一种蚀刻液及其制备方法与应用与流程

1.本发明涉及蚀刻剂技术领域，具体而言，涉及一种蚀刻液及其制备方法与应用。


背景技术：

2.随着科技的发展，显示器广泛应用于手机和平板。有机发光元件(oled)的制造工艺包括：首先在基板上形成金属薄膜，然后在该薄膜上形成具有预定图案的保护膜，再将其作为掩膜对金属薄膜进行蚀刻。银作为一个电导率和载流子迁移率均较高并且具有较高亮度的金属，广泛应用于阳极布线(ito/ag/ito)结构中。
3.目前现有技术中所用的蚀刻液不但无法有效去除ito/ag/ito部位，且对基板其他部位的钛铝钛层也有一定的损伤。
4.其中，对于同一基板(玻璃基板)而言，其表面既包括ito/ag/ito部位，又包括钛铝钛部位(例如左边区域对应ito/ag/ito部位，右边区域对应钛铝钛部位)。
5.鉴于此，特提出本发明。


技术实现要素：

6.本发明的目的之一在于提供一种蚀刻液以解决现有技术中蚀刻液对钛铝钛层部位的损伤问题。
7.本发明的目的之二在于提供一种上述蚀刻液的制备方法。
8.本发明的目的之三在于提供一种上述蚀刻液的应用。
9.第一方面，本发明提供一种蚀刻液，按质量百分数计，其包括2.00wt％-15.00wt％的过氧酸、2.00wt％-15.00wt％的有机酸a以及2.00wt％-25.00wt％的有机酸b，余量为水；
10.其中，有机酸a包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、辛酸、己二酸、乙二酸、丙二酸、苯甲酸、苯乙酸、邻苯二甲酸、对苯二甲酸、戊酸、己酸以及癸酸中的至少一种；
11.有机酸b包括甲基磺酸、苹果酸、柠檬酸、马来酸以及酒石酸中的至少一种。
12.上述过氧酸作为蚀刻反应的主氧化剂，起到使银和ito膜氧化而执行湿式蚀刻的作用；有机酸a作为辅助氧化剂，在蚀刻过程中随着主氧化剂含量降低，氢离子浓度的减少，蚀刻速度将降低，而有机物a可以源源不断的提供氢离子，从而保证氢离子浓度的稳定性，保证了蚀刻速度；有机酸b主要用于提供额外的氢离子以调节蚀刻液的ph值，从而使氧化反应能够顺利进行，并确保蚀刻后可形成较优异的轮廓。
13.含有上述配比关系的过氧酸、有机酸a和有机酸b的蚀刻液，可避免使用磷酸，不仅能够降低蚀刻液的成本(包括原料成本和废水处理成本等)，而且还能有效避免使用磷酸所导致的对基板表面其他部位的钛铝钛层有一定的损伤的问题，有效去除ito/ag/ito结构。
14.在可选的实施方式中，蚀刻液还包括10.00wt％-30.00wt％的无机盐。
15.无机盐可通过控制蚀刻液组分的ph，减少ito薄膜的银(ag)再吸附，并可调节蚀刻速度以在去除ito膜残渣时均匀地蚀刻。
16.在可选的实施方式中，蚀刻液还包括0.01wt％-1.00wt％的金属形貌改善剂。
17.金属形貌改善剂可改善银以及ito膜层的形貌。
18.在可选的实施方式中，蚀刻液包括7.00-12.00wt％的过氧酸、10.00wt％-15.00wt％的有机酸a、5.00wt％-25.00wt％的有机酸b、15.00wt％-25.00wt％的无机盐以及0.30wt％-1.00wt％的金属形貌改善剂，余量为水。
19.在可选的实施方式中，蚀刻液包括10.00wt％的过氧酸、15.00wt％的有机酸a、15.00wt％的有机酸b、25.00wt％的无机盐以及1.00wt％的金属形貌改善剂，余量为水。
20.该优选方案对应的蚀刻液不仅对基板表面钛铝钛层不会造成损伤，而且还可更加有效地去除ito/ag/ito结构，形成更优异的轮廓，无银与ito残渣，也未发生ag的再吸附现象。
21.在可选的实施方式中，过氧酸包括过一硫酸、过二硫酸以及过乙酸中的至少一种。
