理器功率的方法及装置、电子设备、存储介质与流程

1.本技术涉及半导体芯片
技术领域：
：，更为具体的，涉及一种调整处理器功率的方法及装置、电子设备、存储介质。
背景技术：
：：2.处理器的性能与处理器的工作频率成正比，相应的工作频率越高，所需要的供电电压也就越高，进而处理器功耗也就越大。3.在处理器持续的以较高的工作主频工作时，芯片温度会持续升高，所以为了保证处理器可以安全可靠的工作，处理器生产厂家往往会根据每种型号的处理器的散热能力和功率，为该型号处理器设定一个特定的最大功耗值，称为热设计功耗(thermaldesignpower，tdp)。4.tdp的设定有利于保护处理器不会因为温度过高而损坏，但同时也限制了处理器的最大性能，导致在面对短时的大量待处理任务时，处理器的处理时长增加，影响用户体验。技术实现要素：5.本技术提供一种调整处理器功率的方法及装置、电子设备、存储介质，以解决上述问题。6.第一方面，提供一种调整处理器功率的方法，所述方法包括：确定所述处理器的温升信息；当所述处理器的内核使用率大于第一内核使用率阈值时，根据所述温升信息，调节所述处理器的热设计功耗tdp。7.可选地，所述确定所述处理器的温升信息，包括：确定所述处理器的温度，以及确定所述处理器的温升速率。8.可选地，所述确定所述处理器的温升速率，包括：确定所述处理器的负载电流；根据所述处理器的负载电流，确定所述处理器的温升速率。9.可选地，所述负载电流包括所述处理器在每个时钟周期内的平均电流。10.可选地，所述根据所述温升信息，调节所述处理器的热设计功耗tdp，包括：当所述温升信息指示所述处理器的温度小于第一温度阈值以及所述负载电流小于第一电流阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp从第一tdp提高到第二tdp。11.可选地，所述方法还包括：当所述处理器以所述第二tdp工作时，监测所述处理器在单位时间内发生的错误数和所述处理器的温度，当所述错误数大于第一错误数阈值和/或所述处理器的温度大于第二温度阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp由所述第二tdp调整为所述第一tdp。12.第二方面，提供一种调整处理器功率的装置，所述装置包括：确定模块，用于确定所述处理器的温升信息；控制模块，用于当所述处理器的内核使用率大于第一内核使用率阈值时，根据所述温升信息，调节所述处理器的热设计功耗tdp。13.可选地，所述确定所述处理器的温升信息，包括：确定所述处理器的温度，以及，确定所述处理器的负载电流，根据所述处理器的负载电流，确定所述处理器的温升速率。14.可选地，所述控制模块用于：当所述温升信息指示所述处理器的温度小于第一温度阈值以及所述负载电流小于第一电流阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp从第一tdp提高到第二tdp；所述装置还包括：监测模块，用于当所述处理器以所述第二tdp工作时，监测所述处理器在单位时间内发生的错误数和所述处理器的温度；所述控制模块还用于：当所述错误数大于第一错误数阈值和/或所述处理器的温度大于第二温度阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp由所述第二tdp调整为所述第一tdp。15.第三方面，提供一种电子设备，包括处理器，所述处理器用于执行以下操作：确定所述处理器的温升信息；当所述处理器的内核使用率大于第一内核使用率阈值时，根据所述温升信息，调节所述处理器的热设计功耗tdp。16.可选地，所述电子设备还包括：温度检测模块，用于确定所述处理器的温度；电源管理模块，用于为所述处理器供电，所述电源管理模块包括：功率转换模块，用于将输入电压转换成所述处理器的供电电压；检流模块，用于检测所述功率转换模块的输出电流，以获取所述处理器的负载电流值；控制模块，用于向所述处理器发送所述处理器的负载电流值；所述处理器用于执行以下操作：接收所述温度检测模块发送的所述处理器的温度，以及，接收所述控制模块发送的所述负载电流值，根据所述负载电流值，确定所述处理器的温升速率。17.可选地，所述处理器用于执行以下操作：当所述温升信息指示所述处理器的温度小于第一温度阈值以及所述负载电流小于第一电流阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp从第一tdp提高到第二tdp；所述电子设备还包括监测模块，用于监测所述处理器在单位时间内发生的错误数；当所述处理器以所述第二tdp工作时，所述处理器还用于执行以下操作：接收所述监测模块发送的所述处理器在单位时间内发生的错误数和所述温度检测模块发送的所述处理器的温度，当所述错误数大于第一错误数阈值和/或所述处理器的温度大于第二温度阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp由所述第二tdp调整为所述第一tdp。