发光装置和包括发光装置的电子设备的制作方法

发光装置和包括发光装置的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2022年3月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0036927号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开的一个或多个实施方式的方面涉及发光装置和包括发光装置的电子设备。


背景技术：

4.发光装置为将电能转换为光能的装置。这种发光装置的示例包括有机发光装置和量子点发光装置，该有机发光装置包括作为发光材料的有机材料，在该量子点发光装置中，包括作为发光材料的量子点。
5.在发光装置中，第一电极在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。从第一电极提供的空穴穿过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子穿过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而生成光。


技术实现要素：

6.本公开的一个或多个实施方式的方面涉及发光装置和包括发光装置的电子设备。
7.另外的方面将在随后的描述中部分陈述，并且部分将从描述中显而易见，或者可以通过本公开的实施方式的实践而了解到。
8.根据一个或多个实施方式，发光装置包括第一电极。
9.面向第一电极的第二电极，
10.在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，以及在第二电极和发射层之间的电子传输区。
11.其中电子传输区包括电子注入层，并且
12.电子注入层包括由式1或式2表示的杂环化合物。
13.式1
[0014][0015]
式2
[0016][0017]
在式1和式2中，
[0018]
环cy1至环cy6可各自独立地为c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基，
[0019]
t1可为*-(l1)
b1-(r1)
c1
，
[0020]
t2可为*-(l2)
b2-(r2)
c2
，
[0021]
t3可为*-(l3)
b3-(r3)
c3
，
[0022]
t4可为*-(l4)
b4-(r4)
c4
，
[0023]
*指示与相邻原子的结合位点，
[0024]
a1至a4可各自独立地为选自0至10的整数，
[0025]
b1和l1至l4可各自独立地为单键、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
5-c
30
碳环基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
30
杂环基，
[0026]
n1和b1至b4可各自独立地为选自0至3的整数，
[0027]
r1至r4可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳烷基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳烷基、-o(q1)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)或-s(＝o)2(q1)，
[0028]
b1、l1至l4和r1至r4可既不包括硅(si)原子，也不包括磷(p)原子(例如，可不包括任何si，并且也可不包括任何p)。
[0029]
c1至c4可各自独立地为选自0至10的整数，
[0030]r10a
可为
[0031]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基，
[0032]
各自未取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或者c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-o(q
11
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)或者其任何组合，
[0033]
各自未取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基或者c
2-c
60
杂芳烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-o(q
11
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)或者其任何组合；或者
[0034]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0035]
其中q1至q2、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；各自未取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基或者其任何组合取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基。
[0036]
根据一个或多个实施方式，提供包括发光装置的电子设备。
附图说明
[0037]
根据结合所附附图的下面描述，本公开的某些实施方式的上面及其他方面和特征将变得更显而易见，其中：
[0038]
图1示出根据实施方式的发光装置的示意图；
[0039]
图2示出根据实施方式的电子设备的示意性横截面图；并且
[0040]
图3示出根据实施方式的电子设备的示意性横截面图。
具体实施方式
[0041]
现在将更详细地参考实施方式，该实施方式的示例被阐释在所附附图中，其中相同的附图标记始终指代相同的元件，并且可不提供其重复描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。因此，实施方式仅通过参考附图描述以解释本描述的方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何组合和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅仅a、仅仅b、仅仅c、a和b二者(例如，a和b同时)、a和c二者(例如，a和c同时)、b和c二者(例如，b和c同时)、所有的a、b和c或其变体。
[0042]
因为本公开可具有不同的修改实施方式，所以实施方式被阐释在附图中并且被描述在详细描述中。当参考结合附图描述的实施方式时，本公开的效果和特性以及实现这些的方法将是显而易见的。然而，本公开可具体化为许多不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的实施方式。
[0043]
将理解，尽管本文中使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中被用以描述一个或多个适当的组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些组件仅用以将一个组件与另一个组件区分。
[0044]
以单数形式使用的表述包括复述形式的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
[0045]
将进一步理解，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指出叙述的特征或元件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或元件的存在或添加。除非另外限定，术语“包括或具有”可指由在本公开中描述的特征或组件组成的情况和进一步包括其他组件的情况二者(例如，在本公开中描述的特征或组件组成的情况和进一步包括其他组件的情况同时)。
[0046]
根据一个或多个实施方式，发光装置可包括：
[0047]
第一电极；
[0048]
面向第一电极的第二电极；
[0049]
在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层；以及在第二电极和发射层之间的电子传输区，
[0050]
其中电子传输区可包括电子注入层，并且
[0051]
电子注入层可包括由式1或式2表示的杂环化合物：
[0052]
式1
[0053][0054]
式2
[0055][0056]
其中，在式1和式2中，并且
[0057]
环cy1至环cy6可各自独立地为c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基。
[0058]
在实施方式中，在式1和式2中，环cy1至环cy6可各自独立地为苯基、吡啶基、萘基、喹啉基、菲基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、菲啶基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、咔唑基或二苯并呋喃基。
[0059]
在一个或多个实施方式中，式1中的环cy1和环cy3可彼此相同。
[0060]
在一个或多个实施方式中，式2中的环cy1环cy3、环cy5和环cy6可彼此相同。
[0061]
在一个或多个实施方式中，式1中的环cy1和环cy3可为吡啶基，并且式1中的环cy2可为苯基。
[0062]
在一个或多个实施方式中，式2中的环cy1、环cy3、环cy5和环cy6可为吡啶基，并且环cy2和环cy4可为苯基。
[0063]
在式1和式2中，t1可为*-(l1)
b1-(r1)
c1
，t2可为*-(l2)
b2-(r2)
c2
，t3可为*-(l3)
b3-(r3)
c3
，t4可为*-(l4)
b4-(r4)
c4
，并且*可为与相邻原子的结合位点。
[0064]
在式1和式2中，a1至a4可各自独立地为选自0至10的整数。
[0065]
a1至a4可分别指示t1至t4的数量。例如，当a1为2或更大的整数时，两个或更多个t1可彼此相同或不同。例如，当a2为2或更大的整数时，两个或更多个t2可彼此相同或不同。例如，当a3为2或更大的整数时，两个或更多个t3可彼此相同或不同。例如，当a4为2或更大的整数时，两个或更多个t4可彼此相同或不同。
[0066]
在实施方式中，在式1和式2中，a1和a3可各自独立地为选自0至7的整数，并且a2可
为选自0至4的整数。
[0067]
在一个或多个实施方式中，在式1中，a1和a3可各自独立地为选自0至3的整数，并且a2可为选自0至2的整数。
[0068]
在一个或多个实施方式中，在式2中，a1和a3可各自独立地为选自0至3的整数，并且a2和a4可各自独立地为选自0至2的整数。
[0069]
在式1和式2中，b1和l1至l4可各自独立地为单键、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
5-c
30
碳环基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
30
杂环基。
[0070]
在式1和式2中，n1和b1至b4可各自独立地为选自0至3的整数。
[0071]
例如，n1和b1至b4可分别指示b1和l1至l4的数量。例如，当n1为2或更大的整数时，两个或更多个b1可彼此相同或不同。例如，当b1为2或更大的整数时，两个或更多个l1可彼此相同或不同。例如，当b2为2或更大的整数时，两个或更多个l2可彼此相同或不同。例如，当b3为2或更大的整数时，两个或更多个l3可彼此相同或不同。例如，当b4为2或更大的整数时，两个或更多个l4可彼此相同或不同。
[0072]
例如，当n1为0时，b1可为单键。当b1为单键时，共价连接至b1的两个原子可通过单键彼此直接连接。例如，当b1为0时，l1可为单键。当l1为单键时，共价连接至l1的两个原子可通过单键彼此直接连接。例如，当b2为0时，l2可为单键。当l2为单键时，共价连接至l2的两个原子可通过单键彼此直接连接。例如，当b3为0时，l3可为单键。当l3为单键时，共价连接至l3的两个原子可通过单键彼此直接连接。例如，当b4为0时，l4可为单键。当l4为单键时，共价连接至l4的两个原子可通过单键彼此直接连接。
[0073]
在实施方式中，式2中的b1可为单键；或者未取代或被至少一个r
10a
取代的苯基、未取代或被至少一个r
10a
取代的萘基、未取代或被至少一个r
10a
取代的蒽基、未取代或被至少一个r
10a
取代的菲基、未取代或被至少一个r
10a
取代的苯并喹啉基、未取代或被至少一个r
10a
取代的苯并异喹啉基、未取代或被至少一个r
10a
取代的菲啶基、未取代或被至少一个r
10a
取代的苯并咪唑基、未取代或被至少一个r
10a
取代的苯并噁唑基、未取代或被至少一个r
10a
取代的咔唑基、未取代或被至少一个r
10a
取代的二苯并呋喃基、未取代或被至少一个r
10a
取代的芴基、未取代或被至少一个r
10a
取代的二苯并噻吩基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的二苯并噻咯基。
[0074]
在实施方式中，式2中b1的可为单键；或者未取代或被至少一个r
10a
取代的苯基、未取代或被至少一个r
10a
取代的萘基、未取代或被至少一个r
10a
取代的菲基、未取代或被至少一个r
10a
取代的苯并喹啉基、未取代或被至少一个r
10a
取代的苯并异喹啉基、未取代或被至少一个r
10a
取代的菲啶基、未取代或被至少一个r
10a
取代的苯并咪唑基、未取代或被至少一个r
10a
取代的苯并噁唑基、未取代或被至少一个r
10a
取代的咔唑基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的二苯并呋喃基。
[0075]
在实施方式中，式2中的b1的可为单键。
[0076]
在实施方式中，式2中的n1的可为0或1。
[0077]
在实施方式中，在式2中，n1可为1，并且b1可为单键或苯基。
[0078]
在实施方式中，在式1和式2中，
[0079]
l1至l4可各自独立地为：单键；
[0080]
各自未取代或被以下取代的亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭
chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h或-cd2cdh2；或者
[0089]
各自未取代或被以下取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或者三嗪基：氘、c
1-c
20
烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或者其任何组合。
[0090]
在一个或多个实施方式中，在式1和式2中，
[0091]
l1至l4可各自独立地为：单键；
[0092]
各自未取代或被以下取代的亚苯基、亚萘基、亚菲基、亚咔唑基、亚二苯并呋喃基、亚菲咯啉基或者亚吡咯烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、菲咯啉基、吡咯烷基、-n(q
31
)(q
32
)、-o(q
31
)或者其任何组合，
[0093]
其中q
31
和q
32
可各自独立地为：
[0094]-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h或-cd2cdh2；或者
[0095]
各自未取代或被以下取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或者三嗪基：氘、c
1-c
20
烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或者其任何组合。
[0096]
在一个或多个实施方式中，式1和式2中的l1至l4可为单键。
[0097]
在一个或多个实施方式中，式1和式2中的l1至l4可各自独立地为单键；或者各自未取代或被以下取代的亚苯基、亚萘基、亚菲基、亚咔唑基、亚二苯并呋喃基、亚苯并喹啉基、亚苯并异喹啉基、亚菲啶基、亚苯并咪唑基或者亚苯并噁唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、菲啶基、苯并咪唑基、苯并噁唑基或者其任何组合。
[0098]
在实施方式中，式1和式2中的b1至b4可各自独立地为0或1。
[0099]
在实施方式中，式1和式2中的r1至r4可各自独立地为：
[0100]
氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基或c
1-c
20
烷氧基；
[0101]
各自被以下取代的c
1-c
20
烷基或c
1-c
20
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基或者其任何组合；
[0102]
各自未取代或被以下取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、c
1-c
20
烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、菲啶基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑
基、苯并噻吩并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基或者吡咯烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羟基、氰基、硝基、c
2-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、c
1-c
20
烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、菲啶基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、吡咯烷基、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-o(q
31
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或者其任何组合；或者
[0103]-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-o(q1)、-c(＝o)(q1)或-s(＝o)2(q1)，
[0104]
其中q1和q2、q
31
和q
32
可各自独立地为：
[0105]-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h或-cd2cdh2；或者
[0106]
各自未取代或被以下取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或者三嗪基：氘、c
1-c
20
烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或者其任何组合。
[0107]
在一个或多个实施方式中，式1和式2中的r1至r4可各自独立地为：氢、氘、-f、氰基或c
2-c
20
烷基；
[0108]
各自未取代或被以下取代的苯基、咔唑基、菲咯啉基、二苯并呋喃基或者吡咯烷基：氘、-f、氰基、c
2-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、咔唑基、菲咯啉基、二苯并呋喃基、吡咯烷基、-n(q
31
)(q
32
)、-o(q
31
)或者其任何组合；或者
[0109]-n(q1)(q2)或-o(q1)，
[0110]
其中q1和q2、q
31
和q
32
可各自独立地为：
[0111]-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h或-cd2cdh2；或者
[0112]
各自未取代或被以下取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或者三嗪基：氘、c
1-c
20
烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或者其任何组合。
[0113]
在实施方式中，式1可由式1-1表示：
[0114]
式1-1
[0115][0116]
其中，在式1-1中，
[0117]
t
11
可为*-(l
11
)
b11-(r
11
)
c11
，
[0118]
t
12
可为*-(l
12
)
b12-(r
12
)
c12
，
[0119]
t
13
可为*-(l
13
)
b13-(r
13
)
c13
，
[0120]
t
14
可为*-(l
14
)
b14-(r
14
)
c14
，
[0121]
t
15
可为*-(l
15
)
b15-(r
15
)
c15
，
[0122]
t
16
可为*-(l
16
)
b16-(r
16
)
c16
，
[0123]
t
17
可为*-(l
17
)
b17-(r
17
)
c17
，
[0124]
t
18
可为*-(l
18
)
b18-(r
18
)
c18
，
[0125]
l
11
至l
18
可通过参考在本文中提供的对l1的描述来理解，
[0126]
b11至b18可通过参考在本文中提供的对b1的描述来理解，
[0127]r11
至r
18
可通过参考在本文中提供的对r1的描述来理解，并且
[0128]
c11至c18可通过参考在本文中提供的对c1的描述来理解。
[0129]
在一个或多个实施方式中，
[0130]
式2可由式2-1至式2-6中的任何一个表示：
[0131]
式2-1
[0132][0133]
式2-2
[0134][0135]
式2-3
[0136][0137]
式2-4
[0138][0139]
式2-5
[0140][0141]
式2-6
[0142][0143]
其中，在式2-1至式2-6中，
[0144]
cy1至cy4、t1至t4、a1至a4、b1和n1可通过参考在本文中提供的描述来理解。在一个或多个实施方式中，式2可由式2-7至式2-12中的任何一个表示：
[0145]
式2-7
[0146][0147]
式2-8
[0148][0149]
式2-9
[0150][0151]
式2-10
[0152][0153]
式2-11
[0154][0155]
式2-12
[0156][0157]
其中，在式2-7至式2-12中，
[0158]
t
21
可为*-(l
21
)
b21-(r
21
)
c21
，t
22
可为*-(l
22
)
b22-(r
22
)
c22
，t
23
可为*-(l
23
)
b23-(r
23
)
c23
，t
24
可为*-(l
24
)
b24-(r
24
)
c24
，t
25
可为*-(l
25
)
b25-(r
25
)
c25
，t
26
可为*-(l
26
)
b26-(r
26
)
c26
，t
27
可为*-(l
27
)
b27-(r
27
)
c27
，t
28
可为*-(l
28
)
b28-(r
28
)
c28
，t
29
可为*-(l
29
)
b29-(r
29
)
c29
，t
30
可为*-(l
30
)
b30-(r
30
)
c30
，并且*可为与相邻原子的结合位点，
[0159]
l
21
至l
30
可通过参考在本文中提供的对l2的描述来理解，
[0160]
b21至b30可通过参考在本文中提供的对b2的描述来理解，
[0161]r21
至r
30
可通过参考在本文中提供的对r2的描述来理解，并且
[0162]
c21至c30可通过参考在本文中提供的对c2的描述来理解。
[0163]
在实施方式中，杂环化合物可为选自化合物1至化合物6中的任何一个。
[0164][0165]
本公开的发光装置可包括包含杂环化合物的电子注入层。
[0166]
例如，在包含杂环化合物的电子注入层和第二电极之间可形成稳定界面，从而改善电子迁移率和注入特性。因此，可改善发光装置的效率和寿命。
[0167]
合成杂环化合物的方法可由本领域普通技术人员通过参考在本文中描述的实施例来识别。
[0168]
在实施方式中，第一电极可为阳极，并且第二电极可为阴极。
[0169]
在实施方式中，第二电极可包括金属。
[0170]
在一个或多个实施方式中，第二电极可包括银(ag)。
[0171]
在一个或多个实施方式中，包括在第二电极中的银(ag)的量可为约90wt％至约100wt％。
[0172]
在实施方式中，发光装置可进一步包括在发射层和第二电极之间的空穴传输区。
[0173]
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或者其任何组合。
[0174]
在一个或多个实施方式中，除了电子注入层之外，发光装置可进一步包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或者其任何组合。
[0175]
在实施方式中，电子传输区可进一步包括电子传输层，并且电子注入层可在电子传输层和第二电极之间。
[0176]
在实施方式中，电子传输层可包括含金属材料。
[0177]
在一个或多个实施方式中，含金属材料可包括li复合物。li复合物可包括，例如，化合物et-d1(liq)或化合物et-d2。
[0178]
[0179]
在实施方式中，电子传输层的厚度可大于电子注入层的厚度。
[0180]
在实施方式中，电子注入层的厚度可为约1nm至约10nm。在一个或多个实施方式中，电子注入层的厚度可为约2nm至约4nm。
[0181]
在实施方式中，电子注入层可与第二电极直接接触。
[0182]
在实施方式中，电子传输层可与电子注入层直接接触。
[0183]
在实施方式中，可进一步包括设置在第二电极上的封盖层。在一个或多个实施方式中，封盖层可与第二电极直接接触。
[0184]
在实施方式中，封盖层可包括由式1和/或式2表示的杂环化合物。
[0185]
发射层可发射红光、绿光、蓝光和/或白光。发射层可发射红光、绿光或蓝光。例如，发射层可发射蓝光。蓝光可具有，例如，约400nm至约490nm的最大发射波长。
[0186]
发射层可包括发射红光的第一发射层、发射绿光的第二发射层或发射蓝光的第三发射层。
[0187]
发射层可包括第一发射层、第二发射层和第三发射层。
[0188]
在一些实施方式中，发射层可包括主体和掺杂剂。
[0189]
在一些实施方式中，发射层可包括磷光掺杂剂、延迟荧光材料或其任何组合。在实施方式中，除了主体和掺杂剂之外，发射层可进一步包括磷光掺杂剂。
[0190]
在一些实施方式中，掺杂剂可包括过渡金属和数量为m的配体，m可为选自1至6的整数，数量为m的配体可彼此相同或不同，数量为m的配体中的至少一个可经碳-过渡金属键而键合至过渡金属，并且碳-过渡金属键可为配位键。例如，数量为m的配体中的至少一个可为碳烯配体(例如，ir(pmp)3等中的配体)。过渡金属可为，例如，铱、铂、锇、钯、铑或金。发射层和掺杂剂可与本公开中描述的相同。
[0191][0192]
本公开的另一方面提供包括发光装置的电子设备。
[0193]
在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，
[0194]
薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且
[0195]
发光装置的第一电极可电连接至薄膜晶体管的源电极或漏电极。
[0196]
在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或者其任何组合。
[0197]
在实施方式中，电子设备可进一步包括量子点。例如，电子设备可包括颜色转换层，并且颜色转换层可包括量子点。
[0198]
如本文中使用的术语“夹层”指位于发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或多个层。
[0199]
图1的描述
[0200]
图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0201]
下文，将参考图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[0202]
第一电极110
[0203]
在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或位于第二电极150上。玻璃基板或塑料基板可用作基板。在一个或多个实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的或适当的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(par)、聚醚酰亚胺或者其任何组合。
