半导体器件的加工方法、装置、处理器和半导体加工设备与流程

1.本技术涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件的加工方法、装置、计算机可读存储介质、处理器以及半导体加工设备。


背景技术：

2.目前半导体工艺中，在pecvd（plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强化学气相沉积法）制程中，沉积结束后，由于残余的反应气体容易产生defect（缺陷）问题，因此需要在plasma（等离子体）关闭后用泵抽掉反应室中的残余气体。但在抽取残余气体的过程容易产生新的defect。


技术实现要素：

3.本技术的主要目的在于提供一种半导体器件的加工方法、装置、计算机可读存储介质、处理器以及半导体加工设备，以解决现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题。
4.为了实现上述目的，根据本技术的一个方面，提供了一种半导体器件的加工方法，包括：在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。
5.可选地，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第一转速运行第一时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第二时长；控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长，以继续从所述反应室中抽取所述残余反应物，将剩余的所述残余反应物去除，所述第一时长小于所述第三时长，所述第一转速小于所述第二转速。
6.可选地，控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物，包括：第一控制步骤，控制所述真空泵以所述第一转速运行第四时长，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；第二控制步骤，在控制所述真空泵以所述第一转速运行所述第四时长后，控制所述真空泵停止运行第五时长；循环步骤，依次执行所述第一控制步骤、所述第二控制步骤以及所述第一控制步骤预定次数，所有的所述第四时长的总和为所述第一时长。
7.可选地，在控制所述真空泵停止运行第二时长之后，在控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长之前，所述方法还包括：控制停止运行的所述真空泵以第三转速运行，以从所述反应室中继续抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第三转速运行第六时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第七时长，所述第三转速小于所述第二转速，所述第六时长小于所述第三时长。
8.可选地，向反应室中通入预定气体，包括：控制气体供应设备以预定流速向所述反应室中持续通入所述预定气体；在去除所述反应室中的所述残余反应物后，控制所述气体供应设备继续向所述反应室中通入所述预定气体第八时长后，停止向所述反应室中通入所述预定气体。
9.可选地，向反应室中通入预定气体，包括：在所述真空泵以所述第一转速运行的情况下，控制气体供应设备以第一流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵停止运行的情况下，控制所述气体供应设备以第二流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵以所述第二转速运行的情况下，控制所述气体供应设备以第三流速向所述反应室中通入所述预定气体，其中，所述第一流速以及所述第二流速均小于所述第三流速。
10.可选地，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：在向所述反应室中通入所述预定气体第九时长的情况下，继续向所述反应室中通入所述预定气体并开始分阶段去除所述残余反应物。
11.可选地，所述预定气体包括氦气。
12.根据本技术的另一方面，提供了一种半导体器件的加工装置，包括：通入单元，用于在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；去除单元，用于在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。
13.根据本技术的再一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的方法。
14.根据本技术的又一方面，提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的方法。
15.根据本技术的另一方面，还提供了一种半导体加工设备，包括：真空泵，与反应室连通，所述反应室中放置有沉积工艺后的半导体器件，用于从所述反应室中抽取残余反应物；气体供应设备，与所述反应室连通，用于向所述反应室中通入预定气体；电子设备，包括一个或多个处理器，存储器以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行任意一种所述的方法。
16.应用本技术的技术方案，在完成沉积工艺之后，首先向沉积工艺后的半导体器件所在的反应室中通入导热系数大于预定值、且不与半导体器件反应的预定气体，使得反应室内的温度保持在预设范围；然后，在通入所述预定气体的过程中，分阶段地去除所述反应室内所述沉积工艺生成的残余反应物。相比于现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题，本技术在半导体器件的沉积工艺后，向反应室中通入导热系数较大的预定气体，来保持反应室内的温度，并进行残余反应物的分阶段去除，避免了持续不间断地去除残余反应物造成反应室内温度突降的问题，解决了反应室内的温度突降造成的半导体器件出现缺陷的问题，保证了去除残余反应物的过程基本不会对半导体器件造成影响，可以得到质量较好的半导体器件，保证了制作良率较高。
附图说明
17.构成本技术的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
18.图1示出了根据本技术的实施例中提供的一种执行半导体器件的加工方法的移动终端的硬件结构框图；
19.图2示出了根据本技术的实施例提供的一种半导体器件的加工方法的流程示意图；
20.图3示出了根据本技术的实施例提供的半导体器件的加工方法过程中反应室内温度随时间变化示意图；
21.图4示出了根据本技术的实施例提供的一种半导体器件的加工装置的结构框图。
22.其中，上述附图包括以下附图标记：
23.102、处理器；104、存储器；106、传输设备；108、输入输出设备。
具体实施方式
24.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
