配线形成方法以及基板处理装置与流程

1.本发明涉及一种配线形成方法以及基板处理装置。


背景技术：

2.随着半导体(semiconductor device)的配线的细微化，变得容易产生因为配线与贯孔(via)之间的偏移导致配线之间的短路。亦即，形成于某个第一配线上的贯孔在水平方向偏移，当该贯孔的一部分亦形成于第一配线与第二配线之间的绝缘膜上时，第二配线与该贯孔之间的距离变短，第一配线与第二配线之间会经由该贯孔而短路。
3.作为用以解决此种问题的手法，提出一种自动对准贯孔(self alignment via)(例如专利文献1)。在专利文献1中，在形成于绝缘膜的沟槽(trench)各自的内部形成成为配线的金属膜(例如铜配线)，并通过蚀刻该金属膜的上表面从而使各个金属膜的上表面比绝缘膜的上表面还后退。由此，能加长金属膜的上表面与绝缘膜的上表面之间的距离。
4.由此，即使因为贯孔相对于第一金属膜在水平方向偏移导致贯孔的一部分形成于第一金属膜与第二金属膜之间的绝缘膜的上表面，由于第二金属膜的上表面比绝缘膜的上表面还后退，因此能确保该贯孔与第二金属膜之间的距离。因此，能抑制经由贯孔导致第一金属膜与第二金属膜之间的短路。
5.现有技术文献
6.专利文献
7.专利文献1：日本特开2019-61978号公报。


技术实现要素：

8.发明所要解决的问题
9.形成于基板的配线(以下称为金属配线部)通过单一金属膜所形成或者通过多个金属膜所形成。此种金属配线部在金属配线部的制造工序中被适当地蚀刻并被调整形状。例如，在专利文献1中，蚀刻金属膜的上表面。
10.在此种蚀刻中，会有使金属配线部氧化从而蚀刻金属配线部的情形。在此种情形中，会在金属配线部局部性地形成有氧化膜。由于此种氧化膜会使金属配线部的电阻值增加，故不佳。
11.因此，本发明的目的在于提供一种技术，能一边通过氧化蚀刻金属配线部的一部分一边抑制因为氧化所形成的氧化膜导致金属配线部的电阻值的增加。
12.用以解决课题的手段
13.第一方式的配线形成方法用以形成配线，并具备：搬入工序，将形成有金属配线部的基板搬入至腔室(chamber)内；蚀刻工序，对所述基板供给氧化性气体，从而蚀刻所述金属配线部的一部分；以及还原工序，对所述基板供给还原性气体，从而将通过所述蚀刻工序所形成的所述金属配线部的氧化膜予以还原。
14.第二方式的配线形成方法是如第一方式所述的配线形成方法，其中，所述金属配
线部包含：配线本体，位于所述基板的绝缘膜的沟槽内；以及障壁(barrier)膜，设置于所述配线本体与所述绝缘膜之间；在所述蚀刻工序中，将所述障壁膜的一部分作为所述金属配线部的所述一部分予以蚀刻；在所述还原工序中，将通过所述蚀刻工序形成于所述配线本体的所述氧化膜予以还原。
15.第三方式的配线形成方法是如第二方式所述的配线形成方法，其中，在所述蚀刻工序中，将所述障壁膜中的从所述配线本体的表面突出的突起部分作为所述金属配线部的所述一部分予以蚀刻；在所述还原工序中，将通过所述蚀刻工序形成于所述配线本体的所述表面的所述氧化膜予以还原。
16.第四方式的配线形成方法是如第二方式或者第三方式所述的配线形成方法，其中，所述障壁膜包含钌(ruthenium)。
17.第五方式的配线形成方法是如第二方式至第四方式中任一方式所述的配线形成方法，其中，所述配线本体包含铜、钼(molybdenum)、钴(cobalt)、钨(tungsten)、铂以及铟中的至少任一个。
18.第六方式的配线形成方法是如第一方式所述的配线形成方法，其中，所述金属配线部包含金属膜；在所述蚀刻工序中，通过所述氧化性气体将所述金属膜的一部分作为所述金属配线部的所述一部分予以蚀刻；在所述还原工序中，通过所述还原性气体将通过所述蚀刻工序形成于所述金属膜的所述氧化膜予以还原。
19.第七方式的配线形成方法是如第一方式至第六方式中任一方式所述的配线形成方法，其中，所述蚀刻工序包含：检测工序，通过气体传感器检测通过所述氧化性气体与所述金属配线部的反应所生成的生成气体；以及判断工序，基于所述气体传感器的检测值来判断是否使所述蚀刻工序停止。
20.第八方式的配线形成方法是如第一方式至第七方式中任一方式所述的配线形成方法，其中，还具备：氧化性气体排出工序，在所述蚀刻工序与所述还原工序之间被执行，将非活性气体供给至所述腔室内并使所述氧化性气体从所述腔室排出。
21.第九方式的配线形成方法是如第一方式至第八方式中任一方式所述的配线形成方法，其中，在所述蚀刻工序中交替地重复进行：第一工序，用以供给所述氧化性气体；以及第二工序，用以供给非活性气体。
22.第十方式的配线形成方法是如第一方式至第九方式中任一方式所述的配线形成方法，其中，在所述蚀刻工序中，以所述基板的温度成为50度以上且200度以下的方式加热所述基板。
23.第十一方式的配线形成方法是如第一方式至第十方式中任一方式所述的配线形成方法，其中，在所述还原工序中，以所述基板的温度成为100度以上且300度以下的方式加热所述基板。
24.第十二方式的配线形成方法是如第一方式至第十一方式中任一方式所述的配线形成方法，其中，还具备：冷却工序，在所述还原工序之后冷却所述基板；以及搬出工序，在所述冷却工序之后从所述腔室搬出所述基板。
25.一种基板处理装置，具备：腔室；基板保持部，设置于所述腔室内，用以保持形成有金属配线部的基板；氧化性气体供给部，对所述腔室内的所述基板供给氧化性气体，从而蚀刻所述金属配线部的一部分；以及还原性气体供给部，对所述基板供给还原性气体，从而将
通过所述氧化性气体所形成的所述金属配线部的氧化膜予以还原。
26.发明效果
27.依据基板处理装置的方式以及第一方式至第十二方式的配线形成方法，由于将在蚀刻工序所产生的金属配线部的氧化膜予以还原，因此能使该氧化膜再次作为金属配线部发挥作用。因此，能使金属配线部的电阻值降低。
28.依据第三方式的配线形成方法，在蚀刻工序中通过蚀刻去除障壁膜的突起部分。因此，在绝缘膜上形成有贯孔部的情形中，能以更低的电阻形成贯孔部以及金属配线部。
