一种滤波结构及其制备方法与流程

1.本技术属于滤波器技术领域，尤其涉及一种滤波结构及其制备方法。


背景技术：

2.在当前的滤波器结构中，多采用低温共烧陶瓷(low temperature cofired ceramic,ltcc)技术将电感、电容元件集成在一个陶瓷基体内，以形成独石结构。
3.然而此类滤波器需要对不同的结构进行打孔、填孔后再进行组合。填孔过程中需要对每个孔内填入金属浆料形成盲孔，在此过程中容易产生漏空而导致内部出现断线，从而影响滤波器的性能。
4.因此，传统的陶瓷基滤波结构存在因填孔工艺而影响滤波器性能的问题。


技术实现要素：

5.本技术的目的在于提供一种滤波结构及其制备方法，旨在解决传统的陶瓷基滤波结构存在因填孔工艺而影响滤波器性能的问题。
6.本技术实施例的第一方面提出了一种滤波结构，包括陶瓷基体，所述陶瓷基体上设置有输入端电极以及输出端电极，所述输入端电极用于接入信号波，所述输出端电极用于输出信号波；其中，所述输出端电极与所述输入端电极相对间隔设置；
7.电感件，所述电感件为片状结构，所述电感件设置在所述陶瓷基体内，且所述电感件跨设在所述输入端电极和所述输出端电极之间，并与所述输入端电极以及所述输出端电极电连接；
8.电容件，所述电容件设置在所述陶瓷基体内，所述电容件包括相对间隔设置的第一极板和第二极板，所述第一极板和所述第二极板之间形成第一电容，所述第一极板和第二极板叠设在所述电感件上；
9.其中，所述陶瓷基体上还设置有接地端电极，所述第一极板以及所述第二极板连接在所述输入端电极、输出端电极以及所述接地端电极中任意两者之间，以使所述第一电容与所述电感件电性连接。
10.在本技术的部分实施例中，所述电容件还包括第三极板，所述第三极板相对间隔地设置在所述第二极板背离所述第一极板的一侧，所述第三极板与所述第二极板之间形成第二电容；
11.其中，所述第一极板与所述接地端电极电连接，所述第二极板与所述输入端电极电连接，所述第三极板与所述输出端电极电连接，以使所述第一电容接地，且所述第二电容与所述电感件形成谐振结构。
12.在本技术的部分实施例中，所述电容件还包括第四极板，所述第四极板相对间隔地设置在所述第三极板背离所述第二极板的一侧，所述第四极板与所述第三极板之间处第三电容；
13.其中，所述第四极板与所述接地端电极电连接，以使所述第三电容接地。
14.在本技术的部分实施例中，所述接地端电极设置在所述输入端电极以及所述输出端电极之间；所述第一极板上设置有第一凸起部，所述第一凸起部与所述接地端电极连接；和/或所述第四极板上设置有第二凸起部，所述第二凸起部与所述接地端电极连接。
15.在本技术的部分实施例中，所述接地端电极包括第一子端口和第二子端口；其中，所述第一子端口和所述第二子端口分设在所述第一极板的两侧，所述第一凸起部的数量为两个，两个所述第一凸起部中一者与所述第一子端口连接，另一者与所述第二子端口连接；
16.和/或，所述第一子端口和所述第二子端口分设在所述第四极板的两侧，所述第二凸起部的数量为两个，两个所述第二凸起部中一者与所述第一子端口连接，另一者与所述第二子端口连接。
17.在本技术的部分实施例中，所述第一电容与所述第三电容的电容值相同。
18.在本技术的部分实施例中，所述电感件具有在第一平面内弯折设置的弯折段，所述弯折段具有相邻设置的第一子段和第二子段，所述第一子段的电流方向与所述第二子段的电流方向相反；其中，所述第一平面与所述第一极板和/或所述第二极板平行。
19.在本技术的部分实施例中，所述电感件具有设置在所述弯折段两端的引入段和引出段，所述引入端背离所述弯折段的一端与所述输入端电极连接，所述引出端背离所述弯折段的一端与所述输出端电极连接；
20.其中，所述引入段在其电流流向上的宽度大于所述弯折段在所述其电流流向上的宽度；和/或所述引出段在所述其电流流向上的宽度大于所述弯折段在所述其电流流向上的宽度；所述其电流流向为所述电感件内电流的流向。
