发光装置及包括发光装置的电子设备的制作方法

发光装置及包括发光装置的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2022年1月13日向韩国知识产权局(kipo)提交的第10-2022-0005329号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。
技术领域
3.实施方案涉及发光装置以及包括发光装置的电子设备。


背景技术：

4.发光装置是自发射装置，与相关领域的装置相比，其具有广视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。
5.在发光装置中，第一电极可以设置在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极可以依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子可以在发射层中复合以产生光。


技术实现要素：

6.实施方案包括具有改善的驱动电压和使用寿命的发光装置。
7.其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。
8.根据实施方案，发光装置可以包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极以及在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，
9.其中所述中间层可以包括发射层和在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区；所述发射层可以包含第一主体、第二主体和掺杂剂；所述第一主体可以包括空穴传输主体；所述第二主体可以包括电子传输主体或双极主体；所述空穴传输区可以包括多个空穴传输层；所述多个空穴传输层可以各自包含基于咔唑的化合物；以及分别包含在所述多个空穴传输层中的相邻空穴传输层中的所述基于咔唑的化合物的最高占据分子轨道(homo)能级可以彼此不同。
10.在实施方案中，所述掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、热激活延迟荧光掺杂剂和/或荧光掺杂剂。
11.在实施方案中，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，并且所述空穴传输区可以进一步包括空穴注入层、电子阻挡层或其任意组合。
12.在实施方案中，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，所述中间层可以进一步包括在所述第二电极与所述发射层之间的电子传输区，并且所述电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
13.在实施方案中，所述发射层可以发射蓝色光。
14.在实施方案中，所述空穴传输层可以由第一空穴传输层和第二空穴传输层组成。
15.在实施方案中，所述空穴传输层可以由第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层组成。
16.在实施方案中，所述空穴传输层的总厚度可以是约至约
17.在实施方案中，所述掺杂剂可以包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且系间窜越(isc)在所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一个中可以比光发射更活跃地发生。
18.在实施方案中，所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一个可以是磷光掺杂剂，所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的另一个可以是荧光掺杂剂，并且isc在所述磷光掺杂剂中可以比光发射更活跃地发生；或者所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一个可以是热激活延迟荧光掺杂剂，所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的另一个可以是荧光掺杂剂，并且isc在所述热激活延迟荧光掺杂剂中可以比光发射更活跃地发生。
19.在实施方案中，所述第一掺杂剂与所述第二掺杂剂的重量比可以是约1:15至约15:1。
20.在实施方案中，所述第一主体与所述第二主体的重量比可以是约1:9至约9:1。
21.在实施方案中，所述第一主体可以是以下解释的化合物1-1至化合物1-22中的一种。
22.在实施方案中，所述第二主体可以是以下解释的化合物2-1至化合物2-29中的一种。
23.在实施方案中，所述基于咔唑的化合物可以是以下解释的化合物1-1至化合物1-22中的一种。
24.在实施方案中，所述磷光掺杂剂可以是以下解释的化合物3-11至化合物3-18中的一种。
25.在实施方案中，所述热激活延迟荧光掺杂剂可以是以下解释的化合物4-1至化合物4-16中的一种。
26.在实施方案中，所述荧光掺杂剂可以是以下解释的化合物5-1至化合物5-6中的一种。
27.根据实施方案，电子设备可以包括所述发光装置。
28.在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的第一电极和第二电极中的一个可以电连接至所述源电极或所述漏电极。
29.应理解，以上实施方案仅以一般且解释性的意义来描述，而不是出于限制的目的，并且本公开内容不限于以上描述的实施方案。
附图说明
30.根据结合附图的以下描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
31.图1是根据实施方案的发光装置的示意性横截面视图；
32.图2是根据实施方案的电子设备的示意性横截面视图；以及
33.图3是根据另一实施方案的电子设备的示意性横截面视图。
具体实施方式
34.现在将参考其中示出了实施方案的附图在下文更全面地描述本公开内容。然而，本公开内容可以以不同的形式实施，并且不应解释为局限于本文阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开内容将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开内容的范围。
35.在附图中，为了便于描述且为了清晰，可以放大元件的大小、厚度、比例和尺寸。相同的数字通篇是指相同的元件。
36.在描述中，应理解，当元件(或区、层、部件等)被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件或“联接至”另一个元件时，它可以直接在其它元件上、直接连接至其它元件或直接联接至其它元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以存在于其间。在类似的含义中，当元件(或区、层、部件等)被描述为“覆盖”另一个元件时，它可以直接覆盖其它元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以存在于其间。
37.在描述中，当元件“直接在”另一个元件“上”、“直接连接至”另一个元件或“直接联接至”另一个元件时，不存在介于中间的元件。例如，“直接在......上”可以意指设置两个层或两个元件，而在其间没有额外的元件，例如粘合元件。
38.如本文使用，诸如“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”的用于单数的表述旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
39.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的含义的任意组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b、或者a和b”。术语“和”和“或”可以以连接词或反意连接词的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
40.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“......中的至少一个(种)”旨在包括“选自......的组中的至少一个(种)”的含义。例如，“a和b中的至少一个(种)”可以理解为意指“a、b、或者a和b”。当在一列要素之前时，术语“......中的至少一个(种)”修饰整列的要素而不修饰该列的单个要素。
41.应理解，尽管术语第一、第二等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，在不背离本公开内容的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件。
42.为了便于描述，空间相对术语“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”等可以在本文用于描述如附图中例示的一个元件或组件与另一个元件或组件之间的关系。应理解，空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的方向之外的装置在使用或操作时的不同方向。例如，在其中附图中例示的装置被翻转的情况下，位于另一个装置“下方”或“之下”的装置可以被放置在另一个装置“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以定向在其它方向上，并且因此空间相对术语可以根据方向进行不同地解释。
43.如本文使用的术语“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与所述量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的所述值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
44.应理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包
含(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”、“含有(containing)”等旨在指明本公开内容中的规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或增添。
45.此外，当元件被称为与另一个元件“接触(in contact)”或“接触(contacted)”等时，元件可以与另一个元件“电接触”或“物理接触”；或者与另一个元件“间接接触”或“直接接触”。
46.除非本文另外定义或暗示，使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在说明书中明确定义。
47.根据本公开内容的实施方案的发光装置可以包括：
48.第一电极；
49.面对第一电极的第二电极；以及
50.在第一电极与第二电极之间的中间层，
51.其中中间层可以包括发射层和在第一电极与发射层之间的空穴传输区，
52.发射层可以包含第一主体、第二主体和掺杂剂，
53.第一主体可以包括空穴传输主体，
54.第二主体可以包括电子传输主体或双极主体，
55.空穴传输区可以包括多个空穴传输层，
56.多个空穴传输层可以各自包含基于咔唑的化合物，以及
