一种用于硅片表面去BSG的设备的制作方法

一种用于硅片表面去bsg的设备
技术领域
1.本发明涉及硅片加工设备技术领域，具体包括一种用于硅片表面去bsg的设备。


背景技术：

2.n型topcon电池结构中，电池正面是通过掺杂硼源制作pn结的；高效率的太阳能电池需要低表面浓度的发射极，硼扩过程中不可避免的形成一层没有活性的富硼层，同时为了保护电池正面在后续工序不被破坏，需要很长的氧化时间形成bsg(硼硅玻璃)层，bsg层较厚，比较难处理。
3.目前，在n型topcon电池制备过程中，对于bsg层的去除，是采用链式滚轮酸洗进行去除，传统的用于链式滚轮酸洗去除硅片表面bsg层的设备一般都是直接将用于清洗硅片表面bsg层的酸洗槽和链式滚轮传送装置相结合，然后针对硅片在酸洗清除表面bsg层之前的准备工作以及在酸洗清除表面bsg层之后的处理工作都需要另行处理，因为针对一些工艺，只需要清除硅片单面的bsg层，而另一面需要保留，这就需要在进行酸洗之前对保留面进行保护隔离，同时在硅片酸洗去除bsg层后还需要进行后续的清洗以及烘干，但是现阶段传统的设备无法将上述针对硅片的一系列处理过程进行整合并实现流水作业，从而导致硅片酸洗清除bsg层的效率很低，进一步影响了产品的生产进程。
4.应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本发明的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本发明的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。


技术实现要素：

5.为克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种用于硅片表面去bsg的设备，能实现对硅片表面进行去除bsg的一整套工艺流程，自动化程度高，有效地解决传统硅片表面去除bsg处理流程长，效率低的技术问题。
6.为了达到以上目的，本发明采用的技术方案是：一种用于硅片表面去bsg的设备，其包括：输送组件，所述输送组件包括由若干根滚筒直线排布组成的输送辊道，硅片在输送辊道上进行输送；镀膜组件，所述镀膜组件包括位于所述输送辊道上方的喷淋管，所述喷淋管喷出纯水在硅片正面形成水膜；去bsg组件，所述去bsg组件包括浸液槽，所述浸液槽内有氢氟酸溶液，所述输送辊道位于所述浸液槽内部，且硅片经过所述浸液槽时浸入氢氟酸溶液内以去除其背面的bsg层；清洗组件，所述清洗组件包括喷水管，所述喷水管与所述输送辊道的滚筒互相平行，所述喷水管上设置有喷头，所述喷头喷水对硅片表面进行冲洗；烘干组件，所述烘干组件包括位于所述输送辊道上方的风管，所述风管吹出热风
对经过的硅片进行烘干。
7.本发明的有益效果为：本方案设计的一种用于硅片表面去bsg的设备，可自动完成对硅片的输送、正面镀水膜保护、背面去除bsg层、表面清洗以及表面烘干，能实现对硅片表面进行去除bsg的一整套工艺流程，自动化流水作业，工作效率高，自动化程度高。
8.本发明设计的一种用于硅片表面去bsg的设备，主要的工作流程为：先将硅片放置在输送辊道移动，由于只需要对硅片背面的bsg层进行去除，所以为了避免硅片正面的bsg层受到损坏，通过镀膜组件在硅片的正面镀一层水膜，对其进行保护；当硅片移动到镀膜组件的喷淋管下方时，通过传感器感应到硅片，然后喷淋管对着硅片正面喷纯水，从而使硅片的正面形成一层水膜；硅片的正面在镀完水膜后，通过输送辊道移动至浸液槽，浸液槽内有氢氟酸溶液，同时氢氟酸溶液的液面超过了输送辊道上硅片的高度，使硅片在移动过程中整体是浸在氢氟酸溶液中的，由于硅片的正面事先镀了水膜，所以不受氢氟酸溶液的影响，氢氟酸溶液从而有效地去除硅片背面的bsg层；硅片背面在去除bsg层后，通过输送辊道移动至清洗组件处，通过清洗组件清洗硅片表面残留的药液；当硅片移动至喷水管的下方时，喷水管向硅片喷纯水，从而对硅片的表面进行清洗，将硅片表面残留的药液清洗掉；硅片在通过喷纯水清洗后，硅片的表面会残留纯水，所以需要对硅片进行烘干，通过风管对着硅片吹热风，从而对硅片进行烘干，去除硅片上的水，烘干后的硅片从输送辊道的出料端出料，完成整个处理工作。
9.为了保证能够完全去除硅片背面的bsg层，还可以设置两组对应的镀膜+去除bsg结构，这样可以有效地提高硅片背面的bsg层去除率；具体为：硅片先移动至第一个镀膜组件处，通过喷淋管先对硅片正面镀一层水膜，然后硅片移动至浸液槽内，通过浸液槽的氢氟酸溶液先对硅片的背面进行第一次去除bsg层的工作；由于在此过程中硅片需要浸入氢氟酸溶液中，所以硅片第一次镀的水膜已经不存在，所以硅片继续向前移动至第二个镀膜组件处，通过此处的喷淋管再次对硅片的正面镀一层水膜，最后硅片移动至第二个浸液槽内，通过浸液槽的氢氟酸溶液再次对硅片的背面进行第二次去除bsg层的工作。
10.进一步地，所述滚筒的一端设置有转轴，所述转轴通过连接驱动电机实现转动，所述转轴上设置有若干个主动伞齿，每个所述滚筒的端部都设置有被动伞齿，一个主动伞齿对应与一个被动伞齿啮合，所述转轴转动可带动若干个滚筒实现同步转动；将成批量的硅片依次放置在输送辊道的滚筒上，通过电机驱动转轴转动，电机和转轴之间通过联轴器连接，当转轴转动时，转轴上的所有主动伞齿同步转动，而与每个主动伞齿对应啮合的被动伞齿也同步转动，从而使被动伞齿带着与其各自对应的滚筒进行转动，实现硅片在输送辊道上移动。
