一种用于引线框架加工的W型铜镍硅合金异形带材的制作方法

0.35%，zr0.003-0.08%，p0.01-0.07%，其余为cu及不可避免的杂质，且ni和si的重量含量满足5.0≤ni/si≤6.0；所述铜镍硅合金带材中析出相均为δ-ni2si析出相且均匀分布，δ-ni2si析出相中粒径为25-30nm的析出相粒子占比35-40%，粒径为3540nm的析出相粒子占比30-40%，粒径大于40nm的析出相粒子占比20-40%。
9.优选的，其重量百分比组成为：ni0.8%，si0.15%，zr0.003%，p0.01%，其余为cu及不可避免的杂质，且ni和si的重量含量满足5.0≤ni/si≤6.0。
10.优选的，其重量百分比组成为：ni1.8%，si0.35%，zr0.08%，p0.07%，其余为cu及不可避免的杂质，且ni和si的重量含量满足5.0≤ni/si≤6.0。
11.优选的，所述的铜镍硅合金带材的抗拉强度为550~600mpa，导电率60%iacs以上，平行于轧制方向的90
°
弯曲半径与带材的厚度比r1/t=0，垂直于轧制方向的90
°
弯曲半径与带材的厚度比r2/t≤0.5，平行于轧制方向的180
°
弯曲半径与带材的厚度比r3/t≤0.5，垂直于轧制方向的180
°
弯曲半径与带材的厚度比r4/t≤1.0。
12.优选的，其中：热轧加热温度为950-970
°
c，保温时间为5.5-6.0小时；固溶处理的温度为750-830
°
c，时间为18-50秒；固溶处理后晶粒尺寸为10-20μm；一次时效处理温度为480-550
°
c，时间为3-7h；冷轧终轧的加工率为10-60%；二次时效处理的温度为400-450
°
c，时间为4-10h。
13.优选的，热轧加热温度为960
°
c，保温时间为5.75小时；固溶处理的温度为800
°
c，时间为35秒；固溶处理后晶粒尺寸为15μm；一次时效处理温度为520
°
c，时间为5h；冷轧终轧的加工率为35%；二次时效处理的温度为425
°
c，时间为7h。
14.本发明的技术效果和优点：本发明提出的一种用于引线框架加工的w型铜镍硅合金异形带材，与现有技术相比，具有以下优点：本发明通过提出w型铜镍硅合金异形带材结构和引线框架加工方法，发明的铜镍硅合金带材的加工方法在粗轧后进行气垫炉固溶处理，使固溶处理后晶粒尺寸10-20μm，然后进行一次时效处理后终轧、二次时效处理后即可使所得铜镍硅合金带材中析出相均为δ-ni2si相，且其中粒径为20-30nm的析出相粒子占比30-40%，粒径为30-40nm的析出相粒子占比30-40%，粒径大于40nm的析出相粒子占比20-40%。本发明w型铜镍硅合金异形带材结构使得带材结构的生产可充分的利用原材料，所制备的铜镍硅合金带材不仅具有良好导电性，且具备较高强度以及良好的折弯性能。
15.本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
附图说明
16.图1为本发明多组w型铜镍硅合金异形带材的结构示意图；图2为本发明单组w型铜镍硅合金异形带材的结构示意图；图3为本发明w型铜镍硅合金异形带材的生产加工的方法流程图。
实施方式
17.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
18.本发明提供了如图1-3所示的实施例：一种用于引线框架加工的w型铜镍硅合金异形带材，包括单组w型铜镍硅合金异形带材结构，单组异形带材结构整体呈矩形，所述异形带材结构上开设有两组凹槽，所述异形带材结构通过开设凹槽形成凸起部分，所述凸起部分的形状与凹槽的形状呈相同设置；还包括w型铜镍硅合金异形带材的引线框架加工方法，包括如下步骤：首先采用立式半连续的形式对铜镍硅合金进行铸造，铸造完毕后在热轧处理后进行铣面操作，冷轧粗轧后进行固溶处理，在一次时效处理后进行一次清洗，在冷轧终轧后进行二次时效处理。
