电光装置以及电子设备的制作方法

电光装置以及电子设备
1.本技术是基于发明名称为“电光装置以及电子设备”，申请日为2020年03月12日，申请号为202010169368.6的发明专利申请的分案申请。
技术领域
2.本发明涉及电光装置以及电子设备。


背景技术：

3.例如，公知有作为投影仪的光阀而使用的液晶装置等电光装置。专利文献1所记载的液晶装置具有扫描线、数据线以及针对多个像素的每个像素设置的像素电极和薄膜晶体管。另外，该液晶装置为了防止漏极电极的电位的变动，确保保持电容，而具有针对数据线的屏蔽层和针对扫描线的屏蔽层。
4.专利文献1：日本特开2018-40969号公报
5.但是，在现有的液晶装置中，由于扫描线或数据线的影响等而使2个屏蔽层的电位独立地变动，其结果为，这些屏蔽层之间的电位差按照每个像素发生变动。因此，保持电容按照每个像素而产生变化，其结果为，存在有可能产生显示模糊等动作不良的问题。


技术实现要素：

6.本发明的一个方式是电光装置，其具有：基板；像素电极，其配置在所述基板上；以及像素电路部，其配置于所述基板与所述像素电极之间，所述像素电路部具有：扫描线，其沿第1方向配置；数据线，其沿与所述第1方向交叉的第2方向配置；第1恒定电位线，其沿所述扫描线配置；第2恒定电位线，其沿所述数据线配置；晶体管，其对应于所述扫描线与所述数据线的交叉位置而配置，包含与所述扫描线电连接的栅电极、与所述数据线电连接的源区以及与所述像素电极电连接的漏区；以及连接部，其与所述交叉位置对应地配置，使所述第1恒定电位线与所述第2恒定电位线电连接。
附图说明
7.图1是本实施方式的电光装置的俯视图。
8.图2是本实施方式的电光装置的剖视图。
9.图3是示出本实施方式的元件基板的电气结构的等效电路图。
10.图4是示出本实施方式的像素电路部所具有的各种布线的一部分的分解立体图。
11.图5是示出本实施方式的像素电路部的一部和像素电极的俯视图。
12.图6是示意性地示出本实施方式的元件基板的一部分的剖视图。
13.图7是示意性地示出第1变形例的元件基板的一部分的剖视图。
14.图8是示意性地示出第2变形例的元件基板的一部分的剖视图。
15.图9是示出作为电子设备的一例的个人计算机的立体图。
16.图10是示出作为电子设备的一例的智能手机的立体图。
17.图11是示出作为电子设备的一例的投影仪的示意图。
18.标号说明
19.2：元件基板；4：对置基板；8：密封部件；9：液晶层；11：扫描线驱动电路；12：数据线驱动电路；14：外部端子；15：布线；20：像素电路部；21：第1基体；22：绝缘体；23：晶体管；25：第1电容；26：第2电容；28：像素电极；29：第1定向膜；41：第2基体；42：透光层；45：对置电极；46：第2定向膜；80：密封材料；81：注入口；100：电光装置；221：绝缘层；222：绝缘层；223：绝缘层；224：绝缘层；225：绝缘层；226：绝缘层；227：绝缘层；228：绝缘层；229：绝缘层；231：半导体层；231a：源区；231b：漏区；231c：沟道区域；231d：第1ldd区域；231e：第2ldd区域；232：栅电极；233：栅极绝缘膜；241：遮光体；242：源极布线；243：漏极布线；244：扫描线；245：第1恒定电位线；246：数据线；247：连接布线；248：第2恒定电位线；251：电极；252：电极；253：电介质层；256：存储电容；261：电极；262：电极；263：电介质层；270：屏蔽部；271：接触部；272：接触部；273：接触部；274：接触部；275：接触部；276：接触部；277：接触部；278：接触部；279：接触部；280：连接部；281：接触部；282：接触部；283：接触部；284：接触部；2000：个人计算机；2001：电源开关；2002：键盘；2010：主体部；3000：智能手机；3001：操作按钮；4000：投射型显示装置；4001：照明光学系统；4002：照明装置；4003：投射光学系统；4004：投射面；a10：显示区域；a20：周边区域；c1：交叉位置；p：像素。
具体实施方式
20.以下，参照附图，对本发明的优选实施方式进行说明。另外，在附图中，各部分的尺寸和比例尺与实际情况适当不同，为了便于理解，还存在示意性示出的部分。另外，只要在以下的说明中没有特别限定本发明的内容的记载，则本发明的范围不限于这些方式。
21.1.电光装置
22.作为本发明的电光装置的一例，以有源矩阵方式的液晶装置为例进行说明。
23.1-1.基本结构
24.图1是本实施方式的电光装置100的俯视图。图2是本实施方式的电光装置100的剖视图，是图1中的a-a线剖视图。另外，以下，为了便于说明，适当使用分别在图1和图2中示出的相互垂直的x轴、y轴以及z轴来进行说明。以下，将示出各轴的方向的箭头的末端侧称为“+侧”，将基端侧称为
