一种多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置与流程

1.本发明属于碳化硅晶体生长炉技术领域，具体涉及一种多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置。


背景技术：

2.目前，碳化硅晶体制备通常在碳化硅晶体生长炉内生长得到，在晶体生长过程中，炉体内需要抽真空，通入保护气体(惰性气体)，碳化硅粉料在2000℃以上的高温下升华气态分子，保护气与这些气态分子在温度梯度作用下会传输到石墨坩埚顶部的籽晶面上重新结晶生长出碳化硅晶锭，传统的碳化硅晶体生长炉受坩埚顶部面积的限制，往往只能生长单块碳化硅晶锭，无法一次性生长多块碳化硅晶锭，导致碳化硅晶锭生产效率低，另外，炉体内惰性气体的不断通入，会在坩埚顶部形成涡流，易导致籽晶外侧的气流紊乱，使先后升华的气态分子混合，导致生长出来的碳化硅晶锭品质一致性差，为此，我们提出了一种多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置。


技术实现要素：

3.本发明的目的是为了解决现有技术中存在无法一次性生长多个碳化硅晶锭，生长出来的碳化硅晶锭品质一致性差的缺点，而提出的一种多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置。该多个碳化硅晶体生长装置可一次性生长多块碳化硅晶锭，碳化硅晶锭的生产效率高。另外可确保了坩埚内气流的稳定，有利提高碳化硅晶锭生长的品质。
4.为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
5.设计一种多个碳化硅晶体生长装置，包括操作台，所述操作台上设有碳化硅晶体生长炉，所述碳化硅晶体生长炉由上炉体和下炉体组成，所述下炉体固定设置在操作台上，所述上炉体以对接的方式设置在下炉体上，所述上炉体的一侧设有第一升降机构，所述上炉体的外侧套设有高频加热线圈，所述高频加热线圈固定设置在第一升降机构上；所述下炉体的底部固定设有下炉盖，所述下炉盖的轴心线上转动连接有供气杆，所述供气杆通过轴套固定在下炉盖上，供气杆的底部设有旋转驱动装置；所述供气杆的内部沿轴向设有贯穿的供气通道，所述轴套的一侧固定设有供气嘴，所述供气嘴与供气通道相连通；所述供气杆上固定设有坩埚放置架，所述石墨坩埚放置在所述坩埚放置架上，所述供气杆的顶部延伸至石墨坩埚内；所述上炉盖的下部固定设有管状结构的晶体生长管，所述晶体生长管的底部沿周向倾斜设有多个晶体生长载面，每个所述晶体生长载面上均设有籽晶槽；所述晶体生长管内对应所述籽晶槽的位置固定设有环状结构的降温管；所述晶体生长管的外侧设有密封管，所述密封管的外径尺寸与所述石墨坩埚的内径尺寸相适配，所述密封管内设有冷却腔；所述上炉盖上固定设有进液管和出液管，所述进液管与出液管之间依次连接降温管和冷却腔；所述密封管与晶体生长管之间形成结晶区，所述密封管的顶部周向上设有多个排气孔，所述排气孔与结晶区连通。
6.进一步的，所述上炉体与下炉体对接的一端分别设有上对接法兰和下对接法兰，
所述上对接法兰以嵌入的方式插接在下对接法兰上。
7.进一步的，所述第一升降机构包括第一丝杆升降驱动装置，所述第一丝杆升降驱动装置固定设置在操作台上，第一丝杆升降驱动装置的输出端上固定设有固定架，所述固定架固定设置在上炉体的外侧，所述高频加热线圈固定设置在固定架上。
8.进一步的，所述旋转驱动装置包括旋转驱动电机，所述旋转驱动电机通过吊架固定在所述下炉盖上，所述旋转驱动电机的输出轴通过联轴器与所述供气杆固定连接。
