一种版图检测方法与流程

1.本发明涉及半导体版图检测技术领域，具体涉及一种版图检测方法。


背景技术：

2.目前的半导体工艺中一般选择电阻率较低的铜进行布线，但因铜具有较强的活性，其在长时间强电场的作用下会扩散至介电绝缘层中，这将导致介电绝缘层容易被击穿，进而严重退化。为了尽可能提高绝缘层的可靠性，延长芯片的使用寿命，在版图的设计中需要对不同电压金属线的间距进行不同的限制，比如电压越大，金属线间的最小间距需要设置得越大。
3.传统的高电势差的金属线的间距检测方法，主要是对金属线的电压进行判断来实现检测的。常见的检测方法有两种，一种方法是将接到高压器件的任意一端的金属线直接被判定为高压线，然后检测高压线和相邻金属线间的间距。然而，该方法常出现与现实相违的情况，即存在节点电压误识别的问题，会让本不该满足该规定值的低压线满足指定的值，无形中增加了因为布线间距扩大而带来的版图面积增加的风险。
4.另一种方法是在版图的高压节点处手动加上高电压识别层，然后检测带识别层的金属线和相邻金属线间的间距。因为该方法需要版图设计人员手动加入识别层，在这之前必须和电路设计人员进行节点电压的确认，这一过程需要花费大量的工数，且严重影响了设计效率。在电路规模庞大的情况下，电压识别层放置的正确性也会受到影响，有可能出现漏加或者多加的情况。当漏加识别层时，则不能检测出本该满足规定值的金属线，从而增加产品缺陷的风险；当错加识别层时，会检测出本不该满足规定值的金属线，无形中增加了因为布线间距扩大而带来的版图面积增加的风险。


技术实现要素：

5.本发明所要解决的技术问题是现有版图检测方法存在准确度不高、设计效率低的问题。本发明目的在于提供一种版图检测方法，通过对mos器件阱电压的识别，对版图中的金属线赋予所对应的电压，从而达到检测不同电压金属线间间距的目的。通过本发明方法能准确地赋予版图中的金属线所对应的电压值，然后对不同电压的金属线进行间距检测，在提高了验证结果准确性的同时，也达到了改善设计效率的目的。
6.本发明通过下述技术方案实现：
7.一种版图检测方法，该方法用于检测包括mos管的版图；该方法包括：
8.根据待检测版图，导出待检测版图的gds图形文件；待检测版图是包括若干mos管的版图；
9.根据gds图形文件，定义待检测版图中各层次之间的连接关系；
10.根据连接关系，提取待检测版图中的可能遗漏的节点；
11.按照电压大小，对待检测版图中的输入电源和可能遗漏的节点进行分类，得到电压分类文件；
12.根据电压分类文件和gds图形文件，赋予mos管源漏(即扩散区)所对应的阱电压信息；
13.根据阱电压信息，对与mos管源漏直接相连的第一金属层进行电压分类；
14.对待检测版图中所有的金属层进行电压分类，得到电压分类集合；
15.根据电压分类集合，检测不同电压的金属线之间的间距，并输出不同电压的同层金属线之间的间距小于预设值的图形。
16.其中，待检测版图中的节点包括电源节点和信号节点，电源节点包括输入电源节点和输出电源节点。
17.进一步地，gds图形文件包括待检测版图所使用的图形层次及所对应的坐标信息。
18.进一步地，待检测版图中各层次之间的连接关系，包括：
19.n阱与扩散区的n+进行连接；p阱与扩散区的p+进行连接；扩散区(n+/p+)与第一金属层通过接触孔(contact)进行连接；多晶硅(poly)和第一金属层通过接触孔(contact)进行连接；第一金属层与第二金属层通过通孔12(via12)进行连接；第二金属层与第三金属层通过通孔23(via23)进行连接。
20.进一步地，可能遗漏的节点包括第一类可能遗漏的节点和第二类可能遗漏的节点；
21.第一类可能遗漏的节点为待检测版图中只连接到mos管的栅端，并未和前级器件的源漏连接的节点；
22.第二类可能遗漏的节点为mos管的阱为非输入电源的节点。
23.进一步地，第一类可能遗漏的节点的判别方法为：
24.通过连接关系判定待检测版图中的某信号节点上多晶硅的面积是否大于0，若不大于0，则对该信号节点不进行处理；若大于0，则将该信号节点的多晶硅输出到第一集合中；
25.通过连接关系判定第一集合中的信号节点上扩散区的面积是否大于0，若大于0，则说明该信号节点与前级器件的源漏有连接关系，对该信号节点不进行处理；若不大于0，则说明该信号节点只与mos管的栅端相接，未与到mos管的源漏进行连接，将此多晶硅输出到第一类可能遗漏的节点集合；
26.第二类可能遗漏的节点的判别方法为：
