半导体工艺方法与流程

1.本技术是有关于半导体领域，详细来说，是有关于一种半导体工艺方法。


背景技术：

2.集成电路芯片上的线路是由光刻机将光罩上的图案投影而来，实际上在进行光刻时，会将晶圆分成若干的曝光区块，按照顺序将整片晶圆进行曝光，一个曝光区块会包含若干芯片。当光罩的尺寸与每块曝光区块的尺寸不相符时，例如，如光罩设计芯片排列为3列
╳
50行，一个曝光区块的排列为2列
╳
45行，此时，曝光时会出现光罩图案与实际产品曝光区块内的芯片对不齐的状况。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术提出一种半导体工艺方法来解决上述问题。
4.依据本技术的一实施例，提出一种半导体工艺方法。所述半导体工艺方法包括s1根据半导体产品的曝光区块设定光罩的第一位置；s2当所述光罩的尺寸与所述曝光区块的尺寸不符时，移动设定的所述第一位置使所述第一位置与所述曝光区块的一顶点重合；s3依据所述光罩的尺寸设定第二位置。
5.依据本技术的一实施例，步骤s1包括：s11将所述第一位置的中心设定于所述曝光区块的中心。
6.依据本技术的一实施例，步骤s2包括：s21以所述光罩与所述曝光区块的长边差值的一半或短边差值的一半移动所述第一位置。
7.依据本技术的一实施例，步骤s3包括：s31从所述第一位置移动所述光罩的长边长度距离或短边长度距离来设定所述第二位置。
8.依据本技术的一实施例，所述半导体工艺方法还包括：s4依据所述光罩的尺寸设定第三位置，以此类推直到覆盖所述半导体产品。
9.依据本技术的一实施例，步骤s4包括：s41从所述第二位置移动所述光罩的长边长度距离或短边长度距离设定所述第三位置。
10.依据本技术的一实施例，所述半导体工艺方法还包括：s5从第一起始位置开始对所述半导体产品被所述光罩覆盖的部分进行光刻作业。
11.依据本技术的一实施例，所述半导体工艺方法还包括：s6从所述第一起始位置将所述半导体产品移动所述光罩的长边长度距离或短边长度距离后进行所述光刻作业。
12.依据本技术的一实施例，步骤s6包括：s61从所述第一起始位置沿所述光罩的长边方向依序地将所述半导体产品移动所述长边长度距离并进行所述光刻作业，直到所述半导体产品从所述第一起始位置沿所述光罩的长边方向上的部分都完成光刻作业；s62沿所述光罩的短边方向将所述半导体产品移动所述短边长度距离到第二起始位置并进行所述光刻作业。
13.依据本技术的一实施例，步骤s6还包括：s63从所述第二起始位置沿所述光罩的长
边方向依序地将所述半导体产品移动所述长边长度距离并进行所述光刻作业，直到所述半导体产品从所述第二起始位置沿所述光罩的长边方向上的部分都完成光刻作业。
14.通过本技术提出的半导体工艺方法，可以将光罩设定位置完整地覆盖晶圆，避免造成漏曝、曝偏等问题，提高产品良率。
附图说明
15.附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：图1a演示光罩尺寸小于曝光区块尺寸的示意图。
16.图1b演示光罩尺寸大于曝光区块尺寸的示意图。
17.图2演示依据本技术一实施例的半导体工艺方法的第一部分流程图。
18.图3演示依据本技术一实施例的当光罩尺寸小于曝光区块尺寸时设定光罩位置的示意图。
19.图4演示依据本技术一实施例的当光罩尺寸大于曝光区块尺寸时设定光罩位置的示意图。
20.图5演示依据本技术一实施例的将第一位置与曝光区块的顶点重合的示意图。
21.图6演示依据本技术一实施例的将第一位置与曝光区块的顶点重合的示意图。
22.图7演示依据本技术一实施例的半导体工艺方法的第二部分流程图。
具体实施方式
23.以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
24.再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位（如，旋转90度或处于其他方位），而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
25.虽然用以界定本技术较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10%、5%、1%或0.5%之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本技术所属技术领域中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比（例如用以描述材料用量、时间长短、
温度、操作条件、数量比例及其他相似者）均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
