显示基板及其制备方法和显示面板与流程

1.本发明属于显示领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法和显示面板。


背景技术：

2.液晶显示器(lcd，liquid crystal display)，因其具有体积小，厚度薄、重量轻、耗能少、工作电压低、无辐射等优点，备受人们青睐。


技术实现要素：

3.本发明针对公共电极进行退火工艺后导致金属辅助电极发生氧化，使液晶面板出现显示不良的问题，提供一种显示基板及其制备方法和显示面板。该显示基板能使第一电极和保护层的退火工艺并不会对辅助电极造成氧化，从而使辅助电极的电阻不会因被氧化而增大，进而避免显示基板出现显示不良。
4.本发明实施例提供一种显示基板，包括基板、第一电极和辅助电极，
5.所述第一电极位于所述基板的一侧，
6.所述辅助电极位于所述第一电极的背离所述基板的一侧，所述辅助电极在所述基板上的正投影位于所述第一电极在所述基板上的正投影区域内，且所述辅助电极与所述第一电极接触并连接；
7.所述第一电极采用非金属透明导电材料；
8.所述辅助电极采用金属或者金属合金材料；
9.还包括保护层，位于所述辅助电极的背离所述基板的一侧，所述保护层在所述基板上的正投影位于所述第一电极在所述基板上的正投影区域内，
10.所述保护层至少包覆所述辅助电极，且所述保护层与所述辅助电极和所述第一电极分别接触并连接，
11.所述保护层采用非金属透明导电材料。
12.可选地，所述保护层在所述基板上的正投影与所述第一电极在所述基板上的正投影重合。
13.可选地，所述保护层在所述基板上的正投影面积大于所述辅助电极在所述基板上的正投影面积；
14.且所述保护层在所述基板上的正投影面积小于所述第一电极在所述基板上的正投影面积。
15.可选地，还包括绝缘层和多个第二电极，
16.所述多个第二电极位于所述辅助电极的背离所述基板的一侧，所述绝缘层位于所述多个第二电极与所述辅助电极之间；或者，所述多个第二电极位于所述第一电极与所述基板之间，所述绝缘层位于所述多个第二电极与所述第一电极之间；
17.所述多个第二电极排布呈阵列，所述多个第二电极与所述第一电极在所述基板上的正投影交叠，
18.所述辅助电极在所述基板上的正投影位于所述多个第二电极在所述基板上正投影之间的间隔中。
19.可选地，所述基板包括基底、多条数据线和多条扫描线，
20.所述多条数据线和所述多条扫描线位于所述基底同一侧的不同层，且所述多条数据线和所述多条扫描线在所述基底上的正投影位于所述多个第二电极在所述基底上正投影之间的间隔中，
21.所述多条扫描线分别沿第一方向延伸，所述多条数据线分别沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相交；
22.所述辅助电极在所述基底上的正投影与所述数据线和/或所述扫描线在所述基底上的正投影至少局部交叠。
23.可选地，所述基板还包括多个开关管，所述多个开关管位于所述基底的一侧，且所述多个开关管在所述基底上的正投影分别位于所述扫描线和所述数据线在所述基底上正投影的交叉位置处，
24.所述开关管的栅极电连接所述扫描线，所述开关管的第一极电连接所述数据线，所述开关管的第二极电连接所述第二电极；
25.所述辅助电极在所述基底上的正投影与所述开关管的有源层和/或所述栅极和/或所述第一极和/或所述第二极在所述基底上的正投影至少局部交叠。
26.可选地，所述第二电极采用非金属透明导电材料；
27.所述非金属透明导电材料包括氧化铟锡或者氧化铟锌；
28.所述金属材料包括铜、铝、钛、钼、镍中的任意一种金属；
29.所述金属合金材料包括铜、铝、钛、钼、镍中的任意两种或者两种以上的金属合金。
30.可选地，所述第一电极和所述保护层采用相同的材料。
31.本发明还提供一种显示面板，包括上述显示基板。
32.本发明还提供一种上述显示基板的制备方法，包括：在基板的一侧形成第一电极的膜层；
33.在所述第一电极的膜层的背离所述基板的一侧形成辅助电极的图形；
34.在所述辅助电极的背离所述基板的一侧形成保护层的膜层；
35.形成所述第一电极的图形和所述保护层的图形；