21.第二方面，本技术还提供一种滤波结构的制备方法，用于制备上述的滤波结构，所述制备方法包括：
22.提供第一介质膜层，在所述第一介质膜层上设置电感件；
23.在所述第一介质膜层上叠设第二介质膜层，并至少部分覆盖所述电感件；
24.在所述第二介质膜层背离所述第一介质膜层的一侧设置第一极板；
25.在所述第二介质膜层上叠设第三介质膜层，并至少部分覆盖所述第一极板；
26.在所述第三介质膜层背离所述第二介质膜层的一侧设置第二极板；其中，所述第一极板和所述第二极板之间形成第一电容，且所述第一电容与所述电感件电性连接。
27.在本技术的部分实施例中，所述在所述第三介质膜层背离所述第二介质膜层的一侧设置第二极板的步骤之后，所述滤波结构的制备方法还包括：
28.在所述第三介质膜层上叠设第四介质膜层，并至少覆盖所述第二极板；
29.在所述第四介质膜层背离所述第三介质膜层的一侧设置第三极板，所述第三极板与所述第二极板之间形成第二电容，所述第二电容耦接在所述电感件的两端；
30.在所述第四介质膜层上叠设第五介质膜层，并至少覆盖所述第三极板；
31.在所述第五介质膜层背离所述第四介质膜层的一侧设置第四极板，且所述第四极板和所述第三极板之间形成第三电容，所述第三电容一端连接所述电感件的输出端，另一端接地。
32.本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：上述的滤波结构及其制备方法中，该滤波结构包括陶瓷基体以及设置在陶瓷基体内的电感件和电容件；陶瓷基体上设置有用于接入信号波的输入端电极以及用于输出信号波的输出端电极，电容件、电感件、输入
端电极以及输出端电极电性连接能够将接入的信号波进行过滤；本技术将电感件设置为片状结构，电感件与电容件的第一极板和第二极板叠置，一方面无需进行打孔以及填孔的步骤，避免了因填孔工艺而影响滤波器性能的问题；另一方面，片状结构的电感件相较于传统的垂直螺旋电感来说，特别是在高频条件下具有更小的寄生电容，有利于提高滤波结构的电学性能。
附图说明
33.图1为本技术一实施例提供的滤波结构的结构示意图；
34.图2为本技术另一实施例提供的滤波结构的结构示意图；
35.图3为本技术一实施例提供的滤波结构的侧视图；
36.图4为本技术一实施例提供的图3的a-a向剖面图；
37.图5为本技术一实施例提供的电感件的结构示意图；
38.图6为本技术一实施例提供的滤波结构的电路结构示意图；
39.图7为本技术一实施例提供的截止频率3200mhz低通滤波器测试结果图；
40.图8为本技术一实施例提供的滤波结构的制备方法的步骤示意图；
41.图9为本技术另一实施例提供的滤波结构的制备方法的步骤示意图。
42.具体元素符号说明：100-陶瓷基体，110-输入端电极，120-输出端电极，130-接地端电极，131-第一子端口，132-第二子端口，200-电感件，210-引入段，220-引出段，230-弯折段，231-第一子段，232-第二子段，300-电容件，310-第一极板，311-第一凸起部，320-第二极板，330-第三极板，340-第四极板，341-第二凸起部。
具体实施方式
43.为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
44.需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
45.需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
46.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
47.需要说明的是，滤波器为微波系统中不可或缺的元件。随着当前微波系统向小型化、轻量化以及高性能方向不断发展，对器件的尺寸及性能提出更高的要求。传统的滤波器包括电容、电感等电抗元件，通常直接将电抗元件直接焊接在电路上，但是这样占用面积较
