等离子体处理装置和等离子体处理方法与流程

1.本公开涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。


背景技术：

2.例如，专利文献1公开了一种批量式的装置，该批量式的装置向反应管内供给气体并且利用通过天线产生的磁场成分使该气体活性化来产生等离子体，并一次性地对多张基板进行处理。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2014-93226号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.本公开提供一种能够在批量式的等离子体处理装置中更精密地对基板进行等离子体处理的技术。
8.用于解决问题的方案
9.根据本公开的一个方式，提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备：基板保持部，其能够将多张基板在高度方向上分多层地载置；以及处理容器，其收容所述基板保持部，具有对所述基板进行加热的加热部，其中，所述基板保持部具有由电介体形成的多个载置台、以及埋设于多个所述载置台内的第一电极层和第二电极层。
10.发明的效果
11.根据一个方面，能够在批量式的等离子体处理装置中更精密地对基板进行等离子体处理。
附图说明
12.图1是示出第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构例的概要图。
13.图2是示出一个实施方式所涉及的基板保持部的一例的示意截面图。
14.图3是将图2的基板保持部的一部分放大得到的图。
15.图4是示出图2的基板保持部的载置台的一例的示意截面图。
16.图5是载置台的示意截面图。
17.图6是一个实施方式所涉及的支柱构件的一部分的截面图。
18.图7是示出第二实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构例的概要图。
19.图8是图7的等离子体处理装置的截面图。
具体实施方式
20.下面，参照附图来对用于实施本公开的方式进行说明。在各附图中，对同一构成部
分标注相同的标记，并且有时省略重复的说明。
21.在本说明书中，对于平行、直角、正交、水平、垂直、上下、左右等方向，容许不损害实施方式的效果的程度的偏差。角部的形状不限于直角，也可以为带有圆角的弓状。平行、直角、正交、水平、垂直、圆、一致也可以包括大致平行、大致直角、大致正交、大致水平、大致垂直、大致圆、大致一致。
22.在等离子体处理装置的处理容器内，执行ald(atomic layer deposition：原子层沉积)工艺、cvd(chemical vapor deposition：化学气相沉积)工艺等，由此在基板上形成期望的膜。另外，随着形成于基板上的半导体器件的微细化，进行ald工艺的工序增多。ald工艺能够均匀地进行成膜，但相比于cvd工艺而言成膜速率低，生产性下降。为了弥补该生产性下降，提出了在批量式的处理容器的附近使用rf电力来生成等离子体、或者在同时处理几张基板的旋转式的半批量式等离子体处理装置的上部生成等离子体的方法。
23.在对例如几张至几十张基板统一进行处理的批量式的等离子体处理装置中，进行更精密的等离子体控制也是重要的，期望具有使用了与对基板逐张进行处理的单张装置同等程度的rf电力的等离子体处理性能且生产性高的装置。
24.因此，在本实施方式中，提出一种具有向埋入载置台2(参照图1)内的电极层供给rf电力来进行精密的等离子体控制的性能的批量式的等离子体处理装置1。
25.《第一实施方式》
26.[等离子体处理装置]
[0027]
首先，参照图1来对第一实施方式所涉及的等离子体处理装置1的结构例进行说明。图1是示出第一实施方式所涉及的等离子体处理装置1的结构例的概要图。
[0028]
等离子体处理装置1具有处理容器10、气体供给部20、排气装置(未图示)、控制部90等。
[0029]
处理容器10具有大致圆筒形状。处理容器10具有基板保持部5和基座4。处理容器10收容基板保持部5，具有对基板、例如半导体晶圆进行加热的例如加热器等加热部(未图示)。在基板的等离子体处理中，通过加热部能够将处理容器10内加热到700℃～800℃左右。处理容器10、基板保持部5以及基座4例如由石英等耐热材料形成。
