一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法

1.本发明涉及半导体制造技术领域，特别是一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法。


背景技术：

2.当前，基于传统无机半导体材料制造的集成功率器件在成本、性能、环境压力和工艺复杂度之间难以实现好的折衷关系。与此同时，共聚物有机半导材料因其在灵活、透明、大面积、环境友好和和低成本方面具有独特的优势，因此基于共聚物有机半导体材料的功率器件有望推动功率集成电路与功率模块的发展。
3.目前，光刻技术作为无机半导体材料制备的集成电路中的关键性技术，对于实现高精度器件制备有着不可替代的作用。但在由于受到聚合物有机半导体材料、介质材料的材料特性限制，无法直接将传统光刻工艺直接应用于共聚物有机器件的制备上，通过光刻的技术来实现共聚物有机器件高精度的制备仍然面临着如下方面的问题：
4.1、共聚物有机半导体长度控制精度需要依靠光刻掩膜板的精度进行保证，由于目前光刻技术自身缺陷，以及光刻掩膜板的精度限制，难以达到nm级别的控制精度要求。
5.2、光刻容易会对共聚物产生影响，进而影响共聚物有机半导体长度的控制精度。


技术实现要素：

6.本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，而提供一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，该具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法的有机半导体层长度(也即沟道长度)垂直布设，无需借助高精度光刻机仅通过控制有机半导体溶液浓度、旋涂仪加速度和转速等简工艺单参数就能实现对器件沟道长度的控制，制造出nm级别沟道，且控制精度能到达
±
2nm。
7.为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
8.一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，包括如下步骤。
9.步骤1、清洗并烘干衬底。
10.步骤2、蒸镀漏极：将清洗并烘干的衬底顶面同轴蒸镀环形的漏极金属，形成漏极。
11.步骤3、旋涂有机半导体层：将共聚物采用旋涂的方式旋涂在衬底及漏极顶部，从而形成预埋有漏极的有机半导体层；共聚物的旋涂厚度等于有机半导体层长度，且为40～200nm；通过控制共聚物的旋涂浓度和旋涂速度，使得有机半导体层长度控制在
±
2nm以内。
12.步骤4、刻蚀柱形槽：在有机半导体层的中心刻蚀一个同轴且竖向贯穿至衬底顶面的柱形槽。
13.步骤5、制作栅介质层：在步骤4形成的柱形槽内生长绝缘的栅介质层。
14.步骤6、刻蚀顶部凹槽：在栅介质层的顶部中心刻蚀一个同轴的顶部凹槽，顶部凹槽的深度小于栅介质层的厚度。
15.步骤7、蒸镀栅极：在顶部凹槽内蒸镀栅极金属，形成栅极；栅极与漏极之间竖向且
呈环形的有机半导体层形成为漂移区。
16.步骤8、蒸镀源极：在栅介质层外周的隔离层顶面蒸镀源极金属，形成源极。
17.步骤3中，共聚物旋涂速度的控制方法，包括如下步骤：
18.步骤3a、一次加速旋涂：旋涂设备将具有最佳旋涂浓度的共聚物以加速度a1进行加速旋涂至设定转速v1并匀速持续时间t1。
19.步骤3b、二次加速旋涂：旋涂设备将具有最佳旋涂浓度的共聚物以加速度a2进行加速旋涂至设定转速v2并匀速持续时间t2；其中，a2＞a1；v2＞v1；t2＞t1。
20.步骤3c、减速旋涂：旋涂设备将具有最佳旋涂浓度的共聚物以减速度a3进行减速旋涂直至转速为0，此时，达到设定的有机半导体层长度；其中，a3的绝对值不超过300rpm/s。
