一种发射功率范围的调节方法、装置及电子设备与流程

1.本技术涉及数字发射机技术领域，具体而言，涉及一种发射功率范围的调节方法、装置及电子设备。


背景技术：

2.全数字发射机，是一种以数字算法为基础、以全数字逻辑运算单元数字标准门(standard cell，std cell)作为发射机主要内部模块(或基本单元)的发射机实现方式；是一种通过配合适当的输出功率匹配模块，可以实现与模拟发射机相同的工作原理(射频信号发射)的电路构架形式。其中，在现有的全数字发射机中，其发射功率的动态范围一般较小。


技术实现要素：

3.本技术实施例的目的在于提供一种发射功率范围的调节方法、装置及电子设备，用以解决现有技术中数字发射机的发射功率动态范围较小的技术问题。
4.第一方面，本技术实施例提供一种发射功率范围的调节方法，应用于数字发射机中的控制模块，所述数字发射机还包括至少一个发射模块，每个发射模块包括多个基础单元，其中，所述基础单元包括基于多供电电压的开关电容电路；所述发射功率范围的调节方法包括：根据所述数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定所述发射模块的导通数量、导通的发射模块中所述基础单元的供电电压以及用于对所述发射模块的导通数量与所述基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，以调节所述数字发射机对应的发射功率范围。
5.在上述方案中，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，可以实现对数字发射机对应的发射功率范围的调节；其中，通过新增比特控制信号对上述调整进行相应动态和/或静态控制，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
6.在可选的实施方式中，所述根据所述数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定所述发射模块的导通数量、导通的发射模块中所述基础单元的供电电压以及用于对所述发射模块的导通数量与所述基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，包括：在所述目标发射功率范围的上限比所述初始发射功率范围的上限大qdb，且所述目标发射功率范围的下限等于所述初始发射功率范围的下限时，根据以下至少一个公式确定所述发射模块的导通数量为所述初始发射功率范围对应的导通数量的m倍以及所述导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压：当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
7.q＝10
×
lg(n2),m＝1；
8.当新增比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
9.q＝10
×
lg(m),n＝1；
10.当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换以及所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
11.q＝10
×
lg(n2·
m)。
12.在上述方案中，若目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大，且目标发射功率范围的下限等于初始发射功率范围的下限，可以认为此时既调节数字发射机对应的发射功率精度，又调节发射功率的窗口位置；此时，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，并且使新增的比特控制信号用于控制数字发射机对应的发射功率窗口长度的调整，可以实现对数字发射机对应的发射功率精度的动态调节，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
13.在可选的实施方式中，若q＝6，m＝1，n＝2，则针对每个导通的发射模块中的基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换；或者，若q＝6，m＝4，n＝1，则针对每个导通的发射模块中的基础单元，所有基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的动态改变。
14.在可选的实施方式中，所述根据所述数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定所述发射模块的导通数量、导通的发射模块中所述基础单元的供电电压以及用于对所述发射模块的导通数量与所述基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，包括：在所述目标发射功率范围的下限比所述初始发射功率范围的下限大qdb，所述目标发射功率范围的上限比所述初始发射功率范围的上限大qdb时，根据以下至少一个公式确定所述发射模块的导通数量为所述初始发射功率范围对应的导通数量的m倍、所述导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压：当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
15.q＝10
×
lg(n2),m＝1；
16.当新增比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
17.q＝10
×
lg(m),n＝1；
18.当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换以及所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
19.q＝10
×
lg(n2·
m)。
20.在上述方案中，若目标发射功率范围的下限比初始发射功率范围的下限大qdbm，目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大qdbm，可以认为此时仅调节发射功率的窗口位置；此时，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中
基础单元的供电电压，并且使新增的比特控制信号用于控制数字发射机对应的发射功率窗口位置的调整，可以实现对数字发射机对应的发射功率窗口位置的静态调节，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
21.在可选的实施方式中，若q＝6，m＝1，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换；或者，若q＝6，m＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换，另一个比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变。
22.在可选的实施方式中，所述根据所述数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定所述发射模块的导通数量、导通的发射模块中所述基础单元的供电电压以及用于对所述发射模块的导通数量与所述基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，包括：在所述目标发射功率范围的下限比所述初始发射功率范围的下限大pdb，所述目标发射功率范围的上限比所述初始发射功率范围的上限大qdb，且q》p时，根据以下至少一个公式确定所述发射模块的导通数量为所述初始发射功率范围对应的导通数量的m倍、所述导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压；当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换以及所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数p，参数m以及参数n满足以下公式：
23.q＝10
×
lg(n2·
m)，p＝10
×
lg(m)；