“‑
侧”。另外，将x轴中的箭头所指的方向设为+x方向，将该+x方向的相反方向设为-x方向。另外，针对y轴和z轴也是同样的。在本实施方式中，“第1方向”是+y方向，与“第1方向”交叉的“第2方向”是-x方向。另外，后述的第1基体21与像素电极28重叠的“第3方向”是-z方向。另外，将从-z方向观察简称为“俯视”。
25.图1和图2所示的电光装置100是透过型的液晶装置。如图2所示，电光装置100具有：元件基板2，其具有透光性；对置基板4，其具有透光性；框架状的密封部件8；以及液晶层9。密封部件8配置于元件基板2与对置基板4之间。液晶层9配置于由元件基板2、对置基板4以及密封部件8包围而成的区域内。这里，对置基板4、液晶层9以及元件基板2的排列方向是-z方向，元件基板2的表面与x-y平面平行。
26.对于电光装置100而言，可以为光从元件基板2入射，透过液晶层9，而从对置基板4射出，也可以为，从对置基板4入射，通过液晶层9，而从元件基板2射出。另外，透过电光装置100的光是可见光。在本说明书中，透光性是指针对可见光的透过性，优选为可见光的透过
率为50％以上。另外，如图1所示，电光装置100在俯视时呈四边形状，但电光装置100的俯视形状不限定于此，例如也可以是圆形等。
27.如图1所示，元件基板2是在俯视时包含了对置基板4的大小。如图2所示，元件基板2具有作为“基板”的第1基体21、像素电路部20、多个像素电极28以及第1定向膜29。第1基体21、像素电路部20、多个像素电极28以及第1定向膜29按照该顺序排列。第1定向膜29位于最靠液晶层9侧的位置。第1基体21由具有透光性和绝缘性的平板构成。第1基体21例如由玻璃或石英构成。像素电路部20具有各种布线。像素电极28具有透光性，例如由ito(indium tin oxide：氧化铟锡)或izo(indium zinc oxide：氧化铟锌)等透明导电材料构成。第1定向膜29使液晶层9的液晶分子定向。作为第1定向膜29的结构材料，例如举出聚酰亚胺和氧化硅等。另外，后面对像素电路部20进行详细叙述。
28.如图2所示，对置基板4具有第2基体41、透光层42、对置电极45以及第2定向膜46。第2基体41、透光层42、对置电极45以及第2定向膜46按照该顺序排列。第2定向膜46位于最靠液晶层9侧的位置。第2基体41由具有透光性和绝缘性的平板构成。第2基体41例如由玻璃或石英等构成。透光层42例如由氧化硅等具有透光性和绝缘性的硅类无机材料形成。对置电极45例如由ito或izo等透明导电材料构成。第2定向膜46使液晶层9的液晶分子定向。作为第2定向膜46的结构材料，例如举出聚酰亚胺和氧化硅等。
29.密封部件8例如使用包含环氧树脂等各种固化性树脂的粘接剂等而形成。密封部件8分别固定于元件基板2和对置基板4。如图1所示，在密封部件8的一部分形成有用于供包含液晶分子的液晶材料注入的注入口81，注入口81被使用各种树脂材料而形成的密封材料80密封。
30.图2所示的液晶层9包含具有正介电各向异性或负介电各向异性的液晶分子。液晶层9以使液晶分子与第1定向膜29和第2定向膜46双方接触的方式被元件基板2和对置基板4夹持。液晶层9所具有的液晶分子的定向根据向液晶层9施加的电压而变化。液晶层9根据施加的电压而对光进行调制，从而能够进行灰度显示。
31.另外，如图1所示，在元件基板2的靠对置基板4侧的面配置有多个扫描线驱动电路11和数据线驱动电路12。另外，在元件基板2的靠对置基板4侧的面配置有多个外部端子14。在外部端子14连接有分别从扫描线驱动电路11和数据线驱动电路12引绕出的引绕布线15。
32.该结构的电光装置100具有：显示区域a10，其显示图像等；以及周边区域a20，其在俯视时包围显示区域a10。在显示区域a10设置有呈矩阵状排列的多个像素p。在周边区域a20配置有扫描线驱动电路11和数据线驱动电路12等。另外，显示区域a10除了包含参与显示的多个像素p之外，也可以包含以包围多个像素p的方式配置的不参与显示的虚设像素。
33.1-2.电气结构
34.图3是示出本实施方式的元件基板2的电气结构的等效电路图。如图3所示，在元件基板2设置有n条扫描线244、m条数据线246以及作为n条电容线的第1恒定电位线245。n和m分别是2以上的整数。
35.n条扫描线244分别沿+y方向延伸，并在-x方向上等间隔排列。扫描线244与晶体管23的栅极电连接。另外，n条扫描线244与图1所示的扫描线驱动电路11电连接。扫描信号g1、g2、
…
、以及gn按照线顺序从扫描线驱动电路11向n条扫描线244提供。