18.第四方面，提供一种计算机可读存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时实现第一方面及第一方面任一可选的实现方式所述的方法。19.本技术实施例提供的调节处理器功率的方法，利用处理器的内核使用率来衡量处理器的繁忙程度，在处理器需要应对短时高性能的需求时，根据处理器的温升信息等条件，来确定提高处理器的热设计功耗tdp的时机，使得处理器可以在任务繁重时提高性能，改善用户体验的同时，使处理器能够安全可靠的在高性能下运行。附图说明20.图1是本技术实施例提供的调节处理器功率的方法的示意性流程图。21.图2是本技术实施例提供的为处理器供电的供电系统的示意性结构图。22.图3是本技术实施例提供的调节处理器功率的装置的示意性结构图。23.图4是本技术实施例提供的电子设备的示意性结构图。具体实施方式24.为了便于理解本技术，在下文中基于示例性实施例并结合附图来更详细地描述本技术。在附图中使用相同或相似的附图标记来表示相同或相似的模块。应该理解的是，附图仅是示意性的，本技术的保护范围并不局限于此。25.本技术实施例提供的方法应用于处理器，以对处理器的功率进行调节。处理器是电子设备的运算核心和控制核心，利用各种接口和线路连接整个电子设备的各个部分，能够用于执行指令、程序、代码集或指令集等，以及调用外部数据，执行电子设备的各种功能以及处理数据。本技术实施例对处理器的具体类型不做限定，例如可以是中央处理器(centralprocessingunit，cpu)、图形处理器(graphicsprocessingunit，gpu)或者集成了中央处理器和图形处理器的片上系统(systemonchip，soc)中的任一种。26.上述处理器应用于电子设备，所述电子设备可以为移动或便携式并执行无线通信的各种类型的计算机系统设备中的任何一种。例如，电子设备可以为移动电话或智能电话(例如可以是基于iphonetm的电话，或基于androidtm的电话)，便携式游戏设备(例如nintendodstm，playstationportabletm，gameboyadvancetm，iphonetm)、膝上型电脑、个人数字助理(personaldigitalassistant，pda)、便携式互联网设备、音乐播放器以及数据存储设备，其他手持设备以及诸如手表、入耳式耳机、吊坠、头戴式耳机等。电子设备还可以为其他的可穿戴设备(例如，诸如电子眼镜、电子衣服、电子手镯、电子项链、电子纹身、电子设备、智能手表或头戴式显示器(headmountdisplay，hmd))。27.在半导体芯片领域，由于大量的电子器件被集成在很小的面积中，这些电子器件在芯片运行过程会产生大量的热量。因此，芯片的散热能力成为了制约芯片频率以及单个芯片内核心数量提升的主要瓶颈之一。为了确保处理器能够保证长时间的可靠运行，处理器在工作时通常被限制在一定的功耗范围内，以防止因发热过度而导致的硬件损坏。但是，对处理器功耗的限制同时也会对处理器的性能造成了一定程度的限定。28.在当前设计中，处理器的生产厂家通常会根据每种型号的处理器的散热能力和功率等特性，为该型号的处理器设定一个特定的最大功耗值，称为热设计功耗(thermaldesignpower,tdp)。29.tdp的主要作用是指导处理器的热设计工作的开展，tdp的设定能够为处理器起到保护的作用，使得处理器能够在确保具有较强的处理能力的前提下避免因持续升温导致温度过高而产生损坏。同时，通过对处理器的最大工作功耗进行限定，使得在散热系统的成本与处理性能之间得到较好的平衡。30.tdp的设定虽然具有以上所述的优点，但是同时也限制了处理器的最大性能。在一些业务场景下，例如在处理器以基准频率运行的过程中需要应对短时的高性能需求时，根据现有技术中的处理机制，处理器通常会将工作频率提高到超过基准频率，以此获得更强的处理能力。相关技术中提高处理器的工作频率的通常做法是：提高处理器的输入电压和/或输如电流的大小。但是，处理器的输入电压和/或输入电流越大，其损耗也就越高。此时处理器工作过程中的额外损耗将会转化为热能，从而导致处理器大量发热。31.对于处理器而言，前文中所说的热设计功耗tdp相当于是其功耗的红线。