21.有机半导体层长度的控制方法：在a1、v1、t1、a2、v2和t2不变的情况下，通过增加共聚物的旋涂浓度，实现有机半导体层长度的增加；当共聚物旋涂浓度增加至设定旋涂浓度范围a中的最大值时，则通过减小a1、v1、a2和v2的方式，实现有机半导体层长度的增加。
22.共聚物为dppt-tt/dcb溶液，共聚物的设定旋涂浓度范围a为3～10mg/ml，则有机半导体层长度l的控制方法为：
23.当l＝50nm时，则共聚物旋涂浓度选择为5mg/ml，a1＝200rpm/s、v1＝500rpm、t1＝8s；a2＝500rpm/s、v2＝1500rpm、t2＝60s；a3＝-300rpm/s。
24.当l＝80nm时，则共聚物旋涂浓度选择为10mg/ml，a1、v1、t1、a2、v2和t2采用与l＝50nm相同的共聚物旋涂速度。
25.当50＜l＜80nm时，共聚物旋涂浓度在3～10mg/ml之间选择，a1、v1、t1、a2、v2和t2采用与l＝50nm相同的共聚物旋涂速度。
26.当l＞80nm时，则共聚物旋涂浓度选择为10mg/ml，通过减小a1、v1、a2和v2，实现有机半导体层长度l的增加。
27.当l＝150nm时，则共聚物旋涂浓度选择为10mg/ml，a1＝300rpm/s、v1＝1000rpm、t1＝8s；a2＝300rpm/s、v2＝1000rpm、t2＝60s；a3＝-300rpm/s。
28.步骤4中，柱形槽刻蚀是在金属掩膜的条件下进行等离子刻蚀；等离子体的刻蚀气体、气体流速和刻蚀速率，则根据有机半导体层的材料类型进行选择；当有机半导体层的材料为dppt-tt时，刻蚀气体为o2和ar，o2和ar的流速分别为10sccm和5sccm；刻蚀速率为1.7nm/s，刻蚀时间则根据柱形槽的深度进行确定。
29.步骤3中，通过改变有机半导体层长度，能改变纵向共聚物有机器件的特征频率、速度、噪音和驱动电流。
30.步骤6中，通过控制顶部凹槽的刻蚀深度，从而控制栅介质层长度，进而控制漂移区长度；改变漂移区长度，能改变二维电荷共享效应，进而降低靠近沟道表面处高分子间的载流子跃迁概率，使得碰撞电离率和关断情况下的反向漏电流降低、击穿电压和bfom值增加。
31.步骤6中，通过控制顶部凹槽的截面形状和顶部凹槽外周的栅介质层径向厚度，实现电场调制，改变纵向共聚物有机器件的栅控性能。
32.步骤1中的衬底和步骤3中的有机半导体层的横截面均为正方形，边长范围为1.0～2.5cm；源极和漏极的外径相等，且均小于衬底或有机半导体层的边长。
33.本发明具有如下有益效果：
34.1、本发明的有机半导体层长度(也即沟道长度)垂直布设，无需借助高精度光刻机仅通过控制有机半导体溶液浓度、旋涂仪加速度和转速等简工艺单参数就能实现对器件沟道长度的控制，制造出nm级别沟道，且控制精度能到达
±
2nm。
35.2、通过减小沟道长度，使器件特征频率提高，很好地改善了器件的频率、速度和噪音等性能，大大提高了器件的驱动电流，从而提高器件的工作速度。
36.3、本发明能控制器件沟道长度、二维载流子减速区长度、栅介质层厚度、栅介质层和栅极形状，进一步达到器件性能的平衡。
37.4、本发明的nm级别沟道的共聚物有机半导体器件，大大增加了共聚物有机器件的应用范围，使得单位面积上可以集成更多的晶体管，推动了共聚物有机器件集成电路的发展。
附图说明
38.图1显示了本发明一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法的流程图。
39.图2显示了本发明制备得到的具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的结构示意图。
40.其中有：1-源极、2-栅极、3-栅介质层、4-有机半导体层、5-漏极、1-衬底。
具体实施方式