36.图3所示的m条数据线246分别沿-x方向延伸，并在+y方向上等间隔排列。数据线
246与晶体管23的源极电连接。另外，m条数据线246与图1所示的数据线驱动电路12电连接。图像信号s1、s2、
…
、以及sm并行地从图1所示的数据线驱动电路12向m条数据线246提供。
37.图3所示的n条扫描线244和m条数据线246彼此绝缘，在俯视时呈格子状。被相邻的2个扫描线244和相邻的2个数据线246包围的区域与像素p对应。向1个像素p设置1个像素电极28。1个晶体管23与1个像素电极28对应地设置。像素电极28与对应的晶体管23电连接。晶体管23对所对应的像素电极28进行开关控制。晶体管23例如是作为开关元件而发挥功能的tft。
38.n条第1恒定电位线245分别沿+y方向延伸，并在-x方向上等间隔排列。另外，n条第1恒定电位线245与多个数据线246和多个扫描线244绝缘并远离这些数据线和扫描线地形成。向第1恒定电位线245例如施加接地电位等固恒定电位。另外，为了防止液晶电容所保持的电荷泄漏，在第1恒定电位线245与像素电极28之间，存储电容256与液晶电容排列配置。存储电容256是用于根据提供的图像信号sm对像素电极28的电位进行保持的电容元件。
39.在依次激活扫描信号g1、g2、
…
、以及gn并依次选择n条扫描线244时，与选择的扫描线244连接的晶体管23成为打开状态。这样，经由m条数据线246使与应该显示的灰度对应的大小的图像信号s1、s2、
…
、以及sm取入到与选择的扫描线244对应的像素p，并向像素电极28施加。由此，向形成于像素电极28与图2所示的对置基板4所具有的对置电极45之间的液晶电容施加与应该显示的灰度对应的电压，使液晶分子的定向根据施加的电压而变化。另外，通过存储电容256对施加的电压进行保持。通过像这样的液晶分子的定向的变化，能够对光进行调制而进行灰度显示。
40.1-3.像素电路部20
41.图4是示出本实施方式的像素电路部20所具有的各种布线的一部分的分解立体图。在图4中，图示了关于1个像素p的各种布线。如图4所示，像素电路部20具有遮光体241、晶体管23、源极布线242、漏极布线243、扫描线244、第1恒定电位线245、存储电容256、数据线246、连接布线247以及第2恒定电位线248。晶体管23、扫描线244、第1恒定电位线245、存储电容256、数据线246以及第2恒定电位线248按照该顺序从遮光体241朝向像素电极28配置。另外，针对每个所述像素p设置遮光体241、晶体管23、源极布线242、漏极布线243、存储电容256以及连接布线247。即，针对每个像素电极28设置遮光体241、晶体管23、源极布线242、漏极布线243、存储电容256以及连接布线247。
42.分别对多个像素p的全部像素配置扫描线244、第1恒定电位线245、数据线246以及第2恒定电位线248。另外，第1恒定电位线245与扫描线244对应地配置。具体而言，第1恒定电位线245以与对应的扫描线244大致平行的方式沿+y方向配置。第1恒定电位线245在俯视时与对应的扫描线244重叠。该第1恒定电位线245作为针对扫描线244的屏蔽线而发挥功能。另外，第2恒定电位线248与数据线246对应地配置。具体而言，第2恒定电位线248以与对应的数据线246大致平行的方式沿-x方向配置。第2恒定电位线248在俯视时与对应的数据线246重叠。该第2恒定电位线248作为针对数据线246的屏蔽线而发挥功能。
43.图5是示出本实施方式的像素电路部20的一部分和像素电极28的俯视图。如图5所示，多个扫描线244和多个数据线246在俯视时呈格子状。同样，多个第1恒定电位线245和多个第2恒定电位线248在俯视时呈格子状。
44.像素电极28在俯视时与被相邻的2个扫描线244和相邻的2个数据线246包围的区
域重叠。1个晶体管23和1个存储电容256与1个像素电极28对应地设置。晶体管23和存储电容256对应于扫描线244与数据线246的交叉位置c1地配置。具体而言，晶体管23和存储电容256的各一部分与交叉位置c1重叠。交叉位置c1是在俯视时扫描线244与数据线246所交叉的部分，是它们相互重叠的部分。
45.另外，虽然在图5中没有图示，但1个遮光体241、1个源极布线242、1个漏极布线243以及1个连接布线247与1个像素电极28对应地设置。另外，上述的遮光体241、源极布线242、漏极布线243以及连接布线247与交叉位置c1对应地配置。
46.图6是示意性地示出本实施方式的元件基板2的一部分的剖视图。另外，图6是着眼于1个像素p的图。在图6中，为了便于理解，示意性地示出各种布线的配置。