当处理器持续以超过基准频率的频率工作时，其功耗较大，当处理器的工作功耗接近tdp所限定的最大功耗时，会通过降低运行频率等方式降低功耗，从而避免处理器的功耗超过tdp这条红线，避免处理器因过热而导致损坏。但是，这种调节策略又会影响处理器的性能和可靠性，导致处理器不能持续稳定的输出，进一步降低了用户体验。32.随着散热技术的发展，降低处理器温度的手段越来越多，同时散热装置的成本也越来越低。这意味着可以通过降低处理器工作温度的方法，使得处理器能够在更大的功率下工作，从而提供更高的性能。因此，在相关技术中，在前文中所说的对于短期高性能的需求的问题时，可以通过适当提高热设计功率tdp的方式，提高处理器的功率上限，使得处理器能够以较强的性能工作。33.相关技术中，由于处理器无法对自身的功耗进行实时监测，因此很难准确的确定提高热设计功率tdp的时机。目前，本领域所广泛采用的方法是：根据处理器的一些关键参数来提高tdp的时机。例如，通过监测处理器的使用率，当监测到处理器的使用率超过一阈值(例如80％)时，说明处理器的内核已处于接近满载的状态，处理器的计算能力的增加余量较小，已无法满足性能需求的继续增长。此时为了应对短期高性能的需求，可以将tdp的值提高，以提高处理器的功耗上限，这样即可提高处理器的性能。34.又例如，还可以将处理器的温度作为确定tdp的调节时机时的一个重要参数。利用设置在处理器内部的温度传感器来监测处理器工作时的温度，确定处理器的当前温度与处理器的安全温度阈值之间的差值，当该差值较大时，即可确定此时处理器的温度还具有一定的提升空间，则可以提高处理器的功耗上限，即提高tdp的值，以应对短期高性能的需求；反之，当处理器的当前温度与所能承受的安全温度阈值之间的差值较小时，说明此时处理器的功耗已经接近于当前状态的最大功耗，若再提高tdp的值，可能会造成对处理器不可逆的损坏。35.需要说明的是，以上两个示例中的方法也可以相互结合，也就是说，在确定tdp的调节时机时可以同时考虑处理器的使用率和处理器的温度这两个参数。当处理器的使用率较大且处理器的温度与安全温度阈值的差值较大时，即可提高tdp的值，以获得更强的处理能力。36.以上所述的相关技术中的方法虽然能够确定tdp的调节时机，但是还存在着一些弊端。首先，依靠温度传感器来检测处理器的温度，会存在由于检测方式和传感器的精度的影响而导致检测到的温度不够精确的问题。其次，在一些情况下，当处理器以较高的工作频率持续运行时，根据前文所述，工作频率越大，意味着处理器的输入电流越大，同时处理器损耗也会因电流的增大而增大，这会导致处理器的温升速度较快。而在处理器的温升速度已经比较快的前提下，再提高处理器的功率上限，会使处理器的功耗在很短的时间内再次达到提高后的tdp所限定的最大功耗值。根据前文所述，当处理器的功耗接近于最大功耗时，将会再次导致处理器降频或关闭部分核心，造成不好的用户体验。37.有鉴于上述问题，本技术实施例提供了一种调整处理器功率的方法和装置。38.下面首先结合附图，对本技术实施例提供的调整处理器功率的方法进行详细的举例说明。39.图1示出了本技术实施例提供的调整处理器功率的方法的示意性流程图，如图1所示，该方法包括步骤s110-s120。40.在步骤s110，确定处理器的温升信息。41.所述温升信息例如可以包括处理器的当前温度以及处理器的温升速率等信息。42.处理器的当前温度可以用处理器的封装外壳的温度来衡量，或者还可以以处理器芯片的实际工作温度(结温)来衡量，本技术实施例对此不做限定。43.需要说明的是，处理器芯片的实际工作温度通常高于封装外壳的温度，如果处理器中芯片的温度高于最高结温，则处理器中的晶体管等器件会被破坏。也就是说，结温比封装外壳的表面温度更能反映处理器的实际状况，因此，在一些优选的实施方式中，所述处理器的当前温度可以为处理器芯片的实际工作温度。44.在确定处理器的温度时，可以利用设置在处理器外部的温度传感器来测量封装外壳的温度；或者，在一些实施方式中，所述温度传感器也可以是集成于处理器内部的，以获取处理器的结温。45.在步骤s120，当所述处理器的内核使用率大于第一内核使用率阈值时，根据所述温升信息，调节所述处理器的热设计功耗tdp。46.如前文所述，在相关技术中，由于处理器在工作过程中无法精准的获取自身实时的功耗情况(包括软件处理指令和硬件所消耗的情况)，因而只能通过监测处理器的使用率和/或处理器的温度等来间接的确定处理器的工作状态。47.而由于处理器的内核使用率能够较好的反映当前处理器的内核是否繁忙，因此，当处理器的内核使用率大于第一内核使用率阈值时，说明当前状态下处理器的处理处理能力不足以应对短时高性能的需求。