一种存储器读数据稳定方法及装置与流程

1.本发明涉及存储器领域，特别是涉及一种存储器读数据稳定方法及装置。


背景技术：

2.在一些存储器中通常包括多个灵敏放大器、参考电路以及阵列，例如mram(magnetoresistive random access memory，磁性随机存储器)，用以实现数据的并行输出。每个灵敏放大器的两个输入端均分别连接一个参考电路和一个阵列。在读取阵列中存储的数据时，存储器中的阵列位元通过存储器中的灵敏放大器读取存储器中的阵列内存储的数据。要想稳定的读出阵列内存储的数据，要求各参考电路的等效电阻值在一个特定的区间内，这个特定的区间被称为读窗口，读窗口越大，在读取阵列中的数据时的读稳定性越好，读错数据的概率越低。读窗口的大小与各参考电路的等效电阻值的差值相关，各参考电路的等效电阻值相等时，读窗口最大。而由于参考电路中的mos管、电阻等器件制造时存在一定偏差，因此即使采用相同型号的mos管、相同标称值的电阻，各参考电路的等效电阻值还是存在一定的偏差，减小了读窗口的大小，降低了读取数据的稳定性。


技术实现要素：

3.本发明的目的是提供一种存储器读数据稳定方法及装置，增大了读窗口的大小，提高了读取数据的稳定性，且实现了对存储器中灵敏放大器的复用。
4.为解决上述技术问题，本发明提供了一种存储器读数据稳定方法，应用于存储器，所述存储器包括n个灵敏放大器、n个参考电路、n个第一修调模块、n个阵列及mux电路，n为不小于2的整数，所述存储器读数据稳定方法包括：
5.在接收到控制指令时确定任一个所述第一修调模块为基准修调模块，调节所述基准修调模块的等效电阻值为最佳电阻值，控制所述mux电路将与所述基准修调模块对应的灵敏放大器的第一输入端、所述基准修调模块以及与所述基准修调模块对应的参考电路串联后接地；
6.确定其它未被调节的第一修调模块中任一个作为待调修调模块，控制所述mux电路将与所述基准修调模块对应的灵敏放大器的第二输入端、所述待调修调模块以及与所述待调修调模块对应的参考电路串联后接地；
7.根据所述灵敏放大器的输出信号调节所述待调修调模块的等效电阻值，以使所述待调修调模块和与所述待调修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值等于所述基准修调模块和与所述基准修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值；
8.判断是否所有所述第一修调模块和与所述第一修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值均等于所述基准修调模块和与所述基准修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值，若不均等于，则返回确定其它未被调节的第一修调模块中任一个作为待调修调模块的步骤。
9.优选的，根据所述灵敏放大器的输出信号调节所述待调修调模块的等效电阻值，
包括：
10.确定所述灵敏放大器的初始输出信号；
11.调节所述待调修调模块的等效电阻值直到所述灵敏放大器的初始输出信号发生改变。
12.优选的，所述存储器还包括n个第二修调模块和n个电阻，所述灵敏放大器的两个输入端分别与和自身对应的第二修调模块的一端以及和自身对应的电阻的一端连接，所述电阻和所述第二修调模块的另一端均与所述mux电路连接，在接收到控制指令时确定任一个所述第一修调模块为基准修调模块之前，还包括：
13.确定未被调节的第二修调模块中的任意一个作为待调修调模块；
14.通过控制所述mux电路使与待调修调模块对应的灵敏放大器的两端电位相等；
15.根据与待调修调模块对应的灵敏放大器的输出信号调节所述待调修调模块的等效电阻值，以使得所述待调修调模块的等效电阻值等于与待调修调模块对应的灵敏放大器对应连接的电阻的阻值；
16.判断是否所有所述第二修调模块的等效电阻值均等于与第二修调模块对应的灵敏放大器对应连接的电阻的阻值，若不均等于，则返回确定未被调节的第二修调模块中的任意一个作为待调修调模块的步骤，若均等于，进入在接收到控制指令时确定任一个所述第一修调模块为基准修调模块的步骤。
17.优选的，所述第一修调模块包括多个电阻和可控开关，多个所述电阻串联后和与所述待调修调模块连接的灵敏放大器的第一输入端以及与所述待调修调模块对应的参考电路串联，且每个电阻两端并联有可控开关，调节所述待调修调模块的等效电阻值，包括：