24.当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换以及所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数p，参数m以及参数n满足以下公式：
25.q＝10
×
lg(n2·
m)，p＝10
×
lg(n2)。
26.在上述方案中，若目标发射功率范围的下限比初始发射功率范围的下限大pdbm，目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大qdbm，且q》p，可以认为此时既调节数字发射机对应的发射功率精度，又调节发射功率的窗口位置；此时，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，并且使新增的比特控制信号用于控制数字发射机对应的发射功率窗口长度以及发射功率窗口位置的调整，可以实现对数字发射机对应的发射功率精度及窗口位置的同时调节，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
27.在可选的实施方式中，若p＝3，q＝9，m＝2，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换，另一个比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变；或者，若p＝6，q＝12，m
＝4，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换，另一个比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变。
28.第二方面，本技术实施例提供一种发射功率范围的调节装置，应用于数字发射机中的控制模块，所述数字发射机还包括至少一个发射模块，每个发射模块包括多个基础单元，其中，所述基础单元包括基于多供电电压的开关电容电路；所述发射功率范围的调节装置包括：确定模块，用于根据所述数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定所述发射模块的导通数量、导通的发射模块中所述基础单元的供电电压以及用于对所述发射模块的导通数量与所述基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，以调节所述数字发射机对应的发射功率范围。
29.在上述方案中，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，可以实现对数字发射机对应的发射功率范围的调节；其中，通过新增比特控制信号对上述调整进行相应动态和/或静态控制，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
30.在可选的实施方式中，所述确定模块具体用于：在所述目标发射功率范围的上限比所述初始发射功率范围的上限大qdb，且所述目标发射功率范围的下限等于所述初始发射功率范围的下限时，根据以下至少一个公式确定所述发射模块的导通数量为所述初始发射功率范围对应的导通数量的m倍以及所述导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压：当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
31.q＝10
×
lg(n2),m＝1；
32.当新增比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
33.q＝10
×
lg(m),n＝1；
34.当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换以及所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
35.q＝10
×
lg(n2·
m)。
36.在上述方案中，若目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大，且目标发射功率范围的下限等于初始发射功率范围的下限，可以认为此时既调节数字发射机对应的发射功率精度，又调节发射功率的窗口位置，即调节数字发射机对应的发射功率窗口长度；此时，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，并且使新增的比特控制信号用于控制数字发射机对应的发射功率窗口长度的调整，可以实现对数字发射机对应的发射功率精度的动态调节，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
37.在可选的实施方式中，若q＝6，m＝1，n＝2，则针对每个导通的发射模块中的基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础
单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换；或者，若q＝6，m＝4，n＝1，则针对每个导通的发射模块中的基础单元，所有基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的动态改变。
38.在可选的实施方式中，所述确定模块具体用于：在所述目标发射功率范围的下限比所述初始发射功率范围的下限大qdb，所述目标发射功率范围的上限比所述初始发射功率范围的上限大qdb时，根据以下至少一个公式确定所述发射模块的导通数量为所述初始发射功率范围对应的导通数量的m倍、所述导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压：当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
39.q＝10
×
lg(n2),m＝1；
40.当新增比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
41.q＝10
×
lg(m),n＝1；
42.当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换以及所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
43.q＝10
×
lg(n2·
m)。
44.在上述方案中，若目标发射功率范围的下限比初始发射功率范围的下限大qdbm，目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大qdbm，可以认为此时仅调节发射功率的窗口位置；此时，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，并且使新增的比特控制信号用于控制数字发射机对应的发射功率窗口位置的调整，可以实现对数字发射机对应的发射功率窗口位置的静态调节，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
45.在可选的实施方式中，若q＝6，m＝1，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换；或者，若q＝6，m＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换，另一个比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变。
46.在可选的实施方式中，所述确定模块具体用于：在所述目标发射功率范围的下限比所述初始发射功率范围的下限大pdb，所述目标发射功率范围的上限比所述初始发射功率范围的上限大qdb，且q》p时，根据以下至少一个公式确定所述发射模块的导通数量为所述初始发射功率范围对应的导通数量的m倍、所述导通的发射模块中部分基础单元的供电
电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压；当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换以及所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数p，参数m以及参数n满足以下公式：
47.q＝10
×
lg(n2·
m)，p＝10
×
lg(m)；