25.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
26.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
27.正如背景技术中所介绍的，现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷，为解决如上的问题，本技术的实施例提供了一种半导体器件的加工方法、装置、计算机可读存储介质、处理器以及半导体加工设备。
28.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
29.本技术实施例中所提供的方法实施例可以在移动终端、计算机终端或者类似的运算装置中执行。以运行在移动终端上为例，图1是本发明实施例的一种半导体器件的加工方法的移动终端的硬件结构框图。如图1所示，移动终端可以包括一个或多个（图1中仅示出一个）处理器102（处理器102可以包括但不限于微处理器mcu或可编程逻辑器件fpga等的处理装置）和用于存储数据的存储器104，其中，所述移动终端还可以包括用于通信功能的传输设备106以及输入输出设备108。本领域普通技术人员可以理解，图1所示的结构仅为示意，其并不对所述移动终端的结构造成限定。例如，移动终端还可包括比图1中所示更多或者更
少的组件，或者具有与图1所示不同的配置。
30.存储器104可用于存储计算机程序，例如，应用软件的软件程序以及模块，如本发明实施例中的设备信息的显示方法对应的计算机程序，处理器102通过运行存储在存储器104内的计算机程序，从而执行各种功能应用以及数据处理，即实现所述的方法。存储器104可包括高速随机存储器，还可包括非易失性存储器，如一个或者多个磁性存储装置、闪存、或者其他非易失性固态存储器。在一些实例中，存储器104可进一步包括相对于处理器102远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至移动终端。所述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。传输设备106用于经由一个网络接收或者发送数据。所述的网络具体实例可包括移动终端的通信供应商提供的无线网络。在一个实例中，传输设备106包括一个网络适配器（network interface controller，简称为nic），其可通过基站与其他网络设备相连从而与互联网进行通讯。在一个实例中，传输设备106可以为射频（radio frequency，简称为rf）模块，其用于通过无线方式与互联网进行通讯。
31.在本实施例中提供了一种运行于移动终端、计算机终端或者类似的运算装置的半导体器件的加工方法，需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
32.图2是根据本技术实施例的半导体器件的加工方法的流程图。如图2所示，该方法包括以下步骤：
33.步骤s201，在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；
34.所述步骤s201中，通过向反应室中通入导热系数大的预定气体，来维持沉积工艺后反应室内的温度稳定。
35.具体地，所述沉积工艺为采用沉积设备在半导体器件上形成薄膜的工艺，包括物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积以及等离子体增强化学气相沉积等工艺，该沉积设备可以为等离子体沉积设备，也可以为其他的半导体沉积设备。本技术中，通过等离子体增强化学气相沉积工艺对所述半导体器件进行薄膜沉积，完成沉积工艺也就是关闭等离子沉积设备。所述预定气体可以包括导热系数大的惰性气体，如包括氦气，还可以为其他导热系数大且不与所述半导体器件反应的气体。所述预定气体可以为单一类型气体，也可以为混合气体。另外，所述预定气体是具有预设温度的气体，所述预设温度可以为所述预设范围内的温度值，也可以是大于所述预设范围的最大值的温度值。所述反应室是对所述半导体器件进行沉积工艺的腔室，得到沉积工艺后的半导体器件。本领域技术人员可以根据实际情况灵活设置所述预设范围以及所述预定值的数值。所述半导体器件为晶圆片。
36.本技术的一种具体的实施例中，所述预定气体为氦气。
37.步骤s201的具体实现方式可以为：
38.步骤s2011：控制气体供应设备以预定流速向所述反应室中持续通入所述预定气体；
39.步骤s2012：在去除所述反应室中的所述残余反应物后，控制所述气体供应设备继续向所述反应室中通入所述预定气体第八时长后，停止向所述反应室中通入所述预定气体。
40.所述实施例中，通过以恒定的预定流速向反应室中通入所述预定气体，以及去除完残余反应物后继续向反应室内通入一段时间的预定气体，来进一步地缓解残余反应物去除过程中反应室内的温度降低程度，进一步地避免反应室内温度降低程度过大造成半导体器件表面附着残余反应物的颗粒，造成表面缺陷的问题，同时恒定流速通入所述预定气体，容易控制和实现。
41.当然，向反应室中通入预定气体的方式并不限于所述的方式，再一种实施例中，步骤s201的具体实现方式还可以为：
42.在所述真空泵以所述第一转速运行的情况下，控制气体供应设备以第一流速向所述反应室中通入所述预定气体；
43.在所述真空泵停止运行的情况下，控制所述气体供应设备以第二流速向所述反应室中通入所述预定气体；
44.在所述真空泵以所述第二转速运行的情况下，控制所述气体供应设备以第三流速向所述反应室中通入所述预定气体，其中，所述第一流速以及所述第二流速均小于所述第三流速。
45.所述实施例中，在真空泵以所述第一转速运行时，控制气体供应设备以较小的第一流速向反应室中通入预定气体，在真空泵停止运行时，控制气体供应设备以较小的第二流速向反应室中通入预定气体，在真空泵以第二转速运行时，控制气体供应设备以较大的第三流速向反应室中通入预定气体，实现了预定气体的通入速度匹配真空泵的残余反应物抽取速度，可以进一步地缓解残余反应物去除过程中反应室内的温度突降问题以及缓解温度降低程度。
46.步骤s202，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。
47.具体地，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，指的是一边向反应室内通入预定气体，一边不连续地、间断地多次去除所述反应室内的残余反应物，避免不间断地去除残余反应物造成反应室内温度骤降的问题，本技术可以实现反应室内温度的分阶段降低，有效地缓解了反应室内温度降低的速度，使得反应室内的温度较为稳定。
