一种基于碘化铯修饰的碳基有机-无机钙钛矿太阳能电池

1.本发明属于半导体光电材料与器件领域，具体涉及一种基于碘化铯修饰的碳基有机-无机钙钛矿太阳能电池。


背景技术：

2.随着传统化石能源的不断消耗，能源危机和环境问题不断凸显，引起了世界各国的广泛关注。太阳能作为一种清洁能源，利用方式主要是光电转换，即把光能转换成电能，具有环保、资源丰富和清洁可再生等诸多优点。钙钛矿太阳能电池(pscs)凭借光吸收系数高、载流子寿命长、制备工艺简单等优点，成为了下一代太阳能电池的研究重点。
3.在钙钛矿太阳能电池器件中，碳材料被认为是最有前途的电极材料，因为碳材料储量丰富、价格便宜、功函数匹配较好且性质稳定，有助于提升pscs的性能。但在有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池中，有机阳离子fa
+
、ma
+
等占据钙钛矿晶格结构中的a位，并于pb-i键合的八面体通过非定向的、较弱的离子键相互作用，因此钙钛矿上界面配位不足的八面体结构中的a位离子更容易受到高工作温度或电场响应等因素影响，发生迁移，导致界面处缺陷的生成，且缺陷处载流子非辐射复合严重。同时，钙钛矿前驱体溶液中过量的pbi2对于界面处的传输性能也有极大的影响。因此，需要提出一种界面修饰方法用于填充钙钛矿上界面处因离子迁移产生的a位缺陷，维持钙钛矿结构，消耗过量的pbi2并抑制pbi2的生成，减少载流子的非辐射复合十分重要。这对于提高碳电极钙钛矿太阳能电池的效率与稳定性十分有益。
4.目前大部分的界面修饰方式都是使用路易斯酸、碱进行表面钝化，弥补pb
2+
的配位不足。例如，专利cn114300621a使用peai与eai的混合溶液在碳电极/钙钛矿层旋涂处理，在钙钛矿上界面生成二维钙钛矿层来钝化界面缺陷。但有机配体的导电性能较差，界面间传输性能会受到影响，同时仅弥补了pb
2+
的配位不充分的问题，并未关注a位有机阳离子迁移对整体钙钛矿结构稳定性下降的影响。因此，找到一种对钙钛矿上界面钝化处理，弥补a位空缺，减少界面处非辐射复合，同时不影响界面传输性能的方法，对于提高碳电极钙钛矿太阳能电池的性能十分重要。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于针对碳电极钙钛矿太阳能电池中钙钛矿上界面a位缺陷较多，界面非辐射复合严重，提出了一种碘化铯修饰的碳基有机-无机钙钛矿太阳能电池。该器件对钙钛矿上界面进行了改进，使用碘化铯溶液，在钙钛矿表面进行滴涂处理。cs
+
离子半径较大，不易因为外界条件影响发生离子迁移，因此使用cs
+
来弥补ma
+
、fa
+
等有机阳离子迁移产生的钙钛矿表面离子空位缺陷，减少界面处的非辐射复合，提高载流子寿命与界面间载流子传输性能。制备中，通过滴涂法将碘化铯的无水乙醇溶液均匀分散在钙钛矿吸光层表面，形成cspbi3来弥补因为a位有机阳离子迁移导致的空位缺陷。本发明制备方法高效，制备工艺简单，基于此制备的碳电极钙钛矿太阳能电池载流子传输性能得以改善，稳定性提
升，光电转换效率显著提升，在未来具有良好的应用前景。
6.为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：
7.一种碘化铯修饰的碳基有机-无机钙钛矿太阳能电池，该太阳能电池从下到上依次为透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、碘化铯修饰层和碳电极；
8.所述的碘化铯修饰层的厚度为5～10nm；
9.所述的透明导电衬底优选为氧化氟锡透明导电玻璃(fto)、氧化铟锡透明导电玻璃(ito)、pet/ito(pet为聚对苯二甲酸乙二醇酯)、pen/ito(pen为聚萘二甲酸乙二醇酯)中的一种；
10.所述的电子传输层为二氧化锡(sno2)、二氧化钛(tio2)、氯掺杂的二氧化钛、碳60(c
