晶片复合件和用于制造多个半导体芯片的方法与流程

1.提出一种晶片复合件和一种用于制造多个半导体芯片的方法。


技术实现要素：

2.应当提出一种具有多个半导体芯片的晶片复合件，其中可以特别简单地测试半导体芯片。此外，应当提出一种用于制造多个半导体芯片的方法，在所述方法期间可以特别简单地测试半导体芯片。
3.所述目的通过具有权利要求1的特征的晶片复合件和通过具有权利要求14的步骤的方法来实现。
4.晶片复合件和用于制造多个半导体芯片的方法的有利的实施方式和改进方案分别在从属权利要求中给出。
5.根据一个实施方式，晶片复合件包括多个半导体芯片。每个半导体芯片都具有第一主面和第二主面，所述第二主面与第一主面相对置。在第二主面上设置有第一电接触部，所述第一电接触部设为用于电接触电的半导体芯片。
6.晶片复合件的半导体芯片可以相同类型地或也彼此不同地构成。在此仅为了简单性结合半导体芯片所描述的特征和实施方式可以在晶片复合件的一些或所有半导体芯片中构成。
7.根据晶片复合件的另一个实施方式，半导体芯片在第一主面上具有第二电接触部，所述第二电接触部同样设为用于电接触半导体芯片(垂直半导体芯片)。
8.根据晶片复合件的另一个实施方式，第二电接触部和第一电接触部设置在第二主面上。具有第一电接触部和第二电接触部的这种设置方式的半导体芯片也称为倒装芯片。
9.根据晶片复合件的一个实施方式，半导体芯片构成为发射辐射。为此，半导体芯片通常具有外延的半导体层序列，所述半导体层序列包括有源区。有源区设立为用于在运行中产生电磁辐射。
10.根据另一个实施方式，晶片复合件包括多个导电柱，其中每个第一导电接触部与导电柱直接接触。在此，例如每个第一电接触部与刚好一个导电柱相关联。导电柱和半导体芯片的第一电接触部在此彼此直接接触，使得导电柱和第一电接触部导电地彼此连接。替选地，也可行的是，每个第一电接触部与多于一个导电柱相关联。
11.如果半导体芯片是倒装芯片，则优选地，每个第二导电接触部也与导电柱直接接触。在此，例如每个第二电接触部与刚好一个导电柱相关联。导电柱和倒装芯片的第二电接触部在此彼此直接接触，使得导电柱和第二电接触部导电地彼此连接。替选地，也可行的是，每个第二电接触部与多于一个导电柱相关联。
12.根据另一个实施方式，晶片复合件还包括电绝缘的牺牲层，所述牺牲层具有裂口，在所述裂口中设置有导电柱。裂口特别优选完全地穿透电绝缘的牺牲层。电绝缘的牺牲层将导电柱彼此电绝缘。优选地，导电柱完全地设置在裂口之内。优选地，每个导电柱完全地填充裂口。
13.根据一个特别优选的实施方式，晶片复合件包括：
[0014]-多个半导体芯片，其中每个半导体芯片具有第一主面和与第一主面相对置的第二主面，并且其中在第二主面上设置有第一电接触部，
[0015]-多个导电柱，其中每个第一电接触部与导电柱直接接触，和
[0016]-具有裂口的电绝缘的牺牲层，在所述裂口中设置有导电柱。
[0017]
根据晶片复合件的另一个实施方式，第一电接触部经由导电柱可导电地接触。换言之，导电柱建立在半导体芯片的第一电接触部和外部的电连接部位之间的导电连接。
[0018]
如果半导体芯片是倒装芯片，则第二电接触部也经由导电柱可导电地接触。换言之，导电柱建立在倒装芯片的第二电接触部和外部的电连接部位之间的导电连接。
[0019]
电绝缘的牺牲层例如具有电介质，如氮化物或氧化物，或者由这些材料中的一种材料构成。例如，牺牲层具有氮化硅或二氧化硅或者由这些材料中的一种材料构成。
[0020]
根据晶片复合件的另一个实施方式，绝缘的牺牲层整面地沿着晶片复合件的背侧的主面延伸。特别优选地，电绝缘的牺牲层嵌入第一电接触部。如果半导体芯片是倒装芯片，则优选电绝缘的牺牲层嵌入第一电接触部和第二电接触部。
[0021]
电绝缘的牺牲层的厚度优选在100纳米和500纳米之间，其中包含边界值。
[0022]
根据晶片复合件的另一个实施方式，半导体芯片不具有以下材料，电绝缘的牺牲层具有所述材料或电绝缘的牺牲层由所述材料构成。因此，可以将电绝缘的牺牲层在之后的时间点移除，而不损坏半导体芯片。
