有机发光显示面板及其制造方法与流程

1.本公开涉及有机发光显示面板及其制造方法，并且更具体地，涉及能够增强显示质量的有机发光显示面板及其制造方法。


背景技术：

2.有机发光显示设备包括：有机发光显示面板，该有机发光显示面板包括数据线、扫描线和分别形成在数据线和栅极线之间的交叉区域处的子像素；选通驱动电路，该选通驱动电路向扫描线提供扫描信号；以及数据驱动电路，该数据驱动电路向数据线提供数据电压。
3.有机发光显示面板的子像素中的每个子像素包括有机发光二极管(下文称为oled)和独立地驱动oled的像素电路。
4.oled包括在其阳极与阴极之间的多个有机化合物层，且多个有机化合物层可以通过喷墨印刷工艺制造。
5.例如，发光装置的第一电极可以形成在每个子像素区域中。
6.此外，涂覆具有亲水性的第一堤材料，然后通过使第一堤材料图案化，在每个子像素区域的边界部分处形成第一堤。
7.在第一堤上形成具有疏水性的第二堤材料，然后通过喷墨印刷工艺在第一电极上形成多个有机化合物层。


技术实现要素：

8.然而，在形成上述第一堤和第二堤时，由于有机残余层在第一电极上，所以oled的特性可能被降低。此外，由于可能执行紫外线(uv)或等离子体处理以去除有机残余层，因此第二堤的疏水特性可能被降低，这使得难以执行喷墨印刷工艺。
9.为了克服或解决现有技术的上述问题和限制，本公开可以提供一种有机发光显示面板及其制造方法，其中简化了制造工艺并且增强了显示质量。
10.本公开的其它优点、目的和特征将将部分地在以下描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员在检查以下描述后将变得显而易见，或者可以从本公开的实践中获知。本公开的目的和其它优点可以通过在说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
11.为了实现这些目的和其它优点并且根据本公开的目的，如本文中所实施和广泛描述的，一种有机发光显示面板可以包括：第一电极，该第一电极设置在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中；堤层，该堤层在基板上设置在相邻子像素区域之间的边界部分处，堤层的侧表面为亲水的；第一有机材料层，该第一有机材料层设置在堤层和第一电极上，第一有机材料层的位于堤层上的表面为疏水的；第二有机材料层，该第二有机材料层设置在第一有机材料层上位于相邻堤层之间；第三有机材料层，该第三有机材料层设置在第二有机材料层和第一有机材料层上；以及第二电极，该第二电极设置在第三有机材料层上。
第一有机材料层可以包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一者，第二有机材料层可以包括发光层，并且第三有机材料层可以包括电子传输层和电子注入层中的至少一者。
12.这里，为了改进堆积(pile-up)或层叠，多个子像素区域包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域，并且第二有机材料层可以包括仅设置在红色子像素区域和绿色子像素区域的第一有机材料层上位于相邻堤层之间的第一空穴传输层，以及设置在红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域中的发光层。
13.根据本公开的实施方式的有机发光显示面板可以包括：第一电极，该第一电极设置在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中，包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域的多个子像素区域被限定在该基板中；堤层，该堤层在基板中设置在相邻子像素区域之间的边界部分上，堤层的侧表面为亲水的；第一有机材料层该，该第一有机材料层设置在堤层的顶表面和侧表面以及第一电极上，第一有机材料层的位于堤层上的表面为疏水的；第二有机材料层，该第二有机材料层设置在第一有机材料层上位于相邻堤层之间；第三有机材料层，该第三有机材料层设置在第二有机材料层和第一有机材料层上；以及第二电极，该第二电极设置在第三有机材料层上。第一有机材料层可以包括第一空穴传输层和第一发光层，第二有机材料层可以包括第一电子传输层、n型电荷产生层、p型电荷产生层和空穴注入层，第三有机材料层可以包括第二空穴传输层和第二发光层，并且第四有机材料层可以包括第二电子传输层和电子注入层。
14.为了改进堆积，根据本公开的实施方式的有机发光显示面板可以包括：第一电极，该第一电极设置在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中，包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域的多个子像素区域被限定在该基板中；堤层，该堤层在基板上设置在相邻子像素区域之间的边界部分处，堤层的侧表面是亲水的；第一有机材料层，该第一有机材料层设置在每个子像素区域的第一电极上位于相邻堤层之间；第二有机材料层，该第二有机材料层设置在第一有机材料层和堤层上，堤层上的第二有机材料层的侧表面是亲水的；第三有机材料层，该第三有机材料层设置在第二有机材料层上位于相邻堤层之间；第四有机材料层，该第四有机材料层设置在第三有机材料层和第一有机材料层上；以及设置在第四有机材料层上的第二电极。第三有机材料层可以包括仅设置在红色子像素区域和绿色子像素区域的第二有机材料层上位于相邻堤层之间的第一空穴传输层，以及设置在红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域中的第一发光层。
15.根据本公开的实施方式的有机发光显示面板可以包括：第一电极，该第一电极设置在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中，包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域的多个子像素区域被限定在该基板中；堤层，该堤层在基板上设置在相邻子像素区域之间的边界部分处，堤层的侧表面为亲水的；第一有机材料层，该第一有机材料层设置在堤层和第一电极上，第一有机材料层的位于堤层上的表面为疏水的；第二有机材料层，该第二有机材料层设置在每个子像素区域的第一有机材料层上位于相邻堤层之间；第三有机材料层，该第三有机材料层设置在第二有机材料层和第一有机材料层上，第三有机材料层的位于堤层上的表面为疏水的；第四有机材料层，该第四有机材料层设置在第三有机材料层上位于相邻堤层之间；第五有机材料层，该第五有机材料层设置在第四有机材料层和第三有机材料层上；以及第二电极，该第二电极设置在第五有机材料层上。第四有机材料层可以包括：第一空穴传输层，该第一空穴传输层仅设置在红色子像素区域和绿色
子像素区域的第三有机材料层上位于相邻堤层之间；以及第一发光层，该第一发光层设置在红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域中。
16.根据本公开的实施方式的制造有机发光显示面板的方法可以包括：在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中形成第一电极；在基板上在相邻子像素区域之间的边界部分处形成堤层；对堤层的侧表面和第一电极的上部执行第一等离子体处理以去除每个子像素区域的每个第一电极上的有机残余层并且使得堤层的侧表面亲水；通过沉积工艺在第一电极和堤层上形成第一有机材料层；执行第二等离子体处理以允许堤层上的第一有机材料层的顶表面是疏水的；通过喷墨印刷工艺在每个子像素区域的第一有机材料层上形成第二有机材料层；以及通过沉积工艺在第一有机材料层和第二有机材料层上形成第三有机材料层和第二电极。第一有机材料层可以包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一者，第二有机材料层可以包括发光层，并且第三有机材料层可以包括电子传输层和电子注入层中的至少一者。
17.为了改进堆积，多个子像素区域包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域，并且第二有机材料层的形成可以包括：仅在红色子像素区域和绿色子像素区域的第一有机材料层上在相邻堤层之间形成第二空穴传输层，以及在红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域中的每一者中形成发光层。
附图说明
18.附图被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入本技术中并构成本技术的一部分，附图例示了本公开的实施方式或多个实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。在附图中：
19.图1是根据本公开的实施方式的有机发光显示面板的子像素的平面图；
20.图2是例示根据本公开的第一实施方式的具有单个叠层结构的有机发光器件和对每一层执行的工艺的结构图；
21.图3是根据本公开的第一实施方式的有机发光装置的结构截面图；
22.图4a至图4g是根据本公开的第一实施方式的沿着图1的线i-i’截取的有机发光显示面板的工艺截面图；
23.图5a和图5b是根据本公开的第一实施方式的沿着图1的线ii-ii’截取的有机发光显示面板的工艺截面图；
24.图6是用于描述根据本公开的实施方式的对堤层的上侧执行的疏水等离子体处理方法的平面图和截面图；
25.图7是描述根据本公开的实施方式的在执行疏水等离子体处理时有机材料层的表面的化学结构的示意图；
26.图8是例示根据本公开的第二实施方式的用于去除具有单个叠层结构的发光器件中的堆积效应的对每一层执行的工艺的结构图；
27.图9是根据本公开的第二实施方式的有机发光装置的结构截面图；
28.图10a至图10i是根据本公开的第二实施方式的沿着图1的线i-i’截取的有机发光显示面板的工艺截面图；
29.图11是例示根据本公开的第三实施方式的具有多叠层结构的发光器件和对每一
层执行的工艺的结构图；
30.图12是根据本公开的第三实施方式的有机发光装置的结构截面图；
31.图13a至图13i是根据本公开的第三实施方式的沿着图1的线i-i’截取的有机发光显示面板的工艺截面图；
32.图14是例示根据本公开的第四实施方式的具有多叠层结构的发光器件和对每一层执行的工艺的结构图；
33.图15是根据本公开的第四实施方式的有机发光装置的结构截面图；
34.图16a至图16k是根据本公开的第四实施方式的沿着图1的线i-i’截取的有机发光显示面板的工艺截面图；
35.图17是例示根据本公开的第五实施方式的具有多叠层结构的发光器件和对每一层执行的工艺的结构图；
36.图18是根据本公开的第五实施方式的有机发光装置的结构截面图；并且
37.图19a至图19m是根据本公开的第五实施方式的沿着图1的线i-i’截取的有机发光显示面板的工艺截面图。
具体实施方式
38.在下文中，通过参照例示了本公开的一些实施方式的附图的以下详细描述，将清楚地理解与本公开的实施方式的上述目的、技术配置和操作效果相关的细节。这里，提供本公开的实施方式是为了允许本公开的技术精神被令人满意地传递给本领域技术人员，并且因此本公开可以以其它形式实施并且不限于下面描述的实施方式。
39.另外，在整个说明书和附图中，相同或极其相似的元件可以用相同的附图标记表示，为了方便起见，可能夸大层和区域的长度和厚度。应当理解，当第一元件被称为在第二元件“上”时，尽管第一元件可以设置在第二元件上以便与第二元件接触，但是第三元件可以插置在第一元件与第二元件之间。
40.这里，诸如“第一”和“第二”的用语可以用于区分任何一个元件与另一元件。然而，在不脱离本公开的技术精神的情况下，第一元件和第二元件可以根据本领域技术人员的方便而任意命名。
41.在本公开的说明书中使用的术语仅用于描述特定实施方式，而不旨在限制本公开的范围。例如，除非上下文另外明确指出，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件。另外，在本公开的说明书中，还将理解，术语“包括”和“包含”指定所述特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在，但不排除一个或更多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组合的存在或添加。
42.并且，除非使用“直接”，否则用语“连接”和“联接”可以包括两个部件通过位于这两个部件之间的一个或多更个其它部件“连接”或“联接”。
