电芯检测方法、装置、电子设备及存储介质与流程

1.本技术涉及电芯检测技术领域，尤其涉及一种电芯检测方法、装置、电子设备及存储介质。


背景技术：

2.在锂电池电芯的制造中，对热压后的电芯进行缺陷检测是电芯工艺质量检测的重要环节，通常的检测方法可以在不破坏电芯的情况，对电芯进行拍摄，从而检测电芯是否存在缺陷，常规拍摄方法是通过投影进行成像，但容易受叠片电芯的极耳干扰等影响，导致成像不清晰，使得电芯检测结果不准确。而常规的工业ct(computedtomography，计算机断层扫描)系统中，通常需要对电芯进行360度完全扫描，得到完备数据后进行三维重构，这种方法需要采集的数据较多，对电芯的三维重构也比较耗时，电芯检测的效率较低。


技术实现要素：

3.本技术实施例公开了一种电芯检测方法、装置、电子设备及存储介质，能够提高电芯检测的准确性及效率。
4.本技术实施例公开了一种电芯检测方法，所述方法包括：
5.获取多个电芯投影图像，所述多个电芯投影图像对应电芯的多个投影角度，且所述电芯投影图像包括所述电芯的感兴趣区域；
6.根据所述多个电芯投影图像以及各个所述电芯投影图像对应的投影角度，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像；
7.按照预设方向对所述三维图像进行切片，得到与所述预设方向对应的切片图像；
8.根据所述切片图像，确定所述电芯的检测结果。
9.在一个实施例中，所述根据所述多个电芯投影图像，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像，包括：
10.对所述多个电芯投影图像进行滤波处理，得到所述多个电芯投影图像分别对应的滤波图像；
11.根据所述多个电芯投影图像分别对应的滤波图像，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
12.在一个实施例中，所述电芯放置于旋转平台，所述旋转平台的周围设置有成像设备，所述成像设备用于采集所述多个电芯投影图像，所述根据所述多个电芯投影图像以及各个所述电芯投影图像对应的投影角度，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像，包括：
13.获取所述成像设备对应的预设位置信息，以及所述成像设备与所述旋转平台之间的相对位置信息；
14.根据所述多个电芯投影图像、各个所述电芯投影图像对应的投影角度、所述预设位置信息以及所述相对位置信息，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯
的感兴趣区域对应的三维图像。
15.在一个实施例中，所述根据所述多个电芯投影图像、各个所述电芯投影图像对应的投影角度、所述预设位置信息以及所述相对位置信息，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像，包括：
16.提取各个所述电芯投影图像的图像特征；
17.根据各个所述电芯投影图像对应的图像特征及投影角度、所述预设位置信息以及所述相对位置信息，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
18.在一个实施例中，所述旋转平台带动所述电芯旋转；在所述根据所述多个电芯投影图像、各个所述电芯投影图像对应的投影角度、所述预设位置信息以及所述相对位置信息，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像之前，所述方法还包括：
19.获取各个所述电芯投影图像对应的目标旋转角度，所述目标旋转角度为所述成像设备采集所述电芯投影图像时，所述旋转平台旋转的角度；其中，所述目标旋转角度在预设的旋转范围内；
20.根据各个所述电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定所述各个所述电芯投影图像对应的投影角度。
21.在一个实施例中，所述根据所述多个电芯投影图像、各个所述电芯投影图像对应的投影角度、所述预设位置信息以及所述相对位置信息，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像，包括：
22.根据各个所述电芯投影图像对应的投影角度，确定各个所述电芯投影图像中所述电芯的感兴趣区域在三维空间中的目标位置信息；
23.根据所述多个电芯投影图像以及各个电芯投影图像对应的目标位置信息，确定所述电芯的感兴趣区域在所述三维空间中对应的部分三维像素点；
24.根据目标电芯投影图像以及所述目标电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定所述电芯的倾斜角度；其中，所述倾斜角度为所述电芯相对于竖直方向所倾斜的角度，所述目标电芯投影图像为对应的目标旋转角度不为预设角度的任一电芯投影图像；
25.根据所述部分三维像素点、所述电芯的倾斜角度、所述预设位置信息以及所述相对位置信息，对所述电芯的感兴趣区域进行局部三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
26.在一个实施例中，所述根据目标电芯投影图像以及所述目标电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定所述电芯的倾斜角度，包括：
27.识别所述目标电芯投影图像中的电芯对应的投影区域，并根据所述投影区域确定所述电芯的投影倾斜角度，所述电芯的投影倾斜角度为所述电芯的倾斜角度投影在所述目标电芯投影图像上所形成的角度；
28.根据所述投影倾斜角度以及所述目标电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定所述电芯的倾斜角度。
29.在一个实施例中，所述根据所述切片图像，确定所述电芯的检测结果，包括：
30.将所述切片图像输入训练好的人工智能模型，通过所述人工智能模型对所述切片
图像进行极片区域识别，以得到所述切片图像中所述电芯的正极片区域以及所述电芯的负极片区域，所述人工智能模型是根据样本图像集合训练得到的，所述样本图像集合包括多个划分有正极片区域以及负极片区域的样本图像；
31.根据所述电芯的正极片区域以及所述电芯的负极片区域，确定所述电芯的极片对齐度；
32.根据所述极片对齐度，确定所述电芯的检测结果。
33.在一个实施例中，所述预设方向包括第一预设方向以及所述第二预设方向，所述第一预设方向对应所述电芯的长度方向，所述第二预设方向对应所述电芯的宽度方向；所述按照预设方向对所述三维图像进行切片，得到与所述预设方向对应的切片图像，包括：
34.按照所述第一预设方向对所述三维图像进行切片，得到与所述第一预设方向对应的第一切片图像；
35.按照所述第二预设方向对所述三维图像进行切片，得到与所述第二预设方向对应的第二切片图像；
36.所述根据所述电芯的正极片区域以及所述电芯的负极片区域，确定所述电芯的极片对齐度，包括：