11.进一步地，位于所述输送辊道两端进料部位和出料部位的滚筒上都设置有限位结构，所述限位结构包括两个左右对称的限位挡块，两个限位挡块之间的区域为硅片的移动区域；由于硅片在输送辊道上移动时会出现位置偏移的情况，比如硅片倾斜，如果硅片位置偏移会导致后续的镀膜、去除bsg等工艺出现偏差，另外，输送辊道上是多块硅片同时进行移动，位置偏移可能会导致并排相邻的两个硅片出现碰撞，所以在滚筒上设置两个左右对称的限位挡块，同一排的硅片只能在一组对称的两个限位挡块之间进行移动，从而对硅片
的移动起到很好的限位作用。
12.进一步地，在所述硅片的移动区域内还设置有两个导向套，且两个所述导向套分别与两个所述限位挡块连接，且所述导向套上带有向所述硅片的移动区域中心点倾斜的导向斜面；当硅片出现左右倾斜（即左右存在高度差）的情况时，可以通过导向套上倾斜的导向斜面使硅片重新回到正面位置，有效地消除硅片左右倾斜的情况进一步地，所述喷淋管与所述滚筒互相平行且位于所述输送辊道的上方，所述喷淋管的底部沿其轴向均匀开设有若干个喷淋口，所述喷淋口对准所述输送辊道；当硅片移动到镀膜组件的喷淋管下方时，通过传感器感应到硅片，然后喷淋管上的喷淋口同时对着硅片的正面喷纯水，从而使硅片的正面形成一层水膜，喷淋管通过连接外部水源和水泵实现供水。
13.进一步地，所述镀膜组件还包括进水管，所述进水管位于所述喷淋管的上方且与其互相平行，所述进水管上沿其轴向均匀设置有若干个上接头，所述喷淋管上沿其轴向均匀设置有若干个下接头，一个上接头对应与一个下接头连通。
14.进一步地，所述上接头和下接头之间还设置有调压阀，所述上接头与调压阀、下接头与调压阀之间都通过管道进行连接；外部的纯水通过水泵先进入进水管内，在进水管内的纯水会均匀通过进水管上的所有上接头，而通过上接头的水需要先通过调压阀，调压阀可以调节水压，进而调节纯水喷淋的流量，纯水在经过调压阀后通过管道和下接头进入喷淋管内，最后再从喷淋管上开设的喷淋口喷出，此种结构可以调节纯水喷淋的流量，以保证硅片正面镀水膜的效果；另外，上接头和调压阀、下接头和调压阀之间都是通过水管进行连接，水管可以拆卸，方便后续对设备进行维修和保养。
15.进一步地，所述浸液槽中间区域的底部开设有进液口，所述进液口通过管道和液泵连通储液箱；同时，所述浸液槽内的两个端部设置有两块液位挡板，且在所述浸液槽两侧底部都开设有回液口，所述回液口通过管道连通所述储液箱；由于浸液槽内的氢氟酸溶液会不断与硅片表面的bsg层发生反应，从而使浸液槽内的氢氟酸溶液中的杂质越来越多，如果浸液槽内的氢氟酸溶液是固定不流通的，那么随着设备的不间断运行，后续进入浸液槽内的硅片去除bsg层的效果会越来越差，从而影响硅片的质量；所以，通过设置一个储液箱，储液箱内存放大量的氢氟酸溶液，通过液泵不断往浸液槽内输入氢氟酸溶液；同时，在浸液槽内的两个端部设置有两块液位挡板，当浸液槽中间区域内的氢氟酸溶液越来越多时，液位达到一定的高度后，多出的氢氟酸溶液会越过液位挡板进入浸液槽的两端区域，液位挡板可以让浸液槽中间区域内的氢氟酸溶液保持固定的量，硅片就浸在浸液槽的中间区域，而多出的氢氟酸溶液会从浸液槽两端的回液口通过管道回到储液箱内，这样便形成了浸液槽和储液箱内的氢氟酸溶液循环流通。
16.进一步地，所述进液口与所述储液箱连接的管道上设置有过滤器；由于浸液槽内的氢氟酸溶液和储液箱内的氢氟酸溶液实现了循环流通，所以氢氟酸溶液内的杂质也会回流至储液箱内，所以在氢氟酸溶液的进液口与储液箱连接的管道上设置过滤器，通过过滤器对氢氟酸溶液中的杂质进行过滤，从而保证再次进入浸液槽内的氢氟酸溶液中不会出现含有大量杂质的过程，进而有效地提高氢氟酸溶液对硅片表面bsg层的去除率，另外，由于硅片是全部浸入氢氟酸溶液中的，所以这样也可以有效地避免杂质残留在硅片的表面，保证硅片的质量。
17.进一步地，所述挡液板的顶部为波浪形，且顶部的板边向上倾斜的斜面；将挡液板的顶部设置成波浪形，可以使氢氟酸溶液从波浪形下凹部位通过，同时挡液板顶部的板边设置成向上倾斜的斜面，斜面可以对氢氟酸溶液起到导流作用。
18.进一步地，所述喷水管包括位于所述输送辊道上方的上喷水管、位于所述输送辊道下方的下喷水管，所述上喷水管上的喷头有若干个且沿其轴向均匀布设，对硅片的正面进行喷水冲洗；所述下喷水管上的喷头有若干个且沿其轴向均匀布设，对硅片的背面进行喷水冲洗；由于硅片在去除背面bsg层时，整个硅片都浸在氢氟酸溶液，所以硅片在清洗表面残留的药液时需要对其正面和背面同时进行清洗，所以在输送辊道的上方设置了上喷水管，在输送辊道的下方设置了下喷水管，喷水管上开设有多个喷头，当硅片经过时，上喷水管上的喷头和下喷水管上的喷头同时喷水，从而对硅片的正面和背面进行同时清洗，从而有效地提高硅片清洗的效果；上述的结构可以设置多组上下对应的上喷水管和下喷水管，从而有效地提高硅片的清洗效果；但是，此结构需要耗费大量的纯水，所以可以选择上喷水管和下喷水管上下对应为一组以及单个喷水管为一组来进行混用的方式，具体为：在前两排只设置两排上喷水管，当硅片经过时对硅片的正面进行喷水清洗，因为硅片的背面需要支撑在滚筒上，所以上喷水管的喷洗效果是优于下喷水管的，然后在最后一排设置上喷水管和下喷水管上下对应为一组的结构来对硅片进行最后的清洗。
19.进一步地，位于所述清洗组件区域的输送辊道上方设置有与其滚筒上下对应的压辊，硅片从压辊和滚筒之间通过；由于硅片在清洗时，上喷水管和下喷水管会同时对硅片进行喷水清洗，再此过程中很容易会导致硅片发生位置偏移，特别是下喷水管，如果喷头的喷水冲击力过大，很容易发生硅片从输送辊道上掉落的情况，所以在输送辊道上方设置有与其滚筒上下对应的压辊，压辊可以压在硅片的上表面，从而对硅片起到限位作用，避免出现上述的情况，另外，压辊的端部与滚筒的端部通过齿轮组进行连接，这样压辊可以与滚筒实现反方向的同步转动，这样可以对硅片的移动起到推动作用。
