单晶片式晶片清洁设备及使用其控制晶片的表面粗糙度的方法与流程

1.本公开涉及晶片清洁装置，并且更具体地涉及单晶片式晶片清洁装置和单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，该方法使晶片的前侧和后侧分别具有不同的粗糙度。


背景技术：

2.用于清洁半导体晶片表面的技术可以分为湿式和干式。诸如浆料、颗粒之类的杂质可能附着在正在经历制造处理的半导体晶片表面。清洁处理在清洁处理去除半导体晶片表面上的材料的方面与蚀刻处理类似，但，在要去除的目标是杂质的方面与蚀刻处理不同。
3.湿式处理也可被分类为分批式和喷涂式。
4.图1说明了传统分批式清洁处理的示例。
5.参考图1，分批式处理执行清洁程序，通过首先将多个晶片浸入包括化学品的左侧浸浴中，从而去除每个晶片两侧的杂质，然后在使用化学品去除每个晶片两侧的杂质之后将晶片浸入右侧浸浴中，从而附加地去除每个晶片两侧残留的杂质和化学品。
6.喷涂式处理是一种通过在旋转晶片的同时将具有液体或气体形式的化学品喷涂到晶片上来去除晶片上的杂质的处理。
7.分批式处理的特征在于，分批式处理有利于一次清洁大量晶片，而喷涂式处理的特征在于，喷涂式处理有利于在单晶片基础上清洁晶片。虽然在传统情况下，在批浸式处理中分批式处理的使用被赋予了很大的权重，但根据微工艺的进步和所用材料的变化，最近在批浸式处理中喷涂式(以下称为“单晶片式”)的使用被赋予很大的权重。
8.在晶片的后侧位于半导体制造处理的处理台阶的过程中，由于晶片在处理台阶表面的滑动，因此可能经常生成杂质颗粒。在这种情况下，可能会出现一个问题，即生成的杂质颗粒被转移到其上正在执行处理的晶片的前侧。
9.图2说明了处理台阶上生成的晶片的滑动和滑动期间生成的颗粒。
10.参考图2，可以看出，当位于处理台阶210上的晶片220的后侧在处理台阶210的上表面上滑动时，生成杂质颗粒230，并且生成的杂质颗粒230移动到晶片220的前侧。
11.为了解决半导体制造处理期间出现的问题，如上参考图2所述，提出并使用了一种在晶片的前侧和后侧分别具有不同的表面粗糙度(μ-粗糙度)的方法，从而使晶片在处理台阶上的滑动最小化。
12.图3说明了在晶片两侧具有不同的粗糙度的示例。
13.参考图3，可以看出，作为实际半导体制造处理的对象的晶片前侧的表面粗糙度与晶片后侧的表面粗糙度彼此不同。


技术实现要素：

技术问题
14.本公开解决技术问题的一个目标是提供一种单晶片式晶片清洁装置，其中在清洁
晶片的过程中，在晶片的两侧分别执行不同的清洁处理，并且分别用于待清洁的晶片的侧面的化学品彼此不同，从而使晶片在其侧面分别具有不同的粗糙度。
15.本公开解决技术问题的另一个目标是提供一种单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，其中在清洁晶片的过程中，在晶片的两侧分别执行不同的清洁处理，并且用于清洁晶片侧面的化学品彼此不同，从而使晶片在其侧面分别具有不同的粗糙度。技术方案
16.在用于完成目标的本公开的一个方面中，本文提供的是单晶片式晶片清洁装置，其中第一化学品被供应到位于旋转主轴台上的晶片的前侧以清洁晶片的前侧，第一化学品和与第一化学品不同的第二化学品被供应到晶片的后侧以清洁晶片的后侧，并且第一化学品是臭氧晶片并且第二化学品是氟化氢。
17.在本公开的另一个方面中，本文提供的是单晶片式晶片清洁装置，包括旋转室、第一化学品供应器、第二化学品供应器和第三化学品供应器。旋转室具有安装在旋转室中的主轴台，该主轴台被配置成用于支撑位于其上的晶片，并用于在清洁处理期间旋转。第一化学品供应器被配置成用于在执行清洁处理期间向旋转的晶片前侧供应用于清洁的第一化学品。第二化学品供应器被配置成用于在执行清洁处理期间向旋转的晶片后侧供应用于清洁的第二化学品。第三化学品供应器被配置成用于在执行清洁处理期间向旋转的晶片后侧供应用于清洁的第三化学品。用于清洁的第一化学品和用于清洁的第二化学品是臭氧水，而用于清洁的第三化学品是氟化氢。