[0204]
第一电极110可通过，例如，将用于形成第一电极110的材料沉积或溅射在基板上来形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴的注入的高功函材料。
[0205]
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或者其任何组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或者其任何组合。
[0206]
第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
[0207]
夹层130
[0208]
夹层130可在第一电极110上。夹层130可包括发射层。
[0209]
夹层130可进一步包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区，以及在发射层和第二电极150之间的电子传输区。
[0210]
除了一种或多种适当的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物(比如有机金属化合物)和/或无机材料(比如量子点)等。
[0211]
在一个或多个实施方式中，夹层130可包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射单元，和ii)在两个或更多个发射单元之间的电荷生成层。当夹层130包括如上述的发射单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。
[0212]
夹层130中的空穴传输区
[0213]
空穴传输区可具有：i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)，ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同材料。
[0214]
空穴传输区可进一步包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或者其任何组合。
[0215]
例如，空穴传输区可具有多层结构，其包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，每一种结构的层从第一电极110依次
(例如，以叙述的顺序)堆叠。
[0216]
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：
[0217]
式201
[0218][0219]
式202
[0220][0221]
其中，在式201和式202中，
[0222]
l
201
至l
204
可各自独立地为未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0223]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代或被至少一个r
10
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0224]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，
[0225]
xa5可为选自1至10的整数，
[0226]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0227]r201
和r
202
可任选地经由单键、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物ht16)，
[0228]r203
和r
204
可任选地经由单键、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0229]
na1可为选自1至4的整数。
[0230]
例如，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个：
[0231][0232]
在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可各自与参考r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可为未取代或被如上述的r
10a
取代。
[0233]
在实施方式中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
[0234]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0235]
在一个或多个实施方式中，式201可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0236]
在一个或多个实施方式中，在式201中，xa1可为1，r
201
可为由式cy201至式cy203中的任一个表示的基团，xa2可为0，并且r
202
可为由式cy204至式cy207中的任一个表示的基团。
[0237]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式cy201至式cy203中的任一个表示的基团。
[0238]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式cy201至式cy203中的任一个表示的基团，并且可包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0239]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式cy201至式cy217中的任一个表示的基团。
[0240]
在实施方式中，空穴传输区可包括化合物ht1至化合物ht46中的一个或多个、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化的npb、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)或者其任何组合：
[0241]
[0242]
[0243]
[0244]
[0245][0246]
空穴传输区的厚度可在约至约的范围内，例如，在约至约的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可在约至约的范围内，例如，在约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约至约的范围内，例如，在约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得令人满意的(适当的)空穴传输特性。
[0247]
发射辅助层可根据由发射层发射的光的波长通过补偿光学共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少电子从发射层至空穴传输区的泄漏。
[0248]
p-掺杂剂
[0249]
除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于改善导电性质的电荷生成材料。电荷生成材料可基本上均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单个层的形式)。
[0250]
电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。
[0251]
例如，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可为-3.5ev或更小。
[0252]
在一个或多个实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、包括元素el1和元素el2的化合物或者其任何组合。
[0253]
醌衍生物的示例可包括tcnq、f4-tcnq等。
[0254]
含氰基化合物的示例可包括hat-cn和由式221表示的化合物：
[0255][0256]
式221
[0257][0258]
在式221中，
[0259]r221
至r
223
可各自独立地为未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，并且
[0260]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为各自被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或者其任何组合取代的c
1-c
20
烷基；或者其任何组合。
[0261]
在包括元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属、准金属或其任何组合，并且元素el2可为非金属、准金属或其任何组合
[0262]
金属的示例可包括碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；和/或镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0263]
准金属的示例可包括硅(si)、锑(sb)和/或碲(te)。
[0264]
非金属的示例可包括氧(o)和/或卤素(例如，f、cl、br、i等)。
[0265]
包括元素el1和元素el2的化合物的示例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或者其任何组合。
[0266]
金属氧化物的示例可包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例
如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)和/或铼氧化物(例如，reo3等)。
[0267]
金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和/或镧系金属卤化物。
[0268]
碱金属卤化物的示例可包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和/或csi。
[0269]
碱土金属卤化物的示例可包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和/或bai。
[0270]
过渡金属卤化物的示例可包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、亚铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、亚铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)和/或金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)。
[0271]
后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)和/或锡卤化物(例如，sni2等)
[0272]
镧系金属卤化物的示例可包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和/或smi3。
[0273]
准金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，sbcl5等)。
[0274]
金属碲化物的示例可包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)和/或镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)。
[0275]
夹层130中的发射层
[0276]
当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。
[0277]
发射层中的至少一个可包括量子点。例如，绿色发射层可为包括量子点的量子点发射层，并且蓝色发射层和红色发射层可各自为各自包括有机化合物的有机发射层。
[0278]
在一些实施方式中，发射层可具有其中红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的至少两个可彼此接触或可彼此分开的结构。至少两个发射层中的至少一个发射层可为包
括量子点的量子点发射层，并且其他发射层可为包括有机化合物的有机发射层。可以作出这种变型。
[0279]
主体
[0280]
在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301表示的化合物：
[0281]
式301
[0282]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
，
[0283]
在式301中，
[0284]
ar
301
和l
301
可各自独立地为未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0285]
xb11可为1、2或3，
[0286]
xb1可为选自0至5的整数，
[0287]r301
可为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或者-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0288]
xb21可为选自1至5的整数，并且，
[0289]q301
至q
303
各自与本文中参照q1描述的相同。
[0290]
例如，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个ar
301
可经单键彼此连接。
[0291]
在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：