其中，第一内核使用率阈值可以是一个固定值，例如80％；也可以根据处理器的型号或者为处理器散热的散热系统的性能参数进行设定，本技术实施例对此不做限定。48.在本技术实施例中，利用所述温升信息能够确定处理器的实时功耗，进而通过所述实时功耗来确定处理器的热设计功耗tdp的调节时机。49.当所述温升信息指示处理器在当前状态下具备调整热设计功耗tdp的条件，即此时处理器能够以更高的工作频率来工作以应对大量的待处理任务，则可以控制处理器提高处理器的热设计功耗tdp的值。50.本技术实施例提供的调节处理器功率的方法，利用处理器的内核使用率来确定处理器的繁忙程度，在处理器需要应对短时高性能的需求时，根据处理器温升信息等条件，确定提高处理器的热设计功耗tdp的时机，使得处理器可以在任务繁重时提高性能，改善用户体验的同时，是处理器能够安全可靠的在高性能下运行。51.在一些实施方式中，上述步骤s110中的确定处理器的温升信息，可以包括确定处理器的温度和处理器的温升速率。52.在本技术实施例中，为了确保处理器不会因为功率超过热设计功耗tdp的限制而导致过热损坏，在提高热设计功耗tdp的值之前，需要先确定处理器的温度。当处理器的温度与处理器在当前工作频率下的安全温度阈值的差值较大时，说明处理器的温度还具有一定的提升空间，在这种情况下可以进一步提高处理器的功率；而如果此时处理器的温度已经接近于安全温度阈值，在这种情况下不适宜再提高处理器的功率。53.上述处理器的温度可以是处理器的外壳温度或者芯片温度，本技术对此不做限定。处理器的温度例如可以通过设置在处理器外部或内置于处理器中的温度传感器等采集装置来获取，本技术实施例对获取处理器的温度的具体方式亦不做限定。54.处理器的温升速率是判定是否调整处理器功率的一个重要指标，如前文中所述，当处理器以较高的频率工作时，处理器的损耗较大，从而使得温升速率较快。此时如果再提高处理器的功率上限，会使处理器的功耗在很短的时间内再次达到提高后的热设计功耗tdp所限定的最大功耗值。55.因此，在本技术实施例中，当处理器大量任务需要处理时，可以通过确定处理器的温度和温升速率来判定在当前情况下，能否对处理器的功率进行调整。例如，在处理器的温度还具有一定的提升空间的情况下，如果处理器的温升速率较低，则可以提高热设计功耗tdp的值，以获得更强的处理能力；反之如果当前温升速率较高，则不应对热设计功耗tdp进行调整，否则会使处理器在较短的时间内再次达到最大功耗。56.在一些实施方式中，所述处理器的温升速率可以根据处理器的负载电流来确定。可以理解的是，处理器在工作过程中所产生的热量与处理器的负载电流成正比。也就是说，处理器的负载电流越大，处理器所产生的热量越多，同时温升速率越高。因此，通过确定处理器的负载电流即可确定处理器的温升速率。57.确定处理器的负载电流的方法可以有很多种，例如可以通过电流镜、耦合电感、串接检流电阻以及数字采样分析等方法来实现，本技术实施例对此不作具体限定。58.可以理解的是，为处理器供电的供电系统中的电源管理模块的输出电流与处理器的负载电流相等。基于此，本技术实施例提供了一种更易于实现的方式，即通过检测处理器的电源管理模块的输出电流的变化，即可得到处理器的负载电流的变化。59.下面结合图2所示的为处理器供电的供电系统，对确定处理器的负载电流的方法进行详细的说明。60.参见图2，该供电系统可以包括电源管理模块21以及电子设备中的处理器22，电源管理模块21用于为处理器提供供电电压。电源管理模块21包括电压转换模块211，电压转换模块211用于将输入电压转换成输出电压，以为处理器供电。该输入电压可以通过输入电源23提供，输入电源23例如可以是电池。电压转换模块211的输入端可以与输入电源23相连，电压转换模块211将输入电源23的输出电压转换为处理器所需要的电压。图2中示出电压转换模块211为基于buck拓扑的电路，在一些实施方式中，电压转换模块211也可以为其他拓扑结构的电路。61.电压转换模块211包括多个开关元件、电感和电容。以图1为例，多个开关元件包括第一开关元件q1和第二开关元件q2。其中，第一开关元件q1的第一端与输入电源23连接，第一开关元件q1的第二端分别与第二开关元件q2的第一端和电感l的第一端连接；第二开关元件q2的第二端接地；电感l的第二端与电容c的第一端以及处理器22连接，电容c的第二端接地。62.当第一开关元件q1闭合，第二开关元件q2断开时，输入电源23给电感l储能，流经电感l的电流线性增加，给处理器22供电，同时给电容c充电；当第一开关元件q1断开，第二开关元件q2闭合时，电感l向处理器22放电，电感l的电流线性降低，同时电容c向处理器放电以维持处理器22的输入电流。63.