一种优质EMC的低压SVG/APF模块的组件化结构的制作方法

一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化结构
技术领域
1.本发明涉及一种组件化结构，特别是一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化结构，属于svg/apf技术领域。


背景技术：

2.低压svg用于低压配用电电网的无功控制，以此降低电网的电能损耗、提高电网的运行安全性和效率、改善电网的电压质量。低压apf用于低压配用电电网的谐波治理，以此消除电网的谐波污染、改善电网的电能质量。低压svg、apf具有以igbt（绝缘栅双极型半导体，insulate gate bipolar transistor）为核心器件的相同的电路结构，写入不尽相同的程序。
3.低压svg、apf装置是一种十分复杂的电力、电子、微电子设备，具有数十种类型和数百上千个元器件，包括大体积、大质量、高发热、高电压、大电流的一次电路和小体积（微体积）、小质量（微质量）、少发热（不发热）、低电压（微电压）、小电流（微电流）的二次智能电路。低压svg、apf装置目前一般采用模块化结构，即首先将低压svg、apf按照一定容量规格在1个箱式机壳内装配形成一种模块，然后根据低压svg、apf装置的容量选取一定数量和一定容量规格的低压svg、apf模块在1个或数个机柜内积木式组装形成1个低压svg、apf装置。
4.理想的低压svg、apf模块是小体积及其质量的可靠性，小体积可以使相同机柜内安装更多低压svg、apf模块因而容量更大，可靠性将决定低压svg、apf装置的可靠性。将低压svg、apf模块减小体积即是增大其容量密度。低压svg、apf模块中有产生强大电磁干扰的高电压、大电流的一次零部件和易受电磁干扰的低电压（微电压）、小电流（微电流）的二次微电子器件，因此低压svg、apf模块的小体积及高可靠性的关键技术是其一次电路与二次电路的emc（电磁兼容）技术。
5.现有低压svg、apf模块为了提高emc性能普遍采用简单增加一次零部件与二次元器件之间的距离的方法，因而使低压svg、apf模块体积增大，也会增加成本，更有的在结构上处理不合理导致emc性能不好而影响低压svg、apf模块的运行可靠性。


技术实现要素：

6.本发明所要解决的技术问题是提供一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化结构，把组件在机箱中进行合理布局及其相互之间合理连接与屏蔽，使低压svg、apf模块体积更小。
7.为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，包含机箱组件、一次强干扰电抗组件、一次弱干扰电容组件、一次弱干扰igbt组件、二次易受干扰智能组件、二次测量一次接口组件、二次驱动一次接口组件、一二次转换弱干扰直流电源，机箱组件内设置有中屏蔽板、屏蔽盒和屏蔽走线槽，中屏蔽板将机箱内腔分隔为上部安装空间和下部安装空间，一次弱干扰电抗组件设置在上部安装空间，一次强干扰电容组件设置在下部安装空间，一次弱
干扰igbt组件安装在中屏蔽板前侧，二次易受干扰智能组件和一二次转换弱干扰直流电源设置在屏蔽盒内，二次测量一次接口组件设置在屏蔽走线槽内。
8.进一步地，所述机箱组件包含前面板、前板、后面板、左侧板、右侧板、中屏蔽板、屏蔽盒、上盖板和下盖板，前板、后面板、左侧板和右侧板组成机框，中屏蔽板采用铁质材料并且水平固定在机框中间将机框分为上部安装空间和下部安装空间，上盖板可拆卸设置在机框上侧，下盖板可拆卸设置在机框下侧，屏蔽盒设置在机框下部安装空间的前侧并且通过屏蔽支架固定在机框上，后面板外侧设置有a相电源接线端子、b相电源接线端子、c相电源接线端子、n线电源接线端子、配电ct次级接线端子和通信接线端子，前板的前侧设置有风机。
9.进一步地，所述屏蔽盒内设置有屏蔽盒隔条，屏蔽盒隔条将屏蔽盒分隔为智能间隔和直流电源间隔，屏蔽支架上设置有测量输入屏蔽走线槽和控制输出屏蔽走线槽，在中屏蔽板下部的左侧板和右侧板内侧分别有左屏蔽板和右屏蔽板，左侧板与左屏蔽板之间设置有左屏蔽走线槽，右侧板与右屏蔽板之间设置有右屏蔽走线槽，中屏蔽板横向折弯形成中屏蔽走线槽，中屏蔽走线槽下面有中安装板，一次弱干扰电容组件的电容器安装板与中屏蔽板间形成半屏蔽走线槽。