[0023]
根据晶片复合件的另一个实施方式，导电柱的导电材料作为导电层整面地沿着晶片复合件的背侧的主面延伸。导电层在此优选地与电绝缘的牺牲层直接接触。电绝缘的牺牲层优选设置在导电层和半导体芯片之间。
[0024]
导电层的厚度例如在100纳米和500纳米之间，其中包含边界值。
[0025]
根据晶片复合件的另一个实施方式，导电柱的和第一电接触部的直接彼此邻接的区域具有彼此不同的材料或者由彼此不同的材料形成。因此，导电柱和第一电接触部在之后的时间点特别简单地在空间上彼此分离。
[0026]
如果半导体芯片是倒装芯片，则导电柱的和第二电接触部的直接彼此邻接的区域具有彼此不同的材料或者由彼此不同的材料形成。因此，导电柱和第二电接触部也能在之后的时间点特别简单地在空间上彼此分离。
[0027]
根据晶片复合件的另一个实施方式，导电柱的导电材料具有以下组中的至少一种材料：透明导电氧化物(英语“transparent conductive oxide”、“tco”)、金属、半金属。导电柱换言之具有tco或金属或半金属或由这些材料中的一种材料形成。
[0028]
透明导电氧化物通常是金属氧化物，如例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ito)。除了双元的金属氧化物，如例如zno、sno2或in2o3以外，三元的金属氧化物，如例如zn2sno4、znsno3、mgin2o4、gaino3、zn2in2o5或in4sn3o
12
，或不同的透明导电氧化物的混合物属于tco的组。此外，tco不一定对应于化学计量组成并且也还可以是p型掺杂的以及n型掺杂的。
[0029]
尤其，作为用于导电柱的材料适用以下tco中的一种：ito(铟锡氧化物)、zno(氧化锌)、izo(铟锌氧化物)、fto(掺氟氧化锡，sno2:f)、ato(掺锑氧化锡，sno2:sb)。
[0030]
此外，作为用于导电柱的材料尤其适用以下(半)金属及其合金中的至少一种：au、
al、cr、ti、pt、cu、wti、sn、ag、ni、zn、rh、ru、w、in、ge、auge、alsicu、nisn、ausn、auzn、auin、auinsn。
[0031]
根据晶片复合件的另一个实施方式，第一电接触部和/或第二电接触部具有第一接触层，所述第一接触层直接邻接于导电柱。第一接触层例如可以具有(半)金属或(半)金属的合金或tco或者由(半)金属或(半)金属的合金或tco形成。作为tco例如适用以下材料中的一种材料：ito、zno、izo、fto、ato，而作为(半)金属或(半)金属的合金适用以下材料中的至少一种材料：au、al、cr、ti、pt、cu、wti、sn、ag、ni、zn、rh、ru、w、in、ge、auge、alsicu、nisn、ausn、auzn、auin、auinsn。
[0032]
第一接触层的厚度例如在100纳米和500纳米之间，其中包含边界值。
[0033]
根据晶片复合件的另一个实施方式，第一电接触部和/或第二电接触部具有第二接触层。例如，第一电接触部和/或第二电接触部通过第一接触层和第二接触层形成。
[0034]
根据晶片复合件的一个特别优选的实施方式，期望断裂层构成导电柱的至少一个端面。借助于期望断裂层尤其可以实现导电柱的以下区域，所述区域的材料与第一电接触部和/或第二电接触部的邻接区域的材料不同。期望断裂层尤其能够以如下方式优化，即可以特别简单地执行导电柱从第一电接触部和/或第二电接触部的之后的剥离。例如，为此相应地选择期望断裂层的材料和/或厚度。
[0035]
期望断裂层的厚度例如在10纳米和50纳米之间，其中包含边界值。
[0036]
期望断裂层也可以具有tco或(半)金属或(半)金属的合金或者由这些材料中的一种材料构成。例如，以下tco中的一种tco适合作为材料：ito、zno、izo、fto、ato，而作为(半)金属或(半)金属的合金适用以下材料中的至少一种材料：au、al、cr、ti、pt、cu、wti、sn、ag、ni、zn、rh、ru、w、in、ge、auge、alsicu、nisn、ausn、auzn、auin、auinsn。