43.除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与示例性实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。还应当理解，除非在此明确地如此定义，否则例如在常用词典中限定的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应当被解释为理想化或过于正式的意义。
44.在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的实施方式的有机发光显示面板。根
据本公开的所有实施方式的每个显示面板的所有部件被在操作上联接和配置。
45.图1是根据本公开的实施方式的有机发光显示面板的子像素的平面图。
46.如图1所示，根据本公开的有机发光显示面板可以包括多个子像素区域p、设置在子像素区域p中的每个子像素区域中的第一电极11、以及围绕每个子像素区域p并具有晶格形式的堤层20。
47.多个子像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，该红色子像素包括发射红光的有机发光二极管(oled)，该绿色子像素包括发射绿光的oled，该蓝色子像素包括发射蓝光的oled。
48.以下将描述根据本公开的第一实施方式的有机发光显示面板的结构和制造有机发光显示面板的方法。
49.图2是例示根据本公开的第一实施方式的具有单个叠层结构的有机发光器件和对每一层执行的工艺的结构图。
50.如图2所示，根据本公开的第一实施方式的发光器件可以具有单个叠层结构，在该单个叠层结构中空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发光层(eml)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)依次层叠在第一电极(阳极；ito)与第二电极(阴极；金属)之间。这里，空穴注入层可能不会设置。
51.这里，空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)可以通过沉积工艺形成，发光层(eml)可以通过喷墨印刷工艺(可溶工艺(soluble process))形成，并且电子传输层(etl)、电子注入层(eil)和第二电极可以通过沉积工艺形成。在本公开的实施方式中，通过喷墨工艺或可溶工艺形成的层可以被称为一个或更多个可溶层，并且通过沉积工艺形成的层可以被称为一个或更多个沉积层。
52.图3是根据本公开的第一实施方式的有机发光装置的结构截面图。
53.如图3所示，根据本公开的第一实施方式的有机发光装置可以包括薄膜晶体管(tft)70和有机发光器件，该薄膜晶体管(tft)70和有机发光器件设置在基板80上的多个子像素区域p中的每个子像素区域中。
54.基板80可以包括绝缘材料，并且例如，基板80可以包括玻璃或诸如聚酰亚胺(pi)的塑料材料。
55.缓冲层81可以设置在基板80上。缓冲层81可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)，该多层包括sinx和siox。然而，缓冲层81不必是必要元件，并且可以基于基板80的种类和材料以及tft 70的结构和类型而被省略。
56.tft 70可以设置在缓冲层81上。tft 70可以包括有源层71、栅极72、源极73和漏极74。
57.tft 70的有源层71可以设置在缓冲层81上，并且栅极绝缘层82可以设置在有源层71和缓冲层81上。
58.有源层71可以包括非晶硅(a-si)、多晶硅(poly-si)、氧化物半导体或有机半导体。
59.栅极绝缘层82可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。
60.源极73和漏极74中的每一者接触有源层71所穿过的第一接触孔可以形成在栅极
绝缘层82中。
61.栅极72可以设置在栅极绝缘层82上以与有源层71交叠。栅极72可以包括导电金属(例如，铜(cu)、铝(al)、钼(mo)或其合金)，但不限于此。
62.层间绝缘层83可以设置在栅极72和栅极绝缘层82上。层间绝缘层83可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。源极73和漏极74中的每一者接触有源层71所穿过的第二接触孔可以形成在层间绝缘层83中。
63.源极73和漏极74可以设置在层间绝缘层83上。源极73及漏极74可以包括导电金属(例如，cu、al、mo或其合金)，但不限于此。源极73和漏极74中的每一者可以穿过第一接触孔和第二接触孔电连接到有源层71。
64.钝化层84可以设置在tft 70和层间绝缘层83上。钝化层84可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。
65.用于使oled的第一电极11能够连接到tft 70的漏极74的第三接触孔可以形成在钝化层84中。钝化层84不必是必要元件，并且可以基于有机发光显示面板的设计被省略。
66.平坦化层85可以设置在钝化层84上。平坦化层85可以包括有机材料，并且用于暴露tft 70的漏极74的第四接触孔可以形成在平坦化层85中。
67.oled的第一电极11可以设置在平坦化层85上的每个子像素区域中，并且堤层20可以在子像素区域p之间的边界部分处设置在钝化层84上以与第一电极11的边缘交叠。
68.在垂直方向(第一方向)上的堤层20的顶表面的边缘和侧表面可以是亲水的，并且在水平方向(第二方向)上的与每个子像素区域相邻的堤层20的顶表面和侧表面可以是亲水的。在本公开的实施方式中，对垂直方向(或第一方向)的参考可以是指在图1的平面图中的垂直方向，并且对水平方向(或第二方向)的参考可以是指在图1的平面图中的水平方向，但这不是必需的，只要第一方向和第二方向交叉即可。
69.第一有机材料层51可以形成在堤层20的顶表面和侧表面以及第一电极11的上侧上，并且堤层20上的第一有机材料层51可选地可以是或变成疏水的。
70.多个第二有机材料层53a至53c(例如，红色发光层53a、绿色发光层53b和蓝色发光层53c)可以在相邻堤层20之间设置在第一有机材料层51上，并且第三有机材料层54可以设置在第二有机材料层53a至53c以及堤层20上面的第一有机材料层51上。
71.此外，第二电极60可以设置在第三有机材料层54上。
72.这里，第一有机材料层可以包括空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)，第二有机材料层可以包括发光层(eml)，并且第三有机材料层可以包括电子传输层(etl)和电子注入层(eil)。
73.图3是根据本公开的第一实施方式的有机发光装置的结构截面图。
74.图4a至图4g是根据本公开的第一实施方式的沿着图1的线i-i’截取的有机发光显示面板的工艺截面图，并且图5a和图5b是根据本公开的第一实施方式的沿着图1的线ii-ii’截取的有机发光显示面板的工艺截面图。
75.在图4a至图4g以及图5a和图5b中，没有描述形成tft 70的工艺，而是仅例示了形成发光器件的工艺。因此，图4a至图4g以及图5a和图5b中所示的基板10可以包括图3中所示的基板80、tft 70和平坦化层85中的全部。此外，附加层或结构可以可选地包括在基板10
中。
76.如图4a和图5a所示，oled的多个第一电极11可以分别形成在包括多个子像素区域p的基板10中的多个子像素区域p中。
77.疏水有机绝缘材料可以涂覆在其上形成有第一电极11的基板10上。通过选择性地去除疏水有机绝缘材料，具有晶格形式的堤层20可以形成在相邻子像素区域之间的边界部分处以与第一电极11的边缘交叠。
78.当选择性地去除疏水有机绝缘材料以形成堤层20时，有机残余层20a可能位于第一电极11的表面上。
79.如图4b和图5b所示，通过对在垂直方向上的堤层20的上边缘和侧表面、在水平方向上的堤层20的上边缘和侧表面中的每一者的一部分以及第一电极11的表面执行等离子体印刷工艺，可以去除残留在第一电极11的表面中的有机残余层20a，并且同时，堤层20的顶表面的一部分和顶表面的边缘以及侧表面可以是或变成亲水的。
80.这将更详细地描述。
81.等离子体印刷工艺可以使用o2/n2/ar气体，并且可以通过使用扫描类型来选择性地执行等离子体印刷工艺。例如，在图1中，等离子体印刷方向由附图标记“30”表示。
82.等离子体印刷工艺可以沿着垂直方向子像素基于扫描类型来执行，以与具有晶格形式的多个堤层20当中的在垂直方向上的两个相邻堤层20的上表面的边缘交叠。
83.因此，可以通过去除在垂直方向上的两个相邻堤层20的上表面的边缘一定深度来形成台阶，并且如图5b所示，去除具有晶格形式的多个堤层20当中的在水平方向上的与子像素区域相邻的堤层20的上表面。此外，在垂直方向上的堤层20的形成台阶的部分、在垂直方向上的堤层20的侧表面、以及在水平方向上的堤层20的上表面和侧表面可以是或变成亲水的。
84.如图4c中所示，可以通过使用沉积工艺在包括第一电极11和堤层20的基板10的整个表面上形成第一有机材料层51。
85.第一有机材料层51可以包括空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)。然而，空穴注入层可能不会形成。
86.因此，在图4c中，第一有机材料层51被例示为单个层，但不限于此，并且第一有机材料层51可以由包括空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)的多层以及取决于用途的其它层形成。
87.如图4d中所示，可以对第一有机材料层51的位于堤层20上的表面执行cf4或sf6气体等离子体处理，并且因此，第一有机材料层51的位于堤层20上的表面可以是或变成疏水的。
88.这将更详细地描述。
89.图6是用于描述根据本公开的实施方式的对堤层的上侧执行的疏水等离子体处理方法的平面图和截面图，并且图7是描述根据本公开的实施方式的在执行疏水等离子体处理时有机材料层的表面的化学结构的示意图。
90.如图6所示，cf4或sf6气体等离子体处理可以通过使用扫描类型仅对具有晶格形式的多个堤层20当中在垂直方向(第一方向)的堤层20上的第一有机材料层51执行。
91.如图7所示，在cf4或sf6气体等离子体处理之前，第一有机材料层51的表面可以具
有其中其端基x结合到碳(c)的化学结构。
92.如图6所示，可以通过使用扫描类型仅对堤层20上的第一有机材料层51执行cf4或sf6气体等离子体处理，并且因此，第一有机材料层51的已经被执行cf4或sf6气体等离子体处理的表面可以具有其中氟可以取代其端基x并结合到碳(c)的化学结构。
93.因此，可以仅对堤层20上的第一有机材料层51选择性地执行cf4或sf6气体等离子体处理，并且因此，第一有机材料层51的位于堤层20上的表面可以是疏水的。
94.如图4e所示，堤层20上的第一有机材料层51可以是疏水的，然后第二有机材料溶液52a至52c可以滴落在每个子像素区域p的第一有机材料层51上。
95.在这种情况下，可以基于第二有机材料溶液52a至52c的表面张力、设置在每个子像素区域p中的接触第二有机材料溶液52a至52c的第一电极11的表面能、以及设置在每个子像素区域p的边界部分处的堤层20的表面能来确定第二有机材料溶液52a至52c的铺展性。
96.例如，随着第二有机材料溶液52a至52c的表面张力逐渐减小，第二有机材料溶液52a至52c的铺展性可以被提高，并且随着接触滴落的第二有机材料溶液52a至52c的表面的表面能逐渐增加，铺展性可以被提高。
97.此外，可能在干法工艺中不均匀地干燥具有低表面张力的第二有机材料溶液52a至52c，使得配置第二有机材料溶液52a至52c的每一层的厚度均匀性可能降低。因此，可以使用具有相对高的表面张力的第二有机材料溶液52a至52c。
98.此外，滴落的第二有机材料溶液52a至52c可以位于堤层20的顶表面以及第一电极11的顶表面上。
99.在根据本公开的第一实施方式的有机发光显示面板中，在垂直方向上的堤层20上的第一有机材料层51的顶表面可以具有疏水特性，因此，在垂直方向上的第一有机材料层51的位于堤层20上的表面能可以减小。
100.因此，可以防止滴落在每个子像素区域p中的第二有机材料溶液52a至52c与滴落在沿水平方向与其相邻的每个子像素区域p中的第二有机材料溶液52a至52c混合。
101.此时，因为堤层20上的第一有机材料层51不是疏水的，所以相同的第二有机材料溶液52a至52c可以滴落在沿垂直方向相邻的每个子像素区域p中。
