芯片ESD击伤检测治具及击伤检测方法与流程

芯片esd击伤检测治具及击伤检测方法
技术领域
1.本发明涉及芯片检测领域，具体涉及一种针对显示设备的驱动芯片esd击伤检测治具及其检测方法。


背景技术：

2.随着科技的发展，显示设备在生产生活中占据着大量的使用场景，而在显示设备中，tft产品的应用十分广泛，因此，tft产品的质量控制至关重要，在生产环节，需要对每一块tft产品进行芯片工作状态的检测，通常采用制造工厂的电测治具进行检测，然而通过检测的产品在用户端仍然报告有大量的显示异常的产品，在对显示异常的产品进行重新检测后发现，有大量产品的显示驱动芯片存在击伤现象，而这些击伤现象在现有的电测治具上无法检出，经排查后发现，现在的电测治具及检测程序存在较多问题，制造工厂的电测治具的驱动能力较强，而用户设备的驱动能力较弱，通电后存在击伤情况的产品无法显示，如在检测的过程中，现有的电测治具未对产品的工作电流作监控，导致在此种电测治具下，产品可以显示，但是存在因芯片esd击伤而导致漏电的问题，而在用户使用时，由于驱动的不同，会导致产品异常，同时，现有较多的通过摄像观察显示状况的工序无法解决上述问题，且新品的esd击伤情况无法通过常规的显微观察发现，因此，可以快速排除漏电产品的新型检测治具具有极大的开发需求。