22.上述过氧酸为弱酸，可以有效的防止钛铝钛层受到损伤，又可以与其他的有机酸一起使得ito与银得到有效的氧化。
23.在可选的实施方式中，无机盐包括硫酸钠、硫酸钾、硫酸钙、硫酸铁、硫酸亚铁、氯化钠、氯化钙、氯化钾、硫酸氢钠、硝酸钾、硝酸铵、硝酸钠、硝酸银、硝酸钙、磷酸二氢钠以及硫酸铵中的至少一种。
24.上述无机盐可以提供充足的硫酸根、硝酸根、氯离子，能够与溶液中的氢离子分别结合形成硫酸、硝酸、盐酸，酸的存在使得吸附在基板表面银再溶解，从而减少薄膜的银(ag)再吸附，并可调节蚀刻速度以在去除ito时均匀地蚀刻。
25.在可选的实施方式中，金属形貌改善剂包括硝酸铁、硝酸亚铁、硫酸铁以及硫酸亚铁中的至少一种。
26.上述金属形貌改善剂能够有效改善ag与ito的形貌问题。
27.第二方面，本发明提供如前述实施方式任一项的蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：按配比混合各原料。
28.在可选的实施方式中，先将无机盐、金属形貌改性剂与水第一次混合，随后与过氧酸第二次混合，再与有机酸a及有机酸b第三次混合，有利于各原料之间混合均匀。
29.第三方面，本发明提供如前述实施方式任一项的蚀刻液的应用，例如可用于对ag与ito膜构成的多层膜进行刻蚀。
30.在可选的实施方式中，多层膜为ito/ag/ito复合膜。
31.本发明的有益效果包括：
32.本技术所涉及的蚀刻液，通过设置特定的组分以及各组分之间以特定的配比配合，可避免在蚀刻液中使用磷酸，不仅能够降低蚀刻液的成本(包括原料成本和废水处理成本等)，而且还能有效避免使用磷酸所导致的对基板表面钛铝钛层有一定的损伤的问题。通过实际应用，证明了该蚀刻液可有效去除ito/ag/ito结构，形成优异的轮廓，没有ag与ito残渣，也无ag的再吸附现象发生，对钛铝钛层无损伤。
附图说明
33.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这
些附图获得其他相关的附图。
34.图1为试验例中实施例2对应的用于观测蚀刻后金属的轮廓情况的蚀刻后的ito/ag/ito膜层sem截面图；
35.图2为试验例中实施例2对应的用于观测蚀刻后基板表面的金属残留情况的蚀刻后的ito/ag/ito膜层sem top图；
36.图3为试验例中实施例2对应的用于观测蚀刻后基板表面的银吸附情况的蚀刻后的ito/ag/ito膜层sem top图；
37.图4为试验例中实施例2对应的用于观测蚀刻后钛铝钛层的损伤情况的蚀刻后的ito/ag/ito膜层sem top图；
38.图5为试验例中比较例1对应的用于观测蚀刻后钛铝钛层的损伤情况的蚀刻后的ito/ag/ito膜层sem top图。
具体实施方式
39.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
40.下面对本技术提供的蚀刻液及其制备方法与应用进行具体说明。
41.发明人提出，现有技术中所用的蚀刻液无法有效去除ito/ag/ito结构，且对基板表面钛铝钛层也有一定的损伤的原因之一在于该蚀刻液中含有磷酸。
42.磷酸价格较高，对基板的钛铝钛层有一定的损伤，严重的甚至会造成对钛铝钛损伤过大，从而导致产品不良。此外，废水磷含量的排放通常需要控制在0.50mg/l以内，以避免水体富营养化导致藻类的过量繁殖及随之而来的水质恶化和生态系统的退化，但控制在0.50mg/l以内会大大增加了蚀刻液的生产成本。本技术使用的酸不存在磷导致水体富营养化的问题，且其价格较磷酸价格更低。