电源管理模块21还可以包括控制模块212，控制模块212与处理器22和电压转换模块211相连。控制模块212可以与处理器22进行通信，并根据处理器22的工作需求，调整电压转换模块211的输出电压。控制模块212例如可以为电源管理集成电路(powermanagementic,pmic)。64.控制模块212可与第一开关元件q1和第二开关元件q2的控制端相连。控制模块212可以接收处理器22的控制信号，输出脉宽调制(pulsewidthmodulation，pwm)信号，控制第一开关元件q1和第二开关元件q2，以调整电压转换模块211的输出电压。具体地，控制模块212可以通过调整脉宽调制信号的占空比，来调整电感l和电容c的充放电时间，从而实现调整输出给处理器22的供电电压，保证处理器22正常工作。65.检流模块24用于检测供电系统的输出电流。检流模块24还与电源管理模块中的控制模块212通信连接，使得检流模块24能够将检测的输出电流(即处理器的负载电流)发送给控制模块212。处理器能够与控制模块212通信，以从控制模块获取到处理器的负载电流。66.检流模块24的实现方式可以有很多种，本技术实施例对此不作限定。例如可以是基于电流镜、耦合电感、串接电阻或者数字采样等方式中的任一种。还以图2为例，图2中示出的检流模块24串接在电压转换模块211的电感l的两端，通过检测电感l两端的电流差，即可确定供电系统的输出电流。应当理解，图2所示的供电系统中各个元件以及模块均为示例，其他能够实现上述功能的方式均在本技术的保护范围内。67.在根据负载电流确定处理器的温升速率时，可以利用电流检测装置检测处理器的负载电流，根据该负载电流的变化，确定处理器的温升速率。可以理解的是，在工作过程中，处理器的负载电流是在实时变化的。因此为了减小在电流计算时的计算量，可以对负载电流的采集过程或者对采集到的实时负载电流数据的后处理过程进行一些优化。例如，可以以一定的时间间隔对负载电流进行采样，以较少测得的负载电流的数据量。68.但是上述以一定的时间间隔对负载电流进行采样的方法中，时间间隔的取值大小会对采集到的数据的准确性有一定的影响。因此，为了确保采集到的负载电流能够准确反映处理器的工作状态，在一些实施方式中，可以利用控制模块计算每个时钟周期内的平均电流，据此来确定处理器的温升速率。69.在一些实施方式中，所述处理器的温升速率还可以是根据处理器的温度来确定，例如，可以利用前文中所说的温度传感器来采集处理器在当前时刻以及早于当前时刻的一端时间内的温度变化情况，依此来确定处理器的温升速率，进一步的，基于该温升速率来确定是否对处理器的功率进行调整。70.由于处理器的负载电流能够准确反映处理器的温升速度，因此，在一些实施方式中，前述步骤s120中的根据温升信息，调节处理器的热设计功耗tdp可以是：当温升信息指示所述处理器的温度小于第一温度阈值以及所述负载电流小于第一电流阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp从第一tdp提高到第二tdp。71.其中，第一温度阈值可以是根据处理器的安全温度阈值确定的阈值，当处理器的温度小于该阈值时，说明处理器的温度还具有一定的上升空间；否则说明此时处理器的温度已经接近处理器的安全温度阈值。72.第一温度阈值可以根据处理器所处的环境以及散热条件等因素来进行设置，本技术实施例对此不做限定。以散热条件为例，在散热条件较好的情况下，可以将第一温度阈值设置为较高的取值，例如设置为处理器的安全温度阈值的80％；在散热条件不理想的情况下，散热装置不能及时消除处理器散发的热量，此时如果提高处理器的热设计功耗tdp的值，可能会使处理器的热量聚集而导致过热损坏，因而此时可以将第一温度阈值设置为较低的值，例如设置为处理器安全温度阈值的50％。73.处理器的负载电流反映了处理器的温升速率，第一负载电流阈值的具体取值也可以根据处理器所处的环境以及散热条件等因素来设置。74.在一些实施方式中，第一负载电流阈值的设置应满足：当处理器在该电流下工作时，散热装置的处理能力与处理器产生的热量的大小相匹配。当处理器的电流大于该阈值时，处理器的温度会保持持续的快速上升，若此时调高热设计功耗tdp的值，将会导致处理器以更快的速度达到安全温度阈值。75.因此，当处理器的温度小于第一温度阈值、负载电流小于第一电流阈值时，说明此时具备调高热设计功耗tdp的条件，可以将处理器的热设计功耗tdp由第一tdp提高到第二tdp，其中，第一tdp可以为处理器的原始预设值，第二tdp可以由处理器的运行参数，例如待处理任务量或者散热系统的处理能力等来确定。76.