用于基板处理装置的气体供应装置的制作方法

1.本发明涉及一种对基板进行诸如沉积工艺、蚀刻工艺等处理工艺的基板处理装置。


背景技术：

2.通常，为了制造太阳能电池、半导体器件、平板显示器等，需要在基板上形成规定的薄膜层、薄膜电路图案或光学图案。为此，会对基板进行处理工艺，如将特定物质的薄膜沉积在基板上的沉积工艺、通过使用光感物质使薄膜选择性曝光的曝光工艺、去除薄膜中选择性曝光的部分以形成图案的蚀刻工艺等。
3.这样的对于基板的处理工艺是通过基板处理装置来进行的。所述基板处理装置通过使用从气体供应装置供应的气体而对所述基板进行处理工艺。
4.图1为现有技术的气体供应装置的概略结构图。
5.参考图1，现有技术的气体供应装置100包括连接于基板处理装置200的第一供应管路110、连接于所述第一供应管路110的第一气体供应机构120、连接于所述基板处理装置200的第二供应管路130以及连接于所述第二供应管路130的第二气体供应机构140。
6.所述第二气体供应机构140与所述第一气体供应机构120彼此连接。因此，所述第二气体供应机构140及所述第一气体供应机构120相对于所述基板处理装置200以并联结构连接。
7.此时，即使所述第二气体供应机构140及所述第一气体供应机构120中的某一个发生故障或异常运作，也能通过所述第二气体供应机构140及所述第一气体供应机构120中正常运作的另一个继续将气体供应至基板处理装置200。
8.因此，现有技术的气体供应装置100在进行处理工艺的过程中会难以确认所述第二气体供应机构140及所述第一气体供应机构120中的某一个发生的故障或是异常运作，并且，由于在完成所述处理工艺之后通过基板的品质检查来进行确认，会有增加损毁以及损失的问题。


技术实现要素：

9.技术问题
10.本发明为了解决上述问题而提出，其旨在提供用于基板处理装置的气体供应装置，可确认在气体供应机构中发生的故障或异常运作。
11.技术方案
12.为了达成上述目的，本发明可包括下列结构。
13.本发明的用于基板处理装置的气体供应装置可包括：用于将气体供应至第一气体喷射部的第一气体供应部；以及用于将气体供应至第二气体喷射部的第二气体供应部。所述第一气体供应部可包括连接于所述第一气体喷射部的第一供应管路、连接于所述第一供应管路的多个第一气体供应机构以及用于测量所述第一供应管路的第一压力的第一测量
机构。第二气体供应部可包括连接于所述第二气体喷射部的第二供应管路、连接于所述第二供应管路的多个第二气体供应机构以及用于测量所述第二供应管路的第二压力的第二测量机构。所述第一测量机构可确认所述第一压力是否偏离第一基准值。所述第二测量机构可确认所述第二压力是否偏离第二基准值。
14.本发明的用于基板处理装置的气体供应装置可包括：独立地连接于各个气体喷射部的多个供应管路、连接于各个所述供应管路的多个气体供应机构，以及测量各个所述供应管路的压力的多个测量机构。多个所述测量机构可分别确认所述压力是否偏离基准值。
15.有益效果
16.根据本发明，可实现下列效果。
17.本发明在对基板进行处理工艺过程中也能确认气体供应机构中发生的故障或异常运作。因此，本发明可防止在气体供应机构发生故障或异常运作的状态下持续地对基板进行处理工艺，从而减少毁损以及损失。
18.本发明可缩短从气体供应机构中发生故障或异常运作直到进行如修复等后处理所需时间，因此可通过提升基板处理装置的运行率来提高生产性。
附图说明
19.图1为现有技术的气体供应装置的概略结构图。
20.图2为本发明的用于基板处理装置的气体供应装置以及基板处理装置的概略结构图。
21.图3及图4为关于应用本发明的用于基板处理装置的气体供应装置的基板处理装置的实施例的概略侧剖视图。
22.图5为示出本发明的用于基板处理装置的气体供应装置中由第一测量机构测量的第一压力以及由第二测量机构测量的第二压力随时间变化的图。
具体实施方式
23.以下，将参照所附的附图详细说明本发明的用于基板处理装置的气体供应装置的实施例。
24.参考图2，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1将气体供应至基板处理装置200。所述基板处理装置200对基板300进行处理工艺。所述基板300可为硅基板、玻璃基板、金属基板等。所述基板处理装置200可进行将薄膜沉积于所述基板300上的沉积工艺、去除沉积在所述基板300上的薄膜的一部分的蚀刻工艺等。
25.在描述本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1之前，将如下详细描述所述基板处理装置200。
26.参考图3及图4，所述基板处理装置200可包括第一气体喷射部210及第二气体喷射部220。所述第一气体喷射部210及所述第二气体喷射部220将气体喷射到用于对所述基板300进行处理工艺的处理空间中。本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可将气体供应至所述第一气体喷射部210及所述第二气体喷射部220。所述第一气体喷射部210及所述第二气体喷射部220可朝向不同的基板300喷射气体。
27.所述第一气体喷射部210及所述第二气体喷射部220可安装在所述基板处理装置
200的第一工艺腔230中。此时，如图3所示，所述第一气体喷射部210及所述第二气体喷射部220可将气体喷射到所述第一工艺腔230内部的不同的处理区域中。所述第一气体喷射部210及所述第二气体喷射部220可安装于设置在所述第一工艺腔230的顶部的第一盖体230a。支撑所述基板300的第一基板支撑部231可安装于所述第一工艺腔230中。所述气体喷射部210及所述第二气体喷射部220可设置于所述第一基板支撑部231的上侧且可朝向所述第一基板支撑部231喷射气体。此时，可通过第一转动机构232间歇或持续地使所述第一基板支撑部231转动。虽然未图示，但可以有三个以上的气体喷射部安装于所述第一工艺腔230中。此时，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可将气体供应至各个所述气体喷射部。
