采用激光切割生产柔性电路板的制备系统及制备工艺的制作方法

1.本发明涉及新能源半导体技术领域，尤其涉及一种采用激光切割生产柔性电路板的制备系统及制备工艺，针对的产品是柔性激光线路板直接成型(laser direct circurt,ldc)。


背景技术：

2.柔性激光线路板直接成型(laser direct circurt，ldc)，又称软性电路板、挠性电路板，其以质量轻、厚度薄、可自由弯曲折叠等优良特性而备受青睐。柔性电路板具有高度可靠性，绝佳曲挠性的印刷电路，通过在可弯曲的轻薄塑料片上，嵌入电路设计，使在窄小和有限空间中堆嵌大量精密元件，从而形成可弯曲的挠性电路。柔性电路板可随意弯曲、折迭重量轻，体积小，散热性好，安装方便，冲破了传统的互连技术。在柔性电路的结构中，组成的材料是是绝缘薄膜、导体和粘接剂。
3.现有的柔性电路板生产的其中一个主要工艺为显影-蚀刻-剥膜，显影即将铜箔柔性线路板上的非线路区域覆盖膜去除，露出线路区域的覆盖膜，然后通过蚀刻液对非线路区的铜箔进行蚀刻，从而将不需要的铜反应掉，进而在柔性线路板上加工成预定轨迹的线路，最后剥除覆盖膜，对蚀刻后的柔性线路板进行清洗烘干。例如，现有专利：cn201711203417.8，公开的一种fpc柔性无线充电传输线圈模组制作工艺；一种fpc柔性无线充电传输线圈模组制作工艺，包括以下步骤，s1：预备用于进行加工处理的纯铜箔，并对铜箔加工面进行清洁处理；s2:采用激光蚀刻在步骤s1准备好的铜箔表面刻蚀槽体；s3:蚀刻沟道；在步骤s2完成槽体加工处理后，即在铜箔加工面刻出沟道；s4：对步骤s3加工处理完成后的铜箔进行前处理；s5：在铜箔表面压合基材；s6：对压合完成的铜箔相对于基材的另一端面做进一步蚀刻处理。
4.然而这种加工方式使得在fpc内的铜箔在蚀刻时会与蚀刻液产生化学反应，进而会产生化学废料，若直接排放则会导致重金属污染，且导致化学废料中的金属被浪费，但若回收化学废料中的金属，则需要耗费较高的成本进行回收和处理污染排放，从而增加了生产制造成本。


技术实现要素：

5.本发明克服了现有技术的不足，提供一种采用激光切割生产柔性电路板的制备系统及制备工艺，能通过激光加工的方式进行柔性电路板的生产，优化了柔性电路板的加工便捷性和环保性能，提升了柔性电路板的产品性能和使用寿命。
6.为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种采用激光切割生产柔性电路板的制备工艺，包括以下步骤：s1.上料并附加保护层；导入铜箔基层，并在铜箔基层的上表面和下表面分别贴合保护层；s2.对步骤s1处理后的半成品进行激光切割出电路结构；
s3.对步骤s2处理后的半成品进行排废处理，活性清洁并进行假贴热压；s4.对步骤s3处理后的半成品进行组合热压；s5.对步骤s4处理后的半成品进行开窗操作，将铜箔基层的焊点露出。
7.本发明一个较佳方案中，在步骤s1中，所述保护层包括哑膜或双层保护膜或单层保护膜；将双层保护膜作为基材，将铜箔基层贴合与双层保护膜的上表面，再在铜箔基层的上方贴合哑膜，并在双层保护膜的下侧贴合单层保护膜。
8.本发明一个较佳方案中，在步骤s3中，步骤s2处理后的半成品进行哑膜揭除、铜箔废料揭除、所述单层保护膜揭除；然后再在半成品中的铜箔基层的外表面进行活性清洁并在铜箔基层的上表面由内至外依次贴合上覆盖膜和上层保护膜；然后再对半成品进行下层假热压；假热压温度在60-130℃。
9.本发明一个较佳方案中，在步骤s3中，对下层假热压后的半成品的下层的双层保护膜揭除；然后再在半成品中的铜箔基层的下表面进行活性清洁并在铜箔基层的下表面由内至外依次贴合下覆盖膜和下层保护膜；然后再对半成品进行上层假热压；假热压温度在60-130℃。