9.进一步的，所述供气杆对应供气嘴的位置设有一圈供气环形槽，所述供气环形槽上至少设有一个供气通孔，所述供气通孔与所述供气通道相连通。
10.进一步的，所述上炉盖的一侧设有第二升降机构，所述第二升降机构包括第二丝杆升降驱动装置，所述第二丝杆升降驱动装置固定载板固定设置在上炉体的一侧，所述第二丝杆升降驱动装置的输出端固定设有悬臂，所述悬臂的端部固定在上炉盖上。
11.进一步的，所述供气杆与晶体生长管之间设有同步供气装置，所述同步供气装置包括供气环管和插接管，所述插接管通过旋转座固定设置在晶体生长管的底部，所述插接管通过连接管与所述供气环管相连通，所述供气环管对应每个所述籽晶槽的位置均设有喷嘴。
12.进一步的，所述喷嘴喷出的气流对应所述籽晶槽竖直向上。
13.为了解决上述技术问题，本发明还提供了一种多个碳化硅晶体生长制备方法，根据所述多个碳化硅晶体生长装置，具体包括如下步骤：
14.步骤1，通过第一升降机构将上炉体升起，将石墨坩埚贯穿供气杆放置在坩埚放置架，并向石墨坩埚内添加碳化硅粉料；
15.步骤2，在晶体生长管的每个籽晶槽内固定安装籽晶，形成多个碳化硅晶锭生长单元；
16.步骤3，通过第一升降机构将上炉体下降，与下炉体对接密封，并对炉体内进行抽真空；
17.步骤4、向供气嘴通入惰性保护气体，并对上炉体进行加热，使其炉内温度上升至2000℃-2100℃；
18.步骤5、向降温管和冷却腔内通过冷媒介质，在籽晶槽背部形成低温区，并在密封管与晶体生长管之间形成结晶区；
19.步骤6、启动旋转驱动装置带动供气杆匀速旋转，使石墨坩埚在炉体内运行旋转，通入的惰性保护气体在炉体内形成同步的且方向向上的载气气流；
20.步骤7、碳化硅粉料升华气态分子在载气的作用下稳定升上，并在籽晶外侧形成平稳气流，落入到籽晶的气态分子重新结晶生长出碳化硅晶锭，落入到结晶区的气态分子重新凝结为碳化硅粉料再次回到石墨坩埚内，进行下一次升华；
21.步骤8、待碳化硅晶锭完成生长后，停止加热，自然冷却后，将上炉盖升起，取下多个生长完成的碳化硅晶锭。
22.本发明提出的一种多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置，有益效果在于：
23.(1)、本发明采用晶体生长管底部倾斜设置多个晶体生长载面，一方面增大了坩埚内的晶体生长面积，可一次性生长多块碳化硅晶锭，提高碳化硅晶锭的生产效率，另一方面，倾斜设置晶体生长载面，可对上升的气流进行导流，使上升后的载气气流(含碳化硅升
华气态分子)单向通过籽晶表面，可避免气流垂直撞击坩埚顶部，形成回流。
24.(2)、本发明采用坩埚内供气，可将气化后的碳化硅气态分子均匀的送入至籽晶面上，确保了坩埚内气流的稳定性，避免籽晶外侧形成回流气体，可避免先升华的气态分子与后升华的气态分子的混流落入籽晶面上，确保了籽晶面上碳化硅气态分子落入的一致性，有利提高碳化硅晶锭生长的品质。
附图说明
25.附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
26.图1是本发明的主视图；
27.图2是本发明的内部结构示意图；
28.图3是本发明中关于轴套的内部结构示意图；
29.图4是本发明中关于供气环形槽的结构示意图；
30.图5是本发明中关于坩埚放置架的结构示意图；
31.图6是本发明中关于同步供气装置的内部结构示意图；
32.图7是本发明中关于同步供气装置的形成上升气流的示意图；
33.图8是本发明中关于同步供气装置的立体结构示意图；
34.图9是本发明中关于同步供气装置的正视结构示意图；