[0030]
基板保持部5具有在高度方向上被配置多层的载置台2。在本实施方式中，载置台2包括载置台2a、2b、2c、2d，在载置台2a与载置台2b之间、载置台2b与载置台2c之间、载置台2c与载置台2d之间设置有等离子体处理空间10s(参照图3)。基板保持部5能够在载置台2b、2c、2d上载置多张基板。载置台2由石英等电介体形成。在基板保持部5的外周设置有三个支柱构件3a、3b、3c。三个支柱构件3a、3b、3c沿载置台2的周向以均等的间隔配置，并支承多个载置台2。支柱构件3a、3b、3c固定于基座4。基座4在基板的等离子体处理中能够旋转。
[0031]
气体供给管22贯通处理容器10且水平地延伸，在处理容器10内l字状地弯曲并向上方延伸。气体供给部20使从气体源21输出的处理气体流通到气体供给管22，并从纵向配置的多个气体孔22a向处理容器10内供给处理气体。通过这样，使载置有多张基板w的基板保持部5旋转，来以侧流方式从基板w的外周侧喷出处理气体，对多张基板w同时进行成膜。
[0032]
处理气体例如包括成膜气体、清洁气体、吹扫气体。此外，在图1的例子中示出气体供给管22为一个的情况，但气体供给管22也可以为多个。
[0033]
通过干泵、涡轮分子泵等排气装置对处理容器10的内部进行排气。控制部90控制
等离子体处理装置1的动作。控制部90例如可以是计算机。控制等离子体处理装置1的整体的动作的计算机的程序可以存储于存储介质中。存储介质例如可以是软盘、光盘、硬盘、闪存、dvd等。
[0034]
如图1所示，通过分配器11对从rf(高频)电源16输出的rf电力进行分配。分配后的rf电力经由收容于支柱构件3a、3b、3c(下面，也统称为支柱构件3。)的内部的供电线被供给到埋设于多个载置台2内的多个第一电极层的各第一电极层。
[0035]
载置台2a、2b、2c、2d为直径相同的圆形状，将这些载置台的中心轴设为一致。载置台2a、2b、2c、2d以具有规定的间隔的方式在高度方向上层叠。处理容器10内成为800℃～900℃这样的环境，因此载置台2a、2b、2c、2d优选由针对热最具有耐久性的石英形成。
[0036]
[基板保持部]
[0037]
图2是用通过载置台2的中心轴的面沿垂直方向将基板保持部5切断所得到的截面图。在载置台2中埋设有电极层。在最上层的载置台2a中在上下方向上埋设有第二电极层12ag和第一电极层12ar。第二电极层12ag是与地线gl连接的第二电极层的一例。第一电极层12ar是与用于供给rf电力的供电线rl连接的第一电极层的一例。第二电极层12ag与收纳于固定载置台2的石英的支柱构件3a、3b、3c中的支柱构件3c内的空洞的地线gl连接，第一电极层12ar与收纳于支柱构件3a内的空洞的供电线rl连接。
[0038]
在从上起的第二个载置台2b内，在上下方向上埋设有第二电极层12bg和第一电极层12br。第二电极层12bg是与地线gl连接的第二电极层的一例。第一电极层12br是与用于供给rf电力的供电线rl连接的第一电极层的一例。第二电极层12bg与收纳于支柱构件3a内的空洞的地线gl连接，第一电极层12br与收纳于支柱构件3b内的空洞的供电线rl连接。
[0039]
在从上起的第三个载置台2c内，在上下方向上埋设有第二电极层12cg和第一电极层12cr。第二电极层12cg是与地线gl连接的第二电极层的一例。
[0040]
第一电极层12cr是与用于供给rf电力的供电线rl连接的第一电极层的一例。第二电极层12cg与收纳于支柱构件3b内的空洞的地线gl连接，第一电极层12cr与收纳于支柱构件3c内的空洞的供电线rl连接。
[0041]
在最下层的载置台2d内，第二电极层12dg埋设于基板的载置面侧。第二电极层12dg是与地线gl连接的第二电极层的一例。在载置台2d内未埋设第一电极层。第二电极层12dg与收纳于支柱构件3c内的空洞的地线gl连接。
[0042]
在埋设于基板保持部5的多个载置台2a～2d的电极层中，最靠上(处理容器10的上侧)的电极层(第二电极层12ag)和最靠下(处理容器10的下侧)的电极层(第二电极层12dg)是与地连接的第二电极层。通过这样使设置于载置台2的最靠上及最靠下的电极层与地连接来作为屏蔽件发挥功能，能够避免在载置台2与处理容器10之间生成等离子体。为了发挥该屏蔽件功能，在最上层的载置台2a内，使第二电极层12ag配置于比第一电极层12ar更靠上的位置。
