封装结构、封装结构的加工方法和电子设备与流程

1.本技术涉及器件封装技术领域，尤其涉及一种封装结构、封装结构的加工方法和电子设备。


背景技术：

2.随着电子设备的不断发展，电子设备中通常设有天线来实现无线通讯功能。然而，相关技术中，电子设备中的天线结构和射频器件是分开设计的，其结构尺寸较大，占用空间大，不利于实现电子设备的小型化设计。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种封装结构、封装结构的加工方法和电子设备，用于提高封装结构的集成度，实现电子设备的小型化设计。
4.为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案：
5.第一方面，本技术提供了一种封装结构，该封装结构包括：基板、电子元器件、第一封装层、第二封装层、天线结构和屏蔽层，基板包括第一表面，基板内设有接地层；电子元器件设在第一表面；第一封装层设在第一表面且包裹电子元器件；第二封装层设在第一封装层的外侧，且第二封装层包括激光敏感塑料；天线结构通过激光直接成型技术形成在第二封装层上；屏蔽层设在第一封装层和第二封装层之间，且屏蔽层与接地层电连接。
6.本技术实施例中的封装结构，在封装结构的第一封装层外设置包括激光敏感塑料的第二塑封层，将天线结构一体形成在第二封装层的外表面，能提高封装结构的集成度，达到实现电子设备小型化、增加电子设备功能，进而提升电子设备核心竞争力的目的。与此同时，本技术在第一封装层和第二封装层之间设置屏蔽层，并将屏蔽层与基板内的接地层电连接，能够避免天线结构与第一封装层内的电子元器件之间产生电磁干扰，且无需在封装结构内设置其他接地部件，能在减小封装结构整体体积的同时，提高天线结构的信号质量，保证电子元器件的性能。
7.在第一方面的一种实现方式中，第一封装层包括背离基板的第一顶面，第一顶面上设有朝向基板凹入的第一凹槽，第一凹槽包括第一槽底壁，第一槽底壁的朝向与第一表面的朝向相同，第一槽底壁在第一表面上的正投影为第一投影；第二封装层包括第二顶壁，第二顶壁位于第一封装层的背离基板的一侧，天线结构包括第一天线部，第一天线部位于第二顶壁，第一天线部在第一表面上的正投影为第二投影，第二影与第一投影有交叠。具体的，第一投影与第二投影有交叠，包括第一投影与第二投影部分交叠以及第一投影与第二投影完全交叠两种情况。这样，通过使第一投影与第二投影有交叠，可以使得第一天线部的至少一部分与第一凹槽相对，能增大天线结构与第一封装层之间的距离，进而能增大天线结构的净空区域，保证天线结构的性能。
8.在第一方面的一种实现方式中，第一表面包括第一区域，第一区域与第一投影无交叠。也即是，第一槽底壁在第一表面上的正投影与第一区域错开设置。第一表面上高度最
大的电子元器件为第一元器件，第一元器件位于第一区域。其中，电子元器件的高度是指，电子元器件的背离基板的一端与基板之间的距离。这样一来，通过将高度最大的第一元器件设置在第一区域，能在保证第一封装层的封装效果的同时，便于在第一封装层上形成第一凹槽，从而能在不增大第一封装层整体厚度的基础上，增大天线结构的净空区域，能在实现封装结构小型化设计的基础上，保证天线结构的性能。
9.在第一方面的一种实现方式中，第一区域和第二区域在平行于第一表面的方向上排布。示例性的，第一区域和第二区域在基板的长度方向或宽度方向上排布。
10.在第一方面的一种实现方式中，第一表面包括第一区域和第二区域，第一区域与第一投影无交叠。也即是，第一槽底壁在第一表面上的正投影与第一区域错开设置。可选的，第一投影与第二区域有交叠。第一区域上高度最小的电子元器件为第二元器件，第二区域上高度最大的电子元器件为第三元器件，第三元器件的高度小于或等于第二元器件的高度。具体的，第二元器件的高度为第一高度h1，第三元器件的高度为第二高度h2，第一高度h1大于或等于第二高度h2。这样，更加便于在第一封装层上形成第一凹槽，从而能在不增大第一封装层整体厚度的基础上，增大天线结构的净空区域，能在实现封装结构小型化设计的基础上，保证天线结构的性能。
11.在第一方面的一种实现方式中，第一封装层包括第一封装部和第二封装部。第一封装部与第二封装部在平行于第一表面的方向上排布。第一封装部的厚度大于第二封装部的厚度。其中，“第一封装部的厚度”是指第一封装部的背离基板的一侧表面与第一表面之间的距离，“第二封装部的厚度”是指第二封装部的背离基板的一侧表面与第一表面之间的距离。这样，可以在第一封装部和第二封装部之间限定出第一凹槽。
12.在第一方面的一种实现方式中，第一凹槽为台阶槽。结构简单，加工方便。
13.在第一方面的一种实现方式中，第二封装层包括第二顶壁，第二顶壁位于第一封装层的背离基板的一侧，第二顶壁上设有朝向基板凹入的安装槽；封装结构还包括触摸组件，触摸组件设在安装槽内。示例性的，触摸组件可以通过嵌设、卡接、粘接等方式固定在安装槽内。这样，可以节省触摸组件在电子设备内的占用空间，有利于进一步减小电子设备的整体体积。
14.在第一方面的一种实现方式中，第二封装层的外表面上设有外观覆膜层。这样，能提高电子设备的外观美观度。
15.在第一方面的一种实现方式中，外观覆膜层为耐磨层。这样，可以提高封装结构耐磨性能，避免封装结构被刮伤。
16.在第一方面的一种实现方式中，外观覆膜层的外观与电子设备的外观一致。具体的，封装结构与电子设备可以采用相同的表面处理工艺。这样一来，可以使得封装结构的外观与电子设备的外观保持一致，从而在将封装结构的至少部分设置在电子设备内部容置空间外时，封装结构的至少部分外表面形成电子设备的外观面，能在节省封装结构的占用空间的同时，提高电子设备的外观美观度。
17.在第一方面的一种实现方式中，外观覆膜层的颜色与外壳的颜色的色差δeab为0-5。由此，可以使得封装结构的外观颜色与外壳的外观颜色大体相同，能提高电子设备的外观一致性。
18.在第一方面的一种实现方式中，外观覆膜层的颜色与电子设备的颜色不同。
19.在第一方面的一种实现方式中，封装结构还包括：第一导电件和第二导电件，第一导电件设在第一封装层内，第一导电件与基板电连接；第二导电件设在第二封装层内，第二导电件与第一导电件电连接，且第二导电件与天线结构电连接。提供一种天线结构与基板的馈点连接方式。
20.在第一方面的一种实现方式中，第一封装层包括背离基板的第一顶面，第一顶面上设有凸起部，凸起部朝向远离基板的方向凸出，第一导电件的一部分位于凸起部内。这样一来，通过在第一封装层的背离基板的一侧表面设置凸起部，可以增大第一封装层的局部厚度，有利于增大第一导电件的高度，减小第一导电件的背离基板的端面与第二封装层的外表面之间的距离，一方面能缩短天线结构与第一导电件之间的互连通道的长度，能够减小天线结构在馈点处的损耗，优化天线结构的性能，另一方面，能减小第二封装层的局部厚度，在天线结构通过tmv结构实现与第一导电件电连接的方案中，能减小第一贯通孔的开孔深度，降低第一贯通孔的加工难度，提高第一贯通孔的加工精度。
21.在第一方面的一种实现方式中，第一封装层包括背离基板的第一顶面，第一顶面上设有凸起部和第一凹槽，朝向远离基板的方向凸出，第一导电件的一部分位于凸起部内，第一凹槽由第一封装层的第一顶面朝向基板凹陷，且第一凹槽与凸起部间隔开设置。
22.在第一方面的一种实现方式中，接地层延伸至基板的侧面，屏蔽层延伸至基板的侧面并与接地层电连接。
23.在第一方面的一种实现方式中，基板内设有第一走线层，第一走线层延伸至基板的侧面；封装结构还包括第三导电件，第三导电件用于电连接天线结构和第一走线层，第三导电件位于第二封装层的外侧。这样，通过将第一走线层外露于基板的侧面，可以通过位于第二封装层外侧的第三导电件实现基板与天线结构之间的馈电连接，无需在第一封装层内设置第一导电件，也无需在第二封装层内设置第二导电件，一方面能减小第一导电件和第二导电件的占用空间，有利于减小封装结构的整体体积，另一方面，有利于缩短天线结构与基板之间互连通道的距离，减小天线结构的馈电损失，提高天线结构的性能。
24.在第一方面的一种实现方式中，基板还包括第二表面，第二表面与第一表面相对设置，基板上设有第二凹槽，第二凹槽由第一表面朝向第二表面凹陷且第二凹槽贯穿基板的侧面，第二封装层的一部分位于第二凹槽内。这样，有利于实现第二封装层的第二外周壁与基板的侧面共面，进而有利于降低天线结构与第三导电件之间的连接难度。
25.在第一方面的一种实现方式中，基板上设有第二凹槽，第二凹槽由第一表面朝向第二表面凹陷且第二凹槽贯穿基板的侧面；接地层外露于第二凹槽的槽内壁，屏蔽层的一部分位于第二凹槽内并与接地层电连接。第二凹槽包括第二槽底壁和第二槽侧壁，接地层外露于第二槽底壁和/或第二槽侧壁。这样一来，便于实现屏蔽层与接地层之间的电连接。
26.在第一方面的一种实现方式中，第二封装层包括第二顶壁和第二外周壁，第二顶壁位于第一封装层的背离基板的一侧，第二外周壁围绕在第二顶壁的外周；天线结构包括第二天线部，第二天线部的至少部分位于第二外周壁上。这样，有利于缩短天线结构与基板之间互连通道的距离，减小天线结构的馈电损失，提高天线结构的性能。
27.在第一方面的一种实现方式中，第二封装层包括第二顶壁和第二外周壁，第二顶壁位于第一封装层的背离基板的一侧，第二外周壁围绕在第二顶壁的外周；第二外周壁与基板的侧面共面。这样，能进一步降低第三导电件与天线结构之间的电连接难度。
28.在第一方面的一种实现方式中，第二天线部延伸至与第二外周壁的背离第二顶壁的端面平齐。这样，可以将第三导电件整体设置基板的侧面上。这样一来，便于实现天线结构与第三导电件之间的电连接，且仅需在基板的侧面设置第三导电件即可实现天线结构与第三导电件之间的电连接，由此，能降低第三导电件的加工难度，降低第三导电件与天线结构之间的电连接难度，进而能降低封装结构的加工成本，提高封装结构的加工效率。
29.在第一方面的一种实现方式中，第三导电件包括相连的第一导电部和第二导电部，第一导电部位于基板的侧面，第二导电部位于第二外周壁上。第一导电部与第一走线层电连接，第二导电部与第二天线部电连接。
30.在第一方面的一种实现方式中，第一导电部和第二导电部共面。这样，第一导电部和第二导电部可以直接相连，能在降低第一导电部与第二导电部之间的连接难度的同时，提高第一导电部和第二导电部之间的连接可靠性，避免第三导电件在第一导电部和第二导电部之间发生断裂，进而能够保证天线结构与第一走线层之间的连接可靠性，有利于提高天线结构的信号质量。
31.在第一方面的一种实现方式中，第二凹槽的槽内壁包括第二槽底壁和第二槽侧壁，第二槽底壁的朝向与第一表面的朝向相同，第二槽侧壁位于第一表面和第二槽底壁之间；基板上设有第三凹槽，第三凹槽包括第三槽底壁，第三槽底壁的朝向与第二槽底壁的朝向相同，第三凹槽由第二槽底壁朝向第二表面凹陷，且第三凹槽贯穿基板的侧面，第一走线层外露于第三槽底壁，且延伸至基板的侧面，第二封装层的一部分位于第三凹槽内。这样一来，在加工过程中，第三导电件可以与天线结构一体成型。由此，可以提高天线结构与第一走线层之间的连接可靠性，且能进一步简化封装结构的加工工艺，降低加工成本。