102.如图4f中所示，通过执行干燥滴落的第二有机材料溶液52a至52c的工艺，第二有机材料溶液52a至52c的溶剂可以被蒸发并且仅第二有机材料溶液52a至52c的溶质可以保留在第一有机材料层51上，并且因此第二有机材料层53a至53c可以形成在第一有机材料层51上。
103.第二有机材料层53a至53c可以包括图2中所示的发光层eml。
104.例如，第二有机材料溶液52a至52c(例如，红色发光材料溶液52a、绿色发光材料溶液52b和蓝色发光材料溶液52c)可以在每个子像素区域p的第一有机材料层51上滴落并干燥，并且因此可以形成红色发光层53a、绿色发光层53b和蓝色发光层53c。
105.如图4g所示，可以通过使用沉积工艺在其上形成有第二有机材料层53a至53c的基板10上形成第三有机材料层54。
106.第三有机材料层54可以包括图2所示的电子传输层(etl)和电子注入层(eil)。因此，在图4g中，第三有机材料层54被例示为单个层，但不限于此，并且可以由多层形成。
107.此外，可以通过使用沉积工艺在其上形成有第三有机材料层54的基板10上形成第二电极60。
108.此外，在上文参照图2所描述的具有单个叠层结构的发光器件中，由于红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素之间的腔差异(cavity difference)，在每个子像素中的空穴注入层与空穴传输层之间可存在厚度差。
109.此外，在例如喷墨印刷工艺的可溶溶液工艺中，当厚度增大时，可能存在堆积区域延伸的可能性，并且特别地，具有相对高厚度的红色子像素可能被堆积风险影响。
110.因此，可以通过组合地执行喷墨印刷工艺和沉积工艺来去除或避免堆积效应。此外，产生疏水性的处理不必限于等离子体处理，而是可以包括对可以产生或改变表面关于疏水性或亲水性的特性的层的表面的任何处理。这样的处理可以包括可以产生或改变疏水性、将亲水性改变成疏水性、将表面处的亲水性从先前较高的量减少到较低的量、或者将疏水性从先前较低的水平提高到较高的水平的任何处理，例如，等离子体处理。
111.以下将描述根据本公开的第二实施方式的用于去除堆积效应的有机发光显示面板及其制造方法。
112.图8是例示根据本公开的第二实施方式的用于去除具有单个叠层结构的发光器件中的堆积效应的对每一层执行的工艺的结构图。
113.如图8所示，根据本公开的第二实施方式的发光器件可以具有单个叠层结构，在该单个叠层结构中空穴注入层(hil)、第一空穴传输层(htl1)、第二空穴传输层(htl2)、发光层(eml)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)依次层叠在第一电极(阳极；ito)与第二电极(阴极；金属)之间。这里，空穴注入层可能不会设置。
114.这里，空穴注入层(hil)和第一空穴传输层(htl1)可以通过沉积工艺形成，第二空穴传输层(htl2)和发光层(eml)可以通过喷墨印刷工艺(可溶工艺)形成，并且电子传输层(etl)、电子注入层(eil)和第二电极可以通过沉积工艺形成。
115.下面将描述根据本公开的第二实施方式的用于去除具有单个叠层结构的发光器件中的堆积效应的有机发光显示面板的结构。
116.图9是根据本公开的第二实施方式的有机发光装置的结构截面图。
117.如图9所示，根据本公开的第二实施方式的有机发光装置可以包括tft 70和有机发光器件，该tft 70和有机发光器件设置在基板80上的红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b中的每一者中。
118.基板80可以包括绝缘材料，并且例如，基板80可以包括玻璃或诸如聚酰亚胺(pi)的塑料材料。
119.缓冲层81可以设置在基板80上。缓冲层81可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox。然而，缓冲层81不必是必要元件，并且可以基于基板80的种类和材料以及tft 70的结构和类型而被省略。
120.tft 70可以设置在缓冲层81上。tft 70可以包括有源层71、栅极72、源极73和漏极74。
121.tft 70的有源层71可以设置在缓冲层81上，并且栅极绝缘层82可以设置在有源层71和缓冲层81上。
122.有源层71可以包括a-si、poly-si、氧化物半导体或有机半导体。
123.栅极绝缘层82可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。
124.源极73和漏极74中的每一者接触有源层71所穿过的第一接触孔可以形成在栅极绝缘层82中。
125.栅极72可以设置在栅极绝缘层82上以与有源层71交叠。栅极72可以包括导电金属(例如，cu、al、mo或其合金)，但不限于此。
126.层间绝缘层83可以设置在栅极72和栅极绝缘层82上。层间绝缘层83可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。源极73和漏极74中的每一者接触有源层71所穿过的第二接触孔可以形成在层间绝缘层83中。
127.源极73和漏极74可以设置在层间绝缘层83上。源极73和漏极74可以包括导电金属(例如，cu、al、mo或其合金)，但不限于此。源极73和漏极74中的每一者可以穿过第一接触孔和第二接触孔电连接到有源层71。
128.钝化层84可以设置在tft 70和层间绝缘层83上。钝化层84可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。
129.用于使oled的第一电极11能够连接到tft 70的漏极74的第三接触孔可以形成在钝化层84中。钝化层84不必是必要元件，并且可以基于有机发光显示面板的设计被省略。
130.平坦化层85可以设置在钝化层84上。平坦化层85可以包括有机材料，并且用于暴露tft 70的漏极74的第四接触孔可以形成在平坦化层85中。
131.第一电极11可以设置在平坦化层85上的限定包括红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b的多个子像素区域p的每个子像素区域中，并且堤层20可以在子像素区域p之间的边界部分处设置在平坦化层85上以与第一电极11的边缘交叠。
132.在垂直方向(第一方向)上的堤层20的顶表面的边缘和侧表面可以是亲水的，并且在水平方向(第二方向)上的与每个子像素区域相邻的堤层20的顶表面和侧表面可以是亲水的。
133.第一有机材料层91可以形成在堤层20的顶表面和侧表面以及第一电极11的上侧上，并且堤层20上的第一有机材料层91可选地可以是或变成疏水的。
134.多个第二空穴传输层93a和93b以及发光层95a和95b可以设置在除了堤层20之外的红色子像素区域r和绿色子像素区域g中的每一者的第一有机材料层91上，并且仅发光层95c可以设置在蓝色子像素区域b的第一有机材料层91上。
135.第三有机材料层96可以设置在发光层95a至95c以及堤层20上面的第一有机材料层91上，并且第二电极60可以设置在第三有机材料层96上。
136.这里，第一有机材料层可以包括空穴注入层(hil)和第一空穴传输层(htl1)，并且第三有机材料层可以包括电子传输层(etl)和电子注入层(eil)。
137.下面将描述根据本公开的第二实施方式的具有图9所示的结构的有机发光显示面板的制造方法。
138.图10a至图10i是根据本公开的第二实施方式的沿着图1的线i-i’截取的有机发光显示面板的工艺截面图。
139.在图10a至图10i中，没有描述形成tft 70的工艺，而是仅例示了形成发光器件的
工艺。因此，图10a至图10i中所示的基板10可以包括图9中所示的基板80、tft 70和平坦化层85中的全部。此外，附加层或结构可以可选地包括在基板10中。
140.如图10a所示，多个第一电极11可以分别形成在包括多个子像素区域p的基板10上的多个子像素区域p中。
141.此外，绝缘材料可以沉积在其上形成有第一电极11的基板10上，并且绝缘材料可以被选择性地去除，并且因此具有晶格形式的堤层20可以形成在相邻子像素区域之间的边界部分处。
142.堤层20可以包括有机材料或无机材料。
143.这里，当选择性地去除疏水有机绝缘材料以形成堤层20时，有机残余层20a可能位于第一电极11的表面上。
144.如图10b和图5b所示，通过对在垂直方向上的堤层20的上边缘和侧表面、在水平方向上的堤层20的上边缘和侧表面中的每一者的一部分以及第一电极11的表面执行等离子体印刷工艺，可以去除残留在第一电极11的表面中的有机残余层20a，并且同时，堤层20的顶表面的一部分和顶表面的边缘以及侧表面可以是亲水的。
145.这将更详细地描述。
146.等离子体印刷工艺可以使用o2/n2/ar气体，并且可以通过使用扫描类型来选择性地执行等离子体印刷工艺。例如，在图1中，等离子体印刷方向由附图标记“30”表示。
147.等离子体印刷工艺可以沿着垂直方向子像素基于扫描类型来执行，以与具有晶格形式的多个堤层20当中的在垂直方向上的两个相邻堤层20的上表面的边缘交叠。
148.因此，可以通过去除在垂直方向上的两个相邻堤层20的上表面的边缘一定深度来形成台阶，并且如图5b所示，去除具有晶格形式的多个堤层20当中的在水平方向上的与子像素区域相邻的堤层20的上表面。此外，在垂直方向上的堤层20的形成台阶的部分、在垂直方向上的堤层20的侧表面、以及在水平方向上的堤层20的上表面和侧表面可以是亲水的。
149.如图10c所示，可以通过使用沉积工艺在包括第一电极11和堤层20的基板10的整个表面上形成第一有机材料层91。
150.第一有机材料层91可以包括图8中所示的空穴注入层(hil)和第一空穴传输层(htl1)。然而，空穴注入层可能不会形成。
151.因此，在图10c中，第一有机材料层91被例示为单个层，但不限于此，并且可以由包括空穴注入层(hil)和第一空穴传输层(htl1)的多层形成。
152.如图10d中所示，可以对第一有机材料层91的位于堤层20上的表面执行cf4或sf6气体等离子体处理，并且因此，第一有机材料层91的位于堤层20上的表面可以是疏水的。
153.这里，当第一有机材料层91包括空穴注入层(hil)和第一空穴传输层(htl1)时，可以对第一空穴传输层(htl1)的位于堤层20上的表面执行cf4或sf6气体等离子体处理，并且因此，第一空穴传输层(htl1)的表面可以是疏水的。
154.已经参照图6和图7给出了详细描述，并且因此，省略了任何重复的描述。
155.如图10e所示，当假设每个子像素区域p包括红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b时，第二空穴传输材料溶液92a和92b可以滴落在红色子像素区域r和绿色子像素区域g中的每一者的第一有机材料层91上，并且第二空穴传输材料溶液不需要滴落在蓝色子像素区域b中。
156.如图10f所示，可以执行干燥滴落的第二空穴传输材料溶液92a和92b的工艺。
157.例如，第二空穴传输材料溶液92a和92b中的每一者的溶剂可以被蒸发，并且仅第二空穴传输材料溶液92a和92b中的每一者的溶质可以保留在第一有机材料层91上。
158.因此，第二空穴传输层93a至93b可以形成在红色子像素区域r和绿色子像素区域g中的每一者的第一有机材料层91上。不需要在蓝色子像素区域b中形成第二空穴传输层。
159.如图10g所示，红色发光材料溶液94a、绿色发光材料溶液94b和蓝色发光材料溶液94c可以分别滴落在红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b中。
160.如图10h所示，可以执行干燥图10g的滴落的红色发光材料溶液94a、绿色发光材料溶液94b和蓝色发光材料溶液94c的工艺。
161.例如，红色发光材料溶液94a、绿色发光材料溶液94b和蓝色发光材料溶液94c的溶剂可以被蒸发，并且仅红色发光材料溶液94a、绿色发光材料溶液94b和蓝色发光材料溶液94c的溶质可以保留在每个子像素区域中。
162.因此，红色发光层95a、绿色发光层95b和蓝色发光层95c可以分别形成在红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b中。
163.如上文参照图10e至图10h所描述的，第一空穴传输层(htl1)和第二空穴传输层(htl2)可以形成在红色子像素区域r和绿色子像素区域g中，但是仅第一空穴传输层(htl1)可以形成在蓝色子像素区域b中，由此可以去除堆积效应。
164.如图10i中所示，可以通过使用沉积工艺来在其上形成有发光层95a至95c的基板10上形成第三有机材料层96。