43.本技术创造性地提出了一种蚀刻液，其可避免在蚀刻液中使用磷酸，不仅能够降低蚀刻液的成本(包括原料成本和废水处理成本等)，而且还能有效避免使用磷酸所导致的对基板表面钛铝钛层有一定的损伤的问题。通过实际应用，证明了该蚀刻液可有效去除ito/ag/ito结构，形成优异的轮廓，没有ag与ito残渣，也无ag的再吸附现象发生，且对钛铝钛层无损伤。
44.作为参考地，按质量百分数计，本技术涉及的蚀刻液可包括2.00wt％-15.00wt％的过氧酸、2.00wt％-15.00wt％的有机酸a以及2.00wt％-25.00wt％的有机酸b，余量为水。
45.具体的，过氧酸的用量可以为2.00wt％、3.00wt％、4.00wt％、5.00wt％、6.00wt％、7.00wt％、8.00wt％、9.00wt％、10.00wt％、11.00wt％、12.00wt％、13.00wt％、14.00wt％或15.00wt％等，也可以为2.00wt％-15.00wt％范围内的其它任意值。
46.需说明的是，过氧酸的用量设置为2.00wt％-15.00wt％，可使ito层有合适的蚀刻速度，蚀刻后减少金属残留。若上述蚀刻液中过氧酸的用量低于2.00wt％，容易导致顶层ito蚀刻困难，蚀刻速率过低，导致顶层边缘ito坍塌，蚀刻截面轮廓性差；高于15.00wt％，氧化性过高，容易导致银的反应速度过快，单边蚀刻量过高而导致产线不良。
47.本技术中，过氧酸作为蚀刻反应的主氧化剂，起到使ag和ito氧化而执行湿式蚀刻的作用，且对钛铝钛无损伤。
48.示例性地，上述过氧酸可包括过一硫酸以及过二硫酸中的至少一种。此外，还可包括过乙酸等。
49.上述过氧酸为弱酸，可以有效的防止钛铝钛层受到损伤，又可以与其他的有机酸一起使得ito与银得到有效的氧化。
50.在一些优选的实施方式中，过氧酸选自过一硫酸以及过二硫酸中的至少一种。其原因包括：采用过一硫酸和/或过二硫酸能够较其它过氧酸能更好的蚀刻ito膜层，降低金属残留。
51.有机酸a的用量可以为2.00wt％、3.00wt％、4.00wt％、5.00wt％、6.00wt％、7.00wt％、8.00wt％、9.00wt％、10.00wt％、11.00wt％、12.00wt％、13.00wt％、14.00wt％或15.00wt％等，也可以为2.00wt％-15.00wt％范围内的其它任意值。
52.需说明的是，有机酸a的用量设置为2.00wt％-15.00wt％，可控制反应速度在一个合理的区间。若上述蚀刻液中有机酸a的用量低于2.00wt％，容易导致基板表面ito残留明显；高于15.00wt％，容易导致单边蚀刻量较大，不利于线宽控制。
53.本技术中，有机酸a作为辅助氧化剂，在蚀刻过程中随着主氧化剂含量降低，氢离子浓度的减少，蚀刻速度将降低，而有机物a可以源源不断的提供氢离子，从而保证氢离子浓度的稳定性，保证了蚀刻速度。示例性地，上述有机酸a可包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、辛酸、己二酸、乙二酸、丙二酸、苯甲酸、苯乙酸、邻苯二甲酸、对苯二甲酸、戊酸、己酸以及癸酸中的至少一种。
54.有机酸b的用量可以为2.00wt％、3.00wt％、4.00wt％、5.00wt％、6.00wt％、7.00wt％、8.00wt％、9.00wt％、10.00wt％、11.00wt％、12.00wt％、13.00wt％、14.00wt％、15.00wt％、16.00wt％、17.00wt％、18.00wt％、19.00wt％、20.00wt％、21.00wt％、22.00wt％、23.00wt％、24.00wt％或25.00wt％等，也可以为2.00wt％-25.00wt％范围内的其它任意值。