32.在第一方面的一种实现方式中，第三导电件与第二天线部为一体成型件。由此，可以提高天线结构与第一走线层之间的连接可靠性，且能进一步简化封装结构的加工工艺，降低加工成本。
33.在第一方面的一种实现方式中，天线结构包括第一天线部和第二天线部，第二天线部呈l状。第一天线部位于第二封装层的第二顶壁，第二天线部包括相连的第一部分和第二部分，第一部分位于第二封装层的第二顶壁，第二部分位于第二封装层的第二外周壁。第二部分延伸至基板的侧面并与第三导电件电连接。第二天线部可以借助第一部分与第一天线部电连接。这样，通过将天线结构的一部分设置在第二封装层的第二顶壁，将天线结构的另一部分设置在第二封装层的第二外周壁上，能在不增大封装结构的整体体积的前提下，增大天线结构的设置面积，有利于提高天线结构的信号质量。
34.第二方面，本技术提供一种封装结构的加工方法，包括：提供基板坯件，基板坯件包括一个或多个基板，基板内设有接地层；在基板的第一表面上设置电子元器件，使得第一表面上的电子元器件与基板电连接；在第一表面上形成第一封装层，使第一表面上的电子元器件被第一封装层包覆塑封；在第一封装层的外表面上形成屏蔽层，并使得屏蔽层与接地层电连接；在屏蔽层的外表面上形成第二封装层，第二封装层包括激光敏感塑料；采用激光直接成型技术在第二封装层上形成天线结构，并使得天线结构与基板电连接。
35.在第二方面的一种可能的实现方式中，在第一表面上形成第一封装层之前，还包括：在第一表面上设置第一导电件，并第一导电件与基板电连接。
36.在第二方面的一种可能的实现方式中，在第一封装层上形成屏蔽层之前，还包括：
在第一导电件的背离基板的端面上覆盖保护件。这样，可以通过保护件遮蔽第一导电件，避免屏蔽层对第一导电件造成金属污染。
37.在第二方面的一种可能的实现方式中，在屏蔽层的外表面上形成第二封装层之前，还包括：去除覆盖于第一导电件的第二端的保护件。这样，可以在屏蔽层上形成第一避让开口，使得第一导电件的背离基板的端面外露，进而便于第二导电件与第一导电件电连接。
38.在第二方面的一种可能的实现方式中，在屏蔽层的外表面上形成第二封装层之后，还包括：在第二封装层内形成第一贯通孔，并在第一贯通孔内填充导电材料形成第二导电件。
39.在第二方面的一种可能的实现方式中，在屏蔽层的外表面上形成第二封装层之前，还包括：提供第二导电件，将第二导电件电连接于第一导电件的背离基板的一端。
40.在第二方面的一种可能的实现方式中，基板包括第二表面，第二表面与第一表面相对设置，在第一封装层的外表面上形成屏蔽层之前，还包括：在基板上设置第二凹槽，并使得接地层外露于第二凹槽的槽内壁。第二凹槽由第一表面朝向第二表面凹陷，且第二凹槽贯穿基板的侧面。
41.在第二方面的一种可能的实现方式中，在屏蔽层的外表面上形成第二封装层之前，还包括：在基板上形成第三凹槽，并使得基板内的第一走线层外露于第三凹槽的第三槽底壁，其中第三凹槽由第二凹槽的第二槽底壁朝向第二表面凹陷，且第三凹槽贯穿基板的侧面，其中，第二槽底壁的朝向、第三槽底壁的朝向均与第一表面的朝向一致。
42.在第二方面的一种可能的实现方式中，加工方法还包括：在第二封装层上开设安装槽，并将触摸模组设置在安装槽内。这样，可以提高封装结构的集成度，有利于进一步减小电子设备的体积，实现电子设备的小型化和轻量化设计。
43.在第二方面的一种可能的实现方式中，采用激光直接成型技术在第二封装层上形成天线结构，包括：采用激光照射第二封装层上待形成天线结构的区域，在第二封装层的外表面烧蚀出电路走线痕迹，以激活第二封装层内的金属离子；采用化学镀金属沉积工艺，在电路走线痕迹上进行金属图形化，形成天线结构。
44.在第二方面的一种可能的实现方式中，加工方法还包括：在基板的第二表面上设置电子元器件，使得第二表面上的电子元器件与基板电连接，并在基板的第二表面上形成第三封装层，使第二表面上的电子元器件均被第三封装层包覆塑封。
45.第三方面，本技术提供一种电子设备，包括：外壳和封装结构，外壳内设有主板；封装结构为上述任一技术方案中的封装结构，或者封装结构为上述任一加工方法制备得到的封装结构，封装结构的至少部分位于外壳内，且封装结构与主板电连接。
46.在第三方面的一种可能的实现方式中，外壳上设有开口部，封装结构设在开口部处，封装结构的至少部分表面形成电子设备的外表面。
47.在第三方面的一种可能的实现方式中，第二封装层的外表面上设有外观覆膜层。这样，能在节省封装结构的占用空间的同时，提高电子设备的外观美观度。
48.在第三方面的一种可能的实现方式中，电子设备为耳机。
49.在第三方面的一种可能的实现方式中，外壳包括耳塞外壳和耳柄外壳，耳塞外壳内限定出第一容置空间，耳柄外壳内限定出第二容置空间，第一容置空间与第二容置空间
连通，且第一容置空间与第二容置空间共同组成外壳内的容置空间。
50.在第三方面的一种可能的实现方式中，耳塞外壳包括前壳和后壳。
51.在第三方面的一种可能的实现方式中，耳柄外壳包括可拆卸连接的第一壳部和第二壳部。第一壳部与第二壳部在耳柄外壳的厚度方向(也即是z轴方向)上排布。
52.在第三方面的一种可能的实现方式中，耳柄外壳包括可拆卸连接的第一壳部和第二壳部。第一壳部与第二壳部在耳柄外壳的长度方向(也即是y轴方向)上排布。
53.在第三方面的一种可能的实现方式中，第二壳部与耳塞外壳的后壳为一体成型的结构。
54.其中，第二方面至第三方面中任一种实现方式所带来的技术效果可参见第一方面中不同实现方式所带来的技术效果，此处不再赘述。
附图说明
55.图1为本技术一些实施例提供的电子设备的结构示意图；
56.图2为图1所示电子设备中耳机本体的爆炸图；
57.图3为本技术另一些实施例提供的耳机本体的示意图；
58.图4为图3所示耳机本体的爆炸图；
59.图5为本技术一些实施例提供的封装结构与主板的装配示意图；
60.图6为图5所示封装结构中基板的剖视图；
61.图7为本技术一些实施例提供的天线结构、封装结构与主板的装配示意图；
62.图8为本技术一些实施例提供的封装结构的示意图；
63.图9为本技术另一些实施例提供的封装结构的剖视图；
64.图10为图9所示封装结构中的基板和第一封装层的结构示意图；
65.图11为本技术一些实施例提供的第一投影和第二投影的位置关系示意图；
66.图12为本技术另一些实施例提供的第一投影和第二投影的位置关系示意图；
67.图13为本技术又一些实施例提供的第一投影和第二投影的位置关系示意图；
68.图14为本技术又一些实施例提供的第一投影和第二投影的位置关系示意图；
69.图15为本技术又一些实施例提供的封装结构的剖视图；
70.图16为本技术又一些实施例提供的封装结构的剖视图；
71.图17为本技术又一些实施例提供的封装结构的剖视图；
72.图18为图16-图17所示封装结构中基板的结构示意图；
73.图19为本技术又一些实施例提供的封装结构的剖视图；
74.图20为图19所示封装结构中基板的结构示意图；
75.图21为图20所示基板的局部结构示意图；
76.图22为本技术又一些实施例提供的封装结构的剖视图；
77.图23为本技术一些实施例提供的封装结构的加工方法的流程图；
78.图24为本技术另一些实施例提供的封装结构的加工方法的部分流程图；
79.图25为本技术又一些实施例提供的封装结构的加工方法的流程图；
80.图26为本技术又一些实施例提供的封装结构的加工方法的流程图；
81.图27为本技术又一些实施例提供的封装结构的加工方法的部分流程图。
82.附图标记：
83.100、电子设备；100a、耳机本体；
84.1、外壳；11、耳塞外壳；11a、第一容置空间；111、前壳；111a、第一容纳腔；111b、出音孔；1111、主体部；1112、延伸部；112、后壳；112a、第二容纳腔；
85.12、耳柄外壳；120、开口部；121、第一壳部；1211、充电触点；122、第二壳部；
86.13、接触套；
87.2、扬声器模组；3、麦克风；4、电池；5、主板；
88.6、封装结构；6a、保护件；
89.61、基板；610、芯片裸片；611、金属走线层；612、绝缘介质层；613、阻焊层；614、焊盘；615、镂空结构；616、接地层；617、第一走线层；618、第二凹槽；6181、第二槽底壁；6182、第二槽侧壁；619、第三凹槽；6191、第三槽底壁；6192、第三槽侧壁；
90.601、第一表面；601a、第一区域；601b、第二区域；602、第二表面；603、侧面；
91.62、电子元器件；62a、第一元器件；62b、第二元器件；62c、第三元器件；
92.63、第一封装层；631、第一顶面；632、第一外周面；633、第一凹槽；6331、第一槽底壁；6332、第一槽侧壁；634、凸起部；63a、第一封装部；63b、第二封装部；
93.64、第二封装层；640、第一贯通孔；641、第二顶壁；642、第二外周壁；643、安装槽；
94.65、第三封装层；651、第三顶面；652、第三外周面；
95.66、转接板；
96.67、屏蔽层；671、第一避让开口；
97.681、第一导电件；682、第二导电件；683、第三导电件；683a、第一导电部；683b、第二导电部；69、外观覆膜层；
98.7、天线结构；71、第一天线部；72、第二天线部；721、第一部分；722、第二部分；
99.8、电路板；9、触摸组件。
具体实施方式
100.在本技术实施例中，术语“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本技术实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
101.在本技术实施例中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
102.在本技术实施例的描述中，术语“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。在本技术实施例的描述中，术语“和/或”是指并且涵盖相关联的所列出的项目中的一个或多个项目的任何和全部可能的组合。术语“和/或”，是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本技术中的字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
103.在本技术实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是可拆卸地连接，也可以是不可拆卸
地连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接。其中，“固定连接”是指彼此连接且连接后的相对位置关系不变。此外，术语“耦接”可以是实现信号传输的电性连接的方式。“耦接”可以是直接的电性连接，也可以通过中间媒介间接电性连接。