37.根据所述第一切片图像中电芯的正极片区域以及所述电芯的负极片区域，确定所述电芯的第一极片对齐度，所述第一极片对齐度包括负极片在所述长度方向多出正极片的部分；
38.根据所述第二切片图像中电芯的正极片区域以及所述电芯的负极片区域，确定所述电芯的第二极片对齐度，所述第二极片对齐度包括所述负极片在所述宽度方向多出所述正极片的部分。
39.本技术实施例公开了一种电芯检测装置，所述装置包括：
40.图像获取模块，用于获取多个电芯投影图像，所述多个电芯投影图像对应电芯的多个投影角度，且所述电芯投影图像包括所述电芯的感兴趣区域；
41.图像重构模块，用于根据所述多个电芯投影图像以及各个所述电芯投影图像对应的投影角度，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像；
42.图像切片模块，用于按照预设方向对所述三维图像进行切片，得到与所述预设方向对应的切片图像；
43.图像检测模块，用于根据所述切片图像，确定所述电芯的检测结果。
44.本技术实施例公开了一种电子设备，包括：
45.存储有可执行程序代码的存储器；
46.与所述存储器耦合的处理器；
47.所述处理器调用所述存储器中存储的所述可执行程序代码，执行上述任一实施例所述的方法。
48.本技术实施例公开了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储计算机程序，其中，所述计算机程序在被处理器执行时，使得所述处理器执行上述任一实施例所述的方法。
49.通过本技术实施例公开的电芯检测方法、装置、电子设备及存储介质，电子设备可
以获取多个电芯投影图像，该多个电芯投影图像对应电芯的多个采集角度，且电芯投影图像中包括电芯的感兴趣区域，电子设备根据多个电芯投影图像，可以对电芯投影区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像，并可以按照预设方向对三维图像进行切片，得到与预设方向对应的切片图像，再根据切片图像，确定电芯的检测结果，使用多个电芯投影图像对电芯的感兴趣区域进行三维重构后，获得的三维图像相较于投影得到的二维图像，具有更加准确、全面的电芯信息，再按照预设方向得到切片图像，也可以使得切片图像相较于投影得到的二维图像更为精准，从而提高电芯检测的准确性，无需对整个电芯进行重构，而是只对电芯的感兴趣区域进行重构，也减少了三维重构所需的时间，提高了电芯检测的效率。
附图说明
50.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图进行简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
51.图1-a是本技术实施例公开的一种电芯的极片的示意图；
52.图1-b是本技术实施例公开的一种的电芯检测方法的应用场景示意图；
53.图2是本技术实施例公开的一种电芯检测方法的流程示意图；
54.图3是本技术实施例公开的一种电芯的极片对齐度检测的应用场景示意图；
55.图4是本技术实施例公开的另一种电芯检测方法的流程示意图；
56.图5是本技术实施例公开的一种电芯的倾斜角度的示意图；
57.图6-a是本技术实施例公开的一种第一切片图像的示意图；
58.图6-b是本技术实施例公开的一种第二切片图像的示意图；
59.图7是本技术实施例公开的一种电芯检测装置的模块化示意图；
60.图8是本技术实施例公开的一种电子设备的结构框图。
具体实施方式
61.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
62.需要说明的是，本技术实施例的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
63.可以理解，本技术所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。
64.在相关技术中，对电芯的极片对齐度检测通常是选择一个合适的投影角度，对电芯的角部区域进行投影，得到电芯的角度区域对应的投影图像，电子设设备可以在该投影
图像中确定负极片的角点到正极片的角点的距离，并认为负极片的角点到正极片的角点的距离可以用于表征电芯的极片对齐度，但电芯的极片对齐度可以指的是负极片的长度和宽度方向多出正极片的部分，如图1-a所示，图1-a是本技术实施例公开的一种电芯的极片的示意图，其中，负极片101与正极片102叠加，负极片的角点到正极片的角点的距离为d，负极片的宽度多出正极片的宽度的部分为x，负极片的长度多出正极片的长度的部分为y，由勾股定理可以得知，该负极片的角点到正极片的角点的距离的平方，可以等于负极片的长度多出正极片的长度的部分的平方加上负极片的宽度多出正极片的宽度的部分的平方，即x2+y2＝d2。
65.但是，若负极片的长度多出正极片的长度的部分与负极片的宽度多出正极片的宽度的部分同时变化，负极片的角点到正极片的角点的距离依然可以不变，如负极片的长度多出正极片的长度的部分增大，负极片的宽度多出正极片的宽度的部分减小，负负极片的角点到正极片的角点的距离可以不变，因此，通过负极片的角点到正极片的角点的距离来检测电芯的极片对齐度是并不准确的。
66.本技术实施例公开了一种电芯检测方法、装置、电子设备及存储介质，能够提高电芯检测的准确性及效率。
67.以下将结合附图进行详细描述。
68.如图1-b所示，图1-b是本技术实施例公开的一种的电芯检测方法的应用场景示意图，该应用场景下可以包括电子设备110，电子设备110可包括但不限于手机、平板电脑、可穿戴设备、笔记本电脑、pc(personalcomputer，个人计算机)等。
69.其中，电子设备110可以获取多个电芯投影图像，多个电芯投影图像对应电芯的多个投影角度，且电芯投影图像包括电芯的感兴趣区域，根据多个电芯投影图像，电子设备110还可以对电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像，并按照预设方向对三维图像进行切片，得到与预设方向对应的切片图像，再根据切片图像，确定电芯的检测结果。
70.如图2所示，图2是本技术实施例公开的一种电芯检测方法的流程示意图，该电芯检测方法可以应用于上述实施例中的电子设备，该电芯检测方法可以包括如下步骤：
71.步骤210，获取多个电芯投影图像。
72.电子设备可以获取多个电芯投影图像，可选的，电子设备可以为成像设备，可以直接拍摄多个电芯投影图像，电子设备也可以与成像设备之间通信连接，接收成像设备发送的多个电芯投影线设备。其中，成像设备可以包括光束输出装置以及光束检测装置，该电芯投影图像可以为在光束输出装置以投影角度输出光束时，通过光束检测装置检测经过电芯后的光束所形成的图像。可选的，该成像设备可以为ct设备，该ct设备可以在不同的投影角度下对电芯进行x射线扫描，从而得到多个电芯投影图像，光束输出装置可以是x光球管，光束检测装置可以为x光探测器。
