蚀刻剂组合物和使用其的显示装置的制造方法与流程

蚀刻剂组合物和使用其的显示装置的制造方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2022年3月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0034050号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开涉及蚀刻剂组合物和使用其的显示装置的制造方法。


背景技术：

4.作为显示装置，使用液晶显示器(lcd)和有机发光二极管(oled)显示器等。
5.这种显示装置包括多个金属图案。这些金属图案要求特定性能比如高导电性和低接触电阻，并且通过这些特定性能，将实现稳定的图像。
6.金属图案可包括其中由不同材料制成的多个层彼此堆叠的结构以便实现上述性能，并且需要以稳定的形式提供它。
7.本背景技术章节中公开的以上信息仅用于增强对本公开的背景的理解，并且所以，它可能含有不构成本领域普通技术人员在本国内已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

8.已经提供了实施方式旨在提供蚀刻包括铜的布线以具有稳定的形状的蚀刻剂组合物，并且从而提供具有改善的可靠性的显示装置。
9.根据实施方式，蚀刻剂组合物可包括约5.0wt％至约20.0wt％的过硫酸盐、约0.01wt％至约15.0wt％的磺酸、约0.01wt％至约2.0wt％的氟化合物、约0.01wt％至约5.0wt％的4-氮环状化合物、约0.01wt％至约1.0wt％的包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸和水。氨基酸与4-氮环状化合物的重量比可在约1:16至约1:60的范围内。
10.根据实施方式，过硫酸盐可包括过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾、过氧二硫酸(peroxydisulfuric acid)或其任何组合。
11.根据实施方式，蚀刻剂组合物可进一步包括约0.01wt％至约10wt％的硫酸氢盐，并且硫酸氢盐可包括硫酸氢铵、硫酸氢钾、硫酸氢钠或其任何组合。
12.根据实施方式，磺酸可包括氨基磺酸、甲基氨基磺酸、甲磺酸、氨基甲磺酸、乙磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、乙烯基磺酸或其任何组合。
13.根据实施方式，蚀刻剂组合物可进一步包括约0.01wt％至约3wt％的磷酸或磷酸盐，并且磷酸盐可包括磷酸铵、磷酸钠、磷酸钾、磷酸钙、磷酸锂或其任何组合。
14.根据实施方式，氟化合物可包括氢氟酸、氟化铵、氟化钾、氟化钠、氟化氢铵、氟化氢钾、氟化氢钠或其任何组合。
15.根据实施方式，4-氮环状化合物可具有等于或小于约0.80ev的对铜的吸附能，并且4-氮环状化合物可包括5-甲基四唑、5-甲氧基-1h-四唑、1h-四唑或其任何组合。
16.根据实施方式，蚀刻剂组合物可进一步包括约0.01wt％至约5.0wt％的具有饱和
环的2-氮环状化合物，并且2-氮环状化合物可包括2-咪唑啉酮、乙内酰脲、亚乙基硫脲、仲班酸、1-甲基乙内酰脲、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、5,5-二甲基乙内酰脲、5-乙基乙内酰脲、1-烯丙基乙内酰脲或其任何组合。
17.根据实施方式，蚀刻剂组合物可进一步包括约0.01wt％至约1wt％的包括巯基的3-氮环状化合物，并且3-氮环状化合物可包括3-巯基-1,2,4-三唑、3-巯基-4-甲基-4h-1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,3-三唑-5-硫醇、3-氨基-1,2,4-三唑-5-硫醇、1h-1,2,4-三唑-3-硫醇或其任何组合。
18.根据实施方式，氨基酸可包括由化学式1表示的化合物。
19.[化学式1]
[0020][0021]
在化学式1中，r可为氢、氘、卤基、羟基、氰基、硝基、氨基、环氧基、乙烯基、(甲基)丙烯酸酯基、氧杂环丁烷基、巯基、羧基、取代的或未取代的c1至c30烷基、取代的或未取代的c2至c30烯基、取代的或未取代的c2至c30炔基、取代的或未取代的c1至c10烷氧基、取代的或未取代的c1至c30烷硫基、取代的或未取代的c3至c30环烷基、取代的或未取代的c6至c30芳基、取代的或未取代的c6至c30芳氧基、取代的或未取代的c6至c30芳硫基、取代的或未取代的c2至c30杂芳基或其任何组合。