104.本技术提供一种电子设备，该电子设备内设有封装结构，用于提升电子设备中电子元器件的集成度。为了进一步减小电子设备的体积，增加电子设备的功能，本技术在封装结构的第一封装层外设置包括激光敏感塑料的第二塑封层，将天线结构一体形成在第二封装层的外表面，能提高封装结构的集成度，达到实现电子设备小型化、增加电子设备功能，进而提升电子设备核心竞争力的目的。与此同时，本技术在第一封装层和第二封装层之间设置屏蔽层，并将屏蔽层与基板内的接地层电连接，能够避免天线结构与第一封装层内的电子元器件之间产生电磁干扰，且无需在封装结构内设置其他接地部件，能在减小封装结构整体体积的同时，提高天线结构的信号质量，保证电子元器件的性能。
105.本技术提供的电子设备可以为手机、平板电脑、显示器、电视、数码相框、个人数字助理(personal digital assistant，pda)、笔记本电脑、车载电脑、导航仪、汽车音响、可穿戴设备、等具有任何显示功能的产品或者部件。其中，可穿戴设备包括但不限于耳机、智能手环、智能手表、智能头戴显示器、智能眼镜等。
106.请参阅图1，图1为本技术一些实施例提供的电子设备100的结构示意图，在本实施例的电子设备100为耳机。可选的，耳机为真无线立体声(true wireless stereo，tws)耳机。具体的，在图1的示例中，电子设备100包括两个耳机本体100a，两个耳机本体100a分别用作左耳耳机和右耳耳机。可以理解的是，在本技术的另一些实施例中，电子设备100也可以为其他类型的耳机。或者，在其他实施例中，电子设备100也可以仅包括一个耳机本体100a。
107.请参阅图2，图2为图1所示电子设备100中耳机本体100a的爆炸图。在本实施例中，耳机本体100a包括外壳1、扬声器模组2、麦克风3、电池4、主板5和封装结构6。可以理解的是，图2以及下文相关附图仅示意性的示出了耳机本体100a包括的一些部件，这些部件的实际形状、实际大小、实际位置和实际构造不受图2以及下文各附图限定。
108.外壳1具有容置空间，耳机本体100a的诸如扬声器模组2、麦克风3、电池4和主板5等功能器件均位于容置空间内。外壳1作为耳机本体100a内功能器件的载体，用于保护位于外壳1内的功能器件。
109.请参阅图1和图2，该外壳1可以包括耳塞外壳11和耳柄外壳12。其中，耳塞外壳11内限定出第一容置空间11a，耳柄外壳12内限定出第二容置空间，第一容置空间11a与第二容置空间连通，且第一容置空间11a与第二容置空间共同组成外壳1内的容置空间。
110.请参阅图2，耳塞外壳11包括前壳111和后壳112。用户佩戴耳机本体100a时，前壳111位于面向人耳的一侧，后壳112位于背向人耳的一侧。耳塞外壳11由前壳111与后壳112装配形成，这样可以分别加工前壳111和后壳112，有利于简化前壳111和后壳112的模具结构，从而降低前壳111和后壳112的成型难度，进而降低耳塞外壳11的加工制造难度。具体的，前壳111可以通过扣合方式固定连接于后壳112。前壳111还可以通过螺钉连接于后壳112。或者，在其他实施方式中，前壳111还可以通过胶水或者胶带固定连接于后壳112。
111.需要说明的是，本技术实施例中所有方向性指示(诸如前、后、顶、底
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特
定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地改变。
112.请参阅图2，前壳111内形成有第一容纳腔111a，第一容纳腔111a的邻近后壳112的一侧敞开。后壳112内可以形成有第二容纳腔112a，第二容纳腔112a的邻近前壳111的一侧敞开，这样，该第二容纳腔112a可以与第一容纳腔111a连通，并且第二容纳腔112a与第一容纳腔111a可以共同组成耳塞外壳11内的第一容置空间11a。
113.请继续参阅图2，前壳111上形成有与第一容纳腔111a连通的出音孔111b，耳机本体100a内的声音可以通过该出音孔111b传导至耳机本体100a外。具体的，前壳111可以包括主体部1111和延伸部1112。延伸部1112可以设于主体部1111的远离后壳112的一侧，并向远离主体部1111的方向延伸。
114.请参阅图2，主体部1111内可以形成上述第一容纳腔111a，出音孔111b形成在延伸部1112上。主体部1111与延伸部1112可以为一体成型件。也就是说，主体部1111与延伸部1112为一个整体结构。这样可以简化前壳111的加工制造工艺，同时提高主体部1111与延伸部1112之间的连接强度。
115.当然，本技术不限于此，主体部1111与延伸部1112还可以是装配形成。可以理解的是，在另一些实施例中，前壳111也可以不包括延伸部1112，而是直接在主体部1111的壁面上开设出音孔111b。
116.为了提高用户佩戴耳机本体100a的舒适性，请继续参阅图2，耳机本体100a还可以设置有接触套13，该接触套13可以用于与用户的耳部相接触。例如，接触套13可以围设于延伸部1112的外周面，且接触套13在外形上可以与人体耳道的形状相类似，以提高佩戴耳机本体100a的适配性。同时，接触套13可以是由硅胶、橡胶等柔性材料制成的，以进一步提高用户佩戴耳机本体100a的舒适性。当然，为了降低成本，耳机本体100a还可以不包括该接触套13。
117.耳塞外壳11的材质包括但不限于硬质塑料、金属、以及塑料与金属的结合。为了实现耳机本体100a的轻量化，耳塞外壳11的材质可选为硬质塑料。耳柄外壳12的材质可与上述的耳塞外壳11的材质相同。当然，耳柄外壳12的材质与上述的耳塞外壳11的材质也可以不同。
118.请参阅图1-图2，耳柄外壳12与耳塞外壳11相连。具体的，耳柄外壳12可以连接于后壳112远离前壳111的一侧。在图1和图2所示实施例中，耳柄外壳12呈长条状。示例性的，耳柄外壳12大体呈立方体状。为了方便下文各实施例的描述，建立xyz坐标系。具体的，定义耳柄外壳12的宽度方向为x轴方向，耳柄外壳12的长度方向为y轴方向，耳柄外壳12的厚度方向为z轴方向。可以理解的是，耳柄外壳12的坐标系设置可以根据实际需要进行灵活设置，在此不做具体限定。可以理解的是，在其他实施例中，耳柄外壳12也可以形成为圆柱状等。
119.在一些实施例中，请继续参阅图1-图2，耳柄外壳12包括可拆卸连接的第一壳部121和第二壳部122。第一壳部121与第二壳部122在耳柄外壳12的厚度方向(也即是z轴方向)上排布。具体的，第一壳部121位于第二壳部122的前侧。也即是，第一壳部121位于第二壳部122的靠近人耳的一侧。可选的，第一壳部121和第二壳部122通过卡扣结构卡接连接，结构简单，拆装方便。这样一来，通过将耳柄外壳12设置为包括可拆卸的第一壳部121与第二壳部122的结构，能够在完成耳机本体100a内部结构的安装后再将第一壳部121与第二壳
部122扣合，方便耳机本体100a内部结构的安装。
120.在一些实施例中，第二壳部122与耳塞外壳11的后壳112为一体成型的结构。这样，可以简化外壳1的加工工艺，且能提高第二壳部122与后壳112的连接强度。可以理解的是，在其他实施例中，第一壳部121与第二壳部122也可以耳柄外壳12的长度方向(也即是y轴方向)上排布。
121.电池4用于向耳机本体100a内诸如主板5、扬声器模组2等电子器件提供电量。电池4可以位于第一容置空间11a内。电池4可以包括但不限于镍镉电池、镍氢电池、锂电池或其他类型的电池。并且，本技术实施例中的电池4的数量可以为多个，也可以为一个。电池4在外壳1内的安装方式包括但不限于卡接、螺钉连接或胶粘。请参阅图2，耳柄外壳12上可以设置有充电触点1211，充电触点1211与电池4电连接，以实现外部电源对电池4的充电。
122.扬声器模组2是一种电声换能器件，可将获取到的音频电信号转换成声音信号，该声音信号由出音孔111b传导至耳机本体100a外。扬声器模组2与主板5电连接，以获取音乐、语音等音频电信号。扬声器模组2可以安装于容置空间内。具体的，请参阅图2，扬声器模组2可以安装在第一容置空间11a内。并且，扬声器模组2位于电池4的靠近出音孔111b的一侧。这样，可以避免电池4对扬声器模组2的出声遮挡。扬声器模组2与外壳1之间的装配方式包括但不限于卡接、螺纹连接或胶粘等。
123.麦克风3作为拾音器件，可以用于收集用户的声音信号。在不同的实现方式中，麦克风3的数量可以是一个，也可以是多个。麦克风3可以将声音信号转换为电信号，实现语音输入的功能。在此基础上，耳柄外壳12上可以设置一个或多个与麦克风3对应的拾音孔，用户的声音可以经拾音孔传输至麦克风3，实现语音输入的功能。拾音孔可以设置在耳柄外壳12的背离耳塞外壳11的一端。其中，拾音孔可以形成在第一壳部121上，也可以形成在第二壳部122上。
124.主板5用于集成主控制芯片、蓝牙芯片等，可用于充电管理、信号传输等。主板5与电池4和扬声器模组2等功能器件均电连接，以实现不同的功能器件之间的信号控制以及数据信号处理等操作。请参阅图2，主板5可以容纳在容置空间内。具体的，主板5可以安装于第二容置空间内。主板5在外壳1内的安装方式包括但不限于卡接、螺钉连接或胶粘。主板5可以为硬质电路板，也可以为柔性电路板，还可以为软硬结合电路板。
125.封装结构6内封装有多个电子元器件。一些实施例中，封装结构6为系统级封装(system in a package，sip)结构。系统级封装结构是指将蓝牙芯片、音频解码芯片等具有不同功能的芯片封装在一个封装结构6中。这样，通过将多个不同功能的芯片封装在一个封装结构6中，能够尽量减小耳机本体100a内芯片占用的空间。并且，由于不同功能的芯片封装在一个封装结构6内，能够减小主板5中的刚性电路板的数量，简化主板5的结构，简化耳机本体100a内部结构的安装过程。
126.封装结构6与主板5电连接，且封装结构6与扬声器模组2、麦克风3、电池4均进行电连接，从而通过封装结构6内的电子元器件62之间的通信来控制各功能模块进行工作。
127.在一些实施例中，封装结构6与主板5之间通过板对板(board to board，btb)连接器电连接。这样，可以实现封装结构6与主板5之间的可拆卸电连接，便于封装结构6与主板5之间的装配，且便于后续对封装结构6的维护等工作。在另一些实施例中，封装结构6与主板5之间还可以通过热压熔锡焊接等其他方式进行电连接。
128.在一些实施例中，封装结构6整体位于外壳1内部。在另一些实施例中，封装结构6的至少一部分位于外露于外壳1，在此情况下，封装结构6的至少部分表面可以形成耳机本体100a的外观面。
129.请参阅图3-图4，图3为本技术另一些实施例提供的耳机本体100a的示意图，图4为图3所示耳机本体100a的爆炸图。本实施例中的耳柄外壳12的一侧敞开形成开口部120，封装结构6设在开口部120处，且封装结构6的至少部分位于耳柄外壳12外。具体而言，封装结构6可以整体位于耳柄外壳12的外侧，或者封装结构6的一部分位于耳柄外壳12内，封装结构6的另一部分位于耳柄外壳12外。这样一来，封装结构6的至少部分外表面形成耳机本体100a的外观面，能够减小封装结构6在耳柄外壳12内的空间，且能够避免由于组装带来的间隙和公差，能进一步节省空间。