10.本发明一个较佳方案中，在步骤s3中，对双侧分别贴好上覆盖膜和上层保护膜以及下覆盖膜和下层保护膜的半成品的上下两侧均进行热压；热压温度在60-130℃。
11.本发明一个较佳方案中，在步骤s4中，揭除步骤s3处理后的半成品的上层保护膜和下层保护膜；然后在上下两侧分别贴合上辅助热压膜和下辅助热压膜，再进行成品热压操作，并将经过成品热压操作后的半成品上的上辅助热压膜和下辅助热压膜揭除；其中，成品热压温度在120-200℃，压力区间为70-150kg，时间为120-180秒。
12.本发明一个较佳方案中，根据权利要求4所述的采用激光切割生产柔性电路板的制备系统，其特征在于：在步骤s5后还包括s6，步骤s6中，将步骤s5处理后的半成品经过影像拍照传送至图像机构处进行检测，然后对检验后的成品进行打码出料。
13.本发明一个较佳方案中，采用了一种柔性激光电路板的制备方法，所述柔性激光电路板的制备系统包括按工序依次设置的上料预贴膜模组、激光蚀刻模组、排废活性清洁假贴热压模组、组合热压模组、激光开窗模组、排废打标检验出料模组；将铜箔基层导入所述上料预贴膜模组后，进行步骤s1的操作；将步骤s1中处理后的半成品从上料预贴膜模组中引出传送至激光蚀刻模组中，进行步骤s2的操作；然后将步骤s1处理后的半成品从所述激光蚀刻模组引出传送至排废活性清洁假贴热压模组中，进行步骤s3的操作；然后将步骤s3处理后的半成品从所述排废假贴热压模组中引出传送至组合热压模组中，进行步骤s4的操作；然后将步骤s4处理后的半成品从所述组合热压模组中引出传送至激光开窗模组中，进行步骤s5的操作；然后将步骤s5处理后的半成品从所述激光开窗模组中引出传送至排废打标检验出料模组中，进行步骤s6的操作。
14.本发明一个较佳方案中，上料预贴膜模组包括传送通路一以及与所述传送通路一
对应的若干个放料转辊一和撕膜转辊一，所述传送通路一上还设置有吸风机构一；或/和，所述激光蚀刻模组包括传送通路二，所述传送通路二上设置有吸风传送平台一，所述吸风传送平台一上设置与所述吸风传送平台一对应的激光蚀刻机；或/和，所述排废假贴热压模组包括传送通路三，以及与所述传送通路三对应的若干个放料转辊三和撕膜转辊三，以及实现下层假热压的下层热压转辊组、实现上层假热压的上层热压转辊组、实现上下两侧均热压的双侧热压转辊组。
15.或/和，所述组合热压模组包括传送通路四，以及与所述传送通路四对应的若干个放料转辊四和撕膜转辊四，以及实现成品热压的对开式成品热压机构；或/和，所述激光开窗模组包括传送通路五，以及与所述传送通路五对应的激光开窗机；或/和，所述排废打标校验出料模组包括传送通路六，以及与所述传送通路六对应的图像机构校验机构、打码机构、若干个排废转辊六；10.根据权利要求6所述的采用激光切割生产柔性电路板的制备系统，其特征在于：所述哑膜包括聚酯薄膜，聚酯薄膜上设置有阻热基膜，所述聚酯薄膜和阻热基膜之间设置有耐高温粘胶层；或/和，所述双层保护膜包括基膜和聚酯薄膜，且所述基膜和底膜之间设置有耐高温粘胶层；或/和，下覆盖膜和上覆盖膜采用的是与热敏胶膜层；或/和，下层保护膜和上层保护膜，所述下层保护膜和上层保护膜与所述单层保护膜采用的是聚酯薄膜为基材，且单面涂覆有亚克力胶层；或/和，上辅助热压膜和下辅助热压膜采用的聚酯薄膜为基材，并在双面涂布有离型剂层。
16.本发明解决了背景技术中存在的缺陷：本发明公开的一种采用激光切割生产柔性电路板的制备系统及制备工艺，针对的产品是柔性激光线路板(laser direct circurt，ldc)，本发明能通过激光切割的方式进行柔性电路板的生产，优化了柔性电路板的加工便捷性和环保性能，提升了柔性电路板的产品性能和使用寿命。