48.一种可选方案中，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第一转速运行第一时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第二时长；控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长，以继续从所述反应室中抽取所述残余反应物，将剩余的所述残余反应物去除，所述第一时长小于所述第三时长，所述第一转速小于所述第二转速。所述实施例中，先控制真空泵以较低的第一转速运行较短的第一时长，来抽走反应室内的残余反应物，低转速短时长的抽取进一步地避免了反应室内温度下降的过快，造成半导体器件缺陷的问题，之后控制真空泵停止抽取第二时长后，再控制真空泵以较高的第二转速运行较长的第二时长，以将反应室内剩余的残余反应物全部抽走，提升了残余反应
物的抽取效率，同时分阶段地抽取方式进一步地保证反应室内的温度基本稳定。
49.为了进一步地解决去除残余反应物的过程中反应室内的温度下降过快，影响反应室内半导体器件的器件质量的问题，进一步地，控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物，包括：第一控制步骤，控制所述真空泵以所述第一转速运行第四时长，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；第二控制步骤，在控制所述真空泵以所述第一转速运行所述第四时长后，控制所述真空泵停止运行第五时长；循环步骤，依次执行所述第一控制步骤、所述第二控制步骤以及所述第一控制步骤预定次数，所有的所述第四时长的总和为所述第一时长。所述实施例通过循环执行真空泵抽取和停止的过程，进一步地实现了对反应室中残余反应物的多阶段抽取效果，抽取过程中配合预定气体持续通入反应室，进一步地保证了整个残余反应物抽取过程中，反应室内的温度基本稳定，从而进一步地保证了最终得到的半导体器件的器件质量较好，进一步地提升半导体加工良率。
50.具体地，所述预定次数可以为1次，也可以为其他数值。
51.一种示例性的实施例中，在控制所述真空泵停止运行第二时长之后，在控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长之前，所述方法还包括：控制停止运行的所述真空泵以第三转速运行，以从所述反应室中继续抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第三转速运行第六时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第七时长，所述第三转速小于所述第二转速，所述第六时长小于所述第三时长。这样可以进一步地避免反应室内温度下降的太快。
52.所述第三转速可以大于所述第一转速，所述第六时长可以大于所述第一时长，也可以小于或者等于所述第一时长。
53.当然，分阶段去除反应室中的残余反应物的过程并不限于所述两个阶段的残余反应物去除或者三个阶段的残余反应物去除过程，本领域技术人员可以综合考虑温度下降速度以及残余反应物的去除效率，确定残余反应物的阶段总数，如分四个阶段去除残余反应物，或者更多阶段。
54.为了进一步地解决现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题，本实施例中，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：在向所述反应室中通入所述预定气体第九时长的情况下，继续向所述反应室中通入所述预定气体并开始分阶段去除所述残余反应物。在分阶段去除残余反应物之前，先向所述反应室中通入第九时长的所述预定气体，进一步地缓解沉积工艺后反应室内的温度降低问题，进一步地保证反应室内的温度基本稳定在所述预设范围内。
55.通过所述实施例，在完成沉积工艺之后，首先向沉积工艺后的半导体器件所在的反应室中通入导热系数大于预定值、且不与半导体器件反应的预定气体，使得反应室内的温度保持在预设范围；然后，在通入所述预定气体的过程中，分阶段地去除所述反应室内所述沉积工艺生成的残余反应物。相比于现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题，本技术在半导体器件的沉积工艺后，向反应室中通入导热系数较大的预定气体，来保持反应室内的温度，并进行残余反应物的分阶段去除，避免了持续不间断地去除残余反应物造成反应室内温度突降的问题，解决了反应室内的温度突降造成的半导体器件出现缺陷的问题，保证了去除残余反应物的过程基本不会对半导体
器件造成影响，可以得到质量较好的半导体器件，保证了制作良率较高。
56.为了使得本领域技术人员能够更加清楚地了解本技术的技术方案，以下将结合具体的实施例对本技术的半导体器件的加工方法的实现过程进行详细说明。
57.本实施例涉及一种具体的半导体器件的加工方法，包括如下步骤：
58.步骤s1：如图3所示，沉积结束，plasma关闭后持续通入导热系数大的惰性气体he，维持反应室内温度稳定，进入步骤s2；
59.步骤s2：第一阶段去除：真空泵低转速运行，抽取反应室内残余反应物，然后真空泵停止运行，进入步骤s3；
60.步骤s3：第二阶段去除：真空泵低转速运行，抽取反应室内残余反应物，然后真空泵停止运行，进入步骤s4；
61.步骤s4：第三阶段去除：真空泵高转速运行，抽取反应室内剩余的残余反应物，以将剩余的残余反应物全部抽走。
62.需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
63.本技术实施例还提供了一种半导体器件的加工装置，需要说明的是，本技术实施例的半导体器件的加工装置可以用于执行本技术实施例所提供的用于半导体器件的加工方法。该装置用于实现所述实施例及优选实施方式，已经进行过说明的不再赘述。如以下所使用的，术语“模块”可以实现预定功能的软件和/或硬件的组合。尽管以下实施例所描述的装置较佳地以软件来实现，但是硬件，或者软件和硬件的组合的实现也是可能并被构想的。
64.以下对本技术实施例提供的半导体器件的加工装置进行介绍。
65.图4是根据本技术实施例的半导体器件的加工装置的示意图。如图4所示，该装置包括：
66.通入单元10，用于在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；
67.所述通入单元通过向反应室中通入导热系数大的预定气体，来维持沉积工艺后反应室内的温度稳定。
68.具体地，所述沉积工艺为采用沉积设备在半导体器件上形成薄膜的工艺，包括物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积以及等离子体增强化学气相沉积等工艺，该沉积设备可以为等离子体沉积设备，也可以为其他的半导体沉积设备。本技术中，通过等离子体增强化学气相沉积工艺对所述半导体器件进行薄膜沉积，完成沉积工艺也就是关闭等离子沉积设备。所述预定气体可以包括导热系数大的惰性气体，如包括氦气，还可以为其他导热系数大且不与所述半导体器件反应的气体。所述预定气体可以为单一类型气体，也可以为混合气体。另外，所述预定气体是具有预设温度的气体，所述预设温度可以为所述预设范围内的温度值，也可以是大于所述预设范围的最大值的温度值。所述反应室是对所述半导体器件进行沉积工艺的腔室，得到沉积工艺后的半导体器件。本领域技术人员可以根据实际情况灵活设置所述预设范围以及所述预定值的数值。所述半导体器件为晶圆片。
