数据分析方法、装置及存储介质与流程

1.本公开公开实施例涉及半导体存储技术领域，具体涉及一种数据分析方法、装置及存储介质。


背景技术：

2.随着集成电路制造工艺的快速发展，市场对半导体存储产品的出货效率及出货质量提出了更高的要求。为了提高半导体存储产品的出货质量，一般在半导体存储产品出厂前对待出货的产品进行批量化测试。
3.然而，半导体存储颗粒不同针脚的测试数据非常冗杂，传统地人工对比分析测试数据的方法，一方面难以快速分辨不同存储颗粒的特性差异，并追溯导致差异的根本原因；另一方面不可避免地会引入人工操作误差，导致数据分析效率低下，延长产品测试周期及出货周期。


技术实现要素：

4.本公开实施例提供一种数据分析方法、装置及存储介质，能够自动生成单一存储颗粒的集成shmoo图，并在集成shmoo图上显示不同针脚的测试数据的通过比例，直观地呈现出测试数据的规律及差异，便于相关工作人员快速分辨不同存储颗粒的特性差异并追溯导致差异的根本原因，避免引入人工操作误差，提高对存储颗粒测试数据分析的效率及智能性。
5.根据一些实施例，本公开的第一方面提供一种数据分析方法，包括：获取单一存储颗粒的各针脚的单一shmoo图；基于各所述针脚的单一shmoo图构建所述存储颗粒的集成shmoo图，其中，所述集成shmoo图的每一测试点标示有通过比例，所述通过比例用于表征在对应测试点通过的所述单一shmoo图的数量占单一shmoo图总数的比例。由于根据单一存储颗粒的各针脚的单一shmoo图自动生成该存储颗粒的集成shmoo图，集成shmoo图中各测试点的通过比例直观地向相关工作人员呈现出对应测试点通过的单一shmoo图的数量占单一shmoo图总数的比例，便于相关工作人员根据集成shmoo图中重复的通过比例或通过比例的变化趋势判断测试数据的共性特征或规律特征，及根据集成shmoo图中通过比例的差异性判断存储颗粒不同针脚的差异特征，并追溯导致差异的根本原因，避免引入人工操作误差，提高对存储颗粒测试数据分析的效率及智能性。
6.在一些实施例中，所述集成shmoo图包括部分交叠的特征区域及通过区域，所述通过区域包括各所述单一shmoo图的共有通过区域；所述共有通过区域中通过测试点的通过比例为100％；所述特征区域中各测试点的通过比例为大于0且小于100％。本实施例便于相关工作人员根据各单一shmoo图的共有通过区域发掘测试数据的共性特征，并判断存储颗粒的性能优劣，以及根据特征区域中通过比例的差异性判断存储颗粒不同针脚的差异特征，并追溯导致差异的根本原因。
7.在一些实施例中，所述特征区域具有至少两种用于表示通过比例的第一标识，不
同第一标识表征不同的通过比例，以便于相关工作人员比较第一标识例如是数字标识，并根据比较结果判断存储颗粒不同针脚的差异特征，以追溯导致差异的根本原因。
8.在一些实施例中，所述第一标识包括数字标识，所述方法还包括如下判断所述存储颗粒的针脚均一性的步骤：获取所述特征区域中任意相邻测试点的数字标识的差值，若各所述差值中至少一个大于或等于预设差值阈值，则判定所述存储颗粒的针脚均一性较差；反之，则判定所述存储颗粒的针脚均一性良好；或获取各所述数字标识的最小值，若所述最小值大于或等于预设标准阈值，则判定所述存储颗粒的针脚均一性良好，反之，则判定所述存储颗粒的针脚均一性较差。本实施例中能够在集成shmoo图特征区域内直观地显示不同针脚对应测试点的通过比例数字标识，并能够通过比较相邻测试点数字标识的差值与预设差值阈值，或比较各数字标识的最小值与预设标准阈值，根据比较结果智能地判断存储颗粒的针脚均一性是否良好，有效地提高了数据分析的智能性及效率。
9.在一些实施例中，所述特征区域中各测试点还标示有对应针脚的第二标识，例如名称标识，便于相关工作人员直观地区分不同针脚，以根据特征区域中通过比例的差异性判断存储颗粒不同针脚的差异特征，追溯导致差异的根本原因。
10.在一些实施例中，所述数据分析方法还包括如下判断所述存储颗粒是否存在边缘缺陷的步骤：获取所述存储颗粒的集成shmoo图的标准通过区域；将所述标准通过区域的沿频率扫描方向延伸的对称轴确定为第一坐标轴，将所述标准通过区域的沿电压扫描方向延伸的对称轴或沿电压扫描方向延伸的边界线所在的直线确定为第二坐标轴；获取所述特征区域的边界线与所述第一坐标轴的交点，以及获取所述交点与坐标轴垂点之间的距离值，所述坐标轴垂点为所述第一坐标轴与所述第二坐标轴的垂点；若所述距离值大于或等于预设距离阈值，则判定存在边缘缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在边缘缺陷。
11.在一些实施例中，所述数据分析方法还包括如下判断所述存储颗粒是否存在空洞缺陷的步骤：判断所述通过区域内是否存在测试不通过区域，所述测试不通过区域包含连续的多个测试不通过点；若是，则判断任一所述测试不通过区域内是否包括至少两个在电压扫描方向上连续的测试不通过点，及至少两个在频率扫描方向上连续的测试不通过点；若是，则判定存在空洞缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在空洞缺陷。
12.在一些实施例中，所述数据分析方法还包括如下判断所述存储颗粒是否存在电压线性缺陷的步骤：判断所述集成shmoo图中是否存在电压线性缺陷区域，所述电压线性缺陷区域包括至少一条沿频率扫描方向延伸、且与所述集成shmoo图的相对的两条边界线均相交的电压失效线，位于所述电压失效线上的各测试点均为测试不通过点；若是，则判定存在电压线性缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在电压线性缺陷。
13.在一些实施例中，所述数据分析方法还包括如下判断所述存储颗粒是否存在频率线性缺陷的步骤：判断所述集成shmoo图中是否存在频率线性缺陷区域，所述频率线性缺陷区域包括至少一条沿电压扫描方向延伸、且与所述集成shmoo图的相对的两条边界线均相交的频率失效线，位于所述频率失效线上的各测试点均为测试不通过点；若是，则判定存在频率线性缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在
