半导体工件盒的制作方法

1.本技术涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体工件盒。


背景技术：

2.半导体工件盒，是一种将半导体工件进行转运或进行湿法处理的专用物料器具。所述半导体工件，可以是硅盘、硅环、硅电极等半成品工件。所述湿法处理可以是蚀刻等。半导体工件盒在本领域中，一般也称为花篮。
3.现有技术中的蚀刻用的花篮，大多是将半导体工件竖直放置于花篮，即花篮是竖直放置型花篮。这种放置方式，对于大直径的半导体工件（例如直径大于370mm的半导体工件）而言，由于直径大，半导体工件在竖直方向上的尺寸比较大，蚀刻用的药液深度较大，花篮由蚀刻槽转出至清洗槽的用时增加，这会导致半导体工件顶部脱离蚀刻液的部分不能及时（一般要求5s以内）得到清洗，药液残留导致表面质量不良；同时需要定制较深的蚀刻槽，以保证蚀刻液面高度，所需的药液量多，成本高；另外还容易出现半导体工件不同半径处蚀刻不均匀而导致的质量问题。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术实施例为解决背景技术中存在的部分或全部问题，而提供一种半导体工件盒。
5.为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的：第一方面，本技术实施例提供一种半导体工件盒，包括半导体工件夹持部和取放施力部；其中，所述取放施力部，配置为接受人手或机械手在竖直方向上的施力以实现将所述半导体工件夹持部放入湿法处理设备中或从所述湿法处理设备中取出；所述半导体工件夹持部，与所述取放施力部连接；所述半导体工件夹持部内包括用于容纳半导体工件的容纳空间，所述容纳空间的厚度方向与所述竖直方向平行。此时湿法处理设备中药液深度与半导体工件厚度相关，大大减小了设备容器深度及药液深度；从竖直方向取出该半导体工件盒的行程距离、用时均减少，半导体工件能及时得到清洗，避免了质量问题，同时提高了工作效率。
6.可选地，所述半导体工件夹持部包括：底座；至少两个夹持座，安装于所述底座上；各个所述夹持座在垂直于竖直方向的平面上相对分布，以夹持住所述半导体工件；所述夹持座围成所述容纳空间。通过底座和夹持座的设置，可以更好地夹持半导体工件，且结构简单。
7.可选地，所述夹持座包括有滚轮，所述滚轮可水平转动，至少其中一个所述滚轮作为摩擦驱动轮，以夹持并驱动半导体工件水平转动。这样，可以使蚀刻更均匀，且结构简单。
8.可选地，所述滚轮的外周面开设有朝向所述容纳空间的夹持槽，所述夹持槽用于
夹持半导体工件的外缘，以限制所述半导体工件在竖直方向上的位置；所述夹持槽的形状为预设形状，以使得所述夹持槽的内侧壁与半导体工件外缘的角部相抵，进而避免损伤所述半导体工件。
9.可选地，所述预设形状为：所述夹持槽为自外向内逐渐变小的v形槽。v形槽可以使夹持槽的内侧壁与半导体工件的角部相抵，且加工成本低。
10.可选地，所述预设形状为：所述夹持槽为内侧壁带外凸弧面的异形槽。相比v形槽的内侧壁为平面，内侧壁为弧面的异形槽，使得半导体工件进入夹持槽的深度较浅。由此，可以减少夹持槽及夹持槽所属的滚轮对半导体工件进行湿法处理的阻挡，提高湿法处理效果；也可以减少对喷气机构喷出气体的阻挡，更好地清除在湿法处理中产生的废物质。
11.可选地，还包括：喷气机构，用于通过输出预设气体剥离半导体工件表面残留的废物质；所述喷气机构包括：喷气管，一端伸入所述半导体工件的下方；所述喷气管设置有若干朝向所述半导体工件的喷气嘴。喷气机构可以通过输出预设气体剥离半导体工件表面残留的废物质，提高蚀刻质量。
12.可选地，所述喷气嘴设置为：具备预设形状的流道，使得自所述喷气嘴喷出的气体呈扇形，进而使得若干所述喷气嘴喷出的气体至少能在所述半导体工件的径向上覆盖所述半导体工件的下表面。
13.可选地，所述喷气嘴包括：出气孔，横截面面积自内向所述喷气嘴的出气端逐渐变小；导气槽，自所述喷气嘴的出气端向内凹陷；所述导气槽的至少两个相对的内侧壁的间距自所述喷气嘴的出气端向内逐渐变小，并在最小处与所述出气孔相接。从流体力学原理上，增加喷出气体的气压和流速。