165.第三有机材料层96可以包括图8中所示的电子传输层(etl)和电子注入层(eil)。因此，在图10i中，第三有机材料层96被例示为单个层，但不限于此，并且可以由多层形成。
166.此外，可以通过使用沉积工艺来在其上形成有第三有机材料层96的基板10上形成第二电极60。
167.此外，可以通过执行喷墨印刷工艺和沉积工艺来制造具有多叠层结构的发光器件。
168.图11是例示根据本公开的第三实施方式的具有多叠层结构的发光器件和对每一层执行的工艺的结构图。
169.如图11所示，根据本公开的第三实施方式的发光器件可以具有多叠层结构，在该多叠层结构中第一空穴传输层(htl1)、第一发光层(eml1)、第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)、空穴注入层(hil)、第二空穴传输层(htl2)、第二发光层(eml2)、第二电子传输层(etl2)和电子注入层(eil)依次层叠在第一电极(阳极；ito)与第二电极(阴极；金属)之间。
170.这里，第一叠层(stack1)可以包括第一空穴传输层(htl1)、第一发光层(eml1)和第一电子传输层(etl1)，并且第二叠层(stack2)可以包括空穴注入层(hil)、第二空穴传输层(htl2)、第二发光层(eml2)、第二电子传输层(etl2)和电子注入层(eil)。因此，电荷产生层可以设置在第一叠层与第一叠层之间。
171.第一空穴传输层(htl1)和第一发光层(eml1)可以通过喷墨印刷工艺(可溶工艺)形成。
172.第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和空穴
注入层(hil)可以通过沉积工艺形成。
173.第二空穴传输层(htl2)和第二发光层(eml2)可以通过喷墨印刷工艺(可溶工艺)形成。
174.第二电子传输层(etl2)、电子注入层(eil)和第二电极可以通过沉积工艺形成。
175.下面将描述根据本公开的第三实施方式的具有多叠层结构的有机发光显示面板的结构。
176.图12是根据本公开的第三实施方式的有机发光装置的结构截面图。
177.如图12所示，根据本公开的第三实施方式的有机发光装置可以包括tft 70和有机发光器件，该tft 70和有机发光器件设置在基板80上的多个子像素区域p中的每个子像素区域中。
178.基板80可以包括绝缘材料，并且例如，基板80可以包括玻璃或诸如聚酰亚胺(pi)的塑料材料。
179.缓冲层81可以设置在基板80上。缓冲层81可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox。然而，缓冲层81不必是必要元件，并且可以基于基板80的种类和材料以及tft 70的结构和类型而被省略。
180.tft 70可以设置在缓冲层81上。tft 70可以包括有源层71、栅极72、源极73和漏极74。
181.tft 70的有源层71可以设置在缓冲层81上，并且栅极绝缘层82可以设置在有源层71和缓冲层81上。
182.有源层71可以包括a-si、poly-si、氧化物半导体或有机半导体。
183.栅极绝缘层82可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。
184.源极73和漏极74中的每一者接触有源层71所穿过的第一接触孔可以形成在栅极绝缘层82中。
185.栅极72可以设置在栅极绝缘层82上以与有源层71交叠。栅极72可以包括导电金属(例如，cu、al、mo或其合金)，但不限于此。
186.层间绝缘层83可以设置在栅极72和栅极绝缘层82上。层间绝缘层83可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。源极73和漏极74中的每一者接触有源层71所穿过的第二接触孔可以形成在层间绝缘层83中。
187.源极73和漏极74可以设置在层间绝缘层83上。源极73和漏极74可以包括导电金属(例如，cu、al、mo或其合金)，但不限于此。源极73和漏极74中的每一者可以穿过第一接触孔和第二接触孔电连接到有源层71。
188.钝化层84可以设置在tft 70和层间绝缘层83上。钝化层84可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。
189.用于使oled的第一电极11能够连接到tft 70的漏极74的第三接触孔可以形成在钝化层84中。钝化层84不必是必要元件，并且可以基于有机发光显示面板的设计被省略。
190.平坦化层85可以设置在钝化层84上。平坦化层85可以包括有机材料，并且用于暴露tft 70的漏极74的第四接触孔可以形成在平坦化层85中。
191.第一电极11可以设置在平坦化层85上的每个子像素区域中，并且堤层20可以在子像素区域p之间的边界部分处设置在平坦化层85上以与第一电极11的边缘交叠。
192.在垂直方向(第一方向)上的堤层20的顶表面的边缘和侧表面可以是亲水的，并且在水平方向(第二方向)上的与每个子像素区域相邻的堤层20的顶表面和侧表面可以是亲水的。
193.多个第一有机材料层112a至112c可以在相邻堤层20之间设置在第一电极11上。
194.第二有机材料层113可以设置在第一有机材料层112a至112c和堤层20上面，并且堤层20上的第二有机材料层113可以可选地可以是或变成疏水的。
195.多个第三有机材料层115a至115c可以在相邻堤层20之间设置在第二有机材料层113上，并且第四有机材料层116可以设置在第三有机材料层115a至115c和堤层20上面的第二有机材料层113上。
196.此外，第二电极60可以设置在第四有机材料层116上。
197.这里，第一有机材料层112a至112c可以包括第一空穴传输层(htl1)和第一发光层(eml1)，并且第二有机材料层113可以包括第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和空穴注入层(hil)。
198.第三有机材料层115a至115c可以包括第二空穴传输层(htl2)和第二发光层(eml2)，并且第四有机材料层116可以包括第二电子传输层(etl2)和电子注入层(eil)。
199.下文将描述根据本公开的第三实施方式的具有图12中所示的结构的有机发光显示面板的制造方法。
200.图13a至图13i是根据本公开的第三实施方式的沿着图1的线i-i’截取的有机发光显示面板的工艺截面图。
201.在图13a至图13i中，没有描述形成tft 70的工艺，而是仅示出了形成发光器件的工艺。因此，图13a至图13i中所示的基板10可以包括图12中所示的基板80、tft 70和平坦化层85中的全部。此外，附加层或结构可以可选地包括在基板10中。
202.如图13a所示，多个第一电极11可以分别形成在包括多个子像素区域p的基板10中的多个子像素区域p中。
203.疏水有机绝缘材料可以涂覆在其上形成有第一电极11的基板10上。通过选择性地去除疏水有机绝缘材料，具有晶格形式的堤层20可以形成在相邻子像素区域之间的边界部分处以与第一电极11的边缘交叠。
204.这里，当选择性地去除疏水有机绝缘材料以形成堤层20时，有机残余层20a可能位于第一电极11的表面上。
205.如图13b和图5b所示，通过对在垂直方向上的堤层20的上边缘和侧表面、在水平方向上的堤层20的上边缘和侧表面中的每一者的一部分以及第一电极11的表面执行等离子体印刷工艺，可以去除残留在第一电极11的表面中的有机残余层20a，并且同时，堤层20的顶表面的一部分和顶表面的边缘以及侧表面可以是亲水的。
206.这将更详细地描述。
207.等离子体印刷工艺可以使用o2/n2/ar气体，并且可以通过使用扫描类型来选择性地执行等离子体印刷工艺。例如，在图1中，等离子体印刷方向由附图标记“30”表示。
208.等离子体印刷工艺可以沿着垂直方向子像素基于扫描类型来执行，以与具有晶格
形式的多个堤层20当中的在垂直方向上的两个相邻堤层20的上表面的边缘交叠。
209.因此，可以通过去除在垂直方向上的两个相邻堤层20的上表面的边缘一定深度来形成台阶，并且如图5b所示，去除具有晶格形式的多个堤层20当中的在水平方向上的与子像素区域相邻的堤层20的上表面。此外，在垂直方向上的堤层20的形成台阶的部分、在垂直方向上的堤层20的侧表面、以及在水平方向上的堤层20的上表面和侧表面可以是亲水的。
210.如图13c所示，第一有机材料溶液111a至111c可以通过喷墨印刷工艺(可溶工艺)滴落在每个子像素区域p的第一电极11的上部上。
211.此时，因为堤层20的顶表面具有疏水特性，所以堤层20的顶表面的表面能可以降低，因此，可以防止滴落在每个子像素区域p中的第一有机材料溶液111a至111c与滴落在沿水平方向与其相邻的每个子像素区域p中的第一有机材料溶液111a至111c混合。
212.此外，因为在水平方向上的堤层20的上部是亲水的，所以相同的第一有机材料溶液111a至111c可以滴落在沿垂直方向相邻的每个子像素区域p中。
213.如图13d所示，通过执行干燥滴落的第一有机材料溶液111a至111c的工艺，第一有机材料溶液111a至111c的溶剂可以被蒸发并且仅第一有机材料溶液111a至111c的溶质可以保留在第一电极11上，并且因此，第一有机材料层112a至112c可以形成在第一电极11上。
214.这里，第一有机材料层112a至112c可以包括图11中所示的第一空穴传输层(htl1)和第一发光层(eml1)。
215.因此，在图13d中，第一有机材料层112a至112c中的每一者被例示为单个层，但不限于此，并且可以由多层形成。
216.例如，当第一有机材料层112a至112c包括第一空穴传输层(htl1)和第一发光层(eml1)时，可以执行以下工艺。
217.如上文参照图13c和图13d所描述的，空穴传输材料溶液可以滴落在每个子像素区域p的第一电极11上并且可以被干燥，并且因此，可以在第一电极11上形成第一空穴传输层(htl1)。
218.可以假设每个子像素区域p包括红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b。
219.如图13c所示，可以在红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b中的每一者的第一空穴传输层上滴落红色发光材料溶液、绿色发光材料溶液和蓝色发光材料溶液，并且如上面参照图13d所述，可以通过干燥滴落的红色发光材料溶液、绿色发光材料溶液和蓝色发光材料溶液来形成红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。
220.如图13e所示，可以通过使用沉积工艺来在包括第一有机材料层112a至112c和堤层20的基板10的整个表面上形成第二有机材料层113。
221.第二有机材料层113可以包括图11所示的第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和空穴注入层(hil)。
222.例如，第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和空穴注入层(hil)可以依次沉积在包括第一有机材料层112a至112c和堤层20的基板10的整个表面上。
223.因此，在图13e中，第二有机材料层113被例示为单个层，但不限于此，并且可以由包括第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和空穴注入
层(hil)的多层形成。
224.如图13f所示，可以对第二有机材料层113的位于堤层20上的表面执行cf4或sf6气体等离子体处理，因此，第二有机材料层113的位于堤层20上的表面可以是疏水的。
225.例如，可以对形成在第二有机材料层113中的最上部分处的空穴注入层(hil)的设置在堤层20上的表面执行cf4或sf6气体等离子体处理，并且因此，空穴注入层(hil)的位于堤层20上的表面可以是疏水的。
226.上面已经参照图6和图7描述了详细的疏水等离子体处理方法，因此，省略了任何重复的描述。
227.如图13g所示，第三有机材料溶液114a至114c可以滴落在每个子像素区域p的第二有机材料层113上。
228.此时，因为堤层20上的第二有机材料层113具有疏水特性，所以第二有机材料层113的位于堤层20上的表面能可以降低，并且因此可以防止滴落在每个子像素区域p中的第三有机材料溶液114a至114c与滴落在沿水平方向与其相邻的每个子像素区域p中的第三有机材料溶液114a至114c混合。