130.可选的，本实施例中的耳柄外壳12为一体式结构，结构简单，加工方便。
131.请参阅图5，图5为本技术一些实施例提供的封装结构6与主板5的装配示意图。封装结构6包括基板61、电子元器件62和第一封装层63。需要说明的是，图5仅示意性的示出了封装结构6包括的一些部件，这些部件的实际形状、实际大小、实际位置和实际构造不受图5的限定。另外，图5中的坐标系与图2和图3中的坐标系表示为同一坐标系。也即是，图5中封装结构6内各个部件在图5所示坐标系下的方位关系，与当该封装结构6应用于图2或图3所示耳机本体100a内时，其内各个部件在图2和图3所示坐标系下的方位关系相同。
132.基板61是电子元器件62封装的载体。基板61呈板状。基板61的厚度方向与z轴方向平行。在一些实施例中，基板61为通过印刷电路板工艺制作的多层高密度封装基板。请参阅图6，图6为图5所示封装结构6中基板61的剖视图。基板61包括依次交替设置的金属走线层611和绝缘介质层612，金属走线层611上设有信号线，可以对基板61上设置的多个电子元器件62分别提供电连接，以实现封装后电子元器件62的功能。不同的金属走线层611之间的信号线可以通过金属化过孔实现电连接。
133.请参阅图6，基板61包括第一表面601、第二表面602和侧面603。具体的，第一表面601和第二表面602在z轴方向上相对设置，基板61的侧面603连接在第一表面601和第二表面602之间。侧面603可以呈环状。
134.在一些实施例中，第一表面601和第二表面602上设有焊盘614，焊盘614与基板61内的信号线或接地线电连接。进一步的，请继续参阅图6，基板61还包括阻焊层613，阻焊层613设置在第一表面601和第二表面602上，阻焊层613上设有镂空结构615，焊盘614设置于镂空结构615处，以使得焊盘614外露。阻焊层613可以为绿色油墨或黑色油墨等。在后续焊接过程中，阻焊层613可以防止焊料沉积于基板61的表面。
135.请参阅图5，电子元器件62设置在第一表面601和第二表面602上，并与基板61电连接。具体的，电子元器件62可以借助焊盘614与基板61电连接。可以理解的是，在另一些实施例中，电子元器件62也可以仅设置在第一表面601上，或者仅设置在第二表面602上。
136.电子元器件62可以包括有源器件和无源器件。其中，有源器件是能够向电路提供或给予能量的元件或装置。示例性的，有源器件包括蓝牙芯片、电源芯片、存储芯片(例如flash存储芯片)、编码译码器(codec)等。无源部件是不需要任何外部电源来操作并且能够在电路中以电压或电流(例如电容)的形式存储能量的装置。示例性的，无源器件包括r电阻、l电感、c电容、射频滤波器(rf filter滤波器)等。
137.在一些实施例中，可以通过表面贴装技术(surface mounted technology，smt)、芯片打线(wire bonding，也称为邦定)、倒装芯片(flip chip)、回流焊、激光焊等工艺实现电子元器件62和基板61之间的电连接。
138.在一些实施例中，为了进一步提高封装结构6的集成度，节省布局空间，请参阅图5，基板61内嵌设有芯片裸片610(也称芯片die)。在另一些实施例中，基板61内也可以嵌设无源器件。
139.请继续参阅图5，第一封装层63设置在第一表面601并包裹第一表面601上的电子元器件62。上述电子元器件62电连接至基板61的第一表面601之后，可以通过第一封装层63实现对电子元器件62的包裹，以实现第一表面601上的不同电子元器件62之间的隔离以及第一表面601上的电子元器件62与外部器件的隔离。
140.请参阅图5，第一封装层63包括第一顶面631和第一外周面632，第一顶面631为第一封装层63背离基板61的一侧表面，第一顶面631的朝向与第一表面601的朝向相同，第一外周面632围绕在第一顶面631的外周。第一外周面632可以连接在第一顶面631和第一表面601之间。第一顶面631可以包括平面、弧面中的至少一种。也即是，第一顶面631可以仅包括平面，也可以仅包括弧面，还可以同时包括平面和弧面。
141.该第一封装层63可以通过模塑(molding)工艺形成于第一表面601。第一封装层63的材质可以为环氧塑封料(epoxy molding compound，emc)。环氧塑封料是一种由环氧树脂、填料、固化剂和添加剂等多种成分组成的混合物，且可以通过调整填料的用量和特性、以及添加剂，调节环氧塑封料的硬度，且能实现高导热、高熔点、低热膨胀系数(coefficient of thermal expansion，cte)的材料特性。其中，填料可以为氧化硅(sio2)或氮化硼(bn)等无机材料。当然，第一封装层63的材质也可以为其他类型的材料，如陶瓷或玻璃等，本技术实施例不做特殊限制。
142.进一步的，请继续参阅图5，封装结构6还包括第三封装层65，第三封装层65设置在第二表面602，并包裹第二表面602上的电子元器件62。第三封装层65包括背离基板61的第三顶面651和围绕在第三顶面651外周的第三外周面652。在此情况下，封装结构6为双面封装结构。第三封装层65的材质和加工工艺可以与第一封装层63相同，在此不再赘述。可以理解的是，在其他实施例中，第二表面602也可以不设置第三封装层65，在此情况下，封装结构6为单面封装结构。
143.为了实现封装结构6的整个系统与周边器件(例如电池4、扬声器模组2、麦克风3等器件)的信号互连，基板61的第二表面602设有用于实现与主板5信号互连的转接板(frame borad)66。转接板66分别与基板61和主板5电连接，进而实现封装结构6和周边器件的互连通讯。
144.天线结构7用于发射和接收电磁波信号，以实现耳机本体100a与外部设备(例如手机、平板电脑等)之间的无线通信。在一些实施例中，天线结构7为蓝牙天线。耳机本体100a与外部设备通过蓝牙信号传输数据。
145.耳机本体100a在工作状态时，蓝牙芯片发出的射频信号可以经射频器件传递至天线结构7，以与外部设备进行通信。当然，耳机本体100a也可以通过天线结构7接收信号，并经射频器件传输至蓝牙芯片，实现耳机本体100a与外部设备之间的收发通信。例如，外部设备可以通过天线结构7将音频信号传输给耳机本体100a，实现音频的播放。又如，外部设备
可以通过天线结构7接收来自耳机本体100a的音频信号，实现语音输入等功能。这样，区别于传统的有线耳机，能够实现耳机本体100a与音频输入/输出设备的分离，更加便于使用。
146.请参阅图7，图7为本技术一些实施例提供的天线结构7、封装结构6与主板5的装配示意图。封装结构6和天线结构7分别电连接于主板5的相对两侧。具体的，天线结构7通过电路板8与主板5电连接。其中，天线结构7可以位于电路板8的背离主板5的一侧。天线结构7与电路板8之间以及电路板8与主板5之间可以通过胶粘、焊接等方式连接。
147.上述实施例中，在装配时，可以先将天线结构7、主板5、封装结构6装配在一起，形成一个模组，再将上述模组整体装配于耳机本体100a内。这样，能够简化耳机本体100a的装配步骤，提高装配效率。但是上述实施例中天线结构7和封装结构6为分体结构，在装配过程中存在装配公差，占用空间大，不利于实现耳机本体100a的小型化设计。
148.为了解决上述技术问题，请参阅图8，图8为本技术一些实施例提供的封装结构6的示意图。本实施例中的封装结构6与图7所示实施例中的封装结构6的不同之处在于，本实施例中的封装结构6除了包括基板61、电子元器件62和第一封装层63之外，还包括第二封装层64和天线结构7。
149.具体的，基板61内设有接地层616。接地层用于接地。接地层616可以为多个金属走线层611中的其中一层或多层金属走线层611。屏蔽层67设置在第一封装层63的外表面上，并与基板61内的接地层616电连接。在本实施例中，请参阅图8，第一封装层63的整个外表面上均设有屏蔽层67。也即是，第一封装层63的第一顶面631和第一外周面632上均设有屏蔽层67。示例性的，第一封装层63的第一封装层63大体呈立方体结构，第一封装层63的五个表面上均设有屏蔽层67。这样，可以通过屏蔽层67对第一封装层63内的电子元器件62进行电磁屏蔽。
150.在一些实施例中，屏蔽层67还可以覆盖于第三封装层65的第三外周面652上，或者覆盖于第三封装层65的第三外周面652以及第三顶面651上。这样一来，屏蔽层67不仅可以对第一封装层63内的电子元器件62进行电磁屏蔽，还可以对第三封装层65内的电子元器件62进行屏蔽。
151.可以理解的是，在其他实施例中，也可以仅在第一封装层63的部分外表面上设置屏蔽层67。
152.屏蔽层67的制作可以采用溅射(sputter)工艺实现，屏蔽层67的结构可以为三层金属薄膜结构，例如不锈钢层(steel use stainless，sus)、铜层以及不锈钢层三层结构。当然，屏蔽层67的制作也可以采用喷涂、覆膜等工艺实现，利用喷涂工艺制作的屏蔽层67可以采用导电银浆等屏蔽材料，本技术实施例对屏蔽层67的材质和制作方法不做特殊限制。
153.在一些实施例中，请参阅图8，接地层616延伸至基板61的侧面603并外露于基板61的侧面603，屏蔽层67延伸至基板61的侧面603，并与接地层616电连接。这样一来，屏蔽层67可以与基板61内的接地层616直接电连接，实现屏蔽层67的接地设置，能保证屏蔽层67的屏蔽效果，且无需额外在封装结构6中额外设置接地部件，能减小接地部件的占用空间，有利于减小封装结构6的体积，实现封装结构6的小型化设计，进而有利于实现电子设备100的小型化设计。
154.请继续参阅图8，第二封装层64设在第一封装层63的外侧，具体而言，第二封装层64可以覆盖在屏蔽层67的外表面上，屏蔽层67位于第一封装层63和第二封装层64之间。第
二封装层64可以经二次塑封形成于屏蔽层67的外表面。第二封装层64包括第二顶壁641和第二外周壁642。第二顶壁641位于第一封装层63的背离基板61的一侧，第二外周壁642环绕在第二顶壁641边缘一周。具体的，第二顶壁641位于第一封装层63的背离基板61的第一表面601的一侧。
155.需要说明的是，本技术中所述的各部件的“外侧”是指该部件的远离封装结构6的中心的一侧。具体的，“第一封装层63的外侧”是指第一封装层63的远离封装结构6的一侧。
156.在该实施例中，第二封装层64位于第一封装层63的背离基板61的一侧以及第一封装层63的周向外侧。也即是，第二封装层64位于第一封装层63的第一顶面631的外侧以及第一外周面632的外侧。可以理解的是，在另一些实施例中，第二封装层64也可以仅设置在第一封装层63的第一顶面631的外侧，或者第二封装层64还可以仅设置在第一外周面632的至少一个表面的外侧。
157.第二封装层64的材质包括激光敏感塑料，天线结构7形成在第二封装层64的外表面上。具体的，第二封装层64的材质包括高分子材料与金属添加物(metal additive)的混合物，其中，金属添加物对激光敏感。这样一来，可以采用激光直接成型技术(laser direct structuring，lds)在第二封装层64上形成天线结构7。