[0043]
关于地线gl，可以在多个支柱构件3a、3b、3c中的至少任一支柱构件的内部收容与多个载置台2内的第二电极层12ag、12bg、12cg、12dg中的至少任一第二电极层相连的地线。在仅在支柱构件3中的一个支柱构件中收纳有地线gl的情况下，第二电极层12ag、12bg、12cg、12dg均与收容于该支柱构件3内的地线gl连接。
[0044]
在载置台2的上表面形成浅的圆形的凹部，凹部的底形成为用于载置基板w的载置
面2u。载置面2u为圆形，其直径比基板w的直径大。在载置台2的下表面，也在与上表面的凹部相向的位置存在相同尺寸的圆形的凹部。下表面的凹部的底(底面2l)为圆形。由此，在相邻的载置台2间形成作为等离子体生成空间10s(参照图3)发挥功能的空间。
[0045]
例如多个载置台2中的载置台2b(第一载置台的一例)内的第一电极层12br隔着等离子体处理空间10s与同载置台2b相邻的载置台2c(第二载置台的一例)内的第二电极层12cg相向。载置台2b内的第二电极层12bg隔着等离子体处理空间10s与同载置台2b相邻的载置台2a(第三载置台的一例)的第一电极层12ar相向。
[0046]
向第一电极层12ar、12br、12cr(下面，也统称为第一电极层12r)供给rf电力。通过分配器11对从rf电源16输出的rf电力进行分配，并且向多个载置台2a、2b、2c内的第一电极层12ar、12br、12cr分别分配并供给该rf电力。
[0047]
第二电极层12ag、12bg、12cg、12dg(下面，也统称为第二电极层12g)经由阻抗调整器13来与地连接。但是，第二电极层12ag、12bg、12cg、12dg也可以不经由阻抗调整器13地直接与地连接。
[0048]
通过以上的结构，向载置台2内的各个第一电极层12r供给rf电力，来在载置台2内产生电场。与各个第一电极层12r相向的载置台2内的第二电极层12g为地电位，在各等离子体处理空间10s(参照图3)产生放电现象，来使各等离子体处理空间10s内生成等离子体。图3是将图2的基板保持部5的一部分放大得到的图。在载置台2a与载置台2b之间的等离子体处理空间10s中生成由虚线所示的等离子体。省略了在载置台2b之下的等离子体处理空间10s生成的等离子体。
[0049]
在图3的例子中，向第一电极层12ar供给rf电力。由此，在载置台2a与载置台2b之间的等离子体处理空间10s生成等离子体，来对载置于载置台2b的载置面2u的基板w实施等离子体处理。
[0050]
同样地，向第一电极层12br供给rf电力。由此，在载置台2b与载置台2c之间的等离子体处理空间(参照图2)生成等离子体，以对载置于载置台2c的载置面2u的基板w实施等离子体处理。
[0051]
同样地，向第一电极层12cr供给rf电力。由此，在载置台2c与载置台2d之间的等离子体处理空间(参照图2)生成等离子体，以对载置于载置台2d的载置面2u的基板w实施等离子体处理。
[0052]
通过该结构，能够提供一种等离子体处理装置1，该等离子体处理装置1具有使用了与对基板逐张地进行处理的单张式等离子体处理装置同等程度的rf电力的、面内均匀性高的等离子体处理性能，并且通过对多张基板w同时统一地进行成膜，由此生产性高。
[0053]
基板保持部5在各个载置台2b～2d具有用于基板w的交接的升降销机构41。在图3中，仅图示出用于载置台2b上的基板w的交接的升降销机构41。升降销机构41具有使升降销进行升降的功能，构成为通过贯通载置台2b～2d的各个升降销来从基板w的背面抬起基板w并将基板w交接到搬送臂、或者将基板w载置于载置面2u。
[0054]
从各载置台2的载置面2u到各载置台2的下表面中的凹部的底面2l的厚度约为10mm。在载置台2中，在最上层的载置台2a的上表面可以没有凹部和载置面。在该情况下，从载置台2a的上表面到下表面的底面2l的厚度例如约为10mm。相邻的载置台2间的等离子体处理空间10s的高度、也就是从某个载置台2的底面2l到相邻的下层的载置台2的载置面2u
的距离例如约为6mm～30mm。
[0055]