69.本技术的一种具体的实施例中，所述预定气体为氦气。
70.所述通入单元具体包括：
71.第一控制模块，用于控制气体供应设备以预定流速向所述反应室中持续通入所述预定气体；
72.第二控制模块，用于在去除所述反应室中的所述残余反应物后，控制所述气体供应设备继续向所述反应室中通入所述预定气体第八时长后，停止向所述反应室中通入所述预定气体。
73.所述实施例中，通过以恒定的预定流速向反应室中通入所述预定气体，以及去除完残余反应物后继续向反应室内通入一段时间的预定气体，来进一步地缓解残余反应物去除过程中反应室内的温度降低程度，进一步地避免反应室内温度降低程度过大造成半导体器件表面附着残余反应物的颗粒，造成表面缺陷的问题，同时恒定流速通入所述预定气体，容易控制和实现。
74.当然，向反应室中通入预定气体的方式并不限于所述的方式，再一种实施例中，所述通入单元还包括：
75.第三控制模块，用于在所述真空泵以所述第一转速运行的情况下，控制气体供应设备以第一流速向所述反应室中通入所述预定气体；
76.第四控制模块，用于在所述真空泵停止运行的情况下，控制所述气体供应设备以第二流速向所述反应室中通入所述预定气体；
77.第五控制模块，用于在所述真空泵以所述第二转速运行的情况下，控制所述气体供应设备以第三流速向所述反应室中通入所述预定气体，其中，所述第一流速以及所述第二流速均小于所述第三流速。
78.所述实施例中，在真空泵以所述第一转速运行时，控制气体供应设备以较小的第一流速向反应室中通入预定气体，在真空泵停止运行时，控制气体供应设备以较小的第二流速向反应室中通入预定气体，在真空泵以第二转速运行时，控制气体供应设备以较大的第三流速向反应室中通入预定气体，实现了预定气体的通入速度匹配真空泵的残余反应物抽取速度，可以进一步地缓解残余反应物去除过程中反应室内的温度突降问题以及缓解温度降低程度。
79.去除单元20，用于在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。
80.具体地，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，指的是一边向反应室内通入预定气体，一边不连续地、间断地多次去除所述反应室内的残余反应物，避免不间断地去除残余反应物造成反应室内温度骤降的问题，本技术可以实现反应室内温度的分阶段降低，有效地缓解了反应室内温度降低的速度，使得反应室内的温度较为稳定。
81.一种可选方案中，所述去除单元包括：第六控制模块，用于控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；第七控制模块，用于在所述真空泵以所述第一转速运行第一时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第二时长；第八控制模块，用于控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长，以继续从所述反应室中抽取所述残余反应物，将剩余的所述残余反应物去除，所述第一时长小于所述
第三时长，所述第一转速小于所述第二转速。所述实施例中，先控制真空泵以较低的第一转速运行较短的第一时长，来抽走反应室内的残余反应物，低转速短时长的抽取进一步地避免了反应室内温度下降的过快，造成半导体器件缺陷的问题，之后控制真空泵停止抽取第二时长后，再控制真空泵以较高的第二转速运行较长的第二时长，以将反应室内剩余的残余反应物全部抽走，提升了残余反应物的抽取效率，同时分阶段地抽取方式进一步地保证反应室内的温度基本稳定。
82.为了进一步地解决去除残余反应物的过程中反应室内的温度下降过快，影响反应室内半导体器件的器件质量的问题，进一步地，所述第六控制模块包括：第一控制子模块，用于第一控制步骤，控制所述真空泵以所述第一转速运行第四时长，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；第二控制子模块，用于第二控制步骤，在控制所述真空泵以所述第一转速运行所述第四时长后，控制所述真空泵停止运行第五时长；循环子模块，用于循环步骤，依次执行所述第一控制步骤、所述第二控制步骤以及所述第一控制步骤预定次数，所有的所述第四时长的总和为所述第一时长。所述实施例通过循环执行真空泵抽取和停止的过程，进一步地实现了对反应室中残余反应物的多阶段抽取效果，抽取过程中配合预定气体持续通入反应室，进一步地保证了整个残余反应物抽取过程中，反应室内的温度基本稳定，从而进一步地保证了最终得到的半导体器件的器件质量较好，进一步地提升半导体加工良率。
83.具体地，所述预定次数可以为1次，也可以为其他数值。
84.一种示例性的实施例中，所述装置还包括：第一控制单元，用于在控制所述真空泵停止运行第二时长之后，在控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长之前，控制停止运行的所述真空泵以第三转速运行，以从所述反应室中继续抽取所述残余反应物；第二控制单元，用于在所述真空泵以所述第三转速运行第六时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第七时长，所述第三转速小于所述第二转速，所述第六时长小于所述第三时长。这样可以进一步地避免反应室内温度下降的太快。
85.所述第三转速可以大于所述第一转速，所述第六时长可以大于所述第一时长，也可以小于或者等于所述第一时长。
86.当然，分阶段去除反应室中的残余反应物的过程并不限于所述两个阶段的残余反应物去除或者三个阶段的残余反应物去除过程，本领域技术人员可以综合考虑温度下降速度以及残余反应物的去除效率，确定残余反应物的阶段总数，如分四个阶段去除残余反应物，或者更多阶段。
87.为了进一步地解决现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题，本实施例中，所述去除单元还可以包括：通入模块，用于在向所述反应室中通入所述预定气体第九时长的情况下，继续向所述反应室中通入所述预定气体并开始分阶段去除所述残余反应物。在分阶段去除残余反应物之前，先向所述反应室中通入第九时长的所述预定气体，进一步地缓解沉积工艺后反应室内的温度降低问题，进一步地保证反应室内的温度基本稳定在所述预设范围内。
88.通过所述实施例，在完成沉积工艺后，通过通入单元向沉积工艺后的半导体器件所在的反应室中通入导热系数大于预定值、且不与半导体器件反应的预定气体，使得反应室内的温度保持在预设范围；通过去除单元在通入所述预定气体的过程中，分阶段地去除
所述反应室内所述沉积工艺生成的残余反应物。相比于现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题，本技术在半导体器件的沉积工艺后，向反应室中通入导热系数较大的预定气体，来保持反应室内的温度，并进行残余反应物的分阶段去除，避免了持续不间断地去除残余反应物造成反应室内温度突降的问题，解决了反应室内的温度突降造成的半导体器件出现缺陷的问题，保证了去除残余反应物的过程基本不会对半导体器件造成影响，可以得到质量较好的半导体器件，保证了制作良率较高。