57.分别包含在多个空穴传输层中的相邻空穴传输层中的基于咔唑的化合物的最高占据分子轨道(homo)能级可以彼此不同。
58.在根据实施方案的发光装置中，可以通过在多个空穴传输层中使用不同的基于咔唑的化合物来控制空穴注入，并且因此，可以控制发射层中的激子，从而改善装置使用寿命。在这点上，基于基于咔唑的化合物的homo能级组合的多个空穴传输层可以通过控制空穴注入迁移率来减少材料劣化，从而改善发光装置的驱动电压和使用寿命。
59.空穴传输主体可以是能够传输空穴的主体，并且电子传输主体可以是能够传输电子的主体。双极主体可以是能够传输空穴和电子两者的主体。
60.在实施方案中，掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、热激活延迟荧光掺杂剂和/或荧光掺杂剂。
61.例如，根据实施方案的发光装置的掺杂剂可以仅包含磷光掺杂剂。例如，根据实施方案的发光装置的掺杂剂可以由磷光掺杂剂和热激活延迟荧光掺杂剂组成。例如，根据实施方案的发光装置的掺杂剂可以由磷光掺杂剂和荧光掺杂剂组成。
62.荧光掺杂剂可以是根据一般荧光机理发射光的掺杂剂，而不是根据热激活延迟荧光机理发射光的掺杂剂。如本文使用，荧光掺杂剂可以区分于热激活延迟荧光掺杂剂。
63.在实施方案中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极，并且空穴传输区可以进一步包括空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合。
64.在实施方案中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极，中间层可以进一步包
括在第二电极与发射层之间的电子传输区，并且电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
65.在实施方案中，发射层可以发射蓝色光。
66.在实施方案中，空穴传输层可以是两个层或三个层。
67.在实施方案中，空穴传输层可以由第一空穴传输层和第二空穴传输层组成。
68.在实施方案中，空穴传输层可以由第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层组成。
69.由于空穴传输层的homo能级的差异可能受到发射层、电子传输层等的配置的影响，因此可能没有清楚地说明，例如，空穴传输层的homo能级朝向发射层增加，或者空穴传输层的homo能级朝向发射层减少。因此，例如，在空穴传输层包括两个空穴传输层的情况下，第一空穴传输层的homo能级和第二空穴传输层的homo能级可以根据发光装置的发射层和电子传输层的配置来控制，使得可以控制空穴注入。这与空穴传输层由包括第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层的三个层组成的情况相同。
70.在实施方案中，空穴传输层的总厚度可以是约至约至约
71.在多个空穴传输层包括由第一空穴传输层和第二空穴传输层组成的两个层的情况下，第一空穴传输层的厚度和第二空穴传输层的厚度可以各自独立地是约至约
72.在空穴传输层是由第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层组成的三个层的情况下，第一空穴传输层的厚度可以是约至约第二空穴传输层的厚度可以是约至约并且第三空穴传输层的厚度可以是约至约
73.在空穴传输层的厚度在以上描述的范围内的情况下，可以容易地控制空穴迁移率。
74.在空穴传输层是由第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层组成的三个层的情况下，包含在第一空穴传输层中的基于咔唑的化合物可以与包含在第三空穴传输层中的基于咔唑的化合物相同或不同。
75.在实施方案中，掺杂剂可以包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，其中系间窜越(isc)在第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一个中可以比光发射更活跃地发生。
76.在实施方案中，第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一个可以是磷光掺杂剂，第一掺杂剂和第二掺杂剂中的另一个可以是荧光掺杂剂，并且isc在磷光掺杂剂中可以比光发射更活跃地发生；或者
77.第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一个可以是热激活延迟荧光掺杂剂，第一掺杂剂和第二掺杂剂中的另一个可以是荧光掺杂剂，并且isc在热激活延迟荧光掺杂剂中可以比光发射更活跃地发生。
78.例如，isc在磷光掺杂剂或热激活延迟荧光掺杂剂中可以比光发射更活跃地发生。在主体中产生的单重态激子可以通过isc转移至荧光掺杂剂。
79.例如，约20％至约30％的磷光掺杂剂或热激活延迟荧光掺杂剂可以发射光，并且约80％至约70％的磷光掺杂剂或热激活延迟荧光掺杂剂可以引起isc。在第一主体中产生的单重态激子、在第二主体中产生的单重态激子和/或在第一主体和第二主体中产生的激
子可以通过isc转移至荧光掺杂剂。
80.在实施方案中，第一主体与第二主体的重量比可以是约1:9至约9:1。例如，发射层可以包含重量比为约3:7至约7:3的第一主体和第二主体。在第一主体与第二主体的重量比在以上描述的范围内的情况下，空穴传输可以与电子传输处于期望的平衡。
81.在实施方案中，第一掺杂剂与第二掺杂剂的重量比可以是约1:15至约15:1。例如，发射层可以包含重量比为约1:10至约10:1的第一掺杂剂和第二掺杂剂。在第一掺杂剂与第二掺杂剂的重量比在以上描述的范围内的情况下，可以优化通过isc的发射系统的操作。
82.在实施方案中，基于咔唑的化合物可以是化合物1-1至化合物1-22中的一种：
[0083][0084]
基于咔唑的化合物可以与第一主体相同或不同。
[0085]
主体和掺杂剂可以与本文描述的相同。
[0086]
根据本公开内容的实施方案的电子设备可以包括发光装置。
[0087]
在实施方案中，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，
[0088]
薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，以及
[0089]
发光装置的第一电极可以电连接至薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个。
[0090]
在实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。
[0091]
如本文使用的术语“中间层”可以是位于发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层和/或多个层。
[0092]
[图1的描述]
[0093]
图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0094]
在下文，将参考图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[0095]
[第一电极110]
[0096]
在图1中，衬底可以额外地设置在第一电极110下或第二电极150上。作为衬底，可以使用玻璃衬底或塑料衬底。在实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
[0097]
可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。在第一电极110是阳极的情况下，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函数材料。
[0098]
第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。在第一电极110是透射电极的情况下，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在实施方案中，在第一电极110是半透反射电极或反射电极的情况下，用于形成第一电极110的材料可以包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任意组合。
[0099]
第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0100]
[中间层130]
[0101]
中间层130可以设置在第一电极110上。中间层130可以包括发射层。
[0102]
中间层130可以进一步包括位于第一电极110与发射层之间的空穴传输区和位于发射层与第二电极150之间的电子传输区。
[0103]
除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
[0104]
在实施方案中，中间层130可以包括i)依次彼此堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射层，和ii)位于两个或多余两个的发射层之间的电荷产生层。在中间层130包括如以上描述的发射层和电荷产生层的情况下，发光装置10可以是串联发光装置。
[0105]
[中间层130中的空穴传输区]
[0106]
空穴传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0107]
空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
[0108]
例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，每种结构的层从第一电极110依次彼此堆叠。
[0109]
空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0110]
[式201]
[0111][0112]
[式202]
[0113][0114]
其中在式201和式202中，
[0115]
l
201
至l
204
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0116]
l
205
可以是*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0117]
xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，
[0118]
xa5可以是1至10的整数，
[0119]r201
至r
204
和q
201
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0120]r201
和r
202
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，参见化合物ht16等)，
[0121]r203
和r
204
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
8-c
60
多环基团，以及
[0122]
na1可以是1至4的整数，r
10a
可以与说明书中描述的相同，以及*和*'可以各自表示与相邻原子的结合位点。
[0123]
例如，式201和式202中的每一个可以包含由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一种：
[0124][0125]