14.可选地，所述喷气管的另一端可转动地安装于所述半导体工件夹持部，以避免装载工件时产生干涉。
15.本技术实施例提供的半导体工件盒，通过将半导体工件盒的结构设置为：半导体工件在湿法处理中是处于水平放置状态，减少了竖直方向的尺寸，有利于保证蚀刻质量，同时减少了蚀刻的药液的液面高度，减少了药液用量，降低了成本。
16.本技术更多的特征和有益效果将在下面的具体实施方式中继续介绍，部分特征和有益效果将在具体实施方式的描述中变得更明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
17.此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为本技术实施例提供的半导体工件盒的示意图；图2为半导体工件的示意图；图3为本技术实施例提供的半导体工件盒中夹持槽的示意图一；图4为本技术实施例提供的半导体工件盒中夹持槽的示意图二；图5为本技术实施例提供的半导体工件盒中的半导体工件、夹持槽及喷气管的位
置示意图；图6为图1中a处的局部放大示意图。
18.附图标记说明：10、底座；20、夹持座；21、滚轮；211、夹持槽；30、动力部件；40、喷气机构；41、喷气管；42、喷气嘴；421、v形导向槽；50、半导体工件；60、取放施力部。
具体实施方式
19.为使本技术的技术方案和有益效果能够更加明显易懂，下面通过列举具体实施例的方式进行详细说明。其中，附图不一定是按比例绘制的，局部特征可以被放大或缩小，以更加清楚的显示局部特征的细节；除非另有定义，本文所使用的技术和科学术语与本技术所属的技术领域中的技术和科学术语的含义相同。
20.在本技术的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“高度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于本技术的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，即不能理解为对本技术的限制。
21.在本技术中，术语“第一”、“第二”仅用于描述清楚的目的，不能理解为所指示特征的相对重要性或所指示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等；“若干个”的含义是至少一个，例如一个、两个、三个等；另有明确具体的限定的除外。
22.在本技术中，除非另有明确的限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”、“设置”等应做广义理解。例如，“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
23.在本技术中，除非另有明确的限定，第一特征在第二特征“上”、“之上”、“上方”和“上面”、“下”、“之下”、“下方”或“下面”可以是第一特征和第二特征直接接触，或第一特征和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可以是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征的水平高度高于第二特征的水平高度。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征的水平高度小于第二特征的水平高度。
24.为彻底理解本技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本技术的技术方案。本技术的较佳实施例详细描述如下，然而除这些详细描述外，本技术还可以具有其它实施方式。