35.图中标记为：1、操作台；2、下炉体；21、下炉盖；22、真空泵；23、上对接法兰；3、上炉体；31、第一丝杆升降驱动装置；32、固定架；33、高频加热线圈；34、下对接法兰；4、供气杆；41、轴套；42、坩埚放置架；43、供气通道；44、供气嘴；45、供气环形槽；46、供气通孔；47、吊架；48、旋转驱动电机；5、石墨坩埚；6、上炉盖；61、载板；62、第二丝杆升降驱动装置；63、悬臂；64、进液管；65、出液管；7、晶体生长管；71、晶体生长载面；72、籽晶槽；73、降温管；74、供气环管；75、喷嘴；76、旋转座；77、插接管；78、连接管；8、密封管；81、冷却腔；9、结晶区；91、排气孔。
具体实施方式
36.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
37.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
38.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中
间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
39.现结合说明书附图，详细说明本发明的结构特点。
40.参见图1-9，一种多个碳化硅晶体生长装置，包括操作台1，操作台1上设有碳化硅晶体生长炉，碳化硅晶体生长炉由上炉体3和下炉体2组成，下炉体2固定设置在操作台1上，上炉体3以对接的方式设置在下炉体2上，上炉体3与下炉体2采用对接的方式形成炉体，在上炉体3升高后，可方便将石墨坩埚5放置在炉内，同时也方便石墨坩埚5内碳化硅粉料的上料，上炉体3与下炉体2对接的一端分别设有上对接法兰23和下对接法兰34，上对接法兰23以嵌入的方式插接在下对接法兰34上。通过对接后的上对接法兰23和下对接法兰34实现上炉体3与下炉体2之间的密封。
41.上炉体3的一侧设有第一升降机构，通过第一升降机构实现上炉体3的升降，上炉体3的外侧套设有高频加热线圈33，高频加热线圈33固定设置在第一升降机构上，通过高频加热线圈33对炉体内进行加热。第一升降机构包括第一丝杆升降驱动装置31，第一丝杆升降驱动装置31固定设置在操作台1上，第一丝杆升降驱动装置31的输出端上固定设有固定架32，固定架32固定设置在上炉体3的外侧，高频加热线圈33固定设置在固定架32上。
42.下炉体2的底部固定设有下炉盖21，下炉盖21的轴心线上转动连接有供气杆4，供气杆4通过轴套41固定在下炉盖21上，供气杆4的底部设有旋转驱动装置，旋转驱动装置包括旋转驱动电机48，旋转驱动电机48通过吊架47固定在下炉盖21上，旋转驱动电机48的输出轴通过联轴器与供气杆4固定连接。供气杆4的内部沿轴向设有贯穿的供气通道43，轴套41的一侧固定设有供气嘴44，供气嘴44与供气通道43相连通，供气杆4对应供气嘴44的位置设有一圈供气环形槽45，供气环形槽45上至少设有一个供气通孔46，供气通孔46与供气通道43相连通，通过供气环形槽45和供气通孔46的设置，可实现供气嘴44与供气通道43形成通路。供气杆4上固定设有坩埚放置架42，石墨坩埚5放置在坩埚放置架42上，供气杆4的顶部延伸至石墨坩埚5内，通过旋转驱动电机48实现供气杆4的匀速旋转，在旋转的过程中为石墨坩埚5内部提供惰性保护气体，并在石墨坩埚5内形成一个竖直向上的载气气流。