[0292]
式301-1
[0293][0294]
式301-2
[0295][0296]
在式301-1和式301-2中，
[0297]
环a
301
至环a
304
可各自独立地为未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0298]
x
301
可为o、s、n[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0299]
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
[0300]
l
301
、xb1和r
301
可各自与在本文中描述的相同，
[0301]
l
302
至l
304
可各自独立地与本文中参照l
301
描述的相同，
[0302]
xb2至xb4可各自独立地与本文中参照xb1描述的相同，并且
[0303]r302
至r
305
和r
311
至r
314
可各自与本文中参照r
301
描述的相同。
[0304]
在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属复合物、后过渡金属复合物或其任何组合。例如，主体可包括be复合物(例如，化合物h55)、mg复合物、zn复合物或者其任何组合。
[0305]
在实施方式中，主体可包括化合物h1至h124中的一个或多个、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)或者其任何组合：
[0306]
[0307]
[0308]
[0309]
[0310]
[0311]
[0312][0313]
磷光掺杂剂
[0314]
在一个或多个实施方式中，磷光掺杂剂可包括作为中心金属的至少一种过渡金属。磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或者其任何组合。
[0315]
磷光掺杂剂可为电中性的。
[0316]
例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：
[0317]
式401
[0318]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
，
[0319]
其中，在式401中，
[0320]
m可为过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0321]
l
401
可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中当xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
可彼此相同或不同，
[0322]
l
402
可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3或4，并且当xc2为2或更大时，两个或更多个l
402
可彼此相同或不同，
[0323]
式402
[0324][0325]
在式402中，x
401
和x
402
可各自独立地为氮或碳，
[0326]
环a
401
和环a
402
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基，
[0327]
t
401
可为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、
[0328]
*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，
[0329]
x
403
和x
404
可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0330]q411
至q
414
可各自与本文中参照q1描述的相同，
[0331]r401
和r
402
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0332]q401
至q
403
可各自与本文中参照q1描述的相同，
[0333]
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且
[0334]
在式402中*和*'各自指示与式401中的m的结合位点。
[0335]
例如，在式402中，i)x
401
可为氮，并且x
402
可为碳，或ii)x
401
和x
402
中的每一个可为氮。
[0336]
在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，在两个或更多个l
401
中的两个环a
401
可任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，或者两个环a
402
可任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接(见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。t
402
和t
403
可各自与本文中参照t
401
描述的相同。
[0337]
式401中的l
402
可为有机配体。例如，l
402
可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶甲酸盐基)、-c(＝o)基、异腈基、-cn基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基
等)或者其任何组合。
[0338]
磷光掺杂剂可包括，例如，化合物pd1至化合物pd39中的一个或多个：
[0339]
[0340]
[0341][0342]
荧光掺杂剂
[0343]
荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。例如，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[0344]
式501
[0345][0346]
其中，在式501中，
[0347]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可各自独立地为未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0348]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
[0349]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0350]
例如，式501中的ar
501
可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。
[0351]
在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。
[0352]
例如，荧光掺杂剂可包括：化合物fd1至化合物fd36中的一个或多个；dpvbi；dpavbi；或者其任何组合：
[0353]
[0354]
[0355]
[0356][0357]
延迟荧光材料
[0358]
发射层可包括延迟荧光材料。
[0359]
在本公开中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制而发射延迟荧光的化合物。
[0360]
发射层中包括的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂，这取决于发射层中包括的其他材料的类型或种类。
[0361]
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可大于或等于0ev并且小于或等于0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足上述范围时，可有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的上转换，并且因此，可改善(增加)发光装置10的发光效率。
[0362]
例如，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团)的材料，以及ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼(b)原子的同时稠合在一起的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0363]
延迟荧光材料的示例可包括下述化合物df1至化合物df9中的至少一个：
[0364][0365]
量子点
[0366]
发射层可包括量子点。
[0367]
如本文中使用的术语“量子点”指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸而发射一个或多个适当的发射波长的光的任何材料。
[0368]
量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。
[0369]
量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积(mocvd)工艺、分子束外延(mbe)工艺或与其类似的任何工艺来合成。
[0370]
湿化学工艺为包括将前体材料与有机溶剂混合并且然后使量子点颗粒晶体生长的方法。当晶体生长时，有机溶剂自然充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并且控制晶体的生长，以便量子点颗粒的生长可通过比气相沉积法比如金属有机化学气相沉积工艺或分子束外延工艺成本更低且更容易的工艺来控制或选择。
[0371]
量子点可包括第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物、第iv族元素或化合物或者其任何组合。
[0372]
第ii-vi族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，比如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、
cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或者其任何组合。
[0373]
第iii-v族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；三元化合物，比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb；四元化合物，比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；或者其任何组合。在一些实施方式中，第iii-v族半导体化合物可进一步包括第ii族元素。进一步包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的示例为inznp、ingaznp、inalznp等。
[0374]
第iii-vi族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3或inte；三元化合物，比如ingas3或ingase3；或者其任何组合。
[0375]
第i-iii-vi族半导体化合物的示例可包括：三元化合物，比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2；或者其任何组合。
[0376]
第iv-vi族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如sns、snse、snte、pbs、pbse或pbte；三元化合物，比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse或snpbte；四元化合物，比如snpbsse、snpbsete或snpbste；或者其任何组合。
[0377]
第iv族元素或化合物可包括：单元素，比如si或ge；二元化合物，比如sic或sige；或者其任何组合。
[0378]
多元化合物比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中包括的每种元素可以以基本上均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。
[0379]
在一些实施方式中，量子点可具有其中量子点中的每种元素的浓度为基本上均匀的单一结构，或核/壳双重结构。例如，核中包括的材料和壳中包括的材料可彼此不同。
[0380]
量子点的壳可充当防止(减少/最小化)核的化学变性以保持半导体特性的保护层，和/或充当赋予量子点电泳特性的充电层。壳可为单个层或多层。核和壳之间的界面可具有其中壳中存在的元素的浓度朝着核的中心降低的浓度梯度。
[0381]
量子点的壳的示例可包括金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物、半导体化合物和/或其任何组合。金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物的示例可包括：二元化合物，比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；三元化合物，比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4；和/或其任何组合。半导体化合物的示例可包括，如在本文中描述的，第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；和/或其任何组合。例如，半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或者其任何组合。
[0382]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，并且在这些范围内，可增加颜色纯度和/或颜色再现性。在一些实施方式中，因为经量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善(增加)宽视角。
