一种封装结构和封装方法与流程

1.本发明涉及半导体器件技术领域，更具体地说，涉及一种封装结构和封装方法。


背景技术：

2.射频前端指的是天线之后，收发机之前的射频器件部分，而射频前端的模组方案(integrated solution)与分立方案(discrete solution)相对应，指的是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或两种以上的分立器件集成为一个模组，从而提高集成度和性能，并使其体积小型化的解决方案。
3.但是在模组产品的封装过程中，部分声学滤波器器件是不能进行底部填充的，例如saw(surface acoustic wave，声表面波)滤波器，需要放置于空腔之中从而实现谐振性能；而其他射频器件例如pa(power amplifier，功率放大器)、lna(low noise amplifier，低噪声放大器)或者sw(射频开关)等，则需要进行底部封装材料的填充，从而增加器件工作的稳定性。
4.显然，为了使每个射频器件都满足所需的封装要求，就导致现有的射频前端模组的封装技术较为繁琐。


技术实现要素：

5.有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种封装结构和封装方法，技术方案如下：
6.一种封装结构，所述封装结构包括：
7.基板，所述基板包括第一表面，所述基板的第一表面的一侧的预设区域上具有凹槽；
8.位于所述第一表面上的第一类射频器件，所述第一类射频器件与所述第一表面之间具有空腔；
9.位于所述凹槽内的第二类射频器件，所述第二类射频器件与所述凹槽之间具有空腔；
10.位于所述第一表面上的密封部件，所述密封部件在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影；
11.位于所述第一表面一侧的封装材料层，所述封装材料层在所述基板上的正投影至少覆盖所述第一类射频器件和所述凹槽所在区域，且所述封装材料层填充所述第一类射频器件与所述第一表面之间的空腔。
12.优选的，在上述封装结构中，所述密封部件为加热可融化的密封板材。
13.优选的，在上述封装结构中，所述密封部件包括硬质板材，以及位于所述硬质板材一侧的胶层。
14.优选的，在上述封装结构中，所述封装结构还包括：
15.位于所述密封部件和所述基板之间的辅助密封层。
16.优选的，在上述封装结构中，位于所述凹槽内的第二类射频器件的数量为n，n≥1，且n为正整数。
17.本技术还提供了一种封装结构的封装方法，所述封装方法包括：
18.提供一基板，所述基板包括第一表面，所述基板的第一表面的一侧的预设区域上具有凹槽；
19.将第一类射频器件焊接在所述第一表面上，将第二类射频器件焊接在所述凹槽内，所述第一类射频器件与所述第一表面之间具有空腔，所述第二类射频器件与所述凹槽之间具有空腔；
20.采用密封部件对所述凹槽进行密封处理；
21.在所述第一表面的一侧形成封装材料层，所述封装材料层在所述基板上的正投影至少覆盖所述第一类射频器件和所述凹槽所在区域，且所述封装材料层填充所述第一类射频器件与所述第一表面之间的空腔。
22.优选的，在上述封装方法中，所述提供一基板，所述基板包括第一表面，所述基板的第一表面的一侧的预设区域上具有凹槽，包括：
23.基于封装结构的排版要求在所述基板的第一表面确定所述预设区域；
24.对所述预设区域的基板进行处理，形成所述凹槽。
25.优选的，在上述封装方法中，所述密封部件为加热可融化的密封板材，所述采用密封部件对所述凹槽进行密封处理，包括：
26.提供一大尺寸加热可融化的密封板材；
27.对所述密封板材进行切割处理，得到目标尺寸的目标密封板材；
28.对所述目标密封板材进行加热处理与所述基板进行焊接，其中所述目标密封板在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影。
29.优选的，在上述封装方法中，所述密封部件包括硬质板材，以及位于所述硬质板材一侧的胶层，所述采用密封部件对所述凹槽进行密封处理，包括：
30.提供一大尺寸的硬质板材；
31.在所述硬质板材的一侧表面上形成胶层；
32.对具有所述胶层的硬质板材进行切割处理，得到目标尺寸的目标硬质板材；