47.如图6所示，像素电路部20配置于第1基体21与像素电极28之间。像素电路部20所具有的遮光体241配置在第1基体21上。遮光体241具有遮光性和导电性。另外，遮光体241也可以配置在设置于第1基体21的凹部内。例如通过镶嵌法而形成该凹部。另外，作为遮光体241的结构材料，例如举出钨(w)、钛(ti)、铬(cr)、铁(fe)、铝(al)等金属、金属氮化物以及金属硅化物等。在它们之中，优选钨。钨在各种金属之中耐热性优异，并且不容易由于例如制造时的热处理而使od(optical density：光密度)值降低。由此，通过使遮光体241包含钨，能够特别有效地通过遮光体241防止光向晶体管23的入射。
48.像素电路部20所具有的各种布线配置于像素电路部20所具有的透光性的绝缘体22。绝缘体22覆盖遮光体241而配置在第1基体21上。绝缘体22具有绝缘层221、222、223、224、225、226、227、228、229。这些层按照该顺序从第1基体21朝向像素电极28配置。这些层分别例如由通过热氧化或cvd(chemical vapor deposition)法等而成膜的氧化硅膜构成。
49.在绝缘层221与绝缘层222之间配置有晶体管23所具有的半导体层231。在绝缘层222与绝缘层223之间配置有晶体管23所具有的栅电极232。在绝缘层223与绝缘层224之间配置有源极布线242、漏极布线243以及扫描线244。在绝缘层224与绝缘层225之间配置有第1恒定电位线245。在绝缘层225与绝缘层226之间配置有存储电容256所具有的第1电容25。在绝缘层226与绝缘层227之间配置有存储电容256所具有的第2电容26。在绝缘层227与绝缘层228之间配置有数据线246。在绝缘层228与绝缘层229之间配置有第2恒定电位线248和连接布线247。
50.晶体管23具有半导体层231、栅电极232以及栅极绝缘膜233。半导体层231具有源区231a、漏区231b、沟道区域231c、第1ldd(lightly doped drain：轻掺杂漏极)区域231d、以及第2ldd区域231e。沟道区域231c位于源区231a与漏区231b之间。第1ldd区域231d位于沟道区域231c与源区231a之间。第2ldd区域231e位于沟道区域231c与漏区231b之间。例如使多晶硅成膜而形成半导体层231，在除沟道区域231c以外的区域中掺杂有提高导电性的杂质。第1ldd区域231d和第2ldd区域231e中的杂质浓度比源区231a和漏区231b中的杂质浓度低。另外，也可以省略第1ldd区域231d和第2ldd区域231e中的至少一个，特别是可以省略第1ldd区域231d。
51.栅电极232在俯视时与半导体层231的沟道区域231c重叠。例如通过在多晶硅中掺杂提高导电性的杂质而形成栅电极232。另外，也可以使用金属、金属硅化物以及金属化合物等具有导电性的材料而形成栅电极232。另外，栅极绝缘膜233介于栅电极232与沟道区域231c之间。栅极绝缘膜233例如由通过热氧化或cvd法等而成膜的氧化硅构成。
52.晶体管23的源区231a经由贯通绝缘层222和绝缘层223的接触部271与源极布线242连接。源极布线242经由贯通绝缘层224、225、226、227的接触部275与数据线246连接。漏区231b经由贯通绝缘层222、223的接触部272与漏极布线243连接。漏极布线243经由贯通绝缘层224、225、226的接触部276与存储电容256的第2电容26连接。栅电极232经由贯通绝缘层223的接触部273与扫描线244连接。另外，扫描线244经由贯通绝缘层221、222、223的接触部274与所述的遮光体241连接。遮光体241与晶体管23所具有的栅电极232一同作为栅电极而发挥功能。
53.另外，第1恒定电位线245具有屏蔽部270。屏蔽部270作为抑制来自扫描线244的泄露电场对晶体管23和漏极布线243造成影响的屏蔽部以及半导体层231的遮光部而发挥作用。因此，屏蔽部270的一端侧与第1恒定电位线245连接，从该一端侧延伸的部分贯通绝缘层224而配置至绝缘层223的厚度方向的中途位置。另外，屏蔽部270在俯视时配置于与第2ldd区域231e重叠的位置，其延伸的部分从第1恒定电位线245起通过扫描线244与漏极布线243之间，延伸至配置于扫描线244与第2ldd区域231e之间的绝缘层223的厚度方向的中途位置。另外，屏蔽部270与第1恒定电位线245电连接，被从第1恒定电位线245提供固恒定电位。
54.存储电容256具有第1电容25和第2电容26。第1电容25具有一对电极251、252以及电介质层253。电介质层253配置于电极251与电极252之间。电极251配置在绝缘层225上。电极251经由贯通绝缘层225的接触部277与第1恒定电位线245连接。电极252经由贯通绝缘层226、227、228的接触部279与连接布线247连接。连接布线247经由贯通绝缘层229的接触部283与像素电极28连接。