48.当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换以及所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数p，参数m以及参数n满足以下公式：
49.q＝10
×
lg(n2·
m)，p＝10
×
lg(n2)。
50.在上述方案中，若目标发射功率范围的下限比初始发射功率范围的下限大pdbm，目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大qdbm，且q》p，可以认为此时既调节数字发射机对应的发射功率精度，又调节发射功率的窗口位置；此时，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，并且使新增的比特控制信号用于控制数字发射机对应的发射功率窗口长度以及发射功率窗口位置的调整，可以实现对数字发射机对应的发射功率精度及窗口位置的同时调节，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
51.在可选的实施方式中，若p＝3，q＝9，m＝2，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换，另一个比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变；或者，若p＝6，q＝12，m＝4，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换，另一个比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变。
52.第三方面，本技术实施例提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线；所述处理器和所述存储器通过所述总线完成相互间的通信；所述存储器存储有可被所述处理器执行的计算机程序指令，所述处理器调用所述计算机程序指令能够执行如第一方面所述的发射功率范围的调节方法。
53.第四方面，本技术实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储计算机程序指令，所述计算机程序指令被计算机运行时，使所述计算机执行如第一方面所述的发射功率范围的调节方法。
54.为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举本技术实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
55.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以
根据这些附图获得其他相关的附图。
56.图1为本技术实施例提供的一种数字发射机的结构框图；
57.图2为本技术实施例提供的一种数字发射机的示意图；
58.图3为本技术实施例提供的一种对数字发射机进行动态控制的示意图；
59.图4为本技术实施例提供的一种对数字发射机进行静态控制的示意图；
60.图5为本技术实施例提供的另一种数字发射机的示意图；
61.图6为本技术实施例提供的一种发射功率范围的调节方法的流程图；
62.图7为本技术实施例提供的一种发射功率范围的调节装置的结构框图；
63.图8为本技术实施例提供的一种电子设备的结构框图。
具体实施方式
64.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行描述。
65.请参照图1，图1为本技术实施例提供的一种数字发射机的结构框图，该数字发射机100可以包括：控制模块101以及至少一个发射模块102；其中，每个发射模块102包括多个基础单元，每个基础单元包括基于多供电电压的开关电容电路。其中，控制模块用于执行本技术实施例提供的发射功率范围的调节方法。
66.请参照图2，图2为本技术实施例提供的一种数字发射机的示意图，作为一种实施方式，基础单元可以包括：第一p型mos管，其s极输入第一输入电压；第二p型mos管，其s极与所述第一p型mos管的d极连接；第一n型mos管，其s极接地；第二n型mos管，其s极与第一n型mos管的d极连接，其d极与第二p型mos管的d极连接；第三p型mos管，其s极输入第二输入电压，其d极与第二p型mos管的s极连接。
67.需要说明的是，本技术实施例对上述第一输入电压以及第二输入电压的具体大小不作具体的限定，本领域技术人员可以根据实际情况进行合适的调整。举例来说，第一输入电压可以为第二输入电压的2倍；或者，第一输入电压可以为第二输入电压的3倍等。
68.请参照图3、图4，图3为本技术实施例提供的一种对数字发射机进行动态控制的示意图，图4为本技术实施例提供的一种对数字发射机进行静态控制的示意图。
69.可以看出，在图2中，数字发射机包括一个发射模块组合联动控制1a用于控制第一p型mos管p1的导通或者断开；组合联动控制1b用于控制第三p型mos管p3的导通或者断开；组合联动控制2用于控制第二p型mos管p2的导通或者断开以及第二n型mos管n2的导通或者断开；组合联动控制3用于控制第一n型mos管n1的导通或者断开；第一输入电压为2vdd，第二输入电压为vdd。
70.在图2中，若组合联动控制1a控制p1导通、组合联动控制1b控制p3断开，则相当于图3；在图3中，当输入逻辑为0时，p1输入2vdd，p2、n1、n2均输入vdd，此时p1关断，vo＝0；当输入逻辑为1时，p1、p2、n2均输入vdd，n1输入0，此时p1打开，vo＝2vdd。其中，p1及n1的输入是动态的，p2及n2的输入是静态的。
71.在图2中，若组合联动控制1a控制p1断开、组合联动控制1b控制p3导通，则相当于图4；在图4中，当输入逻辑为0时，p3输入0，p2、n1、n2均输入vdd，此时p3导通，vo＝0；当输入逻辑为1时，p3、p2、n2均输入0，n1输入vdd，此时p3导通，vo＝vdd。其中，p2及n2的输入是动态的，p3及n1的输入是静态的。
72.请参照图5，图5为本技术实施例提供的另一种数字发射机的示意图，此时，数字发射机包括多个发射模块。其中，当x1导通时，数字发射机中的一个发射模块导通；当x2导通时，数字发射机中的两个发射模块导通；当x4导通时，数字发射机中的四个发射模块导通。
73.需要说明的是，当数字发射机中包括多个发射模块时，本技术实施例对上述多个发射模块的具体结构不作具体的限定。以x2为例，作为一种实施方式，x2中包括两个独立的发射模块，这两个发射模块的结构相同；作为另一种实施方式，x2由两个发射模块组合成一个模块，在该模块中包括两个连接的p1、两个连接的p2、两个连接的p3、两个连接的n1以及两个连接的n2。
74.基于上述数字发射机，作为一种实施方式，通过调整基础单元的供电电压，可以通过静态或者动态控制调节数字发射机的发射功率范围；作为另一种实施方式，通过调整发射模块的导通数量，同样可以通过静态或者动态控制调节数字发射机的发射功率范围；作为又一种实施方式，通过同时调整基础单元的供电电压以及发射模块的导通数量，也可以通过静态或者动态控制调节数字发射机的发射功率范围。
75.请参照图6，图6为本技术实施例提供的一种发射功率范围的调节方法的流程图，该发射功率范围的调节方法应用于上述数字发射机中的控制模块，该发射功率范围的调节方法可以包括如下步骤：
76.步骤s601：根据数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定发射模块的导通数量、导通的发射模块中基础单元的供电电压以及用于对发射模块的导通数量与基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，以调节数字发射机对应的发射功率范围。
77.具体的，数字发射机的初始发射功率范围，是指在对数字发射的发射功率范围进行调节之前该数字发射机的发射功率范围；相应的，数字发射机的目标发射功率范围，是指在对数字发射的发射功率范围进行调节之后该数字发射机的发射功率范围。
78.因此，通过比较数字发射机的初始发射功率范围的上限与目标发射功率范围的上限之间的大小关系，以及数字发射机的初始发射功率范围的下限与目标发射功率范围的下限之间的大小关系，可以确定需要对数字发射机的发射功率范围进行怎样的调整。
