纳米金属杂化粒子膏、其制备方法、其应用及电子封装的方法与流程

1.本技术涉及电子封装互连材料技术领域，且特别涉及一种纳米金属杂化粒子膏、其制备方法、其应用及电子封装的方法。


背景技术：

2.焊锡膏/导电胶等传统电子封装互连材料已无法满足大功率器件的使用要求，纳米金属材料已成为目前电子封装互连材料的研究热点。纳米金属银、铜因具有低温烧结后接近于块状金属的熔点、电导率、热导率以及良好的高温服役性等特性，成为了新一代的电子封装互连材料。
3.金属银导电、导热性能优越，抗氧化性强，且易制备纳米级尺度，是纳米低温烧结焊膏中最为常见的烧结填料。然而，银高昂的成本以及高的电化学迁移率限制了它在封装互连中的应用。铜的导电、导热性能在很多连接场合中可满足需求，并且采用纳米铜代替纳米银能显著降低成本。
4.所以，现有制备一种纳米铜银杂化粒子膏，其制备工艺为：1)将agno3和cucl2分散在去离子水溶剂中，然后加入还原剂进行还原，得到纳米铜银粒子溶液；2)将该纳米铜银粒子溶液进行离心、清洗和干燥，得到纳米铜银粒子粉末；3)将该纳米铜银粒子粉末分散在溶剂以及添加剂中，形成纳米铜银杂化粒子膏。但是，该方法制备得到的纳米铜银杂化粒子膏作为电子封装互连材料进行使用以后，最终得到的互连接头的连接强度不高。


技术实现要素：

5.发明人研究发现，现有方法制备的纳米铜银杂化粒子膏作为电子封装互连材料，得到的互连接头的连接强度不高的原因在于：纳米铜银杂化粒子膏中的纳米银粒子和纳米铜粒子容易团聚，导致最终的连接效果不好。
6.发明人继续研发发现，由于现有方法在制备纳米铜银杂化粒子膏时，通常需要先将纳米铜银杂化粒子干燥完全以后，再分散在溶剂和其他添加剂中，进行纳米铜银杂化粒子膏的制备。而在干燥纳米铜银杂化粒子的过程中，很容易使纳米银粒子和纳米铜粒子团聚，即使后续再次进行分散，也不能够达到很好的分散效果，纳米银粒子和纳米铜粒子依然有部分团聚，导致互连接头的连接强度不高。
7.针对现有技术的不足，本技术实施例的目的包括提供一种纳米金属杂化粒子膏、其制备方法、其应用及电子封装的方法，以提高互连接头的连接强度。
8.第一方面，本技术实施例提供了一种纳米金属杂化粒子膏的制备方法，包括：
9.将含有第一金属离子的第一金属源、含有第二金属离子的第二金属源、还原剂和溶剂混合并反应，使得第一金属离子被还原成第一金属，第二金属离子被还原成第二金属，得到纳米金属杂化粒子溶液；其中，25℃下，溶剂的粘度在5-20mpa
·
s范围内；
10.去除纳米金属杂化粒子溶液中的部分溶剂，直接得到固含量为 80％-99％的纳米金属杂化粒子膏。
11.发明人研究发现，现有技术中，之所以在干燥的过程中，会使纳米银粒子和纳米铜粒子发生团聚，将纳米银粒子和纳米铜粒子分散在溶剂中形成粒子膏以后，进行电子器件的封装，由于粒子发生了团聚，会导致粒子在溶剂中分散不均匀，最终使封装形成互连接头的连接强度不高。所以，本技术中，在进行离子还原的时候，使用的溶剂的粘度在5-20mpa
·
s范围内，该溶剂可以作为粒子膏的溶剂，在后续固液分离的过程中，分离出部分溶剂，保留1％-20％的溶剂，可以直接形成粒子膏。一方面，不需要干燥完全，可以减少能量的消耗；第二方面，不需要干燥以后重新与溶剂混合，进行粒子膏的制备，减少了工艺步骤，制备更加简单；第三方面，由于分离的过程中，纳米粒子没有完全干燥，可以减少纳米粒子在干燥中出现的团聚现象，可以使封装形成互连接头的连接强度更高。
12.在本技术的部分实施例中，还原剂由c、h、o中的一种或者几种元素构成；或/和，还原剂选自葡萄糖、过氧化氢和抗坏血酸中的一种或多种组合。
13.该还原剂不会给粒子膏中带来杂质元素，c、h、o等元素可以在后续使用粒子膏的过程中通过烧结的方式转化成气体去除，可以使粒子膏的封装效果更好。
14.在本技术的部分实施例中，溶剂选自甲苯、乙醇、乙二醇、丙三醇、松油醇、丙酮、二缩三乙二醇、水、正丁醇、异丁醇和异丙醇中的至少两种及两种以上的组合；