29.依据第四方式的配线形成方法，由于通过氧化生成四氧化钌(ruthenium tetroxide)气体，因此有助于障壁膜的蚀刻。
30.依据第六方式的配线形成方法，能使金属膜的电阻值降低。
31.依据第七方式的配线形成方法，能以更高的精度控制对于金属配线部的蚀刻量。
32.依据第八方式的配线形成方法，使氧化性气体的浓度降低后再供给还原性气体。因此，能抑制还原性气体与氧化性气体的反应，从而能抑制或者避免作用于基板的还原性气体的量的降低。
33.依据第九方式的配线形成方法，在第二工序中供给非活性气体，从而产生氧化性气体的浓度的不均匀。因此，通过浓度扩散，与基板反应后的氧化性气体迅速地从基板离开。在接下来的第一工序中，由于再次对基板供给新鲜的氧化性气体，因此容易地将旧的氧化性气体置换成新的氧化性气体，且新的氧化性气体容易作用于基板。由此，能更迅速地进行蚀刻。
34.依据第十方式的配线形成方法，能更适当地蚀刻金属配线部。
35.依据第十一方式的配线形成方法，能更适当地将氧化物予以还原。
36.依据第十二方式的配线形成方法，能抑制腔室的外部中的基板的自然氧化。
附图说明
37.图1是概略性地表示第一实施方式的基板处理装置的构成的一例的图。
38.图2是概略性地表示基板的构成的一例的剖视图。
39.图3是表示控制部的内部构成的一例的框图。
40.图4是表示基板处理装置的动作的一例的流程图。
41.图5是概略性地表示蚀刻工序后的基板的构成的一例的剖视图。
42.图6是概略性地表示还原工序后的基板的构成的一例的剖视图。
43.图7是概略性地表示形成有连接层的基板的构成的一例的剖视图。
44.图8是概略性地表示比较例的基板的构成的一例的剖视图。
45.图9是概略性地表示第二实施方式的基板处理装置的构成的一例的图。
46.图10是示意性地表示生成气体的时间变化的一例的曲线图。
47.图11是表示蚀刻工序的具体性的动作的一例的流程图。
48.图12是表示蚀刻工序的一例的时序图。
49.图13是概略性地表示基板的构成的另一例的剖视图。
具体实施方式
50.以下参照附图说明实施方式。此外，本实施方式所述的构成要素仅为例示，并非是用以将本发明的范围限定于这些实施方式。为了容易理解，会有在附图中因应需要将各个部位的尺寸、数量予以夸张或者简化地图示的情形。
51.只要未特别地说明，则用以表示相对性或者绝对性的位置关系的表现(例如“朝一方向”、“沿着一方向”、“平行”、“正交”、“中心”、“同心”以及“同轴”等)不仅严密地表示所指称的位置关系，亦表示在公差或者能获得相同程度的功能的范围内角度或者距离已相对性地位移的状态。只要未特别地说明，则用以表示相等的状态的表现(例如“相同”、“相等”以及“均质”等)不仅表示定量地且严密地相等的状态，亦表示存在公差或者能获得相同程度的功能的误差的状态。只要未特别地说明，则用以表示形状的表现(例如“四边形状”或者“圆筒形状”等)不仅几何学性地且严密地表示所指称的形状，亦表示在能获得相同程度的功效的范围内具有例如凹凸或者倒角等的形状。“具备”、“具有”、“具备有”、“含有”或者“包含”一个构成要素的此种表现并非是将其他的构成要素的存在排除的排他式的表现。“a、b以及c中的至少任一者”的此种表现包含只有a、只有b、只有c、a至c中的任两者、a至c全部。
52.[第一实施方式]
[0053]
[基板处理装置的概要]
[0054]
图1是概略性地表示第一实施方式的基板处理装置100的构成的一例的图。基板处理装置100在将配线形成于基板w时所使用。
[0055]
图2是概略性地表示被搬入至基板处理装置100的基板w的构成的一例的剖视图。图2的基板w为通过基板处理装置100处理前的基板w。在基板w形成有第一配线层90。第一配线层90包含绝缘膜91以及金属配线部92。绝缘膜91亦被称为层间绝缘膜，用以确保金属配线部92与周围之间的绝缘。绝缘膜91亦可为例如低介电体膜(所谓的low-k(低介电强度)膜)。作为低介电体膜的更具体性的一例，能采用在氧化硅添加了碳的sioc(carbon containing silicon oxide；含碳氧化硅)膜。
[0056]
在图2的例子中，在绝缘膜91的上表面形成有沟槽91a。沟槽91a为形成于绝缘膜91的上表面的槽。在图2的例子中，多个沟槽91a彼此隔着间隔地排列。沟槽91a的间距(pitch)例如为20nm以上且40nm以下左右。
[0057]
在各个沟槽91a埋设有金属配线部92。在图2的例子中，金属配线部92包含配线本体93以及障壁膜94。配线本体93通过金属材料所形成。作为该金属材料，采用用以通过氧化形成氧化膜的材料。更具体而言，作为该金属材料，能采用例如铜(cu)、钼(mo)、钴(co)、钨(w)、铂(pt)以及铟(ir)中的至少任一个。
[0058]
配线本体93位于沟槽91a内。障壁膜94设置于配线本体93与绝缘膜91之间，用以抑制配线本体93朝绝缘膜91扩散。障壁膜94在沟槽91a内一边密接于绝缘膜91的表面一边亦密接于配线本体93。障壁膜94的材料与配线本体93的材料不同，采用能抑制配线本体93朝绝缘膜91扩散的金属材料作为障壁膜94的材料。此外，采用通过氧化而被蚀刻的材料作为障壁膜94的金属材料。更具体而言，能采用例如钌(ru)作为障壁膜94的金属材料。障壁膜94亦能称为障壁金属。
[0059]
障壁膜94沿着沟槽91a的侧面以及底面而形成。因此，障壁膜94具有与沟槽91a的形状同样的形状且具有凹形状。配线本体93埋设于障壁膜94的凹陷部分。
[0060]
障壁膜94的厚度例如为数nm(例如2nm)左右以下。由于障壁膜94非常地薄，因此金属配线部92的主成分成为配线本体93。因此，作为配线本体93的材料，只要采用具有比障壁膜94的比电阻值还小的比电阻值的材料即可。由此，能减小金属配线部92的电阻值。例如，由于铜的比电阻值非常地小，因此只要采用比电阻值小的铜作为配线本体93的材料，即能使金属配线部92的电阻值降低。配线本体93亦能称为栓塞(plug)。
[0061]
在图2的例子中，配线本体93的上表面比绝缘膜91的上表面还后退。换言之，绝缘膜91中的沟槽91a相互间的部分比配线本体93还朝上方突出。