19.所述凸起部分与凹槽的形状包括矩形、梯形与三角形；所述异形带材结构的两端设置有延伸凸起，所述延伸凸起设置为矩形，所述延伸凸起的宽度为凸起部分宽度的一半。
20.其铜镍硅合金异形带材的重量百分比组成为：ni0.8-1.8%，si0.15-0.35%，zr0.003-0.08%，p0.01-0.07%，其余为cu及不可避免的杂质，且ni和si的重量含量满足5.0≤ni/si≤6.0；所述铜镍硅合金带材中析出相均为δ-ni2si析出相且均匀分布，δ-ni2si析出相中粒径为25-30nm的析出相粒子占比35-40%，粒径为3540nm的析出相粒子占比30-40%，粒径大于40nm的析出相粒子占比20-40%。
21.其重量百分比组成为：ni0.8%，si0.15%，zr0.003%，p0.01%，其余为cu及不可避免的杂质，且ni和si的重量含量满足5.0≤ni/si≤6.0。
22.其重量百分比组成为：ni1.8%，si0.35%，zr0.08%，p0.07%，其余为cu及不可避免的杂质，且ni和si的重量含量满足5.0≤ni/si≤6.0。
23.所述的铜镍硅合金带材的抗拉强度为550~600mpa，导电率60%iacs以上，平行于轧制方向的90
°
弯曲半径与带材的厚度比r1/t=0，垂直于轧制方向的90
°
弯曲半径与带材的厚度比r2/t≤0.5，平行于轧制方向的180
°
弯曲半径与带材的厚度比r3/t≤0.5，垂直于轧制方向的180
°
弯曲半径与带材的厚度比r4/t≤1.0。
24.其中：热轧加热温度为950-970
°
c，保温时间为5.5-6.0小时；固溶处理的温度为750-830
°
c，时间为18-50秒；固溶处理后晶粒尺寸为10-20μm；一次时效处理温度为480-550
°
c，时间为3-7h；冷轧终轧的加工率为10-60%；二次时效处理的温度为400-450
°
c，时间为4-10h。
25.热轧加热温度为960
°
c，保温时间为5.75小时；固溶处理的温度为800
°
c，时间为35秒；固溶处理后晶粒尺寸为15μm；一次时效处理温度为520
°
c，时间为5h；冷轧终轧的加工率为35%；二次时效处理的温度为425
°
c，时间为7h。
26.综上所述，本发明通过提出w型铜镍硅合金异形带材结构和引线框架加工方法，发明的铜镍硅合金带材的加工方法在粗轧后进行气垫炉固溶处理，使固溶处理后晶粒尺寸10-20μm，然后进行一次时效处理后终轧、二次时效处理后即可使所得铜镍硅合金带材中析出相均为δ-ni2si相，且其中粒径为20-30nm的析出相粒子占比30-40%，粒径为30-40nm的析出相粒子占比30-40%，粒径大于40nm的析出相粒子占比20-40%。本发明w型铜镍硅合金异形带材结构使得带材结构的生产可充分的利用原材料，所制备的铜镍硅合金带材不仅具有良
好导电性，且具备较高强度以及良好的折弯性能。
27.最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种用于引线框架加工的w型铜镍硅合金异形带材，其特征在于：包括单组w型铜镍硅合金异形带材结构，单组异形带材结构整体呈矩形，所述异形带材结构上开设有两组凹槽，所述异形带材结构通过开设凹槽形成凸起部分，所述凸起部分的形状与凹槽的形状呈相同设置；还包括w型铜镍硅合金异形带材的引线框架加工方法，包括如下步骤：首先采用立式半连续的形式对铜镍硅合金进行铸造，铸造完毕后在热轧处理后进行铣面操作，冷轧粗轧后进行固溶处理，在一次时效处理后进行一次清洗，在冷轧终轧后进行二次时效处理。2.根据权利要求1所述的一种用于引线框架加工的w型铜镍硅合金异形带材，其特征在于：所述凸起部分与凹槽的形状包括矩形、梯形与三角形。3.