18.在本公开的另一个方面中，本文提供的是单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，包括：主轴台旋转，用于旋转主轴台，主轴台支撑位于其上的晶片；第一化学品供应，用于将用于清洁的第一化学品供应到与主轴台一起旋转的晶片的前侧；以及同时第二化学品和第三化学品供应，用于将用于清洁的第二化学品和用于清洁的第三化学品供应到与主轴台一起旋转的晶片的后侧。
19.在本公开的另一个方面中，本文提供的是单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，包括：主轴台旋转，用于旋转主轴台，主轴台支撑位于其上的晶片；第一化学品供应，用于将用于清洁的第一化学品供应到与主轴台一起旋转的晶片前侧；以及交替第二化学品和第三化学品供应，用于交替地将用于清洁的第二化学品和用于清洁的第三化学品供应到与主轴台一起旋转的晶片的后侧。
20.在本公开的另一个方面中，本文提供的是单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，包括：主轴台旋转，用于旋转主轴台，主轴台支撑位于其上的晶片；以及同时第一化学品至第三化学品供应，用于将第一化学品供应到与所述主轴台一起旋转的所述晶片的前侧，并且与此同时，将第二化学品和第三化学品供应到所述晶片的后侧。有益效果
21.如上所述，在根据本公开的单晶片式晶片清洁装置和单晶片式晶片表面粗糙度控制方法中，优点在于因为通过在清洁晶片的处理中对晶片的前侧和晶片的后侧分别使用不同的用于清洁的化学品的方法，晶片的后侧有可能比晶片的前侧更粗糙，由晶片的滑动和杂质颗粒转移到晶片的前侧造成的杂质颗粒生成问题被最小化。
附图说明
22.图1说明了传统分批式清洁工艺的示例。
23.图2说明了处理台阶上生成的晶片的滑动和滑动期间生成的颗粒。
24.图3说明了晶片两侧具有不同的粗糙度的晶片的示例。
25.图4说明了根据本公开的实施例的单晶片式晶片清洁装置。
26.图5示出了根据本公开的实施例的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法。
27.图6说明了根据图5中所示的实施例的在单晶片式晶片表面粗糙度控制方法中所供应的化学品的供应时间、浓度和流速以及主轴台的旋转速度的示例。
28.图7示出了根据本公开的另一个实施例的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法。
29.图8说明了根据图7中所示的另一个实施例的在单晶片式晶片表面粗糙度控制方法中所供应的化学品的供应时间、浓度和流速以及主轴台的旋转速度的示例。
30.图9示出了根据本公开的又一个实施例的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法。
31.图10说明了根据图9中所示的又一个实施例的在单晶片式晶片表面粗糙度控制方法中所供应的化学品的供应时间、浓度和流速以及主轴台的旋转速度的示例。
32.图11示出了当晶片的相反侧(即，前侧和后侧)同时或不同时间清洁时分别展现出的晶片的相反侧的粗糙度。
具体实施方式
33.为了充分理解本公开、本公开的操作优点以及通过实施本公开的实现方式的目标，应参考说明本公开的示例性实施例的附图和参考附图所描述的内容。
34.在下文中，将通过参考附图对本公开的优选实施例的描述来详细描述本公开。附图中的相同附图标记分别指定了相同的元素。
35.本公开的一个核心思想是，通过分别在不同时间执行晶片前侧的清洁和晶片后侧的清洁，同时在清洁晶片时针对清洁晶片的前侧和晶片的后侧分别使用不同的清洁剂，选择性地控制晶片的上侧(或前侧)和晶片的下侧(或后侧)的表面粗糙度。通过此类过程，晶片后侧的表面粗糙度可以大于晶片前侧的表面粗糙度。
36.例如，使用第一化学品(即臭氧(o3)水)控制晶片前侧的表面粗糙度使，使用第二化学品(即氟化氢(hf))控制晶片后侧的表面粗糙度。