18.通过控制所述可控开关的通断控制接入电路的电阻的数量。
19.优选的，所述电阻为mtj或poly电阻。
20.优选的，所述第一修调模块包括多个并联的mos管，调节所述待调修调模块的等效电阻值，包括：
21.通过控制接入电路的mos管的数量调节所述待调修调模块的等效电阻值。
22.优选的，所述灵敏放大器为电流比较器或电压比较器。
23.优选的，确定其它未被调节的第一修调模块中任一个作为待调修调模块，包括：
24.确定与所述基准修调模块距离最近的未被调节的第一修调模块作为所述待调修调模块；
25.根据所述灵敏放大器的输出信号调节所述待调修调模块的等效电阻值，之后，还包括：
26.将所述待调修调模块作为新的基准修调模块。
27.本发明还提供了一种存储器读数据稳定装置，包括控制模块、n个灵敏放大器、n个参考电路、n个第一修调模块、n个阵列及mux电路；
28.所述灵敏放大器的输入端均与所述mux电路连接，输出端均与所述控制模块连接；
29.所述参考电路均与和自身对应的第一修调模块串联后与所述mux电路连接；
30.所述阵列均与所述mux电路连接；
31.所述控制模块还与n个所述灵敏放大器和n个所述第一修调模块连接；
32.所述控制模块用于执行如上述的存储器读数据稳定方法。
33.优选的，所述控制模块为bist模块。
34.本发明提供了一种存储器读数据稳定方法及装置，在确定基准修调模块后，将基准修调模块的等效电阻值调节为预先得到的最佳电阻值，然后将与基准修调模块连接的灵敏放大器的第二输出端与待调修调模块连接，根据灵敏放大器调节的输出信号调节待调修调模块，以使各个参考电路与和各参考电路串联的第一修调模块串联后的总阻值均相等，增大了读窗口的大小，提高了读取数据的稳定性，且实现了对存储器中灵敏放大器的复用。
附图说明
35.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
36.图1为本发明提供的一种存储器读数据稳定方法的流程图；
37.图2为本发明提供的一种存储器读数据稳定装置的结构示意图；
38.图3为本发明提供的另一种存储器读数据稳定装置的结构示意图。
具体实施方式
39.本发明的核心是提供一种存储器读数据稳定方法及装置，增大了读窗口的大小，提高了读取数据的稳定性，且实现了对存储器中灵敏放大器的复用。
40.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
41.具体请参照图1，图1为本发明提供的一种存储器读数据稳定方法的流程图。
42.一种存储器读数据稳定方法，应用于存储器，存储器包括n个灵敏放大器、n个参考电路、n个第一修调模块、n个阵列及mux(multiplexer，多路开关)电路，灵敏放大器的输入端均与mux电路连接，参考电路均与和自身对应的第一修调模块串联后与mux电路连接，阵列均与mux电路连接，n为不小于2的整数，存储器读数据稳定方法包括：
43.s1：在接收到控制指令时确定任一个第一修调模块为基准修调模块，调节基准修调模块的等效电阻值为最佳电阻值，控制mux电路将与基准修调模块对应的灵敏放大器的第一输入端、基准修调模块以及与基准修调模块对应的参考电路串联后接地，最佳电阻值为通过对阵列进行读写预先确定的使得读稳定性最好的第一修调模块的电阻值；
44.由于在读取阵列中的数据时，读取数据的准确性与和灵敏放大器的一个输入端所连接的参考电路的等效电阻值相关。通过预先对阵列进行读写操作，根据读数据时的稳定性能够得到在读取阵列中的数据时稳定性最好的参考电路对应的等效电阻值。现有技术中，直接在生产时设置所有参考电路的等效电阻值为最佳电阻值，但由于参考电路中的各个mos管、电阻的等器件的制造工艺的偏差，使得各参考电路的等效电阻值存在偏差。在本实施例中，额外设置了与n个参考电路一一对应的第一修调模块，通过调节与参考电路串联的第一修调模块的电阻值，来改变参考电路和与参考电路对应的第一修调模块串联后的总
的等效电阻值。在本实施例中，先确定n个第一修调模块中的任意一个为基准修调模块，然后调节基准修调模块的等效电阻值为最佳电阻值，以使得基准修调模块和与基准修调模块对应的参考电路串联后的总的等效电阻值为使得读取阵列中的数据时稳定性最好的等效电阻值。以便后续以基准修调模块为基准，调节其它第一修调模块，使得其它第一修调模块和与其它第一修调模块对应的参考电路串联后的总的等效电阻值为使得读取阵列中的数据时稳定性最好的等效电阻值。