79.作为一种实施方式，若目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大，且目标发射功率范围的下限等于初始发射功率范围的下限，可以认为此时既调节数字发射机对应的发射功率精度，又调节发射功率的窗口位置，例如：初始发射功率范围为[-72,0]db，目标发射功率范围为[-72,6]db。此时，可以通过对基础单元对应的供电电压进行动态切换以及对发射模块的导通数量进行动态改变相结合的方式，实现对数字发射机的发射功率窗口长度进行调节的目的。
[0080]
作为另一种实施方式，若目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大，且目标发射功率范围的下限也比初始发射功率范围的下限大，且上限大的程度等于下限大的程度，可以认为此时仅调节数字发射机对应的发射功率的窗口位置，例如：初始发射功率范围为[-72,0]db，目标发射功率范围为[-66,6]db。此时，可以通过对基础单元对应的供电电压进行静态切换以及对发射模块的导通数量进行静态改变相结合的方式，实现对数字发射机的发射功率窗口位置进行调节的目的。
[0081]
作为又一种实施方式，若目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限
大，目标发射功率范围的下限比初始发射功率范围的下限大，且上限大的程度大于下限大的程度，可以认为此时既调节数字发射机对应的发射功率窗口长度，又调节数字发射机对应的发射功率的窗口位置，例如：初始发射功率范围为[-72,0]db，目标发射功率范围为[-69,9]db。此时，可以通过对基础单元对应的供电电压进行静态切换以及对发射模块的导通数量进行动态改变相结合的方式，实现对数字发射机的发射功率窗口长度以及位置同时进行调节的目的。
[0082]
在本技术实施例中，通过调整发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，并使新增的比特控制信号控制上述导通数量的改变和/或供电电压切换，从而实现对数字发射机的发射功率范围的调整。
[0083]
因此，根据数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定发射模块的导通数量、导通的发射模块中基础单元的供电电压以及新增的比特控制信号之后，可以调节数字发射机对应的发射功率范围。
[0084]
需要说明的是，本技术实施例对上述确定发射模块的导通数量、导通的发射模块中基础单元的供电电压以及新增的比特控制信号的具体实施方式不作具体的限定，本领域技术人员可以根据实际情况进行合适的调整。
[0085]
此外，作为一种实施方式，可以仅调整发射模块的导通数量；作为另一种实施方式，可以仅调整导通的发射模块中基础单元的供电电压；作为又一种实施方式，可以同时调整发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压；本技术实施例对此同样不作具体的限定。
[0086]
在上述方案中，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，可以实现对数字发射机对应的发射功率范围的调节；其中，通过新增比特控制信号对上述调整进行相应动态和/或静态控制，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
[0087]
进一步的，在上述实施方式的基础上，上述步骤s601可以包括如下步骤：
[0088]
在目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大qdb，且目标发射功率范围的下限等于初始发射功率范围的下限时，根据以下至少一个公式确定发射模块的导通数量为初始发射功率范围对应的导通数量的m倍以及导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压。
[0089]
具体的，若目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大，且目标发射功率范围的下限等于初始发射功率范围的下限，可以认为此时既调节数字发射机对应的发射功率精度，又调节发射功率的窗口位置，即调节数字发射机对应的发射功率窗口长度，因此，可以通过对基础单元对应的供电电压进行动态切换以及对发射模块的导通数量进行动态改变相结合的方式，实现对数字发射机的发射功率窗口长度进行调节的目的。
[0090]
基于功率求解的公式：功率等于电压的平方除以电阻，因此，当数字发射机的发射功率需要增大6db时，功率需要增大4倍，相应的，供电电压需要增大2倍；类似的，当数字发射机的发射功率需要增大6db时，功率需要增大4倍，相应的，导通数量需要增大4倍。
[0091]
作为一种实施方式，当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换时，参数q、参数m以及参数n可以满足以下公式：
[0092]
q＝10
×
lg(n2),m＝1。
[0093]
作为另一种实施方式，当新增比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
[0094]
q＝10
×
lg(m),n＝1。
[0095]
作为又一种实施方式，当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换以及所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
[0096]
q＝10
×
lg(n2·
m)。
[0097]
在上述方案中，若目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大，且目标发射功率范围的下限等于初始发射功率范围的下限，可以认为此时既调节数字发射机对应的发射功率精度，又调节发射功率的窗口位置，即调节数字发射机对应的发射功率窗口长度；此时，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，并且使新增的比特控制信号用于控制数字发射机对应的发射功率窗口长度的调整，可以实现对数字发射机对应的发射功率精度的动态调节，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
[0098]
进一步的，在上述实施方式的基础上，若q＝6，m＝1，n＝2，则针对每个导通的发射模块中的基础单元，一个基础单元对应的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制基础单元对应的供电电压的动态切换。
[0099]
具体的，在该种实施方式中，仅一个发射模块处于导通状态；针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的2倍。其中，控制一个基础单元的供电电压不变而其他基础单元的供电电压改变，可以保持最小功率输出，或者说，可以保持目标发射功率范围的下限和初始发射功率范围的下限相同。
[0100]
举例来说，假设初始发射功率范围为[a,b]db，初始的比特控制信号为12bit的控制信号，对应b0-b11，那么，此时b-a＝12
×
6dbm＝72db，假设a＝-72db，b＝0db：此时，一个发射模块中包括2
12
＝4096个基础单元。若目标发射功率范围为[-72,6]db，则可以增加比特控制信号b12，此时处于x1状态(控制一个发射模块导通)，b12控制x1中的一个基础单元处于vdd，其他基础单元处于2vdd。
[0101]
进一步的，在上述实施方式的基础上，若q＝6，m＝4，n＝1，则针对每个导通的发射模块中的基础单元，所有基础单元对应的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制发射模块的导通数量的动态改变。
[0102]
具体的，在该种实施方式中，有4个发射模块处于导通状态；针对每个导通的发射模块中基础单元，所有基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压。
[0103]
举例来说，假设初始发射功率范围为[a,b]db，初始的比特控制信号为12bit的控制信号，对应b0-b11，那么，此时b-a＝12
×
6dbm＝72db，假设a＝-72db，b＝0db：此时，一个发射模块中包括2
12
＝4096个基础单元。若目标发射功率范围为[-72,6]db，则可以增加比特控制信号b12，此时处于x4状态(控制四个发射模块导通)，b12控制x4中所有基础单元处于
vdd。
[0104]
进一步的，在上述实施方式的基础上，上述步骤s601可以包括如下步骤：