10.进一步地，所述一次强干扰电抗组件包含电抗安装板以及设置在电抗安装板上的a相电抗部件、b相电抗部件和c相电抗部件，电抗安装板设置在中屏蔽板上并位于机框上部安装空间的后侧，a相电抗部件、b相电抗部件和c相电抗部件分别包含大电抗器、小电抗器、启动继电器和熔断器。
11.进一步地，所述一次弱干扰电容组件包含电容器安装板以及设置在电容器安装板上的正储能电容器组、负储能电容器组、a相滤波电容器、b相滤波电容器、c相滤波电容器、a相软启动电容器、b相软启动电容器和c相软启动电容器。
12.进一步地，所述一次弱干扰igbt组件包含igbt散热器以及设置在igbt散热器下侧的a相复合igbt管、b相复合igbt管和c相复合igbt管，igbt散热器位于机框的上部安装空间，a相复合igbt管、b相复合igbt管和c相复合igbt管位于机框的下部安装空间，igbt散热器包含散热器基板和散热器梳状板，散热器基板固定在中屏蔽板上，散热器梳状板设置在散热器基板上侧，a相复合igbt管、b相复合igbt管和c相复合igbt管分别设置有igbt管输出端、igbt管c+端、igbt管c-端、igbt管n端和igbt管驱动接插件。
13.进一步地，所述二次易受干扰智能组件设置在智能间隔中，二次易受干扰智能组件包含智能主板和智能连接板，智能主板通过主连接接插件连接智能连接板，智能连接板上设置有测量输入接插件、控制输出接插件、电源输入接插件、通信接插件和风机接插件。
14.进一步地，所述二次测量一次接口组件包含测量安装板以及设置在测量安装板上的a相igbt输出电流传感器、b相igbt输出电流传感器、c相igbt输出电流传感器、配电电压传感器、配电电流传感器和储能电压传感器，测量安装板设置在中屏蔽板上的中屏蔽走线槽中，a相igbt输出电流传感器、b相igbt输出电流传感器和c相igbt输出电流传感器上设置有传感器输入孔，配电电压传感器、配电电流传感器和储能电压传感器上设置有传感器输入端，a相igbt输出电流传感器、b相igbt输出电流传感器、c相igbt输出电流传感器、配电电压传感器、配电电流传感器和储能电压传感器设置有传感器输出端，连接配电电压传感器的传感器输入端与a相电源接线端子、b相电源接线端子和c相电源接线端子的线缆经过左
屏蔽走线槽、右屏蔽走线槽或半屏蔽走线槽，连接配电电流传感器的传感器输入端与配电ct次级接线端子的线缆经过半屏蔽走线槽、左屏蔽走线槽或右屏蔽走线槽，连接储能电压传感器的传感器输入端与正储能电容组正极、正储能电容器组负极、负储能电容器组负极的线缆经过半屏蔽走线槽、左屏蔽走线槽或右屏蔽走线槽，连接智能连接板的测量输入接插件与a相igbt输出电流传感器、b相igbt输出电流传感器、c相igbt输出电流传感器的传感器输出端的线缆中设置有屏蔽磁环且经过测量输入屏蔽走线槽和左屏蔽走线槽或右屏蔽走线槽，连接智能连接板的测量输入接插件与配电电压传感器、配电电流传感器和储能电压传感器的传感器输出端的线缆中设置有屏蔽磁环且经过测量输入屏蔽走线槽和左屏蔽走线槽或右屏蔽走线槽，连接智能连接板的通信接插件与通信接线端子的线缆中设置有屏蔽磁环且经过测量输入屏蔽走线槽和左屏蔽走线槽或右屏蔽走线槽。
15.进一步地，所述二次驱动一次接口组件包含驱动电路板以及设置在驱动电路板上的a相驱动电路、b相驱动电路和c相驱动电路，驱动电路板设置在a相复合igbt管、b相复合igbt管和c相复合igbt管的前侧或下侧， a相驱动电路、b相驱动电路和c相驱动电路上设置有驱动输入接插件和驱动输出接插件，连接智能连接板的控制输出接插件与a相驱动电路、b相驱动电路和c相驱动电路的驱动输入接插件的线缆中设置有屏蔽磁环且经过控制输出屏蔽走线槽，a相驱动电路、b相驱动电路和c相驱动电路的驱动输出接插件与a相复合igbt管、b相复合igbt管和c相复合igbt管的复合igbt管驱动接插件通过线缆连接，智能连接板的风机接插件与风机之间通过线缆相连。
16.进一步地，所述一二次转换弱干扰直流电源设置在直流电源间隔中，一二次转换弱干扰直流电源上设置有电源输入接插件和电源输出接插件，连接电源输入接插件与a相电源接线端子、b相电源接线端子或c相电源接线端子的线缆经过左屏蔽走线槽或右屏蔽走线槽，电源输出接插件与智能连接板电源输入接插件之间通过线缆相连。
