一种高光亮耐刮花抗粘母料及其制备方法与流程

1.本发明涉及bopet薄膜技术领域，尤其涉及一种高光亮耐刮花抗粘母料及其制备方法。


背景技术：

2.目前生产bopet薄膜所采用的抗粘结剂大多采用的是无机二氧化硅，二氧化硅因粒径小很轻，而且易吸水后凝聚成大颗粒，因此在酯化和缩聚时加入二氧化硅时，需将其均匀分散在乙二醇中才能加入到酯化釜中。此外，在薄膜生产熔融时也因为有少量水分子的存在，会造成二氧化硅的凝聚，虽然熔体会经过滤器进行过滤，但由于熔体在经过滤网时的流动摩擦产生磨擦静电，二氧化硅离开滤网时也会因静电效应会产生凝聚。当二氧化硅凝聚在薄膜表面时，会使薄膜表面的粗造度增加,易造成划伤，同时会形成颗粒状的麻点，影响薄膜表面的光泽度和印刷效果。
3.二氧化硅比表面积大，且极易吸水，很难进行包覆性的有机化处理，所以与pet树酯的亲合力很低，在薄膜进行拉伸时二氧化硅粒子与pet树酯接触的界面分离形成空穴，这些空穴的形成使得bopet薄膜的雾度大幅度增加，所以二氧化硅添加剂的含量越高，薄膜的雾度就越高。为了生产出雾度低，高透明薄膜就要减少二氧化硅添加剂的含量，但当含量减少到一定值时再往下减少，就会使薄膜的摩擦系数增加，影响分切的收卷性能，所以为了确保分切后的收卷质量，薄膜雾度必须≥2.5％。因此，需要开发一种能够提高薄膜表面光泽度、降低雾度的抗粘结添加剂，用于生产高光亮，高透明薄膜。