[0062]
另一方面，障壁膜94的上端变成与绝缘膜91的上表面大致齐平。以下，将障壁膜94中的比配线本体93的上表面还朝上方突出的部分称为突起部分941。由于障壁膜94的剖面具有大致u字形状，因此障壁膜94的两侧的部分作为突起部分941且比配线本体93还朝上方突出。
[0063]
在此，基板处理装置100蚀刻障壁膜94的突起部分941。参照图1，基板处理装置100包含腔室1、基板保持部2、气体供给部3以及控制部10。
[0064]
腔室1具有箱形的中空形状。腔室1的内部空间相当于用以对基板w进行处理的处理空间。
[0065]
如图1所例示那样，亦可在基板处理装置100设置有吸引部7。吸引部7吸引腔室1内的气体并排出至外部，由此使腔室1内的压力降低。吸引部7以腔室1内的压力变成适合处理的压力范围内的方式调整腔室1内的压力。
[0066]
基板保持部2设置于腔室1内，并以例如水平姿势保持基板w。在此所谓水平姿势指基板w的厚度方向沿着铅垂方向的姿势。由于在被基板保持部2保持的基板w的上表面形成有绝缘膜91以及金属配线部92，因此绝缘膜91以及金属配线部92在腔室1内露出。
[0067]
在图1的例子中，基板处理装置100进一步包含加热器22。加热器22设置于腔室1内，用以加热被基板保持部2保持的基板w。加热器22以基板w的温度变成适合处理的温度范围内的方式加热基板w。
[0068]
气体供给部3将各种气体供给至腔室1内。如图1所示，气体供给部3包含氧化性气体供给部4以及还原性气体供给部5。氧化性气体供给部4将氧化性气体供给至腔室1内的基板w。氧化性气体例如为包含氧的气体，作为更具体性的一例为臭氧气体。氧化性气体作用于基板w的上表面，由此蚀刻障壁膜94的突起部分941。换言之，障壁膜94通过能被氧化而蚀刻的材料所形成。例如，在障壁膜94为钌的情形中，通过臭氧等的氧化性气体与钌的反应来生成四氧化钌(ruo4)气体，从而蚀刻突起部分941。
[0069]
另一方面，通过氧化性气体作用于基板w的上表面，在配线本体93形成有氧化膜。换言之，配线本体93通过用以通过氧化形成氧化膜的材料所形成。例如，在配线本体93为铜的情形中，在配线本体93的上表面形成有氧化铜的薄膜。由此，配线本体93的剖面积变小且配线本体93的电阻值变大。
[0070]
在此，还原性气体供给部5对腔室1内的基板w供给还原性气体。还原性气体例如为包含氢的气体，作为更具体性的一例为氢气。还原性气体供给部5亦可将载体气体(carrier gas)与氢气一起供给。载体气体例如为氮等的非活性气体。能采用合成气体(forming gas)作为氢气以及非活性气体的混合气体。在合成气体中，氢气的比例例如为3％至4％左右。还原性气体作用于基板w的上表面，由此形成于配线本体93的氧化膜被还原从而恢复成配线
本体93的一部分。由此，能抑制或者避免氧化膜导致配线本体93的剖面积的降低，从而能抑制或者避免配线本体93的电阻值的增加。
[0071]
如上所述，依据基板处理装置100，通过氧化性气体的供给，能蚀刻障壁膜94的突起部分941。另一方面，通过氧化性气体的供给，在配线本体93的表面形成有氧化膜。然而，通过之后的还原性气体的供给，能将配线本体93的氧化膜予以还原。因此，能将该氧化膜复原成配线本体93的一部分。亦即，能使该氧化膜再次作为配线本体93发挥作用。因此，能抑制或者避免金属配线部92的电阻值的增加。
[0072]
接着，详细说明基板处理装置100的各个构成的具体性的一例以及基板处理装置100的动作的具体性的一例。
[0073]
[基板保持部]
[0074]
在图1的例子中，基板保持部2包含载置台21。基板w以水平姿势载置于载置台21上。基板w的上表面(具体而言为绝缘膜91的上表面以及金属配线部92的上表面)在基板w被载置于载置台21的状态下在腔室1内露出。
[0075]
[加热器]
[0076]
加热器22被控制部10控制，从而加热腔室1内的基板w。在图1的例子中，加热器22设置于比被基板保持部2保持的基板w还更铅垂下方。在图1的例子中，加热器22内置于载置台21。加热器22可例如为包含电热线的电阻式的加热器，或者亦可为包含用以照射加热用的光线的光源的光学式的加热器。
[0077]
[吸引部]
[0078]
吸引部7吸引腔室1内的气体。在图1的例子中，吸引部7包含吸引管71以及吸引机构72。吸引管71的上游端连接于腔室1。在图1的例子中，吸引管71包含分支管711、712以及合流管713。分支管711的上游端以及分支管712的上游端在比被基板保持部2保持的基板w还更铅垂下方连接于腔室1。在图1的例子中，分支管711的上游端以及分支管712的上游端在相对于基板保持部2彼此相反侧连接于腔室1的底部。
[0079]
分支管711的下游端以及分支管712的下游端共同连接于合流管713的上游端，合流管713的下游端连接于吸引机构72。吸引机构72例如为泵(pump)。吸引机构72被控制部10控制，从而通过吸引管71吸引腔室1内的气体。
[0080]
[气体供给部]
[0081]
气体供给部3包含供给管31。供给管31的下游端连接于腔室1。在图1的例子中，供给管31的下游端连接于腔室1的顶部，并在铅垂方向与被基板保持部2保持的基板w对向。供给管31的下游端作为用以对腔室1内供给气体的供气口而发挥作用。在图1的例子中，从供给管31的供气口对腔室1内供给各种气体，各个气体朝向基板w的上表面流动。
[0082]
在图1的例子中，氧化性气体供给部4将氧化性气体通过供给管31供给至腔室1内。例如，氧化性气体供给部4包含供给管41、阀42以及流量调整部(mfc)43。供给管41的下游端连接于供给管31，供给管41的上游端连接于氧化性气体供给源44。氧化性气体供给源44将氧化性气体供给至供给管41的下游端。
[0083]
阀42安装于供给管41。阀42被控制部10控制，打开阀42，由此氧化性气体从氧化性气体供给源44通过供给管41以及供给管31被供给至腔室1内。关闭阀42，由此停止供给氧化性气体。