28.所述第一气体喷射部210可安装在基板处理装置200的第一工艺腔230中，且所述第二气体喷射部220可安装在基板处理装置200的第二工艺腔240中。此时，如图4所示，所述第一气体喷射部210可将气体喷射到所述第一工艺腔230的内部。所述第一气体喷射部210可安装于所述第一盖体230a。所述第一基板支撑部231可安装于所述第一工艺腔230中。所述第一气体喷射部210可设置于所述第一基板支撑部231且可朝向所述第一基板支撑部231喷射气体。此时，可通过所述第一转动机构232间歇或持续地使第一基板支撑部231转动。所述第二气体喷射部220可将气体喷射到所述第二工艺腔240的内部。所述第二气体喷射部220可安装于设置在所述第二工艺腔240的顶部的第二盖体240a。支撑所述基板300的第二基板支撑部241可安装于所述第二工艺腔240中。所述第二气体喷射部220可设置于所述第二基板支撑部241的上侧且可朝向第二基板支撑部241喷射气体。此时，可通过第二转动机构242间歇或持续地使所述第二基板支撑部241转动。如上所述，所述基板处理装置200可包括具有独立的处理空间的所述第一工艺腔230及所述第二工艺腔240且因此可实现为集群类型(cluster type)。虽然未图示，但所述基板处理装置200可包括三个以上的工艺腔。此时，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可将气体供应到各个所述工艺腔所具有的气体喷射部。
29.在这种基板处理装置200对所述基板300进行处理工艺时，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可执行将气体供应至所述基板处理装置200的功能。
30.为此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可包括用于将气体供应至所述第一气体喷射部210的第一气体供应部2以及用于将气体供应至所述第二气体喷射部220的第二气体供应部3。所述第一气体供应部2可包括连接于所述第一气体喷射部210的第一供应管路21、连接于所述第一供应管路21的多个第一气体供应机构22以及用于测量所述第一供应管路21的第一压力的第一测量机构23。所述第二气体供应部3可包括连接于所述第二气体喷射部220的第二供应管路31、连接于所述第二供应管路31的多个第二气体供应机构32以及用于测量所述第二供应管路31的第二压力的第二测量机构33。
31.其中，所述第一测量机构23可确认所述第一压力是否偏离第一基准值。所述第二测量机构33可确认所述第二压力是否偏离第二基准值。
32.因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1在多个第一气体供应机构以及多个第二气体供应机构中的某些气体供应机构相对于所述基板处理装置200以并联结构连接的情况下，通过使用所述第一测量机构23及所述第二测量机构33来确认相对于所述基板处理装置200以并联结构连接的第一气体供应机构22及第二气体供应机构32中的某一个
发生的故障或异常运作。举例来说，当相对于所述基板处理装置200以并联结构连接的第一气体供应机构以及第二气体供应机构中的所述第一气体供应机构22发生故障或异常运作时，所述第一测量机构23可基于所述第一压力偏离第一基准值，而确认所述第一气体供应机构22中发生的故障或异常运作。
33.因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1即使在对所述基板300进行处理工艺的过程中也能实时确认所述气体供应机构22、32中发生的故障以及异常运作。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可防止在所述气体供应机构22、32中发生故障或异常运作的状态下持续对所述基板300进行处理工艺，从而减少毁损及损失。并且，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可缩短从气体供应机构22、32中发生故障或异常运作直到进行如修复的后处理所需时间，因此可通过提升所述基板处理装置200的运行率来提高生产性。
34.以下，将参照所附的附图详细说明所述第一气体供应部2及所述第二气体供应部3。
35.参考图2至图5，所述第一气体供应部2将气体供应至所述第一气体喷射部210。所述第一气体供应部2可将用于对所述基板300的处理工艺的工艺气体、用于吹扫的吹扫气体等供应给所述第一气体喷射部210。所述第一气体供应部2可根据工艺流程依序将二种以上的工艺气体供应至所述第一气体喷射部210。举例来说，在所述基板处理装置200进行沉积工艺的情况下，所述第一气体供应部2可将源气体以及反应气体供应至所述第一气体喷射部210。举例来说，在所述基板处理装置200进行蚀刻工艺的情况下，所述第一气体供应部2可将蚀刻气体供应至所述第一气体喷射部210。
36.所述第一气体供应部2可包括所述第一供应管路21、多个所述第一气体供应机构22及所述第一测量机构23。
37.所述第一供应管路21连接于所述第一气体喷射部210。由多个所述第一气体供应机构22供应的气体可通过所述第一供应管路21被供应至所述第一气体喷射部210。所述第一供应管路21可由软管(hose)、配管(pipe)等实现。所述第一供应管路21也可以由形成于规定的结构物的孔实现。