27.通过连接关系获得所有的输入电源最终都接到了阱，并输出所有输入电源节点上的阱到第二集合中；
28.对待检测版图中所有阱和第二集合中的阱做非运算，得到非运算结果；若非运算结果为0，则说明待检测版图中不存在第二类可能遗漏的节点；若非运算结果不为0，则说明待检测版图中存在第二类可能遗漏的节点，并将非运算结果输出到第二类可能遗漏的节点集合。
29.进一步地，按照电压大小，对待检测版图中的输入电源和可能遗漏的节点进行分类，得到电压分类文件，包括：
30.根据第一类可能遗漏的节点集合和第二类可能遗漏的节点集合中的图形，对输入电源节点和可能遗漏的节点进行分类并变量置换，得到电压分类文件；电压分类文件表示为：
31.variable v1“vdd”“net_f”；
32.variablev2“vss”“net_f”；
33.variable v3“vde”“net_w”；
34.variable v4“vsu”“net_w”；
35.其中，variable表示变量，v1代表低电压，包括vdd节点、第一类可能遗漏的节点集合；v2代表0电压，包括vss节点、第一类可能遗漏的节点集合；v3代表高电压，包括vde节点、第二类可能遗漏的节点集合；v4代表负电压，包括vsu节点、第二类可能遗漏的节点集合；vdd、vss、vde、vsu分别表示四种不同的输入电源节点，net_f表示第一类可能遗漏的节点集合，net_w表示第二类可能遗漏的节点集合；
36.当第一类可能遗漏的节点集合和第二类可能遗漏的节点集合在当前待检测版图中没有端口，则在电压分类文件中追加假想端口信息，表示为：
37.text“net_f”x1 y1 mx1；
38.text“net_w”x2 y2 mx2；
39.其中，text为函数常量，“net_f”/“net_w”为端口信息，x1/x2为对应端口的x坐标，y1/y2为对应端口的y坐标，mx1/mx2为端口信息所对应的图形层次。
40.进一步地，根据电压分类文件和gds图形文件，赋予mos管源漏(即扩散区)所对应的阱电压信息，包括：
41.对扩散区的p+和n阱进行与运算，得到pmos管的有源区，并输出到第三一p集合；对扩散区的n+和p阱进行与运算，得到nmos管的有源区，并输出到第三一n集合；
42.通过非运算得出第三一p集合中不含多晶硅的区域，即为pmos管的源漏区域，并输出到第三二p集合；通过非运算得出第三一n集合中不含多晶硅的有源区，即为nmos管的源漏区域，输出到第三二n集合；
43.基于连接关系提取出四类电压节点上阱的区域，分别为低电压_nw、0电压_pw、高电压_nw、负电压_pw；
44.通过与运算得出第三二p集合中的区域与低电压_nw相交的区域，输出到集合第三三p集合_低电压；通过与运算得出第三二n集合中的区域与0电压_pw相交的区域，输出到第三三n集合_0电压；通过与运算得出第三二p集合中的区域与高电压_nw相交的区域，输出到第三三p集合_高电压；通过与运算得出第三二n集合中的区域与负电压_pw相交的区域，输出到第三三n集合_负电压。
45.进一步地，根据阱电压信息，对与mos管源漏直接相连的第一金属层进行电压分类，包括：
46.通过与运算得出第三三p集合_低电压与第一金属层的相交的区域，并将其输出到第四一集合_低电压；通过与运算得出第三三n集合_0电压与第一金属层的相交的区域，并将其输出到第四一集合_0电压；通过与运算得出第三三p集合_高电压与第一金属层的相交的区域，并将其输出到第四一集合_高电压；通过与运算得出第三三n集合_负电压与第一金属层的相交的区域，并将其输出到第四一集合_负电压；
47.判定第四一集合_低电压中的区域内是否包含有接触孔，若有则将该区域输出到第四二集合_低电压，如没有则不进行处理；判定第四一集合_0电压中的区域内是否包含有接触孔，若有则将该区域输出到第四二集合_0电压，如没有则不进行处理；判定第四一集
合_高电压中的区域内是否包含有接触孔，若有则将该区域输出到第四二集合_高电压，如没有则不进行处理；判定第四一集合_负电压中的区域内是否包含有接触孔，若有则将该区域输出到集合第四二集合_负电压，如没有则不进行处理。
48.进一步地，基于节点比率运算，对待检测版图中的mos管源漏上所有的金属层进行电压分类，包括：
49.对mos管源漏上所有的金属层进行电压分类；
50.对待检测版图中所有的金属层进行电压分类。
51.进一步地，检测不同电压的金属线之间的间距，包括：
52.对低电压、零电压、高电压和负电压中的任意二者金属线之间的间距进行检测。