大，并且在高频时会产生较大的寄生电容或电感，难以满足射频电路的需求。
48.在相关技术中，采用ltcc技术将滤波器的电抗元件集成在一个陶瓷基体内形成独石结构。这样不仅能够缩小滤波器的体积，还能够提高滤波器的集成度和可靠性，从而提高滤波器使用频率。然而，当前的陶瓷基滤波结构中，通常采用垂直螺旋电感以及垂直交指电容；在制备滤波结构过程中，需要先进行打孔，再用填孔工艺在每个孔内填入金属浆料，以形成电感和电容。由于填孔时容易产生漏空，滤波结构内的电感或电容容易形成断线，导致滤波结构不良并影响滤波结构的性能。
49.并且，垂直螺旋电感以及垂直交指电容都会引入寄生参数，降低滤波电容的电学性能。因此，本技术基于此对相关的滤波结构及其制备方法进行了改进。
50.请结合参阅图1和图2，图1示出了本实施例提供的滤波结构的结构示意图，图2示出了本实施例提供的滤波结构的局部爆炸结构示意图。本实施例的滤波结构包括陶瓷基体100以及设置在陶瓷基体100内的电感件200和电容件300。可以理解的是，陶瓷基体100内部设置有容置腔，电感件200和电容件300设置在容置腔内，有利于缩小体积，并能够对电感件200以及电容件300进行保护。也就是说，陶瓷基体100能够包覆在电感件200以及电容件300外部，并形成一整体结构。
51.具体地，陶瓷基体100上设置有输入端电极110以及输出端电极120，输入端电极110用于接入信号波，输出端电极120用于输出信号波。需要解释的是，输入端电极110用于接入待过滤的信号波，输出端电极120用于输出过滤后的信号波。其中，输出端电极120与输入端电极110相对间隔设置。也就是说，输出端电极120以及输入端电极110之间具有间隔，以便设置电感件200和电容件300。
52.电感件200为片状结构，也就是说电感件200能够布置在同一平面内，有利于减小整体结构的厚度。电感件200跨设在输入端电极110和输出端电极120之间，并与输入端电极110以及输出端电极120电连接。也就是说，电感件200一端连接输入端电极110，另一端连接输出端电极120。电感件200本身能够起到一定的低通滤波效果，能够阻挡高频信号波从输入端电极110流向输出端电极120。
53.电容件300设置在陶瓷基体100内，电容件300包括相对间隔设置的第一极板310和第二极板320，第一极板310和第二极板320之间形成第一电容。需要解释的是，第一极板310和第二极板320均为平面结构，采用两个相对平面的结构形成第一电容，使得第一电容的寄生参数更低，提高了第一电容在电路结构中的电学性能。第一极板310和第二极板320叠设在电感件200上，有利于降低电感件200和电容件300在厚度方向上的空间占用，进而使得滤波结构更薄。
54.更为具体地，陶瓷基体100上还设置有接地端电极130，第一极板310以及第二极板320连接在输入端电极110、输出端电极120以及接地端电极130中任意两者之间，以使第一电容与电感件200电性连接。需要解释的是，当第一极板310以及第二极板320分别连接输入端电极110以及输出端电极120时，第一电容作为电感件200的谐振电容，有利于提高滤波效果。当第一极板310以及第二极板320分别连接输入端电极110以及接地端电极130时，第一电容和电感件200形成lc低通滤波结构(l型)。当第一极板310以及第二极板320分别连接输出端电极120以及接地端电极130时，第一电容和电感件200形成lc低通滤波结构(l型)。
55.需要解释的是，在lc低通滤波结构中，电感件200自身电感的特性能够起到低通滤
波效果，第一电容接地能够将高频的信号波导走，低频的信号波不能通过第一电容，也相当于起到低通滤波效果。也就是说，能够形成两层滤波的结构，进一步提高低通滤波效果。