229.如图13h所示，通过执行干燥滴落的第三有机材料溶液114a至114c的工艺，第三有机材料溶液114a至114c的溶剂可以被蒸发，并且仅第三有机材料溶液114a至114c的溶质可以保留在第二有机材料层113上，并且因此，可以在第二有机材料层113上形成第三有机材料层115a至115c。
230.第三有机材料层115a至115c可以包括图11中所示的第二空穴传输层(htl2)和第二发光层(eml2)。
231.例如，可以在每个子像素区域p的第二有机材料层113上滴落第二空穴传输材料溶液作为第三有机材料溶液114a至114c，并且第二空穴传输材料溶液可以被干燥，并且因此可以形成第二空穴传输层(htl2)。
232.此外，红色发光材料溶液、绿色发光材料溶液和蓝色发光材料溶液可以作为第三有机材料溶液114a至114c滴落在红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b中的每一者的第二空穴传输层(htl2)上，并且红色发光材料溶液、绿色发光材料溶液和蓝色发光材料溶液可以被干燥。因此，可以形成红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。
233.如图13i所示，可以通过使用沉积工艺来在其上形成有第三有机材料层115a至115c的基板10上形成第四有机材料层116。
234.第四有机材料层116可以包括图11所示的第二电子传输层(etl2)和电子注入层(eil)。因此，在图13i中，第四有机材料层116被例示为单个层，但不限于此，并且可以由多层形成。
235.此外，可以通过使用沉积工艺来在其上形成有第四有机材料层116的基板10上形成第二电极60。
236.此外，在具有多叠层结构的发光器件中，可以通过执行喷墨印刷工艺和沉积工艺来去除堆积效应。在下文中，将描述用于去除多叠层结构中的堆积效应的制造方法。
237.图14是例示根据本公开的第四实施方式的具有多叠层结构的发光器件和对每一层执行的工艺的结构图。
238.如图14所示，根据本公开的第四实施方式的发光器件可以具有多叠层结构，在该
多叠层结构中第一空穴传输层(htl1)、第一发光层(eml1)、第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)、第二空穴传输层(htl2)、第三空穴传输层(htl3)、第二发光层(eml2)、第二电子传输层(etl2)和电子注入层(eil)依次层叠在第一电极(阳极；ito)与第二电极(阴极；金属)之间。
239.这里，第一叠层(stack1)可以包括第一空穴传输层(htl1)、第一发光层(eml1)和第一电子传输层(etl1)，并且第二叠层(stack2)可以包括第二空穴传输层(htl2)、第三空穴传输层(htl3)、第二发光层(eml2)、第二电子传输层(etl2)和电子注入层(eil)。因此，电荷产生层(cgl)可以设置在第一叠层与第二叠层之间。
240.第一空穴传输层(htl1)和第一发光层(eml1)可以通过喷墨印刷工艺(可溶工艺)形成。
241.第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和第二空穴传输层(htl2)可以通过沉积工艺形成。
242.第三空穴传输层(htl3)和第二发光层(eml2)可以通过喷墨印刷工艺(可溶工艺)形成。
243.第二电子传输层(etl2)、电子注入层(eil)和第二电极可以通过沉积工艺形成。
244.以下将描述根据本公开的第四实施方式的具有多叠层结构的有机发光显示面板的结构。
245.图15是根据本公开的第四实施方式的有机发光装置的结构截面图。
246.如图15所示，根据本公开的第四实施方式的有机发光装置可以包括tft 70和有机发光器件，该tft 70和有机发光器件设置在基板80上的多个子像素区域p中的每个子像素区域中。
247.基板80可以包括绝缘材料，并且例如，基板80可以包括玻璃或诸如聚酰亚胺(pi)的塑料材料。
248.缓冲层81可以设置在基板80上。缓冲层81可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox。然而，缓冲层81不必是必要元件，并且可以基于基板80的种类和材料以及tft 70的结构和类型而被省略。
249.tft 70可以设置在缓冲层81上。tft 70可以包括有源层71、栅极72、源极73和漏极74。
250.tft 70的有源层71可以设置在缓冲层81上，并且栅极绝缘层82可以设置在有源层71和缓冲层81上。
251.有源层71可以包括a-si、poly-si、氧化物半导体或有机半导体。
252.栅极绝缘层82可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。
253.源极73和漏极74中的每一者接触有源层71所穿过的第一接触孔可以形成在栅极绝缘层82中。
254.栅极72可以设置在栅极绝缘层82上以与有源层71交叠。栅极72可以包括导电金属(例如，cu、al、mo或其合金)，但不限于此。
255.层间绝缘层83可以设置在栅极72和栅极绝缘层82上。层间绝缘层83可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于
此。源极73和漏极74中的每一者接触有源层71所穿过的第二接触孔可以形成在层间绝缘层83中。
256.源极73和漏极74可以设置在层间绝缘层83上。源极73和漏极74可以包括导电金属(例如，cu、al、mo或其合金)，但不限于此。源极73和漏极74中的每一者可以穿过第一接触孔和第二接触孔电连接到有源层71。
257.钝化层84可以设置在tft 70和层间绝缘层83上。钝化层84可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。
258.用于使oled的第一电极11能够连接到tft 70的漏极74的第三接触孔可以形成在钝化层84中。钝化层84不必是必要元件，并且可以基于有机发光显示面板的设计被省略。
259.平坦化层85可以设置在钝化层84上。平坦化层85可以包括有机材料，并且用于暴露tft 70的漏极74的第四接触孔可以形成在平坦化层85中。
260.第一电极11可以设置在平坦化层85上的每个子像素区域中，并且堤层20可以在子像素区域p之间的边界部分处设置在平坦化层85上以与第一电极11的边缘交叠。
261.在垂直方向(第一方向)上的堤层20的顶表面的边缘和侧表面可以是亲水的，并且在水平方向(第二方向)上的与每个子像素区域相邻的堤层20的顶表面和侧表面可以是亲水的。
262.多个第一有机材料层132a至132c可以在相邻堤层20之间设置在第一电极11上。
263.第二有机材料层133可以设置在第一有机材料层132a至132c和堤层20上，并且堤层20上的第二有机材料层133可选地可以是或变成疏水的。
264.多个第三有机材料层135a至135b和137a至137c可以在相邻堤层20之间设置在第二有机材料层133上，并且第四有机材料层138可以设置在第三有机材料层135a至135b和137a至137c以及堤层20上面的第二有机材料层133上。
265.此外，第二电极60可以设置在第四有机材料层138上。
266.这里，第一有机材料层132a至132c可以包括第一空穴传输层(htl1)和第一发光层(eml1)，并且第二有机材料层133可以包括第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和第二空穴传输层(htl2)。
267.第三有机材料层135a至135b和137a至137c可以包括仅形成在红色子像素区域r和绿色子像素区域g中的第三空穴传输层135a和135b，以及分别形成在红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b中的红色发光层137a、绿色发光层137b和蓝色发光层137c。
268.第四有机材料层116可以包括第二电子传输层(etl2)和电子注入层(eil)。
269.以下将描述根据本公开的第四实施方式的用于去除具有多叠层结构的发光器件中的堆积效应的发光器件的制造方法。
270.图16a至图16k是根据本公开的第四实施方式的沿着图1的线i-i’截取的有机发光显示面板的工艺截面图。
271.在图16a至图16k中，没有描述形成tft 70的工艺，并且仅例示了形成发光器件的工艺。因此，图16a至图16k中所示的基板10可以包括图15中所示的基板80、tft 70和平坦化层85中的全部。此外，附加层或结构可以可选地包括在基板10中。
272.如图16a所示，多个第一电极11可以分别形成在基板10上的多个子像素区域p中。
273.此外，疏水有机绝缘材料可以涂覆在其上形成有第一电极11的基板10上。通过选择性地去除疏水有机绝缘材料，具有晶格形式的堤层20可以形成在相邻子像素区域之间的边界部分处。
274.这里，当选择性地去除疏水有机绝缘材料以形成堤层20时，有机残余层20a可能位于第一电极11的表面上。
275.如图16b和图5b所示，通过对在垂直方向上的堤层20的上边缘和侧表面、在水平方向上的堤层20的上边缘和侧表面中的每一者的一部分以及第一电极11的表面执行等离子体印刷工艺，可以去除残留在第一电极11的表面中的有机残余层20a，并且同时，堤层20的顶表面的一部分和顶表面的边缘以及侧表面可以是亲水的。
276.这将更详细地描述。
277.等离子体印刷工艺可以使用o2/n2/ar气体，并且可以通过使用扫描类型来选择性地执行等离子体印刷工艺。例如，在图1中，等离子体印刷方向由附图标记“30”表示。
278.等离子体印刷工艺可以沿着垂直方向子像素基于扫描类型来执行，以与具有晶格形式的多个堤层20当中的在垂直方向上的两个相邻堤层20的上表面的边缘交叠。
279.因此，可以通过去除在垂直方向上的两个相邻堤层20的上表面的边缘一定深度来形成台阶，并且如图5b所示，去除具有晶格形式的多个堤层20当中的在水平方向上的与子像素区域相邻的堤层20的上表面。此外，在垂直方向上的堤层20的形成台阶的部分、在垂直方向上的堤层20的侧表面、以及在水平方向上的堤层20的上表面和侧表面可以是亲水的。
280.如图16c所示，第一有机材料溶液131a至131c可以通过喷墨印刷工艺(可溶工艺)滴落在每个子像素区域p的第一电极11的上部上。
281.此时，因为堤层20的顶表面具有疏水特性，所以堤层20的顶表面的表面能可以降低，因此，可以防止滴落在每个子像素区域p中的第一有机材料溶液131a至131c与滴落在沿水平方向与其相邻的每个子像素区域p中的第一有机材料溶液131a至131c混合。
282.此外，因为在水平方向上的堤层20的上部是亲水的，所以相同的第一有机材料溶液131a至131c可以滴落在沿垂直方向相邻的每个子像素区域p中。
283.如图16d中所示，通过执行干燥滴落的第一有机材料溶液131a至131c的工艺，第一有机材料溶液131a至131c的溶剂可以被蒸发，并且仅第一有机材料溶液131a至131c的溶质可以保留在第一电极11上，并且因此第一有机材料层132a至132c可以形成在第一电极11上。
284.这里，第一有机材料层132a至132c可以包括图14中所示的第一空穴传输层(htl1)和第一发光层(eml1)。
285.因此，在图16d中，第一有机材料层132a至132c中的每一者被例示为单个层，但不限于此，并且可以由多层形成。
286.例如，当第一有机材料层132a至132c包括第一空穴传输层(htl1)和第一发光层(eml1)时，可以执行以下工艺。
287.如以上参照图16c和图16d所描述的，空穴传输材料溶液可以滴落在每个子像素区域p的第一电极11上并且可以被干燥，并且因此，可以在第一电极11上形成第一空穴传输层(htl1)。
288.当假设每个子像素区域p包括红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素
区域b时，红色发光材料溶液、绿色发光材料溶液和蓝色发光材料溶液可以滴落在红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b中的每一者的第一空穴传输层(htl1)上，并且红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层可以通过干燥滴落的红色发光材料溶液、绿色发光材料溶液和蓝色发光材料溶液来形成。
289.如图16e所示，可以通过使用沉积工艺在包括第一有机材料层132a至132c和堤层20的基板10的整个表面上形成第二有机材料层133。
