一种碳化硅开关电源结构的制作方法

1.本实用新型涉及控制开关电源技术领域，具体涉及一种碳化硅开关电源结构。


背景技术：

2.传统igbt结构上是电压控制的三极管，开关速度比mosfet慢些，特别是off time开关损耗会变大，速度慢，效率低，现有的mosfet中的各个功能模块之间的距离较远，在相同功率情况下，开关电源结构体积较大。


技术实现要素：

3.为解决上述技术问题，本实用新型提供一种碳化硅开关电源结构，包括底座，底座通过螺栓连接总控制显示板，底座上端连接散热器，散热器用于本开关电源散热，散热器的进气口处安装有散热风扇。
4.优选的：所述散热器上端安装有高压板，高压板上端设置有主变隔值电容和高压电容滤波。
5.优选的：所述高压板靠近散热风扇的一侧上端设置有市电入口。
6.优选的：所述散热器靠近散热风扇的侧壁安装有进电总开关。
7.优选的：所述散热器侧壁安装有低压板，低压板靠近高压板的侧壁安装有sic mosfet模块。
8.优选的：所述低压板连接sic mosfet模块同步驱动。
9.优选的：所述高压板安装有直流电输出，直流电输出上端安装有输出电流滤波电容。
10.优选的：所述直流电输出的插片连接电流反馈霍尔。
11.优选的：所述直流电输出连接输出低压滤波电感。
12.本实用新型的技术效果和优点：
13.将低压板和高压板分别设计在散热器的两侧，底座和总控制显示板设计在散热器的另一侧，缩短各个功能模块的连接距离，从而减小各个部件发热体量，功率相同时，减小开关电源整体体积，更适合现场生产线有限空间的安装。
附图说明
14.图1是本申请实施例提供的碳化硅开关电源结构结构示意图；
15.图2是本申请实施例提供的碳化硅开关电源结构的后视图。
16.图中：1、主变隔值电容；2、高压电容滤波；3、市电入口；4、输出低压滤波电感；5、散热风扇；6、进电总开关；7、电流反馈霍尔；8、直流电输出；9、sic mosfet模块；10、输出电流滤波电容；11、sic mosfet模块同步驱动；12、低压板；13、散热器；14、高压板；15、底座；16、控制面板。
具体实施方式
17.下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。本实用新型的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本实用新型限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本实用新型的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本实用新型从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
18.请参阅图1～2，在本实施例中提供一种碳化硅开关电源结构，包括底座15，底座15通过螺栓连接总控制显示板16，底座15上端连接散热器13，散热器13用于本开关电源散热，散热器13的进气口处安装有散热风扇5，将散热风扇5集成在散热器13上，能提高开关电源的散热效率，散热器13上端安装有高压板14，高压板14上端设置有主变隔值电容1和高压电容滤波2，高压板14靠近散热风扇5的一侧上端设置有市电入口3，散热器13靠近散热风扇5的侧壁安装有进电总开关6，散热器13侧壁安装有低压板12，低压板12靠近高压板14的侧壁安装有sic mosfet模块9，低压板12连接sic mosfet模块同步驱动11，高压板14安装有直流电输出8，直流电输出8上端安装有输出电流滤波电容10，直流电输出8的插片连接电流反馈霍尔7，直流电输出8连接输出低压滤波电感4。
19.本实用新型的工作原理是：
20.将低压板12和高压板14分别设计在散热器13的两侧，底座15和总控制显示板16设计在散热器13的另一侧，缩短各个功能模块的连接距离，从而减小各个部件发热体量，功率相同时，本开关电源结构体积较小，更适合现场生产线有限空间的安装。
21.显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域及相关领域的普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本实用新型保护的范围。本实用新型中未具体描述和解释说明的结构、装置以及操作方法，如无特别说明和限定，均按照本领域的常规手段进行实施。


技术特征：
1.一种碳化硅开关电源结构，包括底座(15)，其特征在于，所述底座(15)通过螺栓连接总控制显示板(16)，底座(15)上端连接散热器(13)，散热器(13)用于本开关电源散热，散热器(13)的进气口处安装有散热风扇(5)。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅开关电源结构，其特征在于，所述散热器(13)上端安装有高压板(14)，高压板(14)上端设置有主变隔值电容(1)和高压电容滤波(2)。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅开关电源结构，其特征在于，所述高压板(14)靠近散热风扇(5)的一侧上端设置有市电入口(3)。4.根据权利要求2所述的一种碳化硅开关电源结构，其特征在于，所述散热器(13)靠近散热风扇(5)的侧壁安装有进电总开关(6)。5.根据权利要求4所述的一种碳化硅开关电源结构，其特征在于，所述散热器(13)侧壁安装有低压板(12)，低压板(12)靠近高压板(14)的侧壁安装有sic mosfet模块(9)。6.根据权利要求5所述的一种碳化硅开关电源结构，其特征在于，所述低压板(12)连接sic mosfet模块同步驱动(11)。7.根据权利要求5所述的一种碳化硅开关电源结构，其特征在于，所述高压板(14)安装有直流电输出(8)，直流电输出(8)上端安装有输出电流滤波电容(10)。8.根据权利要求7所述的一种碳化硅开关电源结构，其特征在于，所述直流电输出(8)的插片连接电流反馈霍尔(7)。9.根据权利要求8所述的一种碳化硅开关电源结构，其特征在于，所述直流电输出(8)连接输出低压滤波电感(4)。

技术总结
本实用新型公开了一种碳化硅开关电源结构，包括底座，底座通过螺栓连接总控制显示板，底座上端连接散热器，散热器用于本开关电源散热，散热器的进气口处安装有散热风扇，所述散热器上端安装有高压板，高压板上端设置有主变隔值电容和高压电容滤波，将低压板和高压板分别设计在散热器的两侧，底座和总控制显示板设计在散热器的另一侧，缩短各个功能模块的连接距离，从而减小各个部件发热体量，功率相同时，本开关电源结构体积较小。本开关电源结构体积较小。本开关电源结构体积较小。


技术研发人员：邓志克 侯鸿斌 施佳抄
受保护的技术使用者：广州精原科技有限公司
技术研发日：2022.11.04
技术公布日：2023/7/23