发光二极管外延片及其制备方法与流程

1.本发明涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。


背景技术：

2.目前市场上应用最广泛的gan基发光二极管均是采用异质衬底外延制备，应用较为广泛的衬底有蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底。其中，碳化硅衬底虽然与gan基外延结构在晶格匹配、热匹配方面具有较大的优势，但其价格很高，不利于大批量应用。蓝宝石衬底、硅衬底与gan基外延材料之间存在较大的热失配和晶格失配，这导致外延材料生长时产生较多的位错缺陷，进而延伸至发光区，形成非辐射复合中心，降低发光效率。
3.现有技术中常用的方法是在异质衬底与gan基外延材料之间引入缓冲层，常见的有aln层、低温gan层或低温algan层。其中，以pvd法所生长的aln层具备最优的缓冲效果，是目前应用最广泛的缓冲层，尤其是在蓝宝石衬底中。但发明人发现，在一些情况下（尤其是多量子阱发光区in组分较高时）虽然aln层能降低位错密度，但是其并未明显提升发光效率。经分析认为，这主要是aln层并不能有效地缓解多量子阱发光区的压应变，而压应变会形成极化电场，导致空穴电子分离，波函数重叠率降低，辐射复合率下降，发光效率下降。


技术实现要素：

4.本发明所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片及其制备方法，其可提升发光二极管的发光效率，降低工作电压。
5.为了解决上述问题，本发明公开了一种发光二极管外延片，其包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层；其中，所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的bn层、mos2层和si3n4层。
6.作为上述技术方案的改进，所述bn层的厚度为2nm~20nm；所述mos2层的厚度为10nm~30nm；所述si3n4层的厚度为10nm~20nm。
7.作为上述技术方案的改进，所述bn层的厚度为5nm~15nm；所述mos2层的厚度为20nm~30nm；所述si3n4层的厚度为15nm~20nm。
8.作为上述技术方案的改进，所述bn层的厚度与所述mos2层的厚度之比为1:1~1:2。
9.作为上述技术方案的改进，所述非掺杂gan层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一非掺杂gan层、si3n4过渡层和第二非掺杂gan层；所述第一非掺杂gan层的厚度为0.5μm~1.5μm，所述si3n4过渡层的厚度为10nm~30nm，所述第二非掺杂gan层的厚度为1μm~2μm。
10.相应的，本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备上述的发光二极管外延片，其包括：提供衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、应力释放层、
多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层；其中，所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的bn层、mos2层和si3n4层。
11.作为上述技术方案的改进，所述bn层通过cvd法制得，沉积过程中所采用的b源和n源为氨硼烷，所采用的载气为ar和h2的混合气体，ar与h2的体积比为8:1~10:1，载气的流量为500sccm~600sccm；所述bn层的沉积温度为1000℃~1100℃。
12.作为上述技术方案的改进，所述mos2层通过cvd法制得，沉积过程中所采用的mo源为moo3，所采用的s源为硫磺，s源与mo源的摩尔比为150:1~350:1；所采用的载气为ar，其流量为50sccm~100sccm；所述mos2层的沉积温度为750℃~850℃。
13.作为上述技术方案的改进，所述si3n4层通过mocvd法制得，其生长温度为500℃~600℃，生长压力为100torr~500torr。