290.第二有机材料层133可以包括图14所示的第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和第二空穴传输层(htl2)。
291.例如，第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和第二空穴传输层(htl2)可以依次沉积在包括第一有机材料层132a至132c和堤层20的基板10的整个表面上。
292.因此，在图16e中，第二有机材料层133被例示为单个层，但不限于此，并且可以由包括第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和第二空穴传输层(htl2)的多层形成。
293.如图16f所示，可以对第二有机材料层133的位于堤层20上的表面执行cf4或sf6气体等离子体处理，因此，第二有机材料层133的位于堤层20上的表面可以是疏水的。
294.例如，可以对形成在第二有机材料层133中的最上部分处的第二空穴传输层(htl2)的设置在堤层20上的表面执行cf4或sf6气体等离子体处理，并且因此，第二空穴传输层(htl2)的位于堤层20上的表面可以是疏水的。
295.以上已经参照图6和图7描述了详细的疏水等离子体处理方法，并且因此省略了详细的疏水等离子体处理方法。
296.如图16g所示，当假设每个子像素区域p包括红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b时，可以仅在红色子像素区域r和绿色子像素区域g中的每一者的第二有机材料层133上滴落第三空穴传输材料溶液134a和134b，并且不需要在蓝色子像素区域b上滴落第三空穴传输材料溶液。
297.如图16h所示，可以执行干燥滴落的第三空穴传输材料溶液134a和134b的工艺。
298.例如，第三空穴传输材料溶液134a和134b的溶剂可以被蒸发，并且仅第三空穴传输材料溶液134a和134b的溶质可以保留在第二有机材料层133上。
299.因此，第三空穴传输层135a和135b可以形成在红色子像素区域r和绿色子像素区域g中的每一者的第二有机材料层133上。不需要在蓝色子像素区域b中形成第三空穴传输层。
300.如图16i所示，红色发光材料溶液136a、绿色发光材料溶液136b和蓝色发光材料溶液136c可以分别滴落在红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b上。
301.如图16j所示，通过执行干燥滴落的红色发光材料溶液136a、绿色发光材料溶液136b和蓝色发光材料溶液136c的工艺，红色发光层137a、绿色发光层137b和蓝色发光层137c可以分别形成在红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b中。
302.这里，第三空穴传输层135a和135b、红色发光层137a、绿色发光层137b和蓝色发光层137c可以被称为第三有机材料层。
303.因此，如上文参照图16e至16j所描述的，第三空穴传输层(htl3)(第三空穴传输层
135a和135b)、红色发光层137a和绿色发光层137b可以形成在红色子像素区域r和绿色子像素区域g中，但是仅蓝色发光层137c可以形成在蓝色子像素区域b中，由此去除堆积效应。
304.如图16k中所示，可以通过使用沉积工艺来在其上形成有红色发光层137a、绿色发光层137b和蓝色发光层137c的基板10上形成第四有机材料层138。
305.第四有机材料层138可以包括图14所示的第二电子传输层(etl2)和电子注入层(eil)。因此，在图16k中，第四有机材料层138被例示为单个层，但不限于此，并且可以由多层形成。
306.此外，可以通过使用沉积工艺来在其上形成有第四有机材料层138的基板10上形成第二电极60。
307.此外，在具有多叠层结构的发光器件中，可以执行喷墨印刷工艺和沉积工艺，但是可以通过执行喷墨印刷工艺和沉积工艺的顺序来去除堆积效应。在下文中，将描述用于通过改变喷墨印刷工艺和沉积工艺的顺序来去除堆积效应的有机发光显示面板的结构和制造有机发光显示面板的方法。
308.图17是例示根据本公开的第五实施方式的具有多叠层结构的发光器件和对每一层执行的工艺的结构图。
309.如图17所示，根据本公开的第五实施方式的发光器件可以具有多叠层结构，在该多叠层结构中第一空穴传输层(htl1)、第一发光层(eml1)、第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)、第二空穴传输层(htl2)、第三空穴传输层(htl3)、第二发光层(eml2)、第二电子传输层(etl2)和电子注入层(eil)依次层叠在第一电极(阳极；ito)与第二电极(阴极；金属)之间。
310.这里，第一叠层(stack1)可以包括第一空穴传输层(htl1)、第一发光层(eml1)和第一电子传输层(etl1)，并且第二叠层(stack2)可以包括第二空穴传输层(htl2)、第三空穴传输层(htl3)、第二发光层(eml2)、第二电子传输层(etl2)和电子注入层(eil)。因此，电荷产生层可以设置在第一叠层与第一叠层之间。
311.第一空穴传输层(htl1)可以通过沉积工艺形成，并且第一发光层(eml1)可以通过喷墨印刷工艺(可溶工艺)形成。
312.第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和第二空穴传输层(htl2)可以通过沉积工艺形成。
313.第三空穴传输层(htl3)和第二发光层(eml2)可以通过喷墨印刷工艺(可溶工艺)形成。
314.第二电子传输层(etl2)、电子注入层(eil)和第二电极可以通过沉积工艺形成。
315.以下将描述根据本公开的第五实施方式的用于去除具有多叠层结构的发光器件中的堆积效应的有机发光显示面板的结构。
316.图18是根据本公开的第五实施方式的有机发光装置的结构截面图。
317.如图18所示，根据本公开的第五实施方式的有机发光装置可以包括tft 70和有机发光器件，该tft 70和有机发光器件设置在基板80上的多个子像素区域p中的每个子像素区域中。
318.基板80可以包括绝缘材料，并且例如，基板80可以包括玻璃或诸如聚酰亚胺(pi)的塑料材料。
319.缓冲层81可以设置在基板80上。缓冲层81可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox。然而，缓冲层81不必是必要元件，并且可以基于基板80的种类和材料以及tft 70的结构和类型而被省略。
320.tft 70可以设置在缓冲层81上。tft 70可以包括有源层71、栅极72、源极73和漏极74。
321.tft 70的有源层71可以设置在缓冲层81上，并且栅极绝缘层82可以设置在有源层71和缓冲层81上。
322.有源层71可以包括a-si、poly-si、氧化物半导体或有机半导体。
323.栅极绝缘层82可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。
324.源极73和漏极74中的每一者接触有源层71所穿过的第一接触孔可以形成在栅极绝缘层82中。
325.栅极72可以设置在栅极绝缘层82上以与有源层71交叠。栅极72可以包括导电金属(例如，cu、al、mo或其合金)，但不限于此。
326.层间绝缘层83可以设置在栅极72和栅极绝缘层82上。层间绝缘层83可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。源极73和漏极74中的每一者接触有源层71所穿过的第二接触孔可以形成在层间绝缘层83中。
327.源极73和漏极74可以设置在层间绝缘层83上。源极73和漏极74可以包括导电金属(例如，cu、al、mo或其合金)，但不限于此。源极73和漏极74中的每一者可以穿过第一接触孔和第二接触孔电连接到有源层71。
328.钝化层84可以设置在tft 70和层间绝缘层83上。钝化层84可以包括单个层或多层，该单个层包括作为无机材料的sinx或siox，该多层包括sinx和siox，但不限于此。
329.用于使oled的第一电极11能够连接到tft 70的漏极74的第三接触孔可以形成在钝化层84中。钝化层84不必是必要元件，并且可以基于有机发光显示面板的设计被省略。
330.平坦化层85可以设置在钝化层84上。平坦化层85可以包括有机材料，并且用于暴露tft 70的漏极74的第四接触孔可以形成在平坦化层85中。
331.第一电极11可以设置在平坦化层85上的每个子像素区域中，并且堤层20可以在子像素区域p之间的边界部分处设置在平坦化层85上以与第一电极11的边缘交叠。
332.第一有机材料层151可以设置在第一电极11和堤层20上，并且堤层20上的第一有机材料层151可选地可以是或变成疏水的。
333.多个第二有机材料层153a至153c(例如，红色发光层153a、绿色发光层153b和蓝色发光层153c)可以在相邻堤层20之间设置在第一有机材料层151上。
334.第三有机材料层154可以设置在第二有机材料层153a至153c和第一有机材料层151上，并且堤层20上的第三有机材料层154可选地可以是或变成疏水的。
335.第四有机材料层156a至156b和158a至158c可以在相邻堤层20之间设置在第三有机材料层154上，并且第五有机材料层159可以设置在第四有机材料层156a至156b和158a至158c和堤层20上方的第三有机材料层154上。
336.此外，第二电极60可以设置在第五有机材料层159上。
337.这里，第一有机材料层151可以包括第一空穴传输层(htl1)，并且第二有机材料层153a至153c可以包括第一发光层(eml1)。
338.第三有机材料层154可以包括第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和第二空穴传输层(htl2)。
339.第四有机材料层156a至156b和158a至158c可以包括仅形成在红色子像素区域r和绿色子像素区域g中的第三空穴传输层156a和156b，以及分别形成在红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b中的包括红色发光层158a、绿色发光层158b和蓝色发光层158c的第二发光层。
340.第五有机材料层159可以包括第二电子传输层(etl2)和电子注入层(eil)。
341.以下将描述根据本公开的第五实施方式的用于去除具有多叠层结构的发光器件中的堆积效应的发光器件的制造方法。
342.图19a至图19m是根据本公开的第五实施方式的沿着图1的线i-i’截取的有机发光显示面板的工艺截面图。
343.在图19a至图19k中，没有描述形成tft 70的工艺，并且仅例示了形成发光器件的工艺。因此，图19a至图19m中所示的基板10可以包括图18中所示的基板80、tft 70和平坦化层85中的全部。此外，附加层或结构可以可选地包括在基板10中。
344.如图19a所示，多个第一电极11可以分别形成在基板10上的多个子像素区域p中。
345.此外，疏水有机绝缘材料可以涂覆在其上形成有第一电极11的基板10上。通过选择性地去除疏水有机绝缘材料，具有晶格形式的堤层20可以形成在相邻子像素区域之间的边界部分处。
346.这里，当选择性地去除疏水有机绝缘材料以形成堤层20时，有机残余层20a可能位于第一电极11的表面上。
347.如图19b和图5b所示，通过对在垂直方向上的堤层20的上边缘和侧表面、在水平方向上的堤层20的上边缘和侧表面中的每一者的一部分以及第一电极11的表面执行等离子体印刷工艺，可以去除残留在第一电极11的表面中的有机残余层20a，并且同时，堤层20的顶表面的一部分和顶表面的边缘以及侧表面可以是亲水的。
348.这将更详细地描述。
349.等离子体印刷工艺可以使用o2/n2/ar气体，并且可以通过使用扫描类型来选择性地执行等离子体印刷工艺。例如，在图1中，等离子体印刷方向由附图标记“30”表示。
350.等离子体印刷工艺可以沿着垂直方向子像素基于扫描类型来执行，以与具有晶格形式的多个堤层20当中的在垂直方向上的两个相邻堤层20的上表面的边缘交叠。
351.因此，可以通过去除在垂直方向上的两个相邻堤层20的上表面的边缘一定深度来形成台阶，并且如图5b所示，去除具有晶格形式的多个堤层20当中的在水平方向上的与子像素区域相邻的堤层20的上表面。此外，在垂直方向上的堤层20的形成台阶的部分、在垂直方向上的堤层20的侧表面、以及在水平方向上的堤层20的上表面和侧表面可以是亲水的。