26.在对半导体产品（如晶圆）进行光刻作业时，若光罩的尺寸与每块曝光区块的尺寸不相符，曝光时会出现光罩图案与实际产品曝光区块内的芯片对不齐的状况。参考图1a，图1a演示光罩尺寸小于曝光区块尺寸的示意图，其中实线框所示为半导体产品1z上的曝光区块1x，虚线框所示为光罩笼罩区域1y。在图1a所示的范例中，每个曝光区块1x包括多个形成矩阵排列产品单元，每个产品单元包括多个要进行曝光的区域（斜线标识区域）。在光罩尺寸小于曝光区块尺寸的情况下，光罩笼罩区域1y仅能笼罩部分产品单元，如图1a所示。因此，在对半导体产品1z进行曝光时，由于光罩明显无法完全笼罩曝光区块，因此，可能导致曝光区块内有芯片没有被曝光。
27.参考图1b，图1b演示光罩尺寸大于曝光区块尺寸的示意图，其中实线框所示为半导体产品2z上的曝光区块2x，虚线框所示为光罩笼罩区域2y。在图1b所示的范例中，在光罩尺寸大于曝光区块尺寸的情况下，光罩笼罩区域2y可能笼罩除了曝光区块2x以外的曝光区块。此时，在对半导体产品2z进行曝光时，光罩会笼罩其他曝光区块，因此，可能造成其他区块中的芯片曝偏，或者，在进行下一曝光区块的曝光时可能无法准确对齐还没曝光的芯片，导致有部分漏曝。
28.据此，本技术提出一种半导体工艺方法来解决上述问题。
29.图2演示依据本技术一实施例的半导体工艺方法10的第一部分流程图。在某些实施例中，半导体工艺方法10可以应用于半导体光刻机以对半导体产品（如晶圆）进行光刻作业。在某些实施例中，半导体工艺方法10可以是通过存储装置储存的程序码，当通过半导体光刻机中的处理器读取时，半导体光刻机会执行半导体工艺方法10中的步骤流程。倘若大致上可以得到类似的结果，本技术并不限定完全依照图2所示的流程步骤进行。在某些实施例中，半导体工艺方法10的第一部分可以归纳如下：步骤s1：根据半导体产品的曝光区块设定光罩的第一位置；步骤s2：当所述光罩的尺寸与所述曝光区块的尺寸不符时，移动设定的所述第一位置使所述第一位置与所述曝光区块的一顶点重合；步骤s3：依据所述光罩的尺寸设定第二位置。
30.关于步骤s1的说明，请参考图3子图(a)，在选择半导体产品31z的一个曝光区块（实线框31x）后根据曝光区块31x来设定光罩的第一位置（虚线框31y），其中图3是以光罩尺寸小于曝光区块尺寸作为范例说明的俯视视图。需说明的是，在本技术中，曝光区块尺寸是光罩的尺寸的倍数倍，举例来说，曝光区块中可以包括2x6矩阵排列的产品单元，光罩可以笼罩曝光区块中1x1、1x2、1x3、1x4、1x5、1x6或者2x1、2x2、2x3、2x4、2x5等矩阵排列的产品单元。光罩尺寸与曝光区块尺寸的实际比例并非本技术的一限制。需说明的是，曝光区块31x可以是对应到半导体产品31z的任意一个曝光区块，换言之，曝光区块31x的位置并非本技术的一限制。
31.在某些实施例中，步骤s1具体还包括步骤s11：将光罩的第一位置的中心设定于曝
光区块的中心。如图3子图(a)所示，光罩的第一位置31y的中心设定于曝光区块31x的中心。
32.关于步骤s1的说明还可以参考图4子图(a)，在选择半导体产品41z的一个曝光区块（实线框41x）后根据曝光区块41x来设定光罩的第一位置（虚线框41y），其中图4是以光罩尺寸大于曝光区块尺寸作为范例说明，并且光罩尺寸是曝光区块尺寸的倍数倍。需说明的是，曝光区块31x可以是对应到半导体产品31z的任意一个曝光区块，换言之，曝光区块31x的位置并非本技术的一限制。
33.同样地，曝光区块41x可以是对应到半导体产品41z的任意一个曝光区块，曝光区块41x的位置并非本技术的一限制。如图4子图(a)所示，光罩的第一位置41y的中心设定于曝光区块41x的中心。
34.关于步骤s2的说明，请参考图3子图(b)，由于光罩尺寸与曝光区块尺寸不符（光罩尺寸小于曝光区块尺寸），移动第一位置31y使得第一位置31y与曝光区块31x的一顶点重合。在子图(b)中，移动第一位置31y使得第一位置31y与曝光区块31x的左下角顶点重合。
35.在某些实施例中，步骤s2具体还包括s21：以所述光罩与所述曝光区块的长边差值的一半或短边差值的一半移动所述第一位置。参考图5的子图(a)，当第一位置31y与曝光区块31x的中心对齐时，假设曝光区块31x的长边长度为l31x，短边长度为w31x，光罩的长边长度为l31y，短边长度为w31y，为了使得第一位置31y与曝光区块31x的左下角顶点重合，第一位置31y必须向左移动的距离为（w31x-w31y）/2，意即光罩与曝光区块的短边差值的一半，同时，第一位置31y必须向下移动的距离为（l31x-l31y）/2，意即光罩与曝光区块的长边差值的一半。