158.其中，激光直接成型技术是指利用计算机按照电路图形轨迹控制激光的运动，将激光投照到模塑成型的三维塑料器件上，快速活化出3d电路(立体电路)图案，经化学镀后形成金属线路。在加工过程中，可以用激光照射第二封装层64的表面，在第二封装层64的表面形成需要的图形或线路，并利用激光能量辐射激发第二封装层64中的金属添加物释放出金属粒子，使得第二封装层64具有可化学镀性，进而能通过化学镀在第二封装层64的表面形成天线结构7。
159.在一些实施例中，为了使天线结构7与基板61之间形成馈电连接，请参阅图8，第一封装层63内设有第一导电件681，第二封装层64内设有第二导电件682。第一导电件681与基板61电连接，且第一导电件681与第二导电件682电连接，天线结构7与第二导电件682电连接。具体的，第一导电件681可以与基板61上的射频器件电连接。射频器件包括滤波器件、信号放大器件等。射频器件可以集成在蓝牙芯片中，也可以与蓝牙芯片分体设置。
160.在一些实施例中，请参阅图8，第一导电件681为金属柱。示例性的，第一导电件681为铜柱。第一导电件681呈圆柱状。第一导电件681的一端可以通过焊接、导电粘接剂粘接等方式与基板61电连接。
161.为了便于实现第一导电件681与第二导电件682之间的电连接，在第一表面601上形成第一封装层63后，可以对第一封装层63做局部减薄处理，使得第一导电件681的背离基板61的端面外露。示例性的，第一导电件681的背离基板61的端面可以与第一封装层63的第一顶面631平齐。在另一些实施例中，第一导电件681的背离基板61的端面也可以略低于第一顶面631。
162.进一步的，屏蔽层67设有第一避让开口671，第一导电件681与第一避让开口671相对。这样，可以使得第一导电件681的背离基板61的端面暴露于第一避让开口671，进而便于第一导电件681实现与第二导电件682之间的电连接。
163.请继续参阅图8，第二封装层64上设有第一贯通孔640，第一贯通孔640贯穿第二封装层64的第二顶壁641，第二导电件682设在第一贯通孔640内。具体的，可以采用机械钻孔
或者激光钻孔方法在第二封装层64上开设第一贯通孔640，形成模塑通孔(through molding via，tmv)结构。第二导电件682覆盖在第一贯通孔640的内壁面，或者，第二导电件682填充在第二贯通孔内。示例性的，第二导电件682可以采用蒸镀、电镀、涂覆、填孔等工艺形成在第一贯通孔640内。
164.可以理解的是，在其他实施例中，第二导电件682也可以为铜柱。在此情况下，可以先将第二导电件682通过焊接、粘接等方式电连接于第一导电件681，再在第一封装层63的外侧进行二次塑封形成第二封装层64。
165.本技术实施例中的封装结构6，通过在第一封装层63的外侧设置包括激光敏感塑料的第二封装层64，可以将天线结构7集成在第二封装层64上，实现天线结构7和射频器件的集成封装，能提高封装结构6的集成度，不仅能简化电子设备100的装配工艺，还能避免由于组装带来的间隙和公差，且无需额外设计天线结构7的安装空间，进而能减小封装结构6的整体占用空间，有利于实现耳机本体100a的小型化设计，并能为耳机本体100a内的其他部件的设置提供更多的空间，有利于增大扬声器模组2的后音腔空间，提高耳机本体100a的音频性能，且有利于增加耳机本体100a的功能。
166.并且，本技术实施例中的封装结构6，通过在第一封装层63和第二封装层64之间设置屏蔽层67，并使得屏蔽层67与基板61上的接地层616电连接，能够避免第二封装层64内的金属添加物对第一封装层63内的电子元器件62造成电磁干扰，且能避免电子元器件62对天线结构7的信号造成电磁干扰，能保证电子元器件62的性能和天线结构7的信号质量。此外，由于屏蔽层67与基板61上的接地层616电连接，无需额外在封装结构6中额外设置接地部件，能减小接地结构的占用空间，有利于减小封装结构6的体积，实现封装结构6的小型化设计，进而有利于实现电子设备100的小型化设计和轻量化设计。
167.在一些实施例中，为了进一步提高天线结构7的信号质量，请参阅图9，图9为本技术另一些实施例提供的封装结构6的剖视图。本实施例中的封装结构6与图8所示的封装结构6的不同之处在于，本实施例中，第一封装层63上的第一顶面631上设有第一凹槽633，第一凹槽由第一封装层63的背离基板61的一侧表面(也即是第一顶面631)朝向基板61凹陷。
168.请参阅图10，图10为图9所示封装结构6中的基板61和第一封装层63的结构示意图。第一凹槽633包括第一槽底壁6331和第一槽侧壁6332，第一槽底壁6331的朝向与第一表面601的朝向一致。在一些实施例中，第一凹槽633贯穿第一封装层63的第一外周面632形成台阶槽。这样，可以降低化第一封装层63的封装难度，提高加工效率。可以理解的是，在其他实施例中，第一凹槽633也可以不贯穿第一封装层63的第一外周面632。
169.请参阅图9并结合图10，第一封装层63包括第一封装部63a和第二封装部63b。第一封装部63a与第二封装部63b在平行于第一表面601的方向上排布。第一封装部63a的厚度大于第二封装部63b的厚度。其中，“第一封装部63a的厚度”是指第一封装部63a的背离基板61的一侧表面与第一表面601之间的距离，“第二封装部63b的厚度”是指第二封装部63b的背离基板61的一侧表面与第一表面601之间的距离。这样，可以在第一封装部63a和第二封装部63b之间限定出第一凹槽633。
170.进一步的，天线结构7的至少部分形成在第二封装层64的第二顶壁641上。在一些实施例中，天线结构7整体形成在第二顶壁641。在另一些实施例中，天线结构7的一部分形成在第二封装层64的第二顶壁641上，另一部分可以形成在第二封装层64的第二外周壁642
上。请参阅图9，天线结构7包括第一天线部71，第一天线部71位于第二顶壁641上。
171.其中，第一槽底壁6331在第一表面601上的正投影为第一投影s1，第二顶壁641上的天线结构7(也即是第一天线部71)在第一表面601上的正投影为第二投影s2，第一投影s1与第二投影s2有交叠。这样，可以使得天线结构7的至少部分与第一凹槽633相对，能增大天线结构7与第一封装层63之间的距离，进而能增大天线结构7的净空区域，保证天线结构7的性能，提高天线结构7的信号质量。
172.具体的，第一投影s1与第二投影s2有交叠，包括第一投影s1与第二投影s2部分交叠以及第一投影s1与第二投影s2完全交叠两种情况。
173.请参阅图11，图11为本技术一些实施例提供的第一投影s1和第二投影s2的位置关系示意图。在该实施例中，第一投影s1与第二投影s2部分交叠，且第二投影s2的外轮廓位于第一投影s1的外轮廓内，也即是第二投影s2可以包含于第一投影s1，此时第二投影s2的面积小于第一投影s1的面积。这样，可以使得位于第二顶壁641上的天线结构7均与第一凹槽633相对，能增大天线结构7与第一封装层63之间的距离，进而能增大天线结构7的净空区域，保证天线结构7的性能。
174.请参阅图12，图12为本技术另一些实施例提供的第一投影s1和第二投影s2的位置关系示意图。在该实施例中，第一投影s1与第二投影s2部分交叠，且第一投影s1和第二投影s2相交，此时第一投影s1的一部分与第二投影s2的一部分重合，同时，第一投影s1的另一部分与第二投影s2的另一部分不重合。图12中的s3为第一投影s1与第二投影s2的交叠部分。这样，可以使得位于第二顶壁641上的天线结构7的一部分与第一凹槽633相对，能增大部分天线结构7与第一封装层63之间的距离，进而能增大天线结构7的净空区域，保证天线结构7的性能。
175.请参阅图13，图13为本技术又一些实施例提供的第一投影s1和第二投影s2的位置关系示意图。在该实施例中，第一投影s1与第二投影s2部分交叠，且第一投影s1的外轮廓位于第二投影s2的外轮廓内，也即是第一投影s1包含于第二投影s2，此时第二投影s2的面积大于第一投影s1的面积。这样，可以使得位于第二顶壁641上的天线结构7的一部分与第一凹槽633相对，能增大部分天线结构7与第一封装层63之间的距离，进而能增大天线结构7的净空区域，保证天线结构7的性能。
176.请参阅图14，图14为本技术又一些实施例提供的第一投影s1和第二投影s2的位置关系示意图。在该实施例中，第一投影s1与第二投影s2完全交叠，也即是，第一投影s1与第二投影s2的外轮廓完全重合，此时，第一投影s1的面积等于第二投影s2的面积。这样，同样可以使得位于第二顶壁641上的天线结构7均与第一凹槽633相对，能增大天线结构7与第一封装层63之间的距离，进而能增大天线结构7的净空区域，保证天线结构7的性能。
177.需要说明的是，本技术中的“第一投影s1与第二投影s2完全交叠”应做广义理解，也即是无需严格意义上的完全交叠，由于存在工艺误差，第一投影s1的面积略大于或略小于第二投影s2的面积时，也可以认为是第一投影s1与第二投影s2完全交叠。
178.在一些实施例中，请返回参阅图10，基板61的第一表面601包括第一区域601a和第二区域601b。第一区域601a与第一投影s1无交叠。也即是，第一区域601a与第一投影s1错开。可选的，第一投影s1与第二区域601b有交叠。第一封装部63a形成在第一区域601a上，第二封装部63b形成在第二区域601b上。
179.第一表面601上的电子元器件62中，高度最大的电子元器件62为第一元器件62a，第一元器件62a位于第一区域601a。其中，电子元器件62的高度是指，电子元器件62的背离基板61的一端与基板61之间的距离。
180.这样一来，通过将高度最大的第一元器件62a设置在第一区域601a，能在保证第一封装层63的封装效果的同时，便于在第一封装层63上形成第一凹槽633，从而能在不增大第一封装层63整体厚度的基础上，增大天线结构7的净空区域，能在实现封装结构6小型化设计的基础上，保证天线结构7的性能。
181.在一些实施例中，第一区域601a上的电子元器件62中，高度最小的电子元器件62为第二元器件62b，第二区域601b上的电子元器件62中，高度最大的电子元器件62为第三元器件62c，第三元器件62c的高度小于或等于第二元器件62b的高度。也即是，第二区域601b上的所有电子元器件62的高度均小于或等于第一区域601a上的电子元器件62的高度。
182.请参阅图10，第二元器件62b的高度为第一高度h1，第三元器件62c的高度为第二高度h2，第一高度h1大于或等于第二高度h2。这样，更加便于在第一封装层63上形成第一凹槽633。
183.在又一些实施例中，请参阅图15，图15为本技术又一些实施例提供的封装结构6的剖视图。本实施例中的封装结构6与图9所示实施例中的封装结构6的不同之处在于，本实施例中的第一封装层63的结构与图9所示第一封装层63的结构不同。可以理解的是，本技术实施例中的第一封装层63的结构可以与本技术中任一实施例中的封装结构6相结合。