55.需说明的是，有机酸b的用量设置为2.00wt％-25.00wt％，因为银的蚀刻速度极快，加入有机酸b可以明显加快ito的蚀刻速率，降低顶层ito因为蚀刻过慢发生坍塌现象的风险，基板银单质吸附量少，蚀刻产品良率提高。若上述蚀刻液中有机酸b的用量低于2.00wt％，容易导致银吸附量较大；高于25.00wt％，容易导致ito蚀刻速度过快，单边蚀刻量增大。
56.本技术中，有机酸b主要用于调节蚀刻液的ph值，从而使氧化反应能够顺利进行，并确保蚀刻后可形成较优异的轮廓。
57.示例性地，上述有机酸b可包括甲基磺酸、苹果酸、柠檬酸、马来酸以及酒石酸中的至少一种。
58.进一步地，本技术所涉及的蚀刻液还可包括10.00wt％-30.00wt％的无机盐。
59.具体的，无机盐的用量可以为10.00wt％、11.00wt％、12.00wt％、13.00wt％、14.00wt％、15.00wt％、16.00wt％、17.00wt％、18.00wt％、19.00wt％、20.00wt％、21.00wt％、22.00wt％、23.00wt％、24.00wt％、25.00wt％、26.00wt％、27.00wt％、28.00wt％、29.00wt％或30.00wt％等，也可以为10.00wt％-30.00wt％范围内的其它任意
值。
60.需说明的是，无机盐的用量设置为10.00wt％-30.00wt％，可有效的控制蚀刻液组分的ph。若上述蚀刻液中无机盐的用量低于10.00wt％，容易导致蚀刻液酸性不够，ito残留发生；高于30.00wt％，容易导致产线无机盐析出，造成不良。
61.本技术中，无机盐可减少薄膜的银(ag)再吸附，并可调节蚀刻速度以在去除ito时均匀地蚀刻。
62.示例性地，上述无机盐可包括硫酸钠、硫酸钾、硫酸钙、氯化钠、氯化钙、氯化钾、硫酸氢钠、硝酸钾、硝酸铵、硝酸钠、硝酸银、硝酸钙、磷酸二氢钠以及硫酸铵中的至少一种。
63.上述无机盐可以提供充足的硫酸根、硝酸根、氯离子，能够与溶液中的氢离子分别结合形成硫酸、硝酸、盐酸，酸的存在使得吸附在基板表面银再溶解，从而减少薄膜的银(ag)再吸附，并可调节蚀刻速度以在去除ito时均匀地蚀刻。
64.进一步地，本技术所涉及的蚀刻液还可包括0.01wt％-1.00wt％的金属形貌改善剂。
65.具体的，金属形貌改善剂的用量可以为0.01wt％、0.02wt％、0.05wt％、0.08wt％、0.10wt％、0.20wt％、0.30wt％、0.40wt％、0.50wt％、0.60wt％、0.70wt％、0.80wt％、0.90wt％或1.00wt％等，也可以为0.01wt％-1.00wt％范围内的其它任意值。
66.需说明的是，金属形貌改善剂的用量设置为0.01wt％-1.00wt％，可对银残留有一定的改善。若上述蚀刻液中金属形貌改善剂的用量低于0.01wt％，容易导致含量过低，无法达到改善形貌的效果；高于1.00wt％，容易导致溶液中金属离子浓度过高，影响蚀刻液的蚀刻特性。
67.本技术中，金属形貌改善剂可改善ag与ito的形貌。
68.示例性地，上述金属形貌改善剂可包括硝酸铁、硝酸亚铁、硫酸铁以及硫酸亚铁中的至少一种。
69.金属形貌残留改善剂为含铁金属盐，通过铁的金属盐来起到降低蚀刻液渗透进入上层ito针孔中的速度的作用，从而能够防止发生鼠啮现象，对蚀刻后的形貌发生了明显的改善。
70.在一些优选的实施方式中，本技术所涉及的蚀刻液包括7.00-12.00wt％的过氧酸、10.00wt％-15.00wt％的有机酸a、5.00wt％-25.00wt％的有机酸b、15.00wt％-25.00wt％的无机盐以及0.30wt％-1.00wt％的金属形貌改善剂，余量为水。