36.参考图5的子图(b)，假设曝光区块31x中包括2x6矩阵排列的产品单元，光罩尺寸能笼罩曝光区块31x中1x4矩阵排列的产品单元。当第一位置31y与曝光区块31x的左下角顶点重合后，光罩笼罩曝光区块31x中下半部左边四个产品单元，并且与该些产品单元对齐。
37.关于步骤s2的说明还可以参考图4子图(b)，由于光罩尺寸大于曝光区块尺寸，移动第一位置41y使得第一位置41y与曝光区块41x的一顶点重合。在子图(b)中，移动第一位置41y使得第一位置41y与曝光区块41x的左上角顶点重合。参考图6的子图(a)，当第一位置41y与曝光区块41x的中心对齐时，假设曝光区块41x的长边长度为l41x，短边长度为w41x，光罩的长边长度为l41y，短边长度为w41y，为了使得第一位置41y与曝光区块41x的左上角顶点重合，第一位置41y必须向右移动的距离为（w41y-w41x）/2，意即光罩与曝光区块的短边差值的一半，同时，第一位置41y必须向下移动的距离为（l41y-l41x）/2，意即光罩与曝光区块的长边差值的一半。
38.参考图6的子图(b)，假设曝光区块41x中包括2x6矩阵排列的产品单元，光罩尺寸可以笼罩3x8矩阵排列的产品单元，当第一位置41y与曝光区块41x的左上角顶点重合后，光罩笼罩曝光区块41x中的所有产品单元，并且与曝光区块41x中的所有产品单元对齐，此时，光罩大于曝光区块41x的部分也同时会与紧邻曝光区块41x的右侧的曝光区块42x、紧邻曝光区块41x的下侧的曝光区块43x以及紧邻曝光区块43x的右侧的曝光区块44x中的部分产品单元对齐。
39.关于步骤s3的说明，请参考图3子图(c)，在设定完第一位置31y后，依据光罩的尺寸设定第二位置32y。
40.在某些实施例中，步骤s3具体还包括s31：从所述第一位置移动所述光罩的长边长
度距离或短边长度距离来设定所述第二位置。如图3子图(c)所示，在设定完第一位置31y后，从第一位置31y向右移动一个光罩的短边长度距离w31y后即可得到紧邻第一位置31y右侧的第二位置32y，同样地，从第一位置31y向上移动一个光罩的长边长度距离l31y后即可得到紧邻第一位置31y上侧的第二位置32y。
41.搭配图5可以得知，光罩在右侧的第二位置32y将会笼罩曝光区块31x中下半部右边两个产品单元以及紧邻曝光区块31x右侧的曝光区块32x的下半部左边两个产品单元，并且与该些部分产品单元对齐；光罩在上侧的第二位置32y将会笼罩曝光区块31x中上半部左边四个产品单元，并且与该些部分产品单元对齐，以此类推。
42.本领域技术人员可以理解从第一位置31y向左移动一个光罩的短边长度距离w31y后即可得到紧邻第一位置31y左侧的第二位置32y，同样地，从第一位置31y向下移动一个光罩的长边长度距离l31y后即可得到紧邻第一位置31y下侧的第二位置32y。需说明的是，此处所指的第一位置31y的上侧、下侧、左侧、右侧所代指的是从图3所示的俯视视图中的上、下、左、右，并非实际第一位置31y的上方空间、下方空间、左侧空间和右侧空间。
43.关于步骤s3的说明还可以参考图4子图(c)，在设定完第一位置41y后，依据光罩的尺寸设定第二位置42y。如子图(c)所示，在设定完第一位置41y后，从第一位置41y向右移动一个光罩的短边长度距离w41y后即可得到紧邻第一位置41y右侧的第二位置42y，同样地，从第一位置41y向下移动一个光罩的长边长度距离l41y后即可得到紧邻第一位置41y下侧的第二位置42y。
44.搭配图6可以得知，光罩在右侧的第二位置42y将会笼罩曝光区块42x右半边四列产品单元以及紧邻曝光区块42x下侧的曝光区块44x的上半部右边四个产品单元，并且与该些部分产品单元对齐；光罩在下侧的第二位置42y将会笼罩曝光区块43x中下半部的产品单元以及紧邻曝光区块43x右侧的曝光区块44x下半部左边两个产品单元，并且与该些部分产品单元对齐，以此类推。
45.本领域技术人员可以轻易理解从第一位置41y向左移动一个光罩的短边长度距离w41y后即可得到紧邻第一位置41y左侧的第二位置42y，同样地，从第一位置41y向上移动一个光罩的长边长度距离l41y后即可得到紧邻第一位置41y上侧的第二位置42y。需说明的是，此处所指的第一位置41y的上侧、下侧、左侧、右侧所代指的是从图4所示的俯视视图中的上、下、左、右，并非实际第一位置41y的上方空间、下方空间、左侧空间和右侧空间。
46.图7演示依据本技术一实施例的半导体工艺方法10的第二部分流程图。在某些实施例中，图7所示的第二部分流程接续图2所示的第一部分流程。倘若大致上可以得到类似的结果，本技术并不限定完全依照图7所示的流程步骤进行。在某些实施例中，半导体工艺方法10的第二部分可以归纳如下：步骤s4：依据所述光罩的尺寸设定第三位置，以此类推直到覆盖所述半导体产品；步骤s5：从第一起始位置开始对所述半导体产品被所述光罩覆盖的部分进行光刻作业；以及步骤s6：从所述第一起始位置将所述半导体产品移动所述光罩的长边长度距离或短边长度距离后进行所述光刻作业。