36.对所述第一电极的图形和所述保护层的图形进行退火工艺。
37.可选地，通过一次掩膜工艺同时形成所述第一电极的图形和所述保护层的图形。
38.可选地，通过一次掩膜工艺依次形成所述第一电极的图形和所述保护层的图形。
39.可选地，对所述第一电极的图形和所述保护层的图形同时进行退火工艺。
40.本发明的有益效果：本发明所提供的显示基板，辅助电极位于第一电极与保护层形成的夹层中，且被第一电极和保护层包裹，在第一电极和保护层的图形制备中，当制备形成辅助电极的图形后，再制备形成第一电极和保护层的图形，然后再对第一电极和保护层的图形进行退火工艺，如此使第一电极和保护层的退火工艺并不会对辅助电极造成氧化，从而使辅助电极的电阻不会因被氧化而增大，进而避免显示基板出现显示不良。
41.本发明所提供的显示基板的制备方法，辅助电极的图形被第一电极的膜层和保护层的膜层包裹，在制备形成辅助电极的图形后，再制备形成第一电极和保护层的图形，并对
第一电极和保护层的图形进行退火工艺，使第一电极和保护层的退火工艺并不会对辅助电极造成氧化，从而使辅助电极的电阻不会因被氧化而增大，进而避免显示基板出现显示不良。
42.本发明所提供的显示面板，通过采用上述显示基板，能避免该显示面板出现显示不良，提升该显示面板的显示效果。
附图说明
43.图1a为公开技术中一种阵列基板的局部结构俯视示意图；
44.图1b为沿图1a中aa＇剖切线的结构剖视图；
45.图1c为公开技术中另一种阵列基板的局部结构俯视示意图；
46.图1d为公开技术中在基板上形成公共电极膜层和辅助电极图形的结构剖视示意图；
47.图1e为公开技术中在形成辅助电极图形后再进行掩膜工艺形成公共电极图形的结构剖视示意图；
48.图1f为辅助电极在退火工艺后发生氧化的电子显微镜图；
49.图2a为本发明实施例中显示基板的局部结构俯视示意图；
50.图2b为沿图2a中bb＇剖切线的结构剖视示意图；
51.图3为辅助电极在退火工艺后未发生氧化的电子显微镜图；
52.图4a为本发明实施例显示基板的制备方法中步骤s101的结构示意图；
53.图4b为本发明实施例显示基板的制备方法中步骤s102的结构示意图；
54.图4c为本发明实施例显示基板的制备方法中步骤s103的结构示意图；
55.图4d为本发明实施例显示基板的制备方法中步骤s104的结构示意图；
56.图4e为本发明实施例显示基板的制备方法中步骤s105的结构示意图；
57.图4f为本发明实施例显示基板的制备方法步骤s106中沉积第二层非金属透明导电层后的结构示意图；
58.图4g为本发明实施例显示基板的制备方法步骤s106中形成第一电极和保护层的图形并进行退火工艺后的结构示意图；
59.图4h为本发明实施例显示基板的制备方法中步骤s107的结构示意图；
60.图4i为本发明实施例显示基板的制备方法中步骤s108的结构示意图。
61.其中的附图标记为：
62.1、基板；2、第一电极；3、辅助电极；4、保护层；5、绝缘层；6、第二电极；7、数据线；8、扫描线；9、开关管；91、栅极；92、第一极；93、第二极；94、有源层；95、栅绝缘层；10、基底；11、钝化层；12、平坦层；13、第一层非金属透明导电层；14、第二层非金属透明导电层；15、公共电极；16、像素电极；17、栅线；18、公共电极膜层。
具体实施方式
63.为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明一种显示基板及其制备方法和显示面板作进一步详细描述。
64.液晶面板由阵列基板和对盒基板对盒形成间隙，间隙中填充液晶。公开技术中，为
了实现液晶面板的宽视角或者广视角显示，ads(advanced super dimension switch，高级超维场转换技术)模式的液晶面板应用而生。
65.ads模式的液晶面板是指将控制液晶偏转的像素电极和公共电极都设置在阵列基板中，像素电极和公共电极叠置于基板上且二者之间通过设置绝缘层相互绝缘，像素电极和公共电极中距离基板较远的一者采用狭缝状电极设计，距离基板较近的另一者采用板状电极设计。