60
)、[6,6]-苯基c61丁酸甲酯(pcbm)、氧化锌(zno)、tio
2-sno2、zno-tio2、zno-sno2中的至少一种；厚度为5～180nm；
[0011]
所述的钙钛矿吸光层材料结构式为apbx3，a位为甲脒阳离子(nh2ch＝nh
2+
，fa
+
)和甲胺阳离子(ch3nh
3+
，ma
+
)的至少一种；x位为f-、cl-、br-和i-中的至少一种；厚度为200～1000nm；
[0012]
所述的碳电极材料为碳浆，方阻《30ω，固含量为40～60％；厚度为5～100μm。
[0013]
所述的碘化铯修饰的碳基有机-无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，该方法包括以下步骤：
[0014]
1)在透明导电衬底上制备电子传输层；
[0015]
2)配置钙钛矿前驱液，并利用匀胶机在电子传输层上旋涂钙钛矿前驱液，通过低压辅助设备处理后进行退火，得到钙钛矿吸光层；
[0016]
所述的钙钛矿前驱液的溶剂为n,n-二甲基甲酰胺(dmf)、二甲基亚砜(dmso)、n-甲基吡咯烷酮(nmp)、二甲基乙酰胺(dmac)、乙腈(mecn)、醋酸甲氨、甲酸甲胺、丁酸甲胺、γ-丁内酯、无水乙醇中的至少一种；所述的钙钛矿前驱液的浓度为0.2～2mol/l，浓度以pb的含量计；
[0017]
3)在钙钛矿吸光层的表面旋涂碘化铯溶液，进行退火处理，得到碘化铯修饰层；
[0018]
4)在碘化铯修饰层表面刮涂碳浆，然后进行退火处理，最终得到基于碘化铯修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池。
[0019]
步骤2)中，所述的旋涂速度为1000～6000rpm，旋涂时间为10～60s；所述的低压辅助设备处理时真空度为1～100pa，处理时间为1～60s；所述的退火温度为100～120℃，处理时间为5～20min；
[0020]
步骤3)中，所述的碘化铯溶液为将碘化铯颗粒加入到无水乙醇中，得到碘化铯的无水乙醇溶液；所述的溶液浓度为0.5～5mg/ml；
[0021]
所述的旋涂速度为1000～6000rpm，旋涂时间为10～60s；所述的退火温度为100～120℃，处理时间5～20min；
[0022]
所述的旋涂量为10～200μl/4～25cm2。
[0023]
步骤4)中，所述的退火温度为100～120℃，处理时间15～20min；
[0024]
本发明的实质性特点为：
[0025]
经过研究发现，碳基有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池中钙钛矿上界面，由于a位有机阳离子的迁移导致界面缺陷较多，界面非辐射复合严重，同时钙钛矿结构的破坏导致
生成的pbi2，降低了界面处载流子的传输，同时导致器件整体稳定性较差。本发明使用碘化铯溶液，在钙钛矿上界面消耗过量的pbi2，生成cspbi3进行修饰处理。cs
+
离子半径较大，不易因为外界条件影响发生离子迁移，因此使用cs
+
来弥补ma
+
、fa
+
等阳离子迁移产生的钙钛矿表面缺陷，减少界面处的非辐射复合，提高界面间载流子传输性能，同时稳定钙钛矿的立方相结构。本发明制备方法高效，制备工艺简单，基于此制备的碳电极钙钛矿太阳能电池载流子传输性能得以改善，光电转换效率显著提升，稳定性得到提高，在未来具有良好的应用。
[0026]
专利cn114300621a使用peai与eai的混合溶液在碳电极/钙钛矿层旋涂处理，使用其路易斯碱的性质，与配位不足的pb
2+
生成配位键，在钙钛矿上界面生成二维钙钛矿层来钝化界面缺陷。但有机配体的导电性能较差，界面间传输性能会受到影响，同时并未关注a位有机阳离子迁移对钙钛矿立方结构稳定性的影响。
[0027]
本发明通过使用cs