频率线性缺陷。
14.本公开实施例的第二方面提供一种数据分析方法，包括：获取多个存储颗粒中任意存储颗粒的单一shmoo图；基于各所述存储颗粒的单一shmoo图构建存储器的集成shmoo图，其中，所述集成shmoo图的每一测试点标示有第三标识，所述第三标识用于表征在对应测试点通过的存储颗粒的编码。本实施例便于经由存储器的集成shmoo图直观地发现不同存储颗粒的边缘差异。
15.本公开实施例的第三方面提供一种数据分析装置，包括单一shmoo图获取模块及集成shmoo图构建模块，单一shmoo图获取模块用于获取单一存储颗粒的各针脚的单一shmoo图；集成shmoo图构建模块用于基于各所述针脚的单一shmoo图构建所述存储颗粒的集成shmoo图，其中，所述集成shmoo图的每一测试点标示有通过比例，所述通过比例用于表征在对应测试点通过的所述单一shmoo图的数量占所述单一shmoo图总数的比例。由于集成shmoo图构建模块根据单一存储颗粒各针脚的单一shmoo图自动生成该存储颗粒的集成shmoo图，集成shmoo图中各测试点的通过比例直观地向相关工作人员呈现出对应测试点通过的单一shmoo图的数量占单一shmoo图总数的比例，便于相关工作人员根据集成shmoo图中重复的通过比例或通过比例的变化趋势，判断测试数据的共性特征或规律特征，及根据集成shmoo图中通过比例的差异性判断存储颗粒不同针脚的差异特征，追溯导致差异的根本原因，避免引入人工操作误差，提高对存储颗粒测试数据分析的效率及智能性。
16.在一些实施例中，所述集成shmoo图包括部分交叠的特征区域及通过区域，所述通过区域包括各所述单一shmoo图的共有通过区域；所述共有通过区域中通过测试点的通过比例为100％；所述特征区域中各测试点的通过比例为大于0且小于100％；所述特征区域具有至少两种用于表示通过比例的第一标识，不同第一标识表征不同的通过比例。本实施例便于相关工作人员根据各单一shmoo图的共有通过区域发掘测试数据的共性特征，并判断存储颗粒的性能优劣，以及根据特征区域中通过比例的差异性判断存储颗粒不同针脚的差异特征，并追溯导致差异的根本原因。
17.在一些实施例中，所述第一标识包括数字标识，所述数据分析装置还包括针脚均一性判断模块，针脚均一性判断模块用于比较所述特征区域中相邻测试点的数字标识，或获取各所述数字标识的最小值并比较所述最小值与预设标准阈值，根据比较结果判断所述存储颗粒的针脚均一性，有效地提高了数据分析的智能性及效率。
18.在一些实施例中，所述特征区域中各测试点还标示有对应针脚的第二标识，例如名称标识，便于相关工作人员直观地区分不同针脚，以根据特征区域中通过比例的差异性判断存储颗粒不同针脚的差异特征，并追溯导致差异的根本原因。
19.在一些实施例中，所述数据分析装置还包括标准通过区域获取单元、坐标轴获取单元及边缘缺陷判断单元，标准通过区域获取单元用于获取所述存储颗粒的集成shmoo图的标准通过区域；坐标轴获取单元用于将所述标准通过区域的沿频率扫描方向延伸的对称轴确定为第一坐标轴，将所述标准通过区域的沿电压扫描方向延伸的对称轴或沿电压扫描方向延伸的边界线所在的直线确定为第二坐标轴；边缘缺陷判断单元用于获取所述特征区域的边界线与所述第一坐标轴的交点，以及获取所述交点与坐标轴垂点之间的距离值，所述坐标轴垂点为所述第一坐标轴与所述第二坐标轴的垂点；及若所述距离值大于或等于预设距离阈值，则判定存在边缘缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断
存储颗粒是否存在边缘缺陷。
20.在一些实施例中，所述数据分析装置还包括空洞缺陷判断模块，空洞缺陷判断模块用于判断所述通过区域内是否存在测试不通过区域，所述测试不通过区域包含连续的多个测试不通过点；若是，则判断任一所述测试不通过区域内是否包括至少两个在电压扫描方向上连续的测试不通过点，及至少两个在频率扫描方向上连续的测试不通过点，若是，则判定存在空洞缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在空洞缺陷。
21.在一些实施例中，所述数据分析装置还包括电压线性缺陷判断模块，电压线性缺陷判断模块用于判断所述集成shmoo图中是否存在电压线性缺陷区域，所述电压线性缺陷区域包括至少一条沿频率扫描方向延伸、且与所述集成shmoo图的相对的两条边界线均相交的电压失效线，位于所述电压失效线上的各测试点均为测试不通过点；若是，则判定存在电压线性缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在电压线性缺陷。
22.在一些实施例中，所述数据分析装置还包括频率线性缺陷判断模块，频率线性缺陷判断模块用于判断所述集成shmoo图中是否存在频率线性缺陷区域，所述频率线性缺陷区域包括至少一条沿电压扫描方向延伸、且与所述集成shmoo图的相对的两条边界线均相交的频率失效线，位于所述频率失效线上的各测试点均为测试不通过点；若是，则判定存在频率线性缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在频率线性缺陷。
23.本公开实施例的第四方面提供一种存储装置，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现本公开中任一实施例中所述的方法的步骤。
24.本公开实施例的第五方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现本公开中任一实施例中所述的方法的步骤。
附图说明
25.为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他实施例的附图。