17.本发明与现有技术相比，具有以下优点和效果：本发明公开了一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，将组成低压svg/apf模块中的数十种类型数百上千个元器件，根据其电磁特性进行合理地分成一次强干扰、一次弱干扰、二次易受干扰、一二次接口等组件，对模块的机箱进行科学屏蔽设计，把组件在机箱中进行合理布局及其相互之间合理连接与屏蔽，使低压svg/apf模块体积小、可靠性高和成本低，并且机内整洁美观，几乎看不到线缆。
附图说明
18.图1是本发明的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构的示意图。
19.图2是本发明的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构的a向剖视图。
20.图3是本发明的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构的b向剖视图。
21.图4是本发明的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构的c向剖视图。
22.图5是本发明的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构的d向剖视图。
23.图6是本发明的一次弱干扰igbt组件的示意图。
具体实施方式
24.为了详细阐述本发明为达到预定技术目的而所采取的技术方案，下面将结合本发
明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清晰、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的部分实施例，而不是全部的实施例，并且，在不付出创造性劳动的前提下，本发明的实施例中的技术手段或技术特征可以替换，下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
25.如图1和图2所示，本发明的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，包含机箱组件01、一次强干扰电抗组件02、一次弱干扰电容组件03、一次弱干扰igbt组件04、二次易受干扰智能组件05、二次测量一次接口组件06、二次驱动一次接口组件07、一二次转换弱干扰直流电源08。本发明将低压svg/apf模块内的各组件按照产生电磁干扰的强弱与耐受电磁干扰的强弱进行分组，从而对不同组别的组件的电磁屏蔽进行单独的设计。
26.如图5所示，机箱组件01内设置有中屏蔽板016、屏蔽盒017和屏蔽走线槽16，中屏蔽板016将机箱内腔分隔为上部安装空间和下部安装空间，一次强干扰电抗组件02设置在上部安装空间，一次弱干扰电容组件03设置在下部安装空间，一次弱干扰igbt组件04安装在中屏蔽板016前侧，二次易受干扰智能组件05和一二次转换弱干扰直流电源08设置在屏蔽盒017内，二次测量一次接口组件06设置在屏蔽走线槽16内。其中，各组件之间的连接线缆设置在屏蔽最线槽16内，且易受干扰的弱信号线缆套设有屏蔽磁环167。
27.如图3和图5所示，机箱组件01包含前面板011、前板012、后面板013、左侧板014、右侧板015、中屏蔽板016、屏蔽盒017、上盖板018和下盖板019，前板012、后面板013、左侧板014和右侧板015相互焊接固定组成一个长方体形状的机框，中屏蔽板016采用厚度不小于1.5mm的铁质材料并且中屏蔽板016水平焊接固定在机框中间将机框分为上部安装空间和下部安装空间，通过铁材质的中屏蔽板016将机框分隔为上下两个电磁相互屏蔽的独立空间，从而对各组件进行大范围上的电磁屏蔽分离。上盖板018可拆卸设置在机框上侧，下盖板019可拆卸设置在机框下侧，屏蔽盒017设置在机框下部安装空间的前侧与前板012相靠并且通过屏蔽支架0174固定在机框上。后面板013外侧设置有a相电源接线端子09、b相电源接线端子10、c相电源接线端子11、n线电源接线端子12、配电ct次级接线端子13和通信接线端子14，前板012的前侧设置有风机15。