55.另一方面，第2电容26具有在俯视时与第1电容25重叠的部分。第2电容26具有一对电极261、262以及电介质层263。电极261相当于“第2电极”。电极262相当于“第1电极”。电介质层263相当于“电介质”。电介质层263配置于电极261与电极262之间。电极261配置在绝缘层226上。电极261经由贯通绝缘层226的接触部278与第1电容25的电极252连接。电极262经由贯通绝缘层225、226的接触部281与第1恒定电位线245连接。另外，电极262经由贯通绝缘层227、228的接触部282与第2恒定电位线248连接。
56.这里，由接触部281和接触部282构成连接部280。接触部281是将第1恒定电位线245与电极262连接的“第1连接部”。接触部282是将第2恒定电位线248与电极262连接的“第2连接部”。另外，与第1恒定电位线245相同，向第2恒定电位线248例如施加接地电位等固恒定电位。向第1恒定电位线245提供的固恒定电位与向第2恒定电位线248提供的固恒定电位是同电位。
57.另外，所述的连接布线247与第2恒定电位线248配置于同层，配置于与数据线246不同的层。通过不使数据线246与连接布线247配置于同层，能抑制它们之间的相邻间的耦合。
58.作为所述的源极布线242、漏极布线243、扫描线244、第1恒定电位线245、数据线246、连接布线247、第2恒定电位线248、电极251、电极252、电极261以及电极262的各结构材料，举出钨、钛、铬、铁以及铝等金属、金属氮化物以及金属硅化物等。具体而言，例如，存储电容256所具有的电极251、电极252、电极261以及电极262分别由氮化钛膜构成。另外，例如，源极布线242、漏极布线243、扫描线244、第1恒定电位线245、数据线246、连接布线247以
及第2恒定电位线248分别由氮化钛膜、铝膜以及氮化钛膜的层叠体构成。这些布线包含铝膜，因此相比于仅由氮化钛膜构成的情况，能够实现低电阻化。
59.另外，作为接触部271～283的各结构材料，举出铝和钨等金属。另外，例如，接触部274也可以与扫描线244构成为一体。其他的接触部271～273以及275～283也与接触部274相同，可以与所连接的布线等构成为一体。另外，屏蔽部270也是同样，可以与第1恒定电位线245构成为一体。
60.如上所述，以上的电光装置100具有：第1基体21；像素电极28，其配置在第1基体21上；以及像素电路部20，其配置于第1基体21与像素电极28之间。像素电路部20具有：扫描线244，其沿+y方向配置；数据线246，其沿-x方向配置；第1恒定电位线245，其沿扫描线244配置；第2恒定电位线248，其沿数据线246配置；以及晶体管23，其对应于扫描线244与数据线246的交叉位置c1而配置。另外，像素电路部20具有使第1恒定电位线245与第2恒定电位线248电连接的连接部280。而且，连接部280与交叉位置c1对应地配置。
61.通过具有连接部280，使第1恒定电位线245与第2恒定电位线248按照每个像素p连线。通过使第1恒定电位线245与第2恒定电位线248连线，即使第1恒定电位线245和第2恒定电位线248的各电位受到扫描线244或数据线246的影响，也能够减少第1恒定电位线245与第2恒定电位线248的电位差。此外，按照每个像素p进行连线，因此能够抑制第1恒定电位线245与第2恒定电位线248之间的电位差在像素p之间产生偏差。另外，能够抑制由于第1恒定电位线245和第2恒定电位线248的各时间常数的影响而使第1恒定电位线245与第2恒定电位线248之间的电位差在像素p之间产生偏差。能够抑制像素p间的第1恒定电位线245与第2恒定电位线248之间的电位差的偏差，因此能够针对每个像素p抑制存储电容256中的保持电容的变化。其结果为，能够抑制电光装置100的显示模糊等动作不良的产生。因此，即使为了能够进行高精细的显示而增加像素p的数量，导致像素p的大小变小，也能够减少显示模糊等动作不良。
62.另外，如上所述，存储电容256具有作为“第1电极”的电极262、与漏区231b电连接的作为“第2电极”的电极261以及配置于电极262与电极261之间的作为“电介质”的电介质层263。另外，连接部280具有将第1恒定电位线245与电极262连接的作为“第1连接部”的接触部281以及将第2恒定电位线248与电极262连接的作为“第2连接部”的接触部282。因此，第1恒定电位线245与第2恒定电位线248通过接触部281和接触部282经由电极262电连接。因此，能够使第1恒定电位线245和第2恒定电位线248分别作为电容线而发挥功能。另外，通过使接触部281和接触部282经由电极262连接，相比于不经由电极262的情况，能够提高存储电容256、第1恒定电位线245、第2恒定电位线248、接触部281以及接触部282的配置和尺寸的自由度。