73.该多个电芯投影图像可以对应多个投影角度，本技术对投影角度不作限制，多个电芯投影图像是指采用不同的投影角度对电芯进行拍摄得到的图像。可选的，多个电芯投影图像可以为不同的成像设备拍摄得到的，也可以为同一成像设备在不同的拍摄角度下得到的图像，例如，一个电芯投影图像可以从电芯的正面进行投影得到的图像，即光束输出装置朝该电芯正面的方向输出光束，另一个图像可以从电芯的侧面进行投影得到的图像，即
光束输出装置朝该电芯侧面的方向输出光束。电子设备通过获取多个电芯投影图像，能够获得更加全面、准确的电芯信息，避免了单个投影图像所带来的信息缺失和误差。
74.其中，电芯投影图像包括电芯的感兴趣区域，该电芯的感兴趣区域可以用于获取电芯检测所需的数据，可选的，电子设备可以根据电芯检测的检测种类，确定电芯的感兴趣区域的位置，如该电芯检测的检测种类可以为极片对齐度检测，电芯的极片对齐度可以指的是负极片的长度和宽度方向多出正极片的部分，则可以确定电芯的感兴趣区域为电芯的角部区域，再如，该电芯检测的检测种类可以为电芯极耳检测，则可以确定电芯的感兴趣区域为电芯的极耳区域。可选的，该电芯的感兴趣区域还可以包括但不限于电芯的极片区域、电芯的全部区域等，本技术实施例对此不作限制。
75.如图3所示，图3是本技术实施例公开的一种电芯的极片对齐度检测的应用场景示意图，该应用场景可以包括成像设备310、电芯320以及旋转平台330，其中，成像设备310可以包括光束输出装置311以及光束检测装置312，电芯320放置于旋转平台330，且可以放置于旋转平台330的中心位置，以使得旋转平台330带动电芯320自转，成像装置310可以保持静止，旋转平台330的旋转角度可以对应成像设备310采集电芯投影图形的投影角度，电芯320的形状可以为长方体，光束输出装置311输出光束，光束可以经过电芯320的角部区域，光束检测装置312检测到经过电芯320的角部区域后的光束，从而生成电芯投影图像。
76.需要说明的是，由于电芯320的极片对齐度包括负极片的长度和宽度方向多出正极片的部分，相较于电芯320的其它区域，电子设备根据该电芯320的角部区域，不仅可以确定负极片的长度方向多出正极片的部分，还可以确定负极片的宽度方向多出正极片的部分，而电子设备根据其它区域只能确定其中的一种。此外，相较于电芯320的其它区域，由于电芯320的角部区域的几何形状更加明确，且能够从各个投影角度采集电芯投影图像，电子设备对电芯320的角部区域进行三维重构，生成的三维图像准确性更高并且重构效率也更高。
77.步骤220，根据多个电芯投影图像以及各个电芯投影图像对应的投影角度，对电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
78.电子设备可以根据多个电芯投影图像以及各个电芯投影图像对应的投影角度，对电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
79.可选的，电子设备可以通过三维重构算法对电芯的感兴趣区域进行三维重构，从而提高三维重构的效率，可选的，该三维重构算法可以包括反投影重建算法，电子设备可以根据多个电芯投影图像以及各个电芯投影图像对应的投影角度，将各个电芯投影图像反投影回三维空间中，生成各个电芯投影图像对应的反投影数据，再将各个电芯投影图像对应的反投影数据叠加，生成电芯的感兴趣区域对应的体素数据集，体素数据集包括多个体素，该体素用于表示三维空间中的一个小立方体，最终，电子设备可以通过对体素数据集进行体绘制或切面绘制等操作，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。可选的，电子设备也可以通过其它三维重构算法对电芯的感兴趣区域进行三维重构，如滤波重建算法，本技术实施例对三维重构算法不作限制，可以选取任一种类的三维重构算法对电芯的感兴趣区域进行三维重构。
80.以第一电芯投影图像的反投影为例，第一电芯投影图像为多个电芯投影图像中的任一电芯投影图像，电子设备可以将第一电芯投影图像中的每个投影像素点进行插值以及
加权，从而得到每个投影像素点对应的三维坐标，即电子设备可以得到各个电芯投影图像对应的反投影数据，投影像素点指的是电芯投影图像中电芯对应的像素点。也就是说，电子设备可以将每个投影像素点沿着对应的投影角度反向延伸到三维空间中，然后计算每个像素点对应的三维坐标。
81.在一个实施例中，在重建电芯的感兴趣区域对应的三维图像之前，电子设备还可以获取到获取成像设备对应的预设位置信息，以及成像设备与旋转平台之间的相对位置信息，再根据多个电芯投影图像、各个电芯投影图像对应的投影角度、预设位置信息以及相对位置信息，对电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。可选的，电子设备根据各个电芯投影图像对应的投影角度、成像设备对应的预设位置信息以及成像设备与旋转平台之间的相对位置信息，可以确定三维图像在三维空间中的位置信息，再根据多个电芯投影图像以及三维图像在三维空间中的位置信息，生成电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
82.其中，成像设备与旋转平台可以为预先设置好的，成像设备对应的预设位置信息可以包括光束输出装置的位置信息以及光束检测装置的位置信息，可选的，该成像设备的预设位置信息还可以包括光束输出装置的位置信息或光束检测装置的位置信息以及光束输出装置与光束检测装置之间的相对位置信息，该成像设备与旋转平台之间的相对位置信息可以包括光束输出装置与旋转平台之间的相对位置信息和/或光束检测装置与旋转平台之间的相对位置信息。可选的，电芯可以放置于旋转平台的中心位置，则成像设备与旋转平台之间的相对位置信息可以为成像设备与旋转平台的中心位置之间的相对位置信息。
83.在预设位置信息包括光束输出装置的位置信息时，成像设备与旋转平台之间的相对位置信息可以为光束输出装置的位置信息与旋转平台之间的相对位置信息，电子设备可以根据光束输出装置与光束检测装置之间的相对位置信息以及光束输出装置的位置信息，确定光束检测装置的位置信息，以及根据光束输出装置与旋转平台之间的相对位置信息以及光束输出装置的位置信息，确定旋转平台的位置信息。在预设位置信息包括光束检测装置的位置信息时，成像设备与旋转平台之间的相对位置信息可以为光束检测装置的位置信息与旋转平台之间的相对位置信息，电子设备可以根据光束输出装置与光束检测装置之间的相对位置信息以及光束检测装置的位置信息，确定光束输出装置的位置信息，以及根据光束检测装置与旋转平台之间的相对位置信息以及光束检测装置的位置信息，确定旋转平台的位置信息。
84.步骤230，按照预设方向对三维图像进行切片，得到与预设方向对应的切片图像。
85.由于三维图像可以用于显示物体在三个空间方向上的形态信息，但是对于电芯检测的应用场景，需要以不同的方向来观察电芯的内部结构。此时，就需要对三维图像进行切片，得到沿着不同方向的切片图像。