26.图1示意本公开一实施例中提供的一种数据分析方法的流程示意图；
27.图2a示意单一存储颗粒一针脚的原始shmoo图；
28.图2b示意一实施例中单一存储颗粒的集成shmoo图；
29.图3示意本公开另一实施例中数据分析方法的流程示意图；
30.图4a示意另一实施例中单一存储颗粒的集成shmoo图；
31.图4b示意再一实施例中单一存储颗粒的集成shmoo图；
32.图4c示意又一实施例中单一存储颗粒的集成shmoo图；
33.图5示意本公开再一实施例中数据分析方法的流程示意图；
34.图6a示意一实施例中存在边缘缺陷的存储颗粒的集成shmoo图；
35.图6b示意另一实施例中存在边缘缺陷的存储颗粒的集成shmoo图；
36.图7示意一实施例中存在空洞缺陷的存储颗粒的集成shmoo图；
37.图8示意一实施例中存在电压线性缺陷的存储颗粒的集成shmoo图；
38.图9示意一实施例中存在频率线性缺陷的存储颗粒的集成shmoo图；
39.图10示意一实施例中存在空洞缺陷及电压线性缺陷的存储颗粒的集成shmoo图；
40.图11示意本公开又一实施例中数据分析方法的流程示意图；
41.图12a示意一实施例中存储颗粒的单一shmoo图；
42.图12b示意一实施例中存储器的集成shmoo图；
43.图13示意本公开一实施例中数据分析装置的结构示意图；
44.图14示意本公开另一实施例中数据分析装置的结构示意图；
45.图15示意本公开再一实施例中数据分析装置的结构示意图。
46.附图标记及说明：
47.11、通过区域；111、测试不通过区域；12、特征区域；121、第一子特征区域；122、第二子特征区域；112、电压线性缺陷区域；113、频率线性缺陷区域；20、数据分析装置；21、单一shmoo图获取模块；22、集成shmoo图构建模块；23、针脚均一性判断模块；24、缺陷类型判断模块；241、边缘缺陷判断模块；2411、标准通过区域获取单元；2412、坐标轴获取单元；2413、边缘缺陷判断单元；242、空洞缺陷判断模块；243、电压线性缺陷判断模块；244、频率线性缺陷判断模块。
具体实施方式
48.为了便于理解本公开，下面将参照相关附图对本公开进行更全面的描述。附图中给出了本公开的较佳的实施例。但是，本公开可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本公开的公开内容的理解更加透彻全面。
49.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本公开的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本公开的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本公开。本文所使用的术语“及/或”包括一或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
50.在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由
……
组成”等，否则还可以添加另一部件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一。
51.应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一元件和另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
52.在本公开的描述中，除非另有明确规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接连接，亦可以是通过中间媒介间接连接，可以是两个部件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
53.需要说明的是，本公开中：术语“存储颗粒”可以包括存储芯片、存储器及存储装置中任意一种，术语“针脚”可以为“存储颗粒”的数据传输端口。
54.shmoo图是一种有效的内存芯片特性分析工具，在失效分析中通过比对不同参数，例如扫描电压和扫描频率之间的数值曲线关系图，扫描频率为扫描周期的倒数，可以辅助定位失效根本原因并找出芯片设计中的潜在问题。然而由于单一存储颗粒，例如存储芯片的不同针脚的shmoo数据非常冗杂，人工手工绘制各针脚的单一shmoo图的工作任务非常繁重，存在一定量的难以避免的人工操作误差，导致难以快速地分辨不同针脚的特性差异并追溯到根本原因，测试结果的准确度还依赖于测试工程师的经验和熟练程度，导致失效分析效率低下且失效分析结果的准确度难以保证。
55.本公开实施例旨在提供一种数据分析方法、装置及存储介质，能够自动生成单一存储颗粒的集成shmoo图，并在集成shmoo图上显示不同针脚的测试数据的通过比例，直观地呈现出测试数据的规律及差异，便于相关工作人员快速分辨不同存储颗粒的特性差异并追溯导致差异的根本原因，避免引入人工操作误差，提高对存储颗粒测试数据分析的效率及智能性。
56.作为示例，请参考图1，一种数据分析方法包括如下步骤：
57.步骤s110，获取单一存储颗粒的各针脚的单一shmoo图；
58.步骤s120，基于各针脚的单一shmoo图构建存储颗粒的集成shmoo图，其中，集成shmoo图的每一测试点标示有通过比例，通过比例用于表征在对应测试点通过的单一shmoo图的数量占单一shmoo图总数的比例。