技术实现要素：

3.针对上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种芯片esd击伤检测治具及击伤检测方法，达到快速筛选出因存在芯片esd击伤而导致漏电存在的残次品的目的。
4.为实现上述目的，本发明提供了一种芯片esd击伤检测治具，包括：
5.电测治具，所述电测治具包括处理器，所述处理器内置设置有用于对异常电流数据进行报警的报警程序；
6.高精度电流盒，所述高精度电流盒与所述处理器通信连接，用于将检测到的电流数据传输至处理器；
7.转接fpc，所述转接fpc的一端与所述高精度电流盒通信连接，fpc的另一端电连接至待检测产品。
8.进一步，所述电流数据包括工作模式电流数据和睡眠模式电流数据。
9.进一步，还包括万用表，所述万用表用于测量所述转接fpc的mipi引脚的对地阻抗。
10.进一步，所述报警程序包括白色显示模式电流上限触发条件和睡眠模式电流上限触发条件。
11.进一步，还包括蜂鸣器，所述蜂鸣器与所述处理器电连接，以实现在报警程序被触发时，蜂鸣器工作。
12.本实施例还公开了一种芯片击伤的检测方法，包括以下步骤：
13.s1：将待检测产品与转接fpc连接；
14.s2：读取当前检测产品不同状态的电流数据；
15.s3：判断电流数据是否满足报警程序要求；
16.s4：若当前检测产品触发报警程序，则测量转接fpc的mipi引脚的对地阻抗，并通过对地阻抗数值判断当前产品状态，若当前检测产品未触发报警程序，则当前检测产品合格。
17.进一步，步骤s2中，读取当前检测产品不同状态下的电流数据包括以下步骤：
18.s21：将当前检测产品调整至白色显示模式，并读取当前模式下的电流数据；
19.s22：将当前检测产品调整至睡眠模式，并读取当前模式下的电流数据。
20.进一步，步骤s4中，通过对地阻抗数值判断当前检测产品是否合格的方法包括以下步骤：
21.s41：若当前对地阻抗数值为kω级别，则当前检测产品为残次品，否则为异常品；
22.s42：对异常品重复执行s2-s4，若重复执行时仍触发报警程序，则当前异常品为残次品，否则当前异常品合格。
23.本发明的有益效果是：
24.1、通过加入高精度电流盒，可以实现对不同工作状态下的产品的电流进行实时监控，可以直观的了解当前产品是否存在问题，同时内置了设置有产品不同工作状态下的上限电流值，可以在电流异常时进行报警，可以配合高精度电流盒快速地将残次品挑出。
25.2、通过在检测治具集成万用表，可以在触发报警程序时，通过万用表对当前报警产品进行二次验证，避免非芯片esd击伤产品被筛出。
附图说明
26.附图示出了本发明的示例性实施方式，并与其说明一起用于解释本发明的原理，其中包括了这些附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图包括在本说明书中并构成本说明书的一部分。
27.图1为本实施例击伤检测治具的结构示意图；
28.图2为本实施例击伤检测方法流程示意图；
29.图3为本实施例中高精度电流盒读取电流数据的方法流程示意图；
30.图4为本实施例中报警程序通过电流数据判断是否超出上限的方法流程示意图；
31.图5为本实施例中通过对地阻抗数值进行二次确认的方法流程示意图。
32.附图标记：
33.1、电测治具；2、处理器；3、高精度电流盒；4、转接fpc；5、万用表。
具体实施方式
34.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释相关内容，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分。
35.需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
36.参考图1，一种芯片esd击伤检测治具，用于检测显示面板(产品)的驱动芯片是否存在击伤情况，具体的，通过检测显示面板的工作电流大小判断是否存在因芯片击伤导致mipi通道阻抗变小，漏电流发生。为实现该效果，本实施例公开的检测治具包括电测治具1，电测治具1连接至5v电源，电测治具1内设置有处理器2和蜂鸣器，处理器2内写入设置有用于对异常电流数据进行报警的报警程序，为满足检测的使用范围，报警程序包括针对显示面板白色显示模式和睡眠模式下的电流上限。具体来说，当显示面板处于白色显示模式时，工作电流若超出125ma，则当前显示面板存在异常，蜂鸣器报警，当面板处于睡眠模式时，电流若超出90ua，则当前显示面板存在异常，蜂鸣器报警。为实现电流数据的精准采集，检测治具中还设置有高精度电流盒3，其通信连接有转接fpc4，并通过转接fpc4连接至显示面板，可以实现对显示面板的实时电流进行采集，并将实时电流数据传输至处理器2，处理器2根据其内部的报警程序对当前的电流值进行实时检测。高精度电流盒3还集成有显示器，可以实时显示当前的电流数值，便于技术人员进行判断。同时为保证电流检测过程的准确性，需要对触发报警程序的现实面板进行二次确认，为实现二次确认过程，本实施例的检测治具还包括万用表5，万用表5可以是内嵌式也可以是分离式，使用场景更加广泛。具体来说，当有显示面板触发报警程序时，通过万用表5测量与显示面板连接的转接fpc4的mipi引脚的对地阻抗，并通过对地阻抗的数值判断当前显示面板是否为残次品，具体的，当测出的对地阻抗为kω级别，则当前检测产品为发生芯片esd击伤的残次品，当测出的对地阻抗为mω级别，则当前检测产品为合格品。
37.参考图2，本实施例进一步公开了具体的击伤检测方法，包括以下步骤：
38.s1：将待检测产品与转接fpc4连接。
39.s2：通过高精度电流盒3读取当前检测产品不同状态的电流数据，并将多个电流数据传输至处理器2。
40.其中，高精度电流盒3读取不同状态的电流数据包括以下步骤：
41.s21：将当前检测产品调整至白色显示模式，并读取当前模式下的电流数据；
42.s22：将当前检测产品调整至睡眠模式，并读取当前模式下的电流数据。
43.s3：处理器2调用内部的报警程序，分别判断不同模式下多个电流数据是否满足报警程序要求。
44.其中，具体的判断流程包括以下步骤：
45.s31：在白色显示模式下，若读取的多个电流数据中，存在至少一个超过本实施例中设置的125ma，则当前检测产品出现异常；
46.s32：在睡眠模式下，若读取的多个电流数据中，存在至少一个超过本实施例中设置的90ua，则当前检测产品出现异常。
47.s4：若当前检测产品任一模式下对应的实时电流数据触发报警程序，则测量转接fpc4的mipi引脚的对地阻抗，并通过对地阻抗数值判断当前产品状态，若当前检测产品未触发报警程序，则当前检测产品合格。
48.其中，通过对地阻抗数值判断当前检测产品是否合格的方法包括以下步骤：
49.s41：若当前对地阻抗数值为kω级别，则当前检测产品为残次品，否则为异常品；
50.s42：对异常品重复执行s2-s4，若重复执行时仍触发报警程序，则当前异常品为残次品，否则当前异常品合格。
51.本领域的技术人员应当理解，上述实施方式仅仅是为了清楚地说明本发明，而并非是对本发明的范围进行限定。对于所属领域的技术人员而言，在上述发明的基础上还可以做出其它变化或变型，并且这些变化或变型仍处于本发明的范围内。