43.上炉体3的顶部设有上炉盖6，上炉盖6的一侧设有第二升降机构，第二升降机构包括第二丝杆升降驱动装置62，第二丝杆升降驱动装置62固定载板61固定设置在上炉体3的一侧，第二丝杆升降驱动装置62的输出端固定设有悬臂63，悬臂63的端部固定在上炉盖6上，第二升降机构可实现上炉盖6的开启和关闭。上炉盖6的下部固定设有管状结构的晶体生长管7，晶体生长管7的底部沿周向倾斜设有多个晶体生长载面71，每个晶体生长载面71上均设有籽晶槽72，籽晶槽72内可固定籽晶。晶体生长管7内对应籽晶槽72的位置固定设有环状结构的降温管73，降温管73可对籽晶上生长的碳化硅晶锭进行降低，有利于气态分子的碳化硅重新结晶生长出碳化硅晶锭，通过晶体生长管7底部倾斜设置多个晶体生长载面71，一方面增大了坩埚内的晶体生长面积，围绕着晶体生长管7可一次性生长多块碳化硅晶锭，提高碳化硅晶锭的生产效率，另一方面，倾斜设置晶体生长载面71，可对上升的气流进行导流，使上升后的载气气流(含碳化硅升华气态分子)单向通过籽晶表面，可避免气流垂直撞击坩埚顶部，形成回流。
44.晶体生长管7的外侧设有密封管8，密封管8的外径尺寸与石墨坩埚5的内径尺寸相适配，密封管8内设有冷却腔81。上炉盖6上固定设有进液管64和出液管65，进液管64与出液
管65之间依次连接降温管73和冷却腔81。密封管8与晶体生长管7之间形成结晶区9，密封管8的顶部周向上设有多个排气孔91，排气孔91与结晶区9连通，排气孔91的设置可将上升的气流排出到石墨坩埚5的外侧，在真空泵22不断抽真空的情况下，将排出的保护气体引出炉体外，确保石墨坩埚5内仅存在一个向上的载气气流，避免载气气流回流，该真空泵22设置在下炉体2上。气态分子的碳化硅上升至结晶区9后，由于温度降低，使气态分子的碳化硅重新形成固体的碳化硅，重新回到石墨坩埚5内进行气化，可将气化后的碳化硅气态分子均匀的送入至籽晶面上，确保了坩埚内气流的稳定性，可避免先升华的气态分子与后升华的气态分子的混流落入籽晶面上，确保了籽晶面上碳化硅气态分子落入的一致性，有利提高碳化硅晶锭生长的品质。
45.本发明的多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置，一方面采用晶体生长管底部倾斜设置多个晶体生长载面，来增大坩埚内的生长面积，可一次性生长多块碳化硅晶锭，提高碳化硅晶锭的生产效率，另一方面，在使用过程中能采用坩埚内供气，可将气化后的碳化硅气态分子均匀的送入至籽晶面上，确保了坩埚内气流的稳定性，有利提高碳化硅晶锭生长的品质。
46.实施例2
47.参照图2和图6-9，作为本发明的另一优选实施例，与实施例1的区别在于，供气杆4与晶体生长管7之间设有同步供气装置，同步供气装置包括供气环管74和插接管77，插接管77通过旋转座76固定设置在晶体生长管7的底部，插接管77通过连接管78与供气环管74相连通，供气环管74对应每个籽晶槽72的位置均设有喷嘴75。喷嘴75喷出的气流对应籽晶槽72竖直向上。同步供气装置可将气流更加稳定的输送至每个籽晶上，进一步提高坩埚内气流的稳定性，有利提高碳化硅晶锭生长的品质。
48.实施例3
49.为了进一步说明，本发明还提供了一种多个碳化硅晶体生长制备方法，具体包括如下步骤：
50.步骤1，通过第一升降机构将上炉体3升起，将石墨坩埚5贯穿供气杆4放置在坩埚放置架42，并向内添加碳化硅粉料。
51.步骤2，在晶体生长管7的每个籽晶槽72内固定安装籽晶，形成多个碳化硅晶锭生长单元。
52.步骤3，通过第一升降机构将上炉体3下降，与下炉体2对接密封，并对炉体内进行抽真空。
53.步骤4、向供气嘴44通入惰性保护气体，并对上炉体3进行加热，使其炉内温度上升至2000℃-2100℃。
54.步骤5、向降温管73和冷却腔81内通过冷媒介质，在籽晶槽72背部形成低温区，并在密封管8与晶体生长管7之间形成结晶区9。
55.步骤6、启动旋转驱动装置带动供气杆4匀速旋转，使石墨坩埚5在炉体内运行旋转，通入的惰性保护气体在炉体内形成同步的且方向向上的载气气流。
56.步骤7、碳化硅粉料升华气态分子在载气的作用下稳定升上，并在籽晶外侧形成平稳气流，落入到籽晶的气态分子重新结晶生长出碳化硅晶锭，落入到结晶区9的气态分子重新凝结为碳化硅粉料再次回到石墨坩埚5内，进行下一次升华。