25.针对现有技术中的技术问题，本技术实施例提供一种半导体工件盒，如图1所示，半导体工件盒包括半导体工件夹持部和取放施力部60；其中，取放施力部60，配置为接受人手或机械手在竖直方向上的施力，以实现将半导体工件夹持部放入湿法处理设备中或从湿法处理设备中取出；半导体工件夹持部，与取放施力部60连接；半导体工件夹持部内包括用于容纳半
导体工件50的容纳空间，容纳空间的厚度方向与竖直方向平行。
26.本实施例中，半导体工件盒应用于湿法处理设备，更具体地是应用于蚀刻设备中。半导体工件50呈片状，可以是环形半导体工件，例如硅环；也可以是盘形半导体工件，例如硅盘、硅电极等。在本实例中以硅环为例进行说明。
27.可以理解地，半导体工件盒以及装载在半导体工件盒内的半导体工件50是浸没在蚀刻的药液中的。基于重力的原因，药液的液面是水平方向的。因此，在正常的工作中，容纳药液的药液槽的底壁可以是水平方向的，侧壁可以是竖直方向的，即上下方向。也因为如此，人手或机械手将半导体工件夹持部放入湿法处理设备中或从湿法处理设备中取出的方向是竖直方向的。
28.可以理解地，容纳空间的厚度方向与竖直方向平行，可以说明在蚀刻中，半导体工件水平放置。具体地，容纳空间是容纳半导体工件的空间，即当半导体工件位于半导体工件盒内的时候，半导体工件所占用的位置就是容纳空间。因此，容纳空间和半导体工件形状是对应的，例如硅环，是扁平的圆环形的，径向尺寸远大于轴向尺寸，可以确定地分辨出硅环的厚度方向，而该方向即为容纳空间的厚度方向。由于本实施例设置为：厚度方向与竖直方向平行，则可以说明该容纳空间的径向为水平方向，也就说明半导体工件水平放置。
29.具体地，容纳空间的厚度方向可以是图1所示的上下方向。
30.本技术实施例提供的半导体工件盒，通过将半导体工件盒的结构设置为：半导体工件在湿法处理中是处于水平放置状态，减少了竖直方向的尺寸，进而减少了蚀刻药液的液面高度，减少了药液用量，降低了成本。
31.还有，如图2所示，半导体工件50往往有台阶，台阶的尺寸可以是t。这样，在竖直放置时，容易出现重心与支撑处不对应，进而在蚀刻中，容易使半导体工件50向一侧晃动，增加崩边风险。而本技术实施例提供的半导体工件盒，设置了使半导体工件水平放置的结构，能解决重心与支撑处不对应的问题。能够理解，水平放置时，可以有台阶的一侧朝上，也可以没有台阶的一侧朝上。
32.再有，对于大直径半导体工件50来说，竖直放置在药液中，放入深度比较深，在移槽中，将半导体工件50从药液中全部取出花费的时间也比较多，不利于残留药液的清洗。移槽是指蚀刻结束后，半导体工件盒离开药液槽，移动到其它槽，例如清洗槽等。而本技术的半导体工件盒，设置了半导体工件50水平放置的相应结构，减少了移槽的工序时间。
33.在一些实施例中，半导体工件夹持部包括：底座10；至少两个夹持座20，可拆卸地安装于底座10上；各个夹持座20在垂直于竖直方向的平面上相对分布，以夹持住半导体工件50；夹持座20围成容纳空间。
34.本实施例中，垂直于竖直方向的平面为水平面。夹持座20在垂直于竖直方向的平面上相对分布，与半导体工件50的水平放置相对应，以利于夹持座20对水平放置的半导体工件50进行夹持。通过底座10和夹持座20的设置，可以更好地夹持半导体工件50，且结构简单。
35.夹持座20在水平面上相对分布，可以在水平面上围绕半导体工件50均匀分布。例如设置两个夹持座20，分别在半导体工件50的相对两侧，即两个夹持座20间隔180度分布；例如设置三个夹持座20，三个夹持座20间隔120度分布。图1示出的是设置三个夹持座20，且
在水平面上均匀分布的情况。这样，夹持及驱动力更均匀，夹持及驱动更稳定。
36.具体地，夹持座20可拆卸地安装在底座10上，且夹持座20在底座10上的位置可调，以实现夹持座20相互之间的距离的调节，以更好地夹持半导体工件50及适应不同尺寸的半导体工件。位置可调实现的方式有很多，例如夹持座20通过螺钉螺母固定在底座10上，底座10上开设有腰形孔等。能够理解，夹持座20在底座10上的位置可调，可以是全部的夹持座20位置可调，也可以仅仅其中一个位置可调，以能实现夹持多种尺寸的半导体工件为准。