其中在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可以各自与关于r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可以是未取代的或被如本文描述的r
10a
取代。
[0126]
在实施方案中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
[0127]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种。
[0128]
在实施方案中，式201可以包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0129]
在实施方案中，在式201中，xa1可以是1，r
201
可以是由式cy201至式cy203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且r
202
可以是由式cy204至式cy207中的一种表示的基团。
[0130]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203中的一种表示的基团。
[0131]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203中的一种表示的基团，并且可以包含由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0132]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy217中的一种表示的基团。
[0133]
例如，空穴传输区可以包含化合物ht1至化合物ht46中的一种、化合物1-1至化合物1-22中的一种、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)或其任意组合：
[0134]
[0135]
[0136]
[0137]
[0138][0139]
空穴传输区的厚度可以是约至约例如，约至约在空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合的情况下，空穴注入层的厚度可以是约至约例如约至约在空穴传输区和空穴注入层的厚度在以上描述的范围内的情况下，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0140]
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡从发射层至空穴传输区的电子的泄露。可以包含在空穴传输区中的材料可以包含在电子阻挡层中。
[0141]
[p-掺杂剂]
[0142]
除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。
[0143]
电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。
[0144]
例如，p-掺杂剂可以具有约-3.5ev或低于-3.5ev的最低未占据分子轨道(lumo)能级。
[0145]
在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素el1和元素el2的化合物或其任意组合。
[0146]
醌衍生物的实例可以包括tcnq、f4-tcnq等。
[0147]
含氰基基团的化合物的实例可以包括hat-cn和由式221表示的化合物。
[0148][0149]
[式221]
[0150][0151]
其中在式221中，
[0152]r221
至r
223
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，以及r
10a
可以与说明书中描述的相同，
[0153]r221
至r
223
中的至少一个可以各自独立地是各自被氰基基团；-f；-cl；-br；-i；被氰基基团、-f、-cl、-br、-i或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团；或者其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0154]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可以是金属、准金属或其任意组合，并且元素el2可以是非金属、准金属或其任意组合。
[0155]
元素el1中的金属的实例可以包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0156]
元素el1和元素el2中的准金属的实例可以包括硅(si)、锑(sb)和碲(te)。
[0157]
元素el2中的非金属的实例可以包括氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。
[0158]
例如，含有元素el1和元素el2的化合物可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或其任意组合。
[0159]
金属氧化物的实例可以包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(例如，moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)和铼氧化物(例如，reo3等)。
[0160]
金属卤化物的实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0161]
碱金属卤化物的实例可以包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。
[0162]
碱土金属卤化物的实例可以包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0163]
过渡金属卤化物的实例可以包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)和金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)。
[0164]
后过渡金属卤化物的实例可以包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)和锡卤化物(例如，sni2等)。
[0165]
镧系金属卤化物的实例可以包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。
[0166]
准金属卤化物的实例可以包括锑卤化物(例如，sbcl5等)。
[0167]
金属碲化物的实例包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)。
[0168]
[中间层130中的发射层]
[0169]
在发光装置10是全色发光装置的情况下，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此分开以发射白色光。在实施方案中，发射层可以具有其中发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合的结
构，并且因此发射白色光。
[0170]
发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、热激活延迟荧光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。
[0171]
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
[0172]
例如，基于100重量份的第一主体和第二主体，发射层中的磷光掺杂剂和荧光掺杂剂的总量或热激活延迟荧光掺杂剂和荧光掺杂剂的总量可以是约0.01重量份至约15重量份。
[0173]
在实施方案中，发射层可以包含量子点。
[0174]
在实施方案中，发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层中的主体或掺杂剂。
[0175]
发射层的厚度可以是约至约例如，约至约在发射层的厚度在以上描述的范围内的情况下，可以获得优异的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0176]
[主体]
[0177]
空穴传输主体可以是具有强空穴性质的化合物。表述“具有强空穴性质的化合物”可以是可以容易地接受空穴的化合物，并且此类性质可以通过包含空穴接收部分(也称为空穴传输部分)来获得。
[0178]
此类空穴接收部分可以包括，例如，富π电子的杂芳香族化合物(例如，咔唑衍生物或吲哚衍生物)或芳香族胺化合物。
[0179]
电子传输主体可以是具有强电子性质的化合物。表述“具有强电子性质的化合物”可以是可以容易地接受电子的化合物，并且此类性质可以通过包含电子接收部分(也称为电子传输部分)来获得。
[0180]
此类电子接收部分可以包括，例如，缺π电子的杂芳香族化合物。例如，电子接收部分可以包括含氮的杂芳香族化合物。
[0181]
在化合物仅包含空穴传输部分或仅包含电子传输部分的情况下，化合物的本质具有空穴传输性质还是电子传输性质是清楚的。
[0182]
在实施方案中，化合物可以包括空穴传输部分和电子传输部分两者。化合物中的空穴传输部分的总数与电子传输部分的总数的简单比较可以是用于预测化合物是空穴传输化合物还是电子传输化合物的标准，但不能是绝对标准。这种简单比较不能是绝对标准的一个原因是一个空穴传输部分和一个电子传输部分可能没有分别具有完全相同的吸引空穴和电子的能力。
[0183]
因此，确定具有某种结构的化合物是空穴传输化合物还是电子传输化合物的相对可靠的方法可以是直接在装置中实施所述化合物。
[0184]
作为包括空穴传输部分和电子传输部分二者的化合物的双极主体可以是能够在一定程度上接收电子和空穴二者的化合物。
[0185]
主体可以包括由式301表示的化合物。
[0186]
[式301]
[0187]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
[0188]
在式301中，
[0189]
ar
301
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，l
301
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0190]
xb11可以是1、2或3，
[0191]
xb1可以是0至5的整数，
[0192]r301
可以是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0193]
xb21可以是1至5的整数，以及
[0194]q301
至q
303
可以各自与关于q1描述的相同，以及r
10a
可以与说明书中描述的相同。
[0195]
例如，在式301中的xb11是2或大于2的情况下，两个或多于两个的ar
301
可以经由单键彼此连接。
[0196]
在实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合。
[0197]
[式301-1]
[0198][0199]
[式301-2]
[0200][0201]
其中在式301-1和式301-2中，
[0202]
环a
301
至环a
304