[0037]
根据晶片复合件的另一个实施方式，期望断裂层整面地沿着晶片复合件的背侧的主面延伸。例如，期望断裂层以直接接触的方式施加到导电层和导电柱上。例如，期望断裂层设置在电绝缘的牺牲层和导电层之间。
[0038]
根据晶片复合件的另一个实施方式，期望断裂层直接邻接于第一电接触部和/或第二电接触部。特别优选地，期望断裂层具有以下材料，所述材料与第一电接触部和/或第二电接触部的直接邻接于期望断裂层的区域的材料不同。如果第一电接触部和/或第二电接触部具有第一接触层，则期望断裂层的材料例如与第一接触层的材料不同。
[0039]
根据晶片复合件的另一实施方式，期望断裂层的材料与导电柱的其余材料不同。
[0040]
根据晶片复合件的另一个实施方式，半导体芯片的棱边长度不大于100微米，优选不大于80微米并且特别优选不大于50微米。
[0041]
根据一个实施方式，晶片复合件具有承载件。承载件将晶片复合件特别优选机械地稳定。优选地，承载件与导电层导电地连接。例如，承载件接合于导电层。承载件同样优选具有导电材料，例如锗。优选地，承载件的主面构成晶片复合件的背侧的主面。
[0042]
在此所描述的晶片复合件尤其适合于，在用于制造多个半导体芯片的方法中使用。在此结合晶片复合件所描述的特征和实施方式也可以在所述方法中构成并且反之亦然。
[0043]
根据用于制造多个半导体芯片的方法的一个实施方式，提供如已经描述的晶片复合件。
[0044]
根据方法的另一个实施方式，测试晶片复合件的半导体芯片，其中半导体芯片经由晶片复合件的背侧的主面接触。这尤其以简单的方式和方法经由导电柱是可行的，所述导电柱与半导体芯片的第一电接触部和/或第二电接触部直接接触。
[0045]
根据一个优选的实施方式，用于制造多个半导体芯片的方法包括以下步骤：
[0046]-提供包括多个半导体芯片的晶片复合件，其中每个半导体芯片具有第一主面和与第一主面相对置的第二主面，并且其中在第二主面上设置有第一电接触部，晶片复合件还包括多个导电柱，其中每个第一电接触部与导电柱直接接触，并且还包括电绝缘的牺牲层，所述牺牲层具有裂口，在所述裂口中设置有导电柱，
[0047]-测试晶片复合件的半导体芯片，其中半导体芯片经由晶片复合件的背侧的主面电接触。
[0048]
优选地，以给出的顺序执行方法的步骤。
[0049]
根据方法的另一个实施方式，将电绝缘的牺牲层从晶片复合件移除，优选在测试之后移除。在将电绝缘的牺牲层从晶片复合件移除之后，半导体芯片优选仅还经由导电柱与晶片复合件机械地连接。
[0050]
根据方法的另一个实施方式，将半导体芯片与导电柱机械地分离，例如借助拾取和放置(pick-and-place)法分离。
[0051]
在此一个构思是，提供具有多个半导体芯片的晶片复合件，其中半导体芯片可以经由指向晶片复合件的背侧的主面的第一电接触部和/或第二电接触部电接触。电接触在此经由具有相对小的尺寸的导电柱进行。导电柱特别优选嵌入到电绝缘的牺牲层中，所述牺牲层在之后的时间点在测试之后从晶片复合件移除，使得半导体芯片的机械连接仅经由导电柱构成。尤其，在使用期望断裂层时，如其在上文中已经描述那样，现在可以将半导体芯片以简单的方式和方法从晶片复合件移除，例如通过拾取和放置法移除。这种方法尤其适合于具有小的棱边长度的半导体芯片。
附图说明
[0052]
晶片复合件和方法的其他有利的实施方式和改进方案从下面结合附图所描述的实施例中得出。
[0053]
图1的示意剖面图示出根据一个实施例的晶片复合件。
[0054]
图2的示意剖面图示出根据图1的实施例的晶片复合件的局部。
[0055]
图3a的示意剖面图示出根据另一实施例的晶片复合件的在图2中标记的局部。
[0056]
图3b的示意剖面图示出根据图1的实施例的晶片复合件的在图2中标记的局部。
[0057]
图3c的示意剖面图示出根据另一实施例的晶片复合件的在图2中标记的局部。
[0058]
图4的示意剖面图示出根据一个实施例的方法的一个阶段。