37.底座10可以是放置于药液槽底部，起到支撑半导体工件盒等其它零部件的作用。例如，用于支撑夹持座20、动力部件30以及喷气机构40等。
38.具体地，取放施力部60可以包括：立柱，一端固定在底座10上，另一端向上延伸；横梁，固定在立柱的上端。
39.具体实施中，取放施力部60可以设置两个，在底座10的周向均匀分布。每个取放施力部60均设置有两个立柱，两个立柱的上端分别连接横梁的两端。取放施力部60通过立柱和横梁，形成倒u形，便于人工或机械手施力进行取放。可以理解，取放施力部60也可以呈t形，或者倒l形等易于抓取的形状。
40.在一些实施例中，夹持座20包括有滚轮21，滚轮21可水平转动，至少其中一个所述滚轮作为摩擦驱动轮，以夹持并驱动半导体工件50水平转动。
41.滚轮21可水平转动，是指滚轮21的转动轴线是竖直方向的。滚轮21夹持并驱动水平放置的半导体工件50水平转动，是指半导体工件50沿自身轴线（竖直方向）转动，而摩擦驱动轮在半导体工件50的边缘通过摩擦力驱动半导体工件50的转动。这样，可以使蚀刻更均匀，且结构简单。
42.可以理解地，至少其中的一个滚轮为摩擦驱动轮，其它的滚轮为起到夹持和跟随转动的作用。也可以是所有的滚轮均为摩擦驱动轮，这样，驱动力更大。
43.可以理解地，在半导体工件50水平放置且转动的情况下，与半导体工件50的内、外缘接触的药液的深度基本是一样的，减少了重力的影响。即使因为工件直径较大，内、外缘的线速度差异较大的情况下，也不会导致内、外缘的化学反应速率差异大，减少重力对蚀刻中化学反应速率的影响，可以解决大直径工件的内缘和外缘在蚀刻后出现明显色差的问题。
44.具体地，夹持座20可以在竖直方向上设置若干滚轮21，以夹持并驱动若干半导体工件50。
45.在一些实施例中，滚轮21的外周面开设有朝向容纳空间的夹持槽211，夹持槽211用于夹持半导体工件50的外缘，以限制半导体工件50在竖直方向上的位置；夹持槽211的形状为预设形状，以使得夹持槽211的内侧壁与半导体工件50外缘的角部相抵，进而避免损伤半导体工件50。
46.在未设置夹持槽211时，滚轮21通过径向的夹持，限制半导体工件50的径向位置，而竖直方向，即上下方向的位置并未限制。因此，通过设置夹持槽211，能够限制半导体工件50在竖直方向上的位置，使半导体工件50的位置更稳定，进而使蚀刻质量更稳定。
47.由于半导体工件50是环形的，因此半导体工件50水平放置时，可以用径向来表示水平方向。
48.夹持槽211的内侧壁与半导体工件50的角部相抵可以参见图3和图4。
49.通过设置夹持槽211，并且设置为角部相抵，可以达成：一方面，夹持槽211可以限制半导体工件50轴向的自由度，即限制半导体工件50在竖直方向上的位置；另一方面，也可以减少半导体工件50上下表面的相抵面积，减少半导体工件50的损伤。可以理解地，半导体工件50外缘的角部可以有倒角或倒圆处理，这样，夹持槽211和半导体工件50的相抵面积不会仅仅一条线，可以是一个面，或多条线，在不损坏半导体工件50上下表面的同时，增加相抵面积，即接触面积，可以增加摩擦力。
50.在一些实施例中，如图3和图4所示，预设形状为：夹持槽211为自外向内逐渐变小的v形槽（即旋转90度的v形，或者可称为“小于号”形状的槽）。
51.由于v形槽为“小于号”形状的槽，v形槽包括两个上下分布的内侧壁。而半导体工件50的纵截面的形状是矩形，即在竖直方向（即附图中的上下方向）有两个角部，分别是侧壁与顶表面和底表面相交形成，可以称为上角部和下角部，上角部和下角部分别与v形槽的两个上下分布的内侧壁相抵，参见图3。所述纵截面为沿竖直方向切割半导体工件50而成的形状。
52.在一些实施例中，预设形状为：夹持槽211为内侧壁带外凸弧面的异形槽，参见图4，同v形槽类似，上述异形槽也可以使夹持槽211的内侧壁与半导体工件50的角部相抵，其中异形槽外凸半径根据半导体工件50的直径、厚度等尺寸以及所设置夹持槽211的数量等来设置，使其能够支承半导体工件50即可。相比v形槽，异形槽的圆弧面外凸，使得半导体工件50进入夹持槽211的深度较浅。由此，可以减少夹持槽211及夹持槽211所属的滚轮21对半导体工件50进行湿法处理的阻挡，提高湿法处理效果，也可以减少对喷气机构（参见下面介绍）喷出气体的阻挡，更好地清除在湿法处理中产生的废物质。