53.本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
54.本发明一种版图检测方法，本发明通过识别mos管的阱电压，并进行一系列的操作赋予mos管源漏两端的金属线相应的电压信息，然后对不同电压的金属线进行间距检测，在提高了验证结果准确性的同时，也达到了改善设计效率的目的。相较于传统检测方法一，本发明的检测结果更为精准，不会有节点电压的误识别，极大地提高了检测结果的准确度；相较于传统检测方法二，基于在传统检测方法二中，首先需要和电路设计者确认高压节点，然后再手动加入对应的电压识别层，这一过程极有可能出现由于人为因素导致的错加、漏加电压识别层的情况；而本发明不需要这一过程，所以极大程度地减少了产品研发的时间成本和人工成本，而且避免了因为识别层的错加或漏加而带来的产品缺陷的风险。
附图说明
55.此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本技术的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
56.图1为本发明pmos管和nmos管的剖面图；
57.图2为本发明第一金属层(metal1)的俯视图；
58.图3为本发明一种版图检测方法的流程图；
59.图4为本发明版图中的部分节点信息示意图。
具体实施方式
60.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
61.传统检测方法1：该方法的检测原理是接到高压器件的任意一端的金属线直接被判定为高压线，然后检测高压线和相邻金属线间的间距。如图4所示，假设该mos管为高压管，栅端的net2跟该mos是否为高压管并无关系，当前段输出为低压时，此时net2也为低压，但因为此节点是高压管的栅端，该检测方法会将此节点错误地判定为高压线，去检测和相邻金属线间的间距，因其与实际情况不符，所以就会影响验证结果的正确性。而且当该高压mos管的阱电压为低时，此时源漏也为低压，但该检测方法还是会将其识别成高压线进行检测。因为此方法存在节点电压误识别的问题，会让本不该满足该规定值的低压线满足指定的值，无形中增加了因为布线间距扩大而带来的版图面积增加的风险。
62.传统检测方法2：该方法的原理是在高压节点处手动加上高电压识别层，然后检测带识别层的金属线和相邻金属线间的间距。因为该方法需要版图设计人员手动加入识别层，在这之前必须和电路设计人员进行节点电压的确认，这一过程需要花费大量的工数，且严重影响了设计效率。在电路规模庞大的情况下，电压识别层放置的正确性也会受到影响，有可能出现漏加或者多加的情况。当漏加识别层时，则不能检测出本该满足规定值的金属线，从而增加产品缺陷的风险；当错加识别层时，会检测出本不该满足规定值的金属线，无形中增加了因为布线间距扩大而带来的版图面积增加的风险。
63.基于以上传统检测方法的弊端，为了提高现有检测方法的准确度和版图的设计效率，本发明设计了一种新型的版图检测方法，通过对mos器件阱电压的识别，对版图中的金属线赋予所对应的电压，从而达到检测不同电压金属线间间距的目的。通过本发明方法能准确地赋予版图中的金属线所对应的电压值，然后对不同电压的金属线进行间距检测，在提高了验证结果准确性的同时，也达到了改善设计效率的目的。
64.相较于传统检测方法一，本发明的检测结果更为精准，不会有节点电压的误识别，极大地提高了检测结果的准确度；相较于传统检测方法二，基于在传统检测方法二中，首先需要和电路设计者确认高压节点，然后再手动加入对应的电压识别层，这一过程极有可能出现由于人为因素导致的错加、漏加电压识别层的情况；而本发明不需要这一过程，所以极大程度地减少了产品研发的时间成本和人工成本，而且避免了因为识别层的错加或漏加而带来的产品缺陷的风险。
65.实施例
66.如图3所示，图3为本发明的版图检测方法流程图。本发明一种版图检测方法，本发明的工作原理为：要检测不同电压配线(即金属线)之间的间距，其核心难点为如何确定该金属线的电压。本发明通过识别mos管的阱电压，并进行一系列的操作赋予mos管源漏两端的金属线相应的电压信息，而mos管栅极电压只与前级器件有关，与mos管本身的阱电压无关；然后检测不同电压的金属线之间的间距。
67.图4为本发明流程说明中所使用的原理图及节点信息示意图。
68.本发明待检测版图中的节点包括电源节点和信号节点，电源节点包括输入电源节点和输出电源节点。