[0084]
流量调整部43安装于供给管41。流量调整部43被控制部10控制，从而调整在供给管41流动的氧化性气体的流量。流量调整部43例如为质量流量控制器(mass flow controller)。
[0085]
在图1的例子中，还原性气体供给部5通过供给管31将还原性气体供给至腔室1内。例如，还原性气体供给部5包含供给管51、阀52以及流量调整部(mfc)53。供给管51的下游端连接于供给管31，供给管51的上游端连接于还原性气体供给源54。还原性气体供给源54将还原性气体供给至供给管51的下游端。
[0086]
阀52安装于供给管51。阀52被控制部10控制，打开阀52，由此还原性气体从还原性气体供给源54通过供给管51以及供给管31被供给至腔室1内。关闭阀52，由此停止供给还原性气体。
[0087]
流量调整部53安装于供给管51。流量调整部53被控制部10控制，用以调整在供给管51流动的还原性气体的流量。流量调整部53如为质量流量控制器。
[0088]
在图1的例子中，气体供给部3进一步包含非活性气体供给部6。非活性气体供给部6将非活性气体供给至腔室1内。非活性气体例如包含氩等的稀有气体以及氮气体中的至少任一者。
[0089]
在图1的例子中，非活性气体供给部6通过供给管31将非活性气体供给至腔室1内。例如，非活性气体供给部6包含供给管61、阀62以及流量调整部(mfc)63。供给管61的下游端连接于供给管31，供给管61的上游端连接于非活性气体供给源64。非活性气体供给源64将非活性气体供给至供给管61的下游端。
[0090]
阀62安装于供给管61。阀62被控制部10控制，打开阀62，由此非活性气体从非活性气体供给源64通过供给管61以及供给管31被供给至腔室1内。关闭阀62，由此停止供给非活性气体。
[0091]
流量调整部63安装于供给管61。流量调整部63被控制部10控制，用以调整在供给管61流动的非活性气体的流量。流量调整部63如为质量流量控制器。
[0092]
[控制部]
[0093]
图3是概略性地表示控制部10的构成的一例的框图。控制部10为电子电路设备，且亦可具有例如数据处理装置101以及存储介质102。数据处理装置101亦可为例如cpu(central processing unit；中央处理单元)等的运算处理装置。存储介质102亦可具有非暂时性的存储介质1021(例如rom(read only memory；只读存储器))或者硬盘)以及暂时性的存储介质1022(例如ram(random access memory；随机存取存储器))。亦可在非暂时性的存储介质1021存储有例如用以规定控制部10所执行的处理的程序。数据处理装置101执行该程序，由此控制部10能执行被程序规定的处理。当然，控制部10所执行的处理的一部分或者全部亦可通过逻辑电路等硬件电路来执行。
[0094]
[基板处理装置的动作]
[0095]
接着，说明基板处理装置100的动作的一例。图4是表示基板处理装置100的动作的一例的流程图。换言之，图4是表示配线形成方法的一例的流程图。
[0096]
首先，通过未图示的搬运装置将基板w搬运至腔室1内(步骤s1：搬入工序)。由此，基板w被载置于基板保持部2的载置台21。在该基板w的上表面形成有绝缘膜91以及金属配线部92。
[0097]
接着，吸引部7吸引腔室1内的气体，加热器22加热基板w(步骤s2：减压加热工序)。具体而言，控制部10使吸引机构72进行吸引动作，并使加热器22进行加热动作。
[0098]
吸引机构72进行吸引动作，由此腔室1内的气体通过吸引管71被吸引机构72吸引，从而腔室1内的压力降低。吸引部7以腔室1内的压力变成适合处理的预定的制程压力的方式调整压力。预定的制程压力例如为400torr以上且760torr以下。此外，760torr表示标准大气压。亦即，吸引部7不一定需要设置，腔室1内的减压并不是必须的工序。
[0099]
在将腔室1内予以减压的情形中，亦可在基板处理装置100设置有用以测定腔室1内的压力的压力传感器；在此情形中，控制部10亦可基于压力传感器的检测值来控制吸引机构72。吸引部7调整腔室1内的压力直至处理结束为止。
[0100]
加热器22进行加热动作，由此基板w的温度上升。加热器22以基板w的温度变成适合金属配线部92的蚀刻的第一预定温度的方式调整基板w的温度。第一预定温度例如为50℃以上且200℃以下。亦可在基板处理装置100设置有用以检测基板w的温度的温度传感器；在此情形中，控制部10亦可基于温度传感器的检测值来控制加热器22。加热器22调整基板w的温度直至处理结束为止。
[0101]
接着，氧化性气体供给部4将氧化性气体供给至腔室1内(步骤s3：蚀刻工序)。具体而言，控制部10打开阀42。由此，氧化性气体从氧化性气体供给源44通过供给管41以及供给管31被供给至腔室1内，并在腔室1内朝向基板w流动。在此，氧化性气体为臭氧气体。
[0102]
氧化性气体作用于基板w的上表面，由此障壁膜94氧化从而被蚀刻。具体而言，障壁膜94的突起部分941被蚀刻。在通过钌形成有障壁膜94的情形中，障壁膜94的突起部分941与臭氧气体反应从而生成四氧化钌气体，由此突起部分941被蚀刻。更具体而言，腔室1内的臭氧气体在高温的基板w上分解成氧原子以及氧分子，氧原子与钌反应并生成一氧化钌(ruo)，一氧化钌与臭氧反应从而生成四氧化钌气体。
[0103]
在步骤s3中，由于加热器22以基板w的温度变成适合蚀刻的温度(50℃以上至200℃以下)的方式加热基板w，因此金属配线部92被更适当地蚀刻。
[0104]
另一方面，氧化性气体作用于基板w的上表面，由此在配线本体93的上表面形成有氧化膜。在通过铜形成有配线本体93的情形中，在配线本体93的上表面形成有氧化铜的薄膜。
[0105]
图5是概略性地表示步骤s3之后的基板w的构成的一例的剖视图。如图5所例示那样，在步骤s3中，通过氧化性气体去除障壁膜94的突起部分941，且在配线本体93的上表面形成有氧化膜931。
[0106]