[0022]
根据实施方式，氨基酸可包括缬氨酸、异亮氨酸、亮氨酸、蛋氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸或其任何组合。
[0023]
根据实施方式，显示装置的制造方法可包括：在基板上形成包括铜的金属层；在金属层上形成晶体管；并且用蚀刻剂组合物蚀刻金属层。蚀刻剂组合物可包括约5.0wt％至约20.0wt％的过硫酸盐、约0.01wt％至约15.0wt％的磺酸、约0.01至约2.0wt％的氟化合物、约0.01wt％至约5.0wt％的4-氮环状化合物、约0.01wt％至约1.0wt％的包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸和水。氨基酸与4-氮环状化合物的重量比可在约1:16至约1:60的范围内。
[0024]
要理解，以上实施方式仅以一般性和解释性意义描述而不是为了限制的目的，并且本公开不限于上述实施方式。
[0025]
根据实施方式，包括铜的布线可被蚀刻成具有稳定的形状。通过使用这种蚀刻剂组合物，可以提供具有改善的可靠性的显示装置。
附图说明
[0026]
通过参考所附附图详细地描述本公开的实施方式，本公开的以上和其他的方面和特征将变得更显而易见，其中：
[0027]
图1阐释了示出通过使用根据实施例(实施例1、实施例30、实施例31、实施例44和实施例45)和比较例1至比较例10的蚀刻剂蚀刻的铜布线的侧表面的图像。
[0028]
图2阐释了示出通过使用根据实施例(实施例1、实施例30、实施例31、实施例44和实施例45)和比较例1至比较例10的蚀刻剂蚀刻的铜布线的上表面的图像。
[0029]
图3阐释了示出使用根据比较例的蚀刻剂组合物进行蚀刻之后的显示装置的区的图像。
[0030]
图4阐释了根据实施方式的显示装置的示意性横截面图。
具体实施方式
[0031]
现将在下文中参考其中示出实施方式的所附附图更充分地描述本公开。然而，本公开可以以不同的形式体现并且不应解释为限于本文中陈述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是更透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。
[0032]
为了清楚地描述本公开，省略了与描述不相关的部分，并且遍及说明书，相同的附图标记指相同的或类似的构成元件。
[0033]
此外，因为为了更好的理解和易于描述而任意给出了在所附附图中示出的构成构件的尺寸(例如，厚度)，所以本公开不限于阐释的尺寸(例如，厚度)。在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、板、区等的厚度。在附图中，为了更好的理解和易于描述，放大了一些层和区的厚度。
[0034]
在描述中，将理解，当元件(或区、层、部分等)被称为“在”另一元件(或区、层、部分等)“上”，“连接至”或“联接至”另一元件(或区、层、部分等)时，其可直接在另一元件(或区、层、部分等)上、直接连接至或直接联接至另一元件(或区、层、部分等)，或者在它们之间可存在一个或多个居间元件。在类似的意义上，当元件(或区、层、部分等)描述为“覆盖”另一元件(或区、层、部分等)时，其可直接覆盖另一元件(或区、层、部分等)，或在它们之间可存在一个或多个居间元件。
[0035]
在描述中，当元件“直接在”另一元件“上”，“直接连接至”或“直接联接至”另一元件时，不存在居间元件。例如，“直接在
……
上”可意指设置两个层或两个元件而在它们之间没有附加的元件比如粘附元件。
[0036]
如在本文中使用的，以单数形式使用的表述，比如“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
[0037]
将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开教导的情况下，第一元件可被称为第二元件。类似地，在不背离本公开的范围的情况下，第二元件可被称为第一元件。
[0038]
为了易于描述，空间相对术语“下面”、“之下”、“下”、“上面”或“上”等可在本文中用于描述如附图中阐释的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解，空间相对术语旨在囊括除了附图中描绘的定向之外的使用或操作中的装置的不同定向。例如，在将附图中阐释的装置翻转的情况下，位于另一装置“下面”或“之下”的装置可放置在另一装置“上面”。因此，阐释性术语“下面”可包括下位置和上位置两者。装置也可在其他方向上定向，并且因此可取决于定向而不同地解释空间相对术语。