38.多个所述第一气体供应机构22连接于所述第一供应管路21。多个所述第一气体供应机构22可将气体供应至所述第一供应管路21。各个所述第一气体供应机构22可连接于储气机构(未图示)。所述第一气体供应机构22可将从所述储气机构供应的气体供应给所述第一供应管路21，从而可通过所述第一供应管路21将气体供应至所述第一气体喷射部210。所述第一气体供应机构22可各自包括使气体选择性通过的阀体以及质量流量控制器(mass flow controller，mfc)等。各个所述第一气体供应机构22可进一步包括用于增加气体的供应压力的缓冲罐(buffer tank)。多个所述第一气体供应机构22可沿着所述第一供应管路21的设置方向连接于所述第一供应管路21的不同部分。多个所述第一气体供应机构22可供应不同的气体。某些第一气体供应机构22可供应相同的气体，而其余的第一气体供应机构22可供应不同的气体。多个所述第一气体供应机构22可根据控制模块(未图示)的控制而运作，使得规定的气体根据工艺流程以规定的流量范围供应至所述第一气体喷射部210。另一方面，在所述第一气体喷射部210喷射多个不同的源气体以形成复合膜的情况下，这些第一气体供应机构22中的多个第一气体供应机构22可分别将不同的源气体供应至所述第一供
应管路21。此时，该第一气体供应机构22可同时将不同的源气体供应至所述第一供应管路21。如上所述，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可通过各个所述第一气体供应机构22将不同的源气体供应至所述第一供应管路21，从而可精准地控制各个源气体的流量，因而有助于所述基板处理装置200形成具有所需组成比的复合膜。
39.在图2中，所述第一气体供应部2图示为包括三个第一气体供应机构22a、22b、22c，但并不限于此，所述第一气体供应部2也可以包括两个或四个以上的第一气体供应机构22。
40.所述第一测量机构23测量所述第一压力。所述第一压力可为所述第一供应管路21的内部压力，且可根据沿所述第一供应管路21流动的气体的种类以及气体的流量而改变。所述第一测量机构23可确认所述第一压力是否偏离所述第一基准值。可根据应被供应至所述第一气体喷射部210的气体的种类以及气体的流量等，来确定所述第一基准值。所述第一基准值可为通过先前的测试等导出的压力值，且可预先存储在所述第一测量机构23中。所述第一基准值可为单一值。所述第一基准值可为具有上限值以及下限值的范围值。在此情况下，当所述第一压力小于所述第一基准值的下限值时以及当所述第一压力大于所述第一基准值的上限值时，所述第一测量机构23可判断为所述第一压力偏离所述第一基准值。当所述第一压力大于或等于所述第一基准值的下限值且小于或等于第一基准值的上限值时，所述第一测量机构23可判断为所述第一压力没有偏离所述第一基准值而是属于所述第一基准值。所述第一测量机构23可包括压力计。
41.当由所述第一测量机构23确认为所述第一压力偏离所述第一基准值时，多个所述第一气体供应机构22可中断气体的供应。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可进一步减少多个所述第一气体供应机构22中发生的故障或异常运作所导致的毁损以及损失。此时，当确认为所述第一压力偏离所述第一基准值时，所述第一测量机构23可产生第一错误信号后，将所述第一错误信号提供给多个所述第一气体供应机构22。当收到第一错误信号时，多个所述第一气体供应机构22可中断气体的供应。所述第一测量机构23也可以将所述第一错误信号提供给所述控制模块。此时，多个所述第一气体供应机构22可根据所述控制模块的控制而中断气体的供应。所述第一测量机构23也可以将所述第一错误信号提供给所述基板处理装置200。当收到所述第一错误信号时，所述基板处理装置200可中断所述第一气体喷射部210以及与所述第一气体喷射部210相关的部件的运作。当收到所述第一错误信号时，所述基板处理装置200可中断整体运作。
42.所述第一测量机构23也可以确认所述第一压力中的第一气体压力是否偏离所述第一基准值。此时，如图5所示，所述第一气体供应机构22可按照在初期以最大压力供应气体之后使压力逐渐降低的方式来供应气体。在图5中，纵轴与气体的压力有关，而横轴与时间有关。所述第一气体压力可对应于最大压力。所述第一测量机构23可确认所述第一气体压力的大小是否偏离第一基准值。所述第一测量机构23可同时考虑所述第一气体压力的大小以及所述第一气体压力出现的时间点，来确认是否偏离所述第一基准值。
43.所述第一测量机构23可将多个第一气体供应机构22的各自不同的第一基准值与第一压力进行比较。此时，可将各个所述第一气体供应机构22的所述第一基准值设定为彼此不同。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可提高应用于基板处理装置200的通用性，该基板处理装置200通过使用各种气体以及不同流量的气体来对所述基板300进行处理工艺。
44.在对所述基板300进行处理工艺的期间，所述第一测量机构23可持续地确认所述第一压力是否偏离所述第一基准值。当所述工艺气体被供应至所述第一供应管路21时，所述第一测量机构23也可以确认所述第一压力是否偏离所述第一基准值。仅在待测量的气体根据工艺流程通过第一供应管路21供应的情况下，所述第一测量机构23也可以确认所述第一压力是否偏离所述第一基准值。举例来说，在所述第一气体供应部2按照源气体、吹扫气体、反应气体以及吹扫气体的顺序将气体供应至所述第一气体喷射部210的情况下，仅在供应源气体以及反应气体时，所述第一测量机构23可确认所述第一压力是否偏离所述第一基准值。此时，在供应所述吹扫气体时，所述第一测量机构23可无须确认所述第一压力是否偏离所述第一基准值。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可减小由于进行确认所述第一压力是否偏离所述第一基准值的作业而施加于所述第一测量机构23的负荷，因此可延长所述第一测量机构23的使用寿命。工艺流程以及待测量的气体可预先存储在所述第一测量机构23中。