[0059]
图5的示意剖面图示出根据图1的实施例的方法的另一阶段。
[0060]
图6的示意剖面图示出根据图1的实施例的方法的另一阶段。
[0061]
图7的示意剖面图示出根据图1的实施例的方法的另一阶段。
[0062]
图8的示意剖面图示出根据另一实施例的晶片复合件。
[0063]
相同的、相同类型的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和在附图中示出的元件彼此间的大小关系不应视为是按照比例的。更确切地说，为了更好的
可示出性和/或为了更好的理解，可以夸大地示出个别元件，尤其层厚度。
具体实施方式
[0064]
根据图1、2和3b的实施例的晶片复合件1具有多个半导体芯片2。每个半导体芯片2具有第一主面3和第二主面4，其中第二主面3与第一主面4相对置。在第二主面4上设置有第一电接触部5并且在第一主面3上设置有第二电接触部6。因此，根据图1、2和3b的半导体芯片是垂直半导体芯片。经由第一电接触部5和第二电接触部6，半导体芯片2可以电接触，以用于运行。
[0065]
每个第一电接触部5在此由第一接触层7和第二接触层8形成，其中第一接触层7和第二接触层8直接彼此邻接。
[0066]
根据图1、2和3b的实施例的晶片复合件1的半导体芯片2在此相同类型地构成。此外也可行的是，半导体芯片2彼此不同。
[0067]
例如，半导体芯片2构成为发射辐射。换言之，半导体芯片2构成和设立为用于在运行中发出电磁辐射。为此，半导体芯片2具有外延的半导体层序列9，所述半导体层序列包括有源区10(图2)。在有源区10中，在半导体芯片2的运行中产生电磁辐射，所述电磁辐射从辐射出射面11发出。
[0068]
此外，晶片复合件1具有电绝缘的牺牲层12。电绝缘的牺牲层12直接邻接于半导体芯片2的第一主面3并且嵌入半导体芯片2的第一电接触部5。不太导电或绝缘的牺牲层12例如具有锗、硅、氮化硅或氧化硅或者由这些材料中的一种材料构成。氧化硅可以具有不同形式。例如，氧化硅可以是热学氧化物、正硅酸四乙酯(teos)、sih4-pecvd、石英、旋涂玻璃、soi(英语“silicon on insulator”的缩写)。
[0069]
电绝缘的牺牲层12设为和设立为用于在之后的时间点，例如湿化学地或干化学地，从晶片复合件1移除。作为干化学法，可以使用sf6等离子体、xef2蒸汽或hf蒸汽(vhf)。
[0070]
为了移除电绝缘的牺牲层12，半导体芯片2优选不具有用于形成电绝缘的牺牲层12的材料。
[0071]
如果半导体芯片2包含具有用于形成电绝缘的牺牲层12的材料的区域，则所述区域通常被封装以防止湿化学或干化学移除。
[0072]
在电绝缘的牺牲层12中包含裂口13，在所述裂口中设置有导电柱14。导电柱14直接邻接于第一电接触部5并且尤其邻接于第一电接触部5的第一接触层7。导电柱14导电地与第一电接触部5连接。
[0073]
此外，导电柱13的材料作为导电层15整面地沿着晶片复合件1的背侧的主面16延伸。导电层15与电绝缘的牺牲层12直接接触。导电柱14从导电层13中伸出并且直接邻接于第一电接触部5的第一接触层7。
[0074]
此外，晶片复合件1包括承载件17，所述承载件将晶片复合件1机械地稳定。承载件17在此导电地构成并且直接邻接于导电层15。导电承载件17的主面构成晶片复合件1的背侧的主面16。例如，承载件17是机械稳定的，例如通过接合与导电层15连接。此外也可行的是，在导电层15和承载件17之间的连接可简单脱开地构成。例如，承载件通过粘结薄膜(未示出)可简单脱开地与其余的晶片复合件1机械稳定地连接。
[0075]
导电柱14在此具有期望断裂层18。期望断裂层18例如由导电柱14的端面19包围。
[0076]
在根据图1、2和3b的实施例的晶片复合件1中，期望断裂层18仅在导电柱14的端面19上构成，而导电柱14的侧面22不具有期望断裂层18。这种期望断裂层18例如可以借助于光刻技术产生。
[0077]
图3a、3b和3c示出在导电柱14和半导体芯片2的第一电接触部5之间的过渡部的三个不同的实施例。