71.在一些更优的实施方式中，蚀刻液包括10.00wt％的过氧酸、15.00wt％的有机酸a、15.00wt％的有机酸b、25.00wt％的无机盐以及1.00wt％的金属形貌改善剂，余量为水。
72.上述优选实施方式对应的蚀刻液不仅不会对基板表面钛铝钛层部位造成损伤，而且还可更加有效地去除基板表面ito/ag/ito部位，形成更优异的轮廓，无银与ito残渣，也未发生银的再吸附现象。
73.相应的，本发明还提供了一种上述蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：按配比混合各原料。
74.在一些可选的实施方式中，可以先将无机盐、金属形貌改善剂与水第一次混合，随后与过氧酸第二次混合，再与有机酸a及有机酸b第三次混合，有利于各原料之间混合均匀。
75.此外，本发明还提供了上述蚀刻液的应用，例如可用于对ag与ito膜构成的多层膜
进行刻蚀。
76.作为参考地，该多层膜可以为ito/ag/ito复合膜。
77.通过以本技术提供的蚀刻液对银与ito膜构成的多层膜进行刻蚀，可以有效去除ito/ag/ito结构，形成优异的轮廓，无银与ito残渣，也无ag的再吸附现象发生，对钛铝钛膜层无损伤。
78.以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
79.实施例1
80.本实施例提供一种蚀刻液(10.00kg)，按质量百分数计，该蚀刻液含有5.00wt％的过二硫酸(过氧酸)、10.00wt％的乙酸(有机酸a)、25.00wt％的硫酸氢钠(无机盐)、15.00wt％的甲基磺酸(有机酸b)以及1.00wt％的硝酸铁(金属形貌改善剂)，余量为去离子水。
81.该蚀刻液按以下方法配置：
82.按上述比例分别称取去离子水、无机盐、金属形貌改善剂、过氧酸、有机酸a和有机酸b，先将无机盐、金属形貌改善剂与去离子水搅拌溶解，随后加入过氧酸继续搅拌均匀，再加入有机酸a和有机酸b搅拌(30min)均匀。
83.实施例2-10以及对比例1-9
84.实施例2-10以及对比例1-9对应的蚀刻液的成分如表1所示，蚀刻液的配置方法均参照实施例1进行。
85.各实施例及对比例对应的蚀刻液的总质量均为10.00kg。
86.表1成分组成
87.[0088][0089]
试验例
[0090]
分别用上述实施例1-10以及对比例1-9的蚀刻液(10kg)对ito/ag/ito进行刻蚀，观察蚀刻特性、残留情况、钛铝钛损伤情况。
[0091]
具体的，分别将10kg蚀刻液倒入迷你蚀刻装置，温度到达40
±
0.1℃后进行蚀刻，因为底层ito的epd(刻蚀完成时间)没办法观测，只能观测ito/ag两层膜蚀刻结束的时间，总蚀刻时间为ito/ag两层膜epd的1.5倍，蚀刻结束后，2秒内用去离子水冲洗干净，并且吹干表面的水分，结束后使用扫描电子显微镜观察，并进一步评估蚀刻后的性能参数。
[0092]
性能参数评估标准如下：
[0093]
①
、单边刻蚀量(蚀刻后光刻胶边缘距离蚀刻后银的距离)评价标准如下：
[0094]
○
：优异[单边刻蚀量：0.40-0.60μm]；
[0095]
△
：良好[单边刻蚀量：0.30-0.40μm]；
[0096]
×
：不良[单边刻蚀量：0.60μm以上或者0.30以下]。
[0097]
②
、银再吸附(sem 20k倍率下表面吸附ag颗粒数)评价标准如下：
[0098]
○
：优异[小于10个]；
[0099]
△
：良好[10-30个]；
[0100]
×
：不良[30个以上]。
[0101]
③
、残渣(sem 20k倍率下表面ag/ito残留颗粒数)评价标准如下：
[0102]
○
：优异[小于10个]；
[0103]
△
：良好[10-30个]；
[0104]
×
：不良[30个以上]。
