芯片堆叠结构清洗方法及清洗设备与流程

1.本发明涉及半导体清洗技术领域，特别是涉及一种芯片堆叠结构清洗方法及清洗设备。


背景技术：

2.近年来，随着摩尔定律的放缓，传统的芯片面临设计复杂化和制造成本上升的难题。业界提出通过功能分割、异构集成来实现定制化和降本的chiplet设计理念，并已经在苹果、英特尔等公司获得了验证和成功。
3.chiplet技术中，将芯片设计拆分成多个功能独立的模块进行制造，然后集成在一起实现异构集成芯片，实现了更灵活、更高效的芯片设计。然而，由于不同功能模块来源于不同的晶圆，涉及晶圆制造工艺、材料、结构等方面的差异，也大大增加了芯片制造工艺的复杂度。
4.其中，对于清洗工艺来说，传统使用超声波/兆声波等机械力来去除槽或微孔中的微粒的方案，存在以下缺点：（1）由于不同模块可能采用不同的制程节点，不同的制程节点所需的清洗的超声波频率/能量可能不同，这样，在进行超声波/兆声波清洗时，能够很好清洗某个制程节点的模块的超声波频率/能量，可能对另一种模块来说不足以清洗干净，或者会破坏该模块的图案。即使通过增加系统复杂度，比如，专利cn109075103a（清洗半导体衬底的方法和装置），通过控制兆声波传递到晶片的能量和时间，以降低对衬底上的器件结构的损伤，但这个清洗方法仍然难以保证可以对堆叠结构进行很好的清洗；（2）由于堆叠结构的复杂性，使得超声波/兆声波能量的控制更加困难，相比单一的晶圆的清洗，容易造成导致堆叠结构的机械损伤，例如在兆声波作用下，堆叠结构中存在的互连微柱等微细结构可能会发生断裂和剥落，以及一些材料中的微小缺陷和应力可能会进一步被放大，此外，兆声波还可能加快芯片内部结构发生疲劳和老化。


技术实现要素：

5.基于现有技术中的上述缺陷，本发明的目的在于提供一种芯片堆叠结构清洗方法，清洗效果好，且能有效避免清洗对芯片堆叠结构的表面造成破坏。
6.为此，本发明提供如下技术方案。
7.本发明提供一种芯片堆叠结构清洗方法，包括：s1、根据所述芯片堆叠结构的缝隙参数，确定所述清洗腔内的工作压力；开启真空泵，抽取清洗腔内的气体，以使所述清洗腔处于负压状态；其中，所述清洗腔内容纳有芯片堆叠结构；s2、在所述清洗腔处于负压状态下，并在无超声及无兆声下，控制喷嘴朝向所述芯片堆叠结构喷淋清洗液。
8.优选地，所述步骤s2还包括：
对流向喷嘴的清洗液进行去泡处理。
9.优选地，所述去泡处理包括：将存储所述清洗液的药液箱进行抽气处理。
10.优选地，所述缝隙参数包括缝隙深度和/或缝隙宽度；根据所述芯片堆叠结构的缝隙参数，确定所述清洗腔内的工作压力，包括：响应于所述缝隙参数为第一值，确定所述工作压力为第一工作压力；响应于所述缝隙参数为第二值，确定所述工作压力为第二工作压力；响应于所述缝隙参数为第三值，确定所述工作压力为第三工作压力；其中，所述第一值＜所述第二值＜所述第三值；所述第一工作压力＞所述第二工作压力＞所述第三工作压力。
11.优选地，所述第一值≤2μm，12000pa≤所述第一工作压力＜15000pa；和/或，所述第二值为5-20μm，8000pa≤所述第二工作压力＜12000pa；和/或，所述第三值为50-200μm，5000pa≤所述第三工作压力＜8000pa。
12.优选地，所述喷嘴的喷射压力为0.3-0.6mpa。
13.优选地，所述步骤s2还包括：控制夹持组件带动所述芯片堆叠结构转动；其中，所述夹持组件用于固定所述芯片堆叠结构，所述夹持组件至少部分地位于所述清洗腔内。
14.优选地，所述步骤s2还包括：所述夹持组件于第一转速下驱动所述芯片堆叠结构旋转，进行清洗液喷淋；停止清洗液喷淋，所述夹持组件停止旋转或于第二转速下驱动所述芯片堆叠结构旋转；所述夹持组件于第三转速下驱动所述芯片堆叠结构旋转，进行清洗液喷淋；其中，所述第一转速＜所述第二转速＜第三转速。
15.优选地，所述第一转速≤50r/min；和/或，50r/min＜所述第二转速≤150r/min；和/或，150r/min＜所述第三转速≤600r/min。