37.在通过本公开中提出的方法清洁晶片的前侧和后侧后，然后将每1μm x 1μm的前侧粗糙度和后侧粗糙度相互比较，得到使用臭氧水的晶片前侧的表面粗糙度为0.9至而使用臭氧水和氟化氢的晶片后侧的表面粗糙度为或更多的实验结果。
38.特别是，当向晶片后侧供应的臭氧水和氟化氢同时提供的情况与臭氧水和氟化氢分别在不同时间提供的情况相互比较时，得到在臭氧水和氟化氢同时提供的情况下晶片后侧的表面粗糙度大于交替提供臭氧水和氟化氢(交替提供)的情况下晶片后侧的表面粗糙度的实验结果。
39.此外，在交替提供臭氧水和氟化氢的情况下，除了晶片前侧的清洁程序和晶片后侧的清洁程序分别独立执行的情况之外，还可以实现当提供臭氧水时，同时对晶片的前侧和晶片的后侧提供臭氧水，而当提供氟化氢时，只对晶片的后侧提供氟化氢的实施例。
40.由于从实验结果中可以看出采用上述方法的晶片前侧的表面粗糙度为0.9至
实验结果也显示垫处理中垫pad的厚度是可调的优点。
41.将基于上述实验结果给出以下描述。
42.图4说明了根据本公开的实施例的单晶片式晶片清洁装置。
43.参考图4，根据本公开的实施例，单晶片式清洁装置400包括旋转室410、主轴台420、第一化学品供应器430、第二化学品供应器440和第三化学品供应器450。
44.旋转室410内安装有主轴台420，该主轴台420被配置成用于支撑位于其上的晶片460，并用于在清洁处理期间旋转。旋转室410在清洁处理期间将其内部保持在真空状态。第一化学品供应器430在执行清洁处理期间向旋转的晶片460前侧供应用于清洁的化学品i。第二化学品供应器440在执行清洁处理期间向旋转的晶片460后侧供应用于清洁的化学品ii。第三化学品供应器450在执行清洁工艺期间向旋转的晶片460后侧供应用于清洁的化学品iii。
45.虽然清洁化学品i的供应、清洁化学品ii的供应和清洁化学品iii的供应可以分别在不同时间进行，但根据实施例，其中同时供应清洁化学品i、清洁化学品ii和清洁化学品iii的另一个实施例也可以是可能的。
46.在本公开中，提出使用臭氧(o3)或臭氧水作为清洁化学品i和清洁化学品ii，并使用氟化氢(hf)作为清洁化学品iii。
47.图5示出了根据本公开的实施例的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法。
48.参考图5，根据本公开的实施例，单晶片式晶片表面粗糙度控制方法500包括主轴台旋转510、第一化学品供应520以及同时第二化学品和第三化学品供应530。
49.在主轴台旋转510中，旋转主轴台，晶片位于主轴台上。
50.在第一化学品供应520中，第一化学品(即作为化学品i的去离子臭氧水)被供应给与主轴台一起旋转的晶片的前侧。在这种情况下，晶片的后侧没有被供应用于清洁的化学品。
51.在同时第二化学品和第三化学品供应530中，第二化学品(即用于清洁的化学品ii)和第三化学品(即用于清洁的化学品iii)被供应到与主轴台一起旋转的晶片的后侧。如上所述，清洁化学品ii和清洁化学品iii分别是臭氧水和氟化氢。在这种情况下，晶片的前侧没有被供应用于清洁的化学品。
52.只要当晶片的一侧(例如，前侧)被清洁时，晶片的另一侧(例如，后侧)不经受清洁处理，第一化学品供应520和同时第二化学品和第三化学品供应530中的任何一个都可优先被执行。
53.当然，为了使清洁效果最大化，提出重复执行主轴台旋转510、第一化学品供应520以及同时第二化学品和第三化学品供应530直至最多18次。
54.图6说明了根据图5中所示的实施例的在单晶片式晶片表面粗糙度控制方法中所供应的化学品的供应时间、浓度和流速以及主轴台的旋转速度的示例。
55.参考图6，可以看出，在第一化学品供应520中，浓度为百万分之5至20(ppm)的臭氧水以每分钟0.5至1.5升(lpm)的速率供应到以每分钟500至1500转(rpm)的速度旋转的晶片前侧1至5秒(图6的左侧)，在同时第二化学品和第三化学品供应530中,浓度为5至到20ppm的臭氧水和浓度为0.2至1.0wt％的氟化氢分别以0.5至1.5lpm的速率供应到以500至1500rpm的速度旋转的晶片前侧1至5秒(图6的右侧)。