[0105]
④
、钛铝钛损伤评价标准如下：
[0106]
○
：优异[完全未发生损伤(al无发生缩进)]；
[0107]
△
：良好[发生微量损伤(al缩进小于0.10μm)]；
[0108]
×
：不良[发生严重损伤(al缩进大于0.10μm)]。
[0109]
评价结果如表2所示。
[0110]
表2评价结果
[0111][0112][0113]
由表2可以看出：使用实施例1-10的蚀刻液实施蚀刻的情况下，没有发生钛铝钛损伤问题，单边蚀刻量、残渣及ag再吸附等指标也都是良好或者优异的。具体地，与实施例2相比，实施例1可能因为过二硫酸含量偏低，从而导致蚀刻有一定的ito残留，实施例2与实施例4对比可以发现，使用属于有机酸a的乙酸比使用对苯二甲酸更有利于解决银的吸附问题，实施例5的有机酸b选用苹果酸，对比实施例2可以发现甲基磺酸更有利于解决残渣问题。实施例6与实施例7分别在甲基磺酸与无机盐的含量不够的情况下，有一定的残渣，但是还是可以保持良好的测试结果。实施例10选用过乙酸为主氧化剂，过乙酸提供的氢离子小于过二硫酸，对金属的反应速率不够导致残渣发生。
[0114]
而使用比较例1-9的蚀刻液实施蚀刻的情况下，均发生ag吸附及钛铝钛损伤问题，可能是因为磷酸相对于有机酸，对钛铝钛腐蚀速度比较快。比较例1-3不添加有机酸b且分
别调整了不同含量的磷酸与实施例2进行对比，比较例1-3均发生ag再吸附及钛铝钛损伤问题，并且在磷酸含量较低时，残渣量也没有达到非常优异，比较例5中添加了无机盐，相对于比较例1-2，残渣有一定改善，但是ag再吸附及钛铝钛损伤问题依然没有解决。比较例6-8不添加有机酸a且分别调整了不同含量的磷酸与实施例2进行对比，比较例6-8也均发生ag再吸附及钛铝钛损伤问题。比较例9较实施例2不含有机酸a和有机酸b，用磷酸代替有机酸a和有机酸b，其结果也显示发生ag吸附及钛铝钛损伤问题。
[0115]
进一步地，以实施例2和对比例1为例，进行蚀刻结果比较。
[0116]
图1为实施例2对应的蚀刻后的ito/ag/ito膜层sem截面图，从图1可以看出：实施例2提供的蚀刻液对ito/ag/ito膜层蚀刻效果非常好。
[0117]
图2为实施例2对应的蚀刻后的ito/ag/ito膜层sem top图，从图2可以看出：实施例2提供的蚀刻液对ito/ag/ito膜层蚀刻后无残留发生。
[0118]
图3为实施例2对应的蚀刻后的ito/ag/ito膜层sem top图，从图3可以看出：实施例2提供的蚀刻液对ito/ag/ito膜层蚀刻后无ag吸附发生。
[0119]
图4为实施例2对应的蚀刻后的ito/ag/ito膜层sem top图，从图4可以看出：实施例2提供的蚀刻液对钛铝钛膜层无损伤。
[0120]
图5为比较例1对应的蚀刻后的ito/ag/ito膜层sem top图，从图5可以看出：比较例1提供的蚀刻液对钛铝钛膜层有一定的损伤。
[0121]
综上所述，本技术提供的蚀刻液成本较低，主要适用于对银与ito膜构成的多层膜中银进行刻蚀，不仅避免了使用磷酸所导致的对基板表面钛铝钛层有一定的损伤且不利于环保的问题，而且可有效去除ito/ag/ito结构，形成优异的轮廓，没有银与ito残渣，也无银的再吸附现象发生。
[0122]