技术实现要素：

4.基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种高光亮耐刮花抗粘母料及其制备方法，该抗粘母料在具备良好的光学性能的同时，还具备较好的耐刮花性能。
5.本发明提出的一种高光亮耐刮花抗粘母料，所述抗粘母料按质量百分比计，包括：聚硅氧烷微球12～18％、硫酸钡1～3％、聚对苯二甲酸乙二醇酯78～86％、分散剂0.3～1％。
6.优选地，所述聚硅氧烷微球为聚甲基聚硅氧烷、聚二甲基硅氧烷、双聚乙烯聚二甲基硅氧烷。
7.优选地，所述聚硅氧烷微球的平均粒径为2～6μm。
8.优选地，所述硫酸钡为有机包覆处理过的硫酸钡。
9.优选地，所述硫酸钡的制备如下：将无水硫酸钡和12-羟基硬脂酸钠加入到80～85℃的去离子水中，搅拌，加入硫化钡，搅拌反应；反应结束后，过滤，用热乙醇溶液和去离子水洗涤，干燥，粉碎，即得有机包覆处理过的硫酸钡。
10.优选地，所述无水硫酸钡和12-羟基硬脂酸钠的质量比为17.5：1.7～2.4；硫酸钡和硫化钡的质量比为17.5：0.3～0.5。
11.优选地，在80～85℃下搅拌反应30～60min。
12.优选地，所述分散剂选自硬脂酸单甘油酯、三硬脂酸甘油酯、氧化聚乙烯蜡中的任意一种。
13.本发明还提出了上述高光亮耐刮花抗粘母料的制备方法，包括以下步骤：将聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚硅氧烷微球混合；然后再加入硫酸钡、分散剂，混合；将混合后的物料熔融挤出，冷却、造粒，即得。
14.优选地，熔融挤出温度为220～280℃。
15.与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
16.1.本发明采用聚硅氧烷微球作为抗粘连剂，兼具抗粘和增滑的功能，其球形、透明的结构性状，不易产生静电吸附。
17.2.本发明通过对硫酸钡进行有机化包覆性处理后，提高了硫酸钡的分散性和与pet树酯的亲和力，且硫酸钡不易凝聚，使薄膜表面无大颗粒，薄膜雾度降低，粗糙度较小，摩擦减小，不易刮花或划伤。
18.本发明抗粘母料能有效地防止薄膜在收卷和放卷过程中产生的粘连，特别是适用于bopet薄膜的金属化镀铝、烟膜、烫金转移膜等专用母料；同时，该母料具有较高的光学特性和耐刮花性能，在薄膜表层加入本母料后，薄膜表层分布了高分散的抗粘粒子，因抗粘粒子极高的球型率和光滑柔软的颗粒能防止薄膜表面划伤及刮花，并能有效的提高薄膜的抗摩擦能力，降低摩擦系数，同时具有较好的光学性能，具备较高的光泽度和较低的雾度，具有更稳定的表面质量性能，解决了普通聚酯薄膜光学性能差、易刮花擦伤这一难点。
具体实施方式
19.下面，通过具体实施例对本发明的技术方案进行详细说明。
20.下述实施例中，硫酸钡为有机包覆处理的硫酸钡，其制备如下：将17.5份无水硫酸钡和2份的12-羟基硬脂酸钠加入到80～85℃的去离子水中，搅拌分散，加入0.4份的硫化钡，搅拌反应40min；反应结束后，过滤，用热乙醇溶液和去离子水洗涤，干燥，粉碎，即得有机包覆处理过的硫酸钡。
21.下述实施例中，聚硅氧烷微球的粒径为4μm。
22.实施例1
23.一种高光亮耐刮花薄膜抗粘母料配方如下：聚硅氧烷微球：18％、硫酸钡：3％、聚对苯二甲酸乙二醇酯：78％、分散剂:1％；其中，聚硅氧烷微球为聚甲基聚硅氧烷，分散剂为硬脂酸单甘油酯。
24.制备如下：将聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚硅氧烷微球和硫酸钡一起放入到高速混合器中，高速混合3min；然后再加入1％的分散剂，高速混合5min，将混合后的物料加入双螺杆挤出机，熔融挤出、冷却、造粒，得到高光亮耐刮花抗粘薄膜母料-a1。
25.实施例2
26.一种高光亮耐刮花薄膜抗粘母料配方如下：聚硅氧烷微球：15％、硫酸钡：2％、聚对苯二甲酸乙二醇酯：82.2％、分散剂:0.8％；其中，聚硅氧烷微球为聚二甲基硅氧烷，分散剂为三硬脂酸甘油酯。
27.制备方法同实施例1，得到高光亮耐刮花抗粘薄膜母料-a2。
28.实施例3
29.一种高光亮耐刮花薄膜抗粘母料配方如下：聚硅氧烷微球：12％、硫酸钡：1.5％、聚对苯二甲酸乙二醇酯：86％、分散剂:0.5％；其中，聚硅氧烷微球为双聚乙烯聚二甲基硅氧烷，分散剂为氧化聚乙烯蜡。
30.制备方法同实施例1，得到高光亮耐刮花抗粘薄膜母料-a3。
31.对比例
32.一种聚酯薄膜抗粘母料的制备：与实施例1相比，区别仅在于，将实施例1中的聚硅氧烷微球替换为二氧化硅添加剂(平均粒径为4μm)，得到聚酯薄膜抗粘母料-b。
33.将实施例1-3及对比例所制备抗粘母料添加到聚酯薄膜制备过程中，对制得的聚酯薄膜的性能进行检测，所得聚酯薄膜的主要物性指标如表1所示。
34.表1
[0035][0036][0037]
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.一种高光亮耐刮花抗粘母料，其特征在于，所述抗粘母料按质量百分比计，包括：聚硅氧烷微球12～18％、硫酸钡1～3％、聚对苯二甲酸乙二醇酯78～86％、分散剂0.3～1％。2.根据权利要求1所述的高光亮耐刮花抗粘母料，其特征在于，所述聚硅氧烷微球为聚甲基聚硅氧烷、聚二甲基硅氧烷、双聚乙烯聚二甲基硅氧烷。3.根据权利要求1或2所述的高光亮耐刮花抗粘母料，其特征在于，所述聚硅氧烷微球的平均粒径为2～6μm。4.根据权利要求1-3任一项所述的高光亮耐刮花抗粘母料，其特征在于，所述硫酸钡为有机包覆处理过的硫酸钡。5.根据权利要求4所述的高光亮耐刮花抗粘母料，其特征在于，所述硫酸钡的制备如下：将无水硫酸钡和12-羟基硬脂酸钠加入到80～85℃的去离子水中，搅拌，加入硫化钡，搅拌反应；反应结束后，过滤，用热乙醇溶液和去离子水洗涤，干燥，粉碎，即得有机包覆处理过的硫酸钡。6.根据权利要求5所述的高光亮耐刮花抗粘母料，其特征在于，所述无水硫酸钡和12-羟基硬脂酸钠的质量比为17.5：1.7～2.4；硫酸钡和硫化钡的质量比为17.5：0.3～0.5。7.根据权利要求5所述的高光亮耐刮花抗粘母料，其特征在于，在80～85℃下搅拌反应30～60min。8.根据权利要求1-7任一项所述的高光亮耐刮花抗粘母料，其特征在于，所述分散剂选自硬脂酸单甘油酯、三硬脂酸甘油酯、氧化聚乙烯蜡中的任意一种。9.如权利要求1-8任一项所述的高光亮耐刮花抗粘母料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚硅氧烷微球混合；然后再加入硫酸钡、分散剂，混合；将混合后的物料熔融挤出，冷却、造粒，即得。10.根据权利要求9所述的高光亮耐刮花抗粘母料的制备方法，其特征在于，熔融挤出温度为220～280℃。

技术总结
本发明公开了一种高光亮耐刮花抗粘母料及其制备方法，涉及BOPET薄膜技术领域，所述抗粘母料按质量百分比计，包括：聚硅氧烷微球12～18％、硫酸钡1～3％、聚对苯二甲酸乙二醇酯78～86％、分散剂0.3～1％。该抗粘母料能有效地防止薄膜在收卷和放卷过程中产生的粘连，特别是适用于BOPET薄膜的金属化镀铝、烟膜、烫金转移膜等专用母料；同时，该母料具有较高的光学特性和耐刮花性能，在薄膜表层加入本母料后，薄膜表层分布了高分散的抗粘粒子，因抗粘粒子极高的球型率和光滑柔软的颗粒能防止薄膜表面划伤及刮花，并能有效的提高薄膜的抗摩擦能力，降低摩擦系数，同时具有较好的光学性能，具备较高的光泽度和较低的雾度。具备较高的光泽度和较低的雾度。


技术研发人员：王豹
受保护的技术使用者：安徽国风新材料股份有限公司
技术研发日：2023.05.11
技术公布日：2023/8/6