[0105]
在目标发射功率范围的下限比初始发射功率范围的下限大qdb，目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大qdb时，根据以下至少一个公式确定发射模块的导通数量为初始发射功率范围对应的导通数量的m倍、导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压。
[0106]
具体的，若目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大，且目标发射功率范围的下限等于初始发射功率范围的下限，且上限大的程度等于下限大的程度，可以认为此时仅调节数字发射机对应的发射功率的窗口位置，因此，可以通过对基础单元对应的供电电压进行静态切换以及对发射模块的导通数量进行静态改变相结合的方式，实现对数字发射机的发射功率窗口位置进行调节的目的。
[0107]
同样基于功率求解的公式：功率等于电压的平方除以电阻，因此，当数字发射机的发射功率需要增大6db时，功率需要增大4倍，相应的，供电电压需要增大2倍；类似的，当数字发射机的发射功率需要增大6db时，功率需要增大4倍，相应的，导通数量需要增大4倍。
[0108]
作为一种实施方式，当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
[0109]
q＝10
×
lg(n2),m＝1；
[0110]
作为另一种实施方式，当新增比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
[0111]
q＝10
×
lg(m),n＝1；
[0112]
作为又一种实施方式，当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换以及所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
[0113]
q＝10
×
lg(n2·
m)。
[0114]
在上述方案中，若目标发射功率范围的下限比初始发射功率范围的下限大qdbm，目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大qdbm，可以认为此时仅调节发射功率的窗口位置；此时，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，并且使新增的比特控制信号用于控制数字发射机对应的发射功率窗口位置的调整，可以实现对数字发射机对应的发射功率窗口位置的静态调节，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
[0115]
进一步的，在上述实施方式的基础上，若q＝6，m＝1，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制基础单元对应的供电电压的静态切换。
[0116]
具体的，在该种实施方式中，一个发射模块处于导通状态；针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的2倍。
[0117]
举例来说，假设初始发射功率范围为[a,b]db，初始的比特控制信号为12bit的控
制信号，对应b0-b11，那么，此时b-a＝12
×
6dbm＝72dbm，假设a＝-72dbm，b＝0dbm：此时，一个发射模块中包括2
12
＝4096个基础单元。若目标发射功率范围为[-66,6]db，则可以增加比特控制信号b12，此时，b12控制每个发射模块中的一个基础单元处于vdd，其他基础单元处于2vdd。
[0118]
进一步的，在上述实施方式的基础上，若q＝6，m＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制基础单元对应的供电电压的静态切换，另一个比特控制信号用于控制发射模块的导通数量的静态改变。由于新增的两个比特控制信号的功能相同，在其他实施方式中，可以将新增的两个比特控制信号实现为新增一个比特控制信号。
[0119]
具体的，在该种实施方式中，两个发射模块处于导通状态；针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的倍。
[0120]
举例来说，假设初始发射功率范围为[a,b]db，初始的比特控制信号为12bit的控制信号，对应b0-b11，那么，此时b-a＝12
×
6dbm＝72dbm，假设a＝-72dbm，b＝0dbm：此时，一个发射模块中包括2
12
＝4096个基础单元。若目标发射功率范围为[-66,6]db，则可以增加比特控制信号b12以及b13，此时，b12控制每个发射模块中的一个基础单元处于其他基础单元处于vdd，b13控制处于x2状态(控制两个发射模块导通)。
[0121]
进一步的，在上述实施方式的基础上，上述步骤s601可以包括如下步骤：
[0122]
在目标发射功率范围的下限比初始发射功率范围的下限大pdb，目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大qdb，且q》p时，根据以下至少一个公式确定发射模块的导通数量为初始发射功率范围对应的导通数量的m倍、导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压。
[0123]
具体的，若目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大，目标发射功率范围的下限比初始发射功率范围的下限大，且上限大的程度大于下限大的程度，可以认为此时既调节数字发射机对应的发射功率窗口长度，又调节数字发射机对应的发射功率的窗口位置，因此，可以通过对基础单元对应的供电电压进行静态切换以及对发射模块的导通数量进行动态改变相结合的方式，实现对数字发射机的发射功率窗口长度以及位置同时进行调节的目的。
[0124]
同样基于功率求解的公式：功率等于电压的平方除以电阻，因此，当数字发射机的发射功率需要增大6db时，功率需要增大4倍，相应的，供电电压需要增大2倍；类似的，当数字发射机的发射功率需要增大6db时，功率需要增大4倍，相应的，导通数量需要增大4倍。
[0125]
作为一种实施方式，当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换以及所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数p，参数m以及参数n满足以下公式：
[0126]
q＝10
×
lg(n2·
m)，p＝10
×
lg(m)；
[0127]
作为另一种实施方式，当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换以及所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数p，参数m以及参数n满足以下公式：
[0128]
q＝10
×
lg(n2·
m)，p＝10
×
lg(n2)。
[0129]
在上述方案中，若目标发射功率范围的下限比初始发射功率范围的下限大pdbm，目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大qdbm，且q》p，可以认为此时既调节数字发射机对应的发射功率精度，又调节发射功率的窗口位置；此时，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，并且使新增的比特控制信号用于控制数字发射机对应的发射功率窗口长度以及发射功率窗口位置的调整，可以实现对数字发射机对应的发射功率精度及窗口位置的同时调节，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
[0130]
进一步的，在上述实施方式的基础上，若p＝3，q＝9，m＝2，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制基础单元对应的供电电压的动态切换，另一个比特控制信号用于控制发射模块的导通数量的静态改变。
[0131]
具体的，在该种实施方式中，针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的2倍。
[0132]