升降销机构41设置于各层的载置台2，通过升降销来进行基板w的出入。因此，支柱构件3a、3b、3c以具有能够确保在水平方向上取出由升降销机构41抬起的基板w所需的宽度的间隔的方式配置。另外，如图2所示，支柱构件3a、3b、3c在比载置面2u更靠外周侧的位置处沿高度方向延伸，并且通过从最上层的载置台2a到最下层的载置台2d为止的全部的载置台2。支柱构件3a、3b、3c由石英等电介体形成，并且是中空的。
[0056]
[电极层]
[0057]
接着，参照图4和图5来更详细地说明第一电极层12r和第二电极层12g。图4的(a)是将作为载置台2的一例的载置台2b放大地示出的示意截面图。图4的(b)是图4的(a)的区域e的放大图。图5的(a)是图2的a-a截面图，图5的(b)是图2的b-b截面图。图5的(c)是图5的(b)的c-c截面图。
[0058]
如图4和图5所示，第一电极层12br等以及第二电极层12ag、12bg等为网格状的电极，电极线配置为格子状。相邻的电极线的间隔例如为2mm～8mm。如本实施方式那样，可以是第一电极层和第二电极层这两方为网格状的电极，也可以是一方为网格状的电极且另一方为膜状的电极。第一电极层12r和第二电极层12g为相同的大小，它们的外缘均为圆形。
[0059]
如图4的(a)和图5的(b)所示，圆形状的载置台2的直径φ例如为400mm。第一电极层12r和第二电极层12g的外缘部的大小可以比载置面2u大，也可以与其大致相同。在图4的(a)所示的例子中，第一电极层12r和第二电极层12g的直径φ为330mm，载置面2u的直径φ约为302mm，第一电极层12r和第二电极层12g的外缘部的大小比载置面2u大。
[0060]
从载置台2b的上表面到载置面2u的深度约为0.6mm。在载置台2b的厚度方向上，从载置面2u到第二电极层12bg的距离为1mm～2mm。厚度方向上的从第二电极层12bg到第一电极层12br的距离为2mm～8mm。从第一电极层12br到载置台2b的底面2l的厚度为1mm～2mm。
[0061]
参照将图4的(a)的区域e放大得到的图4的(b)，在第二电极层12bg的网格状(格子状)的电极线间的各空隙123配置有由电介体形成的柱部122。柱部122例如由石英形成。柱部122固定于载置台2b的石英间。
[0062]
第二电极层12bg由金属形成，载置台2b由石英形成。因此，在当进行基板w的等离子体处理时基板保持部5的温度成为了500℃～700℃以上的高温的情况下，由于第二电极层12bg与载置台2b之间的热膨胀差，对隔着第一电极层12r和第二电极层12g的载置台2施加应力。与此相对地，通过在空隙123设置柱部122，能够缓和针对载置台2的应力。
[0063]
柱部122的高度为1mm～2mm。如前所述，第二电极层12bg的相邻的电极线的间隔为2mm～8mm。关于第一电极层12r，也与第二电极层12g同样地，在电极层为网格状的情况下，在网格状的电极线间的空隙123配置石英的柱部122。
[0064]
此外，如图4的(b)所示，第二电极层12bg与电极引出线bl连接，并经由连接器部cn来与地线gl连接。第一电极层12br与未图示的电极引出线连接，并经由连接器部来与供电线rl连接。在图4中，省略了收容地线gl和供电线rl的支柱构件3。在载置面2u上通过压花加工形成微细的凸部2u1，基板w被载置于凸部2u1上。
[0065]
通过分配器11向各层的载置台2的第一电极层12r分配并供给的rf电力大致为200w～300w，但不限于此。
[0066]
如图5的(b)所示，针对第一电极层12br的供电从网格状的电极线的端部一处来进
行。针对其它第一电极层12r的供电也同样。在本实施方式中，在支柱构件3a、3b、3c中均各收容有一个供给线rl和一个地线gl。各供给线rl与第一电极层12ar、12br、12cr中的任一第一电极层连接，各地线gl与第二电极层12ag、12bg、12cg、12dg中的至少任一第二电极层连接。也可以是，在支柱构件3a、3b、3c中的任一支柱构件中收容有一个地线gl。
[0067]
也可以是，在支柱构件3中的任一支柱构件中收容有多个供给线r和/或地线gl。也可以是，在支柱构件3中的任一支柱构件中未收容供给线r和/或地线gl。
[0068]