33.将所述目标硬质板材具有所述胶层的一侧与所述基板进行粘结，其中所述目标硬质板材在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影。
34.优选的，在上述封装方法中，在采用密封部件对所述凹槽进行密封处理之前，所述封装方法还包括：
35.在所述凹槽周围基底的第一表面上形成辅助密封层。
36.相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：
37.本发明提供的一种封装结构和封装方法将需要进行底部填充的第一类射频器件正常焊接在基板的第一表面，将不进行底部填充的第二类射频器件焊接在基板上的凹槽内，且对该凹槽进行密封处理，所以在封装材料的填充过程中，封装材料无法填充到凹槽内的第二类射频器件的底部，而封装材料会正常填充到第一类射频器件的底部，由此可知该封装结构的设计可以简单地实现对部分射频器件进行底部填充的同时，不对部分射频器件进行底部填充，在保证底部填充射频器件的稳定性的同时，也能够保证非底部填充射频器
件的正常工作。
附图说明
38.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
39.图1为现有技术中saw滤波器的倒装结构示意图；
40.图2为本发明实施例提供的一种封装结构的俯视示意图；
41.图3为本发明实施例提供的一种封装结构的截面示意图；
42.图4为本发明实施例提供的另一种封装结构的截面示意图；
43.图5为本发明实施例提供的又一种封装结构的截面示意图；
44.图6为本发明实施例提供的一种封装结构的封装方法的流程示意图；
45.图7-图9为图6所示封装方法对应的部分结构示意图；
46.图10为本发明实施例提供的另一种封装结构的封装方法的流程示意图；
47.图11-图14为图10所示封装方法对应的部分结构示意图；
48.图15为本发明实施例提供的又一种封装结构的封装方法的流程示意图；
49.图16-图19为图15所示封装方法对应的部分结构示意图。
具体实施方式
50.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
51.基于背景技术记载的内容可知，射频前端指的是天线之后，收发机之前的射频器件部分，而射频前端的模组方案(integrated solution)与分立方案(discrete solution)相对应，指的是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或两种以上的分立器件集成为一个模组，从而提高集成度和性能，并使其体积小型化的解决方案。
52.根据集成方式的不同可分为femid(集成射频开关、滤波器和双工器)、pamid(集成多模式多频带功率放大器和femid)、lpamid(低噪声放大器、集成多模式多频带功率放大器和femid)、difem(集成射频开关和滤波器)、lfem(集成射频开关、低噪声放大器和滤波器)等。
53.参考图1，图1为现有技术中saw滤波器的倒装结构示意图，在模组产品的封装过程中，部分声学滤波器器件是不能进行底部填充的，例如saw(surface acoustic wave，声表面波)滤波器，需要放置于空腔100之中从而实现谐振性能。
54.但是与此同时，其他射频器件例如pa(power amplifier，功率放大器)、lna(low noise amplifier，低噪声放大器)或者sw(射频开关)等，则需要进行底部封装材料的填充，从而增加器件工作的稳定性。
55.基于此，目前现有技术中往往是在填充之前，对基板上集成设置的射频器件进行
覆膜，覆膜后对需要进行底部封装材料填充的射频器件进行破膜，然后再进行封装材料的填充，如图1所示，对不需要进行底部封装材料填充的saw滤波器进行了覆膜工艺，其中图1中的标号10表示覆膜后的膜层。
56.但是，目前破膜工艺相对复杂，也往往需要其他工具进行辅助(例如需要采用激光设备进行破膜)，同时也存在破膜失败造成射频器件底部未填充的问题，甚至在破膜的过程中还会存在损坏射频器件的风险，最终影响模组产品的良率。