59.具体地，根据单一存储颗粒的各针脚的单一shmoo图自动构建存储颗粒的集成shmoo图，集成shmoo图的每一测试点标示有通过比例，例如通过比例可以用数字标识及/或针脚的名称标识表示，通过比例至少可以表征在对应测试点通过的单一shmoo图的数量占单一shmoo图总数的比例。例如，若单一存储颗粒的各针脚的单一shmoo图的总数为n，则对于集成shmoo图中任一测试点的通过比例至少包含该测试点通过的单一shmoo图的数量(m)占单一shmoo图总数(n)的比例r，r＝m/n，其中，m、n均为正整数，r∈[0，1]。单一shmoo图是否测试通过可以通过判断该单一shmoo图中通过区域的面积是否超过预设标准面积来确定；其中，可以将通过区域的面积大于或等于预设标准面积的单一shmoo图确定为测试通过的单一shmoo图，将通过区域的面积小于预设标准面积的单一shmoo图确定为测试不通过的单一shmoo图。
[0060]
由于根据单一存储颗粒的各针脚的单一shmoo图自动生成该存储颗粒的集成shmoo图，避免引入人工操作误差且提高了测试的效率；集成shmoo图中各测试点的通过比例直观地向相关工作人员呈现出，对应测试点通过的单一shmoo图的数量占单一shmoo图总数的比例，便于相关工作人员根据集成shmoo图中重复的通过比例或通过比例的变化趋势，判断测试数据的共性特征或规律特征，及根据集成shmoo图中通过比例的差异性判断存储颗粒不同针脚的差异特征，追溯导致差异的根本原因，例如是设计缺陷或制造缺陷等，提高对存储颗粒测试数据分析的效率及智能性。
[0061]
作为示例，请参考图2a，图2a示意单一存储颗粒的一针脚的单一shmoo图，也叫原始shmoo图，原始shmoo图的通过区域中全部为通过测试点，原始shmoo图中用表示通过测试点，并用
“”
表示测试不通过点，由于原始shmoo图中仅能够粗略地显示通过测试点与测
试不通过点两种测试结果，并且单一存储颗粒具有多个不用的针脚，因此，单一存储颗粒的不同针脚的原始shmoo图数量众多，测试人员很难快速分辨不同存储颗粒的特性差异，并追溯导致差异的根本原因；由于不同工作人员的工作熟练度、经验丰富度及个人标准差异较大，导致对原始shmoo图的分析结果中不可避免地存在人工操作误差，并且人工分析数据分析效率低下，延长产品测试周期及出货周期。
[0062]
作为示例，请参考图2b，图2b示意基于单一存储颗粒各针脚的单一shmoo图构建该存储颗粒的集成shmoo图，集成shmoo图的每一测试点标示有通过比例，通过比例用于表征在对应测试点通过的单一shmoo图的数量占单一shmoo图总数的比例；集成shmoo图包括部分交叠的特征区域12及通过区域11，通过区域11包括各单一shmoo图的共有通过区域；通过区域11中通过测试点的通过比例为100％，用”表示通过测试点；特征区域12中各测试点的通过比例为大于0且小于100％，特征区域12具有至少两种用于表示通过比例的第一标识，例如数字标识，不同第一标识表征不同的通过比例；用
“”
表示测试不通过点，测试不通过点的通过比例为0。本实施例便于相关工作人员根据各单一shmoo图的共有通过区域发掘测试数据的共性特征，并判断存储颗粒的性能优劣，以及根据特征区域中通过比例的差异性判断存储颗粒不同针脚的差异特征，并追溯导致差异的根本原因。
[0063]
作为示例，请继续参考图2b，可以控制特征区域12中各测试点显示对应的数字标识，例如，可以控制通过比例为大于0且小于10％的测试点显示“0”；控制通过比例为大于或等于10％且小于20％的测试点显示“1”；控制通过比例为大于或等于20％且小于30％的测试点显示“2”；控制通过比例为大于或等于30％且小于40％的测试点显示“3”；控制通过比例为大于或等于40％且小于50％的测试点显示“4”；控制通过比例为大于或等于50％且小于60％的测试点显示“5”；控制通过比例为大于或等于60％且小于70％的测试点显示“6”；控制通过比例为大于或等于70％且小于80％的测试点显示“7”；控制通过比例为大于或等于80％且小于90％的测试点显示“8”；控制通过比例为大于或等于90％且小于100％的测试点显示“9”。本实施例便于相关工作人员比较测试点的数字标识，并根据比较结果判断存储颗粒不同针脚的差异特征，以追溯导致差异的根本原因。
[0064]
作为示例，请参考图3，数据分析方法还包括如下判断存储颗粒的针脚均一性的步骤：
[0065]
步骤s130，获取特征区域中任意相邻测试点的数字标识的差值，若各差值中至少一个大于或等于预设差值阈值，则判定存储颗粒的针脚均一性较差；反之，则判定存储颗粒的针脚均一性良好；或获取特征区域中各数字标识的最小值，若最小值大于或等于预设标准阈值，则判定存储颗粒的针脚均一性良好，反之，则判定存储颗粒的针脚均一性较差。
[0066]
具体地，请参考图4a，在控制特征区域12中各测试点显示对应的数字标识之后，获取特征区域中任意相邻测试点的数字标识的差值，若各差值中至少一个大于或等于预设差值阈值，例如4，比如第一子特征区域121中相邻测试点的差值为5，大于预设差值阈值4，则判定存储颗粒的针脚均一性较差；反之，则判定存储颗粒的针脚均一性良好，有效地提高了数据分析的智能性及效率。
[0067]
具体地，请参考图4b，例如，预设标准阈值为5，在控制特征区域12中各测试点显示对应的数字标识之后，获取特征区域中各数字标识的最小值为1，小于预设标准阈值5，判定存储颗粒的针脚均一性较差；反之，则判定存储颗粒的针脚均一性良好，有效地提高了数据
分析的智能性及效率。
[0068]
具体地，请参考图4c，例如，预设差值阈值为4，预设标准阈值为5，第二子特征区域122中相邻测试点的差值为6，大于预设差值阈值4，且特征区域中各数字标识的最小值为2，小于预设标准阈值5，则判定存储颗粒的针脚均一性较差，有效地提高了数据分析的智能性及效率。
[0069]
本领域技术人员可以毫无疑义的确定，上述实施例中给出的关于预设差值阈值或预设标准阈值的具体数值，旨在示例性说明，在不同实施例中可以有不同的数值。
[0070]
作为示例，请参考图5，数据分析方法还包括如下步骤：
[0071]
步骤s140，判断存储颗粒是否存在已知缺陷类型中至少一种，已知缺陷类型包括边缘缺陷、空洞缺陷、电压线性缺陷及频率线性缺陷。
[0072]