86.电子设备可以按照预设方向对三维图像进行切片，得到与预设方向对应的切片图像，该切片图像可以指的是在三维空间中选择一个平面并将三维图像投影到该平面上而得到的二维图像。其中，该预设方向可以包括多个，电子设备可以根据每个预设方向，对三维图像进行切片，得到与每个预设方向对应的切片图像，即可以得到多个预设方向分别对应的切片图像。可选的，电子设备可以在电芯的感兴趣区域中的目标位置，按照预设方向对三维图像进行切片，该目标位置可以为预设的，也可以是根据电芯检测的检测种类确定的，例
如，电芯检测的检测种类可以为极片对齐度检测，则目标位置可以为电芯中的正极片和负极片重合的位置。
87.在一个实施例中，电子设备还可以对多个电芯投影图像进行滤波处理，得到多个电芯投影图像分别对应的滤波图像，再根据多个电芯投影图像分别对应的滤波图像，对电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。实施该实施例，可以去除电芯投影图像中的噪点，从而提高三维重构的准确性。
88.步骤240，根据切片图像，确定电芯的检测结果。
89.电子设备可以对切片图像进行图像处理，以获得电芯的检测结果。可选的，电子设备可以使用图像处理算法对切片图像进行特征提取，得到切片图像的特征数据，再根据切片图像的特征数据，判断电芯是否满足预设的检测条件，以确定电芯的检测结果。可选的，电芯检测的检测种类可以为极片对齐度检测，电子设备根据切片图像的特征数据，可以得到电芯的负极片的长度和宽度以及正极片的长度和宽度，电子设备可以根据负极片的长度以及正极片的长度，确定电芯的第一极片对齐度，还可以根据负极片的宽度以及正极片的宽度，确定电芯的第二极片对齐度，从而判断第一极片对齐度和第二极片对齐度是否分别满足对应的预设的检测条件，以确定电芯的检测结果。电芯检测的检测种类还可以包括但不限于电池极片缺陷检测、电池结构损伤检测、电池极片杂质检测等，本技术实施对此不作限制，并且电子设备可以根据检测种类得到对应的检测结果。
90.可选的，在对切片图像进行图像处理前，电子设备还可以对切片图像进行预处理，预处理可以包括但不限于滤波处理、增强处理、二值化处理等，其中，滤波处理可以去除切片图像中的噪声以平滑图像，增强处理可以提高切片图像的对比度和清晰度，二值化处理可以将切片图像转换为黑白二值图像以便于图像处理。
91.可选的，电子设备可以使用图像处理算法对切片图像进行特征提取，得到切片图像的特征数据，该特征数据可以包括但不限于电芯的形状、大小、密度等，例如，电子设备可以通过形态学算法提取出切片图像中电芯的轮廓，并计算电芯的面积、周长、长宽比等形状特征，电子设备也可以通过边缘检测算法提取出切片图像中电芯的边缘特征，从而计算电芯的长度、曲率等，电子设备还可以通过灰度变化分析算法计算电芯内部的密度变化等密度特征，本技术实施例对切片图像的图像处理算法不作限制。
92.在本技术实施例中，电子设备可以获取多个电芯投影图像，该多个电芯投影图像对应电芯的多个采集角度，且电芯投影图像中包括电芯的感兴趣区域，电子设备根据多个电芯投影图像，可以对电芯投影区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像，并可以按照预设方向对三维图像进行切片，得到与预设方向对应的切片图像，再根据切片图像，确定电芯的检测结果，使用多个电芯投影图像对电芯的感兴趣区域进行三维重构后，获得的三维图像相较于投影得到的二维图像，具有更加准确、全面的电芯信息，再按照预设方向得到切片图像，也可以使得切片图像相较于投影得到的二维图像更为精准，从而提高电芯检测的准确性，无需对整个电芯进行重构，而是只对电芯的感兴趣区域进行重构，也减少了三维重构所需的时间，提高了电芯检测的效率。
93.如图4所示，图4是本技术实施例公开的另一种电芯检测方法的流程示意图，该电芯检测方法可以应用于上述实施例中的电子设备，该电芯检测方法可以包括如下步骤：
94.步骤402，获取多个电芯投影图像。
95.步骤404，获取成像设备对应的预设位置信息，以及成像设备与旋转平台之间的相对位置信息。
96.步骤402～404的方法可参考上述实施例中的方法，对此不再赘述。
97.步骤406，获取各个电芯投影图像对应的目标旋转角度。
98.在旋转平台带动电芯旋转时，成像设备的位置可以保持不变，由于旋转平台的旋转带动电芯进行自转，成像设备相对于电芯的投影角度发生变化，因此，电子设备可以获取各个电芯投影图像对应的目标旋转角度，目标旋转角度为成像设备采集电芯投影图像时，旋转平台旋转的角度，并且，该目标旋转角度在预设的旋转范围内。在一个示例中，预设的旋转范围为[-θ，θ]，旋转平台可以从-θ的角度转动到θ的角度，θ可以小于180度，即电芯不需要旋转一周，旋转平台的旋转速度为固定的，成像设备可以以固定频率采集电芯投影图像，即成像设备可以在旋转平台每旋转固定角度时采集一次电芯投影图像，并在旋转平台的旋转过程中，采集多个电芯投影图像。可选的，电子设备可以根据旋转平台的旋转速度以及成像设备采集电芯投影图像的固定频率，确定各个电芯投影图像对应的目标旋转角度。
[0099]
步骤408，根据各个电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定各个电芯投影图像对应的投影角度。
[0100]
电子设备可以根据各个电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定各个电芯投影图像对应的投影角度。可选的，电子设备可以确定在多个目标旋转角度中，确定基准旋转角度，并将基准旋转角度对应的电芯投影图像所对应的投影角度，确定为基准投影角度，再根据各个电芯投影图像对应的目标旋转角度与基准旋转角度之间的角度差值，确定各个电芯投影图像对应的投影角度与基准投影角度之间的角度差值，从而得到各个电芯投影图像对应的投影角度。在一个示例中，基准投影角度可以为电芯的正面与光线输出装置输出的光线平行，如图3所示，基准投影角度对应的基准旋转角度可以为0度。
[0101]
在步骤408之后，电子设备可以执行步骤410或步骤414，分别对应不同的三维重构方法。
[0102]
步骤410，提取各个电芯投影图像的图像特征。
[0103]
电子设备可以提取各个电芯投影图像的图像特征。其中，该图像特征可以包括但不限于边缘特征、角点特征、纹理特征、特征点等，本技术实施例对此不作限制，该图像特征用于三维重构得到三维图像，通常来说，提取的图像特征越多，重构的三维图像越精准，但电子设备进行三维重构所需的时间也越多。
[0104]
步骤412，根据各个电芯投影图像对应的图像特征及投影角度、预设位置信息以及相对位置信息，对电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
[0105]
可选的，电子设备可以根据各个电芯投影图像对应的图像特征及投影角度，重构出三维图像的形状、大小等信息，再根据预设位置信息以及相对位置信息，确定三维图像在三维空间中的位置信息，从而确定电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
[0106]