66.参照图1a和图1b，基板1包括基底10、依次设置在基底10上的像素电路和平坦层12，公共电极15和像素电极16依次叠置于平坦层12的背离基底10一侧的平整表面上方。考虑到液晶面板显示设计规格越来越高，在满足液晶面板高低频兼容设计的同时还需要持续提升开口率，这样的产品需要公共电极15具有更好的导电性能。
67.在一些实施例中，在基板中设置与像素电路中开关管的栅极同层的辅助电极，将该辅助电极与公共电极电连接，从而降低公共电极的电阻，提升公共电极的导电性能。参照图1c，与栅极同层的辅助电极3与栅线17并行排布，这会降低像素区的开口面积，另外，与栅极同层的辅助电极3还需要通过多个中间膜层后才能转接至与公共电极实现电连接，制备工艺复杂且难度高。
68.在一些实施例中，参照图1b，在公共电极15上制作金属材料的辅助电极3，辅助电极3与公共电极15直接接触并连接，相比于图1c中与栅极同层的辅助电极3，在提升像素开口率的同时还能降低公共电极15的电阻并提升公共电极15阻值的均匀性，有利于使液晶面板实现高低频刷新兼容并降低显示画面闪烁，提升液晶面板的显示效果。
69.但是采用图1b中的膜层设计工艺存在一定问题，金属材料的辅助电极3制作在公共电极15图形的上方，以使公共电极15的电阻降低；公共电极15采用氧化铟锡材料，由于公共电极15在形成图形后需进行退火工艺，以使公共电极15完成晶化，从而确保公共电极15具有较高的光线透过率，避免阵列基板出现黄mura不良；公共电极15进行退火工艺后，基板1不同区域的膜层表面会形成较大的应力差异，导致金属材料的辅助电极膜层沉积时发生膜层剥离，或者膜层沉积均匀性变差等问题。参照图1d、图1e和图1f，目前的一种改善方法是在公共电极膜层18沉积完成后先不进行掩膜工艺形成图形，而是在公共电极膜层18沉积完成后就进行金属材料辅助电极膜层的沉积，然后先进行金属辅助电极膜层的掩膜工艺形成辅助电极3的图形，再进行公共电极膜层18的掩膜工艺形成公共电极15的图形，这样可以规避金属辅助电极膜层沉积异常的问题。但是这种方法也存在缺点，因为公共电极的图形是在辅助电极3的图形形成后形成的，在公共电极15的图形形成后进行退火工艺时，暴露在公共电极15图形表面的金属辅助电极3容易发生氧化，导致辅助电极3的电阻增大或者阵列基板的表面形貌发生变化引起阵列基板失效等风险。如图1f为辅助电极在退火工艺后发生氧化的电子显微镜图。
70.另外，如果公共电极的图形形成后不进行退火工艺，则氧化铟锡材料的公共电极难以实现晶化，这会导致公共电极的透过率下降3％～5％，从而导致阵列基板的透过率偏低，甚至会发生阵列基板黄mura不良，严重影响液晶面板的透过率。
71.为了解决上述公共电极进行退火工艺后导致金属辅助电极发生氧化，使液晶面板出现显示不良的问题，本发明实施例提供一种显示基板，如图2a和图2b所示，包括基板1、第一电极2和辅助电极3，第一电极2位于基板1的一侧，辅助电极3位于第一电极2的背离基板1
的一侧，辅助电极3在基板1上的正投影位于第一电极2在基板1上的正投影区域内，且辅助电极3与第一电极2接触并连接；第一电极2采用非金属透明导电材料；辅助电极3采用金属或者金属合金材料；还包括保护层4，位于辅助电极3的背离基板1的一侧，保护层4在基板1上的正投影位于第一电极2在基板1上的正投影区域内，保护层4至少包覆辅助电极3，且保护层4与辅助电极3和第一电极2分别接触并连接，保护层4采用非金属透明导电材料。
72.其中，通过在第一电极2的一侧设置辅助电极3，能够降低第一电极2的电阻，从而提升第一电极2的导电性能。
73.本实施例中，辅助电极3位于第一电极2与保护层4形成的夹层中，且被第一电极2和保护层4包裹，在第一电极2和保护层4的图形制备中，当制备形成辅助电极3的图形后，再制备形成第一电极2和保护层4的图形，然后再对第一电极2和保护层4的图形进行退火工艺，如此使第一电极2和保护层4的退火工艺并不会对辅助电极3造成氧化，从而使辅助电极3的电阻不会因被氧化而增大，进而避免显示基板出现显示不良。
74.在一些实施例中，非金属透明导电材料包括氧化铟锡或者氧化铟锌；金属材料包括铜、铝、钛、钼、镍中的任意一种金属；金属合金材料包括铜、铝、钛、钼、镍中的任意两种或者两种以上的金属合金。