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种蚀刻液，其特征在于，按质量百分数计，所述蚀刻液包括2.00wt％-15.00wt％的过氧酸、2.00wt％-15.00wt％的有机酸a以及2.00wt％-25.00wt％的有机酸b，余量为水；其中，所述有机酸a包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、辛酸、己二酸、乙二酸、丙二酸、苯甲酸、苯乙酸、邻苯二甲酸、对苯二甲酸、戊酸、己酸以及癸酸中的至少一种；所述有机酸b包括甲基磺酸、苹果酸、柠檬酸、马来酸以及酒石酸中的至少一种。2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液还包括10.00wt％-30.00wt％的无机盐。3.根据权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液还包括0.01wt％-1.00wt％的金属形貌改善剂。4.根据权利要求3所述的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液包括7.00-12.00wt％的所述过氧酸、10.00wt％-15.00wt％的所述有机酸a、5.00wt％-25.00wt％的所述有机酸b、15.00wt％-25.00wt％的所述无机盐以及0.30wt％-1.00wt％的所述金属形貌改善剂，余量为水；优选地，所述蚀刻液包括10.00wt％的所述过氧酸、15.00wt％的所述有机酸a、15.00wt％的所述有机酸b、25.00wt％的所述无机盐以及1.00wt％的所述金属形貌改善剂，余量为水。5.根据权利要求1-4任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述过氧酸包括过一硫酸、过二硫酸以及过乙酸中的至少一种。6.根据权利要求2-4任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述无机盐包括硫酸钠、硫酸钾、硫酸钙、硫酸铁、硫酸亚铁、氯化钠、氯化钙、氯化钾、硫酸氢钠、硝酸钾、硝酸铵、硝酸钠、硝酸银、硝酸钙、磷酸二氢钠以及硫酸铵中的至少一种。7.根据权利要求3或4所述的蚀刻液，其特征在于，所述金属形貌改善剂包括硝酸铁、硝酸亚铁、硫酸铁以及硫酸亚铁中的至少一种。8.如权利要求1-7任一项所述的蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：按配比混合各原料。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，先将无机盐、金属形貌改善剂与水第一次混合，随后与过氧酸第二次混合，再与有机酸a及有机酸b第三次混合。10.如权利要求1-7任一项所述的蚀刻液的应用，其特征在于，所述蚀刻液用于对ag与ito膜构成的多层膜进行刻蚀；优选地，所述多层膜为ito/ag/ito复合膜。

技术总结
本发明公开了一种蚀刻液及其制备方法与应用，属于蚀刻剂技术领域。按质量百分数计，该蚀刻液包括2.00-15.00wt％的过氧酸、2.00-15.00wt％的有机酸A及2.00-25.00wt％的有机酸B，余量为水；有机酸A包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、辛酸、己二酸、乙二酸、丙二酸及苯甲酸中的至少一种；有机酸B包括甲基磺酸、苹果酸、柠檬酸、马来酸及酒石酸中的至少一种。通过以上述蚀刻液对银与ITO膜构成的多层膜的银进行刻蚀，不仅避免了使用磷酸所导致的对基板中钛铝钛层有一定的损伤且不利于环保的问题，而且可有效去除ITO/Ag/ITO结构，形成优异的轮廓，没有银与ITO残渣，也无Ag的再吸附现象发生。也无Ag的再吸附现象发生。也无Ag的再吸附现象发生。


技术研发人员：张伟明 聂航 章学春 沈楠 李玉兴
受保护的技术使用者：上海盛剑微电子有限公司
技术研发日：2023.04.12
技术公布日：2023/7/13