63.另外，如上所述，存储电容256配置于作为第1恒定电位线245与第2恒定电位线248之间的层的绝缘层225、226、227。因此，例如，相比于在第1恒定电位线245与第2恒定电位线248之间未配置存储电容256的情况，能够避免第1恒定电位线245和第2恒定电位线248与存储电容256的电连接变得复杂。
64.另外，如上所述，存储电容256具有第1电容25和第2电容26。因此，相比于存储电容256仅具有1个电容的情况，能够使静电电容较大。因此，能够适当进行电压的保持。
65.另外，第1电容25所具有的电极251和第2电容26所具有的电极262与第1恒定电位
线245电连接。因此，向电极251和电极262提供固恒定电位。而且，在电极251与电极262之间配置有与漏区231b电连接的电极252和电极261。因此，能够抑制电极252和电极261受到数据线246等其他布线的电气相互作用。由此，能够更有效地抑制存储电容256的保持电容的变化。另外，通过以使电极252和电极261位于电极251与电极262之间的方式配置第1电容25和第2电容26，因此能够减少用于将存储电容256与像素电极28电连接的接触部的数量。同样，能够减少用于将存储电容256与漏区231b电连接的接触部的数量。
66.另外，如上所述，第1恒定电位线245与第2恒定电位线248经由第2电容26的电极262电连接。因此，相比于它们经由第1电容25的电极251电连接的情况，能够提高第1恒定电位线245、第2恒定电位线248、接触部281以及接触部282的配置和尺寸的自由度。
67.另外，如上所述，第2恒定电位线248配置于作为数据线246与像素电极28之间的层的绝缘层228、229。因此，能够抑制数据线246与像素电极28之间的寄生电容导致的耦合等的电气相互作用。因此，能够有效抑制由于数据线246的影响而使像素电极28的电位发生变动。另外，第1恒定电位线245配置于作为扫描线244与存储电容256之间的层的绝缘层224、225。因此，能够抑制由于扫描线244的影响而使存储电容256的静电电容发生变动。
68.此外，第1恒定电位线245在从-z方向观察时与扫描线244重叠。因此，相比于第1恒定电位线245不与扫描线244重叠的情况，能够更有效地抑制由于扫描线244的影响而使像素电极28的电位发生变动。另外，第2恒定电位线248在从-z方向观察时与数据线246重叠。因此，相比于第2恒定电位线248不与数据线246重叠的情况，能够更有效地抑制由于数据线246的影响而使存储电容256中的静电电容发生变动。
69.另外，如上所述，接触部274可以像上述那样与扫描线244形成为一体，但优选为与扫描线244分开形成。在该情况下，在绝缘层221、222、223上挖出接触孔，通过将钨等埋入该接触孔，而形成接触部274。即，在接触部274的结构材料是钨的情况下，接触部274优选由钨插头构成。通过由钨插头构成，从而相比于接触部274与扫描线244构成为一体的情况，能够使扫描线244的厚度较薄。因此，能够使绝缘体22的厚度较薄，因此能够提高元件基板2的光学特性。另外，其他的接触部271～273以及275～281也是同样的。另外，所述的遮光体241也可以不作为栅电极发挥作用。在该情况下，遮光体241可以由绝缘性的材料构成。
70.2.变形例
71.以上例示的各方式能够各种变形。下面，例示所述的各方式所能够应用的具体的变形方式。从以下的例示中任意选择的2个以上的方式能够在不相互矛盾的范围适当组合。
72.2-1.第1变形例
73.在所述的实施方式中，连接部280由接触部281和接触部282构成，但连接部280的结构不限定于此。图7是示意性地示出第1变形例的元件基板2a的一部分的剖视图。元件基板2a所具有的像素电路部20a具有连接部280a。连接部280a将第1恒定电位线245与第2恒定电位线248直接连接。即，连接部280a使第1恒定电位线245与第2恒定电位线248不经由电极262电连接。根据该结构，能够实现第1恒定电位线245和第2恒定电位线248的低电阻化。另外，如图7所示，元件基板2a具有使第2恒定电位线248与电极262电连接的接触部284。通过设置接触部284，能够适当地将第2恒定电位线248作为电容线来使用。
74.2-2.第2变形例
75.图8是示意性地示出第2变形例的元件基板2b的一部分的剖视图。元件基板2b所具