具体地，在一些实施例中，还可以在执行步骤s140之前，获取存储颗粒模式寄存器中预先存储的标准通过区域面积，进一步判断集成shmoo图的通过区域的面积是否超过该标准通过区域面积。若集成shmoo图的通过区域的面积小于该标准通过区域面积，可以判定该存储颗粒存在缺陷，进而执行步骤s140，判断该存储颗粒是否存在已知缺陷类型中至少一种，已知缺陷类型包括边缘缺陷、空洞缺陷、电压线性缺陷及频率线性缺陷。
[0073]
作为示例，数据分析方法还包括如下判断存储颗粒是否存在边缘缺陷的步骤：
[0074]
步骤s1411，获取存储颗粒的集成shmoo图的标准通过区域；
[0075]
步骤s1412，将标准通过区域的沿频率扫描方向延伸的对称轴确定为第一坐标轴(横轴)，将标准通过区域的沿电压扫描方向延伸的对称轴或沿电压扫描方向延伸的边界线所在的直线确定为第二坐标轴(纵轴)；
[0076]
步骤s1413，获取特征区域的边界线与第一坐标轴的交点，以及获取交点与坐标轴垂点之间的距离值，坐标轴垂点为第一坐标轴与第二坐标轴的垂点或交叉点；
[0077]
步骤s1414，若距离值大于或等于对应的预设距离阈值，则判定存在边缘缺陷。
[0078]
具体地，请参考图6a，获取存储颗粒的集成shmoo图的标准通过区域(未图示)，将标准通过区域的沿频率扫描方向(ox方向)延伸的对称轴确定为第一坐标轴a1，将标准通过区域的沿电压扫描方向(oy方向)延伸的对称轴确定为第二坐标轴a2；获取特征区域12的边界线与第一坐标轴a1的交点c，以及获取交点c与坐标轴垂点b之间的距离值d1，坐标轴垂点b为第一坐标轴a1与第二坐标轴a2的垂点或交叉点；若距离值d1大于或等于预设距离阈值d0，则判定存在边缘缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在边缘缺陷。
[0079]
作为示例，请参考图6b，可以通过执行如下步骤来判断是否存在边缘缺陷：获取存储颗粒的集成shmoo图的标准通过区域(未图示)，将标准通过区域的沿频率扫描方向(ox方向)延伸的对称轴确定为第一坐标轴a1，将标准通过区域的沿电压扫描方向(oy方向)延伸的边界线所在的直线确定为第二坐标轴a2；获取特征区域12的边界线与第一坐标轴a1的交点c，以及获取交点c与坐标轴垂点b之间的距离值d1，坐标轴垂点b为第一坐标轴a1与第二坐标轴a2的垂点；若距离值d1大于或等于对应的预设距离阈值，则判定存在边缘缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在边缘缺陷。
[0080]
作为示例，数据分析方法还包括如下判断存储颗粒是否存在空洞缺陷的步骤：
[0081]
步骤s1421，判断通过区域内是否存在测试不通过区域，测试不通过区域包含连续
的多个测试不通过点；
[0082]
步骤s1422，若是，则判断任一测试不通过区域内是否包括至少两个在电压扫描方向上连续的测试不通过点，及至少两个在频率扫描方向上连续的测试不通过点；
[0083]
步骤s1423，若是，则判定存在空洞缺陷。
[0084]
作为示例，请参考图7，判断通过区域11内是否存在测试不通过区域111，测试不通过区域111包含连续的多个测试不通过点，用
“”
表示测试不通过点，测试不通过点的通过比例为0；若是，则判断任一测试不通过区域111内是否包括至少两个在电压扫描方向(oy方向)上连续的测试不通过点，及至少两个在频率扫描方向(ox方向)上连续的测试不通过点，频率为周期的倒数；若是，则判定存在空洞缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在空洞缺陷。
[0085]
作为示例，数据分析方法还包括如下判断存储颗粒是否存在电压线性缺陷的步骤：
[0086]
步骤s1431，判断集成shmoo图中是否存在电压线性缺陷区域，电压线性缺陷区域包括至少一条沿频率扫描方向延伸、且与集成shmoo图的相对的两条边界线均相交的电压失效线，位于电压失效线上的各测试点均为测试不通过点；
[0087]
步骤s1432，若是，则判定存在电压线性缺陷。
[0088]
作为示例，请参考图8，判断集成shmoo图中是否存在电压线性缺陷区域112，电压线性缺陷区域112包括至少一条沿频率扫描方向(ox方向)延伸、且与集成shmoo图的左边界线m1、右边界线m2均相交的电压失效线v1，右边界线m2为存储颗粒集成shmoo图的特征区域靠近测试不通过区域的边界线，位于电压失效线v1上的各测试点均为测试不通过点，用
“”
表示测试不通过点，测试不通过点的通过比例为0；若是，则判定存在电压线性缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在电压线性缺陷。作为示例，数据分析方法还包括如下判断存储颗粒是否存在频率线性缺陷的步骤：
[0089]
步骤s1441，判断集成shmoo图中是否存在频率线性缺陷区域，频率线性缺陷区域包括至少一条沿电压扫描方向延伸、且与集成shmoo图的相对的两条边界线均相交的频率失效线，位于频率失效线上的各测试点均为测试不通过点；
[0090]
步骤s1442，若是，则判定存在频率线性缺陷。
[0091]
作为示例，请参考图9，判断集成shmoo图中是否存在频率线性缺陷区域113，频率线性缺陷区域113包括至少一条沿电压扫描方向(oy方向)延伸、且与集成shmoo图的上边界线m3、下边界线m4均相交的频率失效线f1，位于频率失效线f1上的各测试点均为测试不通过点，用
“”
表示测试不通过点，测试不通过点的通过比例为0；若是，则判定存在频率线性缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在频率线性缺陷。
[0092]