[0383]
在一些实施方式中，量子点可为基本上球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板的形式。
[0384]
因为可通过控制量子点的尺寸来调整能带隙，所以可从量子点发射层获得具有一个或多个适当的波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可实施发射一个或多个适当的波长的光的发光装置。在一个或多个实施方式中，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施方式中，量子点的尺寸可配置为通过组合一种或多种适当的颜色的光来发射白光。
[0385]
夹层130中的电子传输区
[0386]
电子传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)，ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同的材料。
[0387]
电子传输区可包括电子注入层。例如，电子注入层可包括由式1或式2表示的杂环化合物。
[0388]
电子传输区可包括，例如，zno、tio2、wo3、sno2、in2o3、nb2o5、fe2o3、ceo2、srtio3、zn2sno4、basno3、in2s3、znsio、pc60bm、pc70bm、znmgo、azo、gzo、izo、al掺杂的tio2、ga掺杂的tio2、in掺杂的tio2、al掺杂的wo3、ga掺杂的wo3、in掺杂的wo3、al掺杂的sno2、ga掺杂的sno2、in掺杂的sno2、mg掺杂的in2o3、al掺杂的in2o3、ga掺杂的in2o3、mg掺杂的nb2o5、al掺杂的nb2o5、ga掺杂的nb2o5、mg掺杂的fe2o3、al掺杂的fe2o3、ga掺杂的fe2o3、in掺杂的fe2o3、mg掺杂的ceo2、al掺杂的ceo2、ga掺杂的ceo2、in掺杂的ceo2、mg掺杂的srtio3、al掺杂的srtio3、ga掺杂的srtio3、in掺杂的srtio3、mg掺杂的zn2sno4、al掺杂的zn2sno4、ga掺杂的zn2sno4、in掺杂的zn2sno4、mg掺杂的basno3、al掺杂的basno3、ga掺杂的basno3、in掺杂的basno3、mg掺杂的in2s3、al掺杂的in2s3、ga掺杂的in2s3、in掺杂的in2s3、mg掺杂的znsio、al掺杂的znsio、ga掺杂的znsio、in掺杂的znsio或者其任何组合。
[0389]
电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或者其任何组合。缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或电子注入层可各自为金属氧化物层，或者缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中的至少两层可为金属氧化物层。
[0390]
例如，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，每一种结构的构成层从发射层依次(例如，以叙述的顺序)堆叠。
[0391]
在实施方式中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括包含至少一种缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团的无金属化合物。
[0392]
例如，电子传输区可包括由式601表示的化合物：
[0393]
式601
[0394]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
，
[0395]
其中，在式601中，
[0396]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0397]
xe11可为1、2或3，
[0398]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0399]r601
可为未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或者-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0400]q601
至q
603
可各自与本文中参照q1描述的相同，
[0401]
xe21可为1、2、3、4或5，
[0402]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可各自独立地为未取代或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0403]
例如，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar
601
可经由单键彼此连接。
[0404]
在其他实施方式中，式601中的ar
601
可为取代或未取代的蒽基。
[0405]
在其他实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：
[0406]
式601-1
[0407][0408]
其中，在式601-1中，
[0409]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，并且x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0410]
l
611
至l
613
可各自与本文中参照l
601
描述的相同，
[0411]
xe611至xe613可各自与本文中参照xe1描述的相同，
[0412]r611
至r
613
可各自与本文中参照r
601
描述的相同，并且
[0413]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0414]
例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0415]
电子传输区可包括化合物et1至化合物et45中的一个或多个、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz或者其任何组合。
[0416]
[0417]
[0418][0419]
电子传输区的厚度可为约至约例如，约至约
[0420]
当电子传输区不包括电子注入层并包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或者其任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地为约至约例如，约至约并且电子传输层的厚度可为约至约例如，约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得令人满意的(适当的)电子传输特性。
[0421]
除了上述的一种或多种材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。
[0422]
含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碱金属复合物的金属离子可为li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或者其任何组合。
[0423]
例如，含金属材料可包括li复合物。li复合物可包括，例如，化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0424][0425]
电子传输区可包括包含由式1或式2表示的杂环化合物的电子注入层，其利于电子从第二电极150注入。电子注入层可直接接触第二电极150。
[0426]
在实施方式中，电子注入层可直接接触电子传输层。
[0427]
电子注入层可具有：i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)，ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同的材料。
[0428]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或者其任何组合。
[0429]
碱金属可包括li、na、k、rb、cs或者其任何组合。碱土金属可包括mg、ca、sr、ba或者其任何组合。稀土金属可包括sc、y、ce、tb、yb、gd或者其任何组合。
[0430]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属和/或稀土金属的一个或多个氧化物、一个或多个卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)和/或一个或多个碲化物，或者其任何组合。
[0431]
含碱金属化合物可包括：碱金属氧化物，比如li2o、cs2o或k2o；碱金属卤化物，比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki；或者其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(其中x为满足0《x《1的条件的实数)和/或ba
x
ca
1-x
o(其中x为满足0《x《1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或者其任何组合。在一个或多个实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和/或lu2te3。
[0432]
碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括：i)碱金属、碱土金属和/或稀土金属的金属离子中的一种，和ii)与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或者其任何组合。
[0433]
电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：如上述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或者其任何组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0434]
在一个或多个实施方式中，电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；或ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。例如，电子注入层可为ki:yb共沉积层和/或rbi:yb共沉积层等。
[0435]
当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或者其任何组合可基本上均匀地或非均匀地分散在包括(具有)有机材料的基质。
[0436]
电子注入层的厚度可在约至约的范围内，并且，例如，约至约至约的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得令人满意的(适当的)电子注入特性。
[0437]
第二电极150
[0438]
第二电极150可在具有如上述的结构的夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极，并且作为用于第二电极150的材料，可使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或者其任何组合。
[0439]
第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或者其任何组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0440]
在实施方式中，第二电极150可包括银(ag)。
[0441]
在一个或多个实施方式中，包括在第二电极150中的银(ag)的量可为约90wt％至约100wt％。
[0442]
第二电极150可具有单层结构或包括多个层的多层结构。
[0443]
封盖层
[0444]
第一封盖层可在第一电极110外侧，和/或第二封盖层可在第二电极150外侧。例如，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构。
[0445]
发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第一电极110和第一封盖层朝向外侧提取。发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第二电极150和第二封盖层朝向外侧提取。
[0446]
第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，增加了发光装置10的光提取效率，以便可改善(增加)发光装置10的发光效率。
[0447]
第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括具有(在589nm的波长下)1.6或更大的折射率的材料。
[0448]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层、包括无机材料的无机封盖层或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。
[0449]
第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或者其任何组合。任选地，碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可被包括o、n、s、se、si、f、cl、br、i或者其任何组合的取代基取代。在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