45.参考图2至图5，所述第一气体供应部2可包括第一吹扫机构24。
46.所述第一吹扫机构24将吹扫气体供应至所述第一供应管路21。由所述第一吹扫机构24供应至所述第一供应管路21的吹扫气体可执行将残留在所述第一供应管路21中的气体吹扫的吹扫功能。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可防止所述第一供应管路21被残留在所述第一供应管路21中的气体污染。所述第一吹扫机构24可持续地将吹扫气体供应至所述第一供应管路21。因此，所述第一吹扫机构24可始终具有吹扫功能。在所述第一吹扫机构24持续地将吹扫气体供应至所述第一供应管路21的情况下，由多个所述第一气体供应机构22供应至所述第一供应管路21的气体可与吹扫气体一起被供应至所述第一气体喷射部210。此时，由所述第一吹扫机构24供应的吹扫气体还可以作为协助由所述第一气体供应机构22供应的气体流动的载体气体(carrier gas)。
47.所述第一吹扫机构24可连接于所述第一供应管路21的一端。此时，所述第一供应管路21的另一端可连接于所述第一气体喷射部210。多个所述第一气体供应机构22可在所述第一供应管路21的一端与所述第一供应管路21的另一端之间连接于所述第一供应管路21。因此，所述第一吹扫机构24可设置在能够对由所述第一气体供应机构22供应至所述第一供应管路21的所有气体进行吹扫的位置。所述第一测量机构23可在所述第一吹扫机构24与所述第一气体供应机构22之间连接于所述第一供应管路21。此时，所述第一测量机构23可沿着第一供应管路21的设置方向在所述第一吹扫机构24与设置在最靠近所述第一吹扫机构24之处的第一气体供应机构22之间连接于所述第一供应管路21。举例来说，当以图2为基准时，所述第一测量机构23可在所述第一吹扫机构24与所述第一气体供应机构22c之间连接于第一供应管路21。因此，所述第一吹扫机构24可通过吹扫气体的供应而防止由所述第一气体供应机构22供应至所述第一供应管路21的气体因发生逆流(reverse flow)而朝向所述第一测量机构23侧流动。因此，所述第一吹扫机构24可防止所述第一测量机构23的污染，因而有助于延长所述第一测量机构23的使用寿命。并且，所述第一吹扫机构24可防止所述第一测量机构23的污染，从而有助于提升对所述第一压力的测量值的精准度。
48.在具有所述第一吹扫机构24的情况下，所述第一测量机构23可在除了仅有由所述第一吹扫机构24供应至所述第一供应管路21的吹扫气体流动的情况之外的其他情况下，确认所述第一压力是否偏离所述第一基准值。也就是说，在仅有由所述第一吹扫机构24供应
至所述第一供应管路21的吹扫气体流动的情况下，所述第一测量机构23可无须确认所述第一压力是否偏离所述第一基准值。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可减少施加至所述第一测量机构23的负荷，因此可延长所述第一测量机构23的使用寿命。
49.参考图2至图5，所述第一气体供应部2可包括第一检测机构25。
50.所述第一检测机构25用于从多个所述第一气体供应机构22中检测出喷射了所述第一压力偏离所述第一基准值的气体的所述第一气体供应机构22。当由所述第一测量机构23确认为所述第一压力偏离所述第一基准值时，所述第一测量机构23可将所述第一错误信号提供给所述第一检测机构25。如果收到所述第一错误信号，则所述第一检测机构25可从多个所述第一气体供应机构22中检测出由所述第一测量机构23产生所述第一错误信号时气体的供应。此时，多个所述第一气体供应机构22可将有关供应气体的时间点以及中断气体的供应的时间点的第一运作信息提供给所述第一检测机构25。所述第一检测机构25可根据所述第一错误信号以及所述第一运作信息检测出喷射了所述第一压力偏离所述第一基准值的气体的所述第一气体供应机构22。所述第一检测机构25可通过显示装置(未图示)显示被检测出来的第一气体供应机构22。当检测出喷射了所述第一压力偏离所述第一基准值的气体的第一气体供应机构22时，所述第一检测机构25也可以通过警告装置(未图示)输出警告。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可通过使用所述第一检测机构25来通知工作人员第一气体供应机构22需要如修复等后处理，因此可缩短后处理所需时间。
51.参考图2至图5，所述第二气体供应部3将气体供应至所述第二气体喷射部220。所述第二气体供应部3可将用于对所述基板300进行处理工艺的工艺气体、用于吹扫的吹扫气体等供应给所述第二气体喷射部220。所述第二气体供应部3可根据工艺流程依序将二种以上的工艺气体供应至所述第二气体喷射部220。举例来说，在所述基板处理装置200进行沉积工艺的情况下，所述第二气体供应部3可将源气体以及反应气体供应至所述第二气体喷射部220。举例来说，在所述基板处理装置200进行蚀刻工艺的情况下，所述第二气体供应部3可将蚀刻气体供应至所述第二气体喷射部220。
52.所述第二气体供应部3可包括所述第二供应管路31、多个所述第二气体供应机构32以及所述第二测量机构33。
53.所述第二供应管路31连接于所述第二气体喷射部220。由多个所述第二气体供应机构32供应的气体可通过所述第二供应管路31被供应至所述第二气体喷射部220。所述第二供应管路31可由软管、配管等实现。所述第二供应管路31也可以由形成于规定的结构物的孔实现。