作为示例，请参考图10，在判断存储颗粒是否存在已知缺陷类型中至少一种的过程中，已知缺陷类型包括边缘缺陷、空洞缺陷、电压线性缺陷及频率线性缺陷，判断出通过区域内存在测试不通过区域111，测试不通过区域111包含连续的多个测试不通过点，且测试不通过区域111包括至少两个在电压扫描方向(oy方向)上连续的测试不通过点，及至少两个在频率扫描方向(ox方向)上连续的测试不通过点，用
“”
表示测试不通过点，测试不通过点的通过比例为0；以及判断出集成shmoo图中存在电压线性缺陷区域112，电压线性缺陷
区域112包括至少一条沿频率扫描方向(ox方向)延伸、且与集成shmoo图的左边界线m1、右边界线m2均相交的电压失效线v1，位于电压失效线v1上的各测试点均为测试不通过点，则判定存储颗粒既存在空洞缺陷，又存在电压线性缺陷。
[0093]
作为示例，请参考图11，一种数据分析方法，包括如下步骤：
[0094]
步骤s310，获取多个存储颗粒中任意存储颗粒的单一shmoo图；
[0095]
步骤s320，基于各存储颗粒的单一shmoo图构建存储器的集成shmoo图，其中，存储器的集成shmoo图的每一测试点标示有第三标识，第三标识用于表征在对应测试点通过的存储颗粒的编码。
[0096]
具体的，在获取多个存储颗粒中任意存储颗粒的单一shmoo图之后，图12a示意一个存储颗粒的单一shmoo图；基于各存储颗粒的单一shmoo图构建存储器的集成shmoo图，如图12b所示，其中，存储器的集成shmoo图的每一测试点标示有第三标识，第三标识用于表征在对应测试点通过的存储颗粒的编码，例如，编码a与编码b为两种不同存储颗粒的编码。存储器的集成shmoo图中通过测试点的通过比例可以为100％，用”表示通过测试点；用
“”
表示测试不通过点，测试不通过点的通过比例可以为0。本实施例便于经由存储器的集成shmoo图直观地发现不同存储颗粒的边缘差异。
[0097]
作为示例，请参考图13，一种数据分析装置20，包括单一shmoo图获取模块21及集成shmoo图构建模块22，单一shmoo图获取模块21用于获取单一存储颗粒的各针脚的单一shmoo图；集成shmoo图构建模块22用于基于各针脚的单一shmoo图构建存储颗粒的集成shmoo图，其中，集成shmoo图的每一测试点标示有通过比例，通过比例用于表征在对应测试点通过的单一shmoo图的数量占单一shmoo图总数的比例。由于集成shmoo图构建模块根据单一存储颗粒各针脚的单一shmoo图自动生成该存储颗粒的集成shmoo图，集成shmoo图中各测试点的通过比例直观地向相关工作人员呈现出对应测试点通过的单一shmoo图的数量占单一shmoo图总数的比例，便于相关工作人员根据集成shmoo图中重复的通过比例或通过比例的变化趋势判断测试数据的共性特征或规律特征，及根据集成shmoo图中通过比例的差异性判断存储颗粒不同针脚的差异特征，追溯导致差异的根本原因，避免引入人工操作误差，提高对存储颗粒测试数据分析的效率及智能性。
[0098]
作为示例，集成shmoo图包括部分交叠的特征区域及通过区域，通过区域包括各单一shmoo图的共有通过区域；共有通过区域中通过测试点的通过比例为100％；特征区域中各测试点的通过比例为大于0且小于100％；特征区域具有至少两种用于表示通过比例的第一标识，例如数字标识，不同第一标识表征不同的通过比例。本实施例便于相关工作人员根据各单一shmoo图的共有通过区域发掘测试数据的共性特征，并判断存储颗粒的性能优劣，以及根据特征区域中通过比例的差异性判断存储颗粒不同针脚的差异特征，并追溯导致差异的根本原因。
[0099]
作为示例，请参考图14，第一标识包括数字标识，数据分析装置20还包括针脚均一性判断模块23，针脚均一性判断模块23用于比较特征区域中相邻测试点的数字标识，或获取各数字标识的最小值并比较最小值与预设标准阈值，根据比较结果判断存储颗粒的针脚均一性，有效地提高了数据分析的智能性及效率。例如，可以控制通过比例为大于0且小于10％的测试点显示“0”；控制通过比例为大于或等于10％且小于20％的测试点显示“1”；控制通过比例为大于或等于20％且小于30％的测试点显示“2”；控制通过比例为大于或等于
30％且小于40％的测试点显示“3”；控制通过比例为大于或等于40％且小于50％的测试点显示“4”；控制通过比例为大于或等于50％且小于60％的测试点显示“5”；控制通过比例为大于或等于60％且小于70％的测试点显示“6”；控制通过比例为大于或等于70％且小于80％的测试点显示“7”；控制通过比例为大于或等于80％且小于90％的测试点显示“8”；控制通过比例为大于或等于90％且小于100％的测试点显示“9”。获取特征区域中任意相邻测试点的数字标识的差值，若各差值中至少一个大于或等于预设差值阈值，例如4，则判定存储颗粒的针脚均一性较差；反之，则判定存储颗粒的针脚均一性良好；或者，获取特征区域中各数字标识的最小值，若最小值大于或等于预设标准阈值，例如5，则判定存储颗粒的针脚均一性良好，反之，则判定存储颗粒的针脚均一性较差。
[0100]
作为示例，特征区域中各测试点还标示有对应针脚的第二标识，例如名称标识，便于相关工作人员直观地区分不同针脚，以根据特征区域中通过比例的差异性判断存储颗粒不同针脚的差异特征，并追溯导致差异的根本原因。
[0101]
作为示例，请参考图15，缺陷类型判断模块24包括边缘缺陷判断模块241，边缘缺陷判断模块241包括标准通过区域获取单元2411、坐标轴获取单元2412及边缘缺陷判断单元2413，标准通过区域获取单元2411用于获取存储颗粒的集成shmoo图的标准通过区域；坐标轴获取单元2412用于将标准通过区域的沿频率扫描方向延伸的对称轴确定为第一坐标轴，将标准通过区域的沿电压扫描方向延伸的对称轴，或沿电压扫描方向延伸的边界线所在的直线确定为第二坐标轴；边缘缺陷判断单元2413用于获取特征区域的边界线与第一坐标轴的交点，以及获取交点与坐标轴垂点之间的距离值，坐标轴垂点为第一坐标轴与第二坐标轴的垂点；及若距离值大于或等于预设距离阈值，则判定存在边缘缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在边缘缺陷。