89.所述半导体器件的加工装置包括处理器和存储器，所述通入单元以及所述去除单元等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的所述程序单元来实现相应的功能。所述模块均位于同一处理器中；或者，所述各个模块以任意组合的形式分别位于不同的处理器中。
90.处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来解决现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题。
91.存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器（ram）和/或非易失性内存等形式，如只读存储器（rom）或闪存（flash ram），存储器包括至少一个存储芯片。
92.本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，在所述程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行所述半导体器件的加工方法。
93.具体地，半导体器件的加工方法包括：
94.步骤s201，在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；
95.具体地，所述沉积设备可以为等离子体沉积设备，也可以为其他的半导体沉积设备。所述预定气体可以包括导热系数大的惰性气体，如包括氦气，还可以为其他导热系数大且不与所述半导体器件反应的气体。所述预定气体可以为单一类型气体，也可以为混合气体。所述反应室是对所述半导体器件进行沉积工艺的腔室，得到沉积工艺后的半导体器件。本领域技术人员可以根据实际情况灵活设置所述预设范围以及所述预定值的数值。所述半导体器件为晶圆片。
96.步骤s202，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。
97.具体地，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，指的是一边向反应室内通入预定气体，一边不连续地、间断地多次去除所述反应室内的残余反应物，避免不间断地去除残余反应物造成反应室内温度骤降的问题，本技术可以实现反应室内温度的分阶段降低，有效地缓解了反应室内温度降低的速度，使得反应室内的温度较为稳定。
98.可选地，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第一
转速运行第一时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第二时长；控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长，以继续从所述反应室中抽取所述残余反应物，将剩余的所述残余反应物去除，所述第一时长小于所述第三时长，所述第一转速小于所述第二转速。
99.可选地，控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物，包括：第一控制步骤，控制所述真空泵以所述第一转速运行第四时长，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；第二控制步骤，在控制所述真空泵以所述第一转速运行所述第四时长后，控制所述真空泵停止运行第五时长；循环步骤，依次执行所述第一控制步骤、所述第二控制步骤以及所述第一控制步骤预定次数，所有的所述第四时长的总和为所述第一时长。
100.可选地，在控制所述真空泵停止运行第二时长之后，在控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长之前，所述方法还包括：控制停止运行的所述真空泵以第三转速运行，以从所述反应室中继续抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第三转速运行第六时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第七时长，所述第三转速小于所述第二转速，所述第六时长小于所述第三时长。
101.可选地，向反应室中通入预定气体，包括：控制气体供应设备以预定流速向所述反应室中持续通入所述预定气体；在去除所述反应室中的所述残余反应物后，控制所述气体供应设备继续向所述反应室中通入所述预定气体第八时长后，停止向所述反应室中通入所述预定气体。
102.可选地，向反应室中通入预定气体，包括：在所述真空泵以所述第一转速运行的情况下，控制气体供应设备以第一流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵停止运行的情况下，控制所述气体供应设备以第二流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵以所述第二转速运行的情况下，控制所述气体供应设备以第三流速向所述反应室中通入所述预定气体，其中，所述第一流速以及所述第二流速均小于所述第三流速。
103.可选地，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：在向所述反应室中通入所述预定气体第九时长的情况下，继续向所述反应室中通入所述预定气体并开始分阶段去除所述残余反应物。
104.可选地，所述预定气体包括氦气。
105.本发明实施例提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行所述半导体器件的加工方法。
106.具体地，半导体器件的加工方法包括：
107.步骤s201，在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；
108.具体地，所述沉积设备可以为等离子体沉积设备，也可以为其他的半导体沉积设备。所述预定气体可以包括导热系数大的惰性气体，如包括氦气，还可以为其他导热系数大且不与所述半导体器件反应的气体。所述预定气体可以为单一类型气体，也可以为混合气体。所述反应室是对所述半导体器件进行沉积工艺的腔室，得到沉积工艺后的半导体器件。本领域技术人员可以根据实际情况灵活设置所述预设范围以及所述预定值的数值。所述半
导体器件为晶圆片。
109.步骤s202，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。
110.具体地，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，指的是一边向反应室内通入预定气体，一边不连续地、间断地多次去除所述反应室内的残余反应物，避免不间断地去除残余反应物造成反应室内温度骤降的问题，本技术可以实现反应室内温度的分阶段降低，有效地缓解了反应室内温度降低的速度，使得反应室内的温度较为稳定。