举例来说，假设初始发射功率范围为[a,b]db，初始的比特控制信号为12bit的控制信号，对应b0-b11，那么，此时b-a＝12
×
6db＝72db，假设a＝-72db，b＝0dbm：此时，一个发射模块中包括2
12
＝4096个基础单元。若目标发射功率范围为[-69,9]db，此时，在增加1bit精度的基础上，可以改变0.5bit的发射功率静态范围，则可以增加比特控制信号b12以及b13，此时，b12控制控制x2中的两个基础单元处于vdd，其他基础单元处于2vdd，b13控制处于x2状态(控制两个发射模块导通)此时处于x2状态(控制两个发射模块导通)。
[0133]
进一步的，在上述实施方式的基础上，若p＝6，q＝12，m＝4，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制基础单元对应的供电电压的动态切换，另一个比特控制信号用于控制发射模块的导通数量的静态改变。
[0134]
具体的，在该种实施方式中，针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为初始发射功率范围对应的供电电压的2倍。
[0135]
举例来说，假设初始发射功率范围为[a,b]db，初始的比特控制信号为12bit的控制信号，对应b0-b11，那么，此时b-a＝12
×
6db＝72db，假设a＝-72db，b＝0db：此时，一个发射模块中包括2
12
＝4096个基础单元。若目标发射功率范围为[-66,12]db，此时，在增加1bit精度的基础上，可以改变1bit的发射功率范围，则可以增加比特控制信号b12以及b13，此时，b12控制x4中的四个基础单元处于vdd，其他基础单元处于2vdd，b13控制处于x4状态(控制四个发射模块导通)。
[0136]
或者，可以增加比特控制信号b12、b13以及b14，此时，b12控制x4中的四个基础单元处于vdd，其他基础单元处于2vdd，b13以及b14控制处于x4状态(控制两个发射模块导通)。
[0137]
请参照图7，图7为本技术实施例提供的一种发射功率范围的调节装置的结构框图，该发射功率范围的调节装置700应用于数字发射机中的控制模块，所述数字发射机还包括至少一个发射模块，每个发射模块包括多个基础单元，其中，所述基础单元包括基于多供电电压的开关电容电路；所述发射功率范围的调节装置700包括：确定模块701，用于根据所述数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定所述发射模块的导通数量、导通的发射模块中所述基础单元的供电电压以及用于对所述发射模块的导通数量与所述基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，以调节所述数字发射机对应的发射功率范围。
[0138]
在上述方案中，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，可以实现对数字发射机对应的发射功率范围的调节；其中，通过新增比特控制信号对上述调整进行相应动态和/或静态控制，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
[0139]
进一步的，在上述实施方式的基础上，所述确定模块701具体用于：在所述目标发射功率范围的上限比所述初始发射功率范围的上限大qdb，且所述目标发射功率范围的下限等于所述初始发射功率范围的下限时，根据以下至少一个公式确定所述发射模块的导通数量为所述初始发射功率范围对应的导通数量的m倍以及所述导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压：当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
[0140]
q＝10
×
lg(n2),m＝1；
[0141]
当新增比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
[0142]
q＝10
×
lg(m),n＝1；
[0143]
当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换以及所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
[0144]
q＝10
×
lg(n2·
m)。
[0145]
在上述方案中，若目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大，且目标发射功率范围的下限等于初始发射功率范围的下限，可以认为此时既调节数字发射机对应的发射功率精度，又调节发射功率的窗口位置，即调节数字发射机对应的发射功率窗口长度；此时，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，并且使新增的比特控制信号用于控制数字发射机对应的发射功率窗口长度的调整，可以实现对数字发射机对应的发射功率精度的动态调节，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
[0146]
进一步的，在上述实施方式的基础上，若q＝6，m＝1，n＝2，则针对每个导通的发射模块中的基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新
增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换；或者，若q＝6，m＝4，n＝1，则针对每个导通的发射模块中的基础单元，所有基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的动态改变。
[0147]
进一步的，在上述实施方式的基础上，所述确定模块701具体用于：在所述目标发射功率范围的下限比所述初始发射功率范围的下限大qdb，所述目标发射功率范围的上限比所述初始发射功率范围的上限大qdb时，根据以下至少一个公式确定所述发射模块的导通数量为所述初始发射功率范围对应的导通数量的m倍、所述导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压：当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
[0148]
q＝10
×
lg(n2),m＝1；
[0149]
当新增比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
[0150]
q＝10
×
lg(m),n＝1；
[0151]
当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换以及所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：
[0152]
q＝10
×
lg(n2·
m)。
[0153]
在上述方案中，若目标发射功率范围的下限比初始发射功率范围的下限大qdbm，目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大qdbm，可以认为此时仅调节发射功率的窗口位置；此时，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，并且使新增的比特控制信号用于控制数字发射机对应的发射功率窗口位置的调整，可以实现对数字发射机对应的发射功率窗口位置的静态调节，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
[0154]
进一步的，在上述实施方式的基础上，若q＝6，m＝1，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换；或者，若q＝6，m＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换，另一个比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变。
[0155]
进一步的，在上述实施方式的基础上，所述确定模块701具体用于：在所述目标发射功率范围的下限比所述初始发射功率范围的下限大pdb，所述目标发射功率范围的上限比所述初始发射功率范围的上限大qdb，且q》p时，根据以下至少一个公式确定所述发射模块的导通数量为所述初始发射功率范围对应的导通数量的m倍、所述导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单