45.此外，此处的存储器可以但不限是mram。
46.s2：确定其它未被调节的第一修调模块中任一个作为待调修调模块，控制mux电路将与基准修调模块对应的灵敏放大器的第二输入端、待调修调模块以及与待调修调模块对应的参考电路串联后接地；
47.为了根据基准修调模块调节其它第一修调模块，以使得其它第一修调模块和与其它第一修调模块对应的参考电路串联后的总的等效电阻值等于基准修调模块和与基准修调模块对应的参考电路串联后的总的等效电阻值，在本实施例中，会先确定其它未被调节的第一修调模块作为待调修调模块。其它未被调节的第一修调模块是指除了基准修调模块以外的等效电阻值未被调节至最佳电阻值的第一修调模块。在确定待调修调模块后，控制mux电路将与基准修调模块对应的灵敏放大器的第二输入端、待调修调模块以及与待调修调模块对应的参考电路串联后接地，以使得待调修调模块和基准修调模块分别与和基准修调模块对应的灵敏放大器的两端连接。
48.s3：根据灵敏放大器的输出信号调节待调修调模块的等效电阻值，以使待调修调模块和与待调修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值等于基准修调模块和与基准修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值；
49.在本实施例中，通过将存储器中自带的灵敏放大器作为比较器，将灵敏放大器的一个输入端与基准修调模块和与基准修调模块对应的参考电路连接，另一个输入端与待调修调模块和与待调修调模块对应的参考电路连接，根据灵敏放大器的输出信号来调节待调修调模块的等效电阻值。例如，在对待调修调模块进行调节之前，灵敏放大器的输出信号为0，当通过调节待调修调模块的电阻值使得灵敏放大器的输出信号刚好变为1时，认为此时基准修调模块和与基准修调模块对应的参考电路串联后的总的等效电阻值的等于待调修调模块和与待调修调模块对应的参考电路串联后的总的等效电阻值。
50.s4：判断是否所有第一修调模块和与第一修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值均等于基准修调模块和与基准修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值，若不均等于，则返回确定其它未被调节的第一修调模块中任一个作为待调修调模块的步骤。
51.在完成对待调修调模块的调节后，还需要判断是否所有第一修调模块和与第一修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值均等于基准修调模块和与基准修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值，也即是否完成了对所有第一修调模块的调节，使得所有第一修调模块和与第一修调模块对应的参考电路串联后的总的等效电阻值均相等。若判断结果为所有第一修调模块和与第一修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值均等于基准修调模块和与基准修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值，则说明对所有的第一修调模块均调解完毕，测试结束，若判断结果为存在第一修调模块和与第一修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值不等于基准修调模块和与基准修调模块对应的参考电
路串联后的等效电阻值，则说明还有第一修调模块未被调节，因此需要返回确定其它未被调节的第一修调模块中任一个作为待调修调模块的步骤，以便完成对全部第一修调模块的调节。
52.综上所述，在本实施例中，在确定基准修调模块后，将基准修调模块的等效电阻值调节为预先得到的最佳电阻值，然后将与基准修调模块连接的灵敏放大器的第二输出端与待调修调模块连接，根据灵敏放大器调节的输出信号调节待调修调模块，以使各个参考电路与和各参考电路串联的第一修调模块串联后的总阻值均相等，增大了读窗口的大小，提高了读取数据的稳定性，且实现了对存储器中灵敏放大器的复用。
53.在上述实施例的基础上：