[0078]
在根据图3a的实施例的晶片复合件1中，导电柱14连续地由唯一的导电材料形成。导电柱14例如由tco或由(半)金属或(半)金属的合金形成。第一电接触部5的第一接触层7同样由导电材料形成，所述导电材料优选与导电柱14的导电材料不同。换言之，导电柱14的区域20和第一电接触部5的区域21直接彼此邻接，并且具有彼此不同的材料。
[0079]
如果导电柱14具有tco，则第一接触层7例如由(半)金属或(半)金属的合金形成。此外，也可行的是，导电柱14由tco形成并且第一接触层7由与导电柱14的tco不同的其他tco形成。此外，导电柱14和第一接触层7也可以由两种不同的(半)金属或(半)金属的合金形成。换言之，导电柱14的(半)金属或(半)金属的合金与第一接触层7的(半)金属或(半)金属的合金不同。
[0080]
用于导电柱14和第一接触层7的可能的材料组合在下面的表格1中包含在前四行中。为了标记tco和(半)金属彼此不同，其分别设有数字。
[0081]
在根据图3b的实施例的晶片复合件1中，导电柱14的端面19通过期望断裂层18形成。期望断裂层18直接邻接于电接触部5的第一接触层7。期望断裂层18具有与第一接触层7不同的材料。此外，期望断裂层18具有与导电柱14的其余部分不同的材料。适合的材料组合在表格1中在5至8行中给出。
[0082]
如果期望断裂层18具有tco，则第一接触层7和导电柱14的其余材料可以同样具有tco，所述tco然而与期望断裂层18的tco不同。此外，导电柱14的其余材料和/或第一接触层7也可以具有(半)金属或由(半)金属构成。最后，也可行的是，期望断裂层18、导电柱14的其余材料和第一接触层7分别具有(半)金属或由(半)金属形成。在此情况下，至少期望断裂层18具有与第一接触层7和导电柱14的其余材料不同的(半)金属。
[0083]
表格1
[0084][0085][0086]
在根据图3c的实施例的晶片复合件1中，期望断裂层18不仅在导电柱14的端面19之上延伸，而且也在导电柱14的侧面22之上延伸并且整面地沿着晶片复合件的背侧的主面16延伸。期望断裂层18在此与导电层15和电绝缘的牺牲层12直接接触。
[0087]
在根据图4至7的实施例的方法中，在第一步骤中提供晶片复合件1。例如晶片复合件1是如已经根据图1、2和3b所描述的晶片复合件1。
[0088]
晶片复合件1包括多个半导体芯片2。例如，半导体芯片2是发射辐射的半导体芯片2，所述半导体芯片具有外延的半导体层序列9，所述半导体层序列具有有源区10，在所述有源区中在运行中产生电磁辐射。半导体芯片2可以相同类型地或彼此不同地构成。
[0089]
尤其可行的是，半导体芯片2在运行中发出不同颜色的电磁辐射。
[0090]
在运行中发出红色至红外光谱范围的电磁辐射的半导体芯片2通常具有外延的半导体层序列9，所述外延的半导体层序列基于砷化物化合物半导体材料或由砷化物化合物半导体材料产生。砷化物化合物半导体材料是包含砷的化合物半导体材料，如体系in
x
alyga
1-x-y
as中的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。
[0091]
在运行中发出红色至绿色光谱范围的电磁辐射的半导体芯片2通常具有外延的半导体层序列9，所述外延的半导体层序列基于磷化物化合物半导体材料或由磷化物化合物半导体材料产生。磷化物化合物半导体材料是包含磷的化合物半导体材料，如体系in
x
alyga
1-x-y
p中的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。
[0092]
在运行中发出蓝色至紫外光谱范围的电磁辐射的半导体芯片2通常具有外延的半导体层序列9，所述外延的半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料或由氮化物化合物半导体材料产生。氮化物化合物半导体材料是包含氮的化合物半导体材料，如体系in