20.进一步地，所述上喷水管和所述下喷水管都通过管道和水泵与纯水箱连通；当硅片移动至喷水管处时，传感器感应到硅片，水泵工作，将纯水箱内的纯水输送至上喷水管和下喷水管内，然后上喷水管的喷头、下喷水管的喷头分别朝着硅片的正面以及背面喷水，从而对硅片的表面进行清洗，将硅片表面残留的药液清洗掉。
21.进一步地，所述清洗组件区域的送料辊道下方设置有回流槽，所述回流槽的槽底部均匀开设有若干个回液孔，所述纯水箱位于所述回流槽的下方，所述回流槽内的纯水通过回液孔回流至所述纯水箱内；上述的上喷水管和下喷水管在同时对硅片进行喷水冲洗时需要耗费大量的纯水，而上喷水管和下喷水管内的水都是通过水泵往纯水箱内抽取得来，如果不对纯水进行循环使用，则需要一直往纯水箱内添加纯水，这样会增加设备运行的繁琐度，同时也造成大量纯水的浪费，所以在硅片清洗的区域下方设置一个回流槽，在回流槽的底部开设回流孔，上喷水管和下喷水管喷出的纯水进入回流槽内后再通过回流孔回流至纯水箱内，这样就能实现纯水箱内的纯水循环利用；另外，纯水在对硅片进行冲洗时，硅片表面很有可能还残留有少量的杂质，这些杂质会混入纯水中，为了避免循环利用的纯水在从上喷水管和下喷水管中喷出时含有杂质，也可以在纯水箱和上喷水管、下喷水管连接的管道上设置过滤器3.7，用于过滤纯水中的杂质。
22.进一步地，所述风管包括上风管和下风管，所述上风管和所述下风管上下对应设
置且都与所述滚筒互相平行，所述上风管与所述下风管之间的间隙为风道，相邻的两个滚筒分别位于所述风道的两侧，所述上风管底部对准风道的部位、所述下风管顶部对准风道的部位均开设有吹风口；同时，上风管和下风管都连接热风机。
23.当硅片移动至上风管和下风管之间时，传感器感应到硅片，热风机开始工作，热风机产生的热风传导至上风管和下风管内，上风管和下风管上开设的吹风口同时对着硅片吹热风，从而对硅片进行烘干，去除硅片上的水；此烘干组件可以同时对硅片正面和背面进行吹风烘干，上风管和下风管之间的风道与输送辊道的输送路径在一条直线上，从输送辊道上通过硅片可以正好穿过风道。
24.由于硅片在进行冲洗表面残留的药液后其表面会残留纯水，所以需要对硅片进行烘干，硅片表面的水分主要集中在正面和背面，所以为了保证烘干的效果可以同时对硅片的正面和背面进行吹热风烘干。
25.当硅片在输送辊道移动并穿过上风管和下风管之间的风道，热风机工作产生的热风通过管道进入上风管和下风管内，上风管和下风管再从各自开设的风孔处将热风吹出，由于风道的上下两个侧边上都开设有风孔，所以当硅片经过时可以同时对硅片的正面和背面同时吹热风烘干，从而提高烘干的效果。
附图说明
26.图1为本发明设备的整体视图。
27.图2为本发明实施例1的设备整体各组件分布示意图。
28.图3为本发明实施例2的设备整体各组件分布示意图。
29.图4为本发明实施例3的输送辊道结构示意图。
30.图5为本发明实施例4的镀膜组件结构示意图。
31.图6为本发明实施例5的去bsg组件结构原理示意图。
32.图7为本发明实施例5的挡液板结构示意图。
33.图8为本发明实施例6的清洗组件结构原理示意图1。
34.图9为本发明实施例6的清洗组件结构原理示意图2。
35.图10为本发明实施例7的烘干组件风管结构示意图。
36.图11为本发明实施例7的烘干原理结构示意图。
37.图中：1、输送组件；2、镀膜组件；3、去bsg组件；4、清洗组件；5、烘干组件；2a、第一镀膜组件；3a、第一去bsg组件；2b、第二镀膜组件；3b、第二去bsg组件；1.1、输送辊道；1.2、转轴；1.3、主动伞齿；1.4、被动伞齿；1.5、限位挡块；1.6、导向套；1.1.1、滚筒；2.1、喷淋管；2.2、进水管；2.3、上接头；2.4、调压阀；2.5、下接头；3.1、浸液槽；3.2、进液口；3.3、液泵；3.4、储液箱；3.5、液位挡板；3.6、回液口；3.7、过滤器；4.1、上喷水管；4.2、下喷水管；4.4、纯水箱；4.5、压辊；4.6、回流槽；4.7、回液孔；5.1、上风管；5.2、下风管；5.3、风道；5.4、风孔；100、硅片。
具体实施方式
38.下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
39.请参阅图1~11。须知，在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
40.在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，可以是机械连接，也可以是电连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
41.实施例1：如图1~2所示，一种用于硅片表面去bsg的设备，其具体结构如下：该设备包括输送组件1，所述输送组件1包括由若干根滚筒1.1.1直线排布组成的输送辊道1.1，硅片100在输送辊道1.1上进行输送；其中，所述滚筒1.1.1的一端设置有转轴1.2，所述转轴1.2通过连接驱动电机实现转动，所述转轴1.2上设置有若干个主动伞齿1.3，每个所述滚筒1.1.1的端部都设置有被动伞齿1.4，一个主动伞齿1.3对应与一个被动伞齿1.4啮合，所述转轴1.2转动可带动若干个滚筒1.1.1实现同步转动。
42.该设备还包括镀膜组件2，所述镀膜组件2包括位于所述输送辊道1.1上方的喷淋管2.1，所述喷淋管2.1喷出纯水在硅片100正面形成水膜；其中，所述喷淋管2.1与所述滚筒1.1.1互相平行且位于所述输送辊道1.1的上方，所述喷淋管2.1的底部沿其轴向均匀开设有若干个喷淋口，所有的喷淋口都对准所述输送辊道1.1上的硅片100。