16.优选地，所述步骤s2的至少一个步骤中，所述夹持组件配置为正反转间隔作业；和/或，所述清洗液配置为冷热交替喷淋。
17.优选地，所述步骤s2还包括：当喷淋清洗结束后，对所述清洗腔进行破真空，并排空清洗废液。
18.优选地，所述方法还包括：s3、多次重复步骤所述步骤s2；s4、在所述清洗腔处于负压状态下，进行纯水喷淋清洗。
19.优选地，所述方法还包括：s5、多次重复步骤s4；s6、对所述清洗腔进行破真空，恢复常压，旋转甩干或通过热氮气干燥所述芯片堆叠结构。
20.优选地，在开启所述真空泵前还包括：
开启冷却装置，以使所述清洗腔处于预设温度；开启加热装置，以加热所述清洗液；关闭所述清洗腔，以待所述真空泵抽气。
21.本发明还提供一种清洗设备，包括：清洗装置，其包括清洗腔，所述清洗腔内设有夹持组件和喷嘴，所述夹持组件用以夹持芯片堆叠结构并驱动所述芯片堆叠结构旋转；真空泵，其与所述清洗腔连通；所述真空泵用以抽取所述清洗腔内的气体。
22.本发明具有以下技术效果：本发明提供一种芯片堆叠结构清洗方法，在负压状态下对芯片堆叠结构进行喷淋清洗，使得清洗液能够充分地进入芯片堆叠结构的缝隙里，有利于缝隙内的污染物与清洗液充分接触，提高清洗效果。相对于现有的超声或兆声清洗的技术方案，还能避免超声或兆声的机械力对芯片堆叠结构的表面造成破坏。此外，根据缝隙参数确定清洗腔的工作压力，对不同类型的芯片堆叠结构均能够实现较好的清洗效果。
附图说明
23.图1为本发明的方法的步骤流程图；图2为本发明的清洗设备的结构俯视图；图3为本发明的清洗装置和冷却装置的装配结构示意图；图4为本发明的清洗装置的立体结构示意图；图5为本发明的清洗装置的侧视图。
24.附图标记说明100、清洗设备；1、清洗装置；11、真空阀；12、破真空阀；13、排液阀；2、真空泵；3、混液装置；4、加热装置；5、冷却装置；51、冷却容器；52、第二管道；53、第三管道；6、第一管道。
具体实施方式
25.为使本发明的技术方案和有益效果能够更加明显易懂，下面通过列举具体实施例的方式进行详细说明。除非另有定义，本文所使用的技术和科学术语与本技术所属的技术领域中的技术和科学术语的含义相同。
26.在本发明的描述中，除非另有明确的限定，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“高度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于本发明的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，即不能理解为对本发明的限制。
27.在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述清楚的目的，不能理解为所指示特征
的相对重要性或所指示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个；“若干个”的含义是至少一个；另有明确限定的除外。
28.在本发明中，除非另有明确的限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”、“设置”等应作广义理解。例如，“连接”，可以是固定连接、可拆卸连接或一体成型；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
29.在本发明中，除非另有明确的限定，第一特征在第二特征“上”、“之上”、“上方”和“上面”、“下”、“之下”、“下方”或“下面”可以是第一特征和第二特征直接接触，或第一特征和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可以是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征的水平高度高于第二特征的水平高度。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征的水平高度小于第二特征的水平高度。
