一种LED芯片制备方法与流程

一种led芯片制备方法
技术领域
1.本发明涉及led芯片技术领域，特别涉及一种led芯片制备方法。


背景技术：

2.随着 led 技术的快速发展以及 led 光效的逐步提高，led 的应用将越来越广泛。如今人们越来越关注 led 在照明市场的发展前景，led 将是取代白炽灯、钨丝灯和荧光灯的潜力光源。led芯片是一种固态的半导体器件，led的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
3.现有技术当中，led芯片中的电流阻挡层通常会采用在p型gan上沉积一层绝缘层作为led芯片的电流阻挡层，但是不管是氧化硅或是氮化硅等绝缘层作为电流阻挡层都会有一定的吸光，从而会导致led芯片的光效降低。


技术实现要素：

4.基于此，本发明的目的是提供一种led芯片制备方法，以至少解决上述现有技术当中的不足。
5.本发明提供一种led芯片制备方法，所述制备方法包括：步骤一，提供一衬底，在所述衬底上依次生长n型氮化镓层、多量子阱层以及p型氮化镓层，得到第一半成品芯片；步骤二，在所述第一半成品芯片上沉积透明导电层，在所述透明导电层表面涂覆一层光刻胶层，通过光刻在所述光刻胶层上刻出预设图层，通过刻蚀的方式将所述预设图层转移至所述透明导电层上，形成图形化的透明导电层，所述图形化的透明导电层具体为电流阻挡层，得到第二半成品芯片；步骤三，以所述图形化的透明导电层为掩膜对所述第二半成品芯片进行反掺杂形成反掺高阻区，并通过退火工艺将反掺高阻区激活，得到第三半成品芯片；步骤四，对所述第三半成品芯片进行第一道光刻胶涂布以及第一道光刻，并对所述第三半成品芯片进行第一道刻蚀，得到第四半成品芯片；步骤五，对所述第四半成品芯片进行第二道光刻胶涂布以及第二道光刻，并对所述第四半成品芯片进行第二道刻蚀，得到第五半成品芯片；步骤六，在所述第五半成品芯片上的所述衬底上涂覆一层负性光刻胶，并依次进行显影及曝光，接着在所述第五半成品芯片的表面蒸镀一层金属电极层，得到第六半成品芯片；步骤七，在所述第六半成品芯片表面沉积一层绝缘保护层，并在所述绝缘保护层表面涂覆一层光刻胶进行光刻，露出所述金属电极层，得到成品led芯片。
6.与现有技术相比，本发明的有益效果是：在第一半成品芯片上的透明导电层上涂覆光刻胶层，通过光刻在光刻胶层上刻出预设图层，并通过刻蚀的方式将预设图层转移至
透明导电层上，形成图形化的透明导电层，图形化的透明导电层为电流阻挡层，并以图形化的透明导电层作为掩膜对第二半成品芯片进行反掺杂形成反掺高阻区，并将反掺高阻区激活，沉积有反掺高阻区的电流阻挡层可以有效降低电流阻挡层对光的吸收，从而能够有效的提升led芯片的发光效率。
7.进一步的，所述衬底采用硅、碳化硅、氧化锌或蓝宝石中的一种制成。
8.进一步的，在所述步骤二中，所述透明导电层采用氧化铟掺镓、锌铟锡氧化物、氧化铟锡或纳米银线中的一种制成，所述透明导电层的透明度大于80%，所述透明导电层的电阻率低于所述p型氮化镓层，沉积所述透明导电层采用化学气相沉积或磁控溅射中的一种。
9.进一步的，在所述步骤二中，在所述光刻胶层光刻出所述预设图层后，将所述透明导电层置入刻蚀液中浸泡3min-15min，并对所述第二半成品芯片上的所述衬底依次进行去胶及清洗。
10.进一步的，在所述步骤三中，将所述第二半成品芯片置入化学气相沉积腔中，所述化学气相沉积腔中的温度为220℃-270℃，并往所述化学气相沉积腔中通入30sccm-500sccm的甲烷和950sccm-2450sccm的氮气，所述化学气相沉积腔中的射频功率为35w-150w，射频时间为45s-255s。
11.进一步的，在所述步骤三中，沉积完成所述反掺高阻区之后，将所述第二半成品芯片放入退火炉中进行退火，退火温度为450℃-650℃，以使所述反掺高阻区被激活。