43.该设备还包括去bsg组件3，所述去bsg组件3包括浸液槽3.1，所述浸液槽3.1内有氢氟酸溶液，所述输送辊道1.1位于所述浸液槽3.1内部，且硅片100经过所述浸液槽3.1时浸入氢氟酸溶液内以去除其背面的bsg层；该设备还包括清洗组件4，所述清洗组件4包括喷水管，所述喷水管与所述输送辊道1.1的滚筒1.1.1互相平行，所述喷水管上设置有喷头，所述喷头喷水对硅片100表面进行冲洗；其中，喷水管通过管道和水泵与纯水箱4.4连通。
44.该设备还包括烘干组件5，所述烘干组件5包括位于所述输送辊道1.1上的风管，所述风管吹出热风对经过的硅片100进行烘干；其中，所述风管与所述滚筒1.1.1互相平行，所述风管上沿其轴向均匀开设有若干个风孔，所述风孔对准输送辊道1.1，同时所述风管5.1连接热风机，热风机工作产生热风并传导至风管内，风管内的风均匀地从风孔内吹出对硅片100进行吹热风烘干。
45.上述实施例1中设计的一种用于硅片表面去bsg的设备，可自动完成对硅片1的输
送、正面镀水膜保护、背面去除bsg层、表面清洗以及表面烘干，能实现对硅片表面进行去除bsg的一整套工艺流程，自动化流水作业，工作效率高，自动化程度高。
46.上述实施例1中设计的一种用于硅片表面去bsg的设备，具体工作原理如下：1）将成批量的硅片依次放置在输送辊道1.1的滚筒1.1.1上，通过电机驱动转轴1.2转动，电机和转轴1.2之间通过联轴器连接，当转轴1.2转动时，转轴1.2上的所有主动伞齿1.3同步转动，而与每个主动伞齿1.3对应啮合的被动伞齿1.4也同步转动，从而使被动伞齿1.4带着与其各自对应的滚筒1.1.1进行转动，实现硅片在输送辊道1.1上移动；2）当硅片100在输送辊道1.1上移动至镀膜组件2时，由于只需要对硅片100背面的bsg层进行去除，所以为了避免硅片100正面的bsg层受到损坏，通过镀膜组件2在硅片100的正面镀一层水膜，对其进行保护；当硅片100移动到镀膜组件2的喷淋管2.1下方时，通过传感器感应到硅片100，然后喷淋管2.1上的喷淋口同时对着硅片100的正面喷纯水，从而使硅片100的正面形成一层水膜，喷淋管2.1通过连接外部水源和水泵实现供水。
47.3）硅片100的正面在镀完水膜后，通过输送辊道1.1移动至浸液槽3.1，浸液槽3.1内有氢氟酸溶液，同时氢氟酸溶液的液面超过了输送辊道1.1上硅片100的高度，使硅片100在移动过程中整体是浸在氢氟酸溶液中的，由于硅片100的正面事先镀了水膜，所以不受氢氟酸溶液的影响，氢氟酸溶液从而有效地去除硅片100背面的bsg层；4）硅片100背面在去除bsg层后，通过输送辊道1.1移动至清洗组件4处，通过清洗组件4清洗硅片100表面残留的药液；当硅片100移动至喷水管的下方时，传感器感应到硅片100，水泵工作，将纯水箱4.4内的纯水输送至喷水管处，喷水管上的喷头会向硅片100喷纯水，从而对硅片100的表面进行清洗，将硅片100表面残留的药液清洗掉。
48.5）硅片100在通过喷纯水清洗后，硅片100的表面会残留纯水，所以需要对硅片100进行烘干，当硅片100移动至风管的下方时，传感器感应到硅片100，热风机开始工作，热风机产生的热风传导至风管内，风管上开设的风孔对着硅片100吹热风，从而对硅片100进行烘干，去除硅片100上的水，烘干后的硅片100从输送辊道1.1的出料端出料，完成整个处理工作。
49.实施例2：如图3所示，一种用于硅片表面去bsg的设备，其具体结构如下：该设备包括输送组件1，所述输送组件1与上述实施例1中的输送组件1结构相同；该设备还包括第一镀膜组件2a，所述第一镀膜组件2a包括位于所述输送辊道1.1上方的喷淋管2.1，所述喷淋管2.1喷出纯水在硅片100正面形成水膜；其中，所述喷淋管2.1与所述滚筒1.1.1互相平行且位于所述输送辊道1.1的上方，所述喷淋管2.1的底部沿其轴向均匀开设有若干个喷淋口，所有的喷淋口都对准所述输送辊道1.1上的硅片100。
50.该设备还包括第一去bsg组件3a，所述第一去bsg组件3a包括浸液槽3.1，所述浸液槽3.1内有氢氟酸溶液，所述输送辊道1.1位于所述浸液槽3.1内部，且硅片100经过所述浸液槽3.1时浸入氢氟酸溶液内以去除其背面的bsg层；该设备还包括第二镀膜组件2b，所述第二镀膜组件2b与所述第一镀膜组件2结构相同；该设备还包括第二去bsg组件3b，所述第二去bsg组件3b与所述第一去bsg组件3结构相同；
根据硅片100在输送辊道1.1上的移动方向，所述第一镀膜组件2a、所述第一去bsg组件3a、所述第二镀膜组件2b以及所述第二去bsg组件3b依次设置。
51.该设备还包括清洗组件4，所述清洗组件4与上述实施例1中的清洗组件4结构相同；该设备还包括烘干组件5，所述烘干组件5与上述实施例1中的清洗组件4结构相同；上述实施例2中设计的一种用于硅片表面去bsg的设备，与实施例1结构和原理上不同之处在于其设置了两个镀膜组件2和两个去bsg组件3；为了保证能够完全去除硅片100背面的bsg层，所以设置两组对应的镀膜+去除bsg结构，这样可以有效地提高硅片100背面的bsg层去除率。
52.具体流程为：硅片100先移动至第一个镀膜组件处，通过喷淋管2.1先对硅片100正面镀一层水膜，然后硅片100移动至浸液槽3.1内，通过浸液槽3.1的氢氟酸溶液先对硅片100的背面进行第一次去除bsg层的工作；由于在此过程中硅片100需要浸入氢氟酸溶液中，所以硅片100第一次镀的水膜已经不存在，所以硅片100继续向前移动至第二个镀膜组件处，通过此处的喷淋管再次对硅片100的正面镀一层水膜，最后硅片100移动至第二个浸液槽内，通过浸液槽的氢氟酸溶液再次对硅片100的背面进行第二次去除bsg层的工作。