在本技术实施例中，电子设备还可以获取各个电芯投影图像对应的目标旋转角度，该目标旋转角度在预设的旋转范围内，并且根据各个电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定各个电芯投影图像对应的投影角度，即该投影角度也可以是处于一定范围内的，电子设备再提取各个电芯投影图像的图像特征，根据各个电芯投影图像对应的图像特征及投
影角度、预设位置信息以及相对位置信息，对电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像，电子设备无需绕电芯一周的电芯投影图像，减少了成像设备对电芯的扫描时间，能够加快三维图像的构建过程，提高电芯检测的效率。
[0107]
步骤414，根据各个电芯投影图像对应的投影角度，确定各个电芯投影图像中电芯的感兴趣区域在三维空间中的目标位置信息。
[0108]
电子设备可以根据各个电芯投影图像对应的投影角度，确定各个电芯投影图像中电芯的感兴趣区域在三维空间中的目标位置信息，可选的，第一电芯投影图像为多个电芯投影图像中的任一电芯投影图像，电子设备可以确定电芯的感兴趣区域在第一电芯投影图像中的图像位置信息，再根据第一电芯投影图像对应的投影角度以及图像位置信息，确定第一电芯投影图像中电芯的感兴趣区域在三维空间中的目标位置信息。
[0109]
步骤416，根据多个电芯投影图像以及各个电芯投影图像对应的目标位置信息，确定电芯的感兴趣区域在三维空间中对应的部分三维像素点。
[0110]
电子设备可以根据多个电芯投影图像以及各个电芯投影图像对应的目标位置信息，确定电芯的感兴趣区域在三维空间中对应的部分三维像素点。可选的，电子设备可以通过匹配和配准算法将不同投影角度下的电芯的感兴趣区域中的重合位置对应起来，并将多个电芯投影图像中的重合位置的图像信息进行融合，以确定电芯的感兴趣区域在三维空间中对应的部分三维像素点。
[0111]
步骤418，根据目标电芯投影图像以及目标电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定电芯的倾斜角度。
[0112]
其中，目标电芯投影图像为对应的目标旋转角度不为预设角度的任一电芯投影图像，在旋转平台旋转到该预设角度时，该电芯的正面与光线输出装置输出的光线平行，则光线可以平行穿过电芯，电芯的倾斜角度无法投影在电芯投影图像中，电子设备不能根据该预设角度对应的电芯投影图像，确定电芯的电芯的倾斜角度，倾斜角度为电芯相对于竖直方向所倾斜的角度，如图5所示，图5是本技术实施例公开的一种电芯的倾斜角度的示意图，电芯510为竖直放置的电芯，电芯510相对于竖直方向所倾斜的角度为0度，则电芯510的倾斜角度为0度，电芯520不为竖直放置的电芯，电芯520相对于竖直方向所倾斜的角度为φ，则电芯520的倾斜角度为φ。
[0113]
在一个实施例中，电子设备可以识别目标电芯投影图像中的电芯对应的投影区域，并根据投影区域确定电芯的投影倾斜角度，再根据投影倾斜角度以及目标电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定电芯的倾斜角度。
[0114]
其中，目标电芯投影图像中的电芯对应的投影区域，可以指的是电芯的感兴趣区域对应的投影图像，电芯的投影倾斜角度为电芯的倾斜角度投影在目标电芯投影图像上所形成的角度，目标旋转角度可以用于表征电芯的倾斜角度投影在与目标电芯投影图像所属平面垂直的平面上所形成的角度，具体的，若预设角度为0度，即在旋转平台旋转到0度时，该电芯的正面与光线输出装置输出的光线平行，旋转平台的预设的旋转范围为[-θ，θ]，则电子设备可以计算目标旋转角度的绝对值，或者计算目标旋转角度与预设角度的差值，作为电芯的倾斜角度对应的另一投影倾斜角度，电子设备可以根据投影倾斜角度与另一投影倾斜角度，确定电芯的倾斜角度。由数学知识可以知道，根据电芯的倾斜角度投影到两个互相垂直的平面上所形成的角度，可以计算出电芯的倾斜角度。
[0115]
步骤420，根据部分三维像素点、电芯的倾斜角度、预设位置信息以及相对位置信息，对电芯的感兴趣区域进行局部三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
[0116]
其中，局部三维重构可以指的是在三维空间中，基于已知的三维像素点或区域，通过计算和推理，对该已知的三维像素点或区域周围的未知部分进行重建和填充，以获得完整的三维图像。可选的，该部分三维像素点可以作为该已知的三维像素点，电子设备基于电芯的倾斜角度、预设位置信息以及相对位置信息，可以对电芯的感兴趣区域中除该部分三维像素点之外的部分进行重建和填充，以得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
[0117]
在一个实施例中，电子设备可以基于电芯的倾斜角度、预设位置信息以及相对位置信息，通过图像处理器对每个电芯投影区域对应的电芯的感兴趣区域进行局部三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。实施该实施例，相比较于中央处理器，图像处理器的通用计算更适合用于进行局部三维重构，可以提高三维重构的速度，从而提高电芯检测的效率。
[0118]
在本技术实施例中，相比较于步骤410～412的三维重构方法，步骤414～420的局部三维重构方法，可以进一步地加快电子设备计算出电芯的感兴趣区域对应的三维图像的速度，从而使得电芯检测的速度满足工业产线上的检测速度要求，从而保证工业产业上生产的每个电芯的安全性。
[0119]
步骤422，按照预设方向对三维图像进行切片，得到与预设方向对应的切片图像。
[0120]
在一个实施例中，预设方向包括第一预设方向以及第二预设方向，第一预设方向对应电芯的长度方向，第二预设方向对应电芯的宽度方向，电子设备可以按照第一预设方向对三维图像进行切片，得到与第一预设方向对应的第一切片图像，按照第二预设方向对三维图像进行切片，得到与第二预设方向对应的第二切片图像。如图6-a所示，图6-a是本技术实施例公开的一种第一切片图像的示意图，该白色区域可以为电芯的极片，如图6-b所示，图6-b是本技术实施例公开的一种第二切片图像的示意图。
[0121]
步骤424，将切片图像输入训练好的人工智能模型，通过人工智能模型对切片图像进行极片区域识别，以得到切片图像中电芯的正极片区域以及电芯的负极片区域。
[0122]
其中，人工智能模型是根据样本图像集合训练得到的，样本图像集合包括多个划分有正极片区域以及负极片区域的样本图像。其中，在切片图像包括多个时，电子设备可以将每个切片图像输入训练到的人工智能模型，通过人工智能模型对每个切片图像进行极片区域识别，以得到每个切片图像中电芯的正极片区域以及电芯的负极片区域，
[0123]