75.其中，非金属透明导电材料的电极(如第一电极2和保护层4)在制备形成图形后需要进行退火工艺处理才能完成晶化，未经过退火工艺处理的非金属透明导电材料的电极光线透过率会下降3％～5％，从而导致显示基板的透过率偏低，甚至会发生显示基板黄mura不良，完成晶化后的非金属透明导电材料的电极具有较高的光线透过率，且能避免显示基板出现黄mura不良。
76.在一些实施例中，如图2b所示，保护层4在基板1上的正投影与第一电极2在基板1上的正投影重合。由于辅助电极3在基板1上的正投影位于第一电极2在基板1上的正投影区域内，所以如此设置，能使保护层4和第一电极2对辅助电极3进行完全包裹，从而避免第一电极2和保护层4的退火工艺中对辅助电极3造成氧化。
77.在一些实施例中，保护层4在基板1上的正投影面积大于辅助电极3在基板1上的正投影面积；且保护层4在基板1上的正投影面积小于第一电极2在基板1上的正投影面积。如此设置，同样能使保护层4和第一电极2对辅助电极3进行完全包裹，从而避免第一电极2和保护层4的退火工艺中对辅助电极3造成氧化。
78.在一些实施例中，如图2b所示，显示基板还包括绝缘层5和多个第二电极6，多个第二电极6位于辅助电极3的背离基板1的一侧，绝缘层5位于多个第二电极6与辅助电极3之间；多个第二电极6排布呈阵列，多个第二电极6与第一电极2在基板1上的正投影交叠，辅助电极3在基板1上的正投影位于多个第二电极6在基板1上正投影之间的间隔中。
79.其中，第二电极6为狭缝状电极，第一电极2为板状电极。第一电极2与第二电极6在基板1上的正投影交叠区域形成了像素的开口区。多个第二电极6在基板1上正投影之间的间隔为不透光区，通常被遮光层(如黑矩阵)遮挡。第一电极2与第二电极6之间能形成使液晶偏转的电场，从而使采用该显示基板的液晶面板实现ads(advanced super dimension switch，高级超维场转换技术)显示模式，进而实现液晶面板的宽视角或者广视角显示。
80.本实施例中，位于多个第二电极6在基板1上正投影之间的间隔中的辅助电极3，一方面，能够提升显示基板中像素的开口率，另一方面，还能降低第一电极2的电阻，辅助电极
3均匀分布于多个第二电极6在基板1上正投影之间的间隔中，还能提升第一电极2阻值的均匀性，从而提升第一电极2的导电性能，有利于使采用该显示基板的液晶面板实现高低频刷新兼容并降低显示画面闪烁，提升液晶面板的显示效果。
81.在一些实施例中，辅助电极3可以布满多个第二电极6在基板1上正投影之间的间隔，也可以不布满多个第二电极6在基板1上正投影之间的间隔。
82.在一些实施例中，多个第二电极位于第一电极与基板之间，绝缘层位于多个第二电极与第一电极之间(图中未示出)。其中，第一电极为狭缝状电极，第二电极为板状电极。第一电极与第二电极在基板上的正投影交叠区域形成了像素的开口区。
83.在一些实施例中，如图2a所示，基板1包括基底10、多条数据线7和多条扫描线8，多条数据线7和多条扫描线8位于基底10同一侧的不同层，且多条数据线7和多条扫描线8在基底10上的正投影位于多个第二电极6在基底10上正投影之间的间隔中，多条扫描线8分别沿第一方向x延伸，多条数据线7分别沿第二方向y延伸，第一方向x和第二方向y相交；辅助电极3在基底10上的正投影与数据线7和/或扫描线8在基底10上的正投影至少局部交叠。
84.其中，多个第二电极6在基底10上正投影之间的间隔为不透光区，通常被遮光层(如黑矩阵)遮挡。辅助电极3如此设置，一方面，能够提升显示基板中像素的开口率，另一方面，能降低第一电极2的电阻，还能提升第一电极2阻值的均匀性，从而提升第一电极2的导电性能，有利于使采用该显示基板的液晶面板实现高低频刷新兼容并降低显示画面闪烁，提升液晶面板的显示效果。
85.在一些实施例中，如图2a和图2b所示，基板1还包括多个开关管9，多个开关管9位于基底1的一侧，且多个开关管9在基底10上的正投影分别位于扫描线8和数据线7在基底10上正投影的交叉位置处，开关管9的栅极91电连接扫描线8，开关管9的第一极92电连接数据线7，开关管9的第二极93电连接第二电极6；辅助电极3在基底10上的正投影与开关管9的有源层94和/或栅极91和/或第一极92和/或第二极93在基底10上的正投影至少局部交叠。