+
来弥补a位有机阳离子空位，在保证有机-无机钙钛矿薄膜带来的高光电转换效率的同时，减少了钙钛矿上界面的缺陷，减少了界面间传输时的载流子非辐射复合，提高有机-无机钙钛矿的稳定性。避免了有机配位剂的使用，环境污染性小，稳定性优异，同时碳电极/钙钛矿界面处载流子传输性能优异。
[0028]
本发明的有益效果为：
[0029]
总体而言，本发明与未用碘化铯修饰的标样相比，钙钛矿吸光层的上界面缺陷减少，载流子非辐射复合数量减少，寿命提升，载流子传输性能更高，开路电压提升10.18％，填充因子提升3.58％，光电转换效率提升了2.15％。现有技术使用有机配体进行表面钝化处理，无法抑制a位有机阳离子的迁移。本技术使用碘化铯的无水乙醇溶液进行钙钛矿上界面滴涂修饰，与表面pb-i形成更稳定的cspbi3，在减少pb
2+
配位不足导致的缺陷数量与消耗过量的pbi2的同时，也减弱了ma
+
、fa
+
等有机阳离子迁移带来的钙钛矿立方结构的破坏而产生pbi2，提高了器件的稳定性。
附图说明
[0030]
图1为实施案例1的太阳能电池的结构示意图；其中，1为透明导电衬底、2为电子传输层、3为钙钛矿吸光层、4为碘化铯修饰层、5为碳电极；
[0031]
图2中实线为实施案例1制备的用碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池器件的j-v测试曲线图；虚线为实施案例11(对比案例)制备的未用碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池器件的j-v测试曲线图。
具体实施方式：
[0032]
下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0033]
实施例1.
[0034]
基于碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池，该太阳能电池结构示意图如图1所示，从下到上依次为透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、碘化铯修
饰层和碳电极。具体制备过程如下：
[0035]
步骤一、清洗fto衬底：
[0036]
本实例所采用的是商用fto(2.5cm
×
2.5cm)透明导电基底，平均透光率为90％，将fto衬底依次用玻璃清洗剂、去离子水、酒精分别超声清洗30min，然后用氮气枪吹干。
[0037]
步骤二、制备sno2电子传输层：
[0038]
用天平称取625mg尿素、137.5mg sncl2·
2h2o放入蓝口瓶中，在逐次用移液枪加入625μl hcl、12.5μl tga、50ml去离子水，混合均匀，待用。
[0039]
将清洗好的fto衬底浸没入装有sno2生长液的染色皿中，在90℃烘箱放置4小时，届时取出。用去离子水超声清洗5min，再用氮气枪将其表面吹干；然后进行退火处理(退火温度170℃，退火时间60min)，最后得到电子传输层sno2；厚度为30nm。
[0040]
步骤三、制备fa
0.3
ma
0.7
pbi3钙钛矿吸光层:
[0041]
配置1.33mol/l fa
0.3
ma
0.7
pbi3钙钛矿前驱液，该浓度以铅的含量计，具体包括溶质甲脒碘(fai)、甲胺碘(mai)、碘化铅(pbi2)，摩尔量分别为0.36mmol、0.84mmol、1.2mmol,依次加入100μl的nmp和800μl的dmf作为溶剂，得到900μl的钙钛矿前驱液。
[0042]
采用匀胶机，在sno2衬底上旋涂配置好的钙钛矿前驱液，先2500rpm旋涂10s，再4500rpm旋涂10s，然后立即放入低压辅助系统(dl-10a型石英真空计与真空泵)中进行低压(真空度为10pa)处理60s，使溶剂快速挥发，从而得到结晶良好的中间相薄膜，低压处理结束之后，在120℃的加热台上退火20min得到结晶良好的钙钛矿薄膜。其中，旋涂的钙钛矿前驱体的体积为60μl；厚度为600nm。