69.该方法用于检测包括mos管的版图，图1为pmos管和nmos管的剖面图；图2为第一金属层(metal1)的俯视图；图1和图2的双箭头表示检测对象。具体地，本发明方法包括：
70.步骤1，根据待检测版图，导出待检测版图的gds图形文件；待检测版图是包括若干mos管的版图；gds图形文件记载了待检测版图所使用的图形层次及所对应的坐标信息。
71.步骤2，根据gds图形文件，定义待检测版图中各层次之间的连接关系，包括：
72.如图1所示，n阱与扩散区的n+进行连接；p阱与扩散区的p+进行连接；扩散区(n+/p+)与第一金属层通过接触孔(contact)进行连接；多晶硅(poly)和第一金属层通过接触孔(contact)进行连接；第一金属层与第二金属层通过通孔12(via12)进行连接；第二金属层与第三金属层通过通孔23(via23)进行连接。
73.步骤3，根据连接关系，提取待检测版图中可能遗漏的节点；本发明考虑了可能遗漏的节点，如果有遗漏节点会降低该检测方法的信赖度，影响产品的寿命。步骤3用于对可能遗漏的节点进行了自动抽出。
74.步骤3中的可能遗漏的节点包括第一类可能遗漏的节点和第二类可能遗漏的节点；
75.(1)第一类可能遗漏的节点：待检测版图中只连接到mos管的栅端，并未和前级器件的源漏连接的节点；第一类可能遗漏的节点的判别方法为：
76.1031a：通过连接关系判定待检测版图中的某信号节点上多晶硅的面积是否大于0；
77.若不大于0，则该信号节点不满足第一类可能遗漏的节点的基本要求，对该信号节点不进行处理；
78.若大于0，则该信号节点满足第一类可能遗漏的节点的基本要求，将该信号节点的多晶硅输出到第一集合1031a_out中；
79.1031b：通过连接关系判定第一集合1031a_out中的信号节点上扩散区的面积是否大于0；
80.若大于0，则说明该信号节点与前级器件的源漏有连接关系，该信号节点不为第一类可能遗漏的节点，对该信号节点不进行处理；
81.若不大于0，则说明该信号节点只与mos管的栅端相接，未与到mos管的源漏进行连接，将此多晶硅(poly)输出到第一类可能遗漏的节点集合1031b_out；
82.(2)第二类可能遗漏的节点：mos管的阱为非输入电源的节点，第二类可能遗漏的节点的判别方法为：
83.1032a：通过步骤2中定义的各层次之间的连接关系，可以获得所有的输入电源最终都接到了阱，并输出所有输入电源节点上的阱到第二集合1032a_out中；
84.1032b：对待检测版图中所有阱和第二集合1032a_out中的阱做非运算，得到非运算结果；
85.若非运算结果为0，则说明待检测版图中不存在第二类可能遗漏的节点；
86.若非运算结果不为0，则说明待检测版图中存在第二类可能遗漏的节点，并将非运算结果输出到第二类可能遗漏的节点集合1032b_out。
87.步骤4，按照电压大小，对待检测版图中的输入电源和可能遗漏的节点进行分类，得到电压分类文件，包括：
88.根据第一类可能遗漏的节点集合1031b_out和第二类可能遗漏的节点集合1032b_out中的图形，对输入电源节点和可能遗漏的节点进行分类并变量置换，得到电压分类文件；
89.例如，第一类可能遗漏的节点(net_f)，第二类可能遗漏的节点(net_w)，vdd，vss，vde，vsu的分类如下：
90.variable v1“vdd”“net_f”；
91.variablev2“vss”“net_f”；
92.variable v3“vde”“net_w”；
93.variable v4“vsu”“net_w”；
94.第一类可能遗漏的节点(net_f)和第二类可能遗漏的节点(net_w)若有恒定的电压值，则和输入电源一样只需对其进行一次分类；没有恒定的电压值，则取其电压的最大值和最小值并同时进行两次分类。
95.其中，variable表示变量，v1代表低电压，包括vdd节点、第一类可能遗漏的节点集合；v2代表0电压，包括vss节点、第一类可能遗漏的节点集合；v3代表高电压，包括vde节点、第二类可能遗漏的节点集合；v4代表负电压，包括vsu节点、第二类可能遗漏的节点集合；vdd、vss、vde、vsu分别表示四种不同的输入电源节点；
96.以上变量置换，将同电位的电源和可能遗漏的节点重新定义成同一变量，这样可以增强该检测方法的普适性。
97.若第一类可能遗漏的节点和第二类可能遗漏的节点在当前待检测版图中没有端口，则需要在电压分类文件中追加假想端口信息，该假想端口并不存在于实际版图中，只使用于验证过程中，表现为以下形式：