[0102]
作为示例，请继续参考图15，数据分析装置还包括空洞缺陷判断模块242，空洞缺陷判断模块242用于判断通过区域内是否存在测试不通过区域，测试不通过区域包含连续的多个测试不通过点；若是，则判断任一测试不通过区域内是否包括至少两个在电压扫描方向上连续的测试不通过点，及至少两个在频率扫描方向上连续的测试不通过点，若是，则判定存在空洞缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在空洞缺陷。
[0103]
作为示例，请继续参考图15，数据分析装置还包括电压线性缺陷判断模块243，电压线性缺陷判断模块243用于判断集成shmoo图中是否存在电压线性缺陷区域，电压线性缺陷区域包括至少一条沿频率扫描方向延伸、且与集成shmoo图的相对的两条边界线均相交的电压失效线，位于电压失效线上的各测试点均为测试不通过点；若是，则判定存在电压线性缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在电压线性缺陷。
[0104]
作为示例，请继续参考图15，数据分析装置还包括频率线性缺陷判断模块244，频率线性缺陷判断模块244用于判断集成shmoo图中是否存在频率线性缺陷区域，频率线性缺陷区域包括至少一条沿电压扫描方向延伸、且与集成shmoo图的相对的两条边界线均相交的频率失效线，位于频率失效线上的各测试点均为测试不通过点；若是，则判定存在频率线性缺陷。本实施例实现根据存储颗粒的集成shmoo图智能地判断存储颗粒是否存在频率线性缺陷。
[0105]
在本公开的一实施例中，提供了一种存储装置，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现本公开中任一实施例中所述的方法的步骤。
[0106]
在本公开的一实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现本公开中任一实施例中所述的方法的步骤。
[0107]
虽然图1、图3、图5及图11的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的依次限制，这些步骤可以以其它的依次执行。而且，虽然图1、图3、图5及图11中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行依次也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0108]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本公开所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。
[0109]
请注意，上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本发明的限制。
[0110]
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
[0111]
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0112]
以上所述实施例仅表达了本公开的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对公开专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本公开的保护范围。因此，本公开专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：
1.一种数据分析方法，其特征在于，包括：获取单一存储颗粒的各针脚的单一shmoo图；基于各所述针脚的单一shmoo图构建所述存储颗粒的集成shmoo图，其中，所述集成shmoo图的每一测试点标示有通过比例，所述通过比例用于表征在对应测试点通过的所述单一shmoo图的数量占单一shmoo图总数的比例。2.根据权利要求1所述的数据分析方法，其特征在于，所述集成shmoo图包括部分交叠的特征区域及通过区域，所述通过区域包括各所述单一shmoo图的共有通过区域；所述共有通过区域中通过测试点的通过比例为100％；所述特征区域中各测试点的通过比例为大于0且小于100％。3.根据权利要求2所述的数据分析方法，其特征在于，所述特征区域具有至少两种用于表示通过比例的第一标识，不同第一标识表征不同的通过比例。4.根据权利要求3所述的数据分析方法，其特征在于，所述第一标识包括数字标识，所述方法还包括如下判断所述存储颗粒的针脚均一性的步骤：获取所述特征区域中任意相邻测试点的数字标识的差值，若各所述差值中至少一个大于或等于预设差值阈值，则判定所述存储颗粒的针脚均一性较差；反之，则判定所述存储颗粒的针脚均一性良好；或获取各所述数字标识的最小值，若所述最小值大于或等于预设标准阈值，则判定所述存储颗粒的针脚均一性良好，反之，则判定所述存储颗粒的针脚均一性较差。5.根据权利要求2-4任一项所述的数据分析方法，其特征在于，所述特征区域中各测试点还标示有对应针脚的第二标识。6.根据权利要求2-4任一项所述的数据分析方法，其特征在于，所述方法还包括如下判断所述存储颗粒是否存在边缘缺陷的步骤：获取所述存储颗粒的集成shmoo图的标准通过区域；将所述标准通过区域的沿频率扫描方向延伸的对称轴确定为第一坐标轴，将所述标准通过区域的沿电压扫描方向延伸的对称轴，或沿电压扫描方向延伸的边界线所在的直线确定为第二坐标轴；获取所述特征区域的边界线与所述第一坐标轴的交点，以及获取所述交点与坐标轴垂点之间的距离值，所述坐标轴垂点为所述第一坐标轴与所述第二坐标轴的垂点；若所述距离值大于或等于预设距离阈值，则判定存在边缘缺陷。7.根据权利要求2-4任一项所述的数据分析方法，所述方法还包括如下判断所述存储颗粒是否存在空洞缺陷的步骤：判断所述通过区域内是否存在测试不通过区域，所述测试不通过区域包含连续的多个测试不通过点；若是，则判断任一所述测试不通过区域内是否包括至少两个在电压扫描方向上连续的测试不通过点，及至少两个在频率扫描方向上连续的测试不通过点；若是，则判定存在空洞缺陷。8.根据权利要求1-4任一项所述的数据分析方法，所述方法还包括如下判断所述存储颗粒是否存在电压线性缺陷的步骤：判断所述集成shmoo图中是否存在电压线性缺陷区域，所述电压线性缺陷区域包括至