111.可选地，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第一转速运行第一时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第二时长；控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长，以继续从所述反应室中抽取所述残余反应物，将剩余的所述残余反应物去除，所述第一时长小于所述第三时长，所述第一转速小于所述第二转速。
112.可选地，控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物，包括：第一控制步骤，控制所述真空泵以所述第一转速运行第四时长，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；第二控制步骤，在控制所述真空泵以所述第一转速运行所述第四时长后，控制所述真空泵停止运行第五时长；循环步骤，依次执行所述第一控制步骤、所述第二控制步骤以及所述第一控制步骤预定次数，所有的所述第四时长的总和为所述第一时长。
113.可选地，在控制所述真空泵停止运行第二时长之后，在控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长之前，所述方法还包括：控制停止运行的所述真空泵以第三转速运行，以从所述反应室中继续抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第三转速运行第六时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第七时长，所述第三转速小于所述第二转速，所述第六时长小于所述第三时长。
114.可选地，向反应室中通入预定气体，包括：控制气体供应设备以预定流速向所述反应室中持续通入所述预定气体；在去除所述反应室中的所述残余反应物后，控制所述气体供应设备继续向所述反应室中通入所述预定气体第八时长后，停止向所述反应室中通入所述预定气体。
115.可选地，向反应室中通入预定气体，包括：在所述真空泵以所述第一转速运行的情况下，控制气体供应设备以第一流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵停止运行的情况下，控制所述气体供应设备以第二流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵以所述第二转速运行的情况下，控制所述气体供应设备以第三流速向所述反应室中通入所述预定气体，其中，所述第一流速以及所述第二流速均小于所述第三流速。
116.可选地，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：在向所述反应室中通入所述预定气体第九时长的情况下，继续向所述反应室中通入所述预定气体并开始分阶段去除所述残余反应物。
117.可选地，所述预定气体包括氦气。
118.本技术还提供了一种半导体加工设备，包括：真空泵，与反应室连通，所述反应室中放置有沉积工艺后的半导体器件，用于从所述反应室中抽取残余反应物；气体供应设备，
与所述反应室连通，用于向所述反应室中通入预定气体；电子设备，包括一个或多个处理器，存储器以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，处理器执行程序时实现至少以下步骤：
119.步骤s201，在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；
120.步骤s202，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。
121.本文中的电子设备可以是服务器、pc、pad、手机等。
122.可选地，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第一转速运行第一时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第二时长；控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长，以继续从所述反应室中抽取所述残余反应物，将剩余的所述残余反应物去除，所述第一时长小于所述第三时长，所述第一转速小于所述第二转速。
123.可选地，控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物，包括：第一控制步骤，控制所述真空泵以所述第一转速运行第四时长，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；第二控制步骤，在控制所述真空泵以所述第一转速运行所述第四时长后，控制所述真空泵停止运行第五时长；循环步骤，依次执行所述第一控制步骤、所述第二控制步骤以及所述第一控制步骤预定次数，所有的所述第四时长的总和为所述第一时长。
124.可选地，在控制所述真空泵停止运行第二时长之后，在控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长之前，所述方法还包括：控制停止运行的所述真空泵以第三转速运行，以从所述反应室中继续抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第三转速运行第六时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第七时长，所述第三转速小于所述第二转速，所述第六时长小于所述第三时长。
125.可选地，向反应室中通入预定气体，包括：控制气体供应设备以预定流速向所述反应室中持续通入所述预定气体；在去除所述反应室中的所述残余反应物后，控制所述气体供应设备继续向所述反应室中通入所述预定气体第八时长后，停止向所述反应室中通入所述预定气体。
126.可选地，向反应室中通入预定气体，包括：在所述真空泵以所述第一转速运行的情况下，控制气体供应设备以第一流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵停止运行的情况下，控制所述气体供应设备以第二流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵以所述第二转速运行的情况下，控制所述气体供应设备以第三流速向所述反应室中通入所述预定气体，其中，所述第一流速以及所述第二流速均小于所述第三流速。
127.可选地，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：在向所述反应室中通入所述预定气体第九时长的情况下，继续向所述反应室中通入所述预定气体并开始分阶段去除所述残余反应物。
128.可选地，所述预定气体包括氦气。