98.text“net_f”x1 y1 mx1；
99.text“net_w”x2 y2 mx2；
100.其中，text为函数常量，“net_f”/“net_w”为端口信息，x1/x2为对应端口的x坐标，y1/y2为对应端口的y坐标，mx1/mx2为端口信息所对应的图形层次。
101.以上没有端口信息的可能遗漏的节点无法进行处理，所以需要在验证过程中插入假想端口。
102.步骤5，根据电压分类文件和gds图形文件，赋予mos管源漏(即扩散区)所对应的阱电压信息；
103.将步骤4的电压分类文件和gds图形文件作为输入，对mos管源漏(即图1中扩散区)进行电压分类，即通过阱与mos管的关系，将阱的电位信息传导至该阱里的mos管。具体为：
104.105a：对扩散区的p+和n阱进行与运算，得到pmos管的有源区，并输出到第三一p集合105a_psd；对扩散区的n+和p阱进行与运算，得到nmos管的有源区，并输出到第三一n集合105a_nsd；
105.105b：通过非运算得出第三一p集合105a_psd中不含多晶硅的区域，即为pmos管的源漏区域，并输出到第三二p集合105b_psd；通过非运算得出第三一n集合105a_nsd中不含多晶硅的有源区，即为nmos管的源漏区域，输出到第三二n集合105b_nsd；
106.105c：基于连接关系提取出四类电压节点(v1、v2、v3、v4)上阱的区域，分别为低电压_nw(v1_nw)、0电压_pw(v2_pw)、高电压_nw(v3_nw)、负电压_pw(v4_pw)；
107.通过与运算得出第三二p集合105b_psd中的区域与v1_nw相交的区域，输出到集合第三三p集合_低电压105c_psd_v1；
108.通过与运算得出第三二n集合105b_nsd中的区域与0电压_pw相交的区域，输出到第三三n集合_0电压105c_nsd_v2；
109.通过与运算得出第三二p集合105b_psd中的区域与高电压_nw相交的区域，输出到第三三p集合_高电压105c_psd_v3；
110.通过与运算得出第三二n集合105b_nsd中的区域与负电压_pw相交的区域，输出到第三三n集合_负电压105c_nsd_v4。
111.步骤6，根据阱电压信息，对与mos管源漏直接相连的第一金属层进行电压分类；这是考虑到因为mos管源漏上的第一金属层的区域不一定有接触孔，有可能是其它过线，所以需要通过验证该处有无接触孔来判断该第一金属层是否与源漏相接；步骤6包括：
112.106a：通过与运算得出第三三p集合_低电压压105c_psd_v1与第一金属层的相交
的区域，并将其输出到第四一集合_低电压106a_m1_v1；
113.通过与运算得出第三三n集合_0电压105c_nsd_v2与第一金属层的相交的区域，并将其输出到第四一集合_0电压106a_m1_v2；
114.通过与运算得出第三三p集合_高电压105c_psd_v3与第一金属层的相交的区域，并将其输出到第四一集合_高电压106a_m1_v3；
115.通过与运算得出第三三n集合_负电压105c_nsd_v4与第一金属层的相交的区域，并将其输出到第四一集合_负电压106a_m1_v4；
116.106b：判定第四一集合_低电压106a_m1_v1中的区域内是否包含有接触孔，若有则将该区域输出到第四二集合_低电压106b_m1_v1，如没有则不进行处理；
117.判定第四一集合_0电压106a_m1_v2中的区域内是否包含有接触孔，若有则将该区域输出到第四二集合_0电压106b_m1_v2，如没有则不进行处理；
118.判定第四一集合_高电压106a_m1_v3中的区域内是否包含有接触孔，若有则将该区域输出到第四二集合_高电压106b_m1_v3，如没有则不进行处理；
119.判定第四一集合_负电压106a_m1_v4中的区域内是否包含有接触孔，若有则将该区域输出到集合第四二集合_负电压106b_m1_v4，如没有则不进行处理。
120.步骤7，对待检测版图中所有的金属层进行电压分类，得到电压分类集合；步骤7是通过连接关系，将与mos管源漏相接的第一金属层的电压信息传导至所有的金属层。
121.因为在步骤6中把与mos管源漏直接相连的第一金属层进行了分类，在步骤7中基于节点比率运算，对待检测版图中的mos管源漏上所有的金属层进行电压分类，包括：
122.107a：对mos管源漏上所有的金属层进行电压分类；