12.进一步的，在所述步骤四中，使用mesa图层作为掩膜对所述第三半成品芯片进行所述第一道光刻胶涂布以及所述第一道光刻。
13.进一步的，在所述步骤五中，使用iso图层作为掩膜对所述第四半成品芯片进行所述第二道光刻胶涂布以及所述第二道光刻。
14.进一步的，在所述步骤六中，使用电子束蒸镀的方式在所述第五半成品芯片表面蒸镀一层所述金属电极层，所述金属电极层由多层金属组成，所述金属采用镍、铝、钛、金或铂中的一种，并采用浮离工艺去除所述第五半成品芯片上的所述负性光刻胶及所述金属。
15.进一步的，在所述步骤七中，所述绝缘保护层为氧化硅或氧化铝中的一种。
附图说明
16.图1为本发明第一实施例中的led芯片制备方法流程图；图2为本发明第一实施例中的成品led芯片的结构示意图。
17.主要元件符号说明：10、衬底；20、n型氮化镓层；30、多量子阱层；40、p型氮化镓层；50、透明导电层；60、反掺高阻区；70、金属电极层；80、绝缘保护层。
18.如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
19.为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
20.需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上
或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
21.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
22.实施例一请参阅图1，所示为本发明第一实施例中的led芯片制备方法，所述制备方法包括步骤一至步骤七：步骤一，提供一衬底10，在所述衬底上依次生长n型氮化镓层20、多量子阱层30以及p型氮化镓层40，得到第一半成品芯片；需要解释的是，衬底采用硅、碳化硅、氧化锌或蓝宝石中的一种制成，在本实施例中，衬底采用蓝宝石衬底。
23.步骤二，在所述第一半成品芯片上沉积透明导电层50，在所述透明导电层表面涂覆一层光刻胶层，通过光刻在所述光刻胶层上刻出预设图层，通过刻蚀的方式将所述预设图层转移至所述透明导电层上，形成图形化的透明导电层，所述图形化的透明导电层具体为电流阻挡层，得到第二半成品芯片；在具体实施时，通过化学气相沉积的方式或磁控溅射的方式在第一半成品芯片上沉积透明导电层，在本实施例中，采用化学气相沉积的方式在第一半成品芯片上沉积一层透明导电层，透明导电层用于将电流传输至p型氮化镓层，透明导电层采用氧化铟掺镓、锌铟锡氧化物、氧化铟锡或纳米银线中的一种制成，在本实施例中，透明导电层采用氧化铟掺镓制成，在光刻出预设图层之后，通过刻蚀的方式将预设图层转移至透明导电层上，形成图形化的透明导电层，在本实施例中，图形化的透明导电层具体为电流阻挡层，然后再将透明导电层放入刻蚀液中浸泡3min，目的是将未被光刻胶保护区域的透明导电层刻蚀干净，并将第二半成品芯片上的衬底上的光刻胶去除干净，然后用清水清洗第二半成品芯片即可。
24.需要解释的是，透明导电层的透明度大于80%，透明导电层的电阻率低于p型氮化镓层的电阻率，透明导电层在出光面方向，只有透光率大于80%才不会对芯片亮度产生较大影响，且透明导电层另一个作用是帮助p型氮化镓层扩展电流，只有透明导电层电阻率低于p型氮化镓层才能起到扩展电流的作用。
25.值得说明的是，通过化学气相沉积的方式在第一半成品芯片上沉积透明导电层，在本实施例中，透明导电层沉积在p型氮化镓层上，化学气相沉积采用甲烷或乙烯作为反应气体，从而使得甲烷或乙烯对p型氮化镓层表面进行反掺杂，使得沉积区域变为低掺杂区域，降低沉积区域接触电阻和载流子的迁移率，在本实施例中，低掺杂区域电阻率可提升至104ω