当突起部分941被充分地去除时，氧化性气体供给部4停止供给氧化性气体(步骤s4：蚀刻停止工序)。亦即，在障壁膜94的上端变成与配线本体93的上表面(在此为氧化膜931的上表面)大致齐平时停止蚀刻。作为具体性的一例，控制部10判断从开始供给氧化性气体起的经过时间是否变成预定时间以上，在经过时间变成预定时间以上时关闭阀42。预定时间为去除突起部分941所需的时间，且通过例如实验或者模拟预先设定。
[0107]
接着，从腔室1排出氧化性气体(步骤s5：氧化性气体排出工序)。例如，非活性气体供给部6将非活性气体供给至腔室1内。具体而言，控制部10打开阀62。由此，非活性气体从非活性气体供给源64通过供给管61以及供给管31被供给至腔室1内。因此，非活性气体将腔室1内的氧化性气体朝吸引管71推出。由此，能促进氧化性气体的排气。当氧化性气体充分
地从腔室1排出时，非活性气体供给部6停止供给非活性气体。具体而言，控制部10关闭阀62。
[0108]
在适合后述的还原工序(步骤s6)的基板w的第二预定温度与第一预定温度不同的情形中，在步骤s4之后，加热器22以基板w的温度变成第二预定温度的方式加热基板w(温度变更工序)。第二预定温度例如为100℃以上且300℃以下。
[0109]
接着，还原性气体供给部5将还原性气体供给至腔室1内(步骤s6：还原工序)。具体而言，控制部10打开阀52。由此，还原性气体从还原性气体供给源54通过供给管51以及供给管31被供给至腔室1内，并在腔室1内朝向基板w流动。在此，还原性气体包含氢气。
[0110]
还原性气体作用于基板w的上表面，由此氧化膜931还原从而恢复成配线本体93的一部分。例如，在氧化膜931为氧化铜的情形中，氧化铜与还原性气体反应从而恢复成铜(配线本体93)。
[0111]
图6是概略性地表示步骤s6之后的基板w的构成的一例的剖视图。由于在步骤s6中氧化膜931恢复成配线本体93的一部分，因此在图6的例子中未表示有氧化膜931，障壁膜94的上端变成与配线本体93的上表面大致齐平。
[0112]
在步骤s6中，由于加热器22以基板w的温度变成适合氧化膜931的还原的温度(100℃以上且300℃以下)的方式加热基板w，因此氧化膜931被更适当地还原。
[0113]
当氧化膜931被还原从而恢复成配线本体93的一部分时，还原性气体供给部5停止供给还原性气体(步骤s7：还原停止工序)。具体而言，控制部10关闭阀52。由此，停止供给还原性气体。
[0114]
接着，冷却基板w(步骤s8：冷却工序)。例如，加热器22结束加热动作，非活性气体供给部6将非活性气体供给至腔室1内的基板w。由此，非活性气体朝向基板w的上表面流动从而基板w被风冷。
[0115]
当基板w的温度充分地降低时，通过搬运装置将基板w从腔室1搬出(步骤s9：搬出工序)。例如，搬运装置在基板w的温度变成50℃以下的状态下、更佳为在基板w的温度变成40℃或者30℃以下的状态下、再更佳为在基板w的温度变成25℃以下的状态下，将基板w从腔室1搬出。作为更具体性的一例，亦可在从步骤s8开始起经过了预定的冷却时间时搬运装置搬出基板w。预定的冷却时间为基板w的温度变成预定值(例如50℃)以下的时间，且通过实验或者模拟预先设定。或者，在设置有用以检测基板w的温度的温度传感器的情形中，亦可在温度传感器的检测值变成预定值(例如50℃)以下时搬运装置搬出基板w。
[0116]
由此，即使在腔室1的外部空间包含有氧气体，亦能抑制金属配线部92的自然氧化。
[0117]
如上所述，依据基板处理装置100，在基板w的配线本体93的上表面以及障壁膜94的突起部分941在腔室1内露出的状态下，对腔室1内供给氧化性气体(步骤s3)。因此，氧化性气体作用于基板w的配线本体93的上表面以及障壁膜94的突起部分941双方。因此，能通过氧化性气体蚀刻障壁膜94的突起部分941，并在配线本体93的上表面形成有氧化膜931。
[0118]
而且，在去除突起部分941后，为了将通过步骤s3所生成的氧化膜931予以还原，将还原性气体供给至腔室1内的基板w(步骤s6)。由此，还原性气体与氧化膜931反应，从而能将氧化膜931恢复成配线本体93的一部分。
[0119]
因此，能抑制或者避免配线本体93的电阻值的增加，且能去除障壁膜94的突起部
分941。
[0120]
在被基板处理装置100处理过的基板w上依序形成连接层以及第二配线层。图7是表示形成有连接层95的基板w的构成的一例。连接层95为用以电连接形成于连接层95上的第二配线层(未图示)以及第一配线层90的层。在图7的例子中，连接层95包含衬膜(liner film)961、绝缘膜96以及贯孔部97。
[0121]
衬膜961具有绝缘性，且作为绝缘膜96的蚀刻阻止膜(etching stopper film)而发挥作用。衬膜961形成于绝缘膜91以及金属配线部92上。衬膜961亦可为通过多个绝缘膜所构成的多层膜。例如，衬膜961亦可为包含含氮碳化硅(sicn；nitrogen containing silicon oxide)膜以及氧化铝(al2o3)膜的多层膜。
[0122]
绝缘膜96亦被称为层间绝缘膜，用以确保贯孔部97与周围的绝缘。绝缘膜96形成于衬膜961上。与绝缘膜91同样地，绝缘膜96为例如低介电体膜。在绝缘膜96以及衬膜961形成有贯孔用的孔96a。孔96a在基板w的厚度方向贯通绝缘膜96以及衬膜961。在图7的例子中，贯孔用的孔96a在水平方向中从金属配线部92偏移地形成。具体而言，贯孔用的孔96a跨越地形成于金属配线部92的一部分上以及与该金属配线部92的一部分邻接的绝缘膜91的一部分上。
[0123]
贯孔部97设置于贯孔用的孔96a的内部。贯孔部97包含贯孔本体98以及障壁膜99。障壁膜99形成于贯孔用的孔96a的侧面以及底面，且厚度为数nm左右的薄度。障壁膜99具有与贯孔用的孔96a的侧面以及底面的形状相应的凹形状，且在贯孔用的孔96a的底面具有与金属配线部92以及绝缘膜91的阶梯形状相应的阶梯形状。
[0124]