14.作为上述技术方案的改进，所述非掺杂gan层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一非掺杂gan层、si3n4过渡层和第二非掺杂gan层；所述第一非掺杂gan层的生长温度为800℃~900℃，生长压力为400torr~600torr，v/iii比为2000~4000；所述si3n4过渡层的生长温度为550℃~800℃，生长压力为100torr~500torr；所述第二非掺杂gan层的生长温度为1000℃~1100℃，生长压力为50torr~300torr，v/iii比为300~1000。
15.实施本发明，具有如下有益效果：本发明的发光二极管外延片中，缓冲层包括依次层叠于衬底上的bn层、mos2层和si3n4层。其中，bn层与mos2层形成了二维异质堆叠，其层间通过范德华力连接，受晶格失配的影响小，有效降低了位错浓度、应力积累，提升了发光效率。si3n4层可使后续非掺杂gan横向生长趋势加强，进一步提升了晶体质量，切断了位错。基于上述的缓冲层后，有效弱化了多量子阱层内的压应变，提升了电子、空穴波函数的重叠概率，提升了发光效率，且降低了工作电压。
附图说明
16.图1是本发明一实施例中发光二极管外延片的结构示意图；图2是本发明一实施例中非掺杂gan层的结构示意图；图3是本发明一实施例中发光二极管外延片的制备方法流程图。
具体实施方式
17.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明作进一步地详细描述。
18.参考图1，本发明公开了一种发光二极管外延片，其包括衬底1、依次层叠于衬底1上的缓冲层2、非掺杂gan层3、n型gan层4、应力释放层5、多量子阱层6、电子阻挡层7和p型gan层8。其中，缓冲层2包括依次层叠于衬底1上的bn层21、mos2层22和si3n4层23，基于上述的缓冲层2，可有效弱化多量子阱层6中的极化场，提升发光二极管外延片的发光效率。
19.其中，bn层21的厚度为2nm~25nm，当其厚度＜2nm时，mos2层22难以形成大面积薄膜结构，难以形成二维堆叠，进而难以有效阻挡位错，调节应力。当其厚度＞25nm时，制备时间较长。示例性的，bn层21的厚度为4nm、8nm、12nm、16nm、20nm或24nm，但不限于此。优选的，bn层21的厚度为2nm~20nm，更优选的为5nm~15nm。
20.其中，mos2层22的厚度为5nm~40nm，当其厚度＜5nm时，难以有效阻挡位错，缓解应力；当其厚度＞40nm时，沉积时间过长。示例性的为8nm、13nm、18nm、23nm、28nm、33nm或36nm，但不限于此。优选的为10nm~30nm，更优选的为20nm~30nm。
21.其中，si3n4层23的厚度为10nm~50nm，当其厚度＜10nm时，难以有效引导后续非掺杂gan层3的侧向生长，进而难以有效切断位错；当其厚度＞50nm时，会形成连续膜层结构，也难以有效引导后续非掺杂gan层3的侧向生长。优选的，si3n4层的厚度为10nm~20nm，更优选的为15nm~20nm。
22.优选的，在本发明的一个实施例之中，bn层21的厚度与mos2层22的厚度之比为1:（1~2），基于该比例，可进一步提升发光效率，且可使得工作电压下降。
23.其中，非掺杂gan层的厚度为1μm~5μm，示例性的为1.6μm、2.2μm、2.8μm、3.4μm或4.2μm，但不限于此。
24.优选的，参考图2，在本发明的一个实施例之中，非掺杂gan层3包括依次层叠于缓冲层2上的第一非掺杂gan层31、si3n4过渡层32和第二非掺杂gan层33。其中，第一非掺杂gan层31的厚度为0.5μm~1.5μm，示例性的为0.7μm、0.9μm、1.1μm或1.3μm，但不限于此。si3n4过渡层32的厚度为10nm~30nm，示例性的为14nm、18nm、22nm、26nm或28nm，但不限于此。第二非掺杂gan层33的厚度为1μm~2μm，示例性的为1.1μm、1.3μm、1.5μm、1.7μm或1.9μm，但不限于此。
25.其中，衬底1为蓝宝石衬底或硅衬底，优选的为蓝宝石衬底。本发明中的缓冲层2更适应于蓝宝石衬底。
26.其中，n型gan层4的n型掺杂元素为si或ge，但不限于此。n型gan层4的n型掺杂浓度为5
×
10
18
cm-3
~5
×
10
19
cm-3
，厚度为1μm~3μm。
27.其中，应力释放层5为周期性结构，其周期数为10~30。每个周期均包括依次层叠的in
x
ga
1-x
n层（x=0.02~0.1）和si掺gan层。其中，单个in
x
ga
1-x
n层的厚度为1.5nm~4nm，单个si掺gan层的厚度为5nm~10nm，si掺杂浓度为1
×
10
17
cm-3
~1
×
10
18
cm-3
。