附图说明
17.下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
18.图1是本发明的优选实施例的工艺流程图一；图2是本发明的优选实施例的工艺流程图二；图3是本发明的优选实施例的上料预贴膜模组和激光蚀刻模组的结构示意图；图4是本发明的优选实施例的排废假贴热压模组的结构示意图；图5是本发明的优选实施例的组合热压模组的结构示意图；图6是本发明的优选实施例的激光开窗模组的结构示意图；图7是本发明的优选实施例的排废打标校验出料模组；图8是本发明的优选实施例的外观与现有技术的比对；
图9是本发明的优选实施例的剥离性能检测表；图10是本发明的优选实施例的剥离性能对应的曲线图谱；图11是本发明的优选实施例的导通性能测试表；图12是本发明的优选实施例中的电路中的保险丝（fuse）过流及熔断测试；图13是本发明的优选实施例生产的产品进行漂锡测试的状态图；图14是本发明上产的产品的层结构的断面图示意图；图中：上料预贴膜模组、11-双层保护膜放料转辊、13-铜箔基层放料转辊、14-哑膜放料转辊、16-单层保护膜放料转辊、2-激光蚀刻模组、3-排废假贴热压模组、31-排废胶带放料转辊、32-产品废料撕膜转辊、33-上覆盖膜放料转辊、35-上层保护膜放料转辊、37-下层保护膜放料转辊、38-下覆盖膜放料转辊、39-双层保护膜废料撕膜转辊、310-单层保护膜废料撕膜转辊、311-哑膜废料撕膜转辊、4-组合热压模组、41-上层保护膜废料撕膜转辊、42-下层保护膜废料撕膜转辊、43-下辅助热压膜放料转辊、44-上辅助热压膜放料转辊、45-上辅助热压膜撕膜转辊、46-下辅助热压膜撕膜转辊、5-激光开窗模组、6-排废打标校验出料模组，a-铜箔基层，b-cvl层。
具体实施方式
19.现在结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
实施例一
20.如图1-图7所示，一种采用激光打印生产柔性电路板的制备工艺，包括以下步骤：s1.上料并附加保护层；导入铜箔基层，并在铜箔基层的上表面和下表面分别贴合保护层。在步骤s1中，保护层包括哑膜或双层保护膜或单层保护膜。具体的，将双层保护膜作为基材，将铜箔基层贴合与双层保护膜的上表面，再在铜箔基层的上方贴合哑膜，并在双层保护膜的下侧贴合单层保护膜。
21.s2.对步骤s1处理后的半成品进行激光打印切割出电路结构。
22.s3.对步骤s2处理后的半成品进行排废处理，活性清洁并进行假贴热压。
23.具体的，步骤s2处理后的半成品进行哑膜揭除、铜箔废料揭除、所述单层保护膜揭除；然后再在半成品中的铜箔基层的外表面进行活性清洁并在铜箔基层的上表面由内至外依次贴合上覆盖膜和上层保护膜；然后再对半成品进行下层假热压；下层假热压温度在60-130℃，另一侧为常温抵压。对下层假热压后的半成品的下层的双层保护膜揭除；然后再在半成品中的铜箔基层的下表面进行活性清洁并在铜箔基层的下表面由内至外依次贴合下覆盖膜和下层保护膜；然后再对半成品进行上层假热压；上层假热压温度在60-130℃，另一侧为常温抵压。对双侧分别贴好上覆盖膜和上层保护膜以及下覆盖膜和下层保护膜的半成品的上下两侧均进行热压；上下两侧的热压温度在60-130℃。进一步的，活性清洁采用的是等离子清洁。步骤s2中的步骤操作便于排除半成品中的气泡。
24.s4.对步骤s3处理后的半成品进行组合热压。在步骤s4中，揭除步骤s3处理后的半成品的上层保护膜和下层保护膜；然后再上下两侧分别贴合上辅助热压膜和下辅助热压膜，再进行成品热压操作，并将经过成品热压操作后的半成品上的上辅助热压膜和下辅助