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0203]
x
301
可以是o、s、n[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0204]
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
[0205]
l
301
、xb1和r
301
可以分别与本文描述的那些相同，
[0206]
l
302
至l
304
可以各自独立地与关于l
301
描述的相同，
[0207]
xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1描述的相同，以及
[0208]r302
至r
305
以及r
311
至r
314
可以各自与关于r
301
描述的相同，以及r
10a
可以与说明书中描述的相同。
[0209]
在实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物。例如，主体可以包括be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物、zn络合物或其任意组合。
[0210]
在实施方案中，主体可以包括化合物h1至化合物h124中的一种、化合物1-1至化合物1-22中的一种、化合物2-1至化合物2-29中的一种、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)或其任意组合：
[0211]
[0212]
[0213]
[0214]
[0215]
[0216]
[0217]
[0218]
[0219][0220]
[磷光掺杂剂]
[0221]
磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。
[0222]
磷光掺杂剂可以包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
[0223]
磷光掺杂剂可以是电中性的。
[0224]
例如，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物。
[0225]
[式401]
[0226]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0227]
[式402]
[0228]
[0229]
其中在式401和式402中，
[0230]
m可以是过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0231]
l
401
可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中在xc1是2或大于2的情况下，两个或多于两个的l
401
可以彼此相同或不同，
[0232]
l
402
可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中在xc2是2或大于2的情况下，两个或多于两个的l
402
可以彼此相同或不同，
[0233]
x
401
和x
402
可以各自独立地是氮或碳，
[0234]
环a
401
和环a
402
可以各自独立地是c
3-c
60
碳环基团或者c
1-c
60
杂环基团，
[0235]
t
401
可以是单键、-o-、-s-、-c(＝o)-、-n(q
411
)-、-c(q
411
)(q
412
)-、-c(q
411
)＝c(q
412
)-、-c(q
411
)＝或＝c＝，
[0236]
x
403
和x
404
可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0237]q411
至q
414
可以各自与关于q1描述的相同，
[0238]r401
和r
402
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0239]q401
至q
403
可以各自与关于q1描述的相同，以及r
10a
可以与说明书中描述的相同，
[0240]
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
[0241]
式402中的*和*'可以各自表示与式401中的m的结合位点。
[0242]
例如，在式402中，i)x
401
可以是氮，并且x
402
可以是碳，或ii)x
401
和x
402
中的每一个可以是氮。
[0243]
在实施方案中，在式401中的xc1是2或大于2的情况下，两个或多于两个的l
401
中的两个环a
401
可以任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，或者两个环a
402
可以任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接(参见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。t
402
和t
403
可以各自与关于t
401
描述的相同。
[0244]
式401中的l
402
可以是有机配体。例如，l
402
可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-c(＝o)、异腈基团、-cn、含磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。
[0245]
磷光掺杂剂可以包括，例如，化合物pd1至化合物pd39中的一种、化合物3-11至化合物3-18中的一种或其任意组合：
[0246]
[0247]
[0248][0249]
[荧光掺杂剂]
[0250]
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组
合。
[0251]
例如，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物。
[0252]
[式501]
[0253][0254]
其中在式501中，
[0255]
ar
501
、r
501
和r
502
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，l
501
至l
503
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，以及r
10a
可以与说明书中描述的相同，
[0256]
xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及
[0257]
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
[0258]
例如，式501中的ar
501
可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、基团、芘基团等)。
[0259]
在实施方案中，式501中的xd4可以是2。
[0260]
例如，荧光掺杂剂可以包括化合物fd2至化合物fd4和化合物fd6至化合物fd36中的一种、化合物5-1至化合物5-6中的一种、dpvbi、dpavbi或其任意组合：
[0261]
[0262]
[0263][0264]
[热激活延迟荧光材料]
[0265]
发射层可以包含热激活延迟荧光材料。
[0266]
在说明书中，热激活延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟
荧光的化合物。
[0267]
根据包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的热激活延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。
[0268]
在实施方案中，热激活延迟荧光材料的三重态能级(ev)与热激活延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可以等于或大于0ev且等于或小于0.5ev。在热激活延迟荧光材料的三重态能级(ev)与热激活延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足以上描述的范围的情况下，可以有效地发生热激活延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发光效率。
[0269]
例如，热激活延迟荧光材料可以包括i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团)的材料，和ii)包含其中两个或多于两个的环状基团稠合同时共用硼(b)的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0270]
热激活延迟荧光材料的实例可以包括化合物4-1至化合物4-16、化合物df1至化合物df7和化合物df10至化合物df12中的至少一种：
[0271]
[0272]
[0273][0274]
[量子点]
[0275]
发射层可以包含量子点。
[0276]
在说明书中，量子点可以是半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。
[0277]
量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。
[0278]
可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。
[0279]
根据湿法化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe))更容易进行并且需要低成本的工艺来控制。
[0280]
量子点可以包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素或化合物或者其任意组合。
[0281]
ii-vi族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，例如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，例如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或者其任意组合。
[0282]
iii-v族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；三元化合物，例如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb；四元化合物，例如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；或者其任意组合。在实施方案中，iii-v族半导体化合物可以进一步包含ii族元素。进一步包含ii族元素的iii-v族半导体化合物的实例可以包括inznp、ingaznp、inalznp等。
[0283]
iii-vi族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3或inte；三元化合物，例如ingas3或ingase3；或者其任意组合。
[0284]
i-iii-vi族半导体化合物的实例可以包括：三元化合物，例如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2；或者其任意组合。