28.其中，多量子阱层6为交替堆叠的ingan量子阱层和gan量子垒层，堆叠周期数3~15。单个ingan量子阱层的厚度为3nm~5nm，in组分占比为0.15~0.3。单个gan量子垒层的厚度为5nm~15nm。优选的，在本发明的一个实施例之中，ingan量子阱层中in组分占比为0.22~0.3，本发明可更好地提升高in组分的绿光、黄光发光二极管的发光效率。
29.其中，电子阻挡层7为algan层或inalgan层，但不限于此。优选的为mg掺algan层，其al组分占比为0.2~0.3。mg掺杂浓度为1
×
10
17
cm-3
~1
×
10
19
cm-3
，厚度为30nm~100nm。
30.其中，p型gan层8中的p型掺杂元素为mg、be或zn，但不限于此。优选的为mg。p型gan层8中p型掺杂浓度为1
×
10
19
cm-3
~1
×
10
21
cm-3
。p型gan层8的厚度为20nm~50nm。
31.相应的，参考图3，本发明还提供了一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备上述的发光二极管外延片，其具体包括以下步骤：s1：提供衬底；
s2：在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层；具体的，步骤s2包括：s21：在衬底上生长缓冲层；具体的，步骤s21包括：s211：在衬底上生长bn层；其中，可通过pvd、mocvd或cvd生长bn层，但不限于此。
32.优选的，在本发明的一个实施例之中，通过cvd沉积bn层。具体的，沉积过程中所采用的b源和n源为氨硼烷，所采用的载气为ar和h2的混合气体，ar与h2的体积比为（8~10）:1，载气的流量为500sccm~600sccm；沉积温度为1000℃~1100℃。基于上述沉积条件，可在蓝宝石衬底上沉积得到晶体质量良好的二维连续薄膜，为后期mos2层的制备提供良好的基础。
33.s212：在bn层上生长mos2层；其中，可通过pvd、cvd或ald生长mos2层，但不限于此。
34.优选的，在本发明的一个实施例之中，通过cvd沉积mos2层。通过这种方法，一者与bn层制备方法相同，无需多次更换生产设备，提升制备效率。二者，通过这种方法可以较高的沉积速率得到晶体质量良好的薄膜。
35.具体的，沉积过程中采用的mo源为moo3，所采用的s源为硫磺，s源与mo源的摩尔比为（150~350）:1；所采用的载气为ar，其流量为50sccm~100sccm；沉积温度为750℃~850℃。
36.此外，需要说明的是，由于前期在蓝宝石衬底上生长了bn层，才能采用较高沉积速率的cvd法进行mos2层的制备。若直接在蓝宝石衬底上生长mos2层，则采用本发明上述的方法时容易形成裂纹，难以形成二维堆叠。而若在mos2层底部生长传统的aln层，则一者由于aln层难以形成平整光滑的表面，导致mos2层的晶格质量较差，二者由于晶格差异，还是会引入应力，降低发光效率，这在高in组分多量子阱层的绿色/黄色发光二极管中更为突出。
37.s213：在mos2层上生长si3n4层，得到缓冲层。
38.其中，可通过mocvd、cvd、pecvd生长si3n4层，但不限于此。
39.优选的，在本发明的一个实施例之中，通过mocvd生长si3n4层，其生长温度为500℃~600℃，生长压力为100torr~500torr。通过这种生长条件，可使得si3n4层更趋向于岛状生长，从而引导后续非掺杂gan层横向生长。
40.s22：在缓冲层上生长非掺杂gan层；其中，在本发明的一个实施例之中，通过mocvd生长非掺杂gan层。其生长温度为1000℃~1150℃，生长压力为100torr~500torr。
41.优选的，在本发明的一个实施例之中，步骤s22包括：s221：在缓冲层上生长第一非掺杂gan层；其中，在本发明的一个实施例之中，通过mocvd生长第一非掺杂gan层。其生长温度为800℃~900℃，生长压力为400torr~600torr，v/iii比（即n源与ga源的摩尔比）为2000~4000。
42.s222：在第一非掺杂gan层上生长si3n4过渡层；其中，在本发明的一个实施例之中，通过mocvd生长si3n4过渡层，其生长温度为550℃~800℃，生长压力为100torr~500torr。
43.s223：在si3n4过渡层上生长第二非掺杂gan层；其中，在本发明的一个实施例之中，通过mocvd生长第二非掺杂gan层。其生长温度为1000℃~1100℃，生长压力为50torr~300torr，v/iii比为300~1000。