47.关于步骤s4的说明，参考图3子图(d)，在设定完第二位置32y后，继续依据光罩尺寸子并以上述子图(c)所描述的移动方式设定与第二位置32y紧邻的第三位置，以此类推，
直到覆盖半导体产品31z，如此即完成光罩位置的设定。
48.关于步骤s4的说明还可以参考图4子图(d)，在设定完第二位置42y后，继续依据光罩尺寸并以上述子图(c)所描述的移动方式设定与第二位置42y紧邻的第三位置，以此类推，直到覆盖半导体产品41z，如此即完成光罩位置的设定。
49.关于步骤s5的说明，参考图3子图(e)，从所有设定好的光罩位置中选择第一起始位置，举例来说，以右上角作为第一起始位置a31，并对第一起始位置a31所覆盖的半导体产品31z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业。
50.关于步骤s5的说明还可以参考图4子图(e)，从所有设定好的光罩位置中选择第一起始位置，举例来说，以右上角作为第一起始位置a41，并对第一起始位置a41所覆盖的半导体产品41z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业。
51.关于步骤s6的说明，参考图3子图(f)，在完成对第一起始位置a31所覆盖的半导体产品31z的部分的光刻作业后，可以选择对紧邻第一起始位置e31y下侧的光罩位置b31或左侧的光罩位置j31覆盖的半导体产品31z的部分进行光刻作业。如子图(f)所示，在完成对第一起始位置a31所覆盖的半导体产品31z的部分的光刻作业后，接着对位置b31所覆盖的半导体产品31z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业。
52.本领域技术人员应可理解，若是要对位置b31置覆盖的半导体产品31z的部分进行光刻作业，在完成第一起始位置a31所覆盖的半导体产品31z的部分的光刻作业后可以控制承载半导体产品31z的基座，使得基座携带半导体产品31z沿着光罩的长边方向向上（图面所示的上方）移动光罩的长边长度距离l31y后再进行光刻作业；或者，可以在不移动半导体产品31z的情况下，将光罩从第一起始位置a31沿着光罩的长边方向移动到位置b31，来对位置b31所覆盖的半导体产品31z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业。
53.若是对紧邻第一起始位置a31左侧的光罩位置（如位置j31）覆盖的半导体产品31z的部分进行光刻作业，则可以控制承载半导体产品31z的基座，使得基座携带半导体产品31z沿着光罩的短边方向向右（图面所示的右方）移动光罩的短边长度距离w31y后再进行光刻作业；或者，可以在不移动半导体产品31z的情况下，将光罩从第一起始位置a31沿着光罩的短边方向移动到j31，来对位置j31所覆盖的半导体产品31z的部分进行光刻作业。
54.一般来说，若是第一起始位置a31选择在半导体产品31z的右上角，接续会选择对位置b31置覆盖的半导体产品31z的部分进行光刻作业。
55.在某些实施例中，步骤s6具体包括步骤s61：从所述第一起始位置沿所述光罩的长边方向依序地将所述半导体产品移动所述长边长度距离并进行所述光刻作业，直到所述半导体产品从所述第一起始位置沿所述光罩的长边方向上的部分都完成光刻作业；步骤s62：沿所述光罩的短边方向将所述半导体产品移动所述短边长度距离到第二起始位置并进行所述光刻作业；以及步骤s63: 从所述第二起始位置沿所述光罩的长边方向依序地将所述半导体产品移动所述长边长度距离并进行所述光刻作业，直到所述半导体产品从所述第二起始位置沿所述光罩的长边方向上的部分都完成光刻作业。
56.参考图3子图(g)，接续子图(f)，在完成对位置b31所覆盖的半导体产品31z的部分的光刻作业后，继续沿光罩的长边方向从位置b31移动到位置c31，其中移动方式可以是控制基座沿光罩的长边方向向上移动，或是将光罩从位置b31沿着光罩的长边方向移动到位置c31，来对位置c31所覆盖的半导体产品31z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业。
以此类推，直到以第一起始位置a31为起点，沿着光罩的长边方向的光罩位置所覆盖的半导体产品31z的部分（即第一列的位置a31、b31、c31、d31和e31覆盖部分）都已完成光刻作业。接着，可以开始对第二列的光罩位置所覆盖的半导体产品31z的部分。