28.如图2、图3、图4和图5所示，屏蔽盒017内设置有屏蔽盒隔条0171，屏蔽盒隔条0171将屏蔽盒分隔为智能间隔0172和直流电源间隔0173，屏蔽支架0174上设置有测量输入屏蔽走线槽161和控制输出屏蔽走线槽162，在中屏蔽板016下部的左侧板014和右侧板015内侧分别有左屏蔽板0141和右屏蔽板0151，左侧板014与左屏蔽板0141之间设置有左屏蔽走线槽163，右侧板015与右屏蔽板0151之间设置有右屏蔽走线槽164，中屏蔽板016横向折弯形成中屏蔽走线槽0161，中屏蔽走线槽0161下面有中安装板0162，一次弱干扰电容组件03的电容器安装板031与中屏蔽板016间形成半屏蔽走线槽166。
29.如图2、图3和图5所示，一次强干扰电抗组件02包含电抗安装板021以及设置在电抗安装板021上的a相电抗部件022、b相电抗部件023和c相电抗部件024，电抗安装板021设置在中屏蔽板016上并位于机框上部安装空间的后侧与后面板013相靠，a相电抗部件022、b相电抗部件023和c相电抗部件024分别包含大电抗器025、小电抗器026、启动继电器027和熔断器028。a相电抗部件022、b相电抗部件023和c相电抗部件024的大电抗器025的一端穿过a相igbt输出电流传感器061、b相igbt输出电流传感器062和c相igbt输出电流传感器063的传感器输入孔0601后与a相复合igbt管044、b相复合igbt管045和c相复合igbt管046的
igbt输出端0401相连，大电抗器025的另一端与启动继电器027一端相连，启动继电器027另一端与小电抗器026一端相连，小电抗器026另一端与熔断器028一端相连，熔断器028另一端与a相电源接线端子09、b相电源接线端子10和c相电源接线端子11相连。
30.如图2和图4所示，一次弱干扰电容组件03包含电容器安装板031以及设置在电容器安装板031上的正储能电容器组032、负储能电容器组033、a相滤波电容器034、b相滤波电容器035、c相滤波电容器036、a相软启动电容器037、b相软启动电容器038和c相软启动电容器039。电容器安装板031上的正储能电容器组032的正极与复合igbt管c+端0402相连，正储能电容器组032的负极与负储能电容器组033的正极、复合igbt管n端0404、n线电源接线端子12相连，负储能电容器组033的负极与复合igbt管c-端0403相连。a相软启动电容器037、b相软启动电容器038和c相软启动电容器039分别与a相、b相、c相的启动继电器027并联。a相滤波电容器034、b相滤波电容器035、c相滤波电容器036的一端与n线电源接线端子12相连，a相滤波电容器034、b相滤波电容器035、c相滤波电容器036的另一端分别与a相、b相、c相的启动继电器027另一端、小电抗器026一端相连。
31.如图2、图5和图6所示，一次弱干扰igbt组件04包含igbt散热器041以及设置在igbt散热器041下侧的a相复合igbt管044、b相复合igbt管045和c相复合igbt管046，igbt散热器041位于机框的上部安装空间，a相复合igbt管044、b相复合igbt管045和c相复合igbt管046位于机框的下部安装空间，igbt散热器041包含散热器基板042和散热器梳状板043，散热器基板042固定在中屏蔽板016上，中屏蔽板016上开有供a相复合igbt管044、b相复合igbt管045和c相复合igbt管046穿透至下部安装空间的矩形通孔，散热器梳状板043设置在散热器基板042上侧，a相复合igbt管044、b相复合igbt管045和c相复合igbt管046分别设置有igbt管输出端0401、igbt管c+端0402、igbt管c-端0403、igbt管n端0404和igbt管驱动接插件0405。
32.二次易受干扰智能组件05设置在智能间隔0172中，二次易受干扰智能组件05包含智能主板051和智能连接板052，智能主板051通过主连接接插件053连接智能连接板052，智能连接板052上设置有测量输入接插件0521、控制输出接插件0522、电源输入接插件0523、通信接插件0524和风机接插件0525。