贯孔本体98埋设于障壁膜99的凹陷部分的内部。贯孔本体98通过金属材料所形成。作为金属材料，能采用例如铜、钼、钴、钨、铂以及铟中的至少任一个。当采用比电阻值小的铜作为该金属材料时，能使贯孔本体98的电阻值降低。
[0125]
障壁膜99通过能抑制贯孔本体98朝绝缘膜96以及绝缘膜91扩散的金属材料所形成。更具体而言，能采用例如钌作为该金属材料。
[0126]
在图7的例子中，由于贯孔部97从金属配线部92偏移地形成，因此贯孔部97的一部分亦形成于绝缘膜91的上表面上。然而，由于金属配线部92的上表面比绝缘膜91的上表面还低，因此能确保与贯孔部97彼此相邻的金属配线部92(在图中为右端的金属配线部92)与贯孔部97之间的距离。因此，能抑制或者避免经由贯孔部97导致金属配线部92之间的短路。
[0127]
而且，在图7的例子中，由于去除金属配线部92的突起部分941，因此贯孔部97的障壁膜99与金属配线部92的障壁膜94接触的部分较小。
[0128]
为了比较，说明未去除障壁膜94的突起部分941的情形的基板w0。图8是概略性地表示比较例的基板w0的构成的一例的剖视图。基板w0除了有无突起部分941之外具有与基板w同样的构成。在基板w0中，由于存在有障壁膜94的突起部分941，因此贯孔部97的障壁膜99相对于突起部分941在厚度方向层叠地形成。因此，贯孔本体98的下表面中的最接近金属配线部92的配线本体93的部分的宽度d0变得狭窄了突起部分941的大小。因此，金属配线部92与贯孔部97以更高的电阻值彼此电连接。
[0129]
相对于此，在基板w中去除突起部分941(参照图7)。因此，贯孔本体98的下表面中的最接近配线本体93的部分的宽度d1变得宽了突起部分941的大小。因此，金属配线部92与贯孔部97以更低的电阻值彼此电性地连接。亦即，通过去除突起部分941，能以更低的电阻
形成金属配线部92与贯孔部97。由此，能使半导体器件的性能提升。
[0130]
[障壁膜的突起部分的去除方法]
[0131]
此外，在蚀刻障壁膜94的突起部分941时，为了避免配线本体93的氧化，亦考虑事先在配线本体93的上表面形成暂时性的保护膜并在蚀刻后去除该保护膜。然而，由于障壁膜94的厚度为非常薄的数nm，因此对于保护膜的位置亦要求相同程度的数nm的精度。以此种位置精度形成保护膜是困难的。
[0132]
相对于此，在本实施方式中，在通过氧化性气体进行蚀刻时(步骤s3)，配线本体93的上表面会露出，未事先形成保护膜。由此，虽然在配线本体93的上表面形成有氧化膜931，然而会通过之后的还原处理(步骤s6)将氧化膜931恢复成配线本体93的一部分。由此，能省略难以形成的保护膜，并能去除障壁膜94的突起部分941。
[0133]
而且，在本实施方式中，并非是去除形成于配线本体93的氧化膜931，而是通过还原使氧化膜931复原成配线本体93的一部分。因此，能使配线本体93的电阻值降低。
[0134]
[氧化性气体排出工序]
[0135]
在上述例子中，在步骤s3(蚀刻步骤)与步骤s6(还原工序)之间进行步骤s5(氧化性气体排出工序)。在步骤s5中，在停止供给氧化性气体以及还原性气体的状态，将非活性气体供给至腔室1内。由此，能将氧化性气体从腔室1迅速地排出。而且，在氧化性气体几乎从腔室1排出后，开始供给还原性气体(步骤s6)。亦即，使腔室1内的氧化性气体的浓度降低后将氧化性气体供给至腔室1内。由此，能在腔室1内抑制或者避免氧化性气体与还原性气体之间的反应，从而能抑制或者避免作用于基板w的还原性气体的量降低。因此，能更有效率地进行配线本体93的氧化膜931的还原。
[0136]
[冷却工序]
[0137]
此外，在上述例子中，进行步骤s8(冷却工序)后再进行步骤s9(搬出工序)。因此，即使在腔室1的外部包含有氧气体，基板w(更具体而言为金属配线部92)难以自然氧化。换言之，能通过步骤s8抑制基板w的自然氧化。
[0138]
[第二实施方式]
[0139]
图9是概略性地表示第二实施方式的基板处理装置100a的构成的一例的图。基板处理装置100a除了有无气体传感器8之外具有与基板处理装置100同样的构成。
[0140]
气体传感器8为用以检测通过氧化性气体与金属配线部92(更具体而言为障壁膜94)反应所生成的生成气体的传感器。在障壁膜94为钌的情形中，气体传感器8例如检测四氧化钌气体。气体传感器8在通过气体供给部3所供给的气体的流动中设置于比被基板保持部2保持的基板w还下游侧。气体传感器8可设置于腔室1内，亦可设置于吸引管71。在图9的例子中，气体传感器8在腔室1内设置于吸引管71的上游端(排气口)附近。由于在基板w的上表面所生成的生成气体朝吸引管71的排气口流动并被吸引至吸引管71内，因此气体传感器8能有效地检测生成气体。
[0141]
气体传感器8检测上述生成气体，并将用以表示检测结果的电信号输出至控制部10。控制部10基于通过气体传感器8所检测的生成气体的量(例如浓度)来判断是否停止蚀刻金属配线部92。
[0142]
图10是示意性地表示在蚀刻障壁膜94的突起部分941时通过气体传感器8所检测的生成气体的量的时间变化的一例的曲线图。在蚀刻工序(步骤s3)的初期，由于突起部分
941的表面露出于腔室1内，因此突起部分941的露出面积大。因此，氧化性气体所作用的面积大，从而生成更多的生成气体。由于突起部分941随着时间的经过缓缓地被蚀刻，因此突起部分941的露出面积随着时间的经过缓缓地变小。因此，通过气体传感器8所生成的生成气体的量随着时间的经过缓缓地降低。
[0143]
当去除突起部分941时，仅障壁膜94的上端露出，露出面积变得非常小。即使障壁膜94的上端被氧化性气体去除，由于障壁膜94的露出面积几乎不会改变，因此生成气体的浓度并不会随着时间的经过而变动，大致变成固定。
[0144]
如此，通过气体传感器8所检测的生成气体的量与对于障壁膜94的蚀刻量具有相关关系。因此，控制部10基于通过气体传感器8所检测的生成气体的量来判断是否使蚀刻停止，亦即判断是否使氧化性气体的供给停止。
[0145]