41.下面结合附图和具体较佳实施方式对本发明作进一步详细的说明。
42.本发明的描述中，需要理解的是，术语“左侧”、“右侧”、“上部”、“下部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，“第一”、“第二”等并不表示零部件的重要程度，因此不能理解为对本发明的限制。本实施例中采用的具体尺寸只是为了举例说明技术方案，并不限制本发明的保护范围。
43.如图1所示，一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，包括如下步骤。
44.步骤1、清洗并烘干衬底，衬底横截面优选为正方形，边长范围为1.0～2.5cm，本实施例中，衬底优选为1cm*1cm*0.5mm的亚克力玻璃基板。清洗方法优选为：用去离子水超声5min之后再用酒精超声5min，循环三次后烘干。
45.步骤2、蒸镀漏极：将清洗并烘干的衬底顶面同轴蒸镀环形的漏极金属，形成漏极。
46.上述漏极金属、以及后续的栅极金属和源极金属的材料均优选为ni、ti、ag、al、cu、au和mo中的任意一种。本实施例中，漏极金属优选为cu，故而具体蒸镀方法优选为：将清洗完成的衬底放入电子束蒸发仪器内，当真空度为5e-7pa时开始以的速率在处理过的衬底上先蒸镀ni(5nm)做粘合剂，然后蒸镀cu(40nm)形成漏极。
47.上述漏极外径优选小于衬底边长。
48.步骤3、旋涂有机半导体层：将共聚物采用旋涂的方式旋涂在衬底及漏极顶部，从而形成预埋有漏极的有机半导体层；共聚物的旋涂厚度等于有机半导体层长度，且为40～
200nm；通过控制共聚物的旋涂浓度和旋涂速度，使得有机半导体层长度控制在
±
2nm以内。
49.上述有机半导体层的截面与衬底截面尺寸相同，均优选为1cm*1cm。
50.上述有机半导体层的材料可以为聚[(并二噻吩)-交替-(2,5-二(2-辛基十二烷基)-3,6-二(噻吩基)-吡咯并吡咯二酮)](dppt-tt)、聚3-己基噻吩(p3ht)、并五苯或萘酰亚胺基n型聚合物等，本实施例中优选为dppt-tt。
[0051]
本发明通过改变有机半导体层长度，能改变纵向共聚物有机器件的特征频率、速度、噪音和驱动电流等。
[0052]
上述共聚物旋涂速度的控制方法，优选包括如下步骤：
[0053]
步骤3a、一次加速旋涂：旋涂设备将具有最佳旋涂浓度的共聚物以加速度a1进行加速旋涂至设定转速v1并匀速持续时间t1。
[0054]
步骤3b、二次加速旋涂：旋涂设备将具有最佳旋涂浓度的共聚物以加速度a2进行加速旋涂至设定转速v2并匀速持续时间t2；其中，a2＞a1；v2＞v1；t2＞t1。
[0055]
步骤3c、减速旋涂：旋涂设备将具有最佳旋涂浓度的共聚物以减速度a3进行减速旋涂直至转速为0，此时，达到设定的有机半导体层长度；其中，a3的绝对值不超过300rpm/s。
[0056]
上述有机半导体层长度的控制方法：在a1、v1、t1、a2、v2和t2不变的情况下，通过增加共聚物的旋涂浓度，实现有机半导体层长度的增加；当共聚物旋涂浓度增加至设定旋涂浓度范围a中的最大值时，则通过减小a1、v1、a2和v2的方式，实现有机半导体层长度的增加。
[0057]
本实施例中，由于共聚物为dppt-tt/dcb溶液，而dppt-tt的设定旋涂浓度范围a优选为3～10mg/ml，则有机半导体层长度l的控制方法为：
[0058]
a、当l＝50nm时，则共聚物旋涂浓度选择为5mg/ml，a1＝200rpm/s、v1＝500rpm、t1＝8s；a2＝500rpm/s、v2＝1500rpm、t2＝60s；a3＝-300rpm/s。
[0059]
b、当50＜l＜80nm时，共聚物旋涂浓度在3～10mg/ml之间选择，a1、v1、t1、a2、v2和t2采用与l＝50nm相同的共聚物旋涂速度。