根据权利要求2所述的一种用于引线框架加工的w型铜镍硅合金异形带材，其特征在于：所述异形带材结构的两端设置有延伸凸起，所述延伸凸起设置为矩形，所述延伸凸起的宽度为凸起部分宽度的一半。4.根据权利要求1所述的一种用于引线框架加工的w型铜镍硅合金异形带材，其特征在于：其铜镍硅合金异形带材的重量百分比组成为：ni 0.8-1.8%，si 0.15-0.35%，zr 0.003-0.08%，p 0.01-0.07%，其余为cu及不可避免的杂质，且ni和si的重量含量满足5.0≤ni/si≤6.0；所述铜镍硅合金带材中析出相均为δ-ni2si析出相且均匀分布，δ-ni2si析出相中粒径为25-30 nm的析出相粒子占比35-40%，粒径为3540 nm的析出相粒子占比30-40%，粒径大于40 nm的析出相粒子占比20-40%。5.根据权利要求4所述的一种用于引线框架加工的w型铜镍硅合金异形带材，其特征在于：其重量百分比组成为：ni 0.8%，si 0.15%，zr 0.003%，p 0.01%，其余为cu及不可避免的杂质，且ni和si的重量含量满足5.0≤ni/si≤6.0。6.根据权利要求5所述的一种用于引线框架加工的w型铜镍硅合金异形带材，其特征在于：其重量百分比组成为：ni 1.8%，si 0.35%，zr 0.08%，p 0.07%，其余为cu及不可避免的杂质，且ni和si的重量含量满足5.0≤ni/si≤6.0。7.根据权利要求4所述的一种用于引线框架加工的w型铜镍硅合金异形带材，其特征在于：所述的铜镍硅合金带材的抗拉强度为550~600 mpa，导电率60%iacs以上，平行于轧制方向的90
°
弯曲半径与带材的厚度比r1/t=0，垂直于轧制方向的90
°
弯曲半径与带材的厚度比r2/t≤0.5，平行于轧制方向的180
°
弯曲半径与带材的厚度比r3/t≤0.5，垂直于轧制方向的180
°
弯曲半径与带材的厚度比r4/t≤1.0。8.根据权利要求1所述的一种用于引线框架加工的w型铜镍硅合金异形带材，其特征在于：其中：热轧加热温度为950-970
°
c，保温时间为5.5-6.0小时；固溶处理的温度为750-830
°
c，时间为18-50秒；固溶处理后晶粒尺寸为10-20μm；一次时效处理温度为480-550
°
c，时间为3-7h；冷轧终轧的加工率为10-60%；二次时效处理的温度为400-450
°
c，时间为4-10h。9.根据权利要求8所述的一种用于引线框架加工的w型铜镍硅合金异形带材，其特征在于：热轧加热温度为960
°
c，保温时间为5.75小时；固溶处理的温度为800
°
c，时间为35秒；固溶处理后晶粒尺寸为15μm；一次时效处理温度为520
°
c，时间为5h；冷轧终轧的加工率为35%；二次时效处理的温度为425
°
c，时间为7h。

技术总结
本发明公开了一种用于引线框架加工的W型铜镍硅合金异形带材，包括W型铜镍硅合金异形带材结构和引线框架加工方法，单组异形带材结构整体呈矩形，所述异形带材结构上开设有两组凹槽，发明的铜镍硅合金带材的加工方法在粗轧后进行气垫炉固溶处理，使固溶处理后晶粒尺寸10-20μm，然后进行一次时效处理后终轧、二次时效处理后即可使所得铜镍硅合金带材中析出相均为δ-Ni2Si相，且其中粒径为20-30nm的析出相粒子占比30-40%，粒径为30-40nm的析出相粒子占比30-40%，粒径大于40nm的析出相粒子占比20-40%。本发明W型铜镍硅合金异形带材结构使得带材结构的生产可充分的利用原材料，所制备的铜镍硅合金带材不仅具有良好导电性，且具备较高强度以及良好的折弯性能。备较高强度以及良好的折弯性能。备较高强度以及良好的折弯性能。


技术研发人员：张云弓
受保护的技术使用者：泰州麒润电子有限公司
技术研发日：2023.04.19
技术公布日：2023/7/12