[0450]
例如，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。
[0451]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物ht28至化合物ht33中的一个或多个、化合物cp1至化合物cp6中的一个或多个、β-npb或者其任何组合：
[0452][0453]
膜
[0454]
由式1或式2表示的杂环化合物可包括在一个或多个适当的膜中。因此，实施方式的另一方面提供包括由式1或式2表示的杂环化合物的膜。膜可为，例如，光学构件(或光控)(例如，滤色器、颜色转换构件、封盖层、光提取效率增强层、选择性光吸收层、偏振层和/或含量子点层等)、阻光构件(例如，光反射层和/或光吸收层等)和/或保护构件(例如，绝缘层和/或介电层等)。
[0455]
电子设备
[0456]
发光装置可包括在一个或多个适当的电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。
[0457]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括：i)滤色器、ii)颜色转换层、或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于其中从发光装置发射的光行进的至少一个方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。有关发光装置的更多细节，可参考上面提供的相关描述。在一个或多个实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如在本文中描述的量子点。
[0458]
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
[0459]
像素限定层可位于多个子像素区域之间以限定多个子像素区域中的每一个。
[0460]
滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的遮光图案。
[0461]
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。例如，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括量子点。例如，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括(例如，可排除)量子点(例如，可不包括任何量子点)。有关量子点的更多细节，可参考在本文中提供的相关描述。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体。
[0462]
例如，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三-第一颜色光。就此而言，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可具有不同的最大发射波长。例如，第一光可为蓝光，第一-第一颜色光可为红光，第二-第一颜色光可为绿光，并且第三-第一颜色光可为蓝光。
[0463]
除了如上述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极或漏电极中的一个可电连接至发光装置的第一电极或第二电极。
[0464]
薄膜晶体管可进一步包括栅电极和/或栅绝缘膜等。
[0465]
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。
[0466]
电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光提取至外侧，并且同时(例如，同步地)防止(减少)环境空气和水分渗透至发光装置中。密封部分可为包括透明玻璃基
板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。
[0467]
除了滤色器和/或颜色转换层之外，根据如何使用电子设备，各种适当的功能层可另外位于密封部分上。功能层的示例可包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。
[0468]
除了如上述的发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
[0469]
电子设备可应用于一个或多个适当的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、一个或多个适当的测量工具、仪表(例如，用于车辆、航空器和/或船只的仪表)和/或投影仪等。
[0470]
图2和图3的描述
[0471]
图2为示出根据本公开的实施方式的电子设备180的横截面图。
[0472]
图2的电子设备180包括基板100、薄膜晶体管(tft)200、发光装置和密封发光装置的封装部分300。
[0473]
基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可在基板100上。缓冲层210可防止或减少穿过基板100的杂质的渗透并且可在基板100上提供基本上平坦的表面。
[0474]
tft200可在缓冲层210上。tft200可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0475]
有源层220可包括无机半导体比如硅或多晶硅、有机半导体或者氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。
[0476]
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可在有源层220上，并且栅电极240可在栅绝缘膜230上。
[0477]
夹层绝缘膜250可在栅电极240上。夹层绝缘膜250可在栅电极240和源电极260之间，以使栅电极240和源电极260绝缘；并且在栅电极240和漏电极270之间，以使栅电极240和漏电极270绝缘。
[0478]
源电极260和漏电极270可在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可被形成以便暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可放置为接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。
[0479]
tft200电连接至发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或者其任何组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0480]
第一电极110可在钝化层280上。钝化层280可放置为暴露漏电极270的一部分，不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可放置为连接至漏电极270的暴露部分。
[0481]
包括绝缘材料的像素限定层290可在第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的一定区，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺有机膜或聚丙烯酸有机膜。尽管未在图2中示出，夹层130中的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部以公共层的形式放置(即，可提供为公共层)。
[0482]
第二电极150可在夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。
[0483]
封装部分300可在封盖层170上。封装部分300可在发光装置上以保护发光装置免受水分或氧的影响(减少水分或氧的量)。封装部分300可包括：无机膜，包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或者其任何组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(age)等)或者其任何组合；或者无机膜和有机膜的任何组合。
[0484]
图3示出根据本公开的实施方式的电子设备190的横截面图。
[0485]
图3的电子设备190与图2的电子设备180基本上相同，不同在于遮光图案500和功能区400另外位于封装部分300上。功能区400可为i)滤色器区域、ii)颜色转换区域或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，图3的电子设备190中包括的发光装置可为串联发光装置。
[0486]
制造方法
[0487]
包括在空穴传输区中的层、发射层和包括在电子传输区中包括的层可通过使用一个或多个适当的方法比如真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和/或激光诱导热成像等形成在一定区中。
[0488]
当包括在空穴传输区中的层、发射层和包括在电子传输区中的层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度下进行，这取决于待形成的层中包括的材料和待形成的层的结构。
[0489]
术语的限定
[0490]
如本文中使用的术语“c
3-c
60
碳环基”指仅由碳作为成环原子组成并且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如本文中使用的术语“c
1-c
60
杂环基”指具有1至60个碳原子并且除了碳原子之外进一步具有杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基可具有3至61个成环原子。
[0491]
如本文中使用的术语“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基和/或c
1-c
60
杂环基。
[0492]
如本文中使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”指具有3至60个碳原子并且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文中使用的术语“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”指具有1至60个碳原子并且包括*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0493]
例如，
[0494]c3-c
60
碳环基可为：i)基团t1，或ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、亚苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，
[0495]c1-c
60
杂环基可为：i)基团t2，ii)其中两个或更多个基团t2彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩
基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并呋喃基等)，
[0496]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可为：i)基团t1，ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团，iii)基团t3，iv)其中两个或更多个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，c
3-c
60
碳环基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基或苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，
[0497]
缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团可为：i)基团t4，ii)其中两个或更多个基团t4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并呋喃基等)，
[0498]
基团t1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚烷基)、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，
[0499]
基团t2可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，
[0500]
基团t3可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0501]
基团t4可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0502]
根据使用的对应术语的式的结构，如本文中使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基”、“c
1-c
60
杂环基”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”或“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”指与环状基团稠合(例如，结合在一起)的单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团或四价基团等)。例如，“苯基”可为苯并基、苯基和/或亚苯基等，其可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构来理解。
[0503]
单价c
3-c
60
碳环基和单价c
1-c
60