184.请参阅图15，本实施例中，第一封装层63的背离基板61的一侧表面(也即是第一顶面631)设有凸起部634。凸起部634朝向背离基板61的方向凸出。具体的，本实施例中的第一封装层63包括第一封装部63a和第二封装部63b，凸起部634设置在第二封装部63b的背离基板61的一侧表面上。第一导电件681的一部分位于凸起部634内。也即是，本实施例中，第一封装层63上除了设有第一凹槽633之外，还设有凸起部634。
185.其中，第一导电件681的背离基板的端面可以与凸起部634的背离基板61的一侧表面平齐，或者第一导电件681的背离基板的端面可以略低于凸起部634的背离基板61的一侧表面。这样一来，通过在第一封装层63的背离基板61的一侧表面设置凸起部634，可以增大第一封装层63的局部厚度，有利于增大第一导电件681的高度，减小第一导电件681的背离基板的端面与第二封装层64的外表面之间的距离，一方面能缩短天线结构7与第一导电件681之间的互连通道的长度，能够减小天线结构7在馈点处的损耗，优化天线结构7的性能，另一方面，能减小第二封装层64的局部厚度(示例性的，能够减小第二顶壁641的局部厚度)，在天线结构7通过tmv结构实现与第一导电件681电连接的方案中，能减小第一贯通孔640的开孔深度，降低第一贯通孔640的加工难度，提高第一贯通孔640的加工精度。
186.可以理解的是，在另一些实施例中，第一封装层63的背离基板61的一侧表面，也可以仅设置上述的凸起部634，而不设置第一凹槽633。
187.在又一些实施例中，请参阅图16，图16为本技术又一些实施例提供的封装结构6的剖视图。本实施例中的封装结构6与图9所示实施例中的封装结构6的不同之处在于，本实施例中的天线结构7与基板61之间的电连接方式不同。
188.具体的，请参阅图16，基板61内设有第一走线层617，射频器件与第一走线层617电连接。也即是，基板61内的多个金属走线层611包括第一走线层617。第一走线层617延伸至
基板61的侧面603并外露于基板61的侧面603。封装结构6包括用于电连接天线结构7和第一走线层617的第三导电件683。第三导电件683位于第二封装层64的外侧。这样，通过将第一走线层617外露于基板61的侧面603，可以通过位于第二封装层64外侧的第三导电件683实现基板61与天线结构7之间的馈电连接，无需在第一封装层63内设置第一导电件681，也无需在第二封装层64内设置第二导电件682，一方面能减小第一导电件681和第二导电件682的占用空间，有利于减小封装结构6的整体体积，另一方面，有利于缩短天线结构7与基板61之间互连通道的距离，减小天线结构7的馈电损失，提高天线结构7的性能。
189.具体的，请参阅图16，第三导电件683的至少部分位于基板61的侧面603并与第一走线层617相连。示例性的，第三导电件683可以通过蒸镀、喷涂、涂覆等方式形成在基板61的侧面603。这样，可以实现第三导电件683与第一走线层617之间的电连接。
190.在此基础上，为了便于实现天线结构7与第一走线层617之间的电连接，天线结构7的至少部分位于第二封装层64的第二外周壁642上。这样，可以缩短天线结构7与第三导电件683之间的连接路径，不仅能降低天线结构7与第三导电件683之间的电连接难度，还能降低天线结构7的馈点损失，提高天线质量。
191.示例性的，请参阅图16，天线结构7包括第一天线部71和第二天线部72，第一天线部71形成在第二封装层64的第二顶壁641，第二天线部72呈l状。第二天线部72包括相连的第一部分721和第二部分722，第一部分721位于第二封装层64的第二顶壁641，第二部分722位于第二封装层64的第二外周壁642。第二部分722延伸至基板61的侧面603并与第三导电件683电连接。第二天线部72可以借助第一部分721与第一天线部71电连接。
192.这样，通过将天线结构7的一部分设置在第二封装层64的第二顶壁641，将天线结构7的另一部分设置在第二封装层64的第二外周壁642上，能在不增大封装结构6的整体体积的前提下，增大天线结构7的设置面积，有利于提高天线结构7的信号质量。
193.可以理解的是，在另一些实施例中，天线结构7也可以不包括第一天线部71，或者，在又一些实施例中，天线结构可以仅设置在第二封装层64的第二外周壁642上。在此情况下，天线结构7仅包括第二天线部72的第二部分722。
194.请继续参阅图16，第二封装层64的第二外周壁642与基板61的侧面603共面。这样，能进一步降低第三导电件683与天线结构7之间的电连接难度。
195.在此基础上，请参阅图16，可以将第三导电件683整体设置基板61的侧面603上，并将第二天线部72延伸至与第二外周壁642的背离第二顶壁641的端面平齐，使得第二天线部72与第三导电件683相连。这样一来，便于实现天线结构7与第三导电件683之间的电连接，且仅需在基板61的侧面603设置第三导电件683即可实现天线结构7与第三导电件683之间的电连接，由此，能降低第三导电件683的加工难度，降低第三导电件683与天线结构7之间的电连接难度，进而能降低封装结构6的加工成本，提高封装结构6的加工效率。
196.在又一些实施例中，请参阅图17，图17为申请又一些实施例提供的封装结构6的剖视图。本实施例中的封装结构6与图16所示的封装结构6的不同之处在于，图16所示实施例中的封装结构6，第三导电件683整体位于基板61的侧面，而本实施例中的第三导电件683的一部分设置在基板61的侧面603，将第三导电件683的另一部分设置在第二外周壁642上。
197.具体的，请参阅图17，第三导电件683包括相连的第一导电部683a和第二导电部683b，第一导电部683a位于基板61的侧面603，第二导电部683b位于第二外周壁642上。第一
导电部683a与第一走线层617电连接，第二导电部683b与第二天线部72电连接。由于第二外周壁642与基板61的侧面603共面，这样一来，第一导电部683a和第二导电部683b可以共面，使得第一导电部683a和第二导电部683b可以直接相连，能在降低第一导电部683a与第二导电部683b之间的连接难度的同时，提高第一导电部683a和第二导电部683b之间的连接可靠性，避免第三导电件683在第一导电部683a和第二导电部683b之间发生断裂，进而能够保证天线结构7与第一走线层617之间的连接可靠性，有利于提高天线结构7的信号质量。
198.为了实现第二外周壁642与基板61的侧面603共面设置，降低第二封装层64的加工难度，请参阅图18，图18为图16-图17所示封装结构6中基板61的结构示意图。基板61上设有第二凹槽618，第二凹槽618由基板61的第一表面601朝向第二表面602凹陷，且第二凹槽618贯穿基板61的侧面603。也即是，第二凹槽618形成为台阶槽。第二封装层64的一部分位于第二凹槽618内。其中，第二凹槽618可以形成为环绕基板61的边缘一周的台阶槽，也可以形成为贯穿基板61的周向一侧、两侧或三侧等的台阶槽。
199.请继续参阅图18，第二凹槽618包括第二槽底壁6181和第二槽侧壁6182，第二槽底壁6181的朝向与第一表面601的朝向相同，第二槽侧壁6182连接在第一表面601和第二槽底壁6181之间。在该实施例中，接地层616外露于第二槽侧壁6182，这样一来，请参阅图16-图17，屏蔽层67可以覆盖于第二槽侧壁6182并与接地层616相连。具体的，接地层616可以延伸至第二槽侧壁6182，使得接地层616外露于第二槽侧壁6182。这样，可以实现屏蔽层67与接地层616之间的电连接。
200.可以理解的是，在另一些实施例中，接地层616还可以外露于第二槽底壁6181。或者，在又一些实施例中，接地层616外露于第二槽侧壁6182且外露于第二槽底壁6181。屏蔽层67可以覆盖于第二凹槽618的槽内壁上。
201.在又一些实施例中，请参阅图19-图20，图19为本技术又一些实施例提供的封装结构6的剖视图，图20为图19所示封装结构6中基板61的结构示意图。本实施例中的封装结构6与图16所示封装结构6的不同之处在于，本实施例的封装结构6的基板61除了设有第二凹槽618之外，还设有第三凹槽619。
202.具体的，请参阅图21，图21为图20所示基板的局部结构示意图。第三凹槽619由第二凹槽618的第二槽底壁6181朝向第二表面602凹陷且第三凹槽619贯穿基板61的侧面603。第三凹槽619包括第三槽底壁6191和第三槽侧壁6192，第三槽底壁6191的朝向与第一表面601的朝向一致，第三槽侧壁6192位于第二槽底壁6181与第三槽底壁6191之间。
203.第一走线层617外露于第三槽底壁6191，且第一走线层617延伸至基板61的侧面603这样，第一走线层617可以外露于第三槽底壁6191和基板61的侧面603。具体的，第一走线层617的端面可以延伸至与基板61的侧面603平齐。在此基础上，天线结构7可以延伸至第二外周壁642的背离第二顶壁641的端面。这样一来，在加工过程中，第三导电件683可以与天线结构7一体成型。由此，可以提高天线结构7与第一走线层617之间的连接可靠性，且能进一步简化封装结构6的加工工艺，降低加工成本。
204.在上述任一实施例的基础上，请参阅图22，图22为本技术又一些实施例提供的封装结构6的剖视图。本实施例中的封装结构6除了包括基板61、电子元器件62、第一封装层63、屏蔽层67、第二封装层64、天线结构7之外，还包括外观覆膜层69。可以理解的是，本技术实施例中的外观覆膜层69可以与本技术中任一实施例中的封装结构6相结合。
205.外观覆膜层69覆盖在第二封装层64的外表面上。具体的，第二封装层64的第二顶壁641和第二外周壁642上均设有外观覆膜层69。外观覆膜层69的外观可以与耳柄外壳12的外观一致。具体的，封装结构6与耳柄外壳12可以采用相同的表面处理工艺。这样一来，当该封装结构6应用于图3-图4所示的耳机本体100a内时，可以使得封装结构6的外观与耳机本体100a的外观保持一致，在节省封装结构6的占用空间的同时，提高耳机本体100a的外观美观度。
206.在一些实施例中，外观覆膜层69的颜色与耳柄外壳12的颜色的色差δeab为0-5。也即是，色差δeab满足：0≤δeab≤5，进一步地，δeab满足0≤δeab≤2。该色差在肉眼条件下进行观察时几乎不可见。由此，通过将外观覆膜层69的颜色与耳柄外壳12的颜色的色差δeab控制在0-5以内，可以使得外观覆膜层69的颜色与耳柄外壳12的颜色大体相同，提高了电子设备100的外观美观性。
207.以两个彩色样品为例，若两个彩色样品都按l、a、b标定颜色，其中，l代表亮度，范围在0-100，最暗为0，最亮为100；a是由绿到红的色彩变化，范围在-128～+128，纯绿为负128，纯红为正128，之间分为256级；b是由蓝到黄的色彩变化，范围在-128～+128，纯蓝为负128，纯黄为正128，之间分为256级，则两个彩色样品的颜色标定分别为：彩色样品一标定为l1，a1及b1；彩色样品二标定为l2，a2及b2。则两个彩色样品之间的色差δeab可用下列公式计算：色差δeab＝[(δl*)2+(δa*)2+(δb*)2]1/2。