33.二次测量一次接口组件06包含测量安装板060以及设置在测量安装板060上的a相igbt输出电流传感器061、b相igbt输出电流传感器062、c相igbt输出电流传感器063、配电电压传感器064、配电电流传感器065和储能电压传感器066，测量安装板060设置在中屏蔽板016上的中屏蔽走线槽0161中，a相igbt输出电流传感器061、b相igbt输出电流传感器062和c相igbt输出电流传感器063上设置有传感器输入孔0601，配电电压传感器064、配电电流传感器065和储能电压传感器066上设置有传感器输入端0602，a相igbt输出电流传感器061、b相igbt输出电流传感器062、c相igbt输出电流传感器063、配电电压传感器064、配电电流传感器065和储能电压传感器066设置有传感器输出端0603。连接配电电压传感器064的传感器输入端0602与a相电源接线端子09、b相电源接线端子10和c相电源接线端子11的线缆经过左屏蔽走线槽163、右屏蔽走线槽164或半屏蔽走线槽165，连接配电电流传感器065的传感器输入端0602与配电ct次级接线端子13的线缆经过半屏蔽走线槽165、左屏蔽走线槽163或右屏蔽走线槽164，连接储能电压传感器066的传感器输入端0602与正储能电容组032正极、正储能电容器组032负极、负储能电容器组033负极的线缆经过半屏蔽走线槽
165、左屏蔽走线槽163或右屏蔽走线槽164。
34.连接智能连接板052的测量输入接插件0521与a相igbt输出电流传感器061、b相igbt输出电流传感器062、c相igbt输出电流传感器063的传感器输出端0603的线缆中设置有屏蔽磁环167且经过测量输入屏蔽走线槽161和左屏蔽走线槽163或右屏蔽走线槽164，连接智能连接板052的测量输入接插件0521与配电电压传感器064、配电电流传感器065和储能电压传感器066的传感器输出端0603的线缆中设置有屏蔽磁环167且经过测量输入屏蔽走线槽161和左屏蔽走线槽163或右屏蔽走线槽164，连接智能连接板052的通信接插件0524与通信接线端子14的线缆中设置有屏蔽磁环167且经过测量输入屏蔽走线槽161和左屏蔽走线槽163或右屏蔽走线槽164。
35.二次驱动一次接口组件07包含驱动电路板071以及设置在驱动电路板071上的a相驱动电路072、b相驱动电路073和c相驱动电路074，驱动电路板071设置在a相复合igbt管044、b相复合igbt管045和c相复合igbt管046的前侧或下侧与中屏蔽板016、a相复合igbt管044、b相复合igbt管045、c相复合igbt管046或屏蔽支架0174固定连接， a相驱动电路072、b相驱动电路073和c相驱动电路074上设置有驱动输入接插件0711和驱动输出接插件0712。连接智能连接板052的控制输出接插件0522与a相驱动电路072、b相驱动电路073和c相驱动电路074的驱动输入接插件0711的线缆中设置有屏蔽磁环167且经过控制输出屏蔽走线槽162，a相驱动电路072、b相驱动电路073和c相驱动电路074的驱动输出接插件0712与a相复合igbt管044、b相复合igbt管045和c相复合igbt管046的复合igbt管驱动接插件0405通过线缆连接，智能连接板052的风机接插件0525与风机15之间通过线缆相连。
36.一二次转换弱干扰直流电源08设置在直流电源间隔0173中，一二次转换弱干扰直流电源08上设置有电源输入接插件081和电源输出接插件082。连接电源输入接插件081与a相电源接线端子09、b相电源接线端子10或c相电源接线端子11的线缆经过左屏蔽走线槽163或右屏蔽走线槽164，电源输出接插件082与智能连接板052电源输入接插件0523之间通过线缆相连。
37.机内所有组件间连接线缆都在屏蔽走线槽中行走，并且其中易受干扰的弱信号线缆都套有屏蔽磁环，因此有很好emc性能，同时机内整洁，几乎没有裸行线缆。
38.本发明公开了一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，将组成低压svg/apf模块中的数十种类型数百上千个元器件，根据其电磁特性进行合理地分成一次强干扰、一次弱干扰、二次易受干扰、一二次接口等组件，对模块的机箱进行科学屏蔽设计，把组件在机箱中进行合理布局及其相互之间合理连接与屏蔽，使低压svg/apf模块体积小、可靠性高和成本低，并且机内整洁美观，几乎看不到线缆。