[0060]
c、当l＝80nm时，则共聚物旋涂浓度选择为10mg/ml，a1、v1、t1、a2、v2和t2采用与l＝50nm相同的共聚物旋涂速度。
[0061]
d、当l＞80nm时，则共聚物旋涂浓度选择为10mg/ml，通过减小a1、v1、a2和v2，实现有机半导体层长度l的增加；如：
[0062]
当l＝150nm时，则共聚物旋涂浓度选择为10mg/ml，a1＝300rpm/s、v1＝1000rpm、t1＝8s；a2＝300rpm/s、v2＝1000rpm、t2＝60s；a3＝-300rpm/s。
[0063]
当l＝180nm时，则共聚物旋涂浓度选择为10mg/ml，a1＝150rpm/s、v1＝300rpm、t1＝8s；a2＝300rpm/s、v2＝1000rpm、t2＝40s；a3＝-300rpm/s。
[0064]
步骤4、刻蚀柱形槽：在有机半导体层的中心刻蚀一个同轴且竖向贯穿至衬底顶面的柱形槽。
[0065]
本实施例中，先将步骤3制备的长度为180nm的有机半导体层在80℃下预热5min，之后在150℃下退火1h；接着，将包含长度为180nm的有机半导体层的衬底放入等离子刻蚀设备中，放入金属掩膜板后设置刻蚀气体及气体流速，进一步刻蚀形成柱形槽。
[0066]
上述柱形槽刻蚀优选是在金属掩膜的条件下进行等离子刻蚀；等离子体的刻蚀气
体、气体流速和刻蚀速率，则根据有机半导体层的材料类型进行选择；当有机半导体层的材料为dppt-tt时，刻蚀气体优选为o2和ar，o2和ar的流速优选分别为10sccm和5sccm；刻蚀速率优选为1.7nm/s，刻蚀时间则根据柱形槽的深度进行确定，本实施例中，刻蚀时间优选为60s。
[0067]
步骤5、制作栅介质层：在步骤4形成的柱形槽内生长绝缘的栅介质层。
[0068]
本实施例中，将步骤4制备完成的器件放入常温pecvd仪器内，在真空度优选为3mtorr的条件下，先注入90s的sih4气体，然后注入155s的n2o气体，在柱形槽内形成sio2栅介质层。
[0069]
步骤6、刻蚀顶部凹槽：在栅介质层的顶部中心刻蚀一个同轴的顶部凹槽，顶部凹槽的深度小于栅介质层的厚度。
[0070]
本实施例中，顶部凹槽的优选刻蚀方法为：在金属掩膜的条件下进行等离子刻蚀,等离子体的刻蚀气体、气体流速和刻蚀速率，则根据栅介质层的材料类型进行选择；当栅介质层的材料为sio2时，刻蚀气体优选为o2，o2的流速优选为30sccm；刻蚀速率优选为0.63nm/s，刻蚀时间则根据柱形槽的深度进行确定，本实施例中，刻蚀时间优选为100s。
[0071]
本发明通过控制顶部凹槽的刻蚀深度，从而控制栅介质层长度(也称二维载流子减速区长度)，进而控制漂移区长度；改变漂移区长度，能改变二维电荷共享效应，进而降低靠近沟道表面处高分子间的载流子跃迁概率，使得碰撞电离率和关断情况下的反向漏电流降低、击穿电压和bfom值增加。
[0072]
进一步，本发明还通过控制顶部凹槽的截面形状和顶部凹槽外周的栅介质层径向厚度，实现电场调制，改变纵向共聚物有机器件的栅控性能。
[0073]
本实施例中，顶部凹槽为圆柱形，但也可以为阶梯形等。栅介质层径向厚度越小，栅控性能越高。
[0074]
步骤7、蒸镀栅极：在顶部凹槽内蒸镀栅极金属，形成栅极；栅极与漏极之间竖向且呈环形的有机半导体层形成为漂移区。
[0075]
本实施例中，栅极蒸镀方法优选为：将化学机械抛光(cmp)设备打磨后的器件放入电子束蒸发仪器中，当真空的条件下开始先以的速率蒸镀cu(10nm)，再以的速率蒸镀cu(90nm)形成有机器件的栅极。
[0076]
步骤8、蒸镀源极：在栅介质层外周的隔离层顶面蒸镀源极金属，形成源极；源极和漏极的外径优选相等，且小于有机半导体层的边长。
[0077]