图6是一个实施方式所涉及的支柱构件3的一部分的截面图。支柱构件3的内部是空洞，在图6的(a)的例子中，在支柱构件3的内壁露出石英。在图6的(b)的例子中，支柱构件3的内壁被金属膜或金属的筒状构件134覆盖。金属膜或金属的筒状构件134可以与地连接并作为用于使载置台2内的各个第二电极层12g接地的地线gl发挥功能。
[0069]
在图6的(a)的例子中，在石英的支柱构件3内各收容有一个供给线rl和一个地线gl。供给线rl和地线gl贯通石英的固定构件133。供给线rl和地线gl通过固定构件133以不接触的方式进行布线。
[0070]
在图6的(b)的例子中，通过将金属膜或金属的筒状构件134作为地线gl，在支柱构件3内仅布线有供给线rl。通过中央的供给线rl和外侧的金属膜或金属的筒状构件134(地线gl)，能够形成屏蔽了高频的同轴构造。供给线rl贯通石英的固定构件133。由此，供给线rl以不与地电位的金属膜或金属的筒状构件134接触的方式进行布线。此外，为了防止电气短路，可以通过石英等陶瓷的筒来覆盖供给线rl自身。
[0071]
阻抗调整器13(参照图2)设置于地线gl。从rf电源16输出的rf电力被进行分配，一部分rf电力被供给到第一电极层12ar，并经由在等离子体处理空间10s中生成的等离子体从第二电极层12bg向地流动。另外，一部分rf电力被供给到第一电极层12br，并经由在等离子体处理空间10s中生成的等离子体从第二电极层12cg向地流动。并且，一部分rf电力被供给到第一电极层12cr，并经由在等离子体处理空间10s中生成的等离子体从第二电极层12dg向地流动。
[0072]
阻抗调整器13能够改变从第二电极层12bg、12cg、12dg向地流动的高频的电流量。由此，能够控制在等离子体处理空间10s中生成的等离子体的扩散度(扩散的程度)、等离子体密度等，从而能够更精密地控制基板w的等离子体处理。
[0073]
《第二实施方式》
[0074]
[等离子体处理装置]
[0075]
接着，参照图7来对第二实施方式所涉及的等离子体处理装置1的结构例进行说明。图7是示出第二实施方式所涉及的等离子体处理装置1的结构例的概要图。
[0076]
第二实施方式所涉及的等离子体处理装置1与第一实施方式所涉及的等离子体处理装置1不同的结构在于：在第二实施方式中设置有等离子体生成机构30，但在第一实施方式中不存在该结构。因而，以等离子体生成机构30为中心进行说明，省略对在第一实施方式中已说明的结构的重复说明。
[0077]
等离子体生成机构30配置于处理容器10的外部侧壁，具有供给rf电力的相向电极来作为在等离子体生成机构30内生成等离子体的远程等离子体源发挥功能。等离子体生成机构30将例如n2气体进行等离子体化来生成n自由基等活性种。
[0078]
参照图8来对等离子体生成机构30内的结构例进行说明。图8是沿水平方向将图7
的等离子体处理装置切断所得到的截面图，包括等离子体生成机构30的截面结构。等离子体生成机构30具有等离子体划分壁32、一对等离子体电极(相向电极)33、供电线34、rf电源35以及绝缘保护罩36。
[0079]
等离子体划分壁32与处理容器10的外壁气密地焊接在一起。等离子体划分壁32例如由石英形成。等离子体划分壁32的截面呈凹状，覆盖形成于处理容器10的侧壁的开口31。开口31以能够在上下方向上盖住被支承于基板保持部5的全部基板w的方式在上下方向上细长地形成。在由等离子体划分壁32规定出并且与处理容器10内连通的内侧空间、即等离子体生成空间配置有气体供给管23。另一方面，气体供给管22设置于沿着等离子体生成空间外的处理容器10的内侧壁的、靠近基板w的位置。
[0080]
一对等离子体电极33分别具有在处理容器10的高度方向上细长的形状，并且在等离子体划分壁32的两侧的壁的外表面沿上下方向相向地配置。各等离子体电极33的下端与供电线34连接。
[0081]
供电线34将各等离子体电极33与rf电源35电连接。rf电源35经由供电线34来与各等离子体电极33的下端连接，向一对等离子体电极33供给例如13.56mhz的rf电力。由此，向由等离子体划分壁32规定出的等离子体生成空间内施加rf电力。
[0082]
从气体供给管23的气体孔23a喷出的气体(例如n2气体)在被施加有rf电力的等离子体生成空间内等离子体化，由此生成的气体的活性种经由开口31被供给至处理容器10的内部。绝缘保护罩36以覆盖该等离子体划分壁32的方式安装于等离子体划分壁32的外侧。