15.或/和，25℃下，溶剂的粘度在5-10mpa
·
s范围内；
16.或/和，溶剂为第一溶剂和第二溶剂的混合物；第一溶剂为乙二醇，第二溶剂由甲苯、松油醇、丙酮、水、正丁醇、异丁醇和异丙醇中的一种或多种构成；
17.或/和，溶剂为重量比为1:(0.5-1.5)的乙二醇和正丁醇；
18.或/和，溶剂为重量比为2:(0.5-1.5)的乙二醇和水；
19.或/和，溶剂为重量比为1:(0.5-1.5)的乙二醇和松油醇；
20.或/和，溶剂为重量比依次为1:(0.5-1.5):(0.5-1.5)的乙二醇、正丁醇和异丙醇。
21.选择上述溶剂，一方面，可以作为离子还原的溶剂，离子的还原效果更好；另一方面，也可以作为粒子膏的溶剂，避免粒子膏中引入新的杂质元素，使粒子膏的封装效果更好。
22.在本技术的部分实施例中，第一金属为铜，第二金属为银；
23.或/和，铜离子和银离子的摩尔比为1:(3-10)；
24.或/和，铜源中，除铜以外的其他元素由c、h、o中的一种或者几种元素构成；
25.或/和，铜源选自醋酸铜、乙酰丙酮铜和甲酸铜中的一种或多种组合；
26.或/和，银源中，除银以外的其他元素由c、h、o中的一种或者几种元素构成；
27.或/和，银源选自草酸银、醋酸银和氧化银中的一种或多种组合。
28.选择上述铜源和银源，避免粒子膏中引入新的杂质，c、h、o等元素可以在后续使用粒子膏的过程中通过烧结的方式转化成气体去除，以便粒子膏的封装效果更好。
29.在本技术的部分实施例中，铜离子和银离子的摩尔和与还原剂的摩尔比为1:(1-5)。
30.可以使铜离子和银离子的还原更加充分，得到更多的银粒子和铜粒子。
31.在本技术的部分实施例中，将铜源和银源溶解在溶剂中，然后添加还原剂，在温度为25-150℃的条件下搅拌1-2h，得到纳米铜银粒子溶液。
32.以便铜离子和银离子的还原。
33.第二方面，本技术提供一种纳米金属杂化粒子膏，由上述制备方法制备得到。
34.该制备方法制备得到的纳米金属杂化粒子膏中，纳米金属粒子不易发生团聚，可以使最终的封装效果更好。
35.第三方面，本技术提供一种上述纳米金属杂化粒子膏在电子封装中的应用。
36.第四方面，本技术提供一种电子封装的方法，包括：将上述纳米金属杂化粒子膏涂布于基板上得到纳米金属杂化粒子膏层，然后将芯片置于纳米金属杂化粒子膏层上，进行热压烧结，使纳米金属杂化粒子膏层固化。
37.使用上述纳米金属粒子分散更加均匀的粒子膏作为封装材料，可以使最终的互连接头的连接强度更高。
38.在本技术的部分实施例中，热压烧结中，烧结压力为0-20mpa，烧结温度为150-250℃，烧结时间为5-15min。
39.上述条件下进行烧结，有利于粒子膏的固化，可以使互连接头的连接强度更高。
附图说明
40.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
41.图1为本技术实施例提供的纳米金属杂化粒子膏的制备方法的工艺流程图；
42.图2为本技术实施例1提供的纳米铜银杂化粒子粉末在不同温度下热处理后的xrd谱图；
43.图3为本技术实施例1提供的纳米铜银杂化粒子溶液的sem图；
44.图4为本技术实施例1提供的纳米铜银杂化粒子溶液的eds图；
45.图5为本技术对比例3提供的纳米铜银杂化粒子粉末的sem图。
具体实施方式
46.目前，电子封装互连材料通常选择纳米铜银杂化粒子膏，使用该粒子膏作为封装互连材料以后，得到的互连接头的连接强度并不高。发明人研究发现，其原因主要在于：纳米铜银粒子在粒子膏中的分散不均匀，出现了较多的团聚，导致最终的互连效果不好。
47.发明人对现有的铜银杂化粒子膏的制备方法进行研究，发现现有制备方法通常是：先在去离子水中，将铜离子和银离子还原形成纳米铜银杂化粒子溶液；然后进行过滤、洗涤和干燥，得到纳米铜银杂化粒子；然后将该粒子溶于溶剂和添加剂中得到纳米铜银杂化粒子膏。由于干燥以后，纳米铜银杂化粒子为粉状，其中实际上会有部分纳米银粒子和纳米铜粒子团聚，即使后续再次进行分散，也不能够达到很好的分散效果，纳米银粒子和纳米铜粒子依然有部分团聚，导致互连接头的连接强度不高。