39.以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质，在本发明的精神和原则之内，对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。

技术特征：
1.一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，其特征在于：包含机箱组件、一次强干扰电抗组件、一次弱干扰电容组件、一次弱干扰igbt组件、二次易受干扰智能组件、二次测量一次接口组件、二次驱动一次接口组件、一二次转换弱干扰直流电源，机箱组件内设置有中屏蔽板、屏蔽盒和屏蔽走线槽，中屏蔽板将机箱内腔分隔为上部安装空间和下部安装空间，一次弱干扰电抗组件设置在上部安装空间，一次强干扰电容组件设置在下部安装空间，一次弱干扰igbt组件安装在中屏蔽板前侧，二次易受干扰智能组件和一二次转换弱干扰直流电源设置在屏蔽盒内，二次测量一次接口组件设置在屏蔽走线槽内。2.根据权利要求1所述的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，其特征在于：所述机箱组件包含前面板、前板、后面板、左侧板、右侧板、中屏蔽板、屏蔽盒、上盖板和下盖板，前板、后面板、左侧板和右侧板组成机框，中屏蔽板采用铁质材料并且水平固定在机框中间将机框分为上部安装空间和下部安装空间，上盖板可拆卸设置在机框上侧，下盖板可拆卸设置在机框下侧，屏蔽盒设置在机框下部安装空间的前侧并且通过屏蔽支架固定在机框上，后面板外侧设置有a相电源接线端子、b相电源接线端子、c相电源接线端子、n线电源接线端子、配电ct次级接线端子和通信接线端子，前板的前侧设置有风机。3.根据权利要求2所述的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，其特征在于：所述屏蔽盒内设置有屏蔽盒隔条，屏蔽盒隔条将屏蔽盒分隔为智能间隔和直流电源间隔，屏蔽支架上设置有测量输入屏蔽走线槽和控制输出屏蔽走线槽，在中屏蔽板下部的左侧板和右侧板内侧分别有左屏蔽板和右屏蔽板，左侧板与左屏蔽板之间设置有左屏蔽走线槽，右侧板与右屏蔽板之间设置有右屏蔽走线槽，中屏蔽板横向折弯形成中屏蔽走线槽，中屏蔽走线槽下面有中安装板，一次弱干扰电容组件的电容器安装板与中屏蔽板间形成半屏蔽走线槽。4.根据权利要求2所述的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，其特征在于：所述一次强干扰电抗组件包含电抗安装板以及设置在电抗安装板上的a相电抗部件、b相电抗部件和c相电抗部件，电抗安装板设置在中屏蔽板上并位于机框上部安装空间的后侧，a相电抗部件、b相电抗部件和c相电抗部件分别包含大电抗器、小电抗器、启动继电器和熔断器。5.根据权利要求2所述的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，其特征在于：所述一次弱干扰电容组件包含电容器安装板以及设置在电容器安装板上的正储能电容器组、负储能电容器组、a相滤波电容器、b相滤波电容器、c相滤波电容器、a相软启动电容器、b相软启动电容器和c相软启动电容器。6.根据权利要求2所述的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，其特征在于：所述一次弱干扰igbt组件包含igbt散热器以及设置在igbt散热器下侧的a相复合igbt管、b相复合igbt管和c相复合igbt管，igbt散热器位于机框的上部安装空间，a相复合igbt管、b相复合igbt管和c相复合igbt管位于机框的下部安装空间，igbt散热器包含散热器基板和散热器梳状板，散热器基板固定在中屏蔽板上，散热器梳状板设置在散热器基板上侧，a相复合igbt管、b相复合igbt管和c相复合igbt管分别设置有igbt管输出端、igbt管c+端、igbt管c-端、igbt管n端和igbt管驱动接插件。7.根据权利要求3所述的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，其特征在于：所述二次易受干扰智能组件设置在智能间隔中，二次易受干扰智能组件包含智能主板和智