在一些实施方式中，在将处理器的热设计功耗tdp由第一tdp提高到第二tdp之后，会导致处理器的实际功率值的增加，此时还需要提高处理器的供电电压，以使处理器的功率与第二tdp相匹配。例如，当为处理器供电的电源为图2所示的开关电源时，在提高了处理器的热设计功耗tdp之后，可以通过调整第一开关元件q1和第二开关元件q1的脉宽调制信号的占空比来提高处理器的供电电压。举例说明，处理器在5w的第一tdp下工作时，开关元件的脉冲调制信号的占空比为50％，此时开关电源的输出电压为2.5v；当处理器的热设计功耗提高到6w时，需要将开关元件的脉冲调制信号的占空提高到60％，以使开关电源的输出电压提高到3v。这样即可提高处理器的处理能力。77.在一些实施方式中，在处理器以提高后的第二tdp工作时，处理器的可靠性可能会受到影响。因此，在调整热设计功耗tdp的值之后，还需要评估处理器在当前功率下的可靠性。处理器的可靠性可以根据处理器在单位时间内发生的错误的数量和处理器的温度来评价。78.处理器在单位时间内的错误数可以通过监测处理器在单位时间内发生软错误的次数来实现。软错误也成为软性错误，是因为一个信号或者数据不正确而造成的错误。79.在计算机装置中，软错误会造成计算机程序中的一个指令或数据的改变。软错误通常有两种，包括集成电路层级的软错误和系统层级的软错误。其中，集成电路层级的软错误一般是因为有高能粒子撞击到集成电路，例如集成电路本身材料中包含的放射性原子在衰变时，会释放出α粒子撞击集成电路。由于α离子带有正电荷和能量，因此在撞击到某个存储单元，存储单元中的数值就可能会变化。系统层级的软错误多是由于要处理的数据被噪声所影响，计算机系统会将噪声解读为数据比特，因此会造成程序定址或者处理器代码的错误。80.其中，处理器温度的监测方法已在前文中进行了详细的描述，此处不再赘述。81.当处理器的错误数大于第一错误数阈值和/或所述处理器的温度大于第二温度阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp由所述第二tdp调整为所述第一tdp。82.所述第二温度阈值与前文中的第一温度阈值类似，也可以根据处理器所处的环境以及散热条件等因素来进行设置，本技术实施例对此不做限定。例如，可以根据散热条件的优劣来确定第二温度阈值的具体取值，在散热条件较理想是，可以将第二温度阈值设置为接近于处理器在第二tdp下工作是的第二安全温度阈值；反之，在散热条件不理想的情况下，可以将第二温度阈值设置为较小的取值，以避免处理器过热损坏。83.在处理器在第二tdp下工作时，为了避免处理器过热损坏，可以在满足上述任一条件时，将处理器的热设计功耗tdp由第二tdp调整为第一tdp。84.还需要说明的是，本技术所提供的调节处理器功率的方法是为了应对短时高性能的需求，如果处理器长时间处于高功率状态下，将会加快处理器的损耗。因此，在一些实施方式中，可以监测处理器在第二tdp下运行的时长，或者监测在第二tdp下运行的时长占处理器整体工作时长的比例，如果上述运行时长或比例较大时，则可以控制处理器将热设计功耗tdp降低到初始的第一tdp。85.上文结合图1-图2，详细描述了本技术的方法实施例，下面结合图3-图4描述本技术的装置实施例。应理解，装置实施例的描述与方法实施例的描述相互对应，因此，未详细描述的部分可以参见前面的方法实施例。86.图3为本技术实施例提供的调节处理器功率的装置30的示意性结构图。图3的装置30包括：确定模块31和控制模块32。87.确定模块31，用于确定所述处理器的温升信息；88.控制模块32，用于当所述处理器的内核使用率大于第一内核使用率阈值时，根据所述温升信息，调节所述处理器的热设计功耗tdp。89.可选地，所述确定模块31用于：确定所述处理器的温度，以及确定所述处理器的温升速率。90.可选地，所述确定所述处理器的温升速率，包括：确定所述处理器的负载电流；根据所述处理器的负载电流，确定所述处理器的温升速率。91.可选地，所述负载电流包括所述处理器在每个时钟周期内的平均电流。92.可选地，所述控制模块32用于：当所述温升信息指示所述处理器的温度小于第一温度阈值以及所述负载电流小于第一电流阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp从第一tdp提高到第二tdp。93.可选地，所述装置30还包括：监测模块，用于当所述处理器以所述第二tdp工作时，监测所述处理器在单位时间内发生的错误数和所述处理器的温度。94.所述控制模块32还用于：当所述错误数大于第一错误数阈值和/或所述处理器的温度大于第二温度阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp由所述第二tdp调整为所述第一tdp。