杂环基的示例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和/或单价非芳族稠合杂多环基团。二价c
3-c
60
碳环基和二价c
1-c
60
杂环基的示例可包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和/或二价非芳族稠合杂多环基团。
[0504]
如本文中使用的术语“c
1-c
60
烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，并且其示例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和/或叔癸基。如本文中使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”指与c
1-c
60
烷基具有基本上相同结构的二价基团。
[0505]
如本文中使用的术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例可包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文中使用的术语“c
2-c
60
亚烯基"指与c
2-c
60
烯基具有基本上相同结构的二价基团。
[0506]
如本文中使用的术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例可包括乙炔基和/或丙炔基等。如本文中使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”指与c
2-c
60
炔基具有基本上相同结构的二价基团。
[0507]
如本文中使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
(其中a
101
为c
1-c
60
烷基)表示的单价基团，并且其示例可包括甲氧基、乙氧基和/或异丙氧基。
[0508]
如本文中使用的术语“c
3-c
10
环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环基团，并且其示例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和/或二环[2.2.2]辛基。如本文中使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”指与c
3-c
10
环烷基具有基本上相同结构的二价基团。
[0509]
如本文中使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子的1至10个碳原子的单价环状基团，并且其示例可包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和/或四氢噻吩基。如本文中使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指与c
1-c
10
杂环烷基具有基本上相同结构的二价基团。
[0510]
如本文中使用的术语“c
3-c
10
环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且无芳香性的单价环状基团，并且其示例可包括环戊烯基、环己烯基和/或环庚烯基。如本文中使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”指与c
3-c
10
环烯基具有基本上相同结构的二
价基团。
[0511]
如本文中使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子并且在其环结构中具有至少一个双键的1至10个碳原子的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基的示例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和/或2,3-二氢噻吩基。如本文中使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”指与c
1-c
10
杂环烯基具有基本上相同结构的二价基团。
[0512]
如本文中使用的术语“c
6-c
60
芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如本文中使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。c
6-c
60
芳基的示例为苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和/或卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自包括两个或更多个环时，环可彼此稠合。
[0513]
如本文中使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子的具有1至60个碳原子的杂环芳族系统的单价基团。如本文中使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子的具有1至60个碳原子的杂环芳族系统的二价基团。c
1-c
60
杂芳基的示例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和/或萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，环可彼此稠合。
[0514]
如本文中使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的示例可包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和/或茚并蒽基。如本文中使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指与上述单价非芳族稠合多环基团具有基本上相同结构的二价基团。
[0515]
如本文中使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性的具有两个或更多个彼此稠合的环的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)。单价非芳族稠合杂多环基团的示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和/或苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文中使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指与上述的单价非芳族稠合杂多环基团具有基本上相同结构的二价基团。
[0516]
如本文中使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指示-oa
102
(其中a
102
为c
6-c
60
芳基)，并且如本
文中使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指示-sa
103
(其中a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0517]
本文中使用的术语“c
7-c
60
芳烷基”指-a
104a105
(其中a
104
可为c
1-c
54
亚烷基，并且a
105
可为c
6-c
59
芳基)，并且本文中使用的术语“c
2-c
60
杂芳烷基”指-a
106a107
(其中a
106
可为c
1-c
59
亚烷基，并且a
107
可为c
1-c
59
杂芳基)。
[0518]
如本文中使用的术语“r
10a”指：
[0519]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基，
[0520]
各自未取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或者c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-o(q
11
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)或者其任何组合，
[0521]
各自未取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基或者c
2-c
60
杂芳烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-o(q
11
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)或者其任何组合；或者
[0522]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0523]
如本文中使用的q1至q2、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；各自未取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基或者其任何组合取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基。
[0524]
如本文中使用的术语“杂原子”指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的示例可包括o、s、n、p、si、b、ge、se和/或其任何组合。
[0525]
本文中使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)和/或金(au)等。
[0526]
如本文中使用的“ph”指苯基，如本文中使用的“me”指甲基，如本文中使用的“et”指乙基，如本文中使用的“tert-bu”或“bu
t”指叔丁基，并且如本文中使用的“ome”指甲氧基。
[0527]
如本文中使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。因此，“联苯基”为具有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0528]
如本文中使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。因此，“三联苯基”为具有被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0529]
如本文中使用的*和*'，除非另外限定，各自指与对应的式或部分中的相邻原子的结合位点。
[0530]
下文，参考下述合成例和实施例将更详细描述根据实施方式的化合物和根据实施方式的发光装置。在描述合成实施例时使用的用词“使用b代替a”是指使用相同摩尔当量的b代替a。
[0531]
实施例
[0532]
发光装置的制造
[0533]
实施例1
[0534]
作为阳极，将15欧姆每平方厘米(ω/cm2)ito玻璃基板(可从康宁有限公司获得)切成50毫米(mm)
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，在异丙醇和纯水中各自超声15分钟，通过暴露于紫外线和臭氧清洁30分钟，并且被安装在真空沉积设备上。
[0535]
将4,4',4"-三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(tdata)真空沉积在阳极上以形成具有120nm厚度的空穴注入层，并且将n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基联苯胺(npb)真空沉积在空穴注入层上以形成具有10nm厚度的空穴传输层。
[0536]
作为主体的4,4',4
”‑
三(咔唑-9-基)-三苯胺(tcta)和作为掺杂剂的(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)(lr(piq)2(acac))以99:1的重量比共沉积在空穴传输层上，从而形成具有20nm厚度的发射层。
[0537]
随后，将4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)沉积在发射层上以形成具有5nm的厚度的空穴阻挡层上，将2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp):liq(5:5)沉积在空穴阻挡层上以形成具有20nm的厚度的电子传输层，将化合物1沉积在电子传输层上以形成具有1nm的厚度的电子注入层，将ag:mg(95:5)真空沉积在电子注入层上以形成具有10nm的厚度的阴极，将n,n'-二(萘-2-基)-n,n'-二(苯基)联苯胺(β-npb)沉积在阴极上以形成具有70nm的厚度的封盖层，从而形成具有ito/tdata(120nm)/npb(10nm)/tcta+piqir(acac)(99:1)(20nm)/bphen(5nm)/bcp:liq(5:5，20nm)/化合物1(1nm)/ag:mg(95:5)(10nm)/β-npb(70nm)结构的发光装置。
[0538]
实施例2至实施例8和比较例1至比较例4
[0539]
以与实施例1基本上相同的方式制造发光装置，不同在于用于形成电子注入层的化合物和其厚度如表1中改变。
[0540]
评估例1
[0541]
使用keithley mu 236、亮度计pr650和transient el测量实施例1至实施例8和比较例1至比较例4中制造的发光装置的发光效率(cd/a)、寿命(t
95
)和渐进驱动电压中的每一个，并且在表1中示出其结果。
[0542]
表1
[0543][0544][0545]
化合物a
[0546][0547]
化合物b
[0548][0549]
化合物c
[0550][0551]
如在表1中示出，与比较例1的发光装置的发光效率和寿命相比，实施例1至实施例8的发光装置被发现具有改善的发光效率和寿命。进一步，确认，与比较例2至比较例4的渐进驱动电压相比，实施例1至实施例8的渐进驱动电压降低得更多。