57.参考图3子图(h)，接续子图(g)，在完成对位置e31所覆盖的半导体产品31z的部分的光刻作业后，沿光罩的短边方向从位置e31移动到第二起始位置f31，其中移动方式可以是控制基座沿光罩的短边方向向右移动，或是将光罩从位置e31沿着光罩的短边方向移动到第二起始位置f31，来对第二起始位置f31所覆盖的半导体产品31z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业。
58.参考图3子图(i)，接续子图(h)，在完成对第二起始位置f31所覆盖的半导体产品31z的部分的光刻作业后，沿光罩的长边方向从第二起始位置f31移动到位置g31，其中移动方式可以是控制基座沿光罩的长边方向向下移动，或是将光罩从第二起始位置f31沿着光罩的长边方向移动到位置g31，来对位置g31所覆盖的半导体产品31z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业，以此类推，直到以第二起始位置f31为起点，沿着光罩的长边方向的光罩位置所覆盖的半导体产品31z的部分（即第二列的位置f31、g31直到j31所覆盖部分）都已完成光刻作业。接着，则可以开始对第三列的光罩位置所覆盖的半导体产品31z的部分进行光刻作业。以此类推，直到整个半导体产品31z都完成光刻作业。
59.关于步骤s6的说明还可以参考图4子图(f)，在完成对第一起始位置a41所覆盖的半导体产品41z的部分的光刻作业后，可以选择对紧邻第一起始位置a41下侧的光罩位置a41或左侧的光罩位置f41覆盖的半导体产品41z的部分进行光刻作业。如子图(f)所示，在完成对第一起始位置a41所覆盖的半导体产品41z的部分的光刻作业后，接着对位置b41所覆盖的半导体产品41z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业。
60.同样地，可以控制承载半导体产品41z的基座，使得基座携带半导体产品41z沿着光罩的长边方向向上（图面所示的上方）移动光罩的长边长度距离l41y后再进行光刻作业；或者，可以在不移动半导体产品41z的情况下，将光罩从第一起始位置a41沿着光罩的长边方向移动到位置b41，来对位置b41所覆盖的半导体产品41z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业。
61.若是对紧邻第一起始位置a41左侧的光罩位置（如位置f41）覆盖的半导体产品41z的部分进行光刻作业，则可以控制承载半导体产品41z的基座，使得基座携带半导体产品41z沿着光罩的短边方向向右（图面所示的右方）移动光罩的短边长度距离w41y后再进行光刻作业；或者，可以在不移动半导体产品41z的情况下，将光罩从第一起始位置a41沿着光罩的短边方向移动到f41，来对位置f41所覆盖的半导体产品41z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业。
62.参考图4子图(g)，接续子图(f)，在完成对位置b41所覆盖的半导体产品41z的部分的光刻作业后，继续沿光罩的长边方向从位置b41移动到位置c41，其中移动方式可以是控制基座沿光罩的长边方向向上移动，或是将光罩从位置b41沿着光罩的长边方向移动到位置c41，来对位置c41所覆盖的半导体产品41z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业。此时，以第一起始位置a41为起点，沿着光罩的长边方向的光罩位置所覆盖的半导体产品41z的部分（即最右列的位置a41、b41和c41覆盖部分）都已完成光刻作业。接着，可以开始对第二列的光罩位置所覆盖的半导体产品41z的部分。
63.参考图4子图(h)，接续子图(g)，在完成对位置c41所覆盖的半导体产品31z的部分的光刻作业后，沿光罩的短边方向从位置c41移动到第二起始位置d41，其中移动方式可以是控制基座沿光罩的短边方向向右移动，或是将光罩从位置c41沿着光罩的短边方向移动到第二起始位置d41，来对第二起始位置d41所覆盖的半导体产品41z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业。
64.参考图4子图(i)，接续子图(h)，在完成对第二起始位置d41所覆盖的半导体产品41z的部分的光刻作业后，沿光罩的长边方向从第二起始位置d41移动到位置e41，其中移动方式可以是控制基座沿光罩的长边方向向下移动，或是将光罩从第二起始位置d41沿着光罩的长边方向移动到位置e41，来对位置e41所覆盖的半导体产品41z的部分（即图中斜线标识部分）进行光刻作业，以此类推，直到以第二起始位置d41为起点，沿着光罩的长边方向的光罩位置所覆盖的半导体产品41z的部分（即第二列的位置d41、e41和f41覆盖部分）都已完成光刻作业。接着，则可以开始对第三列的光罩位置所覆盖的半导体产品41z的部分，以此类推，直到整个半导体产品41z都完成光刻作业。