352.如图19c所示，可以通过使用沉积工艺来在包括第一电极11和堤层20的基板10的整个表面上形成第一有机材料层151。
353.第一有机材料层151可以包括图17中所示的第一电子传输层(etl1)。
354.如图19d所示，可以对第一有机材料层151的位于堤层20上的表面执行cf4或sf6气
体等离子体处理，因此，第一有机材料层151的位于堤层20上的表面可以是疏水的。
355.以上已经参照图6和图7描述了详细的疏水等离子体处理方法，并且因此省略了详细的疏水等离子体处理方法。
356.如图19e所示，红色发光材料溶液152a、绿色发光材料溶液152b和蓝色发光材料溶液152c可以通过喷墨印刷工艺(可溶工艺)分别滴落在红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b上。
357.此时，因为在垂直方向上的堤层20上的第一有机材料层151的顶表面具有疏水特性，所以滴落在沿水平方向彼此相邻的子像素区域p中的每一者上的红色发光材料溶液152a、绿色发光材料溶液152b和蓝色发光材料溶液152c不会彼此混合。
358.此外，因为在水平方向上的堤层20上的第一有机材料层151的顶表面不是疏水的，所以相同的红色发光材料溶液152a、绿色发光材料溶液152b和蓝色发光材料溶液152c可以滴落在沿垂直方向彼此相邻的子像素区域p中的每一者上。
359.如图19f所示，可以执行干燥滴落的红色发光材料溶液152a、绿色发光材料溶液152b和蓝色发光材料溶液152c的工艺。
360.例如，滴落的红色发光材料溶液152a、绿色发光材料溶液152b和蓝色发光材料溶液152c的溶剂可以被蒸发，并且仅红色发光材料溶液152a、绿色发光材料溶液152b和蓝色发光材料溶液152c的溶质可以保留在第一有机材料层151上。
361.因此，可以在第一有机材料层151上形成红色发光层153a、绿色发光层153b和蓝色发光层153c。
362.这里，红色发光层153a、绿色发光层153b和蓝色发光层153c可以被称为第二有机材料层。
363.如图19g所示，可以通过使用沉积工艺来在包括第二有机材料层153a至153c和第一有机材料层151的基板10的整个表面上形成第三有机材料层154。
364.第三有机材料层154可以包括图17所示的第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和第二空穴传输层(htl2)。
365.例如，第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和第二空穴传输层(htl2)可以依次沉积在包括第二有机材料层153a至153c和第一有机材料层151的基板10的整个表面上。
366.因此，在图19g中，第三有机材料层154被例示为单个层，但不限于此，并且可以由包括第一电子传输层(etl1)、n型电荷产生层(n-cgl)、p型电荷产生层(p-cgl)和第二空穴传输层(htl2)的多层形成。
367.如图19h所示，可以对第三有机材料层154的位于堤层20上的表面执行cf4或sf6气体等离子体处理，因此，第三有机材料层154的位于堤层20上的表面可以是疏水的。
368.例如，可以对形成在第三有机材料层154中的最上部分处的第二空穴传输层(htl2)的设置在堤层20上的表面执行cf4或sf6气体等离子体处理，因此，第二空穴传输层(htl2)的位于堤层20上的表面可以是疏水的。
369.以上已经参照图6和图7描述了详细的疏水等离子体处理方法，并且因此省略了详细的疏水等离子体处理方法。
370.如图19i所示，当每个子像素区域p包括红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝
色子像素区域b时，可以仅在红色子像素区域r和绿色子像素区域g中的每一者的第三有机材料层154上滴落第三空穴传输材料溶液155a和155b，并且不需要在蓝色子像素区域b上滴落第三空穴传输材料溶液。
371.如图19j所示，通过执行干燥滴落的第三空穴传输材料溶液155a和155b的工艺，可以在红色子像素区域r和绿色子像素区域g中的每一者的第三有机材料层154上形成第三空穴传输层156a和156b。不需要在蓝色子像素区域b中形成第三空穴传输层。
372.如图19k所示，红色发光材料溶液157a、绿色发光材料溶液157b和蓝色发光材料溶液157c可以分别滴落在红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b上。
373.如图19l所示，通过执行干燥滴落的红色发光材料溶液157a、绿色发光材料溶液157b和蓝色发光材料溶液157c的工艺，红色发光层158a、绿色发光层158b和蓝色发光层158c可以分别形成在红色子像素区域r、绿色子像素区域g和蓝色子像素区域b中。
374.这里，第三空穴传输层156a和156b、红色发光层158a、绿色发光层158b和蓝色发光层158c可以被称为第四有机材料层。
375.因此，如上文参照图19i至图19l所述，第三空穴传输层156a和156b、红色发光层158a和绿色发光层158b可以形成在红色子像素区域r和绿色子像素区域g中，但是仅蓝色发光层158c可以形成在蓝色子像素区域b中，由此去除堆积效应。
376.如图19m中所示，可以通过使用沉积工艺来在其上形成有红色发光层137a、绿色发光层137b和蓝色发光层137c的基板10的整个表面上形成第五有机材料层159。
377.第五有机材料层159可以包括图17所示的第二电子传输层(etl2)和电子注入层(eil)。因此，在图19m中，第五有机材料层159被例示为单个层，但不限于此，并且可以由多层形成。
378.此外，可以通过使用沉积工艺来在其上形成有第五有机材料层159的基板10上形成第二电极60。
379.此外，在根据本公开的第五实施方式的制造方法中，当考虑堆积效应时，可以去除上文参照图19i和图19j描述的对第三空穴传输层156a和156b的工艺。
380.如上所述，有机发光显示面板可以包括：第一电极，该第一电极设置在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中；以及第二电极。在这种情况下，至少一个沉积层可以位于第一电极上，并且是疏水的，同时至少一个可溶层可以位于至少一个沉积层上。另外，多个堤层可以位于基板上，并且具有疏水的部分。为了制造有机发光显示面板，一种制造方法可以包括：在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中形成第一电极；在基板上在多个子像素区域中的相邻子像素区域之间的边界部分处形成多个堤层；对层的表面执行至少一种处理工艺，以向该层提供亲水性或疏水性；以及在第一电极上形成至少一个有机层。至少一种处理工艺可以包括一种或更多种等离子体处理工艺，并且至少一个有机层的形成可以包括在本公开的实施方式中讨论的各种有机层，以及沉积层和/或可溶层。
381.如上所述，在根据本公开的实施方式的有机发光显示面板的制造方法中，发光层可以通过多次执行沉积工艺和喷墨印刷工艺而配置有多叠层，并且因此可增强发光器件的发光特性。
382.此外，根据第二实施方式、第四实施方式和第五实施方式，可以通过执行沉积工艺和喷墨印刷工艺来形成发光器件，并且因此可去除堆积效应。
383.根据本公开的有机发光显示面板的制造方法可以具有以下效果。
384.第一，因为堤结构由单个层形成，所以可以简化制造工艺，并且可以去除第一电极上的有机残余层。
385.第二，可以通过执行沉积工艺和喷墨印刷工艺来形成发光器件，并且因此可以不同地选择每个发光层的材料。
386.第三，发光层可以通过多次执行沉积工艺和喷墨印刷工艺而由多叠层形成，并且因此可增强发光器件的发光特性。
387.第四，在本公开中，因为发光器件是通过执行沉积工艺和喷墨印刷工艺制造的，所以可以减少堆积。
388.根据本公开的效果不限于以上示例，并且本说明书中可以包括其它各种效果。
389.虽然已经参考本公开的示例性实施方式具体示出和描述了本公开，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。
390.相关申请的交叉引用
391.本技术要求于2021年12月29日在韩国提交的韩国专利申请no.10-2021-0191875的优先权，其全部内容在此通过引用明确地并入到本技术中。

技术特征：
1.一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板包括：第一电极，所述第一电极设置在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中；多个堤层，所述多个堤层在所述基板上设置在所述多个子像素区域中的相邻子像素区域之间的边界部分处，所述多个堤层的侧表面是亲水的；第一有机材料层，所述第一有机材料层设置在所述多个堤层和所述第一电极上，所述第一有机材料层的位于所述多个堤层上的表面是疏水的；第二有机材料层，所述第二有机材料层在所述多个堤层中的相邻堤层之间设置在所述第一有机材料层上；第三有机材料层，所述第三有机材料层设置在所述第二有机材料层和所述第一有机材料层上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第三有机材料层上。2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，所述第一有机材料层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一者，其中，所述第二有机材料层包括发光层，并且其中，所述第三有机材料层包括电子传输层和电子注入层中的至少一者。3.一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板包括：第一电极，所述第一电极设置在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中，所述多个子像素区域包括限定在所述基板中的红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域；多个堤层，所述多个堤层在所述基板上设置在所述多个子像素区域中的相邻子像素区域之间的边界部分处，所述多个堤层的侧表面是亲水的；第一有机材料层，所述第一有机材料层设置在所述多个堤层的顶表面和所述侧表面以及所述第一电极上，所述第一有机材料层的位于所述多个堤层上的表面是疏水的；第二有机材料层，所述第二有机材料层在所述多个堤层中的相邻堤层之间设置在所述第一有机材料层上；第三有机材料层，所述第三有机材料层设置在所述第二有机材料层和所述第一有机材料层上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第三有机材料层上，其中，所述第二有机材料层包括第一空穴传输层和发光层，所述第一空穴传输层在相邻堤层之间仅设置在所述红色子像素区域和所述绿色子像素区域的所述第一有机材料层上，并且所述发光层设置在所述红色子像素区域、所述绿色子像素区域和所述蓝色子像素区域中。4.根据权利要求3所述的有机发光显示面板，其中，所述第一有机材料层包括空穴注入层和第二空穴传输层中的至少一者，并且其中，所述第三有机材料层包括电子传输层和电子注入层中的至少一者。5.一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板包括：第一电极，所述第一电极设置在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中；多个堤层，所述多个堤层在所述基板上设置在所述多个子像素区域中的相邻子像素区域之间的边界部分处，所述多个堤层的侧表面是亲水的；