[0043]
步骤四、制备碘化铯(csi)修饰层：
[0044]
用电子天平称量3mg的csi，加入到试剂玻璃瓶中，再加入3ml的无水乙醇，得到浓度为1mg/ml的溶液。将上一步骤退火好的器件放到匀胶机上，在4000rpm旋转的过程中，在钙钛矿上界面滴涂20μl后，再旋转30s，然后120℃退火10min；厚度为5nm。
[0045]
步骤五、制备碳电极：
[0046]
在碘化铯修饰层表面贴两条3m胶带，以此控制碳电极厚度，中间留有宽为0.3cm，长为2.5cm的矩形间隙，取50mg低温碳浆(方阻《30欧，固含量为50％，清洗剂为环己酮，cas编号为7440-44-0。以下实施例同，不再述)放入间隙中，用刀片沿同一方向多次刮涂，直至间隙全部填充满，刮涂好的碳电极面积为0.3cm
×
2.5cm，然后在100℃的加热台退火15min；厚度为10μm。
[0047]
本实施例中对单个碳电极钙钛矿太阳能电池取四个测量点，每个测量点的有效面积为0.09cm2。
[0048]
本实施例中利用太阳光模拟器选择k-2400光源模拟am 1.5g照明对用碘化铯修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池进行j-v测试，如图2中实线所示，从j-v曲线可得太阳能电池的光电转换效率为13.22％，开路电压、短路电流密度和填充因子分别为1.027v，22.35ma/cm2和57.64％。
[0049]
实施例2.
[0050]
基于碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池其它步骤与实施案例1相同，不同之处为：
[0051]
步骤四中碘化铯溶液的制备，将1.5mg碘化铯加入3ml无水乙醇中，浓度为0.5mg/
ml。
[0052]
实施例3.
[0053]
基于碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池其它步骤与实施案例1相同，不同之处为：
[0054]
步骤四中碘化铯溶液的制备，将4.5mg碘化铯加入3ml无水乙醇中，浓度为1.5mg/ml。
[0055]
实施案例4.
[0056]
基于碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池其它步骤与实施案例1相同，不同之处为：
[0057]
步骤四中碘化铯溶液的制备，将6mg碘化铯加入3ml无水乙醇中，浓度为2mg/ml。
[0058]
实施例5.
[0059]
基于碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池其它步骤与实施案例1相同，不同之处为：
[0060]
步骤三中钙钛矿吸光层的制备，钙钛矿吸光层为fapbi3，浓度为1.33mol/l，该浓度以铅的含量计，具体包括溶质甲脒碘、碘化铅、甲胺氯，摩尔量分别为1.2mmol、1.2mmol、0.18mmol，依次加入100μl的nmp和800μl的dmf作为溶剂，得到900μl的钙钛矿前驱体溶液。
[0061]
实施例6.
[0062]
基于碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池其它步骤与实施案例1相同，不同之处为：
[0063]
步骤三中钙钛矿吸光层的制备，钙钛矿吸光层为mapbi3，浓度为1.33mol/l，该浓度以铅的含量计，具体包括溶质甲胺碘、碘化铅、甲胺氯，摩尔量分别为1.2mmol、1.2mmol、0.18mmol，依次加入100μl的nmp和800μl的dmf作为溶剂，得到900μl的钙钛矿前驱体溶液。
[0064]
实施例7.