56.当前的陶瓷基滤波结构中，通过打孔填孔制备电感件200以及电容件300，使得滤波结构的性能不稳定，并且具有较大的寄生电容。然而，本技术中将电感件200设置为片状结构，电感件200与电容件300的第一极板310和第二极板320叠置，一方面无需进行打孔以及填孔的步骤，避免了因填孔工艺而影响滤波器性能的问题；另一方面，片状结构的电感件200相较于传统的垂直螺旋电感来说，特别是在高频条件下具有更小的寄生电容，有利于提高滤波结构的电学性能。
57.在本技术的部分实施例中，请继续参阅图3和图4，图3为本实施例提供的滤波结构的侧视图；图3为本实施例提供的图3的a-a剖面视图。本实施例的电容件300还包括第三极板330，第三极板330相对间隔地设置在第二极板320背离第一极板310的一侧，第三极板330与第二极板320之间形成第二电容。也就是说，第三极板330与第二极板320、第一极板310以及电感件200相互叠设。需要解释的是，第二极板320一侧表面作为第一电容的其中一极，另一侧表面作为第二电容的其中一极，有利于减少电容件300的整体厚度，且可减少成型过程中所需网版，有利于简化成型工艺。
58.具体地，请参阅图5，图5示出了本实施例提供的滤波结构的电路图；第一极板310与接地端电极130电连接，第二极板320与输入端电极110电连接，第三极板330与输出端电极120电连接，以使第一电容接地，且第二电容与电感件200形成谐振结构。也就是说，第一电容能够和电感件200形成lc低通滤波结构，第二电容并联在电感件200的两端，与之形成谐振结构。
59.在本技术的部分实施例中，请继续参阅图4，本实施例的电容件300还包括第四极板340，第四极板340相对间隔地设置在第三极板330背离第二极板320的一侧，第四极板340与第三极板330之间处第三电容。也就是说，第四极板340与第三极板330、第二极板320、第一极板310以及电感件200相互叠设。需要解释的是，第三极板330一侧表面作为第二电容的其中一极，另一侧表面作为第三电容的其中一极，有利于减少电容件300的整体厚度，且可减少成型过程中所需网版，有利于简化成型工艺。
60.具体地，请继续参阅图5，第四极板340与接地端电极130电连接，以使第三电容接地。也就是说，第三电容能够和电感件200形成lc低通滤波结构，并且第一电容和电感件200形成lc低通滤波结构，因此，第一电容、第三电容以及电感件200能够形成lc低通滤波结构(π型)。相比较于t型结构，π型结构具有更稳定的滤波性能以及更优异的滤波效果。更为具体地，本实施例的滤波结构为三阶滤波器，具有非常优异的滤波效果。其中，第一电容和电感件200形成第一级滤波结构，第二电容和电感件200形成第二级滤波结构，第三电容和电感件200形成第三级滤波结构。
61.在本技术的部分实施例中，请继续参阅图2和图4，本实施例中的接地端电极130设置在输入端电极110以及输出端电极120之间，以便接地端电极130与输入端电极110以及输出端电极120之间的极板形成电连接结构，并且有利于提高空间利用率。
62.在一些实施例中，第一极板310上设置有第一凸起部311，第一凸起部311与接地端电极130连接。具体地，第一凸起部311沿着第一极板310的延展方向凸起；也就是说，第一凸起部311与第一极板310同设在同一平面内。在一些实施例中，第四极板340上设置有第二凸
起部341，第二凸起部341与接地端电极130连接。具体地，第二凸起部341沿着第四极板340的延展方向凸起；也就是说，第二凸起部341与第四极板340同设在同一平面内。更为具体地，第一凸起部311和/或第二凸起部341通过焊接的方式与电极形成连接结构。
63.在本技术的部分实施例中，请继续参阅图1，本实施例的接地端电极130包括第一子端口131和第二子端口132。可以理解的是，第一子端口131和第二子端口132均接地。具体地，第一子端口131和第二子端口132分设在第一极板310的两侧且布置在陶瓷基体100的外表面，第一凸起部311的数量为两个，两个第一凸起部311中一者与第一子端口131连接，另一者与第二子端口132连接。也就是说，第一极板310能够同时通过第一子端口131以及第二子端口132接地，提高了第一极板310的接地稳定性。同时，第一子端口131和第二子端口132设置在第一极板310的两侧，并与两侧的第一凸起部311连接，有利于提高第一极板310和接地端口之间的结构稳定性，进而有利于提高滤波结构的结构稳定性。