65.通过本技术提出的半导体工艺方法，可以将光罩设定位置完整地覆盖晶圆，避免造成漏曝、曝偏等问题，提高产品良率。
66.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”及“约”用于描述并考虑小变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。如本文中相对于给定值或范围所使用，术语“约”大体上意味着在给定值或范围的
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10%、
±
5%、
±
1%或
±
0.5%内。范围可在本文中表示为自一个端点至另一端点或在两个端点之间。除非另外规定，否则本文中所公开的所有范围包括端点。术语“基本上共面”可指沿同一平面定位的在数微米(μm)内的两个表面，例如，沿着同一平面定位的在10 μm内、5 μm内、1 μm内或0.5 μm内。当参考“基本上”相同的数值或特性时，术语可指处于所述值的平均值的
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10%、
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5%、
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1%或
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0.5%内的值。
67.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”和“约”用于描述和解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。举例来说，当与数值结合使用时，术语可指小于或等于所述数值的
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10%的变化范围，例如，小于或等于
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5%、小于或等于
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4%、小于或等于
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3%、小于或等于
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2%、小于或等于
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1%、小于或等于
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0.5%、小于或等于
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0.1%，或小于或等于
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0.05%。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的
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10% (例如，小于或等于
±
5%、小于或等于
±
4%、小于或等于
±
3%、小于或等于
±
2%、小于或等于
±
1%、小于或等于
±
0.5%、小于或等于
±
0.1%，或小于或等于
±
0.05%)，那么可认为所述两个数值“基本上”或“约”相同。举例来说，“基本上”平行可以指相对于0
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。举例来说，“基本上”垂直可以指相对于90
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。
68.举例来说，如果两个表面之间的位移等于或小于5
ꢀµ
m、等于或小于2
ꢀµ
m、等于或小于1
ꢀµ
m或等于或小于0.5
ꢀµ
m，那么两个表面可以被认为是共面的或基本上共面的。如果表
面相对于平面在表面上的任何两个点之间的位移等于或小于5
ꢀµ