53.实施例3：如图4所示，一种用于硅片表面去bsg的设备，其具体结构如下：该设备包括输送组件1，所述输送组件1包括由若干根滚筒1.1.1直线排布组成的输送辊道1.1，硅片100在输送辊道1.1上进行输送；位于所述输送辊道1.1两端进料部位和出料部位的滚筒1.1.1上都设置有限位结构，所述限位结构包括两个左右对称的限位挡块1.5，两个限位挡块1.5之间的区域为硅片100的移动区域；另外，在所述硅片100的移动区域内还设置有两个导向套1.6，且两个所述导向套1.6分别与两个所述限位挡块1.5连接，且所述导向套1.6上带有向所述硅片100的移动区域中心点倾斜的导向斜面；所述滚筒1.1.1的一端设置有转轴1.2，所述转轴1.2通过连接驱动电机实现转动，所述转轴1.2上设置有若干个主动伞齿1.3，每个所述滚筒1.1.1的端部都设置有被动伞齿1.4，一个主动伞齿1.3对应与一个被动伞齿1.4啮合，所述转轴1.2转动可带动若干个滚筒1.1.1实现同步转动。
54.该设备还包括镀膜组件2，所述镀膜组件2与上述实施例1中的镀膜组件2结构相同。
55.该设备还包括去bsg组件3，所述去bsg组件3与上述实施例1中的去bsg组件3结构相同。
56.该设备还包括清洗组件4，所述清洗组件4与上述实施例1中的清洗组件4结构相同；该设备还包括烘干组件5，所述烘干组件5与上述实施例1中的清洗组件4结构相同；上述实施例3中设计的一种用于硅片表面去bsg的设备，与实施例1结构和原理上不同之处在于其在滚筒1.1.1上设置有对硅片100起到导向和限位作用的导向结构；
由于硅片100在输送辊道1.1上移动时会出现位置偏移的情况，比如硅片100倾斜，如果硅片100位置偏移会导致后续的镀膜、去除bsg等工艺出现偏差，另外，输送辊道1.1上是多块硅片100同时进行移动，位置偏移可能会导致并排相邻的两个硅片100出现碰撞，所以在滚筒1.1.1上设置两个左右对称的限位挡块1.5，同一排的硅片100只能在一组对称的两个限位挡块1.5之间进行移动，从而对硅片100的移动起到很好的限位作用。
57.另外，在所述硅片100的移动区域内还设置有两个导向套1.6，且两个所述导向套1.6分别与两个所述限位挡块1.5连接，且所述导向套1.6上带有向所述硅片100的移动区域中心点倾斜的导向斜面；当硅片100出现左右倾斜（即左右存在高度差）的情况时，可以通过导向套1.6上倾斜的导向斜面使硅片100重新回到正面位置，有效地消除硅片100左右倾斜的情况。
58.实施例4：如图5所示，一种用于硅片表面去bsg的设备，其具体结构如下：该设备包括输送组件1，所述输送组件1与上述实施例1中的输送组件1结构相同；该设备还包括镀膜组件2，所述镀膜组件2包括位于所述输送辊道1.1上方的喷淋管2.1，同时，所述镀膜组件2还包括进水管2.2，所述进水管2.2位于所述喷淋管2.1的上方且与其互相平行，所述进水管2.2上沿其轴向均匀设置有若干个上接头2.3，所述喷淋管2.1上沿其轴向均匀设置有若干个下接头2.5，一个上接头2.3对应与一个下接头2.5连通；所述上接头2.3和下接头2.5之间还设置有调压阀2.4，所述上接头2.3与调压阀2.4、下接头2.5与调压阀2.4之间都通过管道进行连接；所述喷淋管2.1与所述滚筒1.1.1互相平行且位于所述输送辊道1.1的上方，所述喷淋管2.1的底部沿其轴向均匀开设有若干个喷淋口，所有的喷淋口都对准所述输送辊道1.1上的硅片100。
59.该设备还包括去bsg组件3，所述去bsg组件3与上述实施例1中的去bsg组件3结构相同。
60.该设备还包括清洗组件4，所述清洗组件4与上述实施例1中的清洗组件4结构相同；该设备还包括烘干组件5，所述烘干组件5与上述实施例1中的清洗组件4结构相同；上述实施例4中设计的一种用于硅片表面去bsg的设备，与实施例1结构和原理上不同之处在于其在镀膜组件2上设置了可调节喷淋水流量的调压阀2.4以及用于供水的进水管2.2。
61.外部的纯水通过水泵先进入进水管2.2内，在进水管2.2内的纯水会均匀通过进水管2.2上的所有上接头2.3，而通过上接头2.3的水需要先通过调压阀2.4，调压阀2.4可以调节水压，进而调节纯水喷淋的流量，纯水在经过调压阀2.4后通过管道和下接头2.5进入喷淋管2.1内，最后再从喷淋管2.1上开设的喷淋口喷出，此种结构可以在实施例1的基础上调节纯水喷淋的流量，以保证硅片100正面镀水膜的效果；另外，上接头2.3和调压阀2.4、下接头2.5和调压阀2.4之间都是通过水管进行连接，水管可以拆卸，方便后续对设备进行维修和保养。
62.实施例5：如图6所示，一种用于硅片表面去bsg的设备，其具体结构如下：
该设备包括输送组件1，所述输送组件1与上述实施例1中的输送组件1结构相同；该设备还包括镀膜组件2，所述镀膜组件2与上述实施例1中的镀膜组件2结构相同。
63.该设备还包括去bsg组件3，所述去bsg组件3包括浸液槽3.1，所述浸液槽3.1内有氢氟酸溶液，所述输送辊道1.1位于所述浸液槽3.1内部，且硅片100经过所述浸液槽3.1时浸入氢氟酸溶液内以去除其背面的bsg层；在所述浸液槽3.1中间区域的底部开设有进液口3.2，所述进液口3.2通过管道和液泵3.3连通储液箱3.4；同时，所述浸液槽3.1内的两个端部设置有两块液位挡板3.5，且在所述浸液槽3.1两侧底部都开设有回液口3.6，所述回液口3.6通过管道连通所述储液箱3.4。