[0083]
根据第二实施方式所涉及的等离子体处理装置1，在等离子体生成机构30中使气体(例如n2气体)解离，能够从等离子体生成机构30向处理容器10内供给n2气体等的活性种。在基板保持部5，在各载置台2之间的等离子体处理空间10s中生成等离子体。例如，使从气体供给管22的气体孔22a供给的气体(例如sih4气体)解离，另外，能够使从等离子体生成机构30供给的n2气体等的活性种在等离子体处理空间10s中再解离。由此，能够对基板w实施更精密的等离子体处理。
[0084]
如以上所说明的那样，根据第一实施方式及第二实施方式所涉及的等离子体处理装置1，设为由网格状的金属来构成供给rf电力的第一电极层12r和作为地电极的第二电极层12g，并且通过石英板的载置台2来将这些金属层封闭的构造。也就是说，在一张石英板的载置台2中埋入两个电极层，并且例如向其中一个第一电极层12r供给rf电力，将另一个第二电极层12g设为地电位。通过层叠这样的构造的载置台2，能够提供一种石英板的载置台2在高度方向上被配置多层的批量式的等离子体处理装置1。
[0085]
在该结构的等离子体处理装置1中执行的等离子体处理方法中，向第一电极层12r供给rf电力，并使第二电极层12g与地连接。在基板保持部5的被配置多层的载置台2之间的等离子体处理空间10s中生成等离子体，对被保持于基板保持部5的多张基板w进行等离子体处理。由此，在能够对多张基板w同时进行处理的批量式的等离子体处理装置1中，能够更精密地对基板w进行等离子体处理，并且使生产性提高。
[0086]
应当认为，本次公开的实施方式所涉及的等离子体处理装置和等离子体处理方法在所有方面均为例示，而非限制性的。实施方式能够不脱离所附的权利要求书及其主旨地以各种方式进行变形和改良。上述多个实施方式所记载的事项能够在不矛盾的范围内采取其它结构，另外，能够在不矛盾的范围内进行组合。
[0087]
附图标记说明
[0088]
1：等离子体处理装置；2、2a～2d：载置台；3、3a～3c；支柱构件；5：基板保持部；10：处理容器；11：分配器；12r：第一电极层；12g：第二电极层；13：阻抗调整器；16：rf电源；30：等离子体生成机构；41：升降销机构。

技术特征：
1.一种等离子体处理装置，具备：基板保持部，其能够将多张基板在高度方向上分多层地载置；以及处理容器，其收容所述基板保持部，具有对所述基板进行加热的加热部，其中，所述基板保持部具有由电介体形成的多个载置台、以及埋设于多个所述载置台内的第一电极层和第二电极层。2.一种等离子体处理装置，具备：基板保持部，其能够将多张基板在高度方向上分多层地载置；处理容器，其收容所述基板保持部，具有对所述基板进行加热的加热部；以及等离子体生成机构，其配置于所述处理容器的外部侧壁，具有被供给射频电力即rf电力的相向电极，所述等离子体生成机构生成等离子体，其中，所述基板保持部具有由电介体形成的多个载置台、以及埋设于多个所述载置台内的第一电极层和第二电极层。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极层和/或所述第二电极层是网格状或膜状的电极。4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述第一电极层和/或所述第二电极层为网格状的情况下，贯通所述网格状的空隙地配置电介体的柱部。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极层被供给rf电力，所述第二电极层与地连接。6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二电极层经由阻抗调整器来与地连接。7.根据权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于，多个所述载置台中的第一载置台内的所述第一电极层与同所述第一载置台相邻的第二载置台内的所述第二电极层隔着等离子体处理空间相向，所述第一载置台内的所述第二电极层与同所述第一载置台相邻的第三载置台内的所述第一电极层隔着等离子体处理空间相向，所述基板保持部构成为：当所述第一载置台内和所述第三载置台内的所述第一电极层被供给rf电力时，在所述第一载置台与所述第二载置台之间以及所述第一载置台与所述第三载置台之间的所述等离子体处理空间中生成等离子体，来对多张所述基板进行等离子体处理。