57.基于背景技术中存在的技术问题，本技术实施例提供了一种封装结构和封装方法，通过在基板上开设凹槽，将不需要进行底部填充的射频器件焊接在凹槽中，然后在凹槽的上方通过密封部件对凹槽进行密封，此时这些不需要进行底部填充的射频器件被密封在凹槽内；将需要进行底部填充的射频器件正常焊接在基板的表面上，之后进行封装材料的填充；由于不需要进行底部填充的射频器件被密封在凹槽内，所以在封装材料的填充过程中，封装材料无法填充到凹槽内的射频器件的底部，这类射频器件与凹槽底部会形成所需的空腔；由于需要进行底部填充的射频器件正常焊接在基板的表面，所以在封装材料的填充过程中，封装材料会正常填充到这类射频器件的底部，最终实现对这类射频器件的全覆盖，此时这类射频器件与基板之间完全填充了封装材料，没有空腔的形成。
58.也就是说，本发明实施例提供的一种封装结构和封装方法的技术方案，能够同时实现对部分射频器件的底部进行封装材料的填充，而对部分射频器件的底部不进行封装材料的填充，且工艺较为简单，且不会出现损坏射频器件的风险，可保证封装结构的良率。
59.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
60.参考图2，图2为本发明实施例提供的一种封装结构的俯视示意图，参考图3，图3为本发明实施例提供的一种封装结构的截面示意图，参考图4，图4为本发明实施例提供的另一种封装结构的截面示意图，其中图3和图4为沿图2中aa’切割线的两种截面示意图，其中图3中没有图示出封装材料层，图4中图示出了封装材料层，需要说明的是，为了更好的体现封装结构的俯视示意图，图2中也没有示意出封装材料层，但是不难理解的是，封装材料层至少可以将图2中的射频器件所在区域全覆盖。
61.本技术实施例提供的封装结构包括：基板11、第一类射频器件12、第二类射频器件13、密封部件14和封装材料层15。图2中以第一类射频器件12包括第一类射频器件12a、第一类射频器件12a和第一类射频器件12a为例进行说明，以第二类射频器件13包括第二类射频器件13a和第二类射频器件13b为例进行说明。
62.需要说明的是，图2中第一类射频器件12和第二类射频器件13的排版布局仅仅作为示例进行说明，可根据实际情况来合理设置第一类射频器件12和第二类射频器件13的位置。
63.其中，该基板11上集成设置有多种类型的射频器件，例如包括第一类射频器件12和第二类射频器件13，其中第一类射频器件12为需要进行底部填充的射频器件，第二类射频器件13为不需要进行底部填充的射频器件。
64.该基板11具有第一表面，该基板的第一表面的一侧的预设区域上设置有凹槽16，该预设区域的选定可以为封装结构设计时要焊接不需要进行底部填充的射频器件的区域，之后基于该预设区域对基板11进行处理形成所需的凹槽16。
65.在本技术实施例中，第一类射频器件12焊接在基板11的第一表面上，第二类射频器件13焊接在凹槽16内，第一类射频器件12与基板11之间具有第一空腔200，第二类射频器件13与凹槽16之间具有第二空腔300。
66.进一步的，该密封部件14位于基板11的第一表面上，且密封部件14在基板11上的正投影完全覆盖凹槽16在基板11上的正投影，也就是说该密封部件14位于凹槽16的上方，用于对凹槽16进行密封，使位于凹槽16内的第二类射频器件13处于一个密封的空间内。
67.进一步的，该封装材料层15位于该基板11的第一表面的一侧，该封装材料层15在基板11上的正投影至少覆盖第一类射频器件12和凹槽16所在区域，该封装材料层15完全覆盖第一类射频器件12，且填充第一空腔200。
68.也就是说，本技术实施例提供的封装结构通过在基板11上开设凹槽16，将不需要进行底部填充的第二类射频器件13焊接在凹槽16中，然后在凹槽16的上方通过密封部件14对凹槽16进行密封，此时这些不需要进行底部填充的第二类射频器件13被密封在凹槽16内；将需要进行底部填充的第一类射频器件12正常焊接在基板11的第一表面上，之后进行封装材料的填充形成封装材料层15；由于不需要进行底部填充的第二类射频器件13被密封在凹槽16内，所以在封装材料的填充过程中，封装材料无法填充到凹槽16内的第二类射频器件13的底部，即无法填充第二空腔300；由于需要进行底部填充的第一类射频器件12正常焊接在基板11的第一表面上，所以在封装材料的填充过程中，封装材料也会正常填充到第一类射频器件12的底部，即可以填充第一空腔200，最终实现对第一类射频器件12的全覆盖，此时第一类射频器件12与基板11之间的第一空腔200完全填充了封装材料，没有空腔的形成。