54.多个所述第二气体供应机构32连接于所述第二供应管路31。多个所述第二气体供应机构32可将气体供应至所述第二供应管路31。各个所述第二气体供应机构32可连接于储气机构(未图示)。多个所述第二气体供应机构32可将从储气机构接收的气体供应给所述第二供应管路31，从而可通过所述第二供应管路31将气体供应至所述第二气体喷射部220。所述第二气体供应机构32可各自包括使气体选择性通过的阀体以及质量流量控制器(mfc)。各个所述第二气体供应机构32可进一步包括用于增加气体的供应压力的缓冲罐。所述第二气体供应机构32可沿着所述第二供应管路31的设置方向连接于所述第二供应管路31的不同部分。多个所述第二气体供应机构32可供应不同的气体。某些第二气体供应机构32可供应相同的气体，而其余的第二气体供应机构32可供应不同的气体。多个所述第二气体供应
机构32可根据所述控制模块(未图示)的控制而运作，使得规定的气体根据工艺流程以规定的流量范围被供应到所述第二气体喷射部220。另一方面，在所述第二气体喷射部220将多个不同的源气体喷射以形成复合膜的情况下，这些第二气体供应机构32中的多个第二气体供应机构32可分别将不同的源气体供应至所述第二供应管路31。此时，该第二气体供应机构32可同时将不同的源气体供应至所述第二供应管路31。如上所述，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可通过各个所述第二气体供应机构32将不同的源气体供应至所述第二供应管路31，从而可精准地控制各个源气体的流量，因而有助于所述基板处理装置200形成具有所需组成比的复合膜。
55.在图2中，所述第二气体供应部3图示为包括三个第二气体供应机构32a、32b、32c，但并不以此为限，所述第一气体供应部2也可以包括二个或四个以上的第二气体供应机构32。
56.所述第二测量机构33测量所述第二压力。所述第二测量机构33可包括压力计。所述第二压力可为所述第二供应管路31的内部压力，且可根据沿所述第二供应管路31流动的气体的种类以及气体的流量而改变。所述第二测量机构33可确认所述第二压力是否偏离所述第二基准值。可根据应被供应至所述第二气体喷射部220的气体的种类以及气体的流量，来确定所述第二基准值。所述第二基准值可为通过先前的测试导出的压力值，且可预先存储于所述第二测量机构33中。所述第二基准值可为单一值。所述第二基准值可为具有上限值以及下限值的范围值。此时，当所述第二压力小于所述第二基准值的下限值时以及当所述第二压力大于所述第二基准值的上限值时，所述第二测量机构33可判断为所述第二压力偏离所述第二基准值。当所述第二压力大于或等于所述第二基准值的下限值且所述第二压力小于或等于所述第二基准值的上限值时，所述第二测量机构33可判断为所述第二压力没有偏离所述第二基准值而是属于所述第二基准值。
57.举例来说，在具有以并联结构彼此连接的所述第一气体供应机构22以及所述第二气体供应机构32的情况下，在所述第一气体供应机构22以及所述第二气体供应机构32以正常模式运作的区间ns(如图5所示)内，所述第一压力可属于第一基准值且所述第二压力可属于第二基准值。在此情况下，可由所述第一测量机构23确认所述第一压力属于所述第一基准值，同时可由所述第二测量机构33确认所述第二压力属于所述第二基准值。然而，当因为所述第二气体供应机构32发生故障或异常运作而无法供应气体时，待由所述第二气体供应机构32供应的气体可通过所述第一气体供应机构22被供应至所述第一供应管路21。如上所述，在以并联结构彼此连接的所述第一气体供应机构22及所述第二气体供应机构32中的某一个发生故障或异常运作的区间fs(如图5所示)中，所述第一压力大于所述第一基准值的上限值且所述第二压力小于所述第二基准值的下限值。此时，可由所述第一测量机构23确认所述第一压力偏离所述第一基准值，同时可由所述第二测量机构33确认所述第二压力值偏离所述第二基准值。
58.当由所述第二测量机构33确认为所述第二压力偏离所述第二基准值时，多个所述第二气体供应机构32可中断气体的供应。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可进一步减少多个所述第二气体供应机构32中发生的故障或异常运作所导致的毁损及损失。此时，当确认为所述第二压力偏离所述第二基准值时，所述第二测量机构33可在产生第二错误信号后，将所述第二错误信号提供给多个所述第二气体供应机构32。当收到所述
第二错误信号时，多个所述第二气体供应机构32可中断气体的供应。所述第二测量机构33也可以将所述第二错误信号提供给所述控制模块。此时，多个所述第二气体供应机构32可根据所述控制模块的控制而中断气体的供应。所述第二测量机构33也可以将所述第二错误信号提供给所述基板处理装置200。当收到所述第二错误信号时，所述第二气体喷射部220可中断所述第二气体喷射部220以及与所述第二气体喷射部220相关的部件的运作。当收到所述第二错误信号时，所述基板处理装置200可中断整体运作。
59.所述第二测量机构33也可以确认所述第二压力中的第二气体压力是否偏离所述第二基准值。此时，如图5所示，所述第二气体供应机构32可按照在初期以最大压力供应气体之后使压力逐渐降低的方式来供应气体。所述第二气体压力可对应于最大压力。所述第二测量机构33可确认所述第二气体压力的大小是否偏离所述第二基准值。所述第二测量机构33可同时考虑所述第二气体压力的大小以及所述第二气体压力出现的时间点，来确认是否偏离所述第二基准值。
60.所述第二测量机构33可将多个所述第二气体供应机构32的各自不同的所述第二基准值与所述第二压力进行比较。此时，可将各个第二气体供应机构32的所述第二基准值设定为彼此不同。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可提高应用于基板处理装置200的通用性，该基板处理装置200通过使用各种气体以及不同流量的气体来对所述基板300进行处理工艺。