44.s23：在非掺杂gan层上生长n型gan层；其中，在本发明的一个实施例之中，通过mocvd生长n型gan层。其生长温度为1050℃~1200℃，生长压力为100torr~500torr；s24：在n型gan层上生长应力释放层；其中，在本发明的一个实施例之中，通过mocvd周期性生长in
x
ga
1-x
n层和si掺gan层，直至得到应力释放层。其中，in
x
ga
1-x
n层的生长温度为740℃~800℃，生长压力为100torr~500torr；si掺gan层的生长温度为780℃~850℃，生长压力为100torr~500torr。
45.s25：在应力释放层上生长多量子阱层；其中，在本发明的一个实施例之中，通过mocvd在应力释放层上周期性生长ingan量子阱层和gan量子垒层，直至得到多量子阱层。其中，ingan量子阱层的生长温度为700℃~800℃，生长压力为100torr~300torr。gan量子垒层的生长温度为850℃~900℃，生长压力为100torr~300torr。
46.s26：在多量子阱层上生长电子阻挡层；其中，可通过mocvd、mbe或vpe生长电子阻挡层，但不限于此。
47.优选的，在本发明的一个实施例之中，通过mocvd生长mg掺algan层，作为电子阻挡层，其生长温度为1000℃~1100℃，生长压力为100torr~300torr。
48.s27：在电子阻挡层上生长p型gan层；其中，可通过mocvd、mbe或vpe生长p型gan层，但不限于此。
49.优选的，在本发明的一个实施例之中，通过mocvd生长p型gan层，其生长温度为900℃~1000℃，生长压力为100torr~300torr。
50.下面以具体实施例对本发明进行进一步说明：实施例1参考图1，本实施例提供一种发光二极管外延片，其包括衬底1，依次层叠于衬底1上的缓冲层2、非掺杂gan层3、n型gan层4、应力释放层5、多量子阱层6、电子阻挡层7和p型gan层8。
51.其中，衬底1为蓝宝石衬底。
52.其中，缓冲层2包括依次层叠于衬底1上的bn层21、mos2层22和si3n4层23。bn层21的厚度为22nm，mos2层22的厚度为35nm，si3n4层23的厚度为40nm。
53.其中，非掺杂gan层3的厚度为2.8μm。n型gan层4的掺杂元素为si，掺杂浓度为2
×
10
19
cm-3
，其厚度为2.5μm。
54.其中，应力释放层5为周期性结构，周期数为18。每个周期均包括依次层叠的in
x
ga
1-x
n层（x=0.04）和si掺gan层，in
x
ga
1-x
n层的厚度为2nm，si掺gan层的厚度为6nm，si掺浓度为6
×
10
17
cm-3
。
55.其中，多量子阱层6为周期性结构，周期数为10，每个周期均包括依次层叠的ingan量子阱层和gan量子垒层，ingan量子阱层中in组分占比为0.25，厚度为3nm，gan量子垒层的厚度为10nm。
56.其中，电子阻挡层7为mg掺algan层，其al组分占比为0.22，mg掺杂浓度为4
×
10
17
cm-3
，厚度为80nm。p型gan层8的掺杂元素为mg，其掺杂浓度5
×
10
20
cm-3
，其厚度为40nm。
57.本实施例中发光二极管外延片的制备方法包括以下步骤：（1）提供衬底。
58.（2）在衬底上生长bn层；其中，通过cvd沉积bn层。具体的，沉积过程中所采用的b源和n源为氨硼烷，所采用的载气为ar和h2的混合气体，ar与h2的体积比为8.5:1，载气的流量为550sccm；沉积温度为1050℃。
59.（3）在bn层上生长mos2层；其中，通过cvd沉积mos2层。沉积过程中采用的mo源为moo3，所采用的s源为硫磺，s源与mo源的摩尔比为220:1；所采用的载气为ar，其流量为80sccm；沉积温度为760℃。
60.（4）在mos2层上生长si3n4层，得到缓冲层。
61.其中，通过mocvd生长si3n4层，其生长温度为550℃，生长压力为400torr。
62.（5）在缓冲层上生长非掺杂gan层；其中，通过mocvd生长非掺杂gan层。其生长温度为1100℃，生长压力为300torr。
63.（6）在非掺杂gan层上生长n型gan层；其中，通过mocvd生长n型gan层，其生长温度为1130℃，生长压力为300torr。
64.（7）在n型gan层上生长应力释放层；具体的，通过mocvd在n型gan层上周期性生长in
x
ga
1-x
n层和si掺gan层，直至得到应力释放层。其中，in
x
ga
1-x