56.如上所述，优选地，交替地清洁晶片的前侧和后侧过程被执行至少12次直至最多18次。
57.图7示出了根据本公开的另一个实施例的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法。
58.参考图7，根据本公开的另一个实施例，单晶片式晶片表面粗糙度控制方法700包括主轴台旋转710、第一化学品供应720以及交替第二化学品和第三化学品供应730。
59.在主轴台旋转710中，旋转主轴台，晶片位于主轴台上。在第一化学品供应720中，第一化学品被供应到与主轴台一起旋转的晶片的前侧。在交替第二化学品和第三化学品供应730中，第二化学品和第三化学品被交替地供应到与主轴台一起旋转的晶片后侧。
60.虽然图7所示的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法700与图5所示的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法500在晶片前侧的清洁和晶片后侧的清洁分别在不同时间进行的方面相同，但图7所示的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法700与图5所示的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法500在当清洁晶片的后侧时交替提供第一化学品和第二化学品而不是同时提供的方面不同。
61.图8说明了根据图7中所示的另一个实施例的在单晶片式晶片表面粗糙度控制方法中所供应的化学品的供应时间、浓度和流速以及主轴台的旋转速度的示例。
62.参考图8，在第一化学品供应720中，浓度为5至20ppm的臭氧水以0.5至1.5lpm的速率供应到以500至1500rpm的速度旋转的晶片前侧1至5秒(图8的左侧)。在交替第二化学品和第三化学品供应730中，浓度为5至20ppm的臭氧水和浓度为0.2至1.0wt％的氟化氢分别以0.5至1.5lpm的速率供应到以500至1500rpm的速度旋转的晶片后侧1至5秒(图8的右侧)。
63.优选地，交替地清洁晶片的前侧和后侧的过程被执行至少12次直至最多18次。
64.虽然图7所示的实施例与图5所示的实施例在晶片前侧的清洁和晶片后侧的清洁分别在不同时间执行的方面相同，但图7所示的实施例与图5所示的实施例在当清洁晶片后侧时交替使用第二化学品和第三化学品而不是同时使用的方面不同。
65.图9示出了根据本公开的又一个实施例的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法。
66.参考图9，根据本公开的另一个实施例，单晶片式晶片表面粗糙度控制方法900包括主轴台旋转910、以及同时第一化学品至第三化学品供应920。
67.在主轴台旋转910中，旋转主轴台，晶片位于主轴台上。
68.在同时第一化学品至第三化学品供应920中，第一化学品被供应到与主轴台一起旋转的晶片的前侧，同时，第二化学品和第三化学品被供应到晶片的后侧。
69.图10说明了根据图9中所示的又一个实施例的在单晶片式晶片表面粗糙度控制方法中所供应得化学品的供应时间、浓度和流速以及主轴台的旋转速度的示例。
70.参考图10，在同时第一化学品至第三化学品供应920中，浓度为5至20ppm的臭氧水以0.5至1.5lpm的速率被供应到以500至1500rpm的速度旋转的晶片前侧6至120秒。
71.可以看出，图9的实施例与图5和图7的实施例在清洁是通过一次执行清洁过程持续6至120秒完成的。
72.图11示出了当晶片的相反侧(即，前侧和后侧)同时或不同时间清洁时分别展现出的晶片的相反侧的粗糙度。
73.参考图11，示出了在图5至图7的实施例中获得的结果。这些结果是通过测量晶片前侧和晶片后侧的每个中心以及与中心间隔预定距离的一点处的粗糙度获得的。
74.可以看出，尽管同时供应和交替供应的示例在晶片的前侧表现出相同的粗糙度，即约0.9埃但在同时供应的示例中的晶片后侧的粗糙度比在交替供应的示例中的晶片后侧的粗糙度大约