86.其中，开关管9在基底10上的正投影位于不透光区，通常被遮光层(如黑矩阵)遮挡。辅助电极3如此设置，一方面，能够提升显示基板中像素的开口率，另一方面，能降低第一电极2的电阻，还能提升第一电极2阻值的均匀性，从而提升第一电极2的导电性能，有利于使采用该显示基板的液晶面板实现高低频刷新兼容并降低显示画面闪烁，提升液晶面板的显示效果。
87.本实施例中，栅极91与有源层94之间还设置有栅绝缘层95，开关管9与第一电极2之间还依次设置有钝化层11和平坦层12。距离基板1较远的第二电极6通过开设在绝缘层5中的过孔、第一电极2中的过孔、平坦层12中的过孔以及钝化层11中的过孔连接开关管9的第二极93。
88.在一些实施例中，平坦层12采用有机树脂材料，如聚酰亚胺材料等。栅绝缘层95、钝化层11和绝缘层5均采用无机绝缘材料，如氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅材料。平坦层12的厚度可以较厚，以使平坦层12的背离基底10的表面平整，便于在该平整表面上形成第一电极2或者第二电极6。
89.在一些实施例中，第二电极6采用非金属透明导电材料。第一电极2和第二电极6都采用非金属透明导电材料，在形成使液晶偏转的电场的同时，能使光线透过，从而实现采用该显示基板的液晶面板的正常显示。
90.在一些实施例中，第一电极2和保护层4采用相同的材料。
91.本实施例所提供的显示基板，辅助电极位于第一电极与保护层形成的夹层中，且被第一电极和保护层包裹，在第一电极和保护层的图形制备中，当制备形成辅助电极的图形后，再制备形成第一电极和保护层的图形，然后再对第一电极和保护层的图形进行退火工艺，如此使第一电极和保护层的退火工艺并不会对辅助电极造成氧化，从而使辅助电极的电阻不会因被氧化而增大，进而避免显示基板出现显示不良。
92.基于显示基板的上述结构，本发明实施例还提供一种该显示基板的制备方法，包括：步骤s01：在基板的一侧形成第一电极的膜层；
93.步骤s02：在第一电极的膜层的背离基板的一侧形成辅助电极的图形；
94.步骤s03：在辅助电极的背离基板的一侧形成保护层的膜层；
95.步骤s04：形成第一电极的图形和保护层的图形；
96.步骤s05：对第一电极的图形和保护层的图形进行退火工艺。
97.该制备方法，辅助电极的图形被第一电极的膜层和保护层的膜层包裹，在制备形成辅助电极的图形后，再制备形成第一电极和保护层的图形，并对第一电极和保护层的图形进行退火工艺，使第一电极和保护层的退火工艺并不会对辅助电极造成氧化，从而使辅助电极的电阻不会因被氧化而增大，进而避免显示基板出现显示不良。如图3所示，为辅助电极在退火工艺后未发生氧化的电子显微镜图。对比图1f可以看出对辅助电极的氧化有明显的改善。
98.在一些实施例中，通过一次掩膜工艺同时形成第一电极的图形和保护层的图形。其中，掩膜工艺包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀等的步骤。通过一次掩膜工艺同时形成的第一电极和保护层的图形重合。
99.在一些实施例中，通过一次掩膜工艺依次形成第一电极的图形和保护层的图形。其中，可以通过一次半色调掩膜工艺依次形成第一电极和保护层的图形。通过一次半色调掩膜工艺形成的保护层的图形面积可以小于第一电极的图形面积。
100.在一些实施例中，对第一电极的图形和保护层的图形同时进行退火工艺。在该退火工艺中，由于辅助电极被第一电极和保护层包裹，所以不会对辅助电极造成氧化。
101.在一些实施例中，如图2b中的显示基板的制备过程具体为：如图4a-图4i所示，
102.步骤s101：在基底10上沉积并通过掩膜工艺形成栅极91和扫描线的图形；如图4a所示；
103.步骤s102：在栅极91上方沉积形成栅绝缘层95，在栅绝缘层95上方沉积有源层膜并进行退火处理，再通过掩膜工艺形成有源层94的图形，如图4b所示；