53.能够理解，预设形状也可以是其它使夹持槽211的内侧壁与半导体工件50的角部相抵的形状。
54.在一些实施例中，对于作为摩擦驱动轮的滚轮21，对应的夹持槽211的内侧壁的表面粗糙度可以是ra30微米-ra100微米，其它滚轮21对应的夹持槽211的内侧壁的表面粗糙度可以小于ra30微米。
55.由于作为摩擦驱动轮的滚轮21通过摩擦力驱动半导体工件50转动，因此，对夹持槽211的内侧壁的表面粗糙度设置一定的量化要求，可以使半导体工件50的转动更稳定，减少打滑等情况。具体实施中，表面粗糙度可以设置为ra48微米。这样，既能产生较好的摩擦力，加工成本也低。
56.在一些实施例中，夹持槽211的内侧壁的表面硬度可以是hrc55-65。
57.这样，夹持槽211的内侧壁更耐磨，使用寿命长。具体地，夹持槽211的内侧壁的材料可以是聚四氟乙烯（poly tetra fluoro ethylene，ptfe）。ptfe俗称“塑料王”，是一种以四氟乙烯作为单体聚合制得的高分子聚合物，化学式为（c2f4）n，耐热、耐寒性优良，可在-180～260
º
c长期使用。这种材料具有抗酸抗碱、抗各种有机溶剂的特点，几乎不溶于所有的溶剂。在实际生产中，夹持槽211的内侧壁的材料可以是其它耐腐蚀耐磨的高分子材料，例如经过改性的聚偏二氟乙烯（pvdf，polyvinylidene difluoride）、聚乙烯（polyethylene，pe）等，通过改性使其满足硬度要求。高分子材料改性技术属于现有技术，在此不再赘述。
58.在一些实施例中，半导体工件盒还可以包括：
动力部件30，用于驱动摩擦驱动轮的转动；至少有一个夹持座20设置有动力部件30，动力部件30的动力输出端连接作为摩擦驱动轮的滚轮21。
59.具体地，动力部件30可以是电机。电机的输出轴与滚轮21的转轴联动，例如通过联轴器或离合器联接。动力部件30可以仅在一个夹持座20设置，一个夹持座20的滚轮21转动，可以带动半导体工件50转动，进而带动其它夹持座20的滚轮21转动。在必要情况下，也可以在若干夹持座20上分别设置动力部件30，这样，动力更强。
60.在一些实施例中，半导体工件盒还可以包括：喷气机构40，用于通过输出预设气体剥离半导体工件50表面残留的废物质；喷气机构40包括：喷气管41，一端伸入半导体工件50的下方；喷气管41设置有若干朝向半导体工件50的喷气嘴42。
61.预设气体可以是一种惰性气体，例如氮气。半导体工件50表面残留的废物质可以是蚀刻的化学反应产生的废气，喷气机构40通过输出预设气体加速剥离半导体工件50表面的废气。可以理解地，输出的预设气体是有一定的气压的，通过气压形成气体的喷射，剥离废气。
62.喷气管41用于输送气体，一端伸入半导体工件50的下方，另一端连接气源，例如气泵等。在本实施例的蚀刻中，半导体工件50可以水平方向转动，因此喷气管41喷出的预设气体只需覆盖半导体工件50的径向，而无需覆盖周向。但喷气嘴42的喷射受到喷射方向、喷射气压等限制，只能覆盖半导体工件50在径向的部分长度，因此为了覆盖半导体工件50的整个径向，需要在径向上设置若干喷气嘴42。并且，半导体工件50也有多种尺寸规格，因此，从这个情况说，也需要设置若干喷嘴，以适应更多的半导体工件50。
63.具体地，喷气管41可以安装于夹持座20上。例如将喷气管41的侧壁安装于夹持座20的外侧壁。能够理解，也可以设置其它的支架，用于安装喷气管41。其它的支架，可以与夹持座20间隔设置。
64.在其它一些实施例中，当蚀刻过程中半导体工件50不转动时，可以通过增加喷气管喷出气体的幅度，以及增加喷气管的数量，使得喷气管喷出的气体能覆盖半导体工件50的周向的全部。