n层的生长温度为780℃，生长压力为300torr。si掺gan层的生长温度为800℃，生长压力为300torr。
65.（8）在应力释放层上生长多量子阱层；其中，通过mocvd在应力释放层上周期性生长ingan量子阱层和gan量子垒层，直至得到多量子阱层。其中，ingan量子阱层的生长温度为760℃，生长压力为200torr。gan量子垒层的生长温度为880℃，生长压力为200torr。
66.（9）在多量子阱层上生长电子阻挡层；其中，通过mocvd生长mg掺algan层，作为电子阻挡层，其生长温度为1050℃，生长压力为200torr。
67.（10）在电子阻挡层上生长p型gan层；其中，通过mocvd生长p型gan层，其生长温度为960℃，生长压力为200torr。
68.实施例2本实施例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于：bn层21的厚度为10nm，mos2层22的厚度为30nm，si3n4层的厚度为18nm。
69.其余均与实施例1相同。
70.实施例3本实施例提供一种发光二极管外延片，其与实施例2的区别在于：mos2层22的厚度为18nm，si3n4层的厚度为16nm。
71.其余均与实施例2相同。
72.实施例4
本实施例提供一种发光二极管外延片，其与实施例3的区别在于：非掺杂gan层3包括依次层叠于缓冲层2上的第一非掺杂gan层31、si3n4过渡层32和第二非掺杂gan层33。其中，第一非掺杂gan层31的厚度为1.2μm，si3n4过渡层32的厚度为25nm。第二非掺杂gan层33的厚度为2.5μm。
73.在本实施例中，非掺杂gan层的制备方法为：（i）在缓冲层上生长第一非掺杂gan层；其中，通过mocvd生长第一非掺杂gan层。其生长温度为860℃，生长压力为550torr，v/iii比为3600。
74.（ii）在第一非掺杂gan层上生长si3n4过渡层；其中，通过mocvd生长si3n4过渡层，其生长温度为700℃，生长压力为400torr。
75.（iii）在si3n4过渡层上生长第二非掺杂gan层；其中，通过mocvd生长第二非掺杂gan层。其生长温度为1080℃，生长压力为100torr，v/iii比为400。
76.其余均与实施例3相同。
77.对比例1本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于：缓冲层为aln层，其厚度为33nm，其通过pvd法制得。
78.其余均与实施例1相同。
79.对比例2本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于：不包括bn层。相应的，也不包括该层的制备步骤。
80.其余均与实施例1相同。
81.对比例3本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于：不包括mos2层。相应的，也不包括该层的制备步骤。
82.其余均与实施例1相同。
83.对比例4本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于：不包括si3n4层。相应的，也不包括该层的制备步骤。
84.其余均与实施例1相同。
85.对比例5本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于：以aln层替代bn层，该aln层通过pvd法制得。
86.其余均与实施例1相同。
87.对比例6本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于：将bn层与mos2层调换位置，相应的，制备方法中，也将两者的制备步骤调换。
88.其余均与实施例1相同。
89.将实施例1~实施例4，对比例1~对比例6得到的发光二极管外延片进行测试，具体
方法如下：将外延片制作成5mil
×
7mil的水平结构的芯片，测试其在20ma下发光功率以及正向工作电压。具体结果如下表所示：由表中可以看出，当将传统的缓冲层（对比例1）替换为本发明的缓冲层（实施例1）后，提升了发光二极管外延片的发光效率，且小幅降低了其工作电压。
90.通过实施例1与对比例2~对比例4的对比可以看出，若去除本发明中缓冲层中的任一层，则无法达到有效提升发光效率，降低工作电压的效果。
91.通过实施例1与对比例5的对比可以看出，若替换本发明中的bn层为aln层，则由于aln层与mos2层之间难以形成二维堆叠，故发光效率较低，工作电压较高。