[0039]
如在本文中使用的术语“约”或“近似”包括叙述的值，并且意指在由本领域普通技
术人员考虑所讨论的测量和与阐述量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定的叙述值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可意指在叙述值的一个或多个标准偏差以内，或在叙述值的
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
[0040]
应理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”和“含有(containing)”等旨在指定本公开中存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其任何组合，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其任何组合。
[0041]
在说明书和权利要求中，为了其含义和解释的目的，术语
“……
中的至少一个”旨在包括“选自
……
的组中的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可理解为意指“a，b，或a和b”。当在元件的列表之后时，术语
“……
中的至少一个”修饰要素的整个列表，并且不修饰列表的单个要素。
[0042]
如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。例如，“a和/或b”可理解为意指“a，b，或a和b”。术语“和”和“或”可以以连接意义或分离意义使用并且可理解为等价于“和/或”。
[0043]
在说明书中，短语“在平面图中”意指当从上面观察对象部分的情况，并且短语“在横截面图中”意指当从侧面观察通过垂直切割对象部分而截取的横截面的情况。
[0044]
在说明书中，术语“2-氮环状化合物”指包括含有两个氮原子的环部分的化合物。在说明书中，术语“3-氮环状化合物”指包括含有三个氮原子的环部分的化合物。在说明书中，术语“4-氮环状化合物”指包括含有四个氮原子的环部分的化合物。
[0045]
除非在本文中另外限定或暗示，否则使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，术语，比如在常用的词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义并且不应以理想的或过于正式的意义解释，除非在说明书中清楚地限定。
[0046]
根据实施方式的蚀刻剂组合物可包括：约5.0wt％至约20.0wt％的过硫酸盐；约0.01至约10.0wt％的硫酸氢盐；约0.01wt％至约15.0wt％的磺酸；约0.01至约3.0wt％的磷酸或磷酸盐；约0.01wt％至约2.0wt％的氟化合物；约0.01wt％至约5.0wt％的4-氮环状化合物；约0.01wt％至约5.0wt％的具有饱和环的2-氮环状化合物；约0.01wt％至约1.0wt％的包括巯基的3-氮环状化合物；约0.01wt％至约1.0wt％的包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸；和水。
[0047]
根据实施方式的蚀刻剂组合物可蚀刻包括铜的布线，并且例如，可同时蚀刻其中钛和铜彼此堆叠的布线。
[0048]
根据实施方式的蚀刻剂组合物可包括约5.0wt％至约20.0wt％的范围内的过硫酸盐。过硫酸盐可包括过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾或过氧二硫酸中的至少一种。
[0049]
过硫酸盐可为用于铜布线的主氧化蚀刻剂。在过硫酸盐的含量小于约5wt％的情况下，可能存在对铜的蚀刻速率降低因此不会进行充分的蚀刻的问题。在过硫酸盐的含量大于约20.0wt％的情况下，可能存在铜布线的平直度降低的问题。由于过硫酸盐的含量减小，平直度降低的问题可得到解决。然而，因为过硫酸盐为主氧化蚀刻剂，所以可包括约5.0wt％或更大以便蚀刻铜布线。
[0050]
根据实施方式的蚀刻剂组合物可包括约0.01至约10.0wt％的范围内的硫酸氢盐。硫酸氢盐可包括硫酸氢铵、硫酸氢钾、硫酸氢钠或其任何组合。
[0051]