65.在一些实施例中，喷气嘴42设置为：具备预设形状的流道，使得自喷气嘴42喷出的气体呈扇形，进而使得若干喷气嘴42喷出的气体至少能在半导体工件50的径向上覆盖半导体工件50的下表面，参见图5。
66.可以理解地，喷气嘴42沿半导体工件50的直径分布，即沿喷气管41的轴向分布，且相邻喷气嘴42之间有一定的间距。因此，通过喷气嘴42流道的设计，使自喷气嘴42喷出的气体呈扇形。这样，相邻的喷气嘴42喷出的气体相接或相交，能从径向上全面覆盖半导体工件50的下表面。能够使气体呈扇形的预设流道有很多，在此不作限定。
67.示例的，喷气嘴42喷出的气体的扇形角度可以为30度、45度、65度、90度、120度等任意角度，结合相邻喷气嘴42的距离、喷气嘴42与半导体工件50下表面的距离等，使喷出的气体在转动过程中能够覆盖半导体工件50的下表面即可。
68.扇形角度在图5中标识为b。具体地，喷气嘴42的布设数量可以是2-5个，例如2个、3个、4个、5个等，在具体实施中，喷气嘴42喷出的气体的扇形角度可以是65度，布设数量可以
是3个。
69.在一些实施例中，最接近夹持座20的喷气嘴42可以距离夹持座20 30-50mm，例如30mm、32mm、34mm、36mm、38mm、40mm、42mm、44mm、46mm、48mm、50mm等；相邻喷气嘴42之间的间距为34-54mm，例如34mm、36mm、38mm、40mm、42mm、44mm、46mm、48mm、50mm、52mm、54mm等。
70.由上可见，夹持槽211为内侧壁带外凸弧面的异形槽的情况下，夹持槽211对喷气机构喷出气体的阻挡更少，能更好地清除在湿法处理中产生的废物质。
71.进一步地，在考虑设置喷气嘴42与夹持座20之间的距离时，也可以考虑异形槽的弧度大小。弧度越小，喷气嘴42与夹持座20之间的距离的范围可以越大，参见图5。
72.接近夹持座20的喷气嘴42，可以称之为第一喷气嘴42。第一喷气嘴42与夹持座20的距离设置，既能从径向上覆盖半导体工件50的下表面，也能减少对夹持座20的影响；并且在半导体工件50的没有台阶的一侧朝上的情况下，更适合台阶厚度10mm以内的半导体工件50，图2示出的为台阶厚度10mm的半导体工件50，即t=10mm。半导体工件50的台阶厚度大多在5mm左右，超过10mm的很少。在具体实施中，第一喷气嘴42可以距离夹持座20 40mm。这是在喷气嘴42喷出的气体的扇形角度为65度的情况下，更适配的一个设置。能够理解，台阶厚度大于10mm的情况下也可以使用本技术实施例的喷气机构40。
73.而相邻喷气嘴42之间的间距设置，可以在径向上覆盖半导体工件50的下表面的同时，也使喷气嘴42有足够的气压。在具体实施中，相邻喷气嘴42之间的间距可以是44mm。这是在喷气嘴42喷出的气体的扇形角度为65度的情况下，更适配的一个设置。
74.在一些实施例中，喷气嘴42包括：出气孔，横截面面积自内向喷气嘴42的出气端逐渐变小；导气槽，自喷气嘴42的出气端向内凹陷；导气槽的至少两个相对的内侧壁的间距自喷气嘴42的出气端向内逐渐变小，并在最小处与出气孔相接。
75.即出气孔自内向外逐渐变小。根据流体力学相关原理，气体压力增加、流速增加，有利于实现预设的扇形角度和气压。出气孔自内向外逐渐变小，可以是整个孔的逐渐变小，也可以是相对的两个侧壁逐渐变小，例如形成一个v形等。
76.导气槽的至少两个相对的内侧壁的间距自喷气嘴42的出气端向内逐渐变小，也就是自内向外逐渐变大，和出气孔相反。因此，两者相接处，也就是各自的最小处。
77.这样，从出气孔喷出的气压高、流速快的气体，进入导气槽后，会逐渐发散，形成扇形喷射轨迹。同出气孔一样，导气槽自内向外逐渐变大，可以是两个相对的内侧壁的间距逐渐变大，也可以是整个槽逐渐变大。两个相对的内侧壁的间距逐渐变大的情况，也可以形成一个v形。在出气孔和导气槽的形状都是类似v形的情况下，两者的两个相对的内侧壁的朝向需要一致。具体实施中，出气孔和导向槽均可以是v形。v形导向槽421可以参见图6，v形出气孔未在图中示出。这样，既能起到作用，而且结构简单、加工成本低。