[0285]
iv-vi族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte等；三元化合物，例如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte等；四元化合物，例如snpbsse、snpbsete、snpbste等；或者其任意组合。
[0286]
iv族元素或化合物的实例可以包括：单一元素材料，例如si或ge；二元化合物，例如sic或sige；或者其任意组合。
[0287]
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或以非均匀的浓度存在于颗粒中。
[0288]
在实施方案中，量子点可以具有单一结构或核-壳结构。在量子点具有单一结构的情况下，包含在相应量子点中的每种元素的浓度可以是均匀的。在量子点具有核-壳结构的情况下，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
[0289]
量子点的壳可以用作防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或可以用作向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。量子点的核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向量子点的中心降低。
[0290]
量子点的壳的实例可以包括金属氧化物、准金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物及其任意组合。金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物的实例可以包括二元化合物，例如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；三元
化合物，例如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4；或者其任意组合。半导体化合物的实例可以包括如本文描述的ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物或其任意组合。半导体化合物的实例可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0291]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可以等于或小于约45nm。例如，量子点的发射波长光谱的fwhm可以等于或小于约40nm。例如，量子点的发射波长光谱的fwhm可以等于或小于约30nm。在这些范围内，可以增加颜色纯度或颜色再现性。通过量子点发射的光可以在所有方向上发射，使得可以改善广视角。
[0292]
量子点可以是球形颗粒、角锥形颗粒、多臂颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板。
[0293]
由于能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，因此可以从量子点发射层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。可以将量子点的尺寸配置成通过组合各种颜色的光来发射白色光。
[0294]
[中间层130中的电子传输区]
[0295]
电子传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0296]
电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0297]
例如，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构等，每种结构的构成层从发射层依次彼此堆叠。
[0298]
电子传输区(例如，在电子传输区中的空穴阻挡层或电子传输层)可以包含含有至少一个含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团的不含金属的化合物。
[0299]
例如，电子传输区可以包含由式601表示的化合物。
[0300]
[式601]
[0301]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0302]
其中在式601中，
[0303]
ar
601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，l
601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0304]
xe11可以是1、2或3，
[0305]
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
[0306]r601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0307]q601
至q
603
可以各自与关于q1描述的相同，以及r
10a
可以与说明书中描述的相同，
[0308]
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
[0309]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代
的含缺π电子的氮的(二价)c
1-c
60
环状基团。
[0310]
例如，在式601中的xe11是2或大于2的情况下，两个或多于两个的ar
601
可以经由单键彼此连接。
[0311]
在实施方案中，式601中的ar
601
可以是取代或未取代的蒽基团。
[0312]
在实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物。
[0313]
[式601-1]
[0314][0315]
其中在式601-1中，
[0316]
x
614
可以是n或c(r
614
)，x
615
可以是n或c(r
615
)，x
616
可以是n或c(r
616
)，并且x
614
至x
616
中的至少一个可以是n，
[0317]
l
611
至l
613
可以各自与关于l
601
描述的相同，
[0318]
xe611至xe613可以各自与关于xe1描述的相同，
[0319]r611
至r
613
可以各自与关于r
601
描述的相同，以及
[0320]r614
至r
616
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0321]
例如，式601中的xe1和式601-1中的xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
[0322]
电子传输区可以包含化合物et1至化合物et45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz中的一种或其任意组合：
[0323]
[0324]
[0325][0326]
电子传输区的厚度可以是约至约例如约至约在电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层或其任意组合的情况下，空穴阻挡层和电子传输层的厚度可以各自独立地是约至约例如约至约并且电子传输层的厚度可以是约至约例如约至约在空穴阻挡层和/或电子传输层的厚度在以上描述的范围内的情况下，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0327]
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
[0328]
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0329]
例如，含金属的材料可以包括li络合物。li络合物可以包括例如化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0330]
[0331]
电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以与第二电极150接触(例如，直接接触)。
[0332]
电子注入层可以具有i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0333]
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
[0334]
电子注入层的碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或其任意组合。碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或其任意组合。稀土金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0335]
电子注入层的含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物等)或碲化物，或者其任意组合。
[0336]
电子注入层的含碱金属的化合物可以包括碱金属氧化物，例如li2o、cs2o或k2o；碱金属卤化物，例如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki；或其任意组合。电子注入层的含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(其中x是满足0《x《1的条件的实数)或ba
x
ca
1-x
o(其中x是满足0《x《1的条件的实数)。电子注入层的含稀土金属的化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任意组合。在实施方案中，电子注入层的含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可以包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0337]
电子注入层的碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，和ii)作为键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0338]
电子注入层可以由以下组成：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0339]
在实施方案中，电子注入层可以由以下组成：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，或者ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。例如，电子注入层可以是ki:yb共沉积层、rbi:yb共沉积层、lif:yb共沉积层等。
[0340]
在电子注入层进一步包含有机材料的情况下，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
[0341]
电子注入层的厚度可以是约至约例如，约至约在电子
注入层的厚度在以上描述的范围内的情况下，可以获得令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0342]