[0208]
可以理解的是，在其他实施例中，外观覆膜层69的颜色与耳柄外壳12的颜色也可以完全不同。
[0209]
可选的，外观覆膜层69为耐磨层。这样，可以提高封装结构6的耐磨性。
[0210]
在一些实施例中，为了进一步提高封装结构6的集成度，减小耳机本体100a的体积，请继续参阅图22，第二封装层64的第二顶壁641上设有朝向基板61凹入的安装槽643，触摸组件9可以设置在安装槽643内。示例性的，触摸组件9可以通过嵌设、卡接、粘接等方式固定在安装槽643内。
[0211]
触摸组件9可以实现耳机本体100a的触摸控制功能。比如，耳机本体100a可以通过该触摸组件9接收用户的指示。该用户的指示可以通过触摸、按压等操作实现对应的输入。这样，可以提高封装结构6的集成度，节省触摸组件9在耳柄外壳12内的占用空间，有利于进一步减小耳机本体100a的整体体积，增大耳机本体100a的后音腔空间，提高耳机本体100a的音频性能。
[0212]
下面描述本技术一些实施例提供的封装结构6的加工方法。该加工方法用于加工封装结构6，该封装结构6可以为上述实施例中的封装结构6。
[0213]
请参阅图23，图23为本技术一些实施例提供的封装结构6的加工方法的流程图。本实施例中的封装结构6，第一封装层63内设有第一导电件681，第二封装层64内设有第二导电件682，天线结构7通过第二导电件682、第一导电件681实现与基板61的馈电连接。
[0214]
具体的，封装结构6的加工方法包括：
[0215]
步骤s100：提供基板坯件，基板坯件包括多个基板61；
[0216]
多个基板61可以依次相连为一个整体，形成基板坯件。可选的，多个基板61并排放置或呈阵列式排布。这样，可以实现封装结构6的批量生产，能够提高加工效率，降低成本。
[0217]
请参阅图23，基板61包括相对的第一表面601和第二表面602。基板61内设有接地
层616。
[0218]
步骤s200：在基板61的第一表面601上设置电子元器件62和第一导电件681，使得第一表面601上的电子元器件62和第一导电件681均与基板61电连接；
[0219]
请参阅图23，在执行步骤s200中，可以根据电子元器件62的高度对电子元器件62进行分区域设置。将高度较小的电子元器件62设置在基板61的同一个区域，将高度较大的电子元器件62设置在基板61的另一个区域。这样，在后续的封装工序中，便于形成不等厚的第一封装层63，进而便于在第一封装层63的第一顶面631形成第一凹槽633。
[0220]
当然，在另一些实施例中，在执行步骤s200时，也可以不对电子元器件62进行分区域设置。
[0221]
请继续参阅图23，封装结构6的加工方法还包括：
[0222]
步骤s300：在第一表面601上形成第一封装层63，使第一表面601上的电子元器件62被第一封装层63包覆塑封，并使得第一导电件681的背离基板61的端面外露于第一封装层63；
[0223]
示例性的，第一封装层63可以通过模塑(molding)工艺形成于第一表面601。基板61的不同区域的第一封装层63的厚度可以相同，也可以不同。在该实施例中，第一封装层63上形成有第一凹槽633。可以理解的是，在其他实施例中，第一封装层63上也可以不形成上述第一凹槽633。另外，当第一封装层63上设有凸起部634的方案中，凸起部634也可以在该步骤中形成。
[0224]
为了实现第一导电件681的背离基板61的端面外露于第一封装层63，以便于在后续工序中，实现第一导电件681与第二导电件682的电连接，在一些实施例中，在第一表面601上形成第一封装层63后，可以对第一封装层63进行局部减薄处理，使得第一导电件681的背离基板61的端面外露于第一封装层63。
[0225]
由于本实施例中的基板坯件包括多个基板61，在执行步骤s300的过程中，通过模塑(molding)工艺在第一表面601上形成第一封装层63时，不同基板61对应的第一封装层63连接为一个整体。为了便于在第一封装层63的外周面上形成屏蔽层67，在后续工序中，可以对第一封装层63进行处理，使得不同基板61对应的第一封装层63间隔开设置。
[0226]
请继续参阅图23，加工方法还包括：步骤s301：对第一封装层63进行处理，使得不同基板61上的第一封装层63间隔开设置；
[0227]
请参阅图23，执行完步骤s301后，与相邻的两个基板61一一对应的两个第一封装层63之间形成第一间隔槽604，这样，可以使得不同基板61对应的第一封装层63彼此间隔开设置。这样，便于在第一封装层63的外周面上形成屏蔽层67。
[0228]
进一步的，为了便于实现屏蔽层67与基板61内接地层616之间的电连接，请参阅图23，第一间隔槽604贯穿基板61的第一表面601和第二表面602，使得基板61的侧面603外露，并使得接地层616外露于基板61的侧面603。
[0229]
步骤s302：在第一导电件681的背离基板61的端面上覆盖保护件6a；这样，可以通过保护件6a遮蔽第一导电件681，避免屏蔽层67对第一导电件681造成金属污染，在第一封装层63的外表面上形成屏蔽层67之后，再将保护件6a去除，使得第一导电件681的背离基板61的端面外露。
[0230]
可选的，保护件6a为水溶胶或高温胶带。水溶胶和高温胶带具有足够的粘性，且耐
高温性能好，可以在高于100℃(摄氏度)的作业环境下使用，且容易去除，残留少。
[0231]
步骤s400：在第一封装层63的外表面上形成屏蔽层67，并使得屏蔽层67与接地层616电连接；
[0232]
在步骤s400中，可以在多个第一封装层63上同时形成屏蔽层67，这样，可以提高生产效率。当然，在其他实施例中，也可以分别在第一封装层63上形成屏蔽层67。
[0233]
请参阅图23，屏蔽层67覆盖于第一封装层63的整个外表面，且屏蔽层67延伸至基板61的侧面603与接地层616电连接。
[0234]
步骤s401：去除覆盖于第一导电件681的第二端的保护件6a；这样，可以在屏蔽层67上形成第一避让开口671，使得第一导电件681的背离基板61的端面外露。
[0235]
步骤s500：在屏蔽层67的外表面上形成第二封装层64，第二封装层64包括激光敏感塑料；
[0236]
具体的，可以采用二次注塑工艺在屏蔽层67的外表面上形成第二封装层64。
[0237]
请参阅图23，当在不同基板61对应的屏蔽层67外同步形成第二封装层64时，不同基板61对应的第二封装层64连接为一个整体。在后续工序中，可以对第二封装层64进行处理，使得不同基板61对应的第二封装层64彼此分离。
[0238]
步骤s501：在第二封装层64内形成第一贯通孔640，并在第一贯通孔640内填充导电材料形成第二导电件682(也可称为天线馈点)；其中，第二导电件682与第一导电件681电连接；
[0239]
示例性的，可以采用激光打孔或机械打孔的方式在第二封装层64内形成第一贯通孔640。
[0240]
步骤s502：采用激光直接成型技术在第二封装层64上形成天线结构7，天线结构7与第二导电件682电连接；
[0241]
具体的，可以采用激光照射第二封装层64上待形成天线结构7的区域，在第二封装层64的外表面烧蚀出电路走线痕迹，以激活第二封装层64内的金属离子；然后采用化学镀金属沉积工艺，在电路走线痕迹上进行金属图形化，形成天线结构7。在该实施例中，天线结构7形成在第二封装层64的第二顶壁641。
[0242]
步骤s503：将不同基板61对应的第二封装层64分离，形成多个独立的封装结构6。
[0243]
可以理解的是，本技术的加工方法中，各个步骤的顺序可以根据实际需要调整设计，本技术对加工步骤的顺序不做具体限定。
[0244]
在另一些实施例中，请参阅图24，图24为本技术另一些实施例提供的封装结构6的加工方法的部分流程图。本实施例中的封装结构6的加工方法与图23所示实施例中的加工方法的不同之处在于，本实施例中的加工方法用于制备双层封装结构6，图23所示的加工方法用于制备单层封装结构6。
[0245]
具体的，本实施例中的封装结构6的加工方法中，在基板61的第一表面601上形成第一封装层63后，还包括：
[0246]
步骤s400b：在基板61的第二表面602上设置电子元器件62，使得第二表面602上的电子元器件62与基板61电连接，并在基板61的第二表面602上形成第三封装层65，使第二表面602上的电子元器件62均被第三封装层65包覆塑封；
[0247]
在此基础上，在第一封装层63上形成屏蔽层67时，该屏蔽层67可以同步形成在第
三封装层65的外周壁上。
[0248]
在又一些实施例中，请参阅图25，图25为本技术又一些实施例提供的封装结构6的加工方法的流程图。本实施例中的封装结构6的加工方法与图23所示实施例中的加工方法的不同之处在于，本实施例的加工方法中，基板坯件包括一个基板61。
[0249]
具体的，本实施例中的封装结构6的加工方法，包括：
[0250]
步骤s100c：提供基板坯件，基板坯件包括一个基板61；
[0251]
请参阅图25，基板61包括相对的第一表面601和第二表面602、以及位于第一表面601和第二表面602之间的侧面603；基板61内设有接地层616，且接地层616外露于基板61的侧面603；
[0252]
步骤s200c：在基板61的第一表面601设置电子元器件62和第一导电件681，使得第一表面601上的电子元器件62和第一导电件681与基板61电连接；
[0253]
步骤s300c：在第一表面601上形成第一封装层63，使第一表面601上的电子元器件62和第一导电件681均被第一封装层63包覆塑封，并使得第一导电件681的背离基板61的端面外露于第一封装层63；
[0254]
步骤s301c：在第一导电件681的背离基板61的端面上覆盖保护件6a；
[0255]
步骤s400c：在第一封装层63的外表面形成屏蔽层67，并使得屏蔽层67与接地层616电连接；
[0256]
步骤s401c：去除覆盖于第一导电件681上的保护件6a；
[0257]
步骤s500c：在屏蔽层67的外表面上形成第二封装层64，第二封装层64包括激光敏感塑料；
[0258]
步骤s501c：在第二封装层64内形成第一贯通孔640，并在第一贯通孔640内填充导电材料形成第二导电件682；
[0259]
步骤s502：采用激光直接成型技术在第二封装层64上形成天线结构7，天线结构7与第二导电件682电连接。
[0260]
在又一些实施例中，请参阅图26，图26为本技术又一些实施例提供的封装结构6的加工方法的流程图。
[0261]
具体的，本实施例中的封装结构6的加工方法，包括：
[0262]
步骤s100d：提供基板坯件，基板坯件包括多个基板61；这多个基板61并排放置或呈阵列式排布。
[0263]