69.也就是说，本技术实施例提供的封装结构的技术方案，能够同时实现对部分射频器件的底部进行封装材料的填充，而对部分射频器件的底部不进行封装材料的填充，且工艺较为简单，且不会出现损坏射频器件的风险，可保证封装结构的良率。
70.可选的，在本发明另一实施例中，该密封部件14为加热可融化的密封板材，例如可以为pvc或亚克力等加热可融化的密封板材。
71.其中，该密封板材的厚度为50um-200um，例如该密封板材的厚度为50um或55um或80.5um或136um或200um等，其密封板材的厚度选取可根据实际需求来定。
72.可选的，在本发明另一实施例中，该密封部件14还可以为硬质板材结合胶层的方式实现，例如使用pvc或亚克力或si或其他基板类的硬质板材，在其一侧表面上形成胶层，例如形成film或胶水等，形成所需的密封部件14。
73.可选的，在本发明另一实施例中，参考图5，图5为本发明实施例提供的又一种封装结构的截面示意图。
74.考虑到密封部件14和基板11两个相对硬质材料之间的连接稳定性，在本技术实施例中还可以使封装结构包括：辅助密封层17，该辅助密封层17位于密封部件14和基板11之间，用于提高密封部件14和基板11之间的连接稳定性，以提高对凹槽16的密封效果，防止封装材料从密封部件14和基板11之间未严丝合缝的缝隙中流入到凹槽16内。
75.需要说明的是，位于所述凹槽16内的第二类射频器件13的数量为n，n≥1，且n为正整数。也就是说，在申请实施例中一个凹槽16内至少容纳一个第二类射频器件13，即一个凹槽16可以容纳一个第二类射频器件13，也可以容纳两个或两个以上的第二类射频器件13，
在本技术实施例中以一个凹槽16容纳两个第二类射频器件13为例进行说明。
76.基于本发明上述实施例，在本发明另一实施例中还提供了一种封装结构的封装方法，参考图6，图6为本发明实施例提供的一种封装结构的封装方法的流程示意图，本技术实施例提供的封装结构的封装方法包括：
77.s101：如图7所示，提供一基板11，该基板11具有第一表面。
78.s102：如图8所示，对该基板11进行处理，在基板11的第一表面的一侧的预设区域上形成凹槽16。
79.s103：如图9所示，将第一类射频器件12焊接在基板11的第一表面上，将第二类射频器件13焊接在凹槽16内，第一类射频器件12与基板11之间具有第一空腔200，第二类射频器件13与凹槽16之间具有第二空腔300。
80.在该步骤中，第一类射频器件12为需要进行底部填充的射频器件，第二类射频器件13为不需要进行底部填充的射频器件。
81.s104：如图3所示，采用密封部件14对凹槽16进行密封处理。
82.s105：如图4所示，形成封装材料层15，该封装材料层15在基板11上的正投影至少覆盖第一类射频器件12和凹槽16所在区域，该封装材料层15完全覆盖第一类射频器件12，且填充第一空腔200。
83.具体的，在本技术实施例中该封装结构的封装方法，通过在基板11上开设凹槽16，将不需要进行底部填充的第二类射频器件13焊接在凹槽16中，然后在凹槽16的上方通过密封部件14对凹槽16进行密封，此时这些不需要进行底部填充的第二类射频器件13被密封在凹槽16内；将需要进行底部填充的第一类射频器件12正常焊接在基板11的第一表面上，之后进行封装材料的填充形成封装材料层15；由于不需要进行底部填充的第二类射频器件13被密封在凹槽16内，所以在封装材料的填充过程中，封装材料无法填充到凹槽16内的第二类射频器件13的底部，即无法填充第二空腔300；由于需要进行底部填充的第一类射频器件12正常焊接在基板11的第一表面上，所以在封装材料的填充过程中，封装材料也会正常填充到第一类射频器件12的底部，即可以填充第一空腔200，最终实现对第一类射频器件12的全覆盖，此时第一类射频器件12与基板11之间的第一空腔200完全填充了封装材料，没有空腔的形成。
84.也就是说，本技术实施例提供的封装结构的封装方法的技术方案，能够同时实现对部分射频器件的底部进行封装材料的填充，而对部分射频器件的底部不进行封装材料的填充，且工艺较为简单，且不会出现损坏射频器件的风险，可保证封装结构的良率。
85.可选的，在本发明另一实施例中，参考图10，图10为本发明实施例提供的另一种封装结构的封装方法的流程示意图，该密封部件14为加热可融化的密封板材，步骤s104“采用密封部件对凹槽进行密封处理”的一种可实现方式为：