61.在对所述基板300进行处理工艺的期间，所述第二测量机构33可持续地确认所述第二压力是否偏离所述第二基准值。当所述工艺气体被供应至所述第二供应管路31时，所述第二测量机构33也可以确认所述第二压力是否偏离所述第二基准值。仅在待测量的气体根据工艺流程通过所述第二供应管路31供应的情况下，所述第二测量机构33也可以确认所述第二压力是否偏离所述第二基准值。举例来说，在所述第二气体供应部3按照源气体、吹扫气体、反应气体以及吹扫气体的顺序将气体供应至所述第二气体喷射部220的情况下，仅在供应源气体以及反应气体时，所述第二测量机构33可确认所述第二压力是否偏离所述第二基准值。此时，在供应所述吹扫气体时，所述第二测量机构33可无须确认所述第二压力是否偏离所述第二基准值。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可减小由于进行确认所述第二压力是否偏离所述第二基准值的作业而施加于所述第二测量机构33的负荷，因此可延长所述第二测量机构33的使用寿命。工艺流程以及待测量的气体可预先存储在所述第二测量机构33中。
62.参考图2至图5，所述第二气体供应部3可包括第二吹扫机构34。
63.所述第二吹扫机构34将吹扫气体供应至所述第二供应管路31。由所述第二吹扫机构34供应至所述第二供应管路31的吹扫气体可执行将残留所述第二供应管路31中的气体吹扫的吹扫功能。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可防止所述第二供应管路31被残留在所述第二供应管路31中的气体污染。所述第二吹扫机构34可持续地将吹扫气体供应至所述第二供应管路31。因此，所述第二吹扫机构34可始终具有吹扫功能。在所述第二吹扫机构34持续地将吹扫气体供应至所述第二供应管路31的情况下，由多个所述第二气体供应机构32供应至所述第二供应管路31的气体可与吹扫气体一起被供应至所述第二气体喷射部220。此时，由所述第二吹扫机构34供应的吹扫气体还可以作为协助由所述第二气体供应机构32供应的气体流动的载体气体。
64.所述第二吹扫机构34可连接于所述第二供应管路31的一端。此时，所述第二供应管路31的另一端可连接于所述第二气体喷射部220。多个所述第二气体供应机构32可在所述第二供应管路31的一端与所述第二供应管路31的另一端之间连接于所述第二供应管路31。因此，所述第二吹扫机构34可设置在能够对由上述第二气体供应机构32供应至所述第二供应管路31的所有气体进行吹扫的位置。所述第二测量机构33可在所述第二吹扫机构34与所述第二气体供应机构32之间连接于所述第二供应管路31。此时，所述第二测量机构33可沿着所述第二供应管路31的设置方向所述在第二吹扫机构34与设置在最靠近所述第二吹扫机构34之处的第二气体供应机构32之间连接于所述第二供应管路31。举例来说，当以图2为基准时，所述第二测量机构33可在所述第二吹扫机构34与所述第二气体供应机构32c之间连接于所述第二供应管路31。因此，所述第二吹扫机构34可通过吹扫气体的供应而防止由所述第二气体供应机构32供应至所述第二供应管路31的气体因发生逆流(reverse flow)而朝向所述第二测量机构33侧流动。因此，所述第二吹扫机构34可防止所述第二测量机构33的污染，因而有助于延长所述第二测量机构33的使用寿命。并且，所述第二吹扫机构34可防止所述第二测量机构33的污染，从而有助于提升对所述第二压力的测量值的精准度。
65.在具有所述第二吹扫机构34的情况下，所述第二测量机构33可在除了仅有由所述第二吹扫机构34供应至所述第二供应管路31的吹扫气体流动的情况之外的其他情况下，确认所述第二压力是否偏离所述第二基准值。也就是说，在仅有由上述第二吹扫机构34供应至所述第二供应管路31的吹扫气体流动的情况下，所述第二测量机构33可无须确认所述第二压力是否偏离所述第二基准值。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可减少施加至所述第二测量机构33的负荷，因此可延长所述第二测量机构33的使用寿命。
66.参考图2至图5，所述第二气体供应部3可包括第二检测机构35。
67.所述第二检测机构35用于从多个所述第二气体供应机构32中检测出喷射了所述第二压力偏离所述第二基准值的气体的所述第二气体供应机构32。当由所述第二测量机构33确认为所述第二压力偏离所述第二基准值时，所述第二测量机构33可将所述第二错误信号提供给所述第二检测机构35。如果收到所述第二错误信号，则所述第二检测机构35可从多个所述第二气体供应机构32中检测出由上述第二测量机构33产生所述第二错误信号时气体的供应。此时，多个所述第二气体供应机构32可将有关供应气体的时间点以及中断气体的供应的时间点的第二运作信息提供给所述第二检测机构35。所述第二检测机构35可根据所述第二错误信号以及所述第二运作信息检测出喷射了所述第二压力偏离所述第二基准值的气体的所述第二气体供应机构32。所述第二检测机构35可通过所述显示装置显示被检测出来的第二气体供应机构32。当检测出喷射了所述第二压力偏离所述第二基准值的气体的所述第二气体供应机构32时，所述第二检测机构35也可以通过所述警告装置输出警告。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可通过使用所述第二检测机构35来通知工作人员第二气体供应机构32需要如修复等后处理，因此可缩短后处理所需时间。
68.参考图2至图5，多个所述第一气体供应机构32中的某一个第二气体供应机构32以及多个所述第二气体供应机构22中的某一个第一气体供应机构22可通过第一连接机构11彼此连接。举例来说，所述第一连接机构11可将所述第二气体供应机构32b与所述第一气体供应机构22b连接。此时，所述第二气体供应机构32b以及所述第一气体供应机构22b可供应