64.该设备还包括清洗组件4，所述清洗组件4与上述实施例1中的清洗组件4结构相同；该设备还包括烘干组件5，所述烘干组件5与上述实施例1中的清洗组件4结构相同；上述实施例5中设计的一种用于硅片表面去bsg的设备，与实施例1结构和原理上不同之处在于其设置了储液箱3.4并且使储液箱3.4内的氢氟酸溶液和浸液槽3.1内的氢氟酸溶液实现循环流通。
65.由于浸液槽3.1内的氢氟酸溶液会不断与硅片100表面的bsg层发生反应，从而使浸液槽3.1内的氢氟酸溶液中的杂质越来越多，如果浸液槽3.1内的氢氟酸溶液是固定不流通的，那么随着设备的不间断运行，后续进入浸液槽3.1内的硅片100去除bsg层的效果会越来越差，从而影响硅片100的质量；所以，本实施例在实施例1的基础上让浸液槽3.1内的氢氟酸溶液循环流通，通过设置一个储液箱3.4，储液箱3.4内存放大量的氢氟酸溶液，通过液泵3.3不断往浸液槽3.1内输入氢氟酸溶液；同时，在浸液槽3.1内的两个端部设置有两块液位挡板3.5，当浸液槽3.1中间区域内的氢氟酸溶液越来越多时，液位达到一定的高度后，多出的氢氟酸溶液会越过液位挡板3.5进入浸液槽3.1的两端区域，液位挡板3.5可以让浸液槽3.1中间区域内的氢氟酸溶液保持固定的量，硅片100就浸在浸液槽3.1的中间区域，而多出的氢氟酸溶液会从浸液槽3.1两端的回液口3.6通过管道回到储液箱3.4内，这样便形成了浸液槽3.1和储液箱3.4内的氢氟酸溶液循环流通，从而解决上述技术问题。
66.另外，在实施例5的基础上，优选地，如图7所示，所述进液口3.2与所述储液箱3.4连接的管道上设置有过滤器3.7。
67.由于浸液槽3.1内的氢氟酸溶液和储液箱3.4内的氢氟酸溶液实现了循环流通，所以氢氟酸溶液内的杂质也会回流至储液箱3.4内，所以在氢氟酸溶液的进液口3.2与储液箱3.4连接的管道上设置过滤器3.7，通过过滤器3.7对氢氟酸溶液中的杂质进行过滤，从而保证再次进入浸液槽3.1内的氢氟酸溶液中不会出现含有大量杂质的过程，进而有效地提高氢氟酸溶液对硅片100表面bsg层的去除率，另外，由于硅片100是全部浸入氢氟酸溶液中的，所以这样也可以有效地避免杂质残留在硅片100的表面，保证硅片100的质量。
68.在实施例5的基础上，优选地，所述挡液板的顶部为波浪形，且顶部的板边向上倾斜的斜面。
69.将挡液板的顶部设置成波浪形，可以使氢氟酸溶液从波浪形下凹部位通过，同时挡液板顶部的板边设置成向上倾斜的斜面，斜面可以对氢氟酸溶液起到导流作用。
70.实施例6：如图8所示，一种用于硅片表面去bsg的设备，其具体结构如下：该设备包括输送组件1，所述输送组件1与上述实施例1中的输送组件1结构相同；该设备还包括镀膜组件2，所述镀膜组件2与上述实施例1中的镀膜组件2结构相同。
71.该设备还包括去bsg组件3，所述去bsg组件3与上述实施例1中的去bsg组件3结构相同。
72.该设备还包括清洗组件4，所述清洗组件4包括喷水管，所述喷水管包括位于所述输送辊道1.1上方的上喷水管4.1、位于所述输送辊道1.1下方的下喷水管4.2，所述上喷水管4.1上的喷头有若干个且沿其轴向均匀布设，对硅片100的正面进行喷水冲洗；所述下喷水管4.2上的喷头有若干个且沿其轴向均匀布设，对硅片100的背面进行喷水冲洗；上喷水管4.1和下喷水管4.2都通过管道和水泵与纯水箱4.4连通。
73.该设备还包括烘干组件5，所述烘干组件5与上述实施例1中的清洗组件4结构相同；上述实施例6中设计的一种用于硅片表面去bsg的设备，与实施例1结构和原理上不同之处在于其将喷水管设置成了上下两个对称的一组管，上喷水管4.1可以喷洗硅片100的正面，下喷水管4.2可以喷洗硅片100的背面。
74.由于硅片100在去除背面bsg层时，整个硅片100都浸在氢氟酸溶液，所以硅片100在清洗表面残留的药液时需要对其正面和背面同时进行清洗，所以在输送辊道1.1的上方设置了上喷水管4.1，在输送辊道1.1的下方设置了下喷水管4.2，喷水管上开设有多个喷头，当硅片100经过时，上喷水管4.1上的喷头和下喷水管4.2上的喷头同时喷水，从而对硅片100的正面和背面进行同时清洗，从而有效地提高硅片100清洗的效果。
75.同时，如图9所示，上述的结构可以设置多组上下对应的上喷水管4.1和下喷水管4.2，从而有效地提高硅片100的清洗效果；但是，此结构需要耗费大量的纯水，所以可以选择上喷水管4.1和下喷水管4.2上下对应为一组以及单个喷水管为一组来进行混用的方式，具体为：在前两排只设置两排上喷水管4.1，当硅片100经过时对硅片100的正面进行喷水清洗，因为硅片100的背面需要支撑在滚筒1.1.1上，所以上喷水管4.1的喷洗效果是优于下喷水管4.2的，然后在最后一排设置上喷水管4.1和下喷水管4.2上下对应为一组的结构来对硅片100进行最后的清洗。
76.另外，在上述实施例6的基础上，优选地，位于所述清洗组件4区域的输送辊道1.1上方设置有与其滚筒1.1.1上下对应的压辊4.5，硅片100从压辊4.5和滚筒1.1.1之间通过。
77.由于硅片100在清洗时，上喷水管4.1和下喷水管4.2会同时对硅片100进行喷水清洗，再此过程中很容易会导致硅片100发生位置偏移，特别是下喷水管4.2，如果喷头的喷水冲击力过大，很容易发生硅片100从输送辊道1.1上掉落的情况，所以在输送辊道1.1上方设置有与其滚筒1.1.1上下对应的压辊4.5，压辊4.5可以压在硅片100的上表面，从而对硅片100起到限位作用，避免出现上述的情况，另外，压辊4.5的端部与滚筒1.1.1的端部通过齿轮组进行连接，这样压辊4.5可以与滚筒1.1.1实现反方向的同步转动，这样可以对硅片100的移动起到推动作用。
78.另外，在上述实施例6的基础上，优选地，所述清洗组件4区域的送料辊道下方设置