30.下面根据图1至图5详细说明本发明的清洗方法。
31.在本实施方式中，如图1和图2所示，芯片堆叠结构清洗方法包括：s1、根据芯片堆叠结构的缝隙参数，确定清洗装置1的清洗腔内的工作压力；开启真空泵2，抽取清洗腔内的气体，以使清洗腔处于所需工作压力的负压状态；其中，清洗腔内容纳有芯片堆叠结构；s2、在清洗腔处于负压状态下，并且，在无超声及无兆声下，控制喷嘴朝向芯片堆叠结构喷淋清洗液。
32.通过采用上述技术方案，在负压状态下对芯片堆叠结构进行喷淋清洗，使得清洗液能够充分地进入芯片堆叠结构的缝隙里，有利于缝隙内的污染物与清洗液充分接触，提高清洗效果。相对于超声或兆声清洗，还能避免超声或兆声的机械力对芯片堆叠结构的表面造成破坏。此外，根据缝隙参数确定清洗腔的工作压力，对不同类型的芯片堆叠结构均能够实现较好的清洗效果。
33.进一步地，步骤s2还包括：对流向喷嘴的清洗液进行去泡处理。具体地，清洗液在导入清洗腔内之前需要加热处理，而清洗液在加热过程中会出现汽化，导致气泡产生，气泡进入清洗腔内会影响清洗腔内的工作压力，因而，通过去泡处理，能够避免清洗液的喷淋导致清洗腔的工作压力与芯片堆叠结构的缝隙参数不匹配。
34.进一步地，去泡处理包括：将存储清洗液的药液箱进行抽气处理。具体地，通过抽真空或减压处理，以对药液箱内的清洗液进行去泡，操作简单快速。
35.在一实施方式中，缝隙参数包括缝隙深度和/或缝隙宽度，通常，芯片堆叠结构的缝隙宽度大于缝隙深度，极小的缝隙深度导致清洗液进入缝隙内的难度增大，当然，也有部分的芯片堆叠结构的缝隙宽度小于缝隙深度，极小的缝隙宽度导致清洗液进入缝隙内的难度增大。具体地，缝隙参数选自缝隙深度和缝隙宽度两者之中较小的一者。
36.在一实施方式中，根据芯片堆叠结构的缝隙参数，确定清洗腔内的工作压力，包括：响应于缝隙参数为第一值，确定工作压力为第一工作压力；
响应于缝隙参数为第二值，确定工作压力为第二工作压力；响应于缝隙参数为第三值，确定工作压力为第三工作压力；其中，第一值＜第二值＜第三值；第一工作压力＞第二工作压力＞第三工作压力。具体地，当缝隙参数较小时，清洗腔内的工作压力配置为较大，此时，清洗腔内的真空度较低，含有更多的气体，能够加大喷嘴喷淋时受到的阻力，以降低清洗液对缝隙的冲击力，进而能够保护缝隙避免其受到损坏，并且，工作压力增大，能够降低清洗液表面张力的影响，使得清洗液能够更好地挤压缝隙而顺利进入缝隙。反之，缝隙参数增大时，清洗腔内的工作压力减小，此时，清洗腔内的真空度增加，气体含量减少，进而减小喷嘴喷淋时收到的阻力，更便于清洗液进入缝隙中。
37.进一步地，第一值≤2μm，12000pa≤第一工作压力＜15000pa。比如，浅沟槽隔离shallow trench isolation（sti）结构，其缝隙深度或缝隙宽度中至少一者的尺寸≤2μm，配置清洗腔内气压为第一工作压力，第一工作压力较大，真空度较低，含有更多的气体，能够加大喷嘴喷淋时受到的阻力，确保清洗液能够充分地进入缝隙中，同时，还能够保护缝隙不受损。
38.进一步地，第二值为5-20μm，8000pa≤第二工作压力＜12000pa。比如，cmos工艺中深互联工艺，其缝隙深度或缝隙宽度中至少一者的尺寸为5-20μm，配置清洗腔内气压为第二工作压力，第二工作压力小于第一工作压力，此时，真空度增加，含有的气体量减少，能够减少嘴喷淋时受到的阻力，保护缝隙不受损的同时更便于清洗液进入缝隙中。
39.进一步地，第三值为50-200μm，5000pa≤第三工作压力＜8000pa。比如，ubm制程中芯片与基板之间形成的沟槽结构，其缝隙深度或缝隙宽度中至少一者的尺寸为50-200μm，配置清洗腔内气压为第三工作压力，第三工作压力小于第二工作压力，此时，真空值更高，含有的气体量更少，以进一步地减少嘴喷淋时受到的阻力，保护缝隙不受损的同时更便于清洗液进入缝隙中。
40.在一实施方式中，喷嘴的喷射压力为0.3-0.6mpa，以防喷射压力过大而对芯片堆叠结构的图案或缝隙造成损坏。优选地，在清洗的整个过程中，喷射压力保持不变，以便于控制。