104.步骤s103：在有源层94上方沉积金属膜层并通过掩膜工艺形成第一极92和第二极93的图形，如图4c所示；
105.步骤s104：在第一极92和第二极93上方沉积形成钝化膜层，并通过掩膜工艺形成钝化层11及其中过孔的图形，进行退火工艺处理有源层94的背沟道界面，再在钝化层11上方涂敷形成平坦膜层，并通过掩膜工艺形成平坦层12及其中过孔的图形，如图4d所示；
106.步骤s105：在平坦层12上方沉积第一层非金属透明导电层13，在第一层非金属透明导电层13上方沉积金属导电层，并通过掩膜工艺形成辅助电极3的图形，如图4e所示；
107.步骤s106：在辅助电极3上方再沉积第二层非金属透明导电层14，如图4f所示，并
通过一次掩膜工艺同时形成第一电极2和保护层4的图形，然后进行第一电极2和保护层4的退火工艺，如图4g所示；
108.步骤s107：在保护层4上方沉积绝缘膜层，并通过掩膜工艺形成绝缘层5及其中过孔的图形，如图4h所示；
109.步骤s108：在绝缘层5上方沉积第三层非金属透明导电层，并通过掩膜工艺形成第二电极6的图形，再进行第二电极6的退火工艺，如图4i所示。
110.其中，在步骤s105形成辅助电极3的图形后，在步骤s106中需要先增加一道非金属透明导电层沉积工艺，以覆盖已经形成的辅助电极3的图形，然后再通过一次掩膜工艺同时形成第一电极2和保护层4的图形，再进行第一电极2和保护层4的退火工艺。如此制备，辅助电极3不会在退火工艺中发生氧化，同时第一电极2和保护层4也可以经过退火工艺提升其本身的光线透过率。
111.本实施例所提供的显示基板的制备方法，辅助电极的图形被第一电极的膜层和保护层的膜层包裹，在制备形成辅助电极的图形后，再制备形成第一电极和保护层的图形，并对第一电极和保护层的图形进行退火工艺，使第一电极和保护层的退火工艺并不会对辅助电极造成氧化，从而使辅助电极的电阻不会因被氧化而增大，进而避免显示基板出现显示不良。
112.本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述实施例中的显示基板。
113.通过采用上述实施例中的显示基板，能避免该显示面板出现显示不良，提升该显示面板的显示效果。
114.该显示装置可以为：lcd面板、lcd电视、手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
115.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种显示基板，包括基板、第一电极和辅助电极，所述第一电极位于所述基板的一侧，所述辅助电极位于所述第一电极的背离所述基板的一侧，所述辅助电极在所述基板上的正投影位于所述第一电极在所述基板上的正投影区域内，且所述辅助电极与所述第一电极接触并连接；所述第一电极采用非金属透明导电材料；所述辅助电极采用金属或者金属合金材料；其特征在于，还包括保护层，位于所述辅助电极的背离所述基板的一侧，所述保护层在所述基板上的正投影位于所述第一电极在所述基板上的正投影区域内，所述保护层至少包覆所述辅助电极，且所述保护层与所述辅助电极和所述第一电极分别接触并连接，所述保护层采用非金属透明导电材料。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述保护层在所述基板上的正投影与所述第一电极在所述基板上的正投影重合。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述保护层在所述基板上的正投影面积大于所述辅助电极在所述基板上的正投影面积；且所述保护层在所述基板上的正投影面积小于所述第一电极在所述基板上的正投影面积。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括绝缘层和多个第二电极，所述多个第二电极位于所述辅助电极的背离所述基板的一侧，所述绝缘层位于所述多个第二电极与所述辅助电极之间；或者，所述多个第二电极位于所述第一电极与所述基板之间，所述绝缘层位于所述多个第二电极与所述第一电极之间；所述多个第二电极排布呈阵列，所述多个第二电极与所述第一电极在所述基板上的正投影交叠，所述辅助电极在所述基板上的正投影位于所述多个第二电极在所述基板上正投影之间的间隔中。