第一有机材料层，所述第一有机材料层在所述多个堤层中的相邻堤层之间设置在所述多个子像素区域中的每个子像素区域的所述第一电极上；第二有机材料层，所述第二有机材料层设置在所述第一有机材料层和所述多个堤层上，所述第二有机材料层的位于所述多个堤层上的侧表面是亲水的；第三有机材料层，所述第三有机材料层在所述多个堤层中的相邻堤层之间设置在所述第二有机材料层上；第四有机材料层，所述第四有机材料层设置在所述第三有机材料层和所述第二有机材料层上，以及第二电极，所述第二电极设置在所述第四有机材料层上。6.根据权利要求5所述的有机发光显示面板，其中，所述第一有机材料层包括第一空穴传输层和第一发光层，其中，所述第二有机材料层包括第一电子传输层、n型电荷产生层、p型电荷产生层和空穴注入层，其中，所述第三有机材料层包括第二空穴传输层和第二发光层，并且其中，所述第四有机材料层包括第二电子传输层和电子注入层。7.一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板包括：第一电极，所述第一电极设置在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中，所述多个子像素区域包括限定在所述基板中的红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域；多个堤层，所述多个堤层在所述基板上设置在所述多个子像素区域中的相邻子像素区域之间的边界部分处，所述多个堤层的侧表面是亲水的；第一有机材料层，所述第一有机材料层在所述多个堤层中的相邻堤层之间设置在所述多个子像素区域中的每个子像素区域的所述第一电极上；第二有机材料层，所述第二有机材料层设置在所述第一有机材料层和所述多个堤层上，所述第二有机材料层的位于所述多个堤层上的表面是疏水的；第三有机材料层，所述第三有机材料层在所述多个堤层中的相邻堤层之间设置在所述第二有机材料层上；第四有机材料层，所述第四有机材料层设置在所述第三有机材料层和所述第二有机材料层上，以及第二电极，所述第二电极设置在所述第四有机材料层上；其中，所述第三有机材料层包括：第一空穴传输层，所述第一空穴传输层在所述多个堤层中的相邻堤层之间仅设置在所述红色子像素区域和所述绿色子像素区域的所述第二有机材料层上；以及第一发光层，所述第一发光层设置在所述红色子像素区域、所述绿色子像素区域和所述蓝色子像素区域中。8.根据权利要求7所述的有机发光显示面板，其中，所述第一有机材料层包括第二空穴传输层和第二发光层，其中，所述第二有机材料层包括第一电子传输层、n型电荷产生层、p型电荷产生层和第三空穴传输层，并且其中，所述第四有机材料层包括第二电子传输层和电子注入层。
9.一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板包括：第一电极，所述第一电极设置在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中，所述多个子像素区域包括限定在所述基板中的红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域；多个堤层，所述多个堤层在所述基板上设置在所述多个子像素区域中的相邻子像素区域之间的边界部分处，所述多个堤层的侧表面是亲水的；第一有机材料层，所述第一有机材料层设置在所述多个堤层和所述第一电极上，所述第一有机材料层的位于所述多个堤层上的表面是疏水的；第二有机材料层，所述第二有机材料层在所述多个堤层中的相邻堤层之间设置在所述多个子像素区域中的每个子像素区域的所述第一有机材料层上；第三有机材料层，所述第三有机材料层设置在所述第二有机材料层和所述第一有机材料层上，所述第三有机材料层的位于所述多个堤层上的表面是疏水的；第四有机材料层，所述第四有机材料层在所述多个堤层中的相邻堤层之间设置在所述第三有机材料层上；第五有机材料层，所述第五有机材料层设置在所述第四有机材料层和所述第三有机材料层上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第五有机材料层上，其中，所述第四有机材料层包括：第一空穴传输层，所述第一空穴传输层在所述多个堤层中的相邻堤层之间仅设置在所述红色子像素区域和所述绿色子像素区域的所述第三有机材料层上；以及第一发光层，所述第一发光层设置在所述红色子像素区域、所述绿色子像素区域和所述蓝色子像素区域中。10.根据权利要求9所述的有机发光显示面板，其中，所述第一有机材料层包括第二空穴传输层，其中，所述第二有机材料层包括第二发光层，其中，所述第三有机材料层包括第一电子传输层、n型电荷产生层、p型电荷产生层和第三空穴传输层，并且其中，所述第五有机材料层包括第二电子传输层和电子注入层。11.一种制造有机发光显示面板的方法，所述方法包括：在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中形成第一电极；在所述基板上在所述多个子像素区域中的相邻子像素区域之间的边界部分处形成多个堤层；对所述多个堤层的侧表面和所述第一电极的上部执行第一等离子体处理，以去除所述多个子像素区域中的每个子像素区域的每个第一电极上的有机残余层，并且使所述多个堤层的所述侧表面是亲水的；以及通过喷墨印刷工艺在每个第一电极上形成有机材料层。12.根据权利要求11所述的方法，其中，基于扫描类型通过使用o2/n2/ar气体在第一方向上对所述多个堤层中的两个相邻堤层中的每个堤层的顶表面的一部分和所述第一电极的上部执行所述第一等离子体处理，以去除所述多个堤层的上部的一部分以在所述多个堤层中形成台阶，并且所述多个堤层的所述侧表面和所述台阶是亲水的。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多个堤层中的堤层包括疏水光敏有机材料。14.一种制造有机发光显示面板的方法，所述方法包括：在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中形成第一电极；在所述基板上在所述多个子像素区域中的相邻子像素区域之间的边界部分处形成多个堤层；对所述多个堤层的侧表面和所述第一电极的上部执行第一等离子体处理，以去除所述多个子像素区域中的每个子像素区域的每个第一电极上的有机残余层，并且使所述多个堤层的所述侧表面是亲水的；通过沉积工艺在所述第一电极和所述多个堤层上形成第一有机材料层；执行第二等离子体处理以允许所述第一有机材料层的位于所述多个堤层上的顶表面是疏水的；通过喷墨印刷工艺在所述多个子像素区域中的每个子像素区域的第一有机材料层上形成第二有机材料层，以及通过沉积工艺在所述第一有机材料层和所述第二有机材料层上形成第三有机材料层和第二电极。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二等离子体处理通过使用扫描类型工艺仅对具有晶格形式的所述多个堤层当中的在第一方向上的堤层上的有机材料层选择性地执行cf4或sf6气体等离子体处理。16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一有机材料层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一者，其中，所述第二有机材料层包括发光层，并且其中，所述第三有机材料层包括电子传输层和电子注入层中的至少一者。17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述多个子像素区域包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域，其中，所述第一有机材料层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一者，并且所述第三有机材料层包括电子传输层和电子注入层中的至少一者，并且其中，所述第二有机材料层的形成包括：在所述多个堤层中的相邻堤层之间仅在所述红色子像素区域和所述绿色子像素区域的所述第一有机材料层上形成第二空穴传输层，并且在所述红色子像素区域、所述绿色子像素区域和所述蓝色子像素区域中的每一者中形成发光层。18.一种制造有机发光显示面板的方法，所述方法包括：在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中形成第一电极；在所述基板上在所述多个子像素区域中的相邻子像素区域之间的边界部分处形成多个堤层；对所述多个堤层的侧表面和所述第一电极的上部执行第一等离子体处理，以去除所述多个子像素区域中的每个子像素区域的每个第一电极上的有机残余层，并且使所述多个堤层的所述侧表面是亲水的；
通过喷墨印刷工艺在所述多个堤层中的相邻堤层之间在多个子像素区域中的每个子像素区域的所述第一电极上形成第一有机材料层；通过沉积工艺在所述第一有机材料层和所述多个堤层上形成第二有机材料层；执行第二等离子体处理以允许所述第二有机材料层的位于所述多个堤层上的顶表面是疏水的；通过喷墨印刷工艺在所述多个堤层中的相邻堤层之间在所述第二有机材料层上形成第三有机材料层，以及通过沉积工艺在所述第三有机材料层和所述第二有机材料层上形成第四有机材料层和第二电极。19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一有机材料层包括第一空穴传输层和第一发光层，其中，所述第二有机材料层包括第一电子传输层、n型电荷产生层、p型电荷产生层和空穴注入层，其中，所述第三有机材料层包括第二空穴传输层和第二发光层，并且其中，所述第四有机材料层包括第二电子传输层和电子注入层。20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述多个子像素区域包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域，其中，所述第一有机材料层包括第一空穴传输层和第一发光层，其中，所述第二有机材料层包括第一电子传输层、n型电荷产生层、p型电荷产生层和第二空穴传输层，其中，所述第四有机材料层包括第二电子传输层和电子注入层，并且其中，形成所述第三有机材料层的步骤包括：在所述多个堤层中的相邻堤层之间仅在所述红色子像素区域和所述绿色子像素区域的所述第二有机材料层上形成第三空穴传输层，以及在所述红色子像素区域、所述绿色子像素区域和所述蓝色子像素区域中形成第二发光层。21.一种制造有机发光显示面板的方法，所述方法包括：在基板的多个子像素区域中的每个子像素区域中形成第一电极；在所述基板上在所述多个子像素区域中的相邻子像素区域之间的边界部分处形成多个堤层；对所述多个堤层的侧表面和所述第一电极的上部执行第一等离子体处理，以去除所述多个子像素区域中的每个子像素区域的每个第一电极上的有机残余层，并且使所述多个堤层的所述侧表面是亲水的；通过沉积工艺在所述多个堤层和所述第一电极上形成第一有机材料层；执行第二等离子体处理以允许所述第一有机材料层的位于所述多个堤层上的顶表面是疏水的；通过喷墨印刷工艺在所述多个堤层中的相邻堤层之间在所述多个子像素区域中的每个子像素区域的所述第一有机材料层上形成第二有机材料层；通过沉积工艺在所述第二有机材料层和所述第一有机材料层上形成第三有机材料层；
执行所述第二等离子体处理以允许所述第三有机材料层的位于所述多个堤层上的顶表面是疏水的；通过喷墨印刷工艺在所述多个堤层中的相邻堤层之间在所述第三有机材料层上形成第四有机材料层，以及通过沉积工艺在所述第四有机材料层和所述第三有机材料层上形成第五有机材料层和第二电极。22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第一有机材料层包括第一空穴传输层，其中，所述第二有机材料层包括第一发光层，其中，所述第三有机材料层包括第一电子传输层、n型电荷产生层、p型电荷产生层和第二空穴传输层，其中，所述第四有机材料层包括第二发光层，并且其中，所述第五有机材料层包括第二电子传输层和电子注入层。23.根据权利要求21所述的方法，其中，所述多个子像素区域包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域，其中，所述第一有机材料层包括第一空穴传输层，其中，所述第二有机材料层包括第一发光层，其中，所述第三有机材料层包括第一电子传输层、n型电荷产生层、p型电荷产生层和第二空穴传输层，并且其中，形成所述第四有机材料层的步骤包括：在所述多个堤层中的相邻堤层之间仅在所述红色子像素区域和所述绿色子像素区域的所述第三有机材料层上形成第三空穴传输层，以及在所述红色子像素区域、所述绿色子像素区域和所述蓝色子像素区域中形成第二发光层。

技术总结
本公开涉及有机发光显示面板及其制造方法。所讨论的是一种用于简化制造工艺并增强显示质量的制造有机发光显示面板的方法。有机发光显示面板可以包括：第一电极，其设置在基板的子像素区域中的每个子像素区域中；堤层，其在相邻子像素区域之间的边界部分处设置在基板上，堤层的侧表面是亲水的；第一有机材料层，其设置在堤层和第一电极上，第一有机材料层的位于堤层上的表面是疏水的；第二有机材料层，其在相邻堤层之间设置在第一有机材料层上；第三有机材料层，其设置在第二有机材料层和第一有机材料层上；以及第二电极，其设置在第三有机材料层上。机材料层上。机材料层上。


技术研发人员：金刚铉 金世振 林熹兑
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：2022.11.04
技术公布日：2023/7/18