92.通过实施例1与对比例6的对比可以看出，若变更本发明中缓冲层中各子层的位置，则无法达到本发明的技术效果。
93.以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层；其中，所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的bn层、mos2层和si3n4层。2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述bn层的厚度为2nm~20nm；所述mos2层的厚度为10nm~30nm；所述si3n4层的厚度为10nm~20nm。3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述bn层的厚度为5nm~15nm；所述mos2层的厚度为20nm~30nm；所述si3n4层的厚度为15nm~20nm。4.如权利要求1~3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述bn层的厚度与所述mos2层的厚度之比为1:1~1:2。5.如权利要求1~3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述非掺杂gan层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一非掺杂gan层、si3n4过渡层和第二非掺杂gan层；所述第一非掺杂gan层的厚度为0.5μm~1.5μm，所述si3n4过渡层的厚度为10nm~30nm，所述第二非掺杂gan层的厚度为1μm~2μm。6.一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备如权利要求1~5任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层；其中，所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的bn层、mos2层和si3n4层。7.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述bn层通过cvd法制得，沉积过程中所采用的b源和n源为氨硼烷，所采用的载气为ar和h2的混合气体，ar与h2的体积比为8:1~10:1，载气的流量为500sccm~600sccm；所述bn层的沉积温度为1000℃~1100℃。8.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述mos2层通过cvd法制得，沉积过程中所采用的mo源为moo3，所采用的s源为硫磺，s源与mo源的摩尔比为150:1~350:1；所采用的载气为ar，其流量为50sccm~100sccm；所述mos2层的沉积温度为750℃~850℃。9.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述si3n4层通过mocvd法制得，其生长温度为500℃~600℃，生长压力为100torr~500torr。10.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述非掺杂gan层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一非掺杂gan层、si3n4过渡层和第二非掺杂gan层；所述第一非掺杂gan层的生长温度为800℃~900℃，生长压力为400torr~600torr，v/iii比为2000~4000；所述si3n4过渡层的生长温度为550℃~800℃，生长压力为100torr~500torr；所述第二非掺杂gan层的生长温度为1000℃~1100℃，生长压力为50torr~300torr，v/iii比为300~1000。

技术总结
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的BN层、MoS2层和Si3N4层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，降低工作电压。降低工作电压。降低工作电压。


技术研发人员：郑文杰 曹斌斌 程龙 高虹 刘春杨 胡加辉 金从龙
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：2023.09.06
技术公布日：2023/10/15