86.s201：如图11所示，提供一大尺寸加热可融化的密封板材18。
87.在该步骤中，该加热可融化的密封板材18可以为pvc或亚克力等加热可融化的密封板材18。
88.s202：如图12所示，对所述密封板材18进行切割处理，得到目标尺寸的目标密封板材19。
89.在该步骤中，可基于凹槽16的尺寸和形状对大尺寸的密封板材18进行适应性切割
处理，得到可以将凹槽16进行密封的目标密封板材19。
90.s203：如图13和图14所示，对目标密封板材19进行加热处理与基板11进行焊接，其中该目标密封板19在基板11上的正投影完全覆盖凹槽16在基板11上的正投影。
91.在该步骤中，如图13所示，包括但不限定于将目标密封板材19放置于加热平台20上进行加热，如图14所示，将加热并熔融的目标密封板材19焊接在凹槽16周边的基板11上，使目标密封板材19位于凹槽16的上方，用于对凹槽16进行密封，使位于凹槽16内的第二类射频器件13处于一个密封的空间内。
92.可选的，在本发明另一实施例中，参考图15，图15为本发明实施例提供的又一种封装结构的封装方法的流程示意图，该密封部件还可以为硬质板材结合胶层的方式实现，步骤s104“采用密封部件对凹槽进行密封处理”的一种可实现方式为：
93.s301：如图16所示，提供一大尺寸的硬质板材21。
94.在该步骤中，该硬质板材21为可以在表面上形成胶层的硬质板材，例如pvc或亚克力或si或其他基板类的硬质板材。
95.s302：如图17所示，在硬质板材21的一侧表面上形成胶层22。
96.s303：如图18所示，对具有胶层的硬质板材21进行切割处理，得到目标尺寸的目标硬质板材23。
97.在该步骤中，可基于凹槽16的尺寸和形状对大尺寸的具有胶层22的硬质板材21进行适应性切割处理，得到可以将凹槽16进行密封的目标硬质板材23。
98.s304：如图19所示，将目标硬质板材23具有胶层22的一侧与基板11进行粘结，其中该目标硬质板材23在基板11上的正投影完全覆盖凹槽16在基板11上的正投影。
99.在该步骤中，将目标硬质板材23具有胶层22的一侧与凹槽16周边的基板11进行粘结，使目标硬质板材23位于凹槽16的上方，用于对凹槽16进行密封，使位于凹槽16内的第二类射频器件13处于一个密封的空间内。
100.可选的，在本发明另一实施例中，在采用密封部件对所述凹槽进行密封处理之前，所述封装方法还包括：
101.在所述凹槽周围基底的第一表面上形成辅助密封层。
102.通过上述描述可知，本技术实施例提供的一种封装结构和封装方法的技术方案可以简单地实现对部分射频器件进行底部填充的同时，不对部分射频器件进行底部填充，在保证底部填充射频器件的稳定性的同时，也能够保证非底部填充射频器件的正常工作，比起现有技术通过覆膜、破膜、填充来进行选择性底部填充的技术方案来说，工艺方法更加简单，也不需要额外的辅助工具；同时封装结构的封装效果也较为理想，不会损坏基板上集成设置的射频器件，对封装结构的良率影响极小。
103.需要说明的是，本技术实施例提供的一种封装结构和封装方法的技术方案，理论上适用于任何需要部分底部填充而部分不底部填充的封装场景，只要尺寸能够符合基板上形成凹槽的封装要求即可。
104.以上对本发明所提供的一种封装结构和封装方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的
限制。
105.需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
106.还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素，或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