有回流槽4.6，所述回流槽4.6的槽底部均匀开设有若干个回液孔4.7，所述纯水箱4.4位于所述回流槽4.6的下方，所述回流槽4.6内的纯水通过回液孔4.7回流至所述纯水箱4.4内。
79.上述的上喷水管4.1和下喷水管4.2在同时对硅片100进行喷水冲洗时需要耗费大量的纯水，而上喷水管4.1和下喷水管4.2内的水都是通过水泵往纯水箱4.4内抽取得来，如果不对纯水进行循环使用，则需要一直往纯水箱4.4内添加纯水，这样会增加设备运行的繁琐度，同时也造成大量纯水的浪费，所以在硅片100清洗的区域下方设置一个回流槽4.6，在回流槽4.6的底部开设回流孔，上喷水管4.1和下喷水管4.2喷出的纯水进入回流槽4.6内后再通过回流孔回流至纯水箱4.4内，这样就能实现纯水箱4.4内的纯水循环利用；另外，纯水在对硅片100进行冲洗时，硅片100表面很有可能还残留有少量的杂质，这些杂质会混入纯水中，为了避免循环利用的纯水在从上喷水管4.1和下喷水管4.2中喷出时含有杂质，也可以在纯水箱4.4和上喷水管4.1、下喷水管4.2连接的管道上设置过滤器3.7，用于过滤纯水中的杂质。
80.实施例7：一种用于硅片表面去bsg的设备，其具体结构如下：该设备包括输送组件1，所述输送组件1与上述实施例1中的输送组件1结构相同；该设备还包括镀膜组件2，所述镀膜组件2与上述实施例1中的镀膜组件2结构相同。
81.该设备还包括去bsg组件3，所述去bsg组件3与上述实施例1中的去bsg组件3结构相同。
82.该设备还包括清洗组件4，所述清洗组件4与上述实施例1中的清洗组件4结构相同；如图10和图11所示，该设备还包括烘干组件5，所述烘干组件5包括位于所述输送辊道1.1上的风管，所述风管吹出热风对经过的硅片100进行烘干；其中，所述风管包括上风管5.1和下风管5.2，所述上风管5.1和所述下风管5.2上下对应设置且都与所述滚筒互相平行，所述上风管5.1与所述下风管5.2之间的间隙为风道5.3，相邻的两个滚筒分别位于所述风道5.3的两侧，所述上风管5.1底部对准风道5.3的部位、所述下风管5.2顶部对准风道5.3的部位均开设有风孔5.4；同时，上风管5.1和下风管5.2都连接热风机。
83.上述实施例7中设计的一种用于硅片100表面去bsg的设备，与实施例1结构和原理上不同之处在于其将烘干组件5设置成了可以同时对硅片100正面和背面进行吹风烘干的结构。
84.当硅片100移动至上风管5.1和下风管5.2之间时，传感器感应到硅片100，热风机开始工作，热风机产生的热风传导至上风管5.1和下风管5.2内，上风管5.1和下风管5.2上开设的风孔5.4同时对着硅片100吹热风，从而对硅片100进行烘干，去除硅片100上的水；此烘干组件可以同时对硅片100正面和背面进行吹风烘干，上风管5.1和下风管5.2之间的风道5.3与输送辊道的输送路径在一条直线上，从输送辊道上通过硅片100可以正好穿过风道5.3。
85.由于硅片100在进行冲洗表面残留的药液后其表面会残留纯水，所以需要对硅片100进行烘干，硅片100表面的水分主要集中在正面和背面，所以为了保证烘干的效果可以同时对硅片100的正面和背面进行吹热风烘干。
86.当硅片100在输送辊道移动并穿过上风管5.1和下风管5.2之间的风道5.3，热风机工作产生的热风通过管道进入上风管5.1和下风管5.2内，上风管5.1和下风管5.2再从各自开设的风孔5.4处将热风吹出，由于风道5.3的上下两个侧边上都开设有风孔5.4，所以当硅片100经过时可以同时对硅片100的正面和背面同时吹热风烘干，从而提高烘干的效果。
87.以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

技术特征：
1.一种用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：其包括：输送组件（1），所述输送组件（1）包括由若干根滚筒（1.1.1）直线排布组成的输送辊道（1.1），硅片（100）在输送辊道（1.1）上进行输送；镀膜组件（2），所述镀膜组件（2）包括位于所述输送辊道（1.1）上方的喷淋管（2.1），所述喷淋管（2.1）喷出纯水在硅片（100）正面形成水膜；去bsg组件（3），所述去bsg组件（3）包括浸液槽（3.1），所述浸液槽（3.1）内有氢氟酸溶液，所述输送辊道（1.1）位于所述浸液槽（3.1）内部，且硅片（100）经过所述浸液槽（3.1）时浸入氢氟酸溶液内以去除其背面的bsg层；清洗组件（4），所述清洗组件（4）包括喷水管，所述喷水管与所述输送辊道（1.1）的滚筒（1.1.1）互相平行，所述喷水管上设置有喷头，所述喷头喷水对硅片（100）表面进行冲洗；烘干组件（5），所述烘干组件（5）包括与所述输送辊道（1.1）对应设置的风管（5.1），所述风管（5.1）吹出热风对经过的硅片（100）进行烘干。2.根据权利要求1所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：所述滚筒（1.1.1）的一端设置有转轴（1.2），所述转轴（1.2）通过连接驱动电机实现转动，所述转轴（1.2）上设置有若干个主动伞齿（1.3），每个所述滚筒（1.1.1）的端部都设置有被动伞齿（1.4），一个主动伞齿（1.3）对应与一个被动伞齿（1.4）啮合，所述转轴（1.2）转动可带动若干个滚筒（1.1.1）实现同步转动。3.