78.可以理解地，同滚轮21对应，喷气管41也可以在上下方向设置若干，即可以对若干半导体工件50进行喷气，以剥离若干半导体工件50表面残留的废物质。具体实施中，滚轮21和喷气管41均可以是在上下方向设置两个。这样，既能充分利用药液槽的空间，也不至于因为增加太多深度而增加移槽时间。
79.应当理解，以上实施例均为示例性的，不用于包含权利要求所包含的所有可能的实施方式。在不脱离本公开的范围的情况下，还可以在以上实施例的基础上做出各种变形
和改变。同样的，也可以对以上实施例的各个技术特征进行任意组合，以形成可能没有被明确描述的本技术的另外的实施例。因此，上述实施例仅表达本技术的几种实施方式，不对本技术专利的保护范围进行限制。

技术特征：
1.一种半导体工件盒，其特征在于，包括半导体工件夹持部和取放施力部；其中，所述取放施力部，配置为接受人手或机械手在竖直方向上的施力，以实现将所述半导体工件夹持部放入湿法处理设备中或从所述湿法处理设备中取出；所述半导体工件夹持部，与所述取放施力部连接；所述半导体工件夹持部内包括用于容纳半导体工件的容纳空间，所述容纳空间的厚度方向与所述竖直方向平行。2.根据权利要求1所述的半导体工件盒，其特征在于，所述半导体工件夹持部包括：底座；至少两个夹持座，安装于所述底座上；各个所述夹持座在垂直于竖直方向的平面上相对分布，以夹持住所述半导体工件；所述夹持座围成所述容纳空间。3.根据权利要求2所述的半导体工件盒，其特征在于，所述夹持座包括有滚轮，所述滚轮可水平转动，至少其中一个所述滚轮作为摩擦驱动轮，以夹持并驱动半导体工件水平转动。4.根据权利要求3所述的半导体工件盒，其特征在于，所述滚轮的外周面开设有朝向所述容纳空间的夹持槽，所述夹持槽用于夹持半导体工件的外缘，以限制所述半导体工件在竖直方向上的位置；所述夹持槽的形状为预设形状，以使得所述夹持槽的内侧壁与半导体工件外缘的角部相抵，进而避免损伤所述半导体工件。5.根据权利要求4所述的半导体工件盒，其特征在于，所述预设形状为：所述夹持槽为自外向内逐渐变小的v形槽。6.根据权利要求4所述的半导体工件盒，其特征在于，所述预设形状为：所述夹持槽为内侧壁带外凸弧面的异形槽。7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体工件盒，其特征在于，还包括：喷气机构，用于通过输出预设气体剥离半导体工件表面残留的废物质；所述喷气机构包括：喷气管，一端伸入所述半导体工件的下方；所述喷气管设置有若干朝向所述半导体工件的喷气嘴。8.根据权利要求7所述的半导体工件盒，其特征在于，所述喷气嘴设置为：具备预设形状的流道，使得自所述喷气嘴喷出的气体呈扇形，进而使得若干所述喷气嘴喷出的气体至少能在所述半导体工件的径向上覆盖所述半导体工件的下表面。9.根据权利要求8所述的半导体工件盒，其特征在于，所述喷气嘴包括：出气孔，横截面面积自内向所述喷气嘴的出气端逐渐变小；导气槽，自所述喷气嘴的出气端向内凹陷；所述导气槽的至少两个相对的内侧壁的间距自所述喷气嘴的出气端向内逐渐变小，并在最小处与所述出气孔相接。10.根据权利要求7所述的半导体工件盒，其特征在于，所述喷气管的另一端可转动地安装于所述半导体工件夹持部。

技术总结
本申请涉及一种半导体工件盒，属于半导体技术领域。半导体工件盒包括半导体工件夹持部和取放施力部；其中，取放施力部，配置为接受人手或机械手在竖直方向上的施力以实现将半导体工件夹持部放入湿法处理设备中或从湿法处理设备中取出；半导体工件夹持部，与取放施力部连接；半导体工件夹持部内包括用于容纳半导体工件的容纳空间，容纳空间的厚度方向与竖直方向平行。本申请提供的半导体工件盒，降低了成本。成本。成本。


技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：新美光（苏州）半导体科技有限公司
技术研发日：2023.06.28
技术公布日：2023/8/1