相同的气体，例如，可供应累积的气体(pile-up gas)。所述第一连接机构11的一侧可连接于储气机构(未图示)，而另一侧可同时连接于所述第二气体供应机构32b以及所述第一气体供应机构22b。因此，所述第一连接机构11可将从所述储气机构接收的气体同时传递至所述第二气体供应机构32b以及所述第一气体供应机构22b。
69.此时，当由所述第一测量机构23确认为因所述第一气体供应机构22b喷射的气体而导致所述第一压力偏离所述第一基准值时，所述第一连接机构11可调整气体的供应量。举例来说，在所述第一气体供应机构22b以及所述第二气体供应机构32b均正常运作的情况下，当定义由所述第一连接机构11供应的气体的供应量为1时，所述第一连接机构11可将气体的供应量调整成0.5。因此，当所述第一气体供应机构22b中发生故障或异常运作时，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可通过使用所述第一连接机构11来防止所述第二气体供应机构32b供应流量过大的气体。此时，通过使用所述第一连接机构11来调整气体的供应量，基于由所述第二气体供应机构32b供应的气体的所述第二压力可属于所述第二基准值。因此，即使由于在所述第一气体供应机构22b中发生故障或异常运作而中断对所述第一气体喷射部210的气体的供应，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1也能持续地对第二气体喷射部220进行气体的供应。因此，使用所述第二气体喷射部220的处理工艺可在无需中断的情况下进行，因而本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可进一步减小在所述第一气体供应机构22b中发生的故障或异常运作所造成的毁损及损失。
70.此时，当由所述第二测量机构33确认为因所述第二气体供应机构32b喷射的气体而导致所述第二压力偏离所述第二基准值时，所述第一连接机构11可调整气体的供应量。举例来说，在所述第一气体供应机构22b以及所述第二气体供应机构32b均正常运作的情况下，当定义由所述第一连接机构11供应的气体的供应量为1时，所述第一连接机构11可将气体的供应量调整成0.5。因此，当所述第二气体供应机构32b中发生故障或异常运作时，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可通过使用所述第一连接机构11来防止第一气体供应机构22b供应流量过大的气体。此时，通过使用所述第一连接机构11来调整气体的供应量，基于由所述第一气体供应机构22b供应的气体的第一压力可属于所述第一基准值。因此，即使由于在所述第二气体供应机构32b中发生故障或异常运作而中断对上述第二气体喷射部220的气体进行供应，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1也能持续地对所述第一气体喷射部210进行气体的供应。因此，使用所述第一气体喷射部210的处理工艺可在无需中断的情况下进行，因而本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可进一步减小在所述第二气体供应机构32b中发生的故障或异常运作所造成的毁损及损失。
71.在图2中，示出仅有所述第一气体供应机构22b及所述第二气体供应机构32b通过所述第一连接机构11彼此连接，但本发明并不以此为限且通过连接机构(未图示)以并联结构彼此连接的所述第一气体供应机构22及所述第二气体供应机构32也可以是二个以上。此时，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可包括多个所述连接机构。
72.参考图2至图5，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可包括存储部4以及控制部5。
73.所述存储部4累积由所述第一测量机构23及所述第二测量机构33分别测量的压力数据。所述第一测量机构23可在测量所述第一压力后，将所述第一压力提供给所述存储部4。所述第二测量机构33可在测量所述第二压力后，将实施第二压力提供给所述存储部4。所
述存储部4可存储从所述第一测量机构23提供的所述第一压力以及从所述第二测量机构33提供的所述第二压力，从而可累积压力数据。
74.所述控制部5设定所述第一基准值以及所述第二基准值。所述控制部5可使用累积在所述存储部4中的压力数据来改变所述第一基准值以及所述第二基准值。举例来说，在根据由工作人员输入设定的所述第一基准值以及所述第二基准值而供应气体并对所述基板300进行处理工艺之后，当产生对于完成处理工艺的基板300的品质的评价数据时，所述控制部5可基于所述评价数据以及所述压力数据评价所述第一基准值以及所述第二基准值各自的合适性，以改变所述第一基准值以及所述第二基准值。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1随着通过供应气体而对所述基板300重复进行处理工艺而累积评价数据以及压力数据，并且，基于累积评价数据以及压力数据，改变为最适合于该处理工艺的所述第一基准值以及所述第二基准值，从而可有助于进一步提升已完成所述处理工艺的基板300的质量。当所述第一基准值以及所述第二基准值被改变时，所述控制部5可将经改变的所述第一基准值以及所述第二基准值提供给所述第一测量机构23及所述第二测量机构33。
75.另一方面，已描述本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1包括所述第一气体供应部2及所述第二气体供应部3的实施例，但本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1并不限于此，可包括三个以上的气体供应部。此时，所述基板处理装置200可包括三个以上的气体喷射部。因此，本发明的用于基板处理装置的气体供应装置1可包括独立地连接于各个气体喷射部的多个供应管路、连接于各个所述供应管路的多个气体供应机构以及测量各个所述供应管路的压力的多个测量机构。多个所述测量机构可分别确认所述压力是否偏离基准值。