有的像素电路部20b具有连接部280b。连接部280b包含接触部282b和接触部277，将第1恒定电位线245与第2恒定电位线248之间电连接的接触部277将第1恒定电位线245与电极251电连接。接触部282b将第2恒定电位线248与电极251电连接。在图8所示的例子中，接触部277相当于将第1恒定电位线245与电极251连接的“第1连接部”。接触部282b相当于将第2恒定电位线248与电极251连接的“第2连接部”。另外，电极251相当于“第1电极”，电极252相当于“第2电极”，“电介质”相当于电介质层253。
76.2-3.第3变形例
77.在所述的实施方式中，针对全部像素p设置有连接部280，但也可以仅针对全部像素p中的几个任意的像素p设置有连接部280。但是，通过针对全部像素p设置连接部280，能够特别有效地减少显示模糊。
78.2-4.第4变形例
79.在所述的实施方式中，第1电容25和第2电容26配置于第1恒定电位线245与第2恒定电位线248之间的层，但第1电容25和第2电容26的各配置不限定于此，是任意的。例如，第2电容26也可以配置于第2恒定电位线248与像素电极28之间的层。另外，存储电容256具有第1电容25和第2电容26，但存储电容256也可以由1个电容构成。
80.2-5.第5变形例
81.在所述的实施方式中，第1恒定电位线245和第2恒定电位线248分别作为电容线发挥功能，但也可以为，它们双方或任意一方作为电容线来发挥功能。另外，在不是双方作为电容线来发挥作用的情况下，需要另外准备电容线，因此优选使至少一方作为电容线来发挥功能。通过使至少一方作为电容线来发挥功能，相比于另外准备电容线的情况，能够使元件基板2的厚度较薄，从而能够抑制光学特性的降低。
82.2-6.第6变形例
83.在所述的实施方式中，第1恒定电位线245配置于比扫描线244靠+z轴侧的位置，但也可以根据各种布线的配置等，将第1恒定电位线245配置于比扫描线244靠-z轴侧的位置。同样，在所述的实施方式中，第2恒定电位线248配置于比数据线246靠+z轴侧的位置，但也可以根据各种布线的配置等，将第2恒定电位线248配置于比数据线246靠-z轴侧的位置。
84.2-7.第7变形例
85.在所述的实施方式中，第1恒定电位线245也可以在俯视时不与扫描线244重叠。同样，第2恒定电位线248也可以在俯视时不与数据线246重叠。
86.2-8.第8变形例
87.在所述的实施方式中，以“晶体管”是tft的情况为例进行了说明，但“晶体管”不限定于此，例如，也可以采用mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等。
88.3.电子设备
89.电光装置100能够使用于各种电子设备。
90.图9是示出作为电子设备的一例的个人计算机2000的立体图。个人计算机2000具有：电光装置100，其显示各种图像；以及主体部2010，其设置有电源开关2001、键盘2002。
91.图10是示出作为电子设备的一例的智能手机3000的立体图。智能手机3000具有操作按钮3001和显示各种图像的电光装置100。根据对操作按钮3001的操作，而变更显示于电
光装置100的画面内容。
92.图11是示出作为电子设备的一例的投影仪的示意图。投射型显示装置4000例如是3板式的投影仪。电光装置1r是与红色的显示颜色对应的电光装置100，电光装置1g是与绿色的显示颜色对应的电光装置100，电光装置1b是与蓝色的显示颜色对应的电光装置100。即，投射型显示装置4000具有分别与红、绿以及蓝的显示颜色对应的3个电光装置1r、1g、1b。
93.照明光学系统4001将来自作为光源的照明装置4002的出射光中的红色成分r向电光装置1r提供，将绿色成分g向电光装置1g提供，将蓝色成分b向电光装置1b提供。各电光装置1r、1g、1b作为根据显示图像对从照明光学系统4001提供的各单色光进行调制的光阀等光调制器而发挥作用。投射光学系统4003对来自各电光装置1r、1g、1b的出射光进行合成并向投射面4004投射。
94.所述的个人计算机2000、智能手机3000以及投射型显示装置4000分别具有所述的电光装置100。由于具有电光装置100，因此能够提高个人计算机2000、智能手机3000以及投射型显示装置4000各自的显示品质。
95.以上，根据优选的实施方式对本发明进行了说明，但本发明不限定于所述的各实施方式。另外，本发明的各部的结构能够置换为发挥所述的实施方式的同样功能的任意结构，另外，能够附加任意的结构。