图11是表示蚀刻工序(步骤s3)的具体性的动作的一例的流程图。在蚀刻工序中，首先，氧化性气体供给部4开始供给氧化性气体(步骤s301)。具体而言，控制部10打开阀42。接着，气体传感器8检测生成气体(例如四氧化钌)(步骤s302：检测工序)。
[0146]
接着，控制部10判断通过气体传感器8所检测的生成气体的量是否满足停止条件(步骤s303：判断工序)。作为停止条件并无特别限定，例如亦可采用下述第一条件：通过气体传感器8所检测的生成气体的量为预定的基准量rref以下。基准量rref例如为与去除突起部分941时所生成的生成气体的量相同程度的值，且通过实验或者模拟预先设定。
[0147]
在停止条件不成立的情形中，再次进行步骤s302。在停止条件成立的情形中，进行蚀刻停止工序(步骤s4)。
[0148]
如上所述，依据基板处理装置100a，基于气体传感器8所检测的生成气体使蚀刻停止。因此，能更确实地去除突起部分941，且能更确实地抑制障壁膜94的过度蚀刻。
[0149]
此外，从图10能够理解那样，当去除障壁膜94的突起部分941时，生成气体的量相对于时间变得大致固定。因此，作为停止条件，亦可采用下述第二条件：生成气体的量的时间变化率为预定的基准变化率以下。基准变化率通过例如实验或者模拟预先设定。
[0150]
或者，作为停止条件，亦可采用第一条件以及第二条件双方。亦即，控制部10亦可在第一条件以及第二条件双方成立时判断成停止条件成立。在采用第一条件以及第二条件双方的情形中，基准量rref亦可为例如为比去除突起部分941时所生成的生成气体的量还大的值，且通过实验或者模拟预先设定。通过采用第一条件以及第二条件双方，能更适当地使蚀刻结束。例如，在图10中，即使在蚀刻工序的初期中时间变化率小，由于第一条件不成立，因此不停止蚀刻。此外，当去除突起部分941时，由于第一条件以及第二条件双方成立，因此亦能更确实地抑制过度蚀刻。
[0151]
[第三实施方式]
[0152]
第三实施方式的基板处理装置100的构成的一例与第一实施方式或者第二实施方式同样。在第三实施方式中，蚀刻工序(步骤s3)的具体性的一例与第一实施方式以及第二实施方式不同。
[0153]
图12是表示第三实施方式的蚀刻工序的一例的时序图。基板处理装置100在蚀刻工序(步骤s3)中交替地重复进行：第一工序s31，将氧化性气体供给至腔室1内；以及第二工序s32，将非活性气体供给至腔室1内。具体而言，控制部10在第一工序s31中打开阀42并关闭阀62。此外，控制部10在第二工序s32中关闭阀42并打开阀62。
[0154]
在第一工序s31中，由于将氧化性气体供给至腔室1内，因此氧化性气体与基板w的金属配线部92(具体而言为突起部分941)反应，从而能蚀刻金属配线部92。
[0155]
在第一工序s31之后的第二工序s32中，将非活性气体供给至腔室1内。由此，在腔室1内产生氧化性气体的浓度的不均匀。具体而言，在腔室1内的上部中氧浓度降低。因此，通过浓度扩散，基板w的上表面附近的氧化性气体从基板w的上表面迅速地离开。
[0156]
接着，在第一工序s31中，再次将新鲜的氧化性气体供给至腔室1内。因此，容易将基板w的上表面附近的旧的氧化性气体置换成新的氧化性气体，且新的氧化性气体容易作用于基板w的上表面。接着，在第二工序s32中，再次将非活性气体供给至腔室1内，从而旧的氧化性气体从基板w的附近迅速地离开。
[0157]
如上所述，通过交替地重复进行第一工序s31以及第二工序s32，能一边将基板w中的旧的氧化性气体迅速地置换成新的氧化性气体一边进行蚀刻。由此，能提高氧化性气体对于基板w的蚀刻速度。
[0158]
[第四实施方式]
[0159]
在第一实施方式至第三实施方式中，形成于基板w的金属配线部92包含彼此不同的两种类的金属膜(在此为配线本体93以及障壁膜94)，一方的金属膜(在此为障壁膜94)被氧化性气体蚀刻，另一方的金属膜(在此为配线本体93)通过氧化性气体而形成氧化膜。
[0160]
然而，金属配线部92亦可通过至少一种类的金属膜所形成。在通过一种类的金属膜形成金属配线部92的情形中，作为该金属配线部92的材料，采用能通过与氧化性气体的反应而被去除且亦能局部性地形成氧化膜的材料。例如，亦可通过钌的金属膜形成金属配线部92。钌通过氧化性气体而生成四氧化钌(ruo4)气体，另一方面亦能局部性地生成二氧化钌(ruo2)。因此，当通过氧化性气体蚀刻钌的金属膜时，会在金属膜的表面局部性地残留氧化膜(二氧化钌)。
[0161]
图13是概略性地表示基板wa的构成的一例的剖视图。基板wa除了金属配线部92的构成之外具有与基板w同样的构成。在基板wa中，设置有金属配线部92a以取代金属配线部92。在图13的例子中，金属配线部92a埋设于绝缘膜91的沟槽91a内。如图13所例示那样，金属配线部92a亦可通过单一金属膜93a所形成。金属膜93a通过用以一边被氧化性气体蚀刻一边生成氧化膜的金属材料(例如钌)所形成。
[0162]
金属膜93a设置于绝缘膜91的沟槽91a内，且金属膜93a的上表面与绝缘膜91的上表面大致齐平。
[0163]
基板处理装置100的动作的一例与图4同样。然而，在步骤s1(搬入工序)中，搬入图13的基板wa。因此，基板wa被基板保持部2保持。此时，基板wa的绝缘膜91的上表面以及金属膜93a的上表面在腔室1内露出。
[0164]
在步骤s2(减压加热工序)中，因应需要调整腔室1内的压力并调整基板wa的温度。在下一个步骤s3(蚀刻工序)中，氧化性气体作用于金属膜93a的上表面从而蚀刻金属膜93a。具体而言，氧化性气体与金属膜93a反应从而生成四氧化钌气体，由此蚀刻金属膜93a。由此，金属膜93a的上表面比绝缘膜91的上表面还后退。此外，通过氧化性气体与金属膜93a的反应，亦会生成固体的二氧化钌。
[0165]
当充分地蚀刻金属膜93a时，进行步骤s4(时刻停止工序)。在步骤s3中，由于亦会生成固体的二氧化钌，因此在步骤s4的结束时间点会在金属膜93a的上表面残留有二氧化
钌。
[0166]