75.还可以看出，根据图11的左侧处示出的交替供应，晶片后侧的表面粗糙度在后侧中心处为而在与中心相隔50mm、100mm和140mm的点处为和因此，在所有点均为或更多。
76.还可以看到，根据图11的右侧处示出的交替供应，晶片后侧的表面粗糙度在后侧中心处为而在与中心相隔50mm、100mm和140mm的点处分别为和因此，在所有点均为或更多。
77.通过比较图11的左侧(交替供应的示例)和图11的右侧(同时供应的示例)，可以看出，与第二化学品和第三化学品(即臭氧和氟化氢)交替供应给晶片后侧的情况相比，在臭氧和氟化氢同时供应给晶片后侧的情况下，晶片后侧的粗糙度远远大于晶片前侧的粗糙度。
78.因此，可以看出，当分别对晶片的前侧和晶片的后侧使用不同的清洁化学品时，在这两种情况(即以交替供应方式进行清洁的情况和以同时供应方式进行清洁的情况)下晶片后侧的粗糙度都大于晶片前侧的粗糙度。
79.因此，通过按照根据本公开的方式清洁晶片的前侧和后侧，可以将晶片的后侧制造得比晶片的前侧更粗糙。因此，当晶片在后续处理中位于台阶上时，可以使晶片的滑动最小化，因此，可以使在传统情况下由晶片滑动造成的杂质颗粒的生成最小化。
80.在传统情况下被赋予很大权重的分批式清洁中，晶片的前侧和后侧不可能分别具有不同程度的粗糙度。此外，控制粗糙度程度也很困难。工业实用性
81.本公开涉及晶片清洁装置，并且可以解决在晶片制造的处理中将杂质颗粒转移到晶片前侧的问题，因此，可以提高半导体行业的制造产量。

技术特征：
1.一种单晶片式晶片清洁装置，其中：第一化学品被供应到位于旋转主轴台上的晶片的前侧以清洁所述晶片的所述前侧，并且所述第一化学品和与所述第一化学品不同的第二化学品被供应到所述晶片的后侧以清洁所述晶片的所述后侧；并且所述第一化学品是臭氧晶片而所述第二化学品是氟化氢。2.一种单晶片式晶片清洁装置，包括：旋转室，所述旋转室具有安装在所述旋转室中的主轴台，所述主轴台被配置成用于支撑位于所述主轴台上的晶片并用于在清洁处理期间旋转；第一化学品供应器，所述第一化学品供应器被配置成用于在执行所述清洁处理期间向旋转的所述晶片的前侧供应用于清洁的第一化学品；第二化学品供应器，所述第二化学品供应器被配置成用于在执行所述清洁处理期间向旋转的所述晶片的后侧供应用于清洁的第二化学品；以及第三化学品供应器，所述第三化学品供应器被配置成用于在执行所述清洁处理期间向旋转的所述晶片的所述后侧供应用于清洁的第三化学品，其中所述用于清洁的第一化学品和所述用于清洁的第二化学品是臭氧水，而所述用于清洁的第三化学品是氟化氢。3.根据权利要求2所述的单晶片式晶片清洁装置，其中：在所述第一化学品供应器向所述晶片的所述前侧供应所述用于清洁的第一化学品时，所述第二化学品供应器和所述第三化学品供应器不向所述晶片的所述后侧供应所述用于清洁的第二化学品和所述用于清洁的第三化学品；并且在所述第二化学品供应器和所述第三化学品供应器向所述晶片的所述后侧供应所述用于清洁的第二化学品和所述用于清洁的第三化学品时，所述第一化学品供应器不向所述晶片的所述前侧供应所述用于清洁的第一化学品。4.根据权利要求3所述的单晶片式晶片清洁装置，其中，在所述第二化学品供应器和所述第三化学品供应器向所述晶片的所述后侧供应所述用于清洁的第二化学品和所述用于清洁的第三化学品时，所述用于清洁的第二化学品和所述用于清洁的第三化学品被同时供应到所述晶片的所述后侧。5.根据权利要求3所述的单晶片式晶片清洁装置，其中，在所述第二化学品供应器和所述第三化学品供应器向所述晶片的所述后侧供应所述用于清洁的第二化学品和所述用于清洁的第三化学品时，所述用于清洁的第二化学品和所述用于清洁的第三化学品被交替供应到所述晶片的所述后侧。6.根据权利要求2所述的单晶片式晶片清洁装置，其中，所述用于清洁的第一化学品被供应到所述晶片的所述前侧，并且与此同时，所述用于清洁的第二化学品和所述用于清洁的第三化学品被供应到所述晶片的所述后侧。7.一种单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，包括：主轴台旋转，用于旋转主轴台，所述主轴台支撑位于主轴台上的晶片；第一化学品供应，用于将用于清洁的第一化学品供应到与所述主轴台一起旋转的所述晶片的前侧；以及同时第二化学品和第三化学品供应，用于将用于清洁的第二化学品和用于清洁的第三