能连接板，智能主板通过主连接接插件连接智能连接板，智能连接板上设置有测量输入接插件、控制输出接插件、电源输入接插件、通信接插件和风机接插件。8.根据权利要求7所述的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，其特征在于：所述二次测量一次接口组件包含测量安装板以及设置在测量安装板上的a相igbt输出电流传感器、b相igbt输出电流传感器、c相igbt输出电流传感器、配电电压传感器、配电电流传感器和储能电压传感器，测量安装板设置在中屏蔽板上的中屏蔽走线槽中，a相igbt输出电流传感器、b相igbt输出电流传感器和c相igbt输出电流传感器上设置有传感器输入孔，配电电压传感器、配电电流传感器和储能电压传感器上设置有传感器输入端，a相igbt输出电流传感器、b相igbt输出电流传感器、c相igbt输出电流传感器、配电电压传感器、配电电流传感器和储能电压传感器设置有传感器输出端，连接配电电压传感器的传感器输入端与a相电源接线端子、b相电源接线端子和c相电源接线端子的线缆经过左屏蔽走线槽、右屏蔽走线槽或半屏蔽走线槽，连接配电电流传感器的传感器输入端与配电ct次级接线端子的线缆经过半屏蔽走线槽、左屏蔽走线槽或右屏蔽走线槽，连接储能电压传感器的传感器输入端与正储能电容组正极、正储能电容器组负极、负储能电容器组负极的线缆经过半屏蔽走线槽、左屏蔽走线槽或右屏蔽走线槽，连接智能连接板的测量输入接插件与a相igbt输出电流传感器、b相igbt输出电流传感器、c相igbt输出电流传感器的传感器输出端的线缆中设置有屏蔽磁环且经过测量输入屏蔽走线槽和左屏蔽走线槽或右屏蔽走线槽，连接智能连接板的测量输入接插件与配电电压传感器、配电电流传感器和储能电压传感器的传感器输出端的线缆中设置有屏蔽磁环且经过测量输入屏蔽走线槽和左屏蔽走线槽或右屏蔽走线槽，连接智能连接板的通信接插件与通信接线端子的线缆中设置有屏蔽磁环且经过测量输入屏蔽走线槽和左屏蔽走线槽或右屏蔽走线槽。9.根据权利要求7所述的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，其特征在于：所述二次驱动一次接口组件包含驱动电路板以及设置在驱动电路板上的a相驱动电路、b相驱动电路和c相驱动电路，驱动电路板设置在a相复合igbt管、b相复合igbt管和c相复合igbt管的前侧或下侧， a相驱动电路、b相驱动电路和c相驱动电路上设置有驱动输入接插件和驱动输出接插件，连接智能连接板的控制输出接插件与a相驱动电路、b相驱动电路和c相驱动电路的驱动输入接插件的线缆中设置有屏蔽磁环且经过控制输出屏蔽走线槽，a相驱动电路、b相驱动电路和c相驱动电路的驱动输出接插件与a相复合igbt管、b相复合igbt管和c相复合igbt管的复合igbt管驱动接插件通过线缆连接，智能连接板的风机接插件与风机之间通过线缆相连。10.根据权利要求7所述的一种优质emc的低压svg/apf模块的组件化机构，其特征在于：所述一二次转换弱干扰直流电源设置在直流电源间隔中，一二次转换弱干扰直流电源上设置有电源输入接插件和电源输出接插件，连接电源输入接插件与a相电源接线端子、b相电源接线端子或c相电源接线端子的线缆经过左屏蔽走线槽或右屏蔽走线槽，电源输出接插件与智能连接板电源输入接插件之间通过线缆相连。

技术总结
本发明公开了一种优质EMC的低压SVG/APF模块的组件化机构，机箱组件内设置有中屏蔽板、屏蔽盒和屏蔽走线槽，中屏蔽板将机箱内腔分隔为上部安装空间和下部安装空间，一次弱干扰电容组件设置在上部安装空间，一次强干扰电抗组件设置在下部安装空间，一次弱干扰IGBT组件安装在中屏蔽板前侧，二次易受干扰智能组件和一二次转换弱干扰直流电源设置在屏蔽盒内，二次测量一次接口组件设置在屏蔽走线槽内。本发明将低压SVG/APF模块中的元器件根据其电磁特性进行合理地分成一次强干扰、一次弱干扰、二次易受干扰、一二次接口等组件，对模块的机箱进行科学屏蔽设计，把组件在机箱中进行合理布局及其相互之间合理连接与屏蔽，使模块体积小、EMC良好且可靠性高。EMC良好且可靠性高。EMC良好且可靠性高。


技术研发人员：施磊 陈佳佳 王宗臣 薛玲丽 李天鹰 夏武 王春华 宋玉锋
受保护的技术使用者：江苏现代电力科技股份有限公司
技术研发日：2023.05.06
技术公布日：2023/8/4