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述基板包括基底、多条数据线和多条扫描线，所述多条数据线和所述多条扫描线位于所述基底同一侧的不同层，且所述多条数据线和所述多条扫描线在所述基底上的正投影位于所述多个第二电极在所述基底上正投影之间的间隔中，所述多条扫描线分别沿第一方向延伸，所述多条数据线分别沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相交；所述辅助电极在所述基底上的正投影与所述数据线和/或所述扫描线在所述基底上的正投影至少局部交叠。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述基板还包括多个开关管，所述多个开关管位于所述基底的一侧，且所述多个开关管在所述基底上的正投影分别位于所述扫描线和所述数据线在所述基底上正投影的交叉位置处，所述开关管的栅极电连接所述扫描线，所述开关管的第一极电连接所述数据线，所述
开关管的第二极电连接所述第二电极；所述辅助电极在所述基底上的正投影与所述开关管的有源层和/或所述栅极和/或所述第一极和/或所述第二极在所述基底上的正投影至少局部交叠。7.根据权利要求2-6任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极采用非金属透明导电材料；所述非金属透明导电材料包括氧化铟锡或者氧化铟锌；所述金属材料包括铜、铝、钛、钼、镍中的任意一种金属；所述金属合金材料包括铜、铝、钛、钼、镍中的任意两种或者两种以上的金属合金。8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极和所述保护层采用相同的材料。9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的显示基板。10.一种如权利要求1-8任意一项所述的显示基板的制备方法，其特征在于，包括：在基板的一侧形成第一电极的膜层；在所述第一电极的膜层的背离所述基板的一侧形成辅助电极的图形；在所述辅助电极的背离所述基板的一侧形成保护层的膜层；形成所述第一电极的图形和所述保护层的图形；对所述第一电极的图形和所述保护层的图形进行退火工艺。11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，通过一次掩膜工艺同时形成所述第一电极的图形和所述保护层的图形。12.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，通过一次掩膜工艺依次形成所述第一电极的图形和所述保护层的图形。13.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，对所述第一电极的图形和所述保护层的图形同时进行退火工艺。

技术总结
本发明提供一种显示基板，包括基板、第一电极和辅助电极，第一电极位于基板的一侧，辅助电极位于第一电极的背离基板的一侧，辅助电极在基板上的正投影位于第一电极在基板上的正投影区域内，且辅助电极与第一电极接触并连接；第一电极采用非金属透明导电材料；辅助电极采用金属或者金属合金材料；还包括保护层，位于辅助电极的背离基板的一侧，保护层在基板上的正投影位于第一电极在基板上的正投影区域内，保护层至少包覆辅助电极，且保护层与辅助电极和第一电极分别接触并连接，保护层采用非金属透明导电材料。该显示基板使第一电极和保护层的退火工艺不会对辅助电极造成氧化，从而使辅助电极的电阻不会因氧化而增大，避免显示基板出现显示不良。示基板出现显示不良。示基板出现显示不良。


技术研发人员：杨宇桐 黄中浩 吴旭 宁智勇 王兆君 谌伟 王瑞 方皓岚 齐成军 王灿 王恺 刘丹
受保护的技术使用者：重庆京东方光电科技有限公司
技术研发日：2023.05.17
技术公布日：2023/8/4