129.本技术还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有至少如下方法步骤的程序：
130.步骤s201，在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；
131.步骤s202，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。
132.可选地，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第一转速运行第一时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第二时长；控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长，以继续从所述反应室中抽取所述残余反应物，将剩余的所述残余反应物去除，所述第一时长小于所述第三时长，所述第一转速小于所述第二转速。
133.可选地，控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物，包括：第一控制步骤，控制所述真空泵以所述第一转速运行第四时长，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；第二控制步骤，在控制所述真空泵以所述第一转速运行所述第四时长后，控制所述真空泵停止运行第五时长；循环步骤，依次执行所述第一控制步骤、所述第二控制步骤以及所述第一控制步骤预定次数，所有的所述第四时长的总和为所述第一时长。
134.可选地，在控制所述真空泵停止运行第二时长之后，在控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长之前，所述方法还包括：控制停止运行的所述真空泵以第三转速运行，以从所述反应室中继续抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第三转速运行第六时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第七时长，所述第三转速小于所述第二转速，所述第六时长小于所述第三时长。
135.可选地，向反应室中通入预定气体，包括：控制气体供应设备以预定流速向所述反应室中持续通入所述预定气体；在去除所述反应室中的所述残余反应物后，控制所述气体供应设备继续向所述反应室中通入所述预定气体第八时长后，停止向所述反应室中通入所述预定气体。
136.可选地，向反应室中通入预定气体，包括：在所述真空泵以所述第一转速运行的情况下，控制气体供应设备以第一流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵停止运行的情况下，控制所述气体供应设备以第二流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵以所述第二转速运行的情况下，控制所述气体供应设备以第三流速向所述反应室中通入所述预定气体，其中，所述第一流速以及所述第二流速均小于所述第三流速。
137.可选地，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：在向所述反应室中通入所述预定气体第九时长的情况下，继续向所述反应室中通入所述预定气体并开始分阶段去除所述残余反应物。
138.可选地，所述预定气体包括氦气。
139.显然，本领域的技术人员应该明白，所述的本发明的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成
的网络上，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而，可以将它们存储在存储装置中由计算装置来执行，并且在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本发明不限制于任何特定的硬件和软件结合。
140.本领域内的技术人员应明白，本技术的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本技术可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本技术可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质（包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等）上实施的计算机程序产品的形式。
141.本技术是参照根据本技术实施例的方法、设备（系统）、和计算机程序产品的流程图和／或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和／或方框图中的每一流程和／或方框、以及流程图和／或方框图中的流程和／或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
142.这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
143.这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
144.在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器（cpu）、输入/输出接口、网络接口和内存。
145.存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器（ram）和/或非易失性内存等形式，如只读存储器（rom）或闪存（flash ram）。存储器是计算机可读介质的示例。
146.计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存（pram）、静态随机存取存储器（sram）、动态随机存取存储器（dram）、其他类型的随机存取存储器（ram）、只读存储器（rom）、电可擦除可编程只读存储器（eeprom）、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器（cd-rom）、数字多功能光盘（dvd）或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体（transitory media），如调制的数据信号和载波。
147.还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要
素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
148.从以上的描述中，可以看出，本技术所述的实施例实现了如下技术效果：