硫酸氢盐可在蚀刻剂组合物中解离成硫酸氢根离子以减慢过硫酸盐被强氧化剂比如氨基磺酸分解的速率，从而改善存储稳定性。在硫酸氢盐的含量小于约0.01wt％的情况下，可能存在存储稳定性降低的问题。在硫酸氢盐的含量大于约10.0wt％的情况下，铜蚀刻速率可能过度增加，并且因此可能发生不良侵蚀。
[0052]
根据实施方式的蚀刻剂组合物可包括约0.01wt％至约15.0wt％的范围内的磺酸。磺酸可包括氨基磺酸、甲基氨基磺酸、甲磺酸、氨基甲磺酸、乙磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、乙烯基磺酸或其任何组合。
[0053]
作为强氧化剂的磺酸可增加对铜和钛布线的蚀刻速率，并且可在铜布线被蚀刻的同时使二价正离子处于稳定状态。铜布线的斜面的平直度可得到改善。在磺酸的含量小于约0.01wt％的情况下，可能存在铜布线的斜面的平直度降低的问题。在磺酸的含量大于约15.0wt％的情况下，铜蚀刻速率可能过度增加，因此金属层可能被过蚀刻。
[0054]
根据实施方式的蚀刻溶液组合物可包括约0.01至约3.0wt％的范围内的磷酸或磷酸盐。磷酸盐可包括磷酸铵、磷酸钠、磷酸钾、磷酸钙、磷酸锂或其任何组合。
[0055]
磷酸或磷酸盐可通过控制铜布线和钛布线的电偶腐蚀来减少信号布线的锥角，并且即使在蚀刻剂中的铜离子增加的情况下也可用于保持锥角。在磷酸或磷酸盐的含量小于约0.01wt％的情况下，下钛膜的蚀刻速率可能不会减慢下来，使得锥角可能增加，并且可能发生由于台阶覆盖差导致的缺陷。在磷酸或磷酸盐的含量大于约3.0wt％的情况下，铜膜和钛膜的初始锥角可能太低，使得布线的体积可能减少并且电荷迁移率可能降低。
[0056]
根据实施方式的蚀刻剂组合物可包括约0.01wt％至约2.0wt％的范围内的氟化合物。氟化合物可包括氢氟酸、氟化铵、氟化钾、氟化钠、氟化氢铵、氟化氢钾、氟化氢钠或其任何组合。氟化合物可蚀刻由钛制成的布线。在氟化合物的含量小于约0.1wt％的情况下，钛膜的蚀刻可能不会有效进行。在氟化合物的含量超过约2.0wt％的情况下，钛膜可能被过蚀刻，并且因此，可能在钛膜下方产生底切，存在金属层下方的绝缘层或基板可能被额外蚀刻的问题。
[0057]
根据实施方式的蚀刻剂组合物可包括约0.01wt％至约5.0wt％的量的4-氮环状化合物。4-氮环状化合物可包括5-甲基四唑、5-甲氧基-1h-四唑、1h-四唑或其任何组合。
[0058]
4-氮环状化合物可用作铜的抗腐蚀剂以控制蚀刻速率。也可以改善由铜制成的布线的斜面的平直度。对于4-氮环状化合物，具有等于或小于约0.80ev的对铜的吸附能的化合物可为合适的，并且在吸收能超过约0.80ev的情况下，铜布线的斜面的平直度可能降低。在布线的斜面的平直度降低的情况下，布线的锥形形状可能引起缺陷，这可能在绝缘层上产生裂缝，如稍后将描述的比较例中那样，从而造成装置缺陷。在4-氮环状化合物的含量小于约0.01wt％的情况下，铜膜的蚀刻速率可能过度增加，并且因此可能难以控制金属膜的蚀刻程度。在4-氮环状化合物的含量大于约5.0wt％的情况下，蚀刻速率可能降低，并且因此蚀刻工艺的工艺能力可能降低。
[0059]
根据实施方式的蚀刻剂组合物可包括约0.01wt％至约5.0wt％的具有饱和环的2-氮环状化合物。具有饱和环的2-氮环状化合物可包括2-咪唑啉酮、乙内酰脲、亚乙基硫脲、仲班酸、1-甲基乙内酰脲、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、5,5-二甲基乙内酰脲、5-乙基乙内酰
脲、1-烯丙基乙内酰脲或其任何组合。
[0060]
当过硫酸盐蚀刻铜布线时，可产生硫酸根自由基。产生的硫酸根自由基可攻击并分解4-氮环状化合物。通过4-氮环状化合物的分解产生的一些分解产物可能吸附到铜布线，从而降低对铜布线的蚀刻能力。具有饱和环的2-氮环状化合物可用作硫酸根自由基清除剂以防止4-氮环状化合物的分解，从而改善对铜布线的蚀刻能力。在具有饱和环的2-氮环状化合物的含量小于约0.01wt％的情况下，硫酸根自由基清除剂功能可能不会充分进行，并且蚀刻剂组合物中4-氮环状化合物的分解可能不会得到抑制，并且因此蚀刻性能可能降低。在具有饱和环的2-氮环状化合物的含量大于约5.0wt％的情况下，具有饱和环的2-氮环状化合物可能吸附到金属膜，从而降低蚀刻剂组合物的蚀刻性能。
[0061]
根据实施方式的蚀刻剂组合物可包括约0.01wt％至约1.0wt％的范围内的包括巯基的3-氮环状化合物。包括巯基的3-氮环状化合物可包括3-巯基-1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑-5-硫醇、3-巯基-4-甲基-4h-1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,3-三唑-5-硫醇、1h-1,2,4-三唑-3-硫醇或其任何组合。