107.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：基板，所述基板包括第一表面，所述基板的第一表面的一侧的预设区域上具有凹槽；位于所述第一表面上的第一类射频器件，所述第一类射频器件与所述第一表面之间具有空腔；位于所述凹槽内的第二类射频器件，所述第二类射频器件与所述凹槽之间具有空腔；位于所述第一表面上的密封部件，所述密封部件在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影；位于所述第一表面一侧的封装材料层，所述封装材料层在所述基板上的正投影至少覆盖所述第一类射频器件和所述凹槽所在区域，且所述封装材料层填充所述第一类射频器件与所述第一表面之间的空腔。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述密封部件为加热可融化的密封板材。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述密封部件包括硬质板材，以及位于所述硬质板材一侧的胶层。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：位于所述密封部件和所述基板之间的辅助密封层。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，位于所述凹槽内的第二类射频器件的数量为n，n≥1，且n为正整数。6.一种封装结构的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：提供一基板，所述基板包括第一表面，所述基板的第一表面的一侧的预设区域上具有凹槽；将第一类射频器件焊接在所述第一表面上，将第二类射频器件焊接在所述凹槽内，所述第一类射频器件与所述第一表面之间具有空腔，所述第二类射频器件与所述凹槽之间具有空腔；采用密封部件对所述凹槽进行密封处理；在所述第一表面的一侧形成封装材料层，所述封装材料层在所述基板上的正投影至少覆盖所述第一类射频器件和所述凹槽所在区域，且所述封装材料层填充所述第一类射频器件与所述第一表面之间的空腔。7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述提供一基板，所述基板包括第一表面，所述基板的第一表面的一侧的预设区域上具有凹槽，包括：基于封装结构的排版要求在所述基板的第一表面确定所述预设区域；对所述预设区域的基板进行处理，形成所述凹槽。8.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述密封部件为加热可融化的密封板材，所述采用密封部件对所述凹槽进行密封处理，包括：提供一大尺寸加热可融化的密封板材；对所述密封板材进行切割处理，得到目标尺寸的目标密封板材；对所述目标密封板材进行加热处理与所述基板进行焊接，其中所述目标密封板在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影。9.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述密封部件包括硬质板材，以及位
于所述硬质板材一侧的胶层，所述采用密封部件对所述凹槽进行密封处理，包括：提供一大尺寸的硬质板材；在所述硬质板材的一侧表面上形成胶层；对具有所述胶层的硬质板材进行切割处理，得到目标尺寸的目标硬质板材；将所述目标硬质板材具有所述胶层的一侧与所述基板进行粘结，其中所述目标硬质板材在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影。10.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，在采用密封部件对所述凹槽进行密封处理之前，所述封装方法还包括：在所述凹槽周围基底的第一表面上形成辅助密封层。

技术总结
本发明提供了一种封装结构和封装方法，该封装结构将需要进行底部填充的第一类射频器件正常焊接在基板的第一表面，将不进行底部填充的第二类射频器件焊接在基板上的凹槽内，且对该凹槽进行密封处理，所以在封装材料的填充过程中，封装材料无法填充到凹槽内的第二类射频器件的底部，而封装材料会正常填充到第一类射频器件的底部，由此可知该封装结构的设计可以简单地实现对部分射频器件进行底部填充的同时，不对部分射频器件进行底部填充，在保证底部填充射频器件的稳定性的同时，也能够保证非底部填充射频器件的正常工作。非底部填充射频器件的正常工作。非底部填充射频器件的正常工作。


技术研发人员：韩云 高安明 郑磊 姜伟
受保护的技术使用者：浙江星曜半导体有限公司
技术研发日：2023.07.14
技术公布日：2023/9/20