可选的，切片图像可以包括第一切片图像以及第二切片图像，电子设备可以将第一切片图像输入训练好的人工智能模型，通过人工智能模型对第一切片图像进行极片区域识别，以得到第一切片图像中电芯的正极片区域以及电芯的负极片区域，如图6-a所示，白色区域中较长的白色条状区域可以为负极片区域610，白色区域中较短的白色条状区域可以为正极片区域620，电子设备还可以将第二切片图像输入训练好的人工智能模型，通过人工智能模型对第二切片图像进行极片区域识别，以得到第二切片图像中电芯的正极片区域以及电芯的负极片区域。
[0124]
步骤426，根据电芯的正极片区域以及电芯的负极片区域，确定电芯的极片对齐度。
[0125]
可选的，电子设备可以确定电芯的正极片区域的长度以及负极片区域的长度，将
负极片区域的长度减去正极片区域的长度，可以得到电芯的极片对齐度。再如图6-a所示，该第一切片图像中包括多个正极片区域以及多个负极片区域，以其中一个负极片区域610以及一个正极片区域620为例，电子设备可以确定负极片区域610的长度的以及正极片区域620的长度，将负极片区域610的长度减去正极片区域620的长度，可以得到电芯的第一极片对齐度。可选的，电子设备也可以计算第一切片图像中多个负极片区域的长度的第一平均值以及多个正极片区域的长度的第二平均值，并将第一平均值减去第二平均值，得到电芯的第一极片对齐度。图6-b中所示的第二极片对齐度的计算方法与第一极片对齐度的计算方法相同，此处不再赘述。
[0126]
在一个实施例中，切片图像可以包括第一切片图像以及第二切片图像，根据第一切片图像中电芯的正极片区域以及电芯的负极片区域，确定电芯的第一极片对齐度，第一极片对齐度包括负极片在长度方向多出正极片的部分，电子设备还根据第二切片图像中电芯的正极片区域以及电芯的负极片区域，确定电芯的第二极片对齐度，第二极片对齐度包括负极片在宽度方向多出正极片的部分，该第一极片对齐度以及第二极片对齐度可以组成电芯的极片对齐度。
[0127]
步骤428，根据极片对齐度，确定电芯的检测结果。
[0128]
可选的，电子设备可以判断该极片对齐度是否在预设的对齐度范围内，若极片对齐度在预设的对齐度范围内，则确定电芯的检测结果为电芯合格，若极片对齐度不在预设的对齐度范围内，则确定电芯的检测结果为电芯不合格。
[0129]
在极片对齐度包括第一极片对齐度以及第二对齐度时，电子设备可以判断第一极片对齐度是否在预设的第一对齐度范围内，以及判断极片对齐是否在预设的第二对齐度范围内，若第一极片对齐度在预设的第一对齐度范围内，且第二极片对齐度在预设的第二对齐度范围内，则确定电芯的检测结果为电芯合格，若第一极片对齐度不在预设的第一对齐度范围内，或第二极片对齐度不在预设的第二对齐度范围内，则确定电芯的检测结果为电芯不合格。
[0130]
在本技术实施例，通过在电芯的长度方向上确定第一切片图像，并根据第一切片图像确定第一极片对齐度，以及在电芯的宽度方向上确定第二切片图像，并根据第二切片图像确定第二极片对齐度，可以分别判断电芯在长度上的极片对齐度以及在宽度上的极片对齐度是否满足预设要求，提高电芯检测的准确性。
[0131]
如图7所示，图7是本技术实施例公开的一种电芯检测装置的模块化示意图，该电芯检测装置700可以包括图像获取模块710、图像重构模块720、图像切片模块730以及图像检测模块740，其中：
[0132]
图像获取模块710，用于获取多个电芯投影图像，多个电芯投影图像对应电芯的多个投影角度，且电芯投影图像包括电芯的感兴趣区域；
[0133]
图像重构模块720，用于根据多个电芯投影图像以及各个电芯投影图像对应的投影角度，对电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像；
[0134]
图像切片模块730，用于按照预设方向对三维图像进行切片，得到与预设方向对应的切片图像；
[0135]
图像检测模块740，用于根据切片图像，确定电芯的检测结果。
[0136]
在一个实施例中，图像重构模块720，还用于对多个电芯投影图像进行滤波处理，
得到多个电芯投影图像分别对应的滤波图像；根据多个电芯投影图像分别对应的滤波图像，对电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
[0137]
在一个实施例中，电芯放置于旋转平台，旋转平台的周围设置有成像设备，成像设备用于采集多个电芯投影图像；图像重构模块720，还用于获取成像设备对应的预设位置信息，以及成像设备与旋转平台之间的相对位置信息；根据多个电芯投影图像、各个电芯投影图像对应的投影角度、预设位置信息以及相对位置信息，对电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
[0138]
在一个实施例中，图像重构模块720，还用于提取各个电芯投影图像的图像特征；根据各个电芯投影图像对应的图像特征及投影角度、预设位置信息以及相对位置信息，对电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
[0139]
在一个实施例中，旋转平台带动电芯旋转；电芯检测装置700还包括角度确定模块，用于获取各个电芯投影图像对应的目标旋转角度，目标旋转角度为成像设备采集电芯投影图像时，旋转平台旋转的角度；其中，目标旋转角度在预设的旋转范围内；根据各个电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定各个电芯投影图像对应的投影角度。
[0140]
在一个实施例中，图像重构模块720，还用于根据各个电芯投影图像对应的投影角度，确定各个电芯投影图像中电芯的感兴趣区域在三维空间中的目标位置信息；根据多个电芯投影图像以及各个电芯投影图像对应的目标位置信息，确定电芯的感兴趣区域在三维空间中对应的部分三维像素点；根据目标电芯投影图像以及目标电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定电芯的倾斜角度；其中，倾斜角度为电芯相对于竖直方向所倾斜的角度，目标电芯投影图像为对应的目标旋转角度不为预设角度的任一电芯投影图像；根据部分三维像素点、电芯的倾斜角度、预设位置信息以及相对位置信息，对电芯的感兴趣区域进行局部三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像。
[0141]
在一个实施例中，图像重构模块720，还用于识别目标电芯投影图像中的电芯对应的投影区域，并根据投影区域确定电芯的投影倾斜角度，电芯的投影倾斜角度为电芯的倾斜角度投影在目标电芯投影图像上所形成的角度；根据投影倾斜角度以及目标电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定电芯的倾斜角度。
[0142]
在一个实施例中，图像检测模块740，还用于将切片图像输入训练好的人工智能模型，通过人工智能模型对切片图像进行极片区域识别，以得到切片图像中电芯的正极片区域以及电芯的负极片区域，人工智能模型是根据样本图像集合训练得到的，样本图像集合包括多个划分有正极片区域以及负极片区域的样本图像；根据电芯的正极片区域以及电芯的负极片区域，确定电芯的极片对齐度；根据极片对齐度，确定电芯的检测结果。