54.作为一种优选的实施例，根据灵敏放大器的输出信号调节待调修调模块的等效电阻值，包括：
55.确定灵敏放大器的初始输出信号；
56.调节待调修调模块的等效电阻值直到灵敏放大器的初始输出信号发生改变。
57.由于在灵敏放大器的两个输入端的等效电阻值从不相等变得相等时，灵敏放大器的输出信号会发生变化，因此，在本实施例中，在灵敏放大器的输出信号发生改变的时刻，判定为基准修调模块和与基准修调模块对应的参考电路串联后的总的等效电阻值刚好等于待调修调模块和与待调修调模块对应的参考电路串联后的总的等效电阻值。
58.具体的，首先确定灵敏放大器的初始输出信号，例如初始输出信号为0或1，以便根据初始输出信号判断灵敏放大器的输出信号的变化。然后调节待调修调模块的等效电阻值，直到灵敏放大器的输出信号发生改变，例如，灵敏放大器的初始输出信号为0时，调节待调修调模块的等效电阻值，直到灵敏放大器的输出信号变为1。通过上述方式简单且准确的实现了对待调修调模块的等效电阻值的调节。
59.具体请参照图3，图3为本发明提供的另一种存储器读数据稳定装置的结构示意图。
60.作为一种优选的实施例，存储器还包括n个第二修调模块31和n个电阻32，灵敏放大器21的两个输入端分别与和自身对应的第二修调模块31的一端以及和自身对应的电阻32的一端连接，电阻32和第二修调模块31的另一端均与mux电路25连接，在接收到控制指令时确定任一个第一修调模块23为基准修调模块之前，还包括：
61.确定未被调节的第二修调模块31中的任意一个作为待调修调模块；
62.通过控制mux电路25使与待调修调模块对应的灵敏放大器21的两端电位相等；
63.根据与待调修调模块对应的灵敏放大器21的输出信号调节待调修调模块的等效电阻值，以使得待调修调模块的等效电阻值等于与待调修调模块对应的灵敏放大器21对应连接的电阻32的阻值；
64.判断是否所有第二修调模块31的等效电阻值均等于与第二修调模块31对应的灵敏放大器21对应连接的电阻32的阻值，若不均等于，则返回确定未被调节的第二修调模块31中的任意一个作为待调修调模块的步骤，若均等于，进入在接收到控制指令时确定任一个第一修调模块23为基准修调模块的步骤。
65.考虑到搭建灵敏放大器21的mos管之间由于工艺偏差从而影响灵敏放大器21的比较效果，使得在灵敏放大器21的输出信号刚好改变时，基准修调模块和与基准修调模块对
应的参考电路22串联后的总的等效电阻值不能刚好等于待调修调模块和与待调修调模块对应的参考电路22串联后的总的等效电阻值。为了解决上述技术问题，在本实施例中，在存储器还设置了n个第二修调模块31和n个电阻32，通过调节每个灵敏放大器21对应的第二修调模块31的等效电阻值，以使得每个灵敏放大器21的两个输入端端连接的第二修调模块31和电阻32的阻值分别相等，保证了无论以哪个第一修调模块23作为基准修调模块，基准修调模块对应的灵敏放大器21本身带来的误差不会影响到比较效果，提高了灵敏放大器21的比较精度，使得对各第一修调模块23调节后的结果更加准确。
66.作为一种优选的实施例，第一修调模块23包括多个电阻和可控开关，多个电阻串联后和与待调修调模块连接的灵敏放大器21的第一输入端以及与待调修调模块对应的参考电路22串联，且每个电阻两端并联有可控开关，调节待调修调模块的等效电阻值，包括：
67.通过控制可控开关的通断控制接入电路的电阻的数量。
68.为了便于对第一修调模块23的等效电阻值进行调节，在本实施例中，每个第一修调模块23中均包括多个电阻和可控开关，且每个电阻两端均并联有可控开关。当电阻两端的可控开端接收到控制指令处于闭合状态时，与闭合的可控开关并联的电阻处于短路状态，不接入电路中，当电阻两端的可控开端接收到控制指令处于断开状态时，与断开的可控开关并联的电阻接入电路。因此第一修调模块23的等效电阻值等于，与所有断开的可控开关并联的电阻串联后的总阻值。通过对各个可控开关的控制实现了对第一修调模块23的等效电阻值的调节且实现方式简单。
69.还需要说明的是，此处的可控开关可以但不限于是mos管。
70.作为一种优选的实施例，电阻为mtj(magnetic tunnel junctions，磁性隧道结)或poly电阻。
71.mtj通常由铁磁层、绝缘隧穿层以及固定层构成三层基本单元。当铁磁层和固定层的磁矩相反时，存储器表现为高阻态，当铁磁层和固定层的磁矩相同时，存储器表现为低阻态。mtj具有电阻率很高、能耗小、性能稳定的优点。ploy电阻也是具有电阻偏差小，温度系数可以控制等优点。