x
alyga
1-x-y
n中的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。
[0093]
此外，每个半导体芯片2具有在第二主面4上的电接触部5和在第一主面3上的第二电接触部6，所述第一主面与第二主面4相对置。
[0094]
在图5中示意地示出的下一步骤中，测试半导体芯片2，例如所述半导体芯片是否可以正常工作。半导体芯片2在此依次地、即顺序地被测试。为了测试半导体芯片2，在半导体芯片2的第一电接触部5和半导体芯片2的第二电接触部6之间施加电压。在半导体芯片2的第一电接触部5上和第二电接触部6上施加电压u时，电流流过外延的半导体层序列9并且尤其流过有源区10，使得产生电磁辐射。
[0095]
因为承载件17、导电层15和导电柱14导电地构成，所以特别简单的是，在半导体芯片2上暂时地依次施加电压u进而运行所述半导体芯片以进行测试。
[0096]
例如，半导体芯片2可以在功能方面被测试。此外可行的是，在测试中确定半导体芯片2的电磁辐射的色坐标并且根据电磁辐射的色坐标将半导体芯片2分类。
[0097]
在下一步骤中，将电绝缘的牺牲层12从晶片复合件1移除(图6)。例如，将电绝缘的牺牲层12湿化学地移除。尤其，为了湿化学地移除电绝缘的牺牲层12有利的是，电绝缘的牺牲层12的材料不包含在其余的晶片复合件1中并且尤其不包含在半导体芯片2中。在此情况下，晶片复合件1能够以其整体引入介质中以进行湿化学移除，而不损坏半导体芯片2。
[0098]
在下一步骤中，将半导体芯片2，例如依次地，通过机械力f从晶片复合件1中脱开(图7)。
[0099]
根据图8的实施例的晶片复合件1与迄今所描述的晶片复合件1不同地具有多个倒装芯片2’。图8在此出于概览性的原因示出仅一个半导体芯片2。
[0100]
根据图8的实施例的晶片复合件1的半导体芯片2具有外延的半导体层序列9，所述半导体层序列具有有源区10，所述有源区在运行中产生电磁辐射。
[0101]
半导体芯片2具有第一主面3和第二主面4，所述第二主面与第一主面3相对置。在第二主面4上设置有第一电接触部5和第二电接触部6，所述第一电接触部和第二电接触部设为用于电接触半导体芯片2。第一主面3然而不具有电接触部。
[0102]
第一电接触部5和第二电接触部6通过电绝缘层23彼此电绝缘。电绝缘层23也在过孔24的侧面之上延伸并且将过孔24与外延的半导体层序列9绝缘。
[0103]
有源区10设置在外延的半导体层序列9的第一导电类型的区域25和外延的半导体层序列9的第二导电类型的区域26之间。第一导电类型的区域25通过第一电接触部5电接触，而第二导电类型的区域26经由过孔24和第二电接触部6电接触。
[0104]
晶片复合件1还具有电绝缘的牺牲层12，在所述牺牲层中设置有裂口13。在裂口13中设置有导电柱14。第一电接触部5与刚好一个导电柱14直接接触进而与导电柱14导电连
接。第二电接触部6与刚好一个另外的导电柱14直接接触进而与所述导电柱14导电连接。替选地，也可行的是，每个第一电接触部和每个第二电接触部与多于一个导电柱相关联。
[0105]
本发明不通过根据实施例进行的描述而限于此。更确切地说，本发明包括任意新特征以及特征的任意组合，这尤其包含权利要求中的特征的任意组合，即使所述特征或所述组合本身并未详尽地在权利要求或实施例中说明也如此。
[0106]
附图标记列表
[0107]
1晶片复合件
[0108]
2半导体芯片
[0109]2’
倒装芯片
[0110]
3第一主面
[0111]
4第二主面
[0112]
5第一电接触部
[0113]
6第二电接触部
[0114]
7第一接触层
[0115]
8第二接触层
[0116]
9外延的半导体层序列
[0117]
10有源区
[0118]
11辐射出射面
[0119]
12电绝缘的牺牲层
[0120]
13裂口
[0121]
14导电柱
[0122]
15导电层
[0123]
16背侧的主面
[0124]
17承载件
[0125]
18期望断裂层
[0126]
19端面