41.在一实施方式中，步骤s2还包括：控制夹持组件带动芯片堆叠结构转动；其中，夹持组件用于固定芯片堆叠结构，夹持组件至少部分地位于清洗腔内，以便于喷嘴对芯片堆叠结构进行全方位喷淋，提高清洗效果。
42.应当理解，当将芯片堆叠结构安装于夹持组件上时，先控制夹持组件带动芯片堆叠结构转动，以使得芯片堆叠结构处于待清洗位置。
43.进一步地，步骤s2还包括：s21、夹持组件于第一转速下驱动芯片堆叠结构旋转，进行清洗液喷淋，第一转速较小，以防芯片堆叠结构转动过快，导致喷淋在芯片堆叠结构上的清洗液还未充分进入缝隙中时在离心力作用下被甩出，以确保清洗液能够全面覆盖芯片堆叠结构的表面，其中，喷淋时间可以为15s；优选地，第一转速≤50r/min；s22、停止清洗液喷淋，夹持组件停止旋转或于第二转速下驱动芯片堆叠结构旋转，第二转速大于第一转速，使得清洗液在负压作用下充分浸润芯片堆叠结构的底部及缝隙；优选地，50r/min＜第二转速≤150r/min；
s23、夹持组件于第三转速下驱动芯片堆叠结构旋转，进行清洗液喷淋，对芯片堆叠结构进行冲洗，第三转速大于第二转速，较高的第三转速能够使得清洗液在离心力作用下与缝隙内的污染物充分反应，对芯片堆叠结构的外部及内部残留的污染物充分清洗；优选地，150r/min＜第三转速≤600r/min；应当理解，在该清洗过程中，持续对清洗腔进行抽真空，以保持清洗腔内的负压值。
44.进一步地，步骤s2的至少一个步骤中，夹持组件配置为正反转间隔作业，间隔时间可以配置为小于等于3s，以提高清洗效果。
45.进一步地，步骤s2的至少一个步骤中，清洗液配置为冷热交替喷淋，以提高清洗效果。具体地，冷热交替时间可以配置为小于等于3s，冷温为16-24℃，热温为50-60℃。
46.优选地，在步骤s22和步骤s23中，夹持组件配置为正反转间隔作业，和/或，清洗液配置为冷热交替喷淋。在步骤s21中，夹持组件配置为沿一个方向旋转驱动，清洗液以恒温（一定范围温度内）供应，有利于药液全面覆盖芯片堆叠结构。
47.在一实施方式中，步骤s2还包括：当喷淋清洗结束后，对清洗腔进行破真空，并排空清洗废液。优选地，在该过程中，夹持组件停止旋转或于第二转速下驱动芯片堆叠结构旋转，其中，50r/min＜所述第二转速≤150r/min，以保持芯片堆叠结构表面湿润。
48.在一实施方式中，方法还包括：s3、多次重复步骤s2，比如，重复4-8次，以充分清洗污染物；s4、在清洗腔处于负压状态下，进行纯水喷淋清洗，以冲洗掉芯片堆叠结构的外部及内部残留的污染物及清洗液。
49.进一步地，步骤s4包括：开启真空泵，抽取清洗腔内的气体，以使清洗腔的工作压力为5000pa-10000pa，在该工作压力下进行纯水清洗，有利于纯水充分地进入芯片堆叠结构的缝隙中且不损坏结构表面。
50.进一步地，纯水喷淋清洗包括：s41、夹持组件于第四转速下驱动芯片堆叠结构旋转，第四转速较小，以使得纯水全面覆盖芯片堆叠结构的表面，进行纯水喷淋；优选地，第四转速≤50r/min；s42、夹持组件于第五转速下动芯片堆叠结构旋转，第五转速大于第四转速，进行纯水喷淋，使得纯水在离心力作用力下对芯片堆叠结构的外部及内残留的污染物和清洗液进行冲洗；优选地，150r/min≤第五转速≤600r/min。
51.进一步地，步骤s4的至少一个步骤中，夹持组件配置为正反转间隔作业，间隔时间可以配置为小于等于3s，以提高清洗效果。
52.进一步地，步骤s4的至少一个步骤中，所纯水配置为冷热交替喷淋，以提高清洗效果。具体地，冷热交替时间可以配置为小于等于3s，冷温为16-24℃，热温为50-60℃。
53.进一步地，方法还包括：s5、多次重复步骤s4，比如，重复10-13次，以充分清洗堆叠结构外部及内部残留的污染物及清洗液；s6、对清洗腔进行破真空，恢复常压，旋转甩干或通过热氮气干燥芯片堆叠结构，清洗完毕，可以取出芯片堆叠结构。
54.在一实施方式中，在开启真空泵前还包括：开启冷却装置5，以使清洗腔处于预设温度，以保持适宜清洗的温度环境；