[0062]
当过硫酸盐蚀刻铜布线时，除了硫酸根自由基之外，可产生氧自由基。产生的氧自由基可攻击并分解2-氮环状化合物。在2-氮环状化合物分解的情况下，它可能起不到硫酸根自由基清除剂的作用，并且4-氮环状化合物可能分解。因此，对铜布线的蚀刻能力可通过产生的分解产物而降低。具有巯基的3-氮环状化合物可用作氧自由基清除剂以防止2-氮环状化合物的分解并且可防止4-氮环状化合物的分解，从而改善对铜布线的蚀刻能力。
[0063]
根据实施方式的蚀刻剂组合物可包括约0.01wt％至约1.0wt％的范围内的包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸。
[0064]
包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸可包括由化学式1表示的化合物。
[0065]
[化学式1]
[0066][0067]
在化学式1中，r可为氢、氘、卤基、羟基、氰基、硝基、氨基、环氧基、乙烯基、(甲基)丙烯酸酯基、氧杂环丁烷基、巯基、羧基、取代的或未取代的c1至c30烷基、取代的或未取代的c2至c30烯基、取代的或未取代的c2至c30炔基、取代的或未取代的c1至c10烷氧基、取代的或未取代的c1至c30烷硫基、取代的或未取代的c3至c30环烷基、取代的或未取代的c6至c30芳基、取代的或未取代的c6至c30芳氧基、取代的或未取代的c6至c30芳硫基、取代的或未取代的c2至c30杂芳基或其任何组合。
[0068]
包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸可包括缬氨酸、异亮氨酸、亮氨酸、蛋氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸或其任何组合。
[0069]
包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸可吸附在铜布线的上部中以改善铜布线的上部的平直度。在使用包括带电荷链的氨基酸的情况下，被蚀刻的铜布线的平直度可能降低。包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸与4-氮环状化合物的比例可为
约1:16至约1:60。在比例大于约1:16的情况下，被蚀刻的铜布线的上部的平直度可能降低，并且在比例小于约1:60的情况下，被蚀刻的铜布线的斜面的平直度可能降低。
[0070]
下文中，将用实施例更详细地描述本公开。提供下述实施例以更详细地描述本公开，并且本公开的范围不限于下述实施例。下述实施例可由本领域技术人员在本公开的范围内适当地修改和改变。
[0071]
《蚀刻剂组合物的制备》
[0072]
制备根据如上所述的蚀刻剂组合物的实施例1至实施例45和比较例1至比较例10的蚀刻剂，如以下表1中示出。以下表1中的每种组分的含量的单位指示wt％。
[0073]
[表1]
[0074]
[0075]
[0076][0077]
对于实施例1至实施例45和比较例1至比较例10，当钛/铜双层被蚀刻时，在基于上铜层的终点检测(epd)以相同的过蚀刻速率蚀刻这些层之后评估特性。如表2中阐释，评估的特性为平直度、处理能力和蚀刻速率，并且用扫描电子显微镜测量它们。
[0078]
在表2中，指定了三个主要特性的性能水平并指示为级别(优异：o，一般：
△
，差：x)。组合物的范围可通过包括其中所有的三个主要特性都为优异的情况来确定。
[0079]
[表2]
[0080]
[0081][0082]
对于表1的实施例1至实施例45，如表2中示出，确认了在每个组分的含量内平直度、处理能力和蚀刻速率特性均令人满意。在说明书中，处理能力可包括保持蚀刻轮廓直到每个实施例的新的蚀刻剂和铜离子变成3000ppm的累积溶液。还确认了每个实施例中示出
优异的布线平直度。例如，确认了稳定形成了布线的锥角。
[0083]