[0127]
20导电柱的区域
[0128]
21第一电接触部的区域
[0129]
22导电柱的侧面
[0130]
23电绝缘层
[0131]
24过孔
[0132]
25第一导电类型的区域
[0133]
26第二导电类型的区域
[0134]
u电压
[0135]
f机械力

技术特征：
1.一种晶片复合件(1)，包括：-多个半导体芯片(2)，其中每个半导体芯片(2)具有第一主面(3)和与所述第一主面(3)相对置的第二主面(4)，并且其中在所述第二主面(4)上设置有第一电接触部(5)，-多个导电柱(14)，其中每个第一电接触部(5)与导电柱(14)直接接触，和-具有裂口(13)的电绝缘的牺牲层(12)，在所述裂口中设置有所述导电柱(14)。2.根据上一项权利要求所述的晶片复合件(1)，其中所述电绝缘的牺牲层(12)整面地沿着所述晶片复合件(1)的背侧的主面(16)延伸并且嵌入所述第一电接触部(5)。3.根据上述权利要求中任一项所述的晶片复合件(1)，其中所述半导体芯片(2)不具有所述电绝缘的牺牲层(12)所具有的材料。4.根据上述权利要求中任一项所述的晶片复合件(1)，其中所述导电柱(14)的导电材料作为导电层(15)整面地沿着所述晶片复合件(1)的背侧的主面(16)延伸。5.根据上述权利要求中任一项所述的晶片复合件(1)，其中所述导电柱(14)的区域(20)和所述第一电接触部(5)的区域(21)直接彼此邻接，并且具有彼此不同的材料。6.根据上一项权利要求所述的晶片复合件(1)，其中所述导电柱(14)的导电材料是以下组中的至少一种材料：tco、金属、半金属。7.根据上述权利要求中任一项所述的晶片复合件(1)，其中所述第一电接触部(5)具有第一接触层(7)，所述第一接触层直接邻接于所述导电柱(14)。8.根据上述权利要求中任一项所述的晶片复合件(1)，其中期望断裂层(18)构成所述导电柱(14)的至少一个端面(19)。9.根据上一项权利要求所述的晶片复合件(1)，其中所述期望断裂层(18)整面地沿着所述晶片复合件(1)的背侧的主面(16)延伸。10.根据权利要求8至9中任一项所述的晶片复合件(1)，其中所述期望断裂层(18)直接邻接于所述第一电接触部(5)。11.根据权利要求8至10中任一项所述的晶片复合件(1)，其中所述期望断裂层(18)的材料与所述第一电接触部(5)的直接邻接于所述期望断裂层(18)的区域(21)的材料不同。12.根据权利要求8至11中任一项所述的晶片复合件(1)，其中所述期望断裂层(18)的材料与所述导电柱(14)的其余材料不同。13.根据上述权利要求中任一项所述的晶片复合件(1)，其中所述半导体芯片(2)的棱边长度不大于100微米。14.一种用于制造多个半导体芯片(2)的方法，具有以下步骤：-提供根据上述权利要求中任一项所述的晶片复合件(1)，-测试所述晶片复合件(1)的半导体芯片(2)，其中所述半导体芯片(2)经由所述晶片复合件(1)的背侧的主面(16)电接触。15.根据上一项权利要求所述的方法，
其中将所述电绝缘的牺牲层(12)从所述晶片复合件(1)移除。16.根据上一项权利要求所述的方法，其中将所述半导体芯片(2)与所述导电柱(14)机械地分离。

技术总结
提出一种包括多个半导体芯片(2)的晶片复合件(1)，其中每个半导体芯片(2)具有第一主面(3)和与第一主面(3)相对置的第二主面(4)，并且其中在第二主面(4)上设置有第一电接触部(5)。此外，晶片复合件(1)具有多个导电柱(14)，其中每个第一电接触部(5)与导电柱(14)直接接触。最后，晶片复合件(1)包括电绝缘的牺牲层(12)，所述牺牲层具有裂口(13)，导电柱(14)设置在所述裂口中。最后，提出一种用于制造多个半导体芯片(2)的方法。半导体芯片(2)的方法。半导体芯片(2)的方法。


技术研发人员：特雷莎
受保护的技术使用者：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
技术研发日：2022.01.12
技术公布日：2023/10/11