95.本技术实施例还提供了一种电子设备，图4为本技术实施例提供的电子设备40的结构示意图，图4中的装置40包括处理器41。96.所述处理器用于执行以下操作：确定所述处理器的温升信息；当所述处理器的内核使用率大于第一内核使用率阈值时，根据所述温升信息，调节所述处理器的热设计功耗tdp。97.可选地，所述电子设备还包括：温度检测模块，用于确定所述处理器的温度；所述处理器用于执行以下操作：接收所述温度检测模块发送的所述处理器的温度；确定所述处理器的温升速率。98.可选地，所述电子设备还包括：电源管理模块，用于为所述处理器供电，所述电源管理模块包括：功率转换模块，用于将输入电压转换成所述处理器的供电电压；检流模块，用于检测所述功率转换模块的输出电流，以获取所述处理器的负载电流值；控制模块，用于向所述处理器发送所述处理器的负载电流值；所述处理器用于执行以下操作：接收所述控制模块发送的所述负载电流值；根据所述负载电流值，确定所述处理器的温升信息。99.可选地，所述负载电流包括所述处理器在每个时钟周期内的平均电流。100.可选地，所述处理器用于执行以下操作：当所述温升信息指示所述处理器的温度小于第一温度阈值以及所述负载电流小于第一电流阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp从第一tdp提高到第二tdp。101.可选地，所述电子设备还包括：监测模块，用于监测所述处理器在单位时间内发生的错误数；当所述处理器以所述第二tdp工作时。所述处理器还用于执行以下操作：接收所述监测模块发送的所述处理器在单位时间内发生的错误数和所述温度检测模块发送的所述处理器的温度，当所述错误数大于第一错误数阈值和/或所述处理器的温度大于第二温度阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp由所述第二tdp调整为所述第一tdp。102.本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时，实现前述方法步骤。103.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。104.所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。105.另外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。106.在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本技术实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(digitalsubscriberline，dsl))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够读取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，数字通用光盘(digitalvideodisc，dvd))或者半导体介质(例如，固态硬盘(solidstatedisk，ssd))等。107.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
技术领域：
：的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。当前第1页12当前第1页12
技术特征：
1.一种调整处理器功率的方法，其特征在于，所述方法包括：确定所述处理器的温升信息；当所述处理器的内核使用率大于第一内核使用率阈值时，根据所述温升信息，调节所述处理器的热设计功耗tdp。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述处理器的温升信息，包括：确定所述处理器的温度，以及确定所述处理器的温升速率。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定所述处理器的温升速率，包括：确定所述处理器的负载电流；根据所述处理器的负载电流，确定所述处理器的温升速率。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述负载电流包括所述处理器在每个时钟周期内的平均电流。