123.判定某信号节点上106b_m1_v1的面积是否大于0，若大于0则分别将该信号节点上的第一金属层/第二金属层/第三金属层输出到集合107a_m1_v1/107a_m2_v1/107a_m3_v1，若不大于0则不进行处理；
124.判定某信号节点上106b_m1_v2的面积是否大于0，若大于0则分别输出该信号节点上的第一金属层/第二金属层/第三金属层等到集合107a_m1_v2/107a_m2_v2/107a_m3_v2，若不大于0则不进行处理；
125.判定某信号节点上106b_m1_v3的面积是否大于0，若大于0则分别输出该信号节点上的第一金属层/第二金属层/第三金属层等到集合107a_m1_v3/107a_m2_v3/107a_m3_v3，若不大于0则不进行处理；
126.判定某信号节点上106b_m1_v4的面积是否大于0，若大于0则分别输出该信号节点上的第一金属层/第二金属层/第三金属层等到集合107a_m1_v4/107a_m2_v4/107a_m3_v4，若不大于0则不进行处理。
127.107b：对待检测版图中所有的金属层进行电压分类。根据在107a中对mos源漏上的金属层进行了电压分类，在此基础上还需要和可能遗漏的节点上金属层做或运算，以达到对所有金属层分类的目的。
128.107b具体包括：
129.将信号节点v1上的第一/二/三金属层分别与107a_m1_v1/107a_m2_v1/107a_m3_v1做或运算，得出107b_m1_v1/107b_m2_v1/107b_m3_v1。
130.将信号节点v2上的第一/二/三金属层分别与107a_m1_v2/107a_m2_v2/107a_m3_
v2做或运算，得出107b_m1_v2/107b_m2_v2/107b_m3_v2。
131.将信号节点v3上的第一/二/三金属层分别与107a_m1_v3/107a_m2_v3/107a_m3_v3做或运算，得出107b_m1_v3/107b_m2_v3/107b_m3_v3。
132.将信号节点v4上的第一/二/三金属层分别与107a_m1_v4/107a_m2_v4/107a_m3_v4做或运算，得出107b_m1_v4/107b_m2_v4/107b_m3_v4。
133.至此完成了对待检测版图中所有的金属层的电压分类。
134.步骤8，根据电压分类集合，检测不同电压的金属线之间的间距，并输出不同电压的同层金属线之间的间距小于预设值的图形。这一步是根据设计要求可灵地活检测不同电压差的金属线之间的间距，如检测低电压和负电压金属线之间的间距等。
135.步骤8具体包括：
136.对低电压、零电压、高电压和负电压中的任意二者金属线之间的间距进行检测。
137.例如：对低电压和零电压的金属线之间的间距进行检测，并规定其最小值为0.07um。
138.通过外边检测对107b_m1_v1和107b_m1_v2进行间距检测，将间距小于0.07um的图形进行输出。
139.通过外边检测对107b_m2_v1和107b_m2_v2进行间距检测，将间距小于0.07um的图形进行输出。
140.通过外边检测对107b_m3_v1和107b_m3_v2进行间距检测，将间距小于0.07um的图形进行输出。
141.例如：对高电压和负电压的金属线之间的间距进行检测，并规定其最小为0.13um。
142.通过外边检测对107b_m1_v3和107b_m1_v4进行间距检测，将间距小于0.13um的图形进行输出。
143.通过外边检测对107b_m2_v3和107b_m2_v4进行间距检测，将间距小于0.13um的图形进行输出。
144.通过外边检测对107b_m3_v3和107b_m3_v4进行间距检测，将间距小于0.13um的图形进行输出。
145.补充说明：其中因为net1和net10同时接了pmos和nmos的漏端，所以net1同时具有低电压和零电压的电压信息，net10同时具有高电压和负电压的电压信息。
146.当检测低电压的金属线和零电压的金属线间距时，net1首先会被当作低电压线检测和零电压线vss、net2之间的间距；然后net1会被当作零电压线和低电压线vdd之间的间距进行检测，当检测的间距小于规定的最小值时，则输出该图形。
147.当检测高电压的线和负电压的线间距时，net10首先会被当作高电压线检测和负电压线vsu之间的间距；然后net10会被当作负电压线和高电压线vde、net20之间的间距进行检测，当检测的间距小于规定最小值时，则输出该图形。