[第二电极150]
[0343]
第二电极150可以设置在如以上描述的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函数的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于形成第二电极150的材料。
[0344]
第二电极150可以包含锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其任意组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。
[0345]
第二电极150可以具有单层结构或者包括多个层的多层结构。
[0346]
[覆盖层]
[0347]
第一覆盖层可以位于第一电极110的外部，和/或第二覆盖层可以位于第二电极150的外部。详细地，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按规定的顺序依次彼此堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按规定的顺序依次彼此堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按规定的顺序依次彼此堆叠的结构。
[0348]
发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透反射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部发送。发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其是半透反射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部发送。
[0349]
第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部发光效率。因此，可以增加发光装置10的光发射效率，使得可以改善发光装置10的发光效率。
[0350]
第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有约1.6或大于1.6(在589nm处)的折射率的材料。
[0351]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
[0352]
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、膦衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基任选地取代。在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
[0353]
例如，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0354]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物ht28至化合物ht33中的一种、化合物cp1至化合物cp6中的一种、β-npb或其任意组合：
[0355][0356]
[电子设备]
[0357]
发光装置可以被包括在各种电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
[0358]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器、ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光。发光装置与以上描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。
[0359]
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素，滤色器可以包括分别对应于子像素的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素的多个颜色转换区域。
[0360]
像素限定层可以位于子像素之间以限定子像素中的每一个。
[0361]
滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和位于滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以进一步包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的遮光图案。
[0362]
滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域；发射第二颜色光的第二区域；和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。例如，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包含量子点。详细地，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区
域可以不包含量子点。量子点与本文描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自进一步包含散射体。
[0363]
例如，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三-第一颜色光。在这点上，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。详细地，第一光可以是蓝色光，第一-第一颜色光可以是红色光，第二-第一颜色光可以是绿色光，并且第三-第一颜色光可以是蓝色光。
[0364]
除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的一个。
[0365]
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
[0366]
有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
[0367]
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部可以允许来自发光装置的光被发送至外部，并且同时地防止环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和/或无机层中的至少一个层的薄膜封装层。在密封部是薄膜封装层的情况下，电子设备可以是柔性的。
[0368]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可以额外地设置在密封部上。功能层的实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。
[0369]
除了如以上描述的发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
[0370]
电子设备可以应用于各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。
[0371]
[图2和图3的描述]
[0372]
图2是根据实施方案的电子设备的示意性横截面视图。
[0373]
图2的电子设备可以包括衬底100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部300。
[0374]
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。可以在衬底100上设置缓冲层210。缓冲层210可以防止杂质渗透穿过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。
[0375]
tft可以设置在缓冲层210上。tft可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0376]
有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
[0377]
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以设置在有源层220上，并且
栅电极240可以设置在栅绝缘膜230上。
[0378]
层间绝缘膜250可以设置在栅电极240上。层间绝缘膜250可以位于栅电极240与源电极260之间以及栅电极240与漏电极270之间以在其间提供绝缘。
[0379]
源电极260和漏电极270可以设置在层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以定位成接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。
[0380]
tft可以电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任意组合。可以在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0381]
第一电极110可以设置在钝化层280上。钝化层280可以定位成暴露漏电极270的特定区，而不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可以定位成电连接至漏电极270的暴露区。
[0382]
包含绝缘材料的像素限定层290可以设置在第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的某区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管在图2中未示出，但中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部以定位成公共层的形式。
[0383]
第二电极150可以设置在中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
[0384]
封装部300可以设置在覆盖层170上。封装部300可以设置在发光装置上以保护发光装置免受湿气或氧气影响。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)等)或其任意组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0385]
图3是根据另一个实施方案的电子设备的示意性横截面视图。
[0386]
图3的电子设备与图2的电子设备相同，但遮光图案500和功能区400额外地设置在封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的电子设备中的发光装置可以是串联发光装置。
[0387]
[制造方法]
[0388]
包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层可以通过使用各种方法(例如真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(langmuir-blodgett，lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷、激光诱导热成像等)形成在特定区中。