化学品供应到与所述主轴台一起旋转的所述晶片的后侧。8.根据权利要求7所述的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，其中：在所述第一化学品供应中，浓度为5至20ppm的臭氧水以0.5至1.5lpm的速率被供应到以500至1500rpm的速度旋转的所述晶片的所述前侧长达1至5秒；并且在所述同时第二化学品和第三化学品供应中，浓度为5至20ppm的臭氧水和浓度为0.2至1.0wt％的氟化氢分别以0.5至1.5lpm的速率供应到以500至1500rpm的速度旋转的所述晶片的所述前侧长达1至5秒。9.根据权利要求7所述的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，其中，重复执行所述主轴台旋转、所述第一化学品供应以及所述同时第二化学品和第三化学品供应至少12次直至最多18次。10.一种单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，包括：主轴台旋转，用于旋转主轴台，所述主轴台支撑位于主轴台上的晶片；第一化学品供应，用于将用于清洁的第一化学品供应到与所述主轴台一起旋转的所述晶片的前侧；以及交替第二化学品和第三化学品供应，用于交替地将用于清洁的第二化学品和用于清洁的第三化学品供应到与所述主轴台一起旋转的所述晶片的后侧。11.根据权利要求10所述的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，其中：在第一化学品供应器中，浓度为5至20ppm的臭氧水以0.5至1.5lpm的速率被供应到以500至1500rpm的速度旋转的所述晶片的所述前侧长达1至5秒；并且在所述交替第二化学品和第三化学品供应中，浓度为5至20ppm的臭氧水和浓度为0.2至1.0wt％的氟化氢分别以0.5至1.5lpm的速率供应到以500至1500rpm的速度旋转的所述晶片的所述前侧长达1至5秒。12.根据权利要求10所述的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，其中，重复执行所述主轴台旋转、所述第一化学品供应以及所述交替第二化学品和第三化学品供应至少12次直至最多18次。13.一种单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，包括：主轴台旋转，用于旋转主轴台，所述主轴台支撑位于主轴台上的晶片；以及同时第一化学品至第三化学品供应，用于将第一化学品供应到与所述主轴台一起旋转的所述晶片的前侧，并且与此同时，将第二化学品和第三化学品供应到所述晶片的后侧。14.根据权利要求13所述的单晶片式晶片表面粗糙度控制方法，其中：在所述同时第一化学品至第三化学品供应中，浓度为5至20ppm的臭氧水以0.5至1.5lpm的速率供应到以500至1500rpm的速度旋转的所述晶片的所述前侧长达6至120秒，并且与此同时，浓度为5至20ppm的臭氧水和浓度为0.2至1.0wt％的氟化氢分别以0.5至1.5lpm的速率供应到所述晶片的所述后侧长达6至120秒。

技术总结
本发明提出了一种单晶片式晶片清洁设备和用于控制晶片的表面粗糙度的单晶片式方法，其中，在晶片清洁处理中，在晶片的两侧分别执行互不相同的清洁处理，并且根据被清洁的晶片的侧面使用互不相同的化学品，从而使得两侧各自的粗糙度不同。单晶片式晶片清洁设备包括旋转室、第一化学品供应设备、第二化学品供应设备和第三化学品供应设备。备和第三化学品供应设备。备和第三化学品供应设备。


技术研发人员：李健豪 李致福 徐大基 高秉河
受保护的技术使用者：爱思开矽得荣株式会社
技术研发日：2021.02.16
技术公布日：2023/9/12