步骤s200d：在基板61的第一表面601上设置电子元器件62，使得第一表面601上的电子元器件62与基板61电连接；
[0264]
步骤s300d：在第一表面601上形成第一封装层63，使电子元器件62被第一封装层63包覆塑封；
[0265]
步骤s301d：在基板61上形成第二凹槽618，并使得基板61内的接地层616外露于第二凹槽618的第二槽侧壁6182；
[0266]
步骤s400d：在第一封装层63的外表面上形成屏蔽层67；
[0267]
请参阅图26，屏蔽层67覆盖于第一封装层63的外表面，并覆盖于至第二凹槽618的槽内壁，且屏蔽层67与接地层616电连接；
[0268]
步骤s401d：在第二凹槽618的第二槽底壁6181上形成第三凹槽619，使得基板61内
的第一走线层617外露于第三凹槽619的第三槽侧壁6192和第三槽底壁6191；
[0269]
步骤s501d：在屏蔽层67的外表面以及第三凹槽619内形成第二封装层64，第二封装层64包括激光敏感塑料；
[0270]
步骤s502d：将不同基板61对应的第二封装层64分离；
[0271]
步骤s503d：在第二封装层64上形成第一天线部71、第二天线部72和第三导电件683，得到封装结构6。
[0272]
在上述任一实施例的基础上，请参阅图27，图27为本技术又一些实施例提供的封装结构6的加工方法的部分流程图。
[0273]
本实施例中的封装结构6的加工方法与图26所示实施例中的加工方法的不同之处在于，在屏蔽层67上形成第二封装层64之后，封装结构6的加工方法还包括：
[0274]
步骤s700：在第二封装层64的第二顶壁641上形成朝向基板61凹陷的安装槽643，并将触摸组件9设置在安装槽643内；
[0275]
步骤s800：在第二封装层64的外表面上形成外观覆膜层69。这样，可以提高封装结构的集成度，有利于进一步减小电子设备的体积，实现电子设备的小型化和轻量化设计。
[0276]
可以理解的是，步骤s700和步骤s800可以与上述任一实施例中的加工方法相结合。
[0277]
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0278]
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。

技术特征：
1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板包括第一表面，所述基板内设有接地层；电子元器件，所述电子元器件设在所述基板的第一表面；第一封装层，所述第一封装层设在所述第一表面且包裹所述电子元器件；第二封装层，所述第二封装层设在所述第一封装层的外侧，且所述第二封装层包括激光敏感塑料；天线结构，所述天线结构设在所述第二封装层上，且通过激光直接成型技术形成；屏蔽层，所述屏蔽层设在所述第一封装层和所述第二封装层之间，且所述屏蔽层与所述接地层电连接。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一封装层包括背离所述基板的第一顶面，所述第一顶面上设有朝向所述基板凹入的第一凹槽，所述第一凹槽包括第一槽底壁，所述第一槽底壁的朝向与所述第一表面的朝向相同，所述第一槽底壁在所述第一表面上的正投影为第一投影；所述第二封装层包括第二顶壁，所述第二顶壁位于所述第一封装层的背离所述基板的一侧，所述天线结构包括第一天线部，所述第一天线部位于所述第二顶壁，所述第一天线部在所述第一表面上的正投影为第二投影；其中，所述第二投影与所述第一投影有交叠。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一表面包括第一区域，所述第一区域与所述第一投影无交叠，所述第一表面上高度最大的所述电子元器件为第一元器件，其中，所述第一元器件位于所述第一区域。4.根据权利要求2或3所述的封装结构，其特征在于，所述第一表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域与所述第一投影无交叠，所述第一区域上高度最小的所述电子元器件为第二元器件，所述第二区域上高度最大的所述电子元器件为第三元器件，其中，所述第三元器件的高度小于或等于所述第二元器件的高度。5.根据权利要求1-4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第二封装层包括第二顶壁，所述第二顶壁位于所述第一封装层的背离所述基板的一侧，所述第二顶壁上设有朝向所述基板凹入的安装槽；所述封装结构还包括触摸组件，所述触摸组件设在所述安装槽内。6.根据权利要求1-5中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第二封装层的外表面上设有外观覆膜层。7.根据权利要求1-6中任一项所述的封装结构，其特征在于，还包括：第一导电件，所述第一导电件设在所述第一封装层内，所述第一导电件与所述基板电连接；第二导电件，所述第二导电件设在所述第二封装层内，所述第二导电件与所述第一导电件电连接，且所述第二导电件与所述天线结构电连接。8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第一封装层包括背离所述基板的第一顶面，所述第一顶面上设有凸起部，所述凸起部朝向远离所述基板的方向凸出，所述第一导电件的一部分位于所述凸起部内。9.根据权利要求1-8中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述接地层延伸至所述基
板的侧面，所述屏蔽层延伸至所述基板的侧面并与所述接地层电连接。10.根据权利要求1-6中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述基板内设有第一走线层，所述第一走线层延伸至所述基板的侧面；所述封装结构还包括第三导电件，所述第三导电件用于电连接所述天线结构和所述第一走线层，所述第三导电件位于所述第二封装层的外侧。11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述基板还包括第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置，所述基板上设有第二凹槽，所述第二凹槽由所述第一表面朝向所述第二表面凹陷且所述第二凹槽贯穿所述基板的侧面；所述接地层外露于所述第二凹槽的槽内壁，所述屏蔽层的一部分位于所述第二凹槽内并与所述接地层电连接。12.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述第二封装层包括第二顶壁和第二外周壁，所述第二顶壁位于所述第一封装层的背离所述基板的一侧，所述第二外周壁围绕在所述第二顶壁的外周；所述天线结构包括第二天线部，所述第二天线部的至少部分位于所述第二外周壁上。13.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述第二天线部延伸至与所述第二外周壁的背离所述第二顶壁的端面平齐。14.根据权利要求11-13中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第二封装层包括第二顶壁和第二外周壁，所述第二顶壁位于所述第一封装层的背离所述基板的一侧，所述第二外周壁围绕在所述第二顶壁的外周；所述第二外周壁与所述基板的侧面共面。15.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述第二凹槽的槽内壁包括第二槽底壁和第二槽侧壁，所述第二槽底壁的朝向与所述第一表面的朝向相同，所述第二槽侧壁位于所述第一表面和所述第二槽底壁之间；所述基板上设有第三凹槽，所述第三凹槽由所述第二槽底壁朝向所述第二表面凹陷，且所述第三凹槽贯穿所述基板的侧面，所述第三凹槽包括第三槽底壁，所述第三槽底壁的朝向与所述第二槽底壁的朝向相同，所述第一走线层外露于所述第三槽底壁，所述第二封装层的一部分位于所述第三凹槽内。16.一种封装结构的加工方法，其特征在于，包括：提供基板坯件，所述基板坯件包括一个或多个基板，所述基板内设有接地层；在所述基板的第一表面上设置电子元器件，并使所述第一表面上的所述电子元器件与所述基板电连接；在所述第一表面上形成第一封装层，使所述第一表面上的所述电子元器件被所述第一封装层包覆塑封；在所述第一封装层的外表面上形成屏蔽层，并使得所述屏蔽层与所述接地层电连接；在所述屏蔽层的外表面上形成第二封装层，所述第二封装层包括激光敏感塑料；采用激光直接成型技术在所述第二封装层上形成天线结构，并使得所述天线结构与所述基板电连接。17.根据权利要求16所述的加工方法，其特征在于，在所述第一表面上形成所述第一封装层之前，还包括：在所述第一表面上设置第一导电件，并使所述第一导电件与所述基板电
连接。18.根据权利要求16所述的加工方法，其特征在于，所述基板包括第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置，在所述第一封装层的外表面上形成所述屏蔽层之前，还包括：在所述基板上设置第二凹槽，并使得所述接地层外露于所述第二凹槽的槽内壁，其中，所述第二凹槽由所述第一表面朝向所述第二表面凹陷，且所述第二凹槽贯穿所述基板的侧面。19.根据权利要求18所述的加工方法，其特征在于，在所述屏蔽层的外表面上形成所述第二封装层之前，还包括：在所述基板上形成第三凹槽，并使得所述基板内的第一走线层外露于第三凹槽的第三槽底壁，其中所述第三凹槽由所述第二凹槽的第二槽底壁朝向所述第二表面凹陷，且所述第三凹槽贯穿所述基板的侧面，其中，所述第二槽底壁的朝向、所述第三槽底壁的朝向均与所述第一表面的朝向一致。20.一种电子设备，其特征在于，包括：外壳，所述外壳内设有主板；封装结构，所述封装结构为1-15中任一项所述的封装结构，所述封装结构的至少部分位于所述外壳内，且所述封装结构与所述主板电连接。21.根据权利要求20所述的电子设备，其特征在于，所述外壳上设有开口部，封装结构设在所述开口部处，所述封装结构的至少部分表面形成所述电子设备的外表面。22.根据权利要求21所述的电子设备，其特征在于，所述第二封装层的外表面上设有外观覆膜层。

技术总结
本申请提供一种封装结构、封装结构的加工方法和电子设备，涉及封装技术领域，用于提高封装结构的集成度，实现电子设备的小型化设计。该封装结构包括：基板、电子元器件、第一封装层、第二封装层、天线结构和屏蔽层，基板包括第一表面，基板内设有接地层；电子元器件设在第一表面；第一封装层设在第一表面且包裹电子元器件；第二封装层设在第一封装层的外侧，且第二封装层包括激光敏感塑料；天线结构通过激光直接成型技术形成在第二封装层上；屏蔽层设在第一封装层和第二封装层之间，且屏蔽层与接地层电连接。地层电连接。地层电连接。


技术研发人员：郭学平
受保护的技术使用者：荣耀终端有限公司
技术研发日：2022.09.20
技术公布日：2023/9/13