·
cm。
26.步骤三，以所述图形化的透明导电层为掩膜对所述第二半成品芯片进行反掺杂形成反掺高阻区，并通过退火工艺将反掺高阻区激活，得到第三半成品芯片；在具体实施时，将清洗干净的第二半成品芯片置入化学气相沉积腔中，往化学气相沉积腔中通入流量为30sccm的甲烷以及950sccm的氮气，然后使化学气相沉积腔内的温
度在220℃，并使得化学气相沉积腔内的射频功率为35w，射频时间为45s，从而可以对第二半成品芯片上的图形化透明导电层进行反掺杂，以形成反掺高阻区，需要解释的是，在低射频功率下达到不损伤第二半成品芯片的情况下形成反掺高阻区，而透明导电层在沉积的过程中可以作为掩膜并阻挡了此区域形成高阻区，达到不影响芯片发光的作用，沉积完反掺高阻区之后，将第二半成品芯片放入退火炉中退火，退火时间为450℃，使得反掺高阻区被激活，从而使得此处区域的欧姆接触性变差。
27.需要解释的是，以透明导电层作为反掺杂的掩膜，不仅可以代替传统led芯片中的电流阻挡层的作用，也可以在芯片边缘一起形成反掺高阻区，降低载流子在边缘复合的概率，并提高边缘抗静电的能力，提升边缘击穿电压。
28.值得说明的是，沉积在电流阻挡层上的反掺高阻区可以有效降低电流阻挡层对光的吸收，进而能够有效的提升芯片的发光效率。
29.步骤四，对所述第三半成品芯片进行第一道光刻胶涂布以及第一道光刻，并对所述第三半成品芯片进行第一道刻蚀，得到第四半成品芯片；在具体实施时，使用mesa图层作为掩膜对第三半成品芯片进行第一道光刻胶涂布以及第一道光刻，以使第三半成品芯片上形成n型半导体台面。
30.步骤五，对所述第四半成品芯片进行第二道光刻胶涂布以及第二道光刻，并对所述第四半成品芯片进行第二道刻蚀，得到第五半成品芯片；在具体实施时，使用iso图层作为掩膜对第四半成品芯片进行第二道光刻胶涂布以及第二道光刻，使得第四半成品芯片上形成沟道。
31.步骤六，在所述第五半成品芯片上的所述衬底上涂覆一层负性光刻胶，并依次进行显影及曝光，接着在所述第五半成品芯片的表面蒸镀一层金属电极层70，得到第六半成品芯片；在具体实施时，在第五半成品芯片上的衬底表面涂覆一层负性光刻胶，随后依次对第五半成品芯片进行显影及曝光，随后使用电子束蒸镀的方式在第五半成品芯片表面蒸镀一层金属电极层，金属电极层由多层金属组成，金属采用镍、铝、钛、金或铂中的一种，并采用浮离工艺去除第五半成品芯片上的负性光刻胶及金属，也就是将第五半成品芯片上不需要的位置上的负性光刻胶及金属层去除，去除完成后对第五半成品芯片进行清洗。
32.步骤七，在所述第六半成品芯片表面沉积一层绝缘保护层80，并在所述绝缘保护层表面涂覆一层光刻胶进行光刻，露出所述金属电极层，得到成品led芯片；需要解释的是，绝缘保护层为氧化硅或氧化铝中的一种，在本实施例中，绝缘保护层采用氧化硅制备，露出的金属电极可以在后续沉积焊盘，从而能够得到成品led芯片，如图2所示。
33.综上，本发明上述实施例当中的led芯片制备方法，在第一半成品芯片上的透明导电层上涂覆光刻胶层，通过光刻在光刻胶层上刻出预设图层，并通过刻蚀的方式将预设图层转移至透明导电层上，形成图形化的透明导电层，图形化的透明导电层为电流阻挡层，并以图形化的透明导电层作为掩膜对第二半成品芯片进行反掺杂形成反掺高阻区，并将反掺高阻区激活，沉积有反掺高阻区的电流阻挡层可以有效降低电流阻挡层对光的吸收，从而能够有效的提升led芯片的发光效率，以透明导电层作为反掺杂的掩膜，不仅可以代替传统led芯片中的电流阻挡层的作用，也可以在芯片边缘一起形成反掺高阻区，降低载流子在边
缘复合的概率，并提高边缘抗静电的能力，提升边缘击穿电压。