96.另外，作为应用了本发明的电光装置的电子设备，不限定于例示的设备，例如举出pda(personal digital assistants：个人数字助理)、数字静态照相机、电视机、摄像机、汽车导航装置、车载用的显示器、电子记事本，电子纸、电子计算器、文字处理器、工作站、可视电话以及pos(point of sale：销售点)终端等。此外，作为应用了本发明的电子设备，可举出打印机、扫描仪、复印机、视频播放器或具有触摸面板的设备等。
97.另外，在所述的说明中，作为本发明的电光装置的一例而对液晶装置进行了说明，但本发明的电光装置不限定于此。例如，本发明的电光装置也能够应用于图像传感器等。另外，例如，具有有机el(electro luminescence：电致发光)、无机el或发光聚合物等发光元件的显示面板也能够与所述的实施方式相同地应用本发明。另外，针对使用包含着色的液体和分散于该液体的白色的粒子的微胶囊的电泳显示面板，也能够与所述的实施方式相同地应用本发明。

技术特征：
1.一种电光装置，其特征在于，所述电光装置具备：扫描线，其沿第1方向配置；数据线，其沿与所述第1方向交叉的第2方向配置；第1恒定电位线，其沿所述扫描线配置；第2恒定电位线，其沿所述数据线配置，具有向沿着所述扫描线的方向突出的突出部；存储电容，其包含第1电极，该第1电极具有向沿着所述扫描线的方向突出的突出部；以及连接部，其将所述第1恒定电位线与所述第2恒定电位线的突出部电连接，所述连接部配置于与所述第1电极的突出部重叠的区域。2.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述存储电容包含：第2电极，其与所述第1电极重叠；以及电介质，其配置于所述第1电极与所述第2电极之间，所述连接部具有：第1连接部，其将所述第1恒定电位线与所述第1电极连接；以及第2连接部，其将所述第2恒定电位线与所述第1电极连接。3.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述存储电容配置于所述第1恒定电位线与所述第2恒定电位线之间的层。4.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述电光装置具备像素电极，所述第1恒定电位线以及所述第2恒定电位线分别配置于所述扫描线与所述像素电极之间的层。5.根据权利要求4所述的电光装置，其中，所述第1恒定电位线配置于所述扫描线与所述存储电容之间的层，所述第2恒定电位线配置于所述数据线与所述像素电极之间的层。6.一种电光装置，其特征在于，所述电光装置具备：扫描线以及第1恒定电位线，它们沿第1方向配置；数据线以及第2恒定电位线，它们沿与所述第1方向交叉的第2方向配置；存储电容，其包含第1电极，该第1电极具有向沿着所述第1方向的方向突出的突出部；以及连接部，其将所述第1恒定电位线与所述第2恒定电位线的向沿着所述第1方向的方向突出的突出部电连接，所述连接部在俯视时与所述第2恒定电位线的突出部重叠的区域中与所述第1电极的突出部电连接。7.根据权利要求6所述的电光装置，其中，所述存储电容包含：第2电极，其与所述第1电极重叠；以及电介质，其配置于所述第1电极与所述第2电极之间，所述连接部具有：
第1连接部，其将所述第1恒定电位线与所述第1电极连接；以及第2连接部，其将所述第2恒定电位线与所述第1电极连接。8.根据权利要求6所述的电光装置，其中，所述存储电容配置于所述第1恒定电位线与所述第2恒定电位线之间的层。9.根据权利要求6所述的电光装置，其中，所述电光装置具备像素电极，所述第1恒定电位线以及所述第2恒定电位线分别配置于所述扫描线与所述像素电极之间的层。10.根据权利要求9所述的电光装置，其中，所述第1恒定电位线配置于所述扫描线与所述存储电容之间的层，所述第2恒定电位线配置于所述数据线与所述像素电极之间的层。11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备具备权利要求1至10中任一项所述的电光装置。

技术总结
提供电光装置以及电子设备，能够抑制显示模糊等动作不良。电光装置具有：基板；像素电极，其配置在所述基板上；以及像素电路部，其配置于所述基板与所述像素电极之间，所述像素电路部具有：扫描线，其沿第1方向配置；数据线，其沿与所述第1方向交叉的第2方向配置；第1恒定电位线，其沿所述扫描线配置；第2恒定电位线，其沿所述数据线配置；晶体管，其对应于所述扫描线与所述数据线的交叉位置地配置，包含与所述扫描线电连接的栅电极、与所述数据线电连接的源区以及与所述像素电极电连接的漏区；以及连接部，其与所述交叉位置对应地配置，将所述第1恒定电位线与所述第2恒定电位线电连接。第1恒定电位线与所述第2恒定电位线电连接。第1恒定电位线与所述第2恒定电位线电连接。


技术研发人员：伊藤智
受保护的技术使用者：精工爱普生株式会社
技术研发日：2020.03.12
技术公布日：2023/9/19