[0143]
在一个实施例中，预设方向包括第一预设方向以及第二预设方向，第一预设方向对应电芯的长度方向，第二预设方向对应电芯的宽度方向；图像切片模块730，还用于按照第一预设方向对三维图像进行切片，得到与第一预设方向对应的第一切片图像；按照第二预设方向对三维图像进行切片，得到与第二预设方向对应的第二切片图像；图像检测模块740，还用于根据第一切片图像中电芯的正极片区域以及电芯的负极片区域，确定电芯的第一极片对齐度，第一极片对齐度包括负极片在长度方向多出正极片的部分；根据第二切片图像中电芯的正极片区域以及电芯的负极片区域，确定电芯的第二极片对齐度，第二极片对齐度包括负极片在宽度方向多出正极片的部分。
[0144]
在本技术实施例中，电子设备可以获取多个电芯投影图像，该多个电芯投影图像对应电芯的多个采集角度，且电芯投影图像中包括电芯的感兴趣区域，电子设备根据多个电芯投影图像，可以对电芯投影区域进行三维重构，得到电芯的感兴趣区域对应的三维图像，并可以按照预设方向对三维图像进行切片，得到与预设方向对应的切片图像，再根据切片图像，确定电芯的检测结果，使用多个电芯投影图像对电芯的感兴趣区域进行三维重构后，获得的三维图像相较于投影得到的二维图像，具有更加准确、全面的电芯信息，再按照预设方向得到切片图像，也可以使得切片图像相较于投影得到的二维图像更为精准，从而提高电芯检测的准确性，无需对整个电芯进行重构，而是只对电芯的感兴趣区域进行重构，也减少了三维重构所需的时间，提高了电芯检测的效率。
[0145]
如图8所示，在一个实施例中，提供一种电子设备，该电子设备可以包括：
[0146]
存储有可执行程序代码的存储器810；
[0147]
与存储器810耦合的处理器820；
[0148]
处理器820调用存储器810中存储的可执行程序代码，可实现如上述各实施例中提供的电芯检测方法。
[0149]
存储器810可以包括随机存储器(randomaccessmemory，ram)，也可以包括只读存储器(read-onlymemory，rom)。存储器810可用于存储指令、程序、代码、代码集或指令集。存储器810可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储用于实现操作系统的指令、用于实现至少一个功能的指令(比如触控功能、声音播放功能、图像播放功能等)、用于实现上述各个方法实施例的指令等。存储数据区还可以存储电子设备在使用中所创建的数据等。
[0150]
处理器820可以包括一个或者多个处理核。处理器820利用各种接口和线路连接整个电子设备内的各个部分，通过运行或执行存储在存储器810内的指令、程序、代码集或指令集，以及调用存储在存储器810内的数据，执行电子设备的各种功能和处理数据。可选地，处理器820可以采用数字信号处理(digitalsignalprocessing，dsp)、现场可编程门阵列(field－programmablegatearray，fpga)、可编程逻辑阵列(programmablelogic array，pla)中的至少一种硬件形式来实现。处理器820可集成中央处理器(centralprocessingunit，cpu)、图像处理器(graphicsprocessingunit，gpu)和调制解调器等中的一种或几种的组合。其中，cpu主要处理操作系统、用户界面和应用程序等；gpu用于负责显示内容的渲染和绘制；调制解调器用于处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调器也可以不集成到处理器820中，单独通过一块通信芯片进行实现。
[0151]
可以理解地，电子设备可包括比上述结构框图中更多或更少的结构元件，例如，包括电源模块、物理按键、wifi(wirelessfidelity，无线保真)模块、扬声器、蓝牙模块、传感器等，还可在此不进行限定。
[0152]
本技术实施例公开一种计算机可读存储介质，其存储计算机程序，其中，该计算机程序使得计算机执行上述各实施例中所描述的方法。
[0153]
此外，本技术实施例进一步公开一种计算机程序产品，当该计算机程序产品在计算机上运行时，使得计算机可以执行上述实施例所描述的任意一种电芯检测方法中的全部或部分步骤。
[0154]
本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可
以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质包括只读存储器(read-onlymemory，rom)、随机存储器(randomaccessmemory，ram)、可编程只读存储器(programmable read-onlymemory，prom)、可擦除可编程只读存储器(erasable programmablereadonlymemory，eprom)、一次可编程只读存储器(one-timeprogrammableread-onlymemory，otprom)、电子抹除式可复写只读存储器(electrically-erasableprogrammableread-onlymemory，eeprom)、只读光盘(compactdiscread-onlymemory，cd-rom)或其他光盘存储器、磁盘存储器、磁带存储器、或者能够用于携带或存储数据的计算机可读的任何其他介质。
[0155]
以上对本技术实施例公开的一种电芯检测方法、装置、电子设备及存储介质进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。

技术特征：
1.一种电芯检测方法，其特征在于，所述方法包括：获取多个电芯投影图像，所述多个电芯投影图像对应电芯的多个投影角度，且所述电芯投影图像包括所述电芯的感兴趣区域；根据所述多个电芯投影图像以及各个所述电芯投影图像对应的投影角度，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像；按照预设方向对所述三维图像进行切片，得到与所述预设方向对应的切片图像；根据所述切片图像，确定所述电芯的检测结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述多个电芯投影图像，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像，包括：对所述多个电芯投影图像进行滤波处理，得到所述多个电芯投影图像分别对应的滤波图像；根据所述多个电芯投影图像分别对应的滤波图像，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像。3.