因此，例如经过步骤s5(氧化性气体排出工序)再进行步骤s6(还原工序)。在步骤s6中，由于还原性气体作用于基板w的上表面，因此金属膜93a的上表面的二氧化钌被还原并恢复成钌。亦即，能将金属膜93a的上表面的氧化物复原成金属膜93a的一部分。
[0167]
如上所述，依据基板处理装置100，通过氧化性气体蚀刻金属膜93a，由此能调整金属膜93a的形状，且能将通过氧化性气体所产生的金属膜93a的表面的氧化物予以还原并复原成金属膜93a的一部分。因此，能使金属膜93a的电阻值降低。
[0168]
如上所述，虽然已经详细地说明基板处理装置100、100a以及配线形成方法，然而上述的说明在全部的实施方式中仅为例示，基板处理装置100、100a以及配线形成方法并未限定于这些实施方式。能够解释成在未脱离本发明的范围内能设想未例示的无数个变化例。在上述各个实施方式以及各个变化例中所说明的各个构成只要未相互矛盾即能适当地组合或者省略。
[0169]
例如，氧化性气体并未限定于臭氧气体，亦可采用卤化氧气体以及氧化氮气体等的气体。此外，氧化性气体供给部4亦可通过紫外线或者等离子体将包含氧的气体以及氧化氮气体等的氧化性气体予以激发后再供给至基板w。作为具体性的一例，亦可采用氧气体以及氯气体的混合气体作为氧化性气体，氧化性气体供给部4使该混合气体等离子体化后供给至腔室1内的基板w。此外，还原性气体并未限定于氢气，例如亦可为一氧化碳等的其他的气体。
[0170]
【附图标记说明】
[0171]
1:腔室
[0172]
2:基板保持部
[0173]
4:氧化性气体供给部
[0174]
5:还原性气体供给部
[0175]
8:气体传感器
[0176]
92、92a:金属配线部
[0177]
93:配线本体
[0178]
93a:金属膜
[0179]
94:障壁膜
[0180]
941突起部分
[0181]
2:基板保持部
[0182]
4:氧化性气体供给部
[0183]
5:还原性气体供给部
[0184]
s1:搬入工序
[0185]
s3:蚀刻工序(步骤)
[0186]
s301:检测工序
[0187]
s302:判断工序
[0188]
s31:第一工序
[0189]
s32:第二工序
[0190]
s5:氧化性气体排出工序(步骤)
[0191]
s6:还原工序(步骤)
[0192]
s7:冷却工序(步骤)
[0193]
s8:搬出工序(步骤)
[0194]
w基板

技术特征：
1.一种配线形成方法，用以形成配线，其中，具备：搬入工序，将形成有金属配线部的基板搬入至腔室内；蚀刻工序，对所述基板供给氧化性气体，从而蚀刻所述金属配线部的一部分；以及还原工序，对所述基板供给还原性气体，从而将通过所述蚀刻工序所形成的所述金属配线部的氧化膜予以还原。2.如权利要求1所述的配线形成方法，其中，所述金属配线部包含：配线本体，位于所述基板的绝缘膜的沟槽内；以及障壁膜，设置于所述配线本体与所述绝缘膜之间，在所述蚀刻工序中，将所述障壁膜的一部分作为所述金属配线部的所述一部分予以蚀刻；在所述还原工序中，将通过所述蚀刻工序形成于所述配线本体的所述氧化膜予以还原。3.如权利要求2所述的配线形成方法，其中，在所述蚀刻工序中，将所述障壁膜中的从所述配线本体的表面突出的突起部分作为所述金属配线部的所述一部分予以蚀刻；在所述还原工序中，将通过所述蚀刻工序形成于所述配线本体的所述表面的所述氧化膜予以还原。4.如权利要求2或3所述的配线形成方法，其中，所述障壁膜包含钌。5.如权利要求2至4中任一项所述的配线形成方法，其中，所述配线本体包含铜、钼、钴、钨、铂以及铟中的至少任一个。6.如权利要求1所述的配线形成方法，其中，所述金属配线部包含金属膜；在所述蚀刻工序中，通过所述氧化性气体将所述金属膜的一部分作为所述金属配线部的所述一部分予以蚀刻；在所述还原工序中，通过所述还原性气体将通过所述蚀刻工序形成于所述金属膜的所述氧化膜予以还原。7.如权利要求1至6中任一项所述的配线形成方法，其中，所述蚀刻工序包含：检测工序，通过气体传感器检测由所述氧化性气体与所述金属配线部的反应所生成的生成气体；以及判断工序，基于所述气体传感器的检测值来判断是否使所述蚀刻工序停止。8.如权利要求1至7中任一项所述的配线形成方法，其中，还具备：氧化性气体排出工序，在所述蚀刻工序与所述还原工序之间被执行，将非活性气体供给至所述腔室内并使所述氧化性气体从所述腔室排出。9.如权利要求1至8中任一项所述的配线形成方法，其中，在所述蚀刻工序中交替地重复进行：
第一工序，用以供给所述氧化性气体；以及第二工序，用以供给非活性气体。10.如权利要求1至9中任一项所述的配线形成方法，其中，在所述蚀刻工序中，以所述基板的温度成为50度以上且200度以下的方式加热所述基板。11.如权利要求1至10中任一项所述的配线形成方法，其中，在所述还原工序中，以所述基板的温度成为100度以上且300度以下的方式加热所述基板。12.如权利要求1至11中任一项所述的配线形成方法，其中，还具备：冷却工序，在所述还原工序之后冷却所述基板；以及搬出工序，在所述冷却工序之后从所述腔室搬出所述基板。13.一种基板处理装置，具备：腔室；基板保持部，设置于所述腔室内，用以保持形成有金属配线部的基板；氧化性气体供给部，对所述腔室内的所述基板供给氧化性气体，从而蚀刻所述金属配线部的一部分；以及还原性气体供给部，对所述基板供给还原性气体，从而将通过所述氧化性气体所形成的所述金属配线部的氧化膜予以还原。

技术总结
配线形成方法具备搬入工序(S1)、蚀刻工序(S3)以及还原工序(S6)。在搬入工序(S1)中，将形成有金属配线部的基板搬入至腔室内。在蚀刻工序(S3)中，对基板供给氧化性气体，从而蚀刻金属配线部的一部分。在还原工序(S6)中，对基板供给还原性气体，从而将通过蚀刻工序(S3)所形成的金属配线部的氧化膜予以还原。形成的金属配线部的氧化膜予以还原。形成的金属配线部的氧化膜予以还原。


技术研发人员：鳅场真树 岩
受保护的技术使用者：株式会社斯库林集团
技术研发日：2021.12.23
技术公布日：2023/9/7