技术特征：
1.一种芯片esd击伤检测治具，其特征在于，包括：电测治具，所述电测治具包括处理器，所述处理器内置设置有用于对异常电流数据进行报警的报警程序；高精度电流盒，所述高精度电流盒与所述处理器通信连接，用于将检测到的电流数据传输至处理器；转接fpc，所述转接fpc的一端与所述高精度电流盒通信连接，fpc的另一端电连接至待检测产品。2.根据权利要求1所述的检测治具，其特征在于，所述电流数据包括工作模式电流数据和睡眠模式电流数据。3.根据权利要求2所述的检测治具，其特征在于，还包括万用表，所述万用表用于测量所述转接fpc的mipi引脚的对地阻抗。4.根据权利要求1所述的检测治具，其特征在于，所述报警程序包括白色显示模式电流上限触发条件和睡眠模式电流上限触发条件。5.根据权利要求4所述的检测治具，其特征在于，还包括蜂鸣器，所述蜂鸣器与所述处理器电连接，以实现在报警程序被触发时，蜂鸣器工作。6.一种芯片击伤检测方法，应用于如权利要求1-6任一所述的检测治具，其特征在于，包括以下步骤：s1：将待检测产品与转接fpc连接；s2：读取当前检测产品不同状态的电流数据；s3：判断电流数据是否满足报警程序要求；s4：若当前检测产品触发报警程序，则测量转接fpc的mipi引脚的对地阻抗，并通过对地阻抗数值判断当前产品状态，若当前检测产品未触发报警程序，则当前检测产品合格。7.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，步骤s2中，读取当前检测产品不同状态下的电流数据包括以下步骤：s21：将当前检测产品调整至白色显示模式，并读取当前模式下的电流数据；s22：将当前检测产品调整至睡眠模式，并读取当前模式下的电流数据。8.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，步骤s4中，通过对地阻抗数值判断当前检测产品是否合格的方法包括以下步骤：s41：若当前对地阻抗数值为kω级别，则当前检测产品为残次品，否则为异常品；s42：对异常品重复执行s2-s4，若重复执行时仍触发报警程序，则当前异常品为残次品，否则当前异常品合格。

技术总结
本发明公开了一种芯片ESD击伤检测治具及击伤检测方法，检测治具包括电测治具，其内置有用于对异常电流数据报警的报警程序，还包括高精度电流盒，与处理器通信连接，用于将电流数据传输至处理器，还包括转接FPC，其一端与高精度电流盒通信连接，另一端电连接至待检测产品。检测方法包括：将产品与转接FPC连接；读取产品电流数据；S3：判断电流数据是否满足报警程序要求；S4：若触发报警程序，则测量转接FPC的MIPI引脚的对地阻抗，并通过对地阻抗数值判断当前产品状态，否则产品合格。高精度电流盒可以实现对不同工作状态下的产品的电流进行实时监控，报警程序在电流异常时报警，然后万用表对当前报警产品进行二次验证，避免非芯片ESD击伤产品被筛出。ESD击伤产品被筛出。ESD击伤产品被筛出。


技术研发人员：刘芳秀 吴磊 刘宏俊 王斌
受保护的技术使用者：苏州清越光电科技股份有限公司
技术研发日：2023.05.29
技术公布日：2023/9/14