72.作为一种优选的实施例，第一修调模块23包括多个并联的mos管，调节待调修调模块的等效电阻值，包括：
73.通过控制接入电路的mos管的数量调节待调修调模块的等效电阻值。
74.为了便于对第一修调模块23的等效电阻值进行调节，在本实施例中，每个第一修调模块23中均包括多个并联的mos管，实现了对第一修调模块23的等效电阻值的调节且电路设计简单。
75.作为一种优选的实施例，灵敏放大器21为电流比较器或电压比较器。
76.在本实施例中，灵敏放大器21为电流比较器或电压比较器，在灵敏放大器21为电流比较器时，通过比较各个参考电路22间的电流节点来比较各参考电路22和与各参考电路22串联的第一修调模块23串联后的总阻值，在灵敏放大器21为电压比较器时，通过比较各个参考电路22间的电压节点来比较各参考电路22和与各参考电路22串联的第一修调模块23串联后的总阻值，能够满足用户在不同电路结构和不同应用场景下的不同需求。
77.作为一种优选的实施例，确定其它未被调节的第一修调模块23中任一个作为待调修调模块，包括：
78.确定与基准修调模块距离最近的未被调节的第一修调模块23作为待调修调模块；
79.根据灵敏放大器21的输出信号调节待调修调模块的等效电阻值，之后，还包括：
80.将待调修调模块作为新的基准修调模块。
81.考虑到在阵列24的数量较多时，确定基准修调模块后，需要与基准修调模块进行比较第一修调模块23的数量较多，而在待调修调模块与基准修调模块的距离较远时，过长的电路将会带来过大的线阻，从而影响了灵敏放大器21的比较结果。为了解决上述问题，在本实施中，确定与基准修调模块距离最近的未被调节的第一修调模块23作为待调修调模块，在根据灵敏放大器21的输出信号调节待调修调模块的等效电阻值之后，将待调修调模块再作为新的基准修调模块，然后确定与新的基准修调模块距离最近的未被调节的第一修调模块23作为待调修调模块。以该种方式对各第一修调模块23进行调节，使得每次与基准修调模块进行比较的待调修调模块都是与基准修调模块最近的，能够最大程度的减少线阻对灵敏放大器21的比较结果的影响，使校准结果更加的精确，提高了读稳定性。
82.具体请参照图2，图2为本发明提供的一种存储器读数据稳定装置的结构示意图。
83.本发明还提供了一种存储器读数据稳定装置，包括控制模块26、n个灵敏放大器21、n个参考电路22、n个第一修调模块23、n个阵列24及mux电路25；
84.灵敏放大器21的输入端均与mux电路25连接，输出端均与控制模块26连接；
85.参考电路22均与和自身对应的第一修调模块23串联后与mux电路25连接；
86.阵列24均与mux电路25连接；
87.控制模块26还与n个灵敏放大器21和n个第一修调模块23连接；
88.控制模块26用于执行如上述的存储器读数据稳定方法。
89.作为一种优选的实施例，控制模块26为bist模块。
90.关于存储器读数据稳定装置的相关介绍，请参照上述实施例，本技术在此不再赘述。
91.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
92.还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
93.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：
1.一种存储器读数据稳定方法，其特征在于，应用于存储器，所述存储器包括n个灵敏放大器、n个参考电路、n个第一修调模块、n个阵列及mux电路，n为不小于2的整数，所述存储器读数据稳定方法包括：在接收到控制指令时确定任一个所述第一修调模块为基准修调模块，调节所述基准修调模块的等效电阻值为最佳电阻值，控制所述mux电路将与所述基准修调模块对应的灵敏放大器的第一输入端、所述基准修调模块以及与所述基准修调模块对应的参考电路串联后接地；确定其它未被调节的第一修调模块中任一个作为待调修调模块，控制所述mux电路将与所述基准修调模块对应的灵敏放大器的第二输入端、所述待调修调模块以及与所述待调修调模块对应的参考电路串联后接地；根据所述灵敏放大器的输出信号调节所述待调修调模块的等效电阻值，以使所述待调修调模块和与所述待调修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值等于所述基准修调模块和与所述基准修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值；判断是否所有所述第一修调模块和与所述第一修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值均等于所述基准修调模块和与所述基准修调模块对应的参考电路串联后的等效电阻值，若不均等于，则返回确定其它未被调节的第一修调模块中任一个作为待调修调模块的步骤。