34.实施例二本实施例当中的led芯片制备方法与第一实施例当中的led芯片制备方法的不同之处在于：步骤二，在所述第一半成品芯片上沉积透明导电层，在所述透明导电层表面涂覆一层光刻胶层，通过光刻在所述光刻胶层上刻出预设图层，通过刻蚀的方式将所述预设图层转移至所述透明导电层上，形成图形化的透明导电层，所述图形化的透明导电层具体为电流阻挡层，得到第二半成品芯片；在具体实施时，通过化学气相沉积的方式或磁控溅射的方式在第一半成品芯片上沉积透明导电层，在本实施例中，采用化学气相沉积的方式在第一半成品芯片上沉积一层透明导电层，透明导电层用于将电流传输至p型氮化镓层，透明导电层采用氧化铟掺镓、锌铟锡氧化物、氧化铟锡或纳米银线中的一种制成，在本实施例中，透明导电层采用氧化铟掺镓制成，在光刻出预设图层之后，通过刻蚀的方式将预设图层转移至透明导电层上，形成图形化的透明导电层，在本实施例中，图形化的透明导电层具体为电流阻挡层，然后再将透明导电层放入刻蚀液中浸泡10min，目的是将未被光刻胶保护区域的透明导电层刻蚀干净，并将第二半成品芯片上的衬底上的光刻胶去除干净，然后用清水清洗第二半成品芯片即可。
35.需要解释的是，透明导电层的透明度大于80%，透明导电层的电阻率低于p型氮化镓层的电阻率。
36.值得说明的是，通过化学气相沉积的方式在第一半成品芯片上沉积透明导电层，在本实施例中，透明导电层沉积在p型氮化镓层上，化学气相沉积采用甲烷或乙烯作为反应气体，从而使得甲烷或乙烯对p型氮化镓层表面进行反掺杂，使得沉积区域变为低掺杂区域，降低沉积区域接触电阻和载流子的迁移率，在本实施例中，低掺杂区域电阻率可提升至104ω
·
cm。
37.步骤三，以所述图形化的透明导电层为掩膜对所述第二半成品芯片进行反掺杂形成反掺高阻区，并通过退火工艺将反掺高阻区激活，得到第三半成品芯片；在具体实施时，将清洗干净的第二半成品芯片置入化学气相沉积腔中，往化学气相沉积腔中通入流量为300sccm的甲烷以及1800sccm的氮气，然后使化学气相沉积腔内的温度在250℃，并使得化学气相沉积腔内的射频功率为90w，射频时间为100s，从而可以对第二半成品芯片上的图形化透明导电层进行反掺杂，以形成反掺高阻区，需要解释的是，在低射频功率下达到不损伤第二半成品芯片的情况下形成反掺高阻区，而透明导电层在沉积的过程中可以作为掩膜并阻挡了此区域形成高阻区，达到不影响芯片发光的作用，沉积完反掺高阻区之后，将第二半成品芯片放入退火炉中退火，退火时间为550℃，使得反掺高阻区被激活，从而使得此处区域的欧姆接触性变差。
38.需要解释的是，以透明导电层作为反掺杂的掩膜，不仅可以代替传统led芯片中的电流阻挡层的作用，也可以在芯片边缘一起形成反掺高阻区，降低载流子在边缘复合的概率，并提高边缘抗静电的能力，提升边缘击穿电压。
39.值得说明的是，沉积在电流阻挡层上的反掺高阻区可以有效降低电流阻挡层对光的吸收，进而能够有效的提升芯片的发光效率。
40.实施例三
本实施例当中的led芯片制备方法与上述实施例当中的led芯片制备方法的不同之处在于：步骤二，在所述第一半成品芯片上沉积透明导电层，在所述透明导电层表面涂覆一层光刻胶层，通过光刻在所述光刻胶层上刻出预设图层，通过刻蚀的方式将所述预设图层转移至所述透明导电层上，形成图形化的透明导电层，所述图形化的透明导电层具体为电流阻挡层，得到第二半成品芯片；在具体实施时，通过化学气相沉积的方式或磁控溅射的方式在第一半成品芯片上沉积透明导电层，在本实施例中，采用化学气相沉积的方式在第一半成品芯片上沉积一层透明导电层，透明导电层用于将电流传输至p型氮化镓层，透明导电层采用氧化铟掺镓、锌铟锡氧化物、氧化铟锡或纳米银线中的一种制成，在本实施例中，透明导电层采用氧化铟掺镓制成，在光刻出预设图层之后，通过刻蚀的方式将预设图层转移至透明导电层上，形成图形化的透明导电层，在本实施例中，图形化的透明导电层具体为电流阻挡层，然后再将透明导电层放入刻蚀液中浸泡15min，目的是将未被光刻胶保护区域的透明导电层刻蚀干净，并将第二半成品芯片上的衬底上的光刻胶去除干净，然后用清水清洗第二半成品芯片即可。