48.因此，发明人提供一种新的方法来制备粒子膏，可以在一定程度上避免金属粒子的团聚，以便可以使互连接头的连接强度更高。为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述。
49.图1为本技术实施例提供的纳米金属杂化粒子膏的制备方法的工艺流程图。请参
阅图1，该制备方法包括：
50.s110，将含有第一金属离子的第一金属源、含有第二金属离子的第二金属源、还原剂和溶剂混合并反应，使得第一金属离子被还原成第一金属，第二金属离子被还原成第二金属，得到纳米金属杂化粒子溶液；其中，25℃下，溶剂的粘度在5-20mpa
·
s范围内。
51.其中，上述纳米金属杂化粒子溶液中的纳米金属杂化粒子有纳米第一金属粒子、纳米第二金属粒子以及纳米第一金属第二金属的合金粒子。上述的纳米金属杂化粒子溶液中含有两种金属元素，还可以根据需求添加其他种类的金属元素，形成含有三种金属元素的粒子溶液，或四种金属元素的粒子溶液，本技术不做限定。
52.第一金属和第二金属分别可以为银、铜、金、铂、锌、铝中的任意两种金属。为了兼顾生产成本和互连接头的连接强度，可选地，第一金属和第二金属分别为铜和银。第一金属为铜，第二金属为银，得到的纳米金属杂化粒子溶液中的纳米金属杂化粒子有纳米铜银合金粒子、纳米银粒子和纳米铜粒子。
53.可选地，铜离子和银离子的摩尔比为1:(3-10)。得到的纳米铜银杂化粒子膏的铜元素和银元素的摩尔比为1:(3-10)。作为示例性地，铜离子和银离子的摩尔比为1:3、1:4、1:5、1:6、1:7、1:8、1:9或1:10。
54.本技术可能的实施方式中，铜源中，除铜以外的其他元素由c、h、o 中的一种或者几种元素构成；例如：铜源选自醋酸铜、乙酰丙酮铜和甲酸铜中的一种或多种组合。
55.本技术可能的实施方式中，银源中，除银以外的其他元素由c、h、o 中的一种或者几种元素构成；例如：银源选自草酸银、醋酸银和氧化银中的一种或多种组合。
56.由于本技术在去除溶剂得到粒子膏的过程中，溶剂是部分去除，且可以不对纳米粒子进行清洗。所以，铜源和银源中的其他元素为c、h、o中的一种或者几种元素构成，可以不引入新的杂质元素，c、h、o等元素可以在后续使用粒子膏的过程中通过烧结的方式转化成气体去除，以便粒子膏的封装效果更好。
57.本技术可能的实施方式中，铜离子和银离子的摩尔和与还原剂的摩尔比为1:(1-5)。可以使铜离子和银离子的还原更加充分，得到更多的纳米银粒子和纳米铜粒子。作为示例性地，铜离子和银离子的摩尔和与还原剂的摩尔比为1:1、1:2、1:3、1:4或1:5。
58.本技术可能的实施方式中，还原剂由c、h、o中的一种或者几种元素构成；例如：还原剂选自葡萄糖、过氧化氢和抗坏血酸中的一种或多种组合。
59.由于本技术在去除溶剂得到粒子膏的过程中，溶剂是部分去除，且可以不对纳米粒子进行清洗。所以，还原剂由c、h、o中的一种或者几种元素构成，可以不引入新的杂质元素，c、h、o等元素可以在后续使用粒子膏的过程中通过烧结的方式转化成气体去除，以便粒子膏的封装效果更好。
60.可选地，金属离子还原时的溶剂的粘度在5-20mpa
·
s范围内，一方面，可以作为离子还原的溶剂；另一方面，也可以作为粒子膏的溶剂。作为示例性地，25℃下，溶剂的粘度为5mpa
·
s、8mpa
·
s、10mpa
·
s、12mpa
·
s、15mpa
·
s、18mpa
·
s或20mpa
·
s。进一步地，25℃下，溶剂的粘度在5-10mpa
·
s 范围内。
61.本技术可能的实施方式中，溶剂选自甲苯、乙醇、乙二醇、丙三醇、松油醇、丙酮、二缩三乙二醇、水、正丁醇、异丁醇和异丙醇中的至少两种及两种以上的组合。混合溶剂的使用，一方面，可以方便溶剂的粘度的调配，以便得到更加适宜的溶剂；另一方面，混合溶剂通