148.确认有无输出图形，若有则说明间距未满足规定值，需要修改版图后再次进行确认直至输出图形为0；若没有输出图形则说明该版图满足设计要求。
149.使用本发明方法不仅可以检测不同电压的金属线间的间距，还可以检测不同电压线的最小宽度、不同电压的线与通孔的间距、以及不同电压的通孔间的间距，在模拟版图中，具有很强的实用性和可靠性。
150.本发明具有如下有益效果：
151.1、本发明提高版图了可靠性。相较于传统检测方法一，通过本发明方法可减少节点电压的误识别，在提高了检测结果的准确度的基础上，也减小了因为低压线间距扩大而带来的版图面积增加的风险。
152.2、本发明提高版图了设计效率，降低了产品缺陷的风险。相较于传统检测方法二，因为不需要设计人员对节点进行电压判断再放置对应的电压识别层，在减小了人工成本和时间成本的基础上，也提高了版图的设计效率。而且由于减少了大量人工工作，也避免了由于人为因素而导致的版图面积增大的风险和产品缺陷的风险，从而提高了产品的良品率。
153.以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种版图检测方法，其特征在于，包括：根据待检测版图，导出待检测版图的gds图形文件；所述待检测版图是包括若干mos管的版图；根据所述gds图形文件，定义待检测版图中各层次之间的连接关系；根据所述连接关系，提取待检测版图中可能遗漏的节点；按照电压大小，对待检测版图中的输入电源和所述可能遗漏的节点进行分类，得到电压分类文件；根据所述电压分类文件和所述gds图形文件，赋予mos管源漏所对应的阱电压信息；根据所述阱电压信息，对与mos管源漏直接相连的第一金属层进行电压分类；对待检测版图中所有的金属层进行电压分类，得到电压分类集合；根据所述电压分类集合，检测不同电压的金属线之间的间距，并输出不同电压的同层金属线之间的间距小于预设值的图形。2.根据权利要求1所述的一种版图检测方法，其特征在于，所述gds图形文件包括待检测版图所使用的图形层次及所对应的坐标信息。3.根据权利要求1所述的一种版图检测方法，其特征在于，待检测版图中各层次之间的连接关系，包括：n阱与扩散区的n+进行连接；p阱与扩散区的p+进行连接；扩散区与第一金属层通过接触孔进行连接；多晶硅和第一金属层通过接触孔进行连接；第一金属层与第二金属层通过通孔进行连接；第二金属层与第三金属层通过通孔进行连接。4.根据权利要求1所述的一种版图检测方法，其特征在于，所述可能遗漏的节点包括第一类可能遗漏的节点和第二类可能遗漏的节点；所述第一类可能遗漏的节点为待检测版图中只连接到mos管的栅端，并未和前级器件的源漏连接的节点；所述第二类可能遗漏的节点为mos管的阱为非输入电源的节点。5.根据权利要求4所述的一种版图检测方法，其特征在于，所述第一类可能遗漏的节点的判别方法为：通过所述连接关系判定待检测版图中的某信号节点上多晶硅的面积是否大于0，若不大于0，则对该信号节点不进行处理；若大于0，则将该信号节点的多晶硅输出到第一集合中；通过所述连接关系判定所述第一集合中的信号节点上扩散区的面积是否大于0，若大于0，则说明该信号节点与前级器件的源漏有连接关系，对该信号节点不进行处理；若不大于0，则说明该信号节点只与mos管的栅端相接，未与到mos管的源漏进行连接，将此多晶硅输出到第一类可能遗漏的节点集合；所述第二类可能遗漏的节点的判别方法为：通过所述连接关系获得所有的输入电源都接到了阱，并输出所有输入电源节点上的阱到第二集合中；对待检测版图中所有阱和所述第二集合中的阱做非运算，得到非运算结果；若非运算结果为0，则说明待检测版图中不存在第二类可能遗漏的节点；若非运算结果不为0，则说明待检测版图中存在第二类可能遗漏的节点，并将非运算结果输出到第二类可能遗漏的节点
集合。6.根据权利要求5所述的一种版图检测方法，其特征在于，按照电压大小，对待检测版图中的输入电源和所述可能遗漏的节点进行分类，得到电压分类文件，包括：根据第一类可能遗漏的节点集合和第二类可能遗漏的节点集合中的图形，对输入电源节点和可能遗漏的节点进行分类并变量置换，得到电压分类文件；所述电压分类文件表示为：variable v1“vdd”“net_f”；variablev2“vss”“net_f”；variable v3“vde”“net_w”；variable