[0552]
因为发光装置包括包含由式1或式2表示的杂环化合物的电子注入层，所以稳定界面可形成在电子注入层和第二电极之间，从而进一步改善电子迁移率和注入特性。
[0553]
因此，包括电子注入层的发光装置的发光效率和寿命可被进一步改善。
[0554]
当描述本公开的实施方式时，“可”的使用指“本公开的一个或多个实施方式。
[0555]
如在本文中使用的，术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且旨在解释被本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值中的固有偏差。如在本文中使用的“约”或“近似”包括叙述的值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)为特定值的确定的可接受的偏差的范围内。例如，“约”可意指在叙述的值的一个或多个标准偏差以内，或在叙述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％以内。
[0556]
此外，在本文中阐述的任何数值范围旨在包括落入阐述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括阐述的最小值1.0和阐述的最大值10.0之间(并且包括1.0和10.0)，也就是说，具有等于或大于最小值1.0并且等于或小于最大值10.0的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。在本文中阐述的任何最大数值界限旨在包括落入其中的所有较低数值界限，并且在本公开中阐述的任何最小数值界限旨在包括落入其中的所有较高数值界限。因此，申请人保留修改包括权利要求在内的本公开的权利，以明确地阐述落入在本文中明确地阐述的范围内的任何子范围。
[0557]
根据在本文中描述的本公开的实施方式的发光装置、电子设备或任何其他相关装置或组件可使用任何适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件，固件和硬件的组合来实施。例如，装置的各种组件可形成在一个集成电路(ic)芯片或分离的ic芯片上。进一步，装置的各种组件可在柔性印刷电路膜、带载封装(tcp)或印刷电路板(pcb)上实施，或形成在一个基板上。进一步，装置的各种组件可在一个或多个计算装置中的一个或多个处理器上运行、执行计算机程序指令并且与其他系统组件交互以用于进行在本文中描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可在使用标准存储装置比如，例如，随机存取存储器(ram)的计算装置中实施。计算机程序指令也可存储在其他非暂时性计算机可读介质比如，例如，cd-rom或闪存驱动器等中。此外，本领域技术人员应认识到，在不背离本公开的实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可组合或集成到单个计算装置中，或专用计算装置的功能可分布在一个或多个其他计算装置上。
[0558]
应该理解，在本文中描述的实施方式应仅以描述性意义考虑并且不用于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应考虑可用于其他实施方式中其他类似的特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理
解，在不背离由所附权利要求和其等效方案限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的一种或多种适当的改变。

技术特征：
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层；以及在所述第二电极和所述发射层之间的电子传输区，其中所述电子传输区包括电子注入层，并且所述电子注入层包括由式1或式2表示的杂环化合物：式1式2其中，在式1和式2中，环cy1至环cy6各自独立地为c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基，t1为*-(l1)
b1-(r1)
c1
，t2为*-(l2)
b2-(r2)
c2
，t3为*-(l3)
b3-(r3)
c3
，t4为*-(l4)
b4-(r4)
c4
，*指示与相邻原子的结合位点，a1至a4各自独立地为选自0至10的整数，b1和l1至l4各自独立地为单键、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
5-c
30
碳环基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
30
杂环基，n1和b1至b4各自独立地为选自0至3的整数，r1至r4各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳烷基、未取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳烷基、-o(q1)、-n(q1)
(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)或-s(＝o)2(q1)，b1、l1至l4和r1至r4既不包括任何硅原子也不包括任何磷原子，c1至c4各自独立地为选自0至10的整数，r
10a
为：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；各自未取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或者c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-o(q
11
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)或其任何组合；各自未取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基或者c
2-c
60
杂芳烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-o(q
31
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)或其任何组合；或者-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-o(q
31
)，其中q1至q2、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；各自未取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基或者其任何组合取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基。2.如权利要求1所述的发光装置，其中，在式1和式2中，环cy1至环cy6各自独立地为苯基、吡啶基、萘基、喹啉基、菲基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、菲啶基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、咔唑基或二苯并呋喃基。3.如权利要求1所述的发光装置，其中，在式2中，环cy1、环cy3、环cy5和环cy6各自为吡啶基，并且环cy2和环cy4各自为苯基。4.如权利要求1所述的发光装置，其中式1由式1-1表示：式1-1其中，在式1-1中，t
11
为*-(l
11
)
b11-(r
11
)
c11
，t
12
为*-(l
12
)
b12-(r
12
)
c12
，t
13
为*-(l
13
)
b13-(r
13
)
c13
，t
14
为*-(l
14
)
b14-(r
14
)
c14
，
t
15
为*-(l
15
)
b15-(r
15
)
c15
，t
16
为*-(l
16
)
b16-(r
16
)
c16
，t
17
为*-(l
17
)
b17-(r
17
)
c17
，t
18
为*-(l
18
)
b18-(r
18
)
c18
，l
11
至l
18
各自与权利要求1中限定的l1相同，b11至b18各自与权利要求1中限定的b1相同，r
11
至r
18
各自与权利要求1中限定的r1相同，并且c11至c18各自与权利要求1中限定的c1相同。5.如权利要求1所述的发光装置，其中式2由式2-1至式2-6中的一个表示：式2-1式2-2式2-3式2-4
式2-5式2-6其中，在式2-1至式2-6中，cy1至cy4、t1至t4、a1至a4、b1和n1分别与权利要求1中限定的cy1至cy4、t1至t4、a1至a4、b1和n1相同。6.如权利要求1所述的发光装置，其中，在式2中，b1为：单键；或者未取代或被至少一个r
10a
取代的苯基、未取代或被至少一个r
10a
取代的萘基、未取代或被至少一个r
10a
取代的蒽基、未取代或被至少一个r
10a
取代的菲基、未取代或被至少一个r
10a
取代的苯并喹啉基、未取代或被至少一个r
10a
取代的苯并异喹啉基、未取代或被至少一个r
10a
取代的菲啶基、未取代或被至少一个r
10a
取代的苯并咪唑基、未取代或被至少一个r
10a
取代的苯并噁唑基、未取代或被至少一个r
10a
取代的咔唑基、未取代或被至少一个r
10a
取代的二苯并呋喃基、未取代或被至少一个r
10a
取代的芴基、未取代或被至少一个r
10a
取代的二苯并噻吩基或者未取代或被至少一个r
10a
取代的二苯并噻咯基。
7.如权利要求1所述的发光装置，其中，在式2中n1为1，并且b1为单键或苯基。8.如权利要求1所述的发光装置，其中，在式1和式2中，l1至l4各自独立地为：单键；或各自未取代或被以下取代的亚苯基、亚萘基、亚菲基、亚咔唑基、亚二苯并呋喃基、亚菲咯啉基或者亚吡咯烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、咔唑基、二苯并呋喃基、菲咯啉基、吡咯烷基、-n(q
31
)(q
32
)、-o(q
31
)或其任何组合，其中q
31
和q
32
各自独立地为：-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h或-cd2cdh2；或者各自未取代或被以下取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或者三嗪基：氘、c
1-c
20
烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合。9.如权利要求1所述的发光装置，其中在式1和式2中，r1至r4各自独立地为：氢、氘、-f、氰基或c
2-c
20
烷基；各自未取代或被以下取代的苯基、咔唑基、菲咯啉基、二苯并呋喃基或者吡咯烷基：氘、-f、氰基、c
2-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、咔唑基、菲咯啉基、二苯并呋喃基、吡咯烷基、-n(q
31
)(q
32
)、-o(q
31
)或其任何组合；或者-n(q
31
)(q
32
)或-o(q
31
)，其中q
31
和q
32
各自独立地为：-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h或-cd2cdh2；或者各自未取代或被以下取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或者三嗪基：氘、c
1-c
20
烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合。10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述杂环化合物为选自化合物1至化合物6中的任何一个：
11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二电极包括银。12.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输区进一步包括电子传输层，并且所述电子注入层在所述电子传输层和所述第二电极之间。13.如权利要求12所述的发光装置，其中所述电子传输层的厚度大于所述电子注入层的厚度。14.如权利要求12所述的发光装置，其中所述电子注入层直接接触所述电子传输层。15.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子注入层的厚度为1nm至10nm。16.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子注入层直接接触所述第二电极。17.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层配置为发射红光、绿光或蓝光。18.一种包括如权利要求1至17中任一项所述的发光装置的电子设备。19.如权利要求18所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的所述第一电极电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极或所述漏电极。20.如权利要求18所述的电子设备，进一步包括滤色器、量子点颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。

技术总结
本申请提供了发光装置和包括发光装置的电子设备。发光装置包括第一电极，面向第一电极的第二电极，在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，以及在第二电极和发射层之间的电子传输区。电子传输区包括电子注入层，并且电子注入层包括杂环化合物。并且电子注入层包括杂环化合物。并且电子注入层包括杂环化合物。


技术研发人员：裵晟洙 金美更 金相均 朴惠晸 孙有辰 崔惠媛 许财源
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.03.21
技术公布日：2023/9/26