64.在更具体的实施例中，第一子端口131和第二子端口132分设在第四极板340的两侧，第二凸起部341的数量为两个，两个第二凸起部341中一者与第一子端口131连接，另一者与第二子端口132连接。也就是说，第四极板340能够同时通过第一子端口131以及第二子端口132接地，提高了第四极板340的接地稳定性。同时，第一子端口131和第二子端口132设置在第四极板340的两侧，并与两侧的第一凸起部311连接，有利于提高第四极板340和接地端口之间的结构稳定性，进而有利于提高滤波结构的结构稳定性。
65.在一些实施例中，输出端电极120以及输入端电极110分设在陶瓷基体100的两端，接地端电极130设置在陶瓷基体100的外表面的中部位置。具体地，陶瓷基体100两端设置有开口，输出端电极120和输入端电极110至少部分延伸至开口处，以便于陶瓷基体100内部的第二极板320和第三极板330电连接。
66.在一些实施例中，输出端电极120包括三层结构，最内层为银浆材料制成，中间层为镍材料制成，最外层由锡材料制成。具体地，最内层的银浆含量为60％
±
20％，银浆烧结温度≤800℃。
67.在一些实施例中，陶瓷基体100是由低温共烧陶瓷粉料制成，烧结温度≤900℃，陶瓷粉料的介电常数为6.3～7.8，介质损耗因子为tanα≤0.002。
68.在本技术的部分实施例中，第一电容与第三电容的电容值相同。第一电容和第二电容的电容值相等是根据干扰信号频率还有功率因数，就是电压与电流相位，所以要使功率因数接近1，阻抗要匹配则容抗和电抗要相等。
69.在本技术的部分实施例中，请参阅图6，图6示出了本实施例提供的电感件200的结构示意图；本实施例的电感件200具有在第一平面内弯折设置的弯折段230，弯折段230具有相邻设置的第一子段231和第二子段232，第一子段231的电流方向与第二子段232的电流方向相反；通过第一子段231和第二子段232能够形成电感结构。具体地，第一平面与第一极板310和/或第二极板320平行。也就是说，电感件200为平面螺旋结构，能够减小电感的寄生电容。
70.在本技术的部分实施例中，请继续参阅图6，本实施例的电感件200具有设置在弯折段230两端的引入段210和引出段220，引入段210背离弯折段230的一端与输入端电极110连接，引出段220背离弯折段230的一端与输出端电极120连接。也就是说，电感件200通过引入段210与输入端电极110连接，通过引出段220与输出端电极120连接。
71.具体地，引入段210在其电流流向上的宽度大于弯折段230在其电流流向上的宽度；和/或引出段220在其电流流向上的宽度大于弯折段230在其电流流向上的宽度；其电流流向为电感件200内电流的流向。设置较宽的引出段220，有利于提高其与输出端电极120的连接可靠性。设置较宽的引入段210，有利于提高其与输入端电极110的连接可靠性。
72.在一些实施例中，引入段210和引出段220的宽度为0.25-0.5mm。
73.需要说明的是，本技术的滤波结构可用作频率在3000mhz以上的滤波器。具体可用在谐波抑制器、微波发射器/接收器、dc-dc模块中的数模转化器、微波通信、雷达导航、卫星通信、汽车电子、电子对抗等领域中。
74.请参阅图7，图7示出了本实施例提供的截止频率3200mhz低通滤波器测试结果图。本实施例的滤波结构制成低通滤波器的插入损耗小，该低通滤波器的截止频率为3196mhz，通带内插入损耗@dc mhz～2300mhz≤1.0db；阻带抑制@4400mhz≥20db；@4800～5400mhz≥30db；@10000mhz≥20db。