v4“vsu”“net_w”；其中，variable表示变量，v1代表低电压，包括vdd节点、第一类可能遗漏的节点集合；v2代表0电压，包括vss节点、第一类可能遗漏的节点集合；v3代表高电压，包括vde节点、第二类可能遗漏的节点集合；v4代表负电压，包括vsu节点、第二类可能遗漏的节点集合；vdd、vss、vde、vsu分别表示四种不同的输入电源节点，net_f表示第一类可能遗漏的节点集合，net_w表示第二类可能遗漏的节点集合；当第一类可能遗漏的节点集合和第二类可能遗漏的节点集合在当前待检测版图中没有端口，则在所述电压分类文件中追加假想端口信息，表示为：text“net_f”x1 y1 mx1；text“net_w”x2 y2 mx2；其中，text为函数常量，“net_f”/“net_w”为端口信息，x1/x2为对应端口的x坐标，y1/y2为对应端口的y坐标，mx1/mx2为端口信息所对应的图形层次。7.根据权利要求1所述的一种版图检测方法，其特征在于，根据所述电压分类文件和所述gds图形文件，赋予mos管源漏所对应的阱电压信息，包括：对扩散区的p+和n阱进行与运算，得到pmos管的有源区，并输出到第三一p集合；对扩散区的n+和p阱进行与运算，得到nmos管的有源区，并输出到第三一n集合；通过非运算得出所述第三一p集合中不含多晶硅的区域，即为pmos管的源漏区域，并输出到第三二p集合；通过非运算得出所述第三一n集合中不含多晶硅的有源区，即为nmos管的源漏区域，输出到第三二n集合；基于所述连接关系提取出四类电压节点上阱的区域，分别为低电压_nw、0电压_pw、高电压_nw、负电压_pw；通过与运算得出所述第三二p集合中的区域与低电压_nw相交的区域，输出到集合第三三p集合_低电压；通过与运算得出所述第三二n集合中的区域与0电压_pw相交的区域，输出到第三三n集合_0电压；通过与运算得出所述第三二p集合中的区域与高电压_nw相交的区域，输出到第三三p集合_高电压；通过与运算得出所述第三二n集合中的区域与负电压_pw相交的区域，输出到第三三n集合_负电压。8.根据权利要求7所述的一种版图检测方法，其特征在于，根据所述阱电压信息，对与mos管源漏直接相连的第一金属层进行电压分类，包括：通过与运算得出第三三p集合_低电压与第一金属层的相交的区域，并将其输出到第四一集合_低电压；通过与运算得出第三三n集合_0电压与第一金属层的相交的区域，并将其
输出到第四一集合_0电压；通过与运算得出第三三p集合_高电压与第一金属层的相交的区域，并将其输出到第四一集合_高电压；通过与运算得出第三三n集合_负电压与第一金属层的相交的区域，并将其输出到第四一集合_负电压；判定第四一集合_低电压中的区域内是否包含有接触孔，若有则将该区域输出到第四二集合_低电压，如没有则不进行处理；判定第四一集合_0电压中的区域内是否包含有接触孔，若有则将该区域输出到第四二集合_0电压，如没有则不进行处理；判定第四一集合_高电压中的区域内是否包含有接触孔，若有则将该区域输出到第四二集合_高电压，如没有则不进行处理；判定第四一集合_负电压中的区域内是否包含有接触孔，若有则将该区域输出到集合第四二集合_负电压，如没有则不进行处理。9.根据权利要求1所述的一种版图检测方法，其特征在于，基于节点比率运算，对待检测版图中的mos管源漏上所有的金属层进行电压分类，包括：对mos管源漏上所有的金属层进行电压分类；对待检测版图中所有的金属层进行电压分类。10.根据权利要求1所述的一种版图检测方法，其特征在于，所述检测不同电压的金属线之间的间距，包括：对低电压、零电压、高电压和负电压中的任意二者金属线之间的间距进行检测。

技术总结
本发明公开了一种版图检测方法，包括：导出待检测版图的GDS图形文件；待检测版图是包括若干MOS管的版图；根据GDS图形文件，定义待检测版图中各层次之间的连接关系；根据连接关系，提取待检测版图中的可能遗漏的节点；按照电压大小，对待检测版图中的输入电源和可能遗漏的节点进行分类，得到电压分类文件；根据电压分类文件和GDS图形文件，赋予MOS管源漏所对应的阱电压信息；根据阱电压信息，对与MOS管源漏直接相连的第一金属层进行电压分类；对待检测版图中所有的金属层进行电压分类，得到电压分类集合；检测不同电压的金属线之间的间距，输出不同电压的同层金属线之间的间距小于预设值的图形。本发明检测准确度高、设计效率高。设计效率高。设计效率高。


技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：创视微电子（成都）有限公司
技术研发日：2023.05.26
技术公布日：2023/8/24