[0389]
在通过真空沉积形成包括在空穴传输区中的层、发射层和包括在电子传输区中的层的情况下，考虑待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约至约的沉积速度进行沉积。
[0390]
在通过旋涂形成包括在空穴传输区中的层、发射层和包括在电子传输区中的层的情况下，通过考虑待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约2,
吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，
[0399]
含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团可以是i)t4基团，ii)其中至少两个t4基团彼此稠合的稠合环状基团，iii)其中至少一个t4基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团，iv)其中至少一个t4基团和至少一个t3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个t4基团、至少一个t1基团和至少一个t3基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0400]
t1基团可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
[0401]
t2基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，
[0402]
t3基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及
[0403]
t4基团可以是2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
[0404]
如本文使用的术语“环状基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、富π电子的c
3-c
60
环状基团或含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团”可以是根据使用相应术语的式的结构，与任何环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解的。
[0405]
单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例可以包括c
3-c
10
环烷基基团、c
1-c
10
杂环烷基基团、c
3-c
10
环烯基基团、c
1-c
10
杂环烯基基团、c
6-c
60
芳基基团、c
1-c
60
杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团。二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的实例可以包括c
3-c
10
亚环烷基基团、c
1-c
10
亚杂环烷基基团、c
3-c
10
亚环烯基基团、c
1-c
10
亚杂环烯基基团、c
6-c
60
亚芳基基团、c
1-c
60
亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。
[0406]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基基团”可以是具有1个至60个(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)碳原子的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例可以包括甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基基团”可以是具有与c
1-c
60
烷基基团相同的结构的二价基团。
[0407]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基基团”可以是在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基基团”可以是具有与c
2-c
60
烯基基团相同的结构的二价基团。
[0408]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基基团”可以是在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基基团”可以是具有与c
2-c
60
炔基基团相同的结构的二价基团。
[0409]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基基团”可以是由-oa
101
(其中a
101
是c
1-c
60
烷基基团)表示的单价基团，并且其实例可以包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。
[0410]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基基团”可以是具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例可以包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基基团”可以是具有与c
3-c
10
环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0411]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基基团”可以是进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其实例包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基基团”可以是具有与c
1-c
10
杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0412]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基基团”可以是在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其实例可以包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基基团”可以是具有与c
3-c
10
环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0413]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基基团”可以是在其环状结构中进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子并
且具有至少一个双键的1个至10个碳原子的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基基团的实例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基基团”可以是具有与c
1-c
10
杂环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0414]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基基团”可以具有6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基基团”可以是具有6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基基团的实例包括苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。在c
6-c
60
芳基基团和c
6-c
60
亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环的情况下，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。
[0415]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基基团”可以是具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的1个至60个(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)碳原子的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基基团”可以是具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的二价基团。c
1-c
60
杂芳基基团的实例可以包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。在c
1-c
60
杂芳基基团和c
1-c
60
亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环的情况下，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。
[0416]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”可以是单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如8至30、8至20、8至15或8至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合多环基团的实例可以包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”可以是具有与单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。
[0417]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”可以是单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环，进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例可以包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑
基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”可以是具有与单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
[0418]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基基团”可以是-oa
102
(其中a
102
是c
6-c
60