热压膜揭除；其中成品热压温度在120-200℃，压力区间为70-150kg。
25.s5.对步骤s4处理后的半成品进行开窗操作，将铜箔基层的焊点露出。
26.在步骤s5后还包括s6，步骤s6中，将步骤s5处理后的半成品经过影像拍照传送至图像机构处进行检测，然后对检验后的成品进行打码出料。图像机构处进行检测的内容包括通过图像比对或观察检查产品外观。
实施例二
27.在实施例一的基础上，所述哑膜包括聚酯薄膜，聚酯薄膜上设置有阻热基膜，所述聚酯薄膜和阻热基膜之间设置有耐高温粘胶层。
28.或/和，所述双层保护膜包括基膜和聚酯薄膜，且所述基膜和底膜之间设置有耐高温粘胶层。便于作为传送铜箔基层的载体，在压合排除气泡的过程中有助于压合的施力，加强对铜箔基层在生产过程中硬度，并使产品表面保护不受划伤、脏污的风险。
29.或/和，下覆盖膜和上覆盖膜采用的是热敏胶膜层。进一步的，热敏胶膜层可以直接采用现有技术中的热敏胶膜产品。下覆盖膜和上覆盖膜在组合热压后形成包裹在铜箔基层外部的cvl层。
30.或/和，下层保护膜和上层保护膜，所述下层保护膜和上层保护膜与所述单层保护膜采用的是聚酯薄膜为基材，且单面涂覆有亚克力胶层。下层保护膜和上层保护膜的作用是加强产品在生产过程中硬度，并使产品表面保护不受划伤、脏污的风险。
31.或/和，上辅助热压膜和下辅助热压膜采用的聚酯薄膜为基材，并在双面涂布有离型剂。上辅助热压膜和下辅助热压膜有防粘性，能防止产品热压后与压合设备的压合板粘连。
实施例三
32.如图1-图7所示，在实施例一或实施例二的基础上，使用的一种柔性激光电路板的制备系统，所述柔性激光电路板的制备系统包括按工序依次设置的上料预贴膜模组1、激光蚀刻模组2、排废假贴热压模组3、组合热压模组4、激光开窗模组5、排废打标校验出料模组6。
33.上料预贴膜模组1包括传送通路一以及与所述传送通路一对应的若干个放料转辊一和撕膜转辊一，所述传送通路一上还设置有吸风机构一。将铜箔基层导入所述上料预贴膜模组1后，进行步骤s1的操作。
34.具体的，若干个放料转辊一包括位于所述传送通路一上方的按照传送顺序依次设置的铜箔基层放料转辊13、哑膜放料转辊14，以及位于传送通路一上料侧的双层保护膜放料转辊11，以及位于传送通路一下方的单层保护膜放料转辊16；若干个撕膜转辊一分别用于对双层保护膜原材料上废料的揭除以及哑膜原材料上废料的揭除。通过这样的排布设置，始终能将铜箔基层承载在保护层上传送至下一工序，提升加工的流畅性和便捷性。
35.激光蚀刻模组2包括传送通路二，所述传送通路二上设置有吸风传送平台一，所述吸风传送平台一上设置与所述吸风传送平台一对应的激光蚀刻机。将步骤s1中处理后的半成品从上料预贴膜模组1中引出传送至激光蚀刻模组2中，进行步骤s2的操作。
36.排废假贴热压模组3包括传送通路三，以及与所述传送通路三对应的若干个放料
转辊三和撕膜转辊三，以及实现下层假热压的下层热压转辊组、实现上层假热压的上层热压转辊组、实现上下两侧均热压的双侧热压转辊组。将步骤s1处理后的半成品从所述激光蚀刻模组2引出传送至排废假贴热压模组3中，进行步骤s3的操作。
37.具体的，若干个放料转辊三和若干个撕膜转辊三分别包括位于传送通路四上方的哑膜废料撕膜转辊311、排废胶带放料转辊31、产品废料撕膜转辊32、上覆盖膜放料转辊33、上层保护膜放料转辊35；位于传送通路四下方的单层保护膜废料撕膜转辊310、双层保护膜废料撕膜转辊39、下覆盖膜放料转辊38、下层保护膜放料转辊37。且上层热压转辊组是上下并列设置的能相对对压的上转辊和下转辊，且上转辊是具有加热功能。且下层热压转辊组是上下并列设置的能相对对压的上转辊和下转辊，且下转辊是具有加热功能。