本实施例中，源极的蒸镀方法优选为：将蒸镀完栅极的器件放入电子束蒸发仪器中，当真空度为5e-7pa时开始以的速率蒸镀cu(50nm)形成有机器件的源极，藉此获得所述纵向具有垂直栅槽结构的共聚物有机场效应晶体管，如图2所示。
[0078]
进一步，本发明的纵向共聚物有机物器件包括纵向共聚物有机肖特基二极管、有机发光二极管、具有trench gate结构的纵向共聚物有机场效应晶体管、有机光伏器件、和/或包括该装置的阵列。
[0079]
综上所述，本发明无需使用光刻技术制备nm级别的沟道，并能通过改变工艺条件改变共聚物有机半导体器件的沟道长度、二维载流子减速区长度、栅介质层厚度、栅介质层和栅极形状来实现器件性能的平衡。如改变沟道长度改变器件特征频率、速度、噪音和器件的驱动电流等性能，从而改变器件的工作速度。通过改变二维载流子减速区长度改变二维
电荷共享效应，进而使得近表面处高分子间的载流子跃迁概率、碰撞电离率、关断情况下的反向漏电流、击穿电压和bfom值发生变化。通过改变栅介质层厚度和形状实现对电场调制作用。最终使得器件达到预期的性能。
[0080]
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、清洗并烘干衬底；步骤2、蒸镀漏极：将清洗并烘干的衬底顶面同轴蒸镀环形的漏极金属，形成漏极；步骤3、旋涂有机半导体层：将共聚物采用旋涂的方式旋涂在衬底及漏极顶部，从而形成预埋有漏极的有机半导体层；共聚物的旋涂厚度等于有机半导体层长度，且为40～200nm；通过控制共聚物的旋涂浓度和旋涂速度，使得有机半导体层长度控制在
±
2nm以内；步骤4、刻蚀柱形槽：在有机半导体层的中心刻蚀一个同轴且竖向贯穿至衬底顶面的柱形槽；步骤5、制作栅介质层：在步骤4形成的柱形槽内生长绝缘的栅介质层；步骤6、刻蚀顶部凹槽：在栅介质层的顶部中心刻蚀一个同轴的顶部凹槽，顶部凹槽的深度小于栅介质层的厚度；步骤7、蒸镀栅极：在顶部凹槽内蒸镀栅极金属，形成栅极；栅极与漏极之间竖向且呈环形的有机半导体层形成为漂移区；步骤8、蒸镀源极：在栅介质层外周的隔离层顶面蒸镀源极金属，形成源极。2.根据权利要求1所述的具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，其特征在于：步骤3中，共聚物旋涂速度的控制方法，包括如下步骤：步骤3a、一次加速旋涂：旋涂设备将具有最佳旋涂浓度的共聚物以加速度a1进行加速旋涂至设定转速v1并匀速持续时间t1；步骤3b、二次加速旋涂：旋涂设备将具有最佳旋涂浓度的共聚物以加速度a2进行加速旋涂至设定转速v2并匀速持续时间t2；其中，a2＞a1；v2＞v1；t2＞t1；步骤3c、减速旋涂：旋涂设备将具有最佳旋涂浓度的共聚物以减速度a3进行减速旋涂直至转速为0，此时，达到设定的有机半导体层长度；其中，a3的绝对值不超过300rpm/s。3.根据权利要求2所述的具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，其特征在于：有机半导体层长度的控制方法：在a1、v1、t1、a2、v2和t2不变的情况下，通过增加共聚物的旋涂浓度，实现有机半导体层长度的增加；当共聚物旋涂浓度增加至设定旋涂浓度范围a中的最大值时，则通过减小a1、v1、a2和v2的方式，实现有机半导体层长度的增加。4.根据权利要求3所述的具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，其特征在于：共聚物为dppt-tt/dcb溶液，共聚物的设定旋涂浓度范围a为3～10mg/ml，则有机半导体层长度l的控制方法为：当l＝50nm时，则共聚物旋涂浓度选择为5mg/ml，a1＝200rpm/s、v1＝500rpm、t1＝8s；a2＝500rpm/s、v2＝1500rpm、t2＝60s；a3＝-300rpm/s；当l＝80nm时，则共聚物旋涂浓度选择为10mg/ml，a1、v1、t1、a2、v2和t2采用与l＝50nm相同的共聚物旋涂速度；当50＜l＜80nm时，共聚物旋涂浓度在3～10mg/ml之间选择，a1、v1、t1、a2、v2和t2采用与l＝50nm相同的共聚物旋涂速度；当l＞80nm时，则共聚物旋涂浓度选择为10mg/ml，通过减小a1、v1、a2和v2，实现有机半导体层长度l的增加。