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述基板保持部在多个所述载置台分别具有用于所述基板的交接的升降销机构。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述基板保持部在多个所述载置台分别具有用于载置所述基板的载置面。10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层的外缘为圆形状，所述第一电极层和所述第二电极层的外缘比所述基板大或者与所述基板相同。11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极层的外缘与所述第二电极层的外缘为相同的大小。
12.根据权利要求9至11中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述基板保持部具有在比所述载置面更靠外周侧的位置处沿高度方向延伸的、由所述电介体形成的中空的多个支柱构件。13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，在多个所述支柱构件中的至少任一支柱构件的内部收容与多个所述载置台内的所述第二电极层连接的地线。14.根据权利要求12或13所述的等离子体处理装置，其特征在于，具备rf电源，所述rf电源输出rf电力，在多个所述支柱构件中的至少任一支柱构件的内部收容将所述rf电源与多个所述载置台内的所述第一电极层连接的供给线。15.根据权利要求12至14中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，多个所述支柱构件的内壁被金属膜或金属的筒状构件覆盖，所述金属膜或所述金属的筒状构件与地连接，作为使多个所述载置台内的所述第二电极层接地的地线发挥功能。16.根据权利要求1至15中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，还具备：rf电源，其输出rf电力；以及分配器，其对从所述rf电源输出的rf电力进行分配，其中，向多个所述载置台内的多个所述第一电极层分配并供给rf电力。17.根据权利要求1至16中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，在多个所述载置台中，多个所述载置台内的所述第二电极层配置于比所述第一电极层更靠上的位置。18.根据权利要求1至17中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，埋设于多个所述载置台内的第一电极层和第二电极层中的、最靠上和最靠下的电极层是所述第二电极层。19.一种等离子体处理方法，是在根据权利要求1至18中的任一项所述的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，在所述等离子体处理方法中，向第一电极层供给rf电力，将第二电极层与地连接，在基板保持部的被配置多层的载置台之间的空间中生成等离子体，来对保持于所述基板保持部的多张基板进行等离子体处理。

技术总结
本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在批量式的等离子体处理装置中更精密地对基板进行等离子体处理。所述等离子体处理装置具备：基板保持部，其能够将多张基板在高度方向上分多层地载置；以及处理容器，其收容所述基板保持部，具有对所述基板进行加热的加热部，其中，所述基板保持部具有由电介体形成的多个载置台、以及埋设于多个所述载置台内的第一电极层和第二电极层。台内的第一电极层和第二电极层。台内的第一电极层和第二电极层。


技术研发人员：池田太郎 松浦广行 川上聪
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2023.01.17
技术公布日：2023/8/5