38.组合热压模组4包括传送通路四，以及与所述传送通路四对应的若干个放料转辊四和撕膜转辊四，以及实现成品热压的对开式成品热压机构。将步骤s3处理后的半成品从所述排废假贴热压模组3中引出传送至组合热压模组4中，进行步骤s4的操作。
39.具体的，若干个撕膜转辊四、放料转辊四分别包括设置在传送通路四的上方的上层保护膜废料撕膜转辊41、上辅助热压膜放料转辊44、上辅助热压膜撕膜转辊45；以及设置在传送通路四的下方的下层保护膜废料撕膜转辊42、下辅助热压膜放料转辊43、下辅助热压膜撕膜转辊46。
40.激光开窗模组5包括传送通路五，以及与所述传送通路五对应的激光开窗机。将步骤s4处理后的半成品从所述组合热压模组4中引出传送至激光开窗模组5中，进行步骤s5的操作，其中开窗操作时通过激光蚀刻的方式，将铜箔基层的焊点露出。
41.排废打标校验出料模组6包括传送通路六，以及与所述传送通路六对应的图像机构校验机构、打码机构、若干个排废转辊六。将步骤s5处理后的半成品从所述激光开窗模组5中引出传送至排废打标校验出料模组6中，进行步骤s6的操作。
42.工作原理：如图1-图7所示，一种采用激光切割生产柔性电路板的制备系统及制备工艺，针对的是柔性激光线路板(laser direct circurt，ldc)。本发明能通过激光切割的方式进行柔性电路板的生产，优化了柔性电路板的加工便捷性和环保性能，提升了柔性电路板的产品性能和使用寿命。本发明在生产的过程中，通过在步骤s1到步骤s2的传送过程中通过哑膜、双层保护膜、单层保护膜作为载体，将承载在双层保护膜和哑膜之间的铜箔基层一起传送至步骤s2以及步骤s3的工位中。在步骤s3中揭除哑膜和单层保护膜，然后再贴上覆盖膜和上层保护膜，再揭除双层保护膜再贴下覆盖膜和下层保护膜，一方面便于加工的传送，另一方面下层保护膜和上层保护膜能加强产品在生产过程中硬度及产品表面保护不受划伤、脏污等风险。再后续热压时在上覆盖膜和下覆盖膜外侧贴上辅助热压膜和下辅助热压膜具有防粘性，能防止产品热压后与压合板粘连。同时热压后的铜箔基层外侧的上覆盖膜和下覆盖膜受热形成附着在铜箔基层外的cvl层，其中cvl（覆盖膜，coverlay ,简称“cvl”)。本发明的技术方案生产的产品包括铜箔基层以及附着在铜箔基层外的cvl层，且产品中对应设置的铜箔基层的焊点露出cvl层。
43.如图8所示，本发明的优选实施例的外观与现有技术加工的柔性电路板相比外观清晰平整，无缺口或发黑线路边缘及表面无金属颗粒。然而，现有技术采用圆刀模切存在fuse无法模切成型，线路边缘存在压痕、塌边，通过切皮分析有刺穿的风险。
44.对于由本发明的技术方案生产的产品的剥离性能如图9所示，将本技术的技术方案生产的产品的cvl层与铜箔基层使用拉力机进行180度剥离强度测试，即将cvl层相对铜箔基层呈u形剥离方向进行剥离测试。通过如图9所示的测试表，以及如图10所示剥离性能对应的曲线图谱可以了解，测试的标准》1000gf/cm，实际平均值1514gf/cm，属于符合柔性电路板抗剥离的测试标准。
45.对于由本发明的技术方案生产的产品的导通性能如图11的导通性能测试表所示通过电流恒流源进行测试，测试参数中电流的恒流源采用1a和7a；通过判断产品中铜箔基层的fuse熔断状态。7a电流下最长熔断时间是0.72秒，1a电流下过流时间均在300秒以上。
46.对于将本发明的技术方案生产的产品的进行漂锡测试的每个阶段的状态照片如图12所示，将产品放置在温度260
±
5℃的无铅锡炉中，并将产品浸入时间为10
±
1秒。然后将测试的产品测验，测试后的产品铜箔基板的电路与cvl层结合良好、无脱落、无气泡。且焊盘位置锡覆盖率≥95%。
47.对于将本发明的技术方案生产的产品的进行折弯测试的，折弯次数5000次，角度