在表1和表2中的比较例1至比较例10中，确认了在每种组分被排除或超出含量范围的情况下发生缺陷。例如，在比较例1中，确认了，在过硫酸盐的含量小于含量范围的情况下，铜蚀刻速率慢并且由于主氧化蚀刻剂的含量不足而导致处理能力降低。在比较例2中，确认了，在过硫酸盐含量超过含量范围的情况下，由于过多硫酸根离子而导致蚀刻速率高，使得难以控制工艺节拍时间。在比较例3中，确认了，在磺酸的含量小于含量范围的情况下，由于氧化剂的缺少而导致处理能力降低，并且蚀刻速率降低。在比较例4中，确认了，在磺酸的含量超过含量范围的情况下，蚀刻速率高，使得难以控制工艺节拍时间。在比较例5中，确认了在氟化合物的含量小于含量范围的情况下，无法蚀刻下钛膜。在比较例6中，确认了，在氟化合物的含量超过含量范围的情况下，由于钛膜的过蚀刻导致的底切和对玻璃基板的损坏增加。在比较例7中，确认了，在4-氮环状化合物的含量小于含量范围的情况下，由于铜蚀刻速率的增加而难以控制工艺节拍时间，并且平直度降低。在比较例8中，确认了，在4-氮环状化合物的含量超过含量范围的情况下，对铜布线的蚀刻速率低，化合物吸附到铜，使得处理能力降低，并且平直度降低。在比较例9中，确认了，在包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸的含量小于含量范围的情况下，铜布线的平直度降低。在比较例10中，确认了，在包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸超过含量范围的情况下，其吸附到铜，使得铜蚀刻速率降低，处理能力降低，并且平直度降低。
[0084]
图1阐释了在每个实施例和比较例中直到新的蚀刻剂和铜离子变成3000ppm的累积溶液的蚀刻轮廓，并且图2阐释了每个实施例和比较例的布线平直度。
[0085]
如图1中阐释，确认了，与比较例相比，在每个实施例中保持蚀刻轮廓直到新的蚀刻剂和铜离子变成3000ppm的累积溶液。在图2中，确认了，与比较例相比，每个实施例表现出较优异的布线平直度。例如，确认了稳定形成了布线的锥角。
[0086]
参考图3，在使用根据比较例的蚀刻剂组合物的情况下，位于下端的布线的锥形形状可能不均匀或可能太接近直角。正因如此，在锥形形状有缺陷的情况下，在形成在布线上的绝缘层上可能形成缺陷比如裂缝，并且在清洁工艺或蚀刻工艺期间可能发生布线的腐蚀。
[0087]
现将参考图4描述根据实施方式的显示装置。图4阐释了根据实施方式的显示装置的示意性横截面图。
[0088]
参考图4，根据实施方式的显示装置可包括基板sub。基板sub可具有各种程度的柔性。基板sub可为刚性基板或能够弯曲、折叠或卷曲等的柔性基板。
[0089]
基板sub可包括玻璃材料或聚合物树脂。例如，聚合物树脂可包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳族酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素或其任何组合。基板sub可具有包括包含前述的聚合物树脂的层和无机层(未阐释)的多层结构。
[0090]
金属层bml可设置在基板sub上。金属层bml可包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)或钛(ti)等。根据实施方式的金属层bml可形成为至少双层，并且可包括，例如，包含钛的第一层和包含铜的第二层。根据实施方式的金属层bml可通过用上述蚀刻剂组合物蚀刻来形成，并且因此可具有稳定的锥形形状。
[0091]
缓冲层il1可设置在基板sub和金属层bml上。缓冲层il1可防止杂质从基板sub转
移到缓冲层il1的上层，特别是半导体层act，从而防止半导体层act的特性的劣化并减少应力。缓冲层il1可为包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)或其任何组合的单个层或多个层。可省略缓冲层il1的一部分或整个部分。
[0092]
半导体层act可设置在缓冲层il1上。
[0093]
半导体层act可包括多晶硅、氧化物半导体或其任何组合。半导体层act可包括沟道区c、第一区p和第二区q。第一区p和第二区q可分别设置在沟道区c的相反侧。沟道区c可掺杂有少量的杂质或可为未掺杂有杂质的半导体，并且第一区p和第二区q可包括与沟道区c相比掺杂有较大的量的杂质半导体。半导体层act可通过使用氧化物半导体形成，并且可在半导体层act上设置单独的保护层(未阐释)以保护易受外界环境(比如高温)影响的氧化物半导体材料。
[0094]
第一绝缘层il2可设置在半导体层act上。栅电极ge可位于第一绝缘层il2上。
[0095]
栅电极ge可为包括铜(cu)、铜合金、铝(al)、铝合金、钼(mo)、钼合金、钛(ti)和钛合金中的任何一种的单个层或多个层。栅电极ge可与半导体层act的沟道区c重叠。
[0096]
第二绝缘层il3可位于栅电极ge和第一绝缘层il2上。第一绝缘层il2和第二绝缘层il3可为包括至少一种无机绝缘材料(比如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或其任何组合)的单个层或多个层。