根据权利要求1所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：位于所述输送辊道（1.1）两端进料部位和出料部位的滚筒（1.1.1）上都设置有限位结构（1.5），所述限位结构（1.5）包括两个左右对称的限位挡块（1.5），两个限位挡块（1.5）之间的区域为硅片（100）的移动区域。4.根据权利要求3所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：在所述硅片（100）的移动区域内还设置有两个导向套（1.6），且两个所述导向套（1.6）分别与两个所述限位挡块（1.5）连接，且所述导向套（1.6）上带有向所述硅片（100）的移动区域中心点倾斜的导向斜面。5.根据权利要求1所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：所述喷淋管（2.1）与所述滚筒（1.1.1）互相平行且位于所述输送辊道（1.1）的上方，所述喷淋管（2.1）的底部沿其轴向均匀开设有若干个喷淋口，所述喷淋口对准所述输送辊道（1.1）。6.根据权利要求5所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：所述镀膜组件（2）还包括进水管（2.2），所述进水管（2.2）位于所述喷淋管（2.1）的上方且与其互相平行，所述进水管（2.2）上沿其轴向均匀设置有若干个上接头（2.3），所述喷淋管（2.1）上沿其轴向均匀设置有若干个下接头（2.5），一个上接头（2.3）对应与一个下接头（2.5）连通。7.根据权利要求6所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：所述上接头（2.3）和下接头（2.5）之间还设置有调压阀（2.4），所述上接头（2.3）与调压阀（2.4）、下接头（2.5）与调压阀（2.4）之间都通过管道进行连接。8.根据权利要求1所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：所述浸液槽（3.1）中间区域的底部开设有进液口（3.2），所述进液口（3.2）通过管道和液泵（3.3）连通储液箱（3.4）；同时，所述浸液槽（3.1）内的两个端部设置有两块液位挡板（3.5），且在所述浸液槽（3.1）两侧底部都开设有回液口（3.6），所述回液口（3.6）通过管道连通所述储液箱（3.4）。
9.根据权利要求8所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：所述进液口（3.2）与所述储液箱（3.4）连接的管道上设置有过滤器（3.7）。10.根据权利要求8所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：所述挡液板的顶部为波浪形，且顶部的板边向上倾斜的斜面。11.根据权利要求1所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：位于所述清洗组件（4）区域的输送辊道（1.1）上方设置有与其滚筒（1.1.1）上下对应的压辊（4.5），硅片（100）从压辊（4.5）和滚筒（1.1.1）之间通过。12.根据权利要求1所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：所述喷水管包括位于所述输送辊道（1.1）上方的上喷水管（4.1）、位于所述输送辊道（1.1）下方的下喷水管（4.2），所述上喷水管（4.1）上的喷头有若干个且沿其轴向均匀布设，对硅片（100）的正面进行喷水冲洗；所述下喷水管（4.2）上的喷头有若干个且沿其轴向均匀布设，对硅片（100）的背面进行喷水冲洗。13.根据权利要求12所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：所述上喷水管（4.1）和所述下喷水管（4.2）都通过管道和水泵与纯水箱（4.4）连通。14.根据权利要求13所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：所述清洗组件（4）区域的送料辊道下方设置有回流槽（4.6），所述回流槽（4.6）的槽底部均匀开设有若干个回液孔（4.7），所述纯水箱（4.4）位于所述回流槽（4.6）的下方，所述回流槽（4.6）内的纯水通过回液孔（4.7）回流至所述纯水箱（4.4）内。15.根据权利要求1所述的用于硅片表面去bsg的设备，其特征在于：所述风管包括上风管和下风管，所述上风管和所述下风管上下对应设置且都与所述滚筒（1.1.1）互相平行，所述上风管与所述下风管之间的间隙为风道，相邻的两个滚筒（1.1.1）分别位于所述风道的两侧，所述上风管底部对准风道的部位、所述下风管顶部对准风道的部位均开设有吹风口。

技术总结
本发明公开了一种用于硅片表面去BSG的设备，其包括输送辊道，硅片在输送辊道上进行输送；还包括喷淋管，喷淋管喷出纯水在硅片正面形成水膜；还包括浸液槽，浸液槽内有氢氟酸溶液，输送辊道位于浸液槽内部，硅片经过浸液槽时浸入氢氟酸溶液内以去除其背面的BSG层；还包括喷水管，喷水管上设置有喷头，喷头喷水对硅片表面进行冲洗；还包括风管，风管吹出热风对经过的硅片进行烘干；本方案设计的一种用于硅片表面去BSG的设备，可自动完成对硅片的输送、正面镀水膜保护、背面去除BSG层、表面清洗以及表面烘干，能实现对硅片表面进行去除BSG的一整套工艺流程，自动化流水作业，工作效率高，自动化程度高。自动化程度高。自动化程度高。


技术研发人员：商万军 王辉 柴玉杰 崔水炜
受保护的技术使用者：苏州昊建自动化系统有限公司
技术研发日：2023.08.10
技术公布日：2023/9/14