±
135
°
，本发明生产的产品的铜箔基板的电路与cvl结合良好、无脱离、无破裂、无开路；且折弯后导通正常阻值变化＜20%。
48.对于将本发明的技术方案生产的产品的进行冷热冲击测试，将本发明生产的产品放入冷热冲击测试箱；测试条件为：低温-40℃，持续时间45min;高温125℃，持续时间45min;循环次数100cycle。本发明生产的产品的铜箔基板的电路与cvl结合良好、无脱离、无破裂、无开路；且折弯后导通正常，阻值变化＜20%。
49.对于将本发明的技术方案生产的产品的进行恒温恒湿测试，将本发明生产的产品放入恒温恒湿测试箱；测试条件为：温度85
±
2℃，湿度85
±
2%rh，持续时间1008h。本发明生产的产品的铜箔基板的电路与cvl结合良好、无脱离、无破裂、无开路；且折弯后导通正常，阻值变化＜20%。
50.对于将本发明的技术方案生产的产品的进行盐雾测试，将本发明生产的产品放入盐雾测试机（型号：aos-108）；测试条件为：温度35
±
2℃，饱和桶温47
±
2℃度；溶液溶度50g/l
±
5g/l的nacl，溶液ph值：6.5~7.2；盐雾沉降量：每小时1~2ml/80cm2。测试时间48h。试验后测试产品，产品的线路导通正常。
51.依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定技术性范围。

技术特征：
1.一种采用激光切割生产柔性电路板的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：s1.上料并附加保护层；导入铜箔基层，并在铜箔基层的上表面和下表面分别贴合保护层；s2.对步骤s1处理后的半成品进行激光切割出电路结构；s3.对步骤s2处理后的半成品进行排废处理，活性清洁并进行假贴热压；s4.对步骤s3处理后的半成品进行组合热压；s5.对步骤s4处理后的半成品进行开窗操作，将铜箔基层的焊点露出。2.根据权利要求4所述的采用激光切割生产柔性电路板的制备工艺，其特征在于：在步骤s1中，所述保护层包括哑膜或双层保护膜或单层保护膜；将双层保护膜作为基材，将铜箔基层贴合与双层保护膜的上表面，再在铜箔基层的上方贴合哑膜，并在双层保护膜的下侧贴合单层保护膜。3.根据权利要求2所述的采用激光切割生产柔性电路板的制备工艺，其特征在于：在步骤s3中，步骤s2处理后的半成品进行哑膜揭除、铜箔废料揭除、所述单层保护膜揭除；然后再在半成品中的铜箔基层的外表面进行活性清洁并在铜箔基层的上表面由内至外依次贴合上覆盖膜和上层保护膜；然后再对半成品进行下层假热压；假热压温度在60-130℃。4.根据权利要求2所述的采用激光切割生产柔性电路板的制备工艺，其特征在于：在步骤s3中，对下层假热压后的半成品的下层的双层保护膜揭除；然后再在半成品中的铜箔基层的下表面进行活性清洁并在铜箔基层的下表面由内至外依次贴合下覆盖膜和下层保护膜；然后再对半成品进行上层假热压；假热压温度在60-130℃。5.根据权利要求2所述的采用激光切割生产柔性电路板的制备工艺，其特征在于：在步骤s3中，对双侧分别贴好上覆盖膜和上层保护膜以及下覆盖膜和下层保护膜的半成品的上下两侧均进行热压；热压温度在60-130℃。6.根据权利要求2所述的采用激光切割生产柔性电路板的制备工艺，其特征在于：在步骤s4中，揭除步骤s3处理后的半成品的上层保护膜和下层保护膜；然后在上下两侧分别贴合上辅助热压膜和下辅助热压膜，再进行成品热压操作，并将经过成品热压操作后的半成品上的上辅助热压膜和下辅助热压膜揭除；其中，成品热压温度在120-200℃，压力区间为70-150kg，时间为120-180秒。7.