[0065]
基于碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池其它步骤与实施案例1相同，不同之处为：
[0066]
步骤三中钙钛矿吸光层的制备，钙钛矿吸光层为fa
0.85
ma
0.15
pbi3，浓度为1.33mol/l，该浓度以铅的含量计，具体包括溶质甲脒碘、甲胺碘、碘化铅、甲胺氯，摩尔量分别为1.02mmol、0.18mmol、1.2mmol，0.18mmol，依次加入100μl的nmp和800μl的dmf作为溶剂，得到900μl的钙钛矿前驱体溶液。
[0067]
实施例8.
[0068]
基于碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池其它步骤与实施案例1相同，不同之处为：
[0069]
步骤三中钙钛矿吸光层的制备，钙钛矿吸光层为fa
0.85
ma
0.15
pbi3，浓度为1.33mol/l，该浓度以铅的含量计，具体包括溶质甲脒碘、甲胺碘、碘化铅、甲胺氯，摩尔量分别为1.02mmol、0.18mmol、1.2mmol，0.18mmol，依次加入100μl的nmp和800μl的dmf作为溶剂，得到900μl的钙钛矿前驱体溶液。
[0070]
步骤四中碘化铯溶液的制备，将1.5mg碘化铯加入3ml无水乙醇中，浓度为0.5mg/ml。
[0071]
实施例9.
[0072]
基于碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池其它步骤与实施案例1相同，不同之处为：
[0073]
步骤三中钙钛矿吸光层的制备，钙钛矿吸光层为fa
0.85
ma
0.15
pbi3，浓度为1.33mol/l，该浓度以铅的含量计，具体包括溶质甲脒碘、甲胺碘、碘化铅、甲胺氯，摩尔量分别为1.02mmol、0.18mmol、1.2mmol，0.18mmol，依次加入100μl的nmp和800μl的dmf作为溶剂，得到900μl的钙钛矿前驱体溶液。
[0074]
步骤四中碘化铯溶液的制备，将4.5mg碘化铯加入3ml无水乙醇中，浓度为1.5mg/ml。
[0075]
实施例10.
[0076]
基于碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池其它步骤与实施案例1相同，不同之处为：
[0077]
步骤三中钙钛矿吸光层的制备，钙钛矿吸光层为fa
0.85
ma
0.15
pbi3，浓度为1.33mol/l，该浓度以铅的含量计，具体包括溶质甲脒碘、甲胺碘、碘化铅、甲胺氯，摩尔量分别为1.02mmol、0.18mmol、1.2mmol，0.18mmol，依次加入100μl的nmp和800μl的dmf作为溶剂，得到900μl的钙钛矿前驱体溶液。
[0078]
步骤四中碘化铯溶液的制备，将6mg碘化铯加入3ml无水乙醇中，浓度为2mg/ml。
[0079]
实施例11.(s对比案例)
[0080]
基于碘化铯溶液修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池其它步骤与实施案例1相同，不同之处为：
[0081]
将步骤四的操作省去，不制备碘化铯修饰层，直接在钙钛矿吸光层表面制备碳电极。
[0082]
本实施例中利用太阳光模拟器选择k-2400光源模拟am 1.5g照明对未用碘化铯修饰钙钛矿/碳电极界面的碳电极钙钛矿太阳能电池进行j-v测试，如图2中虚线所示，从j-v曲线可得太阳能电池的光电转换效率为11.07％，开路电压、短路电流密度和填充因子分别为0.922v，22.24ma/cm2和54.06％。
[0083]
通过实施案例1与实施案例11(对比案例)中器件测试参数对比说明，在碳电极有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池中，用滴涂法在钙钛矿吸光层与碳电极层之间引入碘化铯修饰层，可以使器件的光电转换效率得到明显提高。
[0084]
本发明不受限于上述的实施例，可在权利要求书的范畴内而变化，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
[0085]