常可以对多种物质进行很好的溶剂，可以使粒子膏中的各物质的分散效果更好，以便得到封装效果更好的粒子膏。
62.本技术可能的实施方式中，溶剂为第一溶剂和第二溶剂的混合物；第一溶剂为乙二醇，第二溶剂由甲苯、松油醇、丙酮、水、正丁醇、异丁醇和异丙醇中的一种或多种构成。上述溶剂成本较低，且适宜作为粒子膏的溶剂。
63.可选地，溶剂为重量比为1:(0.5-1.5)的乙二醇和正丁醇；例如：混合溶剂中，乙二醇和正丁醇的质量比为1:0.5、1:0.8、1:1、1:1.2或1:1.5。
64.可选地，溶剂为重量比为2:(0.5-1.5)的乙二醇和水；例如：混合溶剂中，乙二醇和水的质量比为2:0.5、2:0.8、2:1、2:1.2或2:1.5。
65.可选地，溶剂为重量比为1:(0.5-1.5)的乙二醇和松油醇；例如：混合溶剂中，乙二醇和松油醇的质量比为1:0.5、1:0.8、1:1、1:1.2或1:1.5。
66.可选地，溶剂为重量比依次为1:(0.5-1.5):(0.5-1.5)的乙二醇、正丁醇和异丙醇。例如：混合溶剂中，乙二醇、正丁醇和异丙醇的质量比依次为 1:0.5:0.5、1:1:0.5、1:1.5:0.5、1:0.5:1、1:1:1、1:1.5:1、1:0.5:1.5、1:1:1.5或 1:1.5:1.5。
67.本技术可能的实施方式中，将铜源和银源溶解在溶剂中，然后添加还原剂，在温度为25-150℃的条件下搅拌1-2h，得到纳米铜银粒子溶液；其中，铜离子和银离子的摩尔比为1:(3-10)，铜离子和银离子的摩尔和与还原剂的摩尔比为1:(1-5)。该条件下可以使铜离子和银离子还原更加充分，粒子膏的封装效果更好。
68.作为示例性地，金属离子还原时，还原温度为25℃、50℃、75℃、100℃、 125℃或150℃；还原时间为1h、1.2h、1.4h、1.6h、1.8h或2h。
69.s120，去除纳米金属杂化粒子溶液中的部分溶剂，直接得到固含量为 80％-99％的纳米金属杂化粒子膏。
70.本技术中，不需要对纳米金属杂化粒子溶液完全干燥，可以减少能量的消耗；同时，不需要干燥以后重新与溶剂混合，进行粒子膏的制备，减少了工艺步骤，制备更加简单；并且，由于分离的过程中，纳米粒子没有完全干燥，可以减少纳米粒子在干燥中出现的团聚现象，可以使封装形成互连接头的连接强度更高。
71.可选地，去除纳米金属杂化粒子溶液中的部分溶剂的方法可以是：离心、过滤、自然沉淀、真空干燥等。只要确定干燥的过程中，保留1％-20％的溶剂即可。
72.作为示例性地，在去除纳米金属杂化粒子溶液中的部分溶剂以后，纳米金属杂化粒子膏的固含量为80％、84％、88％、92％、96％或99％。
73.上述方法制备得到的纳米金属杂化粒子膏中，纳米金属粒子不易发生团聚，可以应用在电子封装中，使最终的封装效果更好。
74.其封装方法可以包括：将上述纳米金属杂化粒子膏涂布于基板上得到纳米金属杂化粒子膏层，然后将芯片置于纳米金属杂化粒子膏层上，进行热压烧结，使纳米金属杂化粒子膏层固化。
75.可选地，热压烧结中，烧结压力为0-20mpa，烧结温度为150-250℃，烧结时间为5-15min。作为示例性地，烧结压力为0mpa(常压)、5mpa、 10mpa、15mpa或20mpa；烧结温度为150℃、180℃、200℃、220℃或 250℃；烧结时间为5min、8min、10min、12min或15min。
76.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本技术实施例中
的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
77.实施例
78.一种纳米铜银杂化粒子膏的制备方法，包括如下步骤：
79.(1)、制备纳米铜银杂化粒子溶液：将含有铜离子的铜源、含有银离子的银源加入到500ml混合溶剂中，以300r/min的速度磁力搅拌10min，使其完全溶解。然后在上述溶液中加入还原剂，在50℃条件下，以300r/min 的速度磁力搅拌1h，制备得到纳米铜银杂化粒子溶液。