149.1）、本技术的所述方法，在完成沉积工艺后，首先向沉积工艺后的半导体器件所在的反应室中通入导热系数大于预定值、且不与半导体器件反应的预定气体，使得反应室内的温度保持在预设范围；然后，在通入所述预定气体的过程中，分阶段地去除所述反应室内所述沉积工艺生成的残余反应物。相比于现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题，本技术在半导体器件的沉积工艺后，向反应室中通入导热系数较大的预定气体，来保持反应室内的温度，并进行残余反应物的分阶段去除，避免了持续不间断地去除残余反应物造成反应室内温度突降的问题，解决了反应室内的温度突降造成的半导体器件出现缺陷的问题，保证了去除残余反应物的过程基本不会对半导体器件造成影响，可以得到质量较好的半导体器件，保证了制作良率较高。
150.2）、本技术的所述装置，在完成沉积工艺后，通过通入单元向沉积工艺后的半导体器件所在的反应室中通入导热系数大于预定值、且不与半导体器件反应的预定气体，使得反应室内的温度保持在预设范围；通过去除单元在通入所述预定气体的过程中，分阶段地去除所述反应室内所述沉积工艺生成的残余反应物。相比于现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题，本技术在半导体器件的沉积工艺后，向反应室中通入导热系数较大的预定气体，来保持反应室内的温度，并进行残余反应物的分阶段去除，避免了持续不间断地去除残余反应物造成反应室内温度突降的问题，解决了反应室内的温度突降造成的半导体器件出现缺陷的问题，保证了去除残余反应物的过程基本不会对半导体器件造成影响，可以得到质量较好的半导体器件，保证了制作良率较高。
151.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：
1.一种半导体器件的加工方法，其特征在于，包括：在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第一转速运行第一时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第二时长；控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长，以继续从所述反应室中抽取所述残余反应物，将剩余的所述残余反应物去除，所述第一时长小于所述第三时长，所述第一转速小于所述第二转速。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物，包括：第一控制步骤，控制所述真空泵以所述第一转速运行第四时长，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；第二控制步骤，在控制所述真空泵以所述第一转速运行所述第四时长后，控制所述真空泵停止运行第五时长；循环步骤，依次执行所述第一控制步骤、所述第二控制步骤以及所述第一控制步骤预定次数，所有的所述第四时长的总和为所述第一时长。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在控制所述真空泵停止运行第二时长之后，在控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长之前，所述方法还包括：控制停止运行的所述真空泵以第三转速运行，以从所述反应室中继续抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第三转速运行第六时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第七时长，所述第三转速小于所述第二转速，所述第六时长小于所述第三时长。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，向反应室中通入预定气体，包括：控制气体供应设备以预定流速向所述反应室中持续通入所述预定气体；在去除所述反应室中的所述残余反应物后，控制所述气体供应设备继续向所述反应室中通入所述预定气体第八时长后，停止向所述反应室中通入所述预定气体。6.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于，向反应室中通入预定气体，包括：在所述真空泵以所述第一转速运行的情况下，控制气体供应设备以第一流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵停止运行的情况下，控制所述气体供应设备以第二流速向所述反应室中通入所述预定气体；
在所述真空泵以所述第二转速运行的情况下，控制所述气体供应设备以第三流速向所述反应室中通入所述预定气体，其中，所述第一流速以及所述第二流速均小于所述第三流速。7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：在向所述反应室中通入所述预定气体第九时长的情况下，继续向所述反应室中通入所述预定气体并开始分阶段去除所述残余反应物。8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述预定气体包括氦气。9.一种半导体器件的加工装置，其特征在于，包括：通入单元，用于在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；去除单元，用于在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行权利要求1至8中任意一项所述的方法。11.一种处理器，其特征在于，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行权利要求1至8中任意一项所述的方法。12.一种半导体加工设备，其特征在于，包括：真空泵，与反应室连通，所述反应室中放置有沉积工艺后的半导体器件，用于从所述反应室中抽取残余反应物；气体供应设备，与所述反应室连通，用于向所述反应室中通入预定气体；电子设备，包括一个或多个处理器，存储器以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行权利要求1至8中任意一项所述的方法。

技术总结
本申请提供了一种半导体器件的加工方法、装置、处理器和半导体加工设备，该方法包括：在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得反应室的温度保持在预设范围内，反应室为沉积工艺后的半导体器件所在的腔室，预定气体为导热系数大于预定值的气体，且预定气体不与半导体器件发生反应；在通入预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，残余反应物为沉积工艺生成的反应物。本申请解决了现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题。题。题。


技术研发人员：朱人伟 杨军
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：2023.08.21
技术公布日：2023/9/19