本发明未尽事宜为公知技术。

技术特征：
1.一种碘化铯修饰的碳基有机-无机钙钛矿太阳能电池，其特征为该太阳能电池从下到上依次为透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、碘化铯修饰层和碳电极；所述的碘化铯修饰层的厚度为5～10nm；所述的钙钛矿吸光层材料结构式为apbx3，a位为甲脒阳离子(nh2ch＝nh
2+
，fa
+
)和甲胺阳离子(ch3nh
3+
，ma
+
)的至少一种；x位为f-、cl-、br-和i-中的至少一种；厚度为200～1000nm。2.如权利要求1所述的碘化铯修饰的碳基有机-无机钙钛矿太阳能电池，其特征为所述的透明导电衬底优选为氧化氟锡透明导电玻璃(fto)、氧化铟锡透明导电玻璃(ito)、pet/ito(pet为聚对苯二甲酸乙二醇酯)、pen/ito(pen为聚萘二甲酸乙二醇酯)中的一种；所述的电子传输层为二氧化锡(sno2)、二氧化钛(tio2)、氯掺杂的二氧化钛、碳60(c
60
)、[6,6]-苯基c61丁酸甲酯(pcbm)、氧化锌(zno)、tio
2-sno2、zno-tio2、zno-sno2中的至少一种；厚度为5～180nm；所述的碳电极材料为碳浆，方阻<30ω，固含量为40～60％；厚度为5～100μm。3.如权利要求1所述的碘化铯修饰的碳基有机-无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征为该方法包括以下步骤：1)在透明导电衬底上制备电子传输层；2)配置钙钛矿前驱液，并利用匀胶机在电子传输层上旋涂钙钛矿前驱液，通过低压辅助设备处理后进行退火，得到钙钛矿吸光层；所述的钙钛矿前驱液的溶剂为n,n-二甲基甲酰胺(dmf)、二甲基亚砜(dmso)、n-甲基吡咯烷酮(nmp)、二甲基乙酰胺(dmac)、乙腈(mecn)、醋酸甲氨、甲酸甲胺、丁酸甲胺、γ-丁内酯、无水乙醇中的至少一种；所述的钙钛矿前驱液的浓度为0.2～2mol/l，浓度以pb的含量计；3)在钙钛矿吸光层的表面旋涂碘化铯溶液，然后进行退火处理，得到碘化铯修饰层；其中，碘化铯溶液的溶剂为无水乙醇；溶液浓度为0.5～5mg/ml；所述的旋涂速度为1000～6000rpm，旋涂时间为10～60s；所述的退火温度为100～120℃，处理时间5～20min；4)在碘化铯修饰层表面刮涂碳浆，然后进行退火处理，最终得到基于碘化铯修饰钙钛矿上界面的碳电极钙钛矿太阳能电池。4.如权利要求1所述的碘化铯修饰的碳基有机-无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征为步骤2)中，所述的旋涂速度为1000～6000rpm，旋涂时间为10～60s；所述的低压辅助设备处理时真空度为1～100pa，处理时间为1～60s；所述的退火温度为100～120℃，处理时间为5～20min。5.如权利要求1所述的碘化铯修饰的碳基有机-无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征为步骤3)中，所述的旋涂量为10～200μl/4～25cm2。6.如权利要求1所述的碘化铯修饰的碳基有机-无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征为步骤4)中，所述的退火温度为100～120℃，处理时间15～20min。

技术总结
本发明为一种碘化铯修饰的碳基有机-无机钙钛矿太阳能电池。该太阳能电池从下到上依次为透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、碘化铯修饰层和碳电极；所述的碘化铯修饰层的厚度为5～10nm；所述的钙钛矿吸光层材料结构式为APbX3。本发明制备方法高效，制备工艺简单，基于此制备的碳电极钙钛矿太阳能电池载流子传输性能得以改善，稳定性提升，光电转换效率显著提升，在未来具有良好的应用前景。在未来具有良好的应用前景。在未来具有良好的应用前景。


技术研发人员：邵盼杰 吴存存 陈佳雨 赵智鑫 郑士建 张阳洋 冯凡修
受保护的技术使用者：河北工业大学
技术研发日：2023.05.25
技术公布日：2023/7/26