元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压；当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换以及所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数p，参数m以及参数n满足以下公式：
[0156]
q＝10
×
lg(n2·
m)，p＝10
×
lg(m)；
[0157]
当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换以及所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数p，参数m以及参数n满足以下公式：
[0158]
q＝10
×
lg(n2·
m)，p＝10
×
lg(n2)。
[0159]
在上述方案中，若目标发射功率范围的下限比初始发射功率范围的下限大pdbm，目标发射功率范围的上限比初始发射功率范围的上限大qdbm，且q》p，可以认为此时既调节数字发射机对应的发射功率精度，又调节发射功率的窗口位置；此时，通过调整数字发射机中发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，并且使新增的比特控制信号用于控制数字发射机对应的发射功率窗口长度以及发射功率窗口位置的调整，可以实现对数字发射机对应的发射功率精度及窗口位置的同时调节，从而实现数字发射机更大的发射功率动态范围。
[0160]
进一步的，在上述实施方式的基础上，若p＝3，q＝9，m＝2，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换，另一个比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变；或者，若p＝6，q＝12，m＝4，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换，另一个比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变。
[0161]
请参照图8，图8为本技术实施例提供的一种电子设备的结构框图，该电子设备800包括：至少一个处理器801，至少一个通信接口802，至少一个存储器803和至少一个通信总线804。其中，通信总线804用于实现这些组件直接的连接通信，通信接口802用于与其他节点设备进行信令或数据的通信，存储器803存储有处理器801可执行的机器可读指令。当电子设备800运行时，处理器801与存储器803之间通过通信总线804通信，机器可读指令被处理器801调用时执行上述发射功率范围的调节方法。
[0162]
例如，本技术实施例的处理器801通过通信总线804从存储器803读取计算机程序并执行该计算机程序可以实现如下方法：根据所述数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定所述发射模块的导通数量、导通的发射模块中所述基础单元的供电电压以及用于对所述发射模块的导通数量与所述基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，以调节所述数字发射机对应的发射功率范围。
[0163]
其中，处理器801包括一个或多个，其可以是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。上述的处理器801可以是通用处理器，包括中央处理器(central processing unit，简称cpu)、微控制单元(micro controller unit，简称mcu)、网络处理器(network processor，简称np)或者其他常规处理器；还可以是专用处理器，包括神经网络处理器
(neural-network processing unit，简称npu)、图形处理器(graphics processing unit，简称gpu)、数字信号处理器(digital signal processor，简称dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuits，简称asic)、现场可编程门阵列(field programmable gate array，简称fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。并且，在处理器801为多个时，其中的一部分可以是通用处理器，另一部分可以是专用处理器。
[0164]
存储器803包括一个或多个，其可以是，但不限于，随机存取存储器(random access memory，简称ram)，只读存储器(read only memory，简称rom)，可编程只读存储器(programmable read-only memory，简称prom)，可擦除可编程只读存储器(erasable programmable read-only memory，简称eprom)，电可擦除可编程只读存储器(electric erasable programmable read-only memory，简称eeprom)等。
[0165]
可以理解，图8所示的结构仅为示意，电子设备800还可包括比图8中所示更多或者更少的组件，或者具有与图8所示不同的配置。图8中所示的各组件可以采用硬件、软件或其组合实现。于本技术实施例中，电子设备800可以是，但不限于台式机、笔记本电脑、智能手机、智能穿戴设备、车载设备等实体设备，还可以是虚拟机等虚拟设备。另外，电子设备800也不一定是单台设备，还可以是多台设备的组合，例如服务器集群，等等。
[0166]
本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储计算机程序指令，所述计算机程序指令被计算机运行时，使所述计算机执行前述方法实施例所述的发射功率范围的调节方法。
[0167]
在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
[0168]
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
[0169]
再者，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
[0170]
需要说明的是，功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本技术各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(read-only memory，rom)随机存取存储器(random access memory，ram)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0171]
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
[0172]
以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：
1.一种发射功率范围的调节方法，其特征在于，应用于数字发射机中的控制模块，所述数字发射机还包括至少一个发射模块，每个发射模块包括多个基础单元，其中，所述基础单元包括基于多供电电压的开关电容电路；所述发射功率范围的调节方法包括：根据所述数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定所述发射模块的导通数量、导通的发射模块中所述基础单元的供电电压以及用于对所述发射模块的导通数量与所述基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，以调节所述数字发射机对应的发射功率范围。2.根据权利要求1所述的发射功率范围的调节方法，其特征在于，所述根据所述数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定所述发射模块的导通数量、导通的发射模块中所述基础单元的供电电压以及用于对所述发射模块的导通数量与所述基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，包括：在所述目标发射功率范围的上限比所述初始发射功率范围的上限大qdb，且所述目标发射功率范围的下限等于所述初始发射功率范围的下限时，根据以下至少一个公式确定所述发射模块的导通数量为所述初始发射功率范围对应的导通数量的m倍以及所述导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压：当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：q＝10