2.如权利要求1所述的存储器读数据稳定方法，其特征在于，根据所述灵敏放大器的输出信号调节所述待调修调模块的等效电阻值，包括：确定所述灵敏放大器的初始输出信号；调节所述待调修调模块的等效电阻值直到所述灵敏放大器的初始输出信号发生改变。3.如权利要求1所述的存储器读数据稳定方法，其特征在于，所述存储器还包括n个第二修调模块和n个电阻，所述灵敏放大器的两个输入端分别与和自身对应的第二修调模块的一端以及和自身对应的电阻的一端连接，所述电阻和所述第二修调模块的另一端均与所述mux电路连接，在接收到控制指令时确定任一个所述第一修调模块为基准修调模块之前，还包括：确定未被调节的第二修调模块中的任意一个作为待调修调模块；通过控制所述mux电路使与待调修调模块对应的灵敏放大器的两端电位相等；根据与待调修调模块对应的灵敏放大器的输出信号调节所述待调修调模块的等效电阻值，以使得所述待调修调模块的等效电阻值等于与待调修调模块对应的灵敏放大器对应连接的电阻的阻值；判断是否所有所述第二修调模块的等效电阻值均等于与第二修调模块对应的灵敏放大器对应连接的电阻的阻值，若不均等于，则返回确定未被调节的第二修调模块中的任意一个作为待调修调模块的步骤，若均等于，进入在接收到控制指令时确定任一个所述第一修调模块为基准修调模块的步骤。4.如权利要求1所述的存储器读数据稳定方法，其特征在于，所述第一修调模块包括多个电阻和可控开关，多个所述电阻串联后和与所述待调修调模块连接的灵敏放大器的第一输入端以及与所述待调修调模块对应的参考电路串联，且每个电阻两端并联有可控开关，调节所述待调修调模块的等效电阻值，包括：
通过控制所述可控开关的通断控制接入电路的电阻的数量。5.如权利要求4所述的存储器读数据稳定方法，其特征在于，所述电阻为mtj或poly电阻。6.如权利要求1所述的存储器读数据稳定方法，其特征在于，所述第一修调模块包括多个并联的mos管，调节所述待调修调模块的等效电阻值，包括：通过控制接入电路的mos管的数量调节所述待调修调模块的等效电阻值。7.如权利要求1所述的存储器读数据稳定方法，其特征在于，所述灵敏放大器为电流比较器或电压比较器。8.如权利要求1至7任一项所述的存储器读数据稳定方法，其特征在于，确定其它未被调节的第一修调模块中任一个作为待调修调模块，包括：确定与所述基准修调模块距离最近的未被调节的第一修调模块作为所述待调修调模块；根据所述灵敏放大器的输出信号调节所述待调修调模块的等效电阻值，之后，还包括：将所述待调修调模块作为新的基准修调模块。9.一种存储器读数据稳定装置，其特征在于，包括控制模块、n个灵敏放大器、n个参考电路、n个第一修调模块、n个阵列及mux电路；所述灵敏放大器的输入端均与所述mux电路连接，输出端均与所述控制模块连接；所述参考电路均与和自身对应的第一修调模块串联后与所述mux电路连接；所述阵列均与所述mux电路连接；所述控制模块还与n个所述灵敏放大器和n个所述第一修调模块连接；所述控制模块用于执行如权利要求1至8任一项所述的存储器读数据稳定方法。10.如权利要求9所述的存储器读数据稳定装置，其特征在于，所述控制模块为bist模块。

技术总结
本发明公开了一种存储器读数据稳定方法及装置，在确定基准修调模块后，将基准修调模块的等效电阻值调节为预先得到的最佳电阻值，然后将与基准修调模块连接的灵敏放大器的第二输出端与待调修调模块连接，根据灵敏放大器调节的输出信号调节待调修调模块，以使各个参考电路与和各参考电路串联的第一修调模块串联后的总阻值均相等，增大了读窗口的大小，提高了读取数据的稳定性，且实现了对存储器中灵敏放大器的复用。敏放大器的复用。敏放大器的复用。


技术研发人员：侯嘉 方伟
受保护的技术使用者：浙江驰拓科技有限公司
技术研发日：2022.03.28
技术公布日：2023/10/11