开启加热装置4，以加热混液装置3内的清洗液，以使得清洗液的温度适宜清洗；优选地，加热装置4用以维持清洗液的温度为16-24℃或50℃-60℃；关闭清洗腔，以待真空泵抽气。
55.本发明还提供一种清洗设备，用以执行上述方法。如图2至图5所示，清洗设备100包括清洗装置1和真空泵2，清洗装置1包括清洗腔，清洗腔内设有夹持组件和喷嘴，夹持组件用以夹持芯片堆叠结构并驱动芯片堆叠结构旋转。真空泵2与清洗腔通过第一管道6连接，清洗装置1设有真空阀11，真空阀11用以控制第一管道6的启闭。清洗时，根据芯片堆叠结构的缝隙参数，确定清洗腔内的工作压力，通过真空泵2抽取清洗腔内的气体，以使得清洗腔处于所需工作压力的负压状态，并通过真空计监测清洗腔内的工作压力，当工作压力达到所需值时，夹持组件开启旋转。
56.通过采用上述技术方案，能够使得清洗腔内处于所需的负压状态下执行清洗，这样，清洗液在负压状态下能够充分地进入芯片堆叠结构的缝隙里，有利于缝隙内的污染物与清洗液充分接触，提高清洗效果。喷嘴喷淋配合负压环境，替代现有的超声或兆声清洗的技术方案，能够避免超声或兆声的机械力对芯片堆叠结构的表面造成破坏。
57.应当理解，夹持组件可以是任意现有结构，比如，夹持组件包括第一驱动组件、第二驱动组件和夹持爪，第一驱动组件用以驱动夹持爪张开或闭合，以松开或夹持芯片堆叠结构，第二驱动组件用以驱动第一驱动组件转动，通过第一驱动组件带动夹持爪发生转动。
58.在一实施方式中，如图1所示，清洗设备100还包括混液装置3、加热装置4和冷却装置5，冷却装置5与清洗装置1连接，用以冷却清洗腔，以使得清洗腔内的温度处于适宜清洗的温度环境。加热装置4与混液装置3连接，用以加热混液装置3内的清洗液。混液装置3与清洗装置1的喷嘴连接，用以混合清洗液并通过喷嘴喷出加热后的清洗液。
59.进一步地，如图2所示，冷却装置5包括冷却容器51、第二管道52和第三管道53，第二管道52的两端分别与冷却容器51和清洗腔连通，第三管道53的两端分别与冷却容器51和清洗腔连通，构成冷却循环通路，其中，第二管道52用以将冷却容器51内的冷却液通入清洗腔内，第三管道53用以将清洗腔内的吸收热量后的冷却液排出至冷却容器51内。优选地，冷却液的温度为16-20℃。
60.在一实施方式中，如图4和图5所示，清洗装置1设有破真空阀12和排废阀13，破真空阀12用以对清洗腔进行破真空，排废阀13用以对清洗腔进行排空。
61.在一实施方式中，喷嘴的形状包括但不限于锥形或扇形，喷嘴的角度可以调节。
62.应当理解，以上实施例均为示例性的，不用于包含权利要求所包含的所有可能的实施方式。在不脱离本公开的范围的情况下，还可以在以上实施例的基础上做出各种变形和改变。同样的，也可以对以上实施例的各个技术特征进行任意组合，以形成可能没有被明确描述的本发明的另外的实施例。因此，上述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，不对本发明专利的保护范围进行限制。

技术特征：
1.一种芯片堆叠结构清洗方法，其特征在于，包括：s1、根据所述芯片堆叠结构的缝隙参数，确定所述清洗腔内的工作压力；开启真空泵，抽取清洗腔内的气体，以使所述清洗腔处于负压状态；其中，所述清洗腔内容纳有芯片堆叠结构；s2、在所述清洗腔处于负压状态下，并在无超声及无兆声下，控制喷嘴朝向所述芯片堆叠结构喷淋清洗液。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤s2还包括：对流向喷嘴的清洗液进行去泡处理。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去泡处理包括：将存储所述清洗液的药液箱进行抽气处理。