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述温升信息，调节所述处理器的热设计功耗tdp，包括：当所述温升信息指示所述处理器的温度小于第一温度阈值以及所述负载电流小于第一电流阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp从第一tdp提高到第二tdp。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述处理器以所述第二tdp工作时，监测所述处理器在单位时间内发生的错误数和所述处理器的温度，当所述错误数大于第一错误数阈值和/或所述处理器的温度大于第二温度阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp由所述第二tdp调整为所述第一tdp。7.一种调整处理器功率的装置，其特征在于，所述装置包括：确定模块，用于确定所述处理器的温升信息；控制模块，用于当所述处理器的内核使用率大于第一内核使用率阈值时，根据所述温升信息，调节所述处理器的热设计功耗tdp。8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述确定所述处理器的温升信息，包括：确定所述处理器的温度，以及，确定所述处理器的负载电流，根据所述处理器的负载电流，确定所述处理器的温升速率。9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述控制模块用于：当所述温升信息指示所述处理器的温度小于第一温度阈值以及所述负载电流小于第一电流阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp从第一tdp提高到第二tdp；所述装置还包括：监测模块，用于当所述处理器以所述第二tdp工作时，监测所述处理器在单位时间内发生的错误数和所述处理器的温度；所述控制模块还用于：当所述错误数大于第一错误数阈值和/或所述处理器的温度大于第二温度阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp由所述第二tdp调整为所述第一tdp。10.一种电子设备，其特征在于，包括处理器，所述处理器用于执行以下操作：确定所述处理器的温升信息；当所述处理器的内核使用率大于第一内核使用率阈值时，根据所述温升信息，调节所
述处理器的热设计功耗tdp。11.根据权利要求10所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括：温度检测模块，用于确定所述处理器的温度；电源管理模块，用于为所述处理器供电，所述电源管理模块包括：功率转换模块，用于将输入电压转换成所述处理器的供电电压；检流模块，用于检测所述功率转换模块的输出电流，以获取所述处理器的负载电流值；控制模块，用于向所述处理器发送所述处理器的负载电流值；所述处理器用于执行以下操作：接收所述温度检测模块发送的所述处理器的温度，以及，接收所述控制模块发送的所述负载电流值，根据所述负载电流值，确定所述处理器的温升速率。12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，所述处理器用于执行以下操作：当所述温升信息指示所述处理器的温度小于第一温度阈值以及所述负载电流小于第一电流阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp从第一tdp提高到第二tdp；所述电子设备还包括监测模块，用于监测所述处理器在单位时间内发生的错误数；当所述处理器以所述第二tdp工作时，所述处理器还用于执行以下操作：接收所述监测模块发送的所述处理器在单位时间内发生的错误数和所述温度检测模块发送的所述处理器的温度，当所述错误数大于第一错误数阈值和/或所述处理器的温度大于第二温度阈值时，将所述处理器的热设计功耗tdp由所述第二tdp调整为所述第一tdp。13.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时实现如权利要求1-6中任一项的方法。

技术总结
提供了一种调整处理器功率的方法及装置、电子设备、存储介质，该方法包括：确定所述处理器的温升信息；当所述处理器的内核使用率大于第一内核使用率阈值时，根据所述温升信息，调节所述处理器的热设计功耗TDP。节所述处理器的热设计功耗TDP。节所述处理器的热设计功耗TDP。


技术研发人员：史岩松
受保护的技术使用者：OPPO广东移动通信有限公司
技术研发日：2022.02.24
技术公布日：2023/9/7