76.上述本发明并不以上述实施例及附图为限，且本领域的技术人员将清楚意识到当可在不脱离本发明的精神及范围的情况下进行各种修改、变形及替换。

技术特征：
1.一种用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，包括：第一气体供应部，用于将气体供应至第一气体喷射部；以及第二气体供应部，用于将气体供应至第二气体喷射部，其中，所述第一气体供应部包括连接于所述第一气体喷射部的第一供应管路、连接于所述第一供应管路的多个第一气体供应机构以及用于测量所述第一供应管路的第一压力的第一测量机构，所述第二气体供应部包括连接于所述第二气体喷射部的第二供应管路、连接于所述第二供应管路的多个第二气体供应机构以及用于测量所述第二供应管路的第二压力的第二测量机构，所述第一测量机构确认所述第一压力是否偏离第一基准值，所述第二测量机构确认所述第二压力是否偏离第二基准值。2.根据权利要求1所述的用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，所述第一气体供应部包括将吹扫气体供应至所述第一供应管路的第一吹扫机构。3.根据权利要求2所述的用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，所述第一吹扫机构持续地将吹扫气体供应至所述第一供应管路。4.根据权利要求2所述的用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，所述第一测量机构在所述第一吹扫机构与所述第一气体供应机构之间连接于所述第一供应管路。5.根据权利要求2所述的用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在干，当工艺气体被供应至所述第一供应管路时，所述第一测量机构确认所述第一压力是否偏离所述第一基准值。6.根据权利要求1所述的用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，进一步包括：控制部，设定所述第一基准值以及所述第二基准值；以及存储部，累积由所述第一测量机构及所述第二测量机构分别测量的压力数据，所述控制部使用所述存储部中累积的所述压力数据来改变所述第一基准值及所述第二基准值。7.根据权利要求1所述的用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，所述第一测量机构确认所述第一压力中的第一气体压力是否偏离所述第一基准值。8.根据权利要求1所述的用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，所述第一测量机构将多个所述第一气体供应机构的各自不同的所述第一基准值与所述第一压力进行比较。9.根据权利要求1所述的用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，当由所述第一测量机构确认为所述第一压力偏离所述第一基准值时，多个所述第一气体供应机构中断气体的供应。10.根据权利要求1所述的用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，所述第一气体供应部包括第一检测机构，所述第一检测机构用于从多个所述第一气体供应机构中检测出喷射了所述第一压力偏离所述第一基准值的气体的所述第一气体供应机构。
11.根据权利要求1所述的用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，多个所述第一气体供应机构中的某一个第一气体供应机构以及多个所述第二气体供应机构中的某一个第二气体供应机构通过第一连接机构彼此连接，当由所述第一测量机构确认为因连接于所述第一连接机构的所述第一气体供应机构所喷射的气体而导致所述第一压力偏离所述第一基准值时，所述第一连接机构调整气体的供应量。12.根据权利要求1所述的用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，所述第一气体供应部以及所述第二气体供应部将气体供应至安装在基板处理装置的第一工艺腔中的所述第一气体喷射部以及所述第二气体喷射部。13.根据权利要求1所述的用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，所述第一气体供应部将气体供应至安装在基板处理装置的第一工艺腔中的所述第一气体喷射部，所述第二气体供应部将气体供应至安装在基板处理装置的第二工艺腔中的所述第二气体喷射部。14.一种用于基板处理装置的气体供应装置，其特征在于，包括：多个供应管路，独立地连接于各个气体喷射部；多个气体供应机构，连接于各个所述供应管路；以及多个测量机构，测量各个所述供应管路的压力，多个所述测量机构分别确认所述压力是否偏离基准值。

技术总结
本发明关于一种用于基板处理装置的气体供应装置，其包括连接于第一气体喷射部的第一供应管路、连接于所述第一供应管路的多个第一气体供应机构、用于测量所述第一供应管路的第一压力的第一测量机构、连接于第二气体喷射部的第二供应管路、连接于所述第二供应管路的多个第二气体供应机构以及用于测量所述第二供应管路的第二压力的第二测量机构，其中，所述第一测量机构确认所述第一压力是否偏离第一基准值，所述第二测量机构确认第二压力是否偏离第二基准值。离第二基准值。离第二基准值。


技术研发人员：陈世焕 卢载盛 尹弘旻 尹洪守 张允柱 赵炳夏 曹知铉
受保护的技术使用者：周星工程股份有限公司
技术研发日：2022.01.12
技术公布日：2023/9/13