80.(2)、制备纳米铜银杂化粒子膏：通过浓缩去除纳米铜银杂化粒子溶液中的部分溶剂，得到纳米铜银杂化粒子膏。
81.其中，纳米铜银杂化粒子膏的制备条件如表1：
82.表1纳米铜银杂化粒子膏的制备条件
[0083][0084][0085]
其中，混合溶剂的粘度的测试方法为：使用旋转粘度计测试混合溶剂的粘度。
[0086]
纳米铜银杂化粒子膏的固含量的测试方法为：纳米铜银杂化粒子膏的含量为m0，将纳米铜银杂化粒子膏烘干以后，剩余的物质的含量为m1，固含量为＝m1/m0。
[0087]
对比例3
[0088]
一种纳米铜银杂化粒子膏的制备方法，包括如下步骤：
[0089]
(1)、配置混合溶剂：将质量比为1:1的乙二醇和去离子水混合均匀，得到混合溶剂。
[0090]
(2)、制备纳米铜银杂化粒子溶液：将0.001mol的醋酸铜、0.004mol 的硝酸银加入
到500ml步骤(1)配置的混合溶剂中，以300r/min的速度磁力搅拌10min，使其完全溶解。然后在上述溶液中加入0.025mol的葡萄糖，在50℃条件下，以300r/min的速度磁力搅拌1h，制备得到纳米铜银杂化粒子溶液。
[0091]
(3)、制备纳米铜银杂化粒子粉末：通过浓缩的方式将步骤(2)得到的纳米铜银杂化粒子溶液干燥完全，得到纳米铜银杂化粒子粉末。
[0092]
(4)、制备纳米铜银杂化粒子膏：将步骤(3)得到的纳米铜银杂化粒子粉末与步骤(1)得到的混合溶剂混合均匀，得到固含量为80％的纳米铜银杂化粒子膏。
[0093]
实验例
[0094]
xrd分析：
[0095]
将实施例1制备得到的纳米铜银杂化粒子溶液离心、清洗、干燥后，制备得到纳米铜银杂化粒子粉末，该粉末分别经不同温度下进行热处理后进行xrd测试，测试结果如图2，经过热处理后的纳米铜银杂化粒子均未检测到氧化铜/氧化亚铜的存在，由此可见，相比于纯铜颗粒，纳米铜银杂化粒子本身具有很好的抗氧化性，使得由其制备的纳米铜银杂化粒子膏可在空气环境中进行烧结，可节约功率模块芯片互连工段的生产成本。
[0096]
sem及eds分析：
[0097]
将实施例1提供的纳米铜银杂化粒子溶液滴在硅片上进行sem测试和 eds测试，sem测试结果如图3，可以看到纳米铜银杂化粒子溶液中的纳米铜银杂化粒子的尺寸约为20nm左右；eds测试结果如图4，可以看到纳米铜银杂化粒子溶液中的ag元素与cu元素分布位置基本一致。
[0098]
将对比例3提供的纳米铜银杂化粒子粉末放置在硅片上进行sem测试，sem测试结果如图5，可以看到纳米铜银杂化粒子出现严重团聚现象。
[0099]
性能分析：
[0100]
分别将实施例1-实施例5以及对比例1-对比例3制备得到的纳米铜银杂化粒子膏涂布在基板上得到纳米金属杂化粒子膏层，然后将芯片置于纳米金属杂化粒子膏层上。然后在烧结压力为15mpa，烧结温度为250℃的条件下烧结10min得到互连接头。然后检测互连接头的剪切强度得到结果如表2。
[0101]
其中，检测互连接头的剪切强度的方法为：使用推拉力测试仪测试芯片的剪切强度。
[0102]
表2互连接头的剪切强度
[0103]
[0104][0105]
结合表1和表2，实施例1和对比例3对比可以看出，实施例1中，直接在干燥的过程中，保留一部分的溶剂进行粒子膏的制备，使用该粒子膏进行电子封装，可以使最终得到的互连接头的剪切强度更大，连接更加牢固，封装效果更好。对比例3中，将粒子溶液干燥完全以后，再进行粒子膏的制备，最终得到的互连接头的剪切强度较低，发明人推测，其可能是由于在粒子溶液干燥完全的过程中，杂化粒子产生了团聚，在制备粒子膏的过程中不能够均匀分散在溶剂中，导致最终的连接强度较低。
[0106]
实施例1与对比例1和对比例2对比可以看出，混合溶剂的粘度过大或过小，均会影响纳米铜银杂化粒子膏的效果，使最终得到的互连接头的剪切强度较低。
[0107]
以上所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。