[0097]
源电极se和漏电极de可位于第二绝缘层il3上。源电极se和漏电极de可分别通过第一绝缘层il2和第二绝缘层il3中形成的接触孔电连接至半导体层act的第一区p和第二区q。
[0098]
源电极se和漏电极de可包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等的导电材料，并且可形成为包括以上材料的多层或单个层。在实施方式中，源电极se和漏电极de可具有钛层、铝层和钛层的多层结构(ti/al/ti)。
[0099]
第三绝缘层il4可设置在源电极se和漏电极de上。第一电极e1可设置在第三绝缘层il4上。
[0100]
第一电极e1可包括金属比如银(ag)、锂(li)、钙(ca)、铝(al)、镁(mg)或金(au)，并且也可包括透明导电氧化物(tco)比如氧化铟锌(izo)或氧化铟锡(ito)。
[0101]
第一电极e1可形成为包括金属材料或透明导电氧化物的单个层，或包括金属材料或透明导电氧化物的多个层。例如，第一电极e1可具有包括氧化铟锡(ito)的第一层、包括银(ag)的第二层和包括氧化铟锡(ito)的第三层的三层结构。
[0102]
第四绝缘层il5可设置在第一电极e1上。第四绝缘层il5可与第一电极e1的至少一部分重叠。第四绝缘层il5可具有限定发射区的开口。例如，暴露第一电极e1的上表面的开口的宽度可对应于从其中发射光的发射区的宽度或像素的宽度。开口可在平面图中具有菱形或类似于菱形的八边形形状，但是本公开不限于此，并且可具有任何形状比如多边形(例如，四边形)、圆形或椭圆。
[0103]
第三绝缘层il4和第四绝缘层il5可包括通用聚合物比如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)，具有酚醛基团的聚合物衍生物，或有机绝缘材料比如丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、硅氧烷聚合物等。
[0104]
发射层el可设置在第一电极e1上。发射层el可包括有机材料和/或无机材料。发射层eml1可产生有色光。
[0105]
第二电极e2可设置在发射层el上。第二电极e2可包括包含钙(ca)、钡(ba)、镁(mg)、铝(al)、银(ag)、金(au)、镍(ni)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)等的反射金属，或者透明导电氧化物(tco)比如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。
[0106]
第一电极e1、发射层el和第二电极e2可构成发光二极管ed。在本文中，第一电极e1可为作为空穴注入电极的阳极，并且第二电极e2可为作为电子注入电极的阴极。然而，本公开不限于此，并且第一电极e1可为阴极且第二电极e2可为阳极，这取决于显示装置的驱动方法。
[0107]
在空穴和电子分别从第一电极e1和第二电极e2注入到发射层el中的情况下，通过复合注入的空穴和电子形成的激子可在它们从激发态下降到基态时发射。
[0108]
封装层enc可设置在第二电极e2上。封装层enc可覆盖和密封发光元件的上表面和侧表面。因为发光二极管ed非常易受水分和氧气影响，所以封装层enc可密封发光元件以阻挡水分和氧气从外部流入。
[0109]
封装层enc可包括多个层，并且可由包括无机层和有机层的复合膜形成，并且例如，可形成为其中第一无机封装层eil1、封装有机层eol和第二无机封装层eil2依次形成的三层。
[0110]
本文中已经公开了实施方式，并且尽管采用了术语，但是仅以一般性和描述性含义使用和解释它们，并且不用于限制的目的。在一些情况下，如将对本领域普通技术人员显而易见的，结合实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独使用或与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另外具体地指示。相应地，本领域普通技术人员将理解，在不背离如权利要求中陈述的本公开的精神和范围的情况下，可进行各种形式和细节上的改变。

技术特征：