×
lg(n2)，m＝1；当新增比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：q＝10
×
lg(m)，n＝1；当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换以及所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：q＝10
×
lg(n2·
m)。3.根据权利要求2所述的发射功率范围的调节方法，其特征在于，若q＝6，m＝1，n＝2，则针对每个导通的发射模块中的基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换；或者，若q＝6，m＝4，n＝1，则针对每个导通的发射模块中的基础单元，所有基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的动态改变。4.根据权利要求1所述的发射功率范围的调节方法，其特征在于，所述根据所述数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定所述发射模块的导通数量、导通的
发射模块中所述基础单元的供电电压以及用于对所述发射模块的导通数量与所述基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，包括：在所述目标发射功率范围的下限比所述初始发射功率范围的下限大qdb，所述目标发射功率范围的上限比所述初始发射功率范围的上限大qdb时，根据以下至少一个公式确定所述发射模块的导通数量为所述初始发射功率范围对应的导通数量的m倍、所述导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压：当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：q＝10
×
lg(n2)，m＝1；当新增比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：q＝10
×
lg(m)，n＝1；当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换以及所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数m以及参数n满足以下公式：q＝10
×
lg(n2·
m)。5.根据权利要求4所述的发射功率范围的调节方法，其特征在于，若q＝6，m＝1，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增一个比特控制信号，该比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换；或者，若q＝6，m＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换，另一个比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变。6.根据权利要求1所述的发射功率范围的调节方法，其特征在于，所述根据所述数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定所述发射模块的导通数量、导通的发射模块中所述基础单元的供电电压以及用于对所述发射模块的导通数量与所述基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，包括：在所述目标发射功率范围的下限比所述初始发射功率范围的下限大pdb，所述目标发射功率范围的上限比所述初始发射功率范围的上限大qdb，且q>p时，根据以下至少一个公式确定所述发射模块的导通数量为所述初始发射功率范围对应的导通数量的m倍、所述导通的发射模块中部分基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的n倍，其中，剩余基础单元的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压；
当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换以及所述发射模块的导通数量的静态改变时，参数q、参数p，参数m以及参数n满足以下公式：q＝10
×
lg(n2·
m)，p＝10
×
lg(m)；当新增比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的静态切换以及所述发射模块的导通数量的动态改变时，参数q、参数p，参数m以及参数n满足以下公式：q＝10
×
lg(n2·
m)，p＝10
×
lg(n2)。7.根据权利要求5所述的发射功率范围的调节方法，其特征在于，若p＝3，q＝9，m＝2，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换，另一个比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变；或者，若p＝6，q＝12，m＝4，n＝2，则针对每个导通的发射模块中基础单元，一个基础单元对应的供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压，其他基础单元对应供电电压为所述初始发射功率范围对应的供电电压的2倍；其中，新增两个比特控制信号，其中一个比特控制信号用于控制所述基础单元对应的供电电压的动态切换，另一个比特控制信号用于控制所述发射模块的导通数量的静态改变。8.一种发射功率范围的调节装置，其特征在于，应用于数字发射机中的控制模块，所述数字发射机还包括至少一个发射模块，每个发射模块包括多个基础单元，其中，所述基础单元包括基于多供电电压的开关电容电路；所述发射功率范围的调节装置包括：确定模块，用于根据所述数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定所述发射模块的导通数量、导通的发射模块中所述基础单元的供电电压以及用于对所述发射模块的导通数量与所述基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，以调节所述数字发射机对应的发射功率范围。9.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储器和总线；所述处理器和所述存储器通过所述总线完成相互间的通信；所述存储器存储有可被所述处理器执行的计算机程序指令，所述处理器调用所述计算机程序指令能够执行如权利要求1-7任一项所述的发射功率范围的调节方法。10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储计算机程序指令，所述计算机程序指令被计算机运行时，使所述计算机执行如权利要求1-7任一项所述的发射功率范围的调节方法。

技术总结
本申请提供一种发射功率范围的调节方法、装置及电子设备，应用于数字发射机中的控制模块，数字发射机还包括至少一个发射模块，每个发射模块包括多个基础单元，其中，基础单元包括基于多供电电压的开关电容电路；方法包括：根据数字发射机的初始发射功率范围以及目标发射功率范围，确定发射模块的导通数量、导通的发射模块中基础单元的供电电压以及用于对发射模块的导通数量与基础单元的供电电压进行控制的新增的比特控制信号，以调节数字发射机对应的发射功率范围。在上述方案中，通过调整发射模块的导通数量以及导通的发射模块中基础单元的供电电压，可以实现对数字发射机对应的发射功率范围的调节，从而实现更大的发射功率动态范围。功率动态范围。功率动态范围。


技术研发人员：戎亮
受保护的技术使用者：上海星思半导体有限责任公司
技术研发日：2023.06.30
技术公布日：2023/9/7