m、等于或小于2
ꢀµ
m、等于或小于1
ꢀµ
m或等于或小于0.5
ꢀµ
m，那么可以认为表面是平面的或基本上平面的。
69.如本文中所使用，术语“导电(conductive)”、“导电(electrically conductive)”和“电导率”是指转移电流的能力。导电材料通常指示对电流流动为极少或零对抗的那些材料。电导率的一个量度是西门子/米(s/m)。通常，导电材料是电导率大于近似地104 s/m (例如，至少105 s/m或至少106 s/m)的一种材料。材料的电导率有时可以随温度而变化。除非另外规定，否则材料的电导率是在室温下测量的。
70.如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含复数指示物。在一些实施例的描述中，提供于另一组件“上”或“上方”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件物理接触)的情况，以及一或多个中间组件位于前一组件与后一组件之间的情况。
71.如本文中所使用，为易于描述可在本文中使用空间相对术语例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”等描述如图中所说明的一个组件或特征与另一组件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应理解，当一组件被称为“连接到”或“耦合到”另一组件时，其可直接连接或耦合到所述另一组件，或可存在中间组件。
72.前文概述本公开的若干实施例和细节方面的特征。本公开中描述的实施例可容易地用作用于设计或修改其它过程的基础以及用于执行相同或相似目的和/或获得引入本文中的实施例的相同或相似优点的结构。这些等效构造不脱离本公开的精神和范围并且可在不脱离本公开的精神和范围的情况下作出不同变化、替代和改变。

技术特征：
1.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括：s1根据半导体产品的曝光区块设定光罩的第一位置；s2当所述光罩的尺寸与所述曝光区块的尺寸不符时，移动设定的所述第一位置使所述第一位置与所述曝光区块的一顶点重合；s3依据所述光罩的尺寸设定第二位置。2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，步骤s1包括：s11将所述第一位置的中心设定于所述曝光区块的中心。3.根据权利要求2所述的半导体工艺方法，其特征在于，步骤s2包括：s21以所述光罩与所述曝光区块的长边差值的一半或短边差值的一半移动所述第一位置。4.根据权利要求3所述的半导体工艺方法，其特征在于，步骤s3包括：s31从所述第一位置移动所述光罩的长边长度距离或短边长度距离来设定所述第二位置。5.根据权利要求4所述的半导体工艺方法，其特征在于，还包括：s4依据所述光罩的尺寸设定第三位置，以此类推直到覆盖所述半导体产品。6.根据权利要求5所述的半导体工艺方法，其特征在于，步骤s4包括：s41从所述第二位置移动所述光罩的长边长度距离或短边长度距离设定所述第三位置。7.根据权利要求5所述的半导体工艺方法，其特征在于，还包括：s5从第一起始位置开始对所述半导体产品被所述光罩覆盖的部分进行光刻作业。8.根据权利要求7所述的半导体工艺方法，其特征在于，还包括：s6从所述第一起始位置将所述半导体产品移动所述光罩的长边长度距离或短边长度距离后进行所述光刻作业。9.根据权利要求8所述的半导体工艺方法，其特征在于，步骤s6包括：s61从所述第一起始位置沿所述光罩的长边方向依序地将所述半导体产品移动所述长边长度距离并进行所述光刻作业，直到所述半导体产品从所述第一起始位置沿所述光罩的长边方向上的部分都完成光刻作业；s62沿所述光罩的短边方向将所述半导体产品移动所述短边长度距离到第二起始位置并进行所述光刻作业。10.根据权利要求9所述的半导体工艺方法，其特征在于，步骤s6还包括：s63从所述第二起始位置沿所述光罩的长边方向依序地将所述半导体产品移动所述长边长度距离并进行所述光刻作业，直到所述半导体产品从所述第二起始位置沿所述光罩的长边方向上的部分都完成光刻作业。

技术总结
一种半导体工艺方法。所述半导体工艺方法包括S1根据半导体产品的曝光区块设定光罩的第一位置；S2当所述光罩的尺寸与所述曝光区块的尺寸不符时，移动设定的所述第一位置使所述第一位置与所述曝光区块的一顶点重合；S3依据所述光罩的尺寸设定第二位置。所述光罩的尺寸设定第二位置。所述光罩的尺寸设定第二位置。


技术研发人员：凌坚
受保护的技术使用者：日月新半导体（昆山）有限公司
技术研发日：2023.06.14
技术公布日：2023/7/18