57.步骤8、待碳化硅晶锭完成生长后，停止加热，自然冷却后，将上炉盖6升起，取下多个生长完成的碳化硅晶锭。
58.以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种多个碳化硅晶体生长装置，包括操作台(1)，所述操作台(1)上设有碳化硅晶体生长炉，其特征在于，所述碳化硅晶体生长炉由上炉体(3)和下炉体(2)组成，所述下炉体(2)固定设置在操作台(1)上，所述上炉体(3)以对接的方式设置在下炉体(2)上，所述上炉体(3)的一侧设有第一升降机构，所述上炉体(3)的外侧套设有高频加热线圈(33)，所述高频加热线圈(33)固定设置在第一升降机构上；所述下炉体(2)的底部固定设有下炉盖(21)，所述下炉盖(21)的轴心线上转动连接有供气杆(4)，所述供气杆(4)通过轴套(41)固定在下炉盖(21)上，供气杆(4)的底部设有旋转驱动装置；所述供气杆(4)的内部沿轴向设有贯穿的供气通道(43)，所述轴套(41)的一侧固定设有供气嘴(44)，所述供气嘴(44)与供气通道(43)相连通；所述供气杆(4)上固定设有坩埚放置架(42)，所述石墨坩埚(5)放置在所述坩埚放置架(42)上，所述供气杆(4)的顶部延伸至石墨坩埚(5)内；所述上炉体(3)的顶部设有上炉盖(6)，所述上炉盖(6)的下部固定设有管状结构的晶体生长管(7)，所述晶体生长管(7)的底部沿周向倾斜设有多个晶体生长载面(71)，每个所述晶体生长载面(71)上均设有籽晶槽(72)；所述晶体生长管(7)内对应所述籽晶槽(72)的位置固定设有环状结构的降温管(73)；所述晶体生长管(7)的外侧设有密封管(8)，所述密封管(8)的外径尺寸与所述石墨坩埚(5)的内径尺寸相适配，所述密封管(8)内设有冷却腔(81)；所述上炉盖(6)上固定设有进液管(64)和出液管(65)，所述进液管(64)与出液管(65)之间依次连接降温管(73)和冷却腔(81)；所述密封管(8)与晶体生长管(7)之间形成结晶区(9)，所述密封管(8)的顶部周向上设有多个排气孔(91)，所述排气孔(91)与结晶区(9)连通。2.根据权利要求1所述的一种多个碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述上炉体(3)与下炉体(2)对接的一端分别设有上对接法兰(23)和下对接法兰(34)，所述上对接法兰(23)以嵌入的方式插接在下对接法兰(34)上。3.根据权利要求1所述的一种多个碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述第一升降机构包括第一丝杆升降驱动装置(31)，所述第一丝杆升降驱动装置(31)固定设置在操作台(1)上，第一丝杆升降驱动装置(31)的输出端上固定设有固定架(32)，所述固定架(32)固定设置在上炉体(3)的外侧，所述高频加热线圈(33)固定设置在固定架(32)上。4.根据权利要求1所述的一种多个碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述旋转驱动装置包括旋转驱动电机(48)，所述旋转驱动电机(48)通过吊架(47)固定在所述下炉盖(21)上，所述旋转驱动电机(48)的输出轴通过联轴器与所述供气杆(4)固定连接。5.根据权利要求1所述的一种多个碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述供气杆(4)对应供气嘴(44)的位置设有一圈供气环形槽(45)，所述供气环形槽(45)上至少设有一个供气通孔(46)，所述供气通孔(46)与所述供气通道(43)相连通。6.根据权利要求1所述的一种多个碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述上炉盖(6)的一侧设有第二升降机构，所述第二升降机构包括第二丝杆升降驱动装置(62)，所述第二丝杆升降驱动装置(62)固定载板(61)固定设置在上炉体(3)的一侧，所述第二丝杆升降驱动装置(62)的输出端固定设有悬臂(63)，所述悬臂(63)的端部固定在上炉盖(6)上。