1.一种蚀刻剂组合物，包括：5.0wt％至20.0wt％的过硫酸盐；0.01wt％至15.0wt％的磺酸；0.01wt％至2.0wt％的氟化合物；0.01wt％至5.0wt％的4-氮环状化合物；0.01wt％至1.0wt％的包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸；和水，其中所述氨基酸与所述4-氮环状化合物的重量比在1:16至1:60的范围内。2.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述过硫酸盐包括过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾、过氧二硫酸或其任何组合。3.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，进一步包括：0.01wt％至10wt％的硫酸氢盐，其中，所述硫酸氢盐包括硫酸氢铵、硫酸氢钾、硫酸氢钠或其任何组合。4.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述磺酸包括氨基磺酸、甲基氨基磺酸、甲磺酸、氨基甲磺酸、乙磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、乙烯基磺酸或其任何组合。5.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，进一步包括：0.01wt％至3wt％的磷酸或磷酸盐，其中所述磷酸盐包括磷酸铵、磷酸钠、磷酸钾、磷酸钙、磷酸锂或其任何组合。6.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述氟化合物包括氢氟酸、氟化铵、氟化钾、氟化钠、氟化氢铵、氟化氢钾、氟化氢钠或其任何组合。7.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述4-氮环状化合物具有等于或小于0.80ev的对铜的吸附能，并且所述4-氮环状化合物包括5-甲基四唑、5-甲氧基-1h-四唑、1h-四唑或其任何组合。8.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，进一步包括：0.01wt％至5.0wt％的具有饱和环的2-氮环状化合物，其中所述2-氮环状化合物包括2-咪唑啉酮、乙内酰脲、亚乙基硫脲、仲班酸、1-甲基乙内酰脲、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、5,5-二甲基乙内酰脲、5-乙基乙内酰脲、1-烯丙基乙内酰脲或其任何组合。9.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，进一步包括：0.01wt％至1wt％的包括巯基的3-氮环状化合物，其中所述3-氮环状化合物包括3-巯基-1,2,4-三唑、3-巯基-4-甲基-4h-1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,3-三唑-5-硫醇、3-氨基-1,2,4-三唑-5-硫醇、1h-1,2,4-三唑-3-硫醇或其任何组合。10.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述氨基酸包括由化学式1表示的化合物：化学式1
其中在化学式1中，r为氢、氘、卤基、羟基、氰基、硝基、氨基、环氧基、乙烯基、(甲基)丙烯酸酯基、氧杂环丁烷基、巯基、羧基、取代的或未取代的c1至c30烷基、取代的或未取代的c2至c30烯基、取代的或未取代的c2至c30炔基、取代的或未取代的c1至c10烷氧基、取代的或未取代的c1至c30烷硫基、取代的或未取代的c3至c30环烷基、取代的或未取代的c6至c30芳基、取代的或未取代的c6至c30芳氧基、取代的或未取代的c6至c30芳硫基、取代的或未取代的c2至c30杂芳基或其任何组合。

技术总结
本申请提供了蚀刻剂组合物和使用其的显示装置的制造方法。蚀刻剂组合物包括约5.0wt％至约20.0wt％的过硫酸盐、约0.01wt％至约15.0wt％的磺酸、约0.01wt％至约2.0wt％的氟化合物、约0.01wt％至约5.0wt％的4-氮环状化合物、约0.01wt％至约1.0wt％的包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸和水。氨基酸与4-氮环状化合物的重量比在约1:16至约1:60的范围内。60的范围内。60的范围内。


技术研发人员：金荣绿 朴圭淳 郑钟铉 曹雨辰 金奎佈 金成玟 金在明 申贤哲 金晙东 黄俊荣
受保护的技术使用者：株式会社东进世美肯
技术研发日：2023.03.17
技术公布日：2023/9/20