根据权利要求1～2中任一项所述的方法，其特征在于，所述电芯放置于旋转平台，所述旋转平台的周围设置有成像设备，所述成像设备用于采集所述多个电芯投影图像；所述根据所述多个电芯投影图像以及各个所述电芯投影图像对应的投影角度，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像，包括：获取所述成像设备对应的预设位置信息，以及所述成像设备与所述旋转平台之间的相对位置信息；根据所述多个电芯投影图像、各个所述电芯投影图像对应的投影角度、所述预设位置信息以及所述相对位置信息，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述多个电芯投影图像、各个所述电芯投影图像对应的投影角度、所述预设位置信息以及所述相对位置信息，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像，包括：提取各个所述电芯投影图像的图像特征；根据各个所述电芯投影图像对应的图像特征及投影角度、所述预设位置信息以及所述相对位置信息，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述旋转平台带动所述电芯旋转；在所述根据所述多个电芯投影图像、各个所述电芯投影图像对应的投影角度、所述预设位置信息以及所述相对位置信息，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像之前，所述方法还包括：获取各个所述电芯投影图像对应的目标旋转角度，所述目标旋转角度为所述成像设备采集所述电芯投影图像时，所述旋转平台旋转的角度；其中，所述目标旋转角度在预设的旋转范围内；根据各个所述电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定所述各个所述电芯投影图像对应的投影角度。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述多个电芯投影图像、各个所
述电芯投影图像对应的投影角度、所述预设位置信息以及所述相对位置信息，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像，包括：根据各个所述电芯投影图像对应的投影角度，确定各个所述电芯投影图像中所述电芯的感兴趣区域在三维空间中的目标位置信息；根据所述多个电芯投影图像以及各个电芯投影图像对应的目标位置信息，确定所述电芯的感兴趣区域在所述三维空间中对应的部分三维像素点；根据目标电芯投影图像以及所述目标电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定所述电芯的倾斜角度；其中，所述倾斜角度为所述电芯相对于竖直方向所倾斜的角度，所述目标电芯投影图像为对应的目标旋转角度不为预设角度的任一电芯投影图像；根据所述部分三维像素点、所述电芯的倾斜角度、所述预设位置信息以及所述相对位置信息，对所述电芯的感兴趣区域进行局部三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据目标电芯投影图像以及所述目标电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定所述电芯的倾斜角度，包括：识别所述目标电芯投影图像中的电芯对应的投影区域，并根据所述投影区域确定所述电芯的投影倾斜角度，所述电芯的投影倾斜角度为所述电芯的倾斜角度投影在所述目标电芯投影图像上所形成的角度；根据所述投影倾斜角度以及所述目标电芯投影图像对应的目标旋转角度，确定所述电芯的倾斜角度。8.根据权利要求1～2以及4～7中任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述切片图像，确定所述电芯的检测结果，包括：将所述切片图像输入训练好的人工智能模型，通过所述人工智能模型对所述切片图像进行极片区域识别，以得到所述切片图像中所述电芯的正极片区域以及所述电芯的负极片区域，所述人工智能模型是根据样本图像集合训练得到的，所述样本图像集合包括多个划分有正极片区域以及负极片区域的样本图像；根据所述电芯的正极片区域以及所述电芯的负极片区域，确定所述电芯的极片对齐度；根据所述极片对齐度，确定所述电芯的检测结果。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述预设方向包括第一预设方向以及所述第二预设方向，所述第一预设方向对应所述电芯的长度方向，所述第二预设方向对应所述电芯的宽度方向；所述按照预设方向对所述三维图像进行切片，得到与所述预设方向对应的切片图像，包括：按照所述第一预设方向对所述三维图像进行切片，得到与所述第一预设方向对应的第一切片图像；按照所述第二预设方向对所述三维图像进行切片，得到与所述第二预设方向对应的第二切片图像；所述根据所述电芯的正极片区域以及所述电芯的负极片区域，确定所述电芯的极片对齐度，包括：根据所述第一切片图像中电芯的正极片区域以及所述电芯的负极片区域，确定所述电
芯的第一极片对齐度，所述第一极片对齐度包括负极片在所述长度方向多出正极片的部分；根据所述第二切片图像中电芯的正极片区域以及所述电芯的负极片区域，确定所述电芯的第二极片对齐度，所述第二极片对齐度包括所述负极片在所述宽度方向多出所述正极片的部分。10.一种电芯检测装置，其特征在于，所述装置包括：图像获取模块，用于获取多个电芯投影图像，所述多个电芯投影图像对应电芯的多个投影角度，且所述电芯投影图像包括所述电芯的感兴趣区域；图像重构模块，用于根据所述多个电芯投影图像以及各个所述电芯投影图像对应的投影角度，对所述电芯的感兴趣区域进行三维重构，得到所述电芯的感兴趣区域对应的三维图像；图像切片模块，用于按照预设方向对所述三维图像进行切片，得到与所述预设方向对应的切片图像；图像检测模块，用于根据所述切片图像，确定所述电芯的检测结果。11.一种电子设备，其特征在于，包括：存储有可执行程序代码的存储器；与所述存储器耦合的处理器；所述处理器调用所述存储器中存储的所述可执行程序代码，执行权利要求1至9任一项所述的方法。12.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储计算机程序，其中，所述计算机程序在被处理器执行时，使得所述处理器执行权利要求1至9任一项所述的方法。

技术总结
本申请实施例公开了一种电芯检测方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：获取多个电芯投影图像，所述多个电芯投影图像对应多个投影角度，且所述电芯投影图像包括电芯的感兴趣区域；根据所述多个电芯投影图像以及各个所述电芯投影图像对应的投影角度，对所述感兴趣区域进行三维重构，得到所述感兴趣区域对应的三维图像；按照预设方向对所述三维图像进行切片，得到与所述预设方向对应的切片图像；根据所述切片图像，确定所述电芯的检测结果。实施该实施例，能够提高电芯检测的准确性及效率。率。率。


技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：无锡先导智能装备股份有限公司
技术研发日：2023.04.28
技术公布日：2023/9/14