根据权利要求4所述的采用激光切割生产柔性电路板的制备工艺，其特征在于：在步骤s5后还包括s6，步骤s6中，将步骤s5处理后的半成品经过影像拍照传送至图像机构处进行检测，然后对检验后的成品进行打码出料。8.根据权利要求4所述的采用激光切割生产柔性电路板的制备工艺，其特征在于，采用了一种柔性激光电路板的制备系统，所述柔性激光电路板的制备系统包括按工序依次设置的上料预贴膜模组、激光蚀刻模组、排废活性清洁假贴热压模组、组合热压模组、激光开窗模组、排废打标检验出料模组；将铜箔基层导入所述上料预贴膜模组后，进行步骤s1的操作；将步骤s1中处理后的半成品从上料预贴膜模组中引出传送至激光蚀刻模组中，进行步骤s2的操作；然后将步骤s1处理后的半成品从所述激光蚀刻模组引出传送至排废活性清洁假贴热压模组中，进行步骤s3的操作；
然后将步骤s3处理后的半成品从所述排废假贴热压模组中引出传送至组合热压模组中，进行步骤s4的操作；然后将步骤s4处理后的半成品从所述组合热压模组中引出传送至激光开窗模组中，进行步骤s5的操作；然后将步骤s5处理后的半成品从所述激光开窗模组中引出传送至排废打标检验出料模组中，进行步骤s6的操作。9.根据权利要求9所述的采用激光切割生产柔性电路板的制备工艺，其特征在于：所述上料预贴膜模组包括传送通路一以及与所述传送通路一对应的若干个放料转辊一和撕膜转辊一，所述传送通路一上还设置有吸风机构一；或/和，所述激光蚀刻模组包括传送通路二，所述传送通路二上设置有吸风传送平台一，所述吸风传送平台一上设置与所述吸风传送平台一对应的激光蚀刻机；或/和，所述排废假贴热压模组包括传送通路三，以及与所述传送通路三对应的若干个放料转辊三和撕膜转辊三，以及实现下层假热压的下层热压转辊组、实现上层假热压的上层热压转辊组、实现上下两侧均热压的双侧热压转辊组；或/和，所述组合热压模组包括传送通路四，以及与所述传送通路四对应的若干个放料转辊四和撕膜转辊四，以及实现成品热压的对开式成品热压机构；或/和，所述激光开窗模组包括传送通路五，以及与所述传送通路五对应的激光开窗机；或/和，所述排废打标校验出料模组包括传送通路六，以及与所述传送通路六对应的图像机构校验机构、打码机构、若干个排废转辊六。10.根据权利要求6所述的采用激光切割生产柔性电路板的制备工艺，其特征在于：所述哑膜包括聚酯薄膜，聚酯薄膜上设置有阻热基膜，所述聚酯薄膜和阻热基膜之间设置有耐高温粘胶层；或/和，所述双层保护膜包括基膜和聚酯薄膜，且所述基膜和底膜之间设置有耐高温粘胶层；或/和，下覆盖膜和上覆盖膜采用的是与热敏胶膜层；或/和，下层保护膜和上层保护膜，所述下层保护膜和上层保护膜与所述单层保护膜采用的是聚酯薄膜为基材，且单面涂覆有亚克力胶层；或/和，上辅助热压膜和下辅助热压膜采用的聚酯薄膜为基材，并在双面涂布有离型剂层。

技术总结
本发明公开了一种采用激光切割生产柔性电路板的制备系统及制备工艺，属于新能源/半导体领域，包括以下步骤：S1，上料并附加保护层；导入铜箔基层，并在铜箔基层的上表面和下表面分别贴合保护层；S2，对步骤S1处理后的半成品进行激光切割出线路结构；S3，对步骤S2处理后的半成品进行排废处理、铜箔表面活性处理清洁并进行假贴热压；S4，对步骤S3处理后的半成品进行组合热压；S5，对步骤S4处理后的半成品进行开窗操作；S6,对步骤S5处理后的半成品进行检测和标识。本发明公开的采用激光切割生产柔性电路板的制备系统及制备工艺，能通过激光加工的方式进行柔性电路板的生产，确保质量和寿命的情况下使柔性电路板的加工更便捷，无污染，低能耗。低能耗。低能耗。


技术研发人员：王通刚
受保护的技术使用者：淮安麦禾田新材料科技有限公司
技术研发日：2023.05.18
技术公布日：2023/7/27