75.进一步地，为了更好地实施上述的滤波结构，在滤波结构的基础上，本实施例还提供一种滤波结构的制备方法，用于制备上述任意实施例中的滤波结构。该制备方法包括：
76.s100：提供第一介质膜层，在第一介质膜层上设置电感件200。具体地，第一介质膜层为空白介质膜片。可通过印刷工艺在第一介质膜层上印刷电感件200。在s100之前还可在第一介质膜层上印刷标识电极，标识电极和电感件200分设在第一介质膜层的两侧。
77.s200：在第一介质膜层上叠设第二介质膜层，并至少部分覆盖电感件200。具体地，第二介质膜层为空白介质膜片。在一些实施例中，第二介质膜片完全覆盖电感件200。
78.s300：在第二介质膜层背离第一介质膜层的一侧设置第一极板310。具体地，可通过印刷工艺在第二介质膜层上印刷第一极板310。
79.s400：在第二介质膜层上叠设第三介质膜层，并至少部分覆盖第一极板310。具体地，第三介质膜层为空白介质膜片。在一些实施例中，第三介质膜片完全覆盖第一极板310。
80.s500：在第三介质膜层背离第二介质膜层的一侧设置第二极板320；其中，第一极板310和第二极板320之间形成第一电容，且第一电容与电感件200电性连接。具体地，可通过印刷工艺在第三介质膜层上印刷第二极板320。
81.在本技术的部分实施例中，在步骤s500之后，滤波结构的制备方法还包括：
82.s600：在第三介质膜层上叠设第四介质膜层，并至少覆盖第二极板320。具体地，第四介质膜层为空白介质膜片。在一些实施例中，第四介质膜片完全覆盖第二极板320。
83.s700：在第四介质膜层背离第三介质膜层的一侧设置第三极板330，第三极板330与第二极板320之间形成第二电容，第二电容耦接在电感件200的两端。具体地，可通过印刷工艺在第四介质膜层上印刷第三极板330。
84.s800：在第四介质膜层上叠设第五介质膜层，并至少覆盖第三极板330。具体地，第五介质膜层为空白介质膜片。在一些实施例中，第五介质膜片完全覆盖第三极板330。
85.s900：在第五介质膜层背离第四介质膜层的一侧设置第四极板340，且第四极板340和第三极板330之间形成第三电容，第三电容一端连接电感件200的输出端，另一端接地。具体地，可通过印刷工艺在第五介质膜层上印刷第四极板340。
86.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
87.以上所述实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：
1.一种滤波结构，其特征在于，包括：陶瓷基体，所述陶瓷基体上设置有输入端电极以及输出端电极，所述输入端电极用于接入信号波，所述输出端电极用于输出信号波；其中，所述输出端电极与所述输入端电极相对间隔设置；电感件，所述电感件为片状结构，所述电感件设置在所述陶瓷基体内，且所述电感件跨设在所述输入端电极和所述输出端电极之间，并与所述输入端电极以及所述输出端电极电连接；电容件，所述电容件设置在所述陶瓷基体内，所述电容件包括相对间隔设置的第一极板和第二极板，所述第一极板和所述第二极板之间形成第一电容，所述第一极板和第二极板叠设在所述电感件上；其中，所述陶瓷基体上还设置有接地端电极，所述第一极板以及所述第二极板连接在所述输入端电极、所述输出端电极以及所述接地端电极中任意两者之间，以使所述第一电容与所述电感件电性连接。2.根据权利要求1所述的滤波结构，其特征在于，所述电容件还包括第三极板，所述第三极板相对间隔地设置在所述第二极板背离所述第一极板的一侧，所述第三极板与所述第二极板之间形成第二电容；其中，所述第一极板与所述接地端电极电连接，所述第二极板与所述输入端电极电连接，所述第三极板与所述输出端电极电连接，以使所述第一电容接地，且所述第二电容与所述电感件形成谐振结构。3.