芳基基团)，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基基团”可以是-sa
103
(其中a
103
是c
6-c
60
芳基基团)。
[0419]
如本文使用的术语“c
7-c
60
芳基烷基基团”可以是-(a
104
)(a
105
)(其中a
104
是c
1-c
54
亚烷基基团，并且a
105
是c
6-c
59
芳基基团)，并且如本文使用的术语“c
2-c
60
杂芳基烷基基团”可以是-(a
106
)(a
107
)(其中a
106
是c
1-c
59
亚烷基基团，并且a
107
是c
1-c
59
杂芳基基团)。
[0420]
如本文使用的术语“r
10a”可以是：
[0421]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0422]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0423]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团或c
2-c
60
杂芳基烷基基团；或者
[0424]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0425]
本文使用的q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者各自被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
7-c
60
芳基烷基基团或c
2-c
60
杂芳基烷基基团。
[0426]
如本文使用的术语“杂原子”可以是除了碳原子之外的任何原子。杂原子的实例可以包括o、s、n、p、si、b、ge、se或其任意组合。
[0427]
如本文使用的术语“第三行过渡金属”可以包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)、金(au)等。
[0428]
如本文使用的“ph”可以是苯基基团，如本文使用的“me”可以是甲基基团，如本文
使用的“et”可以是乙基基团，如本文使用的“tert-bu”或“bu
t”可以是叔丁基基团，并且如本文使用的“ome”可以是甲氧基基团。
[0429]
如本文使用的术语“联苯基基团”可以是“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”可以是具有c
6-c
60
芳基基团(例如，苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。
[0430]
如本文使用的术语“三联苯基基团”可以是“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”可以是具有被c
6-c
60
芳基基团取代的c
6-c
60
芳基基团(例如，联苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。
[0431]
在该取代基定义章节中的最大碳原子数仅是实例。例如，c
1-c
60
烷基基团中的60的最大碳数是实例，并且烷基基团的定义同样适用于c
1-c
20
烷基基团。同样适用于其它情况。
[0432]
除非另外定义，如本文使用的*和*'各自可以是在相应的式中与相邻原子的结合位点。
[0433]
在下文，将参考实施例详细地描述根据实施方案的化合物和发光装置。
[0434]
[实施例]
[0435]
发光装置的制造
[0436]
比较例1
[0437]
将玻璃衬底(阳极，ito)切割成50mm x50mm x 0.7mm的尺寸，通过用异丙醇和纯水各自超声清洁5分钟，通过对其照射紫外线和暴露臭氧清洁30分钟，并且然后装载到真空沉积设备中。
[0438]
将hat-cn真空沉积在玻璃衬底上以形成具有的厚度的空穴注入层。
[0439]
随后，将化合物1-2真空沉积在其上至的厚度以形成为单层的空穴传输层。
[0440]
将作为第一主体的化合物1-21、作为第二主体的化合物2-5、作为磷光掺杂剂的化合物3-11和作为荧光掺杂剂的化合物5-1沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的发射层(第一主体：第二主体：磷光掺杂剂：荧光掺杂剂的重量比＝7:3:1:0.1)。
[0441]
将et-1沉积在发射层上至的厚度以形成第一电子传输层。随后，将et-2和liq以5:5的重量比沉积在其上至的厚度以形成第二电子传输层。
[0442]
将liq真空沉积在第二电子传输层上至的厚度以形成电子注入层，并且随后，将agmg真空沉积在其上至的厚度(其中mg的掺杂比率是5wt％)，以形成阴极，从而完成发光装置的制造。
[0443][0444]
实施例1
[0445]
以与比较例1中相同的方式制造发光装置，但将化合物1-2沉积在空穴注入层上至的厚度以形成第一空穴传输层，并且随后，将化合物1-11沉积在其上至的厚度以形成第二空穴传输层。
[0446]
化合物1-2的homo能级(其为-5.12ev)不同于化合物1-11的homo能级(其为-5.20ev)。
[0447]
实施例2
[0448]
以与比较例1中相同的方式制造发光装置，但将化合物1-2沉积在空穴注入层上至的厚度以形成第一空穴传输层，并且随后，化合物1-11沉积在其上至的厚度以形成第二空穴传输层，随后通过将化合物1-2沉积在其上至的厚度以形成第三空穴传输层。
[0449]
比较例2
[0450]
以与比较例1中相同的方式制造发光装置，但将化合物1-11沉积在空穴注入层上至的厚度以形成为单层的空穴传输层。
[0451]
比较例3
[0452]
以与比较例1中相同的方式制造发光装置，但将化合物100沉积在空穴注入层上至的厚度以形成第一空穴传输层，并且随后，将化合物1-11沉积在其上至的厚度以形成第二空穴传输层。
[0453][0454]
为了评估根据比较例1至比较例3以及实施例1和实施例2制造的每个发光装置的特性，测量在10ma/cm2的电流密度下的驱动电压，并且其结果显示在表1中。
[0455]
通过使用滨松光子公司(hamamatsu photonics inc)的测量装置c9920-2-12测量发光装置的驱动电压和使用寿命。
[0456]
[表1]
[0457] 使用寿命(％)驱动电压(v)比较例11105.1实施例11304.8实施例21605.2比较例21005.5比较例3506.3
[0458]
参考表1，证实了与比较例1至比较例3的发光装置相比，实施例1和实施例2的发光装置具有优异的驱动电压和使用寿命。
[0459]
根据实施方案，与相关技术中的装置相比，发光装置可以表现出低的驱动电压和改善的使用寿命。
[0460]
应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由权利要求限定的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的各种改变。

技术特征：
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括：发射层；以及在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，所述发射层包含第一主体、第二主体和掺杂剂，所述第一主体包括空穴传输主体，所述第二主体包括电子传输主体或双极主体，所述空穴传输区包括多个空穴传输层，所述多个空穴传输层各自包含基于咔唑的化合物，以及分别包含在所述多个空穴传输层中的相邻空穴传输层中的所述基于咔唑的化合物的最高占据分子轨道能级彼此不同。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述掺杂剂包括磷光掺杂剂、热激活延迟荧光掺杂剂和/或荧光掺杂剂。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述多个空穴传输层由第一空穴传输层和第二空穴传输层组成。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述多个空穴传输层由第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层组成。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述掺杂剂包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，以及系间窜越在所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一个中比光发射更活跃地发生。6.如权利要求5所述的发光装置，其中：所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一个是磷光掺杂剂，所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的另一个是荧光掺杂剂，并且系间窜越在所述磷光掺杂剂中比光发射更活跃地发生；或者所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一个是热激活延迟荧光掺杂剂，所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的另一个是荧光掺杂剂，并且系间窜越在所述热激活延迟荧光掺杂剂中比光发射更活跃地发生。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一主体是化合物1-1至化合物1-22中的一种：
8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二主体是化合物2-1至化合物2-29中的一种：
9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述基于咔唑的化合物是化合物1-1至化合物1-22中的一种：
10.如权利要求2所述的发光装置，其中所述磷光掺杂剂是化合物3-11至化合物3-18中的一种：
11.如权利要求2所述的发光装置，其中所述热激活延迟荧光掺杂剂是化合物4-1至化合物4-16中的一种：
12.如权利要求2所述的发光装置，其中所述荧光掺杂剂是化合物5-1至化合物5-6中的一种：
13.电子设备，包括权利要求1至12中任一项所述的发光装置。

技术总结
本申请涉及发光装置，其包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极以及在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层。所述中间层包括发射层和在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区。所述发射层包括第一主体、第二主体和掺杂剂，其中所述第一主体包括空穴传输主体，并且所述第二主体包括电子传输主体或双极主体。所述空穴传输区包括多个空穴传输层，所述多个空穴传输层各自包含基于咔唑的化合物，并且分别包含在所述多个空穴传输层中的相邻空穴传输层中的所述基于咔唑的化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级彼此不同。高占据分子轨道(HOMO)能级彼此不同。高占据分子轨道(HOMO)能级彼此不同。


技术研发人员：李钟铉
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2022.11.14
技术公布日：2023/7/22