技术特征：
1.一种纳米金属杂化粒子膏的制备方法，其特征在于，包括：将含有第一金属离子的第一金属源、含有第二金属离子的第二金属源、还原剂和溶剂混合并反应，使得所述第一金属离子被还原成第一金属，所述第二金属离子被还原成第二金属，得到纳米金属杂化粒子溶液；其中，25℃下，所述溶剂的粘度在5-20mpa
·
s范围内；去除所述纳米金属杂化粒子溶液中的部分溶剂，直接得到固含量为80％-99％的纳米金属杂化粒子膏。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述还原剂由c、h、o中的一种或者几种元素构成；或/和，所述还原剂选自葡萄糖、过氧化氢和抗坏血酸中的一种或多种组合。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自甲苯、乙醇、乙二醇、丙三醇、松油醇、丙酮、二缩三乙二醇、水、正丁醇、异丁醇和异丙醇中的至少两种及两种以上的组合；或/和，25℃下，所述溶剂的粘度在5-10mpa
·
s范围内；或/和，所述溶剂为第一溶剂和第二溶剂的混合物；所述第一溶剂为乙二醇，所述第二溶剂由甲苯、松油醇、丙酮、水、正丁醇、异丁醇和异丙醇中的一种或多种构成；或/和，所述溶剂为重量比为1:(0.5-1.5)的乙二醇和正丁醇；或/和，所述溶剂为重量比为2:(0.5-1.5)的乙二醇和水；或/和，所述溶剂为重量比为1:(0.5-1.5)的乙二醇和松油醇；或/和，所述溶剂为重量比依次为1:(0.5-1.5):(0.5-1.5)的乙二醇、正丁醇和异丙醇。4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属为铜，所述第二金属为银；或/和，铜离子和银离子的摩尔比为1:(3-10)；或/和，铜源中，除铜以外的其他元素由c、h、o中的一种或者几种元素构成；或/和，所述铜源选自醋酸铜、乙酰丙酮铜和甲酸铜中的一种或多种组合；或/和，银源中，除银以外的其他元素由c、h、o中的一种或者几种元素构成；或/和，所述银源选自草酸银、醋酸银和氧化银中的一种或多种组合。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述铜离子和所述银离子的摩尔和与所述还原剂的摩尔比为1:(1-5)。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，将所述铜源和所述银源溶解在所述溶剂中，然后添加所述还原剂，在温度为25-150℃的条件下搅拌1-2h，得到纳米铜银粒子溶液。7.一种纳米金属杂化粒子膏，其特征在于，由权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到。8.一种权利要求7所述的纳米金属杂化粒子膏在电子封装中的应用。9.一种电子封装的方法，其特征在于，包括：将权利要求7所述的纳米金属杂化粒子膏涂布于基板上得到纳米金属杂化粒子膏层，然后将芯片置于所述纳米金属杂化粒子膏层上，进行热压烧结，使所述纳米金属杂化粒子膏层固化。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述热压烧结中，烧结压力为0-20mpa，烧结温度为150-250℃，烧结时间为5-15min。

技术总结
本申请涉及一种纳米金属杂化粒子膏、其制备方法、其应用及电子封装的方法，属电子封装互连材料技术领域。该纳米金属杂化粒子膏的制备方法，包括：将含有第一金属离子的第一金属源、含有第二金属离子的第二金属源、还原剂和溶剂混合并反应，使得第一金属离子被还原成第一金属，第二金属离子被还原成第二金属，得到纳米金属杂化粒子溶液；其中，25℃下，溶剂的粘度在5-20mPa


技术研发人员：傅晨洁 张浩
受保护的技术使用者：江苏芯澄半导体有限公司
技术研发日：2022.03.08
技术公布日：2023/9/20