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缝隙参数包括缝隙深度和/或缝隙宽度；根据所述芯片堆叠结构的缝隙参数，确定所述清洗腔内的工作压力，包括：响应于所述缝隙参数为第一值，确定所述工作压力为第一工作压力；响应于所述缝隙参数为第二值，确定所述工作压力为第二工作压力；响应于所述缝隙参数为第三值，确定所述工作压力为第三工作压力；其中，所述第一值＜所述第二值＜所述第三值；所述第一工作压力＞所述第二工作压力＞所述第三工作压力。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一值≤2μm，12000pa≤所述第一工作压力＜15000pa；和/或，所述第二值为5-20μm，8000pa≤所述第二工作压力＜12000pa；和/或，所述第三值为50-200μm，5000pa≤所述第三工作压力＜8000pa。6.根据权利要求1-5中任意一项所述的方法，其特征在于，所述喷嘴的喷射压力为0.3-0.6mpa。7.根据权利要求1-5中任意一项所述的方法，其特征在于，所述步骤s2还包括：控制夹持组件带动所述芯片堆叠结构转动；其中，所述夹持组件用于固定所述芯片堆叠结构，所述夹持组件至少部分地位于所述清洗腔内。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤s2还包括：所述夹持组件于第一转速下驱动所述芯片堆叠结构旋转，进行清洗液喷淋；停止清洗液喷淋，所述夹持组件停止旋转或于第二转速下驱动所述芯片堆叠结构旋转；所述夹持组件于第三转速下驱动所述芯片堆叠结构旋转，进行清洗液喷淋；其中，所述第一转速＜所述第二转速＜第三转速。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一转速≤50r/min；和/或，50r/min＜所述第二转速≤150r/min；和/或，150r/min＜所述第三转速≤600r/min。10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述步骤s2的至少一个步骤中，所述夹持组件配置为正反转间隔作业；和/或，所述清洗液配置为冷热交替喷淋。
11.根据权利要求1-5中任意一项所述的方法，其特征在于，所述步骤s2还包括：当喷淋清洗结束后，对所述清洗腔进行破真空，并排空清洗废液。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：s3、多次重复步骤所述步骤s2；s4、在所述清洗腔处于负压状态下，进行纯水喷淋清洗。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：s5、多次重复步骤s4；s6、对所述清洗腔进行破真空，恢复常压，旋转甩干或通过热氮气干燥所述芯片堆叠结构。14.根据权利要求1-5中任意一项所述的方法，其特征在于，在开启所述真空泵前还包括：开启冷却装置，以使所述清洗腔处于预设温度；开启加热装置，以加热所述清洗液；关闭所述清洗腔，以待所述真空泵抽气。15.一种清洗设备，其特征在于，包括：清洗装置（1），其包括清洗腔，所述清洗腔内设有夹持组件和喷嘴，所述夹持组件用以夹持芯片堆叠结构并驱动所述芯片堆叠结构旋转；真空泵（2），其与所述清洗腔连通；所述真空泵（2）用以抽取所述清洗腔内的气体。

技术总结
本发明涉及一种芯片堆叠结构清洗方法及清洗设备，方法包括：S1、根据所述芯片堆叠结构的缝隙参数，确定所述清洗腔内的工作压力；开启真空泵，抽取清洗腔内的气体，以使所述清洗腔处于负压状态；其中，所述清洗腔内容纳有芯片堆叠结构；S2、在所述清洗腔处于负压状态下，并在无超声及无兆声下，控制喷嘴朝向所述芯片堆叠结构喷淋清洗液。本发明的方法，在负压状态下对芯片堆叠结构进行喷淋清洗，使得清洗液能够充分地进入芯片堆叠结构的缝隙里，有利于缝隙内的污染物与清洗液充分接触，提高清洗效果，还能够有效地避免清洗对芯片堆叠结构的表面造成破坏。面造成破坏。面造成破坏。


技术研发人员：蒋超伟 廖周芳 马玉峰 吴疆 鲍雨
受保护的技术使用者：江苏芯梦半导体设备有限公司
技术研发日：2023.08.30
技术公布日：2023/10/6