7.根据权利要求1所述的一种多个碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述供气杆(4)与晶体生长管(7)之间设有同步供气装置，所述同步供气装置包括供气环管(74)和插接管(77)，所述插接管(77)通过旋转座(76)固定设置在晶体生长管(7)的底部，所述插接管(77)通过连接管(78)与所述供气环管(74)相连通，所述供气环管(74)对应每个所述籽晶槽(72)的位置均设有喷嘴(75)。8.根据权利要求1所述的一种多个碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述喷嘴(75)喷出的气流对应所述籽晶槽(72)竖直向上。9.一种多个碳化硅晶体生长制备方法，根据权利要求1-8任一项所述多个碳化硅晶体生长装置，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤1，通过第一升降机构将上炉体(3)升起，将石墨坩埚(5)贯穿供气杆(4)放置在坩埚放置架(42)，并向石墨坩埚(5)内添加碳化硅粉料；步骤2，在晶体生长管(7)的每个籽晶槽(72)内固定安装籽晶，形成多个碳化硅晶锭生长单元；步骤3，通过第一升降机构将上炉体(3)下降，与下炉体(2)对接密封，并对炉体内进行抽真空；步骤4、向供气嘴(44)通入惰性保护气体，并对上炉体(3)进行加热，使其炉内温度上升至2000℃-2100℃；步骤5、向降温管(73)和冷却腔(81)内通过冷媒介质，在籽晶槽(72)背部形成低温区，并在密封管(8)与晶体生长管(7)之间形成结晶区(9)；步骤6、启动旋转驱动装置带动供气杆(4)匀速旋转，使石墨坩埚(5)在炉体内运行旋转，通入的惰性保护气体在炉体内形成同步的且方向向上的载气气流；步骤7、碳化硅粉料升华气态分子在载气的作用下稳定升上，并在籽晶外侧形成平稳气流，落入到籽晶的气态分子重新结晶生长出碳化硅晶锭，落入到结晶区(9)的气态分子重新凝结为碳化硅粉料再次回到石墨坩埚(5)内，进行下一次升华；步骤8、待碳化硅晶锭完成生长后，停止加热，自然冷却后，将上炉盖(6)升起，取下多个生长完成的碳化硅晶锭。

技术总结
本发明公开了一种多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置，属于碳化硅晶体生长炉技术领域，包括操作台，操作台上设有碳化硅晶体生长炉，碳化硅晶体生长炉由上炉体和下炉体组成，上炉体的外侧套设有高频加热线圈，下炉体的底部固定设有下炉盖，下炉盖的轴心线上转动连接有供气杆，供气杆的顶部延伸至石墨坩埚内；上炉盖的下部固定设有管状结构的晶体生长管，晶体生长管的底部沿周向倾斜设有多个晶体生长载面；晶体生长管的外侧设有密封管，密封管与晶体生长管之间形成结晶区。本发明可一次性生长多块碳化硅晶锭，碳化硅晶锭的生产效率高。另外可确保了坩埚内气流的稳定性，有利提高碳化硅晶锭生长的品质。高碳化硅晶锭生长的品质。高碳化硅晶锭生长的品质。


技术研发人员：于永澔 李光
受保护的技术使用者：南京宏泰晶智能装备科技有限公司
技术研发日：2023.04.25
技术公布日：2023/8/4