5.根据权利要求4所述的具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，其特
征在于：当l＝150nm时，则共聚物旋涂浓度选择为10mg/ml，a1＝300rpm/s、v1＝1000rpm、t1＝8s；a2＝300rpm/s、v2＝1000rpm、t2＝60s；a3＝-300rpm/s。6.根据权利要求1所述的具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，其特征在于：步骤4中，柱形槽刻蚀是在金属掩膜的条件下进行等离子刻蚀；等离子体的刻蚀气体、气体流速和刻蚀速率，则根据有机半导体层的材料类型进行选择；当有机半导体层的材料为dppt-tt时，刻蚀气体为o2和ar，o2和ar的流速分别为10sccm和5sccm；刻蚀速率为1.7nm/s，刻蚀时间则根据柱形槽的深度进行确定。7.根据权利要求1所述的具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，其特征在于：步骤3中，通过改变有机半导体层长度，能改变纵向共聚物有机器件的特征频率、速度、噪音和驱动电流。8.根据权利要求1所述的具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，其特征在于：步骤6中，通过控制顶部凹槽的刻蚀深度，从而控制栅介质层长度，进而控制漂移区长度；改变漂移区长度，能改变二维电荷共享效应，进而降低靠近沟道表面处高分子间的载流子跃迁概率，碰撞电离率、关断情况下的反向漏电流、击穿电压和bfom值发生变化。9.根据权利要求1所述的具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，其特征在于：步骤6中，通过控制顶部凹槽的截面形状和顶部凹槽外周的栅介质层径向厚度，实现电场调制，改变纵向共聚物有机器件的栅控性能。10.根据权利要求1所述的具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，其特征在于：步骤1中的衬底和步骤3中的有机半导体层的横截面均为正方形，边长范围为1.0～2.5cm；源极和漏极的外径相等，且均小于衬底或有机半导体层的边长。

技术总结
本发明公开了一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，包括步骤1、清洗衬底；步骤2、蒸镀漏极；步骤3、旋涂有机半导体层：将共聚物旋涂在衬底及漏极顶部，从而形成有机半导体层；共聚物的旋涂厚度等于有机半导体层长度，且为40～200nm；通过控制共聚物的旋涂浓度和旋涂速度，控制有机半导体层长度；步骤4、刻蚀柱形槽；步骤5、制作栅介质层；步骤6、在栅介质层的顶部中心刻蚀一个同轴的顶部凹槽；步骤7、蒸镀栅极；步骤8、在栅介质层外周的隔离层顶面蒸镀源极。本发明的沟道长度垂直布设，无需借助高精度光刻机仅通过控制有机半导体溶液浓度、旋涂仪加速度和转速等就能实现对器件沟道长度的控制，制造出nm级别沟道。制造出nm级别沟道。制造出nm级别沟道。


技术研发人员：郭宇锋 汪磊 张珺 王赋斌 吴鑫 张浩 姚佳飞 陈静
受保护的技术使用者：南京邮电大学南通研究院有限公司
技术研发日：2023.06.26
技术公布日：2023/9/16