41.需要解释的是，透明导电层的透明度大于80%，透明导电层的电阻率低于p型氮化镓层的电阻率。
42.值得说明的是，通过化学气相沉积的方式在第一半成品芯片上沉积透明导电层，在本实施例中，透明导电层沉积在p型氮化镓层上，化学气相沉积采用甲烷或乙烯作为反应气体，从而使得甲烷或乙烯对p型氮化镓层表面进行反掺杂，使得沉积区域变为低掺杂区域，降低沉积区域接触电阻和载流子的迁移率，在本实施例中，低掺杂区域电阻率可提升至104ω
·
cm。
43.步骤三，以所述图形化的透明导电层为掩膜对所述第二半成品芯片进行反掺杂形成反掺高阻区，并通过退火工艺将反掺高阻区激活，得到第三半成品芯片；在具体实施时，将清洗干净的第二半成品芯片置入化学气相沉积腔中，往化学气相沉积腔中通入流量为500sccm的甲烷以及2450sccm的氮气，然后使化学气相沉积腔内的温度在270℃，并使得化学气相沉积腔内的射频功率为150w，射频时间为255s，从而可以对第二半成品芯片上的图形化透明导电层进行反掺杂，以形成反掺高阻区，需要解释的是，在低射频功率下达到不损伤第二半成品芯片的情况下形成反掺高阻区，而透明导电层在沉积的过程中可以作为掩膜并阻挡了此区域形成高阻区，达到不影响芯片发光的作用，沉积完反掺高阻区之后，将第二半成品芯片放入退火炉中退火，退火时间为650℃，使得反掺高阻区被激活，从而使得此处区域的欧姆接触性变差。
44.需要解释的是，以透明导电层作为反掺杂的掩膜，不仅可以代替传统led芯片中的电流阻挡层的作用，也可以在芯片边缘一起形成反掺高阻区，降低载流子在边缘复合的概率，并提高边缘抗静电的能力，提升边缘击穿电压。
45.值得说明的是，沉积在电流阻挡层上的反掺高阻区可以有效降低电流阻挡层对光的吸收，进而能够有效的提升芯片的发光效率。
46.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不
一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
47.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：
1.一种led芯片制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤一，提供一衬底，在所述衬底上依次生长n型氮化镓层、多量子阱层以及p型氮化镓层，得到第一半成品芯片；步骤二，在所述第一半成品芯片上沉积透明导电层，在所述透明导电层表面涂覆一层光刻胶层，通过光刻在所述光刻胶层上刻出预设图层，通过刻蚀的方式将所述预设图层转移至所述透明导电层上，形成图形化的透明导电层，所述图形化的透明导电层具体为电流阻挡层，得到第二半成品芯片；步骤三，以所述图形化的透明导电层为掩膜对所述第二半成品芯片进行反掺杂形成反掺高阻区，并通过退火工艺将反掺高阻区激活，得到第三半成品芯片；步骤四，对所述第三半成品芯片进行第一道光刻胶涂布以及第一道光刻，并对所述第三半成品芯片进行第一道刻蚀，得到第四半成品芯片；步骤五，对所述第四半成品芯片进行第二道光刻胶涂布以及第二道光刻，并对所述第四半成品芯片进行第二道刻蚀，得到第五半成品芯片；步骤六，在所述第五半成品芯片上的所述衬底上涂覆一层负性光刻胶，并依次进行显影及曝光，接着在所述第五半成品芯片的表面蒸镀一层金属电极层，得到第六半成品芯片；步骤七，在所述第六半成品芯片表面沉积一层绝缘保护层，并在所述绝缘保护层表面涂覆一层光刻胶进行光刻，露出所述金属电极层，得到成品led芯片。2.