根据权利要求2所述的滤波结构，其特征在于，所述电容件还包括第四极板，所述第四极板相对间隔地设置在所述第三极板背离所述第二极板的一侧，所述第四极板与所述第三极板之间处第三电容；其中，所述第四极板与所述接地端电极电连接，以使所述第三电容接地。4.根据权利要求3所述的滤波结构，其特征在于，所述接地端电极设置在所述输入端电极以及所述输出端电极之间；其中，所述第一极板上设置有第一凸起部，所述第一凸起部与所述接地端电极连接；和/或所述第四极板上设置有第二凸起部，所述第二凸起部与所述接地端电极连接。5.根据权利要求4所述的滤波结构，其特征在于，所述接地端电极包括第一子端口和第二子端口；其中，所述第一子端口和所述第二子端口分设在所述第一极板的两侧，所述第一凸起部的数量为两个，两个所述第一凸起部中一者与所述第一子端口连接，另一者与所述第二子端口连接；和/或，所述第一子端口和所述第二子端口分设在所述第四极板的两侧，所述第二凸起部的数量为两个，两个所述第二凸起部中一者与所述第一子端口连接，另一者与所述第二子端口连接。6.根据权利要求3所述的滤波结构，其特征在于，所述第一电容与所述第三电容的电容值相同。7.根据权利要求1所述的滤波结构，其特征在于，所述电感件具有在第一平面内弯折设置的弯折段，所述弯折段具有相邻设置的第一子段和第二子段，所述第一子段的电流方向与所述第二子段的电流方向相反；其中，所述第一平面与所述第一极板和/或所述第二极板
平行。8.根据权利要求7所述的滤波结构，其特征在于，所述电感件具有设置在所述弯折段两端的引入段和引出段，所述引入段背离所述弯折段的一端与所述输入端电极连接，所述引出段背离所述弯折段的一端与所述输出端电极连接；其中，所述引入段在其电流流向上的宽度大于所述弯折段在所述其电流流向上的宽度；和/或所述引出段在所述其电流流向上的宽度大于所述弯折段在所述其电流流向上的宽度。9.一种滤波结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至8任意一项所述的滤波结构，所述制备方法包括：提供第一介质膜层，在所述第一介质膜层上设置电感件；在所述第一介质膜层上叠设第二介质膜层，并至少部分覆盖所述电感件；在所述第二介质膜层背离所述第一介质膜层的一侧设置第一极板；在所述第二介质膜层上叠设第三介质膜层，并至少部分覆盖所述第一极板；在所述第三介质膜层背离所述第二介质膜层的一侧设置第二极板；其中，所述第一极板和所述第二极板之间形成第一电容，且所述第一电容与所述电感件电性连接。10.根据权利要求9所述的滤波结构的制备方法，其特征在于，所述在所述第三介质膜层背离所述第二介质膜层的一侧设置第二极板的步骤之后，所述滤波结构的制备方法还包括：在所述第三介质膜层上叠设第四介质膜层，并至少覆盖所述第二极板；在所述第四介质膜层背离所述第三介质膜层的一侧设置第三极板，所述第三极板与所述第二极板之间形成第二电容，所述第二电容耦接在所述电感件的两端；在所述第四介质膜层上叠设第五介质膜层，并至少覆盖所述第三极板；在所述第五介质膜层背离所述第四介质膜层的一侧设置第四极板，且所述第四极板和所述第三极板之间形成第三电容，所述第三电容一端连接所述电感件的输出端，另一端接地。

技术总结
本申请提供一种滤波结构及其制备方法，该滤波结构包括陶瓷基体以及设置在陶瓷基体内的电感件和电容件；陶瓷基体上设置有用于接入信号波的输入端电极以及用于输出信号波的输出端电极，电容件、电感件、输入端电极以及输出端电极电性连接能够将接入的信号波进行过滤；本申请将电感件设置为片状结构，电感件与电容件的第一极板和第二极板叠置，一方面无需进行打孔以及填孔的步骤，避免了因填孔工艺而影响滤波器性能的问题；另一方面，片状结构的电感件相较于传统的垂直螺旋电感来说，特别是在高频条件下具有更小的寄生电容，有利于提高滤波结构的电学性能。结构的电学性能。结构的电学性能。


技术研发人员：宁焕 朱思新 肖倩 刘季超 林亚梅 张志伟 陈樱琳
受保护的技术使用者：深圳振华富电子有限公司
技术研发日：2023.06.30
技术公布日：2023/9/20