少一条沿频率扫描方向延伸、且与所述集成shmoo图的相对的两条边界线均相交的电压失效线，位于所述电压失效线上的各测试点均为测试不通过点；若是，则判定存在电压线性缺陷。9.根据权利要求1-4任一项所述的数据分析方法，所述方法还包括如下判断所述存储颗粒是否存在频率线性缺陷的步骤：判断所述集成shmoo图中是否存在频率线性缺陷区域，所述频率线性缺陷区域包括至少一条沿电压扫描方向延伸、且与所述集成shmoo图的相对的两条边界线均相交的频率失效线，位于所述频率失效线上的各测试点均为测试不通过点；若是，则判定存在频率线性缺陷。10.一种数据分析方法，其特征在于，包括：获取多个存储颗粒中任意存储颗粒的单一shmoo图；基于各所述存储颗粒的单一shmoo图构建存储器的集成shmoo图，其中，所述集成shmoo图的每一测试点标示有第三标识，所述第三标识用于表征在对应测试点通过的存储颗粒的编码。11.一种数据分析装置，其特征在于，包括：单一shmoo图获取模块，用于获取单一存储颗粒的各针脚的单一shmoo图；集成shmoo图构建模块，用于基于各所述针脚的单一shmoo图构建所述存储颗粒的集成shmoo图，其中，所述集成shmoo图的每一测试点标示有通过比例，所述通过比例用于表征在对应测试点通过的所述单一shmoo图的数量占所述单一shmoo图总数的比例。12.根据权利要求11所述的数据分析装置，其特征在于，所述集成shmoo图包括部分交叠的特征区域及通过区域，所述通过区域包括各所述单一shmoo图的共有通过区域；所述共有通过区域中通过测试点的通过比例为100％；所述特征区域中各测试点的通过比例为大于0且小于100％；所述特征区域具有至少两种用于表示通过比例的第一标识，不同第一标识表征不同的通过比例。13.根据权利要求12所述的数据分析装置，其特征在于，所述第一标识包括数字标识，所述装置还包括：针脚均一性判断模块，用于比较所述特征区域中相邻测试点的数字标识，或获取各所述数字标识的最小值并比较所述最小值与预设标准阈值，根据比较结果判断所述存储颗粒的针脚均一性。14.根据权利要求13所述的数据分析装置，其特征在于，所述特征区域中各测试点还标示有对应针脚的第二标识。15.根据权利要求11-14任一项所述的数据分析装置，其特征在于，所述装置还包括：标准通过区域获取单元，用于获取所述存储颗粒的集成shmoo图的标准通过区域；坐标轴获取单元，用于将所述标准通过区域的沿频率扫描方向延伸的对称轴确定为第一坐标轴，将所述标准通过区域的沿电压扫描方向延伸的对称轴或沿电压扫描方向延伸的边界线所在的直线确定为第二坐标轴；边缘缺陷判断单元，用于获取所述特征区域的边界线与所述第一坐标轴的交点，以及获取所述交点与坐标轴垂点之间的距离值，所述坐标轴垂点为所述第一坐标轴与所述第二坐标轴的垂点；及若所述距离值大于或等于预设距离阈值，则判定存在边缘缺陷。
16.根据权利要求12-14任一项所述的数据分析装置，其特征在于，所述装置还包括：空洞缺陷判断模块，用于判断所述通过区域内是否存在测试不通过区域，所述测试不通过区域包含连续的多个测试不通过点；若是，则判断任一所述测试不通过区域内是否包括至少两个在电压扫描方向上连续的测试不通过点，及至少两个在频率扫描方向上连续的测试不通过点，若是，则判定存在空洞缺陷。17.根据权利要求12-14任一项所述的数据分析装置，其特征在于，所述装置还包括：电压线性缺陷判断模块，用于判断所述集成shmoo图中是否存在电压线性缺陷区域，所述电压线性缺陷区域包括至少一条沿频率扫描方向延伸、且与所述集成shmoo图的相对的两条边界线均相交的电压失效线，位于所述电压失效线上的各测试点均为测试不通过点；若是，则判定存在电压线性缺陷。18.根据权利要求12-14任一项所述的数据分析装置，其特征在于，所述装置还包括：频率线性缺陷判断模块，用于判断所述集成shmoo图中是否存在频率线性缺陷区域，所述频率线性缺陷区域包括至少一条沿电压扫描方向延伸、且与所述集成shmoo图的相对的两条边界线均相交的频率失效线，位于所述频率失效线上的各测试点均为测试不通过点；若是，则判定存在频率线性缺陷。19.一种存储装置，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1-10任一项所述的方法的步骤。20.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-10任一项所述的方法的步骤。

技术总结
本公开实施例涉及一种数据分析方法、装置及存储介质，所述方法包括：获取单一存储颗粒的各针脚的单一shmoo图；基于各所述针脚的单一shmoo图构建所述存储颗粒的集成shmoo图，其中，所述集成shmoo图的每一测试点标示有通过比例，所述通过比例用于表征在对应测试点通过的所述单一shmoo图的数量占单一shmoo图总数的比例。本实施例避免引入人工操作误差，提高对存储颗粒测试数据分析的效率及智能性。对存储颗粒测试数据分析的效率及智能性。对存储颗粒测试数据分析的效率及智能性。


技术研发人员：卢欢
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.03.08
技术公布日：2023/9/20