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述衬底采用硅、碳化硅、氧化锌或蓝宝石中的一种制成。3.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，在所述步骤二中，所述透明导电层采用氧化铟掺镓、锌铟锡氧化物、氧化铟锡或纳米银线中的一种制成，所述透明导电层的透明度大于80%，所述透明导电层的电阻率低于所述p型氮化镓层，沉积所述透明导电层采用化学气相沉积或磁控溅射中的一种。4.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，在所述步骤二中，在所述光刻胶层光刻出所述预设图层后，将所述透明导电层置入刻蚀液中浸泡3min-15min，并对所述第二半成品芯片上的所述衬底依次进行去胶及清洗。5.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，在所述步骤三中，将所述第二半成品芯片置入化学气相沉积腔中，所述化学气相沉积腔中的温度为220℃-270℃，并往所述化学气相沉积腔中通入30sccm-500sccm的甲烷和950sccm-2450sccm的氮气，所述化学气相沉积腔中的射频功率为35w-150w，射频时间为45s-255s。6.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，在所述步骤三中，沉积完成所述反掺高阻区之后，将所述第二半成品芯片放入退火炉中进行退火，退火温度为450℃-650℃，以使所述反掺高阻区被激活。7.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，在所述步骤四中，使用mesa图层作为掩膜对所述第三半成品芯片进行所述第一道光刻胶涂布以及所述第一道光刻。8.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，在所述步骤五中，使用iso图层作为掩膜对所述第四半成品芯片进行所述第二道光刻胶涂布以及所述第二道光刻。9.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，在所述步骤六中，使用电子束蒸镀的方式在所述第五半成品芯片表面蒸镀一层所述金属电极层，所述金属电极层由多层
金属组成，所述金属采用镍、铝、钛、金或铂中的一种，并采用浮离工艺去除所述第五半成品芯片上的所述负性光刻胶及所述金属。10.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，在所述步骤七中，所述绝缘保护层为氧化硅或氧化铝中的一种。

技术总结
本发明提供一种LED芯片制备方法，在透明导电层上涂覆光刻胶层，通过光刻在光刻胶层上刻出预设图层，预设图层通过刻蚀的方式转移至透明导电层，形成图形化的透明导电层，然后对第二半成品芯片进行反掺杂形成反掺高阻区，并将反掺高阻区激活，然后交替进行两道光刻胶涂布以及两道光刻，接着对两道光刻胶涂布和两道光刻完成后的半成品芯片进行刻蚀，得到第五半成品芯片，在第五半成品芯片的表面蒸镀一层金属电极层，得到第六半成品芯片，在第六半成品芯片表面沉积一层绝缘保护层，并在绝缘保护层表面涂覆一层光刻胶进行光刻，得到成品LED芯片，可以有效降低电流阻挡层对光的吸收，从而能够有效的提升LED芯片的发光效率。能够有效的提升LED芯片的发光效率。能够有效的提升LED芯片的发光效率。


技术研发